CN102203928B - 引线焊接方法以及半导体装置 - Google Patents

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Abstract

在引线焊接方法中，包括：第一焊接工序，由毛细管使得形成在引线前端的初始球接合在第一焊接点(11)，形成压焊球(12)；引线推压工序，多次反复实行使得毛细管大致垂直地上升后、使得毛细管向着第二焊接点(19)方向朝着斜下方下降比毛细管上升量少的量的连续动作，在多个位置朝着第二焊接点(19)方向推压引线；第二焊接工序，使得毛细管上升，接着，使得毛细管朝着第二焊接点(19)方向移动，通过将引线压焊在第二焊接点(19)上接合。由此，在第一焊接点和第二焊接点的焊接中，能一边抑制引线强度低下，一边能使得引线环高度更低。

Description

引线焊接方法以及半导体装置
技术领域
本发明涉及用引线连接第一焊接点及第二焊接点的引线焊接方法，以及具有用引线连接第一焊接点及第二焊接点的引线环形状的半导体装置。
背景技术
在半导体装置的组装中使用由金属细线连接安装在引脚框的半导体芯片的焊接点(pad)和引脚框的引脚之间的引线焊接。引线焊接可以使用引线焊接装置，采用以下方法：最初在引线前端形成初始球，通过毛细管使得该初始球与半导体芯片的焊接点压接，形成压焊球。接着，使得毛细管上升，朝着第二焊接点的相反侧，逆向动作后，进一步使得毛细管上升到所定高度后，使得毛细管朝第二焊接点方向移动，将引线连接到第二焊接点上(例如，参照专利文献1的图4至图6)。
这样，若使得毛细管动作，焊接引线，大多将引线环的形状设为三角形状或梯形形状，所述三角形状包含从压焊在半导体芯片的焊接点的压焊球朝上延伸的引线颈，以及从引线颈向着第二焊接点弯曲的倾斜部分，所述梯形形状包含从引线颈向着第二焊接点大致水平延伸的水平部分，以及从水平部分向着第二焊接点延伸的倾斜部分。这是由于若使得接近压焊球的部分向着第二焊接点朝毛细管的水平方向移动，则有时在移动中在毛细管和金属细线之间产生摩擦，会对颈部分给与损伤的缘故。
但是，该引线环形状包含从压焊球朝上方立起的引线颈，因此，引线环高度变高，存在不能减小通过引线焊接组装的半导体装置整体的高度或厚度的问题。
于是，提出了以下焊接方法：焊接在第一焊接点后，实行使得毛细管上升若干，朝着与第二焊接点相反侧移动的逆向动作，进一步使得毛细管上升若干，朝着第二焊接点侧移动的前进动作后，使得毛细管下降，将引线颈部分折返压接在压焊球上，将引线延伸方向设为水平或比水平若干上方的位置后，一边从毛细管前端输出引线，一边使得毛细管上升，接着，使得毛细管移动到第二焊接点，将引线连接在第二焊接点(例如，参照专利文献1的图1至图3，或专利文献2的图1至图3)。
另外，提出了以下焊接方法：在焊接第一焊接点和第二焊接点的焊接方法中，在第一焊接点形成压焊球后，使得毛细管稍稍上升，向着第二焊接点移动，使得毛细管下降比毛细管上升量少的量，朝下推压引线，接着，使得毛细管上升，一边输出引线，一边使得毛细管朝第二焊接点方向移动，将引线连接在第二焊接点(例如，参照专利文献3的图1及图2)。
又，作为引线环的拱形高度形成大约100μm的低环的引线焊接方法，提出了以下焊接方法：在第一焊接点焊接形成压焊球后，进行第一上升、第一下降且平行移动、第二上升、第二下降且平行移动后，焊接在第二焊接点。在该方法中，提出了在第一上升中，上升到必要的引线环拱形高度的数倍高度后，再在第二上升中仅仅按引线环长度动作，同时，将第一下降且平行移动、第二下降且平行移动设为弧状(例如，参照专利文献4的图3)。
又，提出了以下焊接方法：在焊接第一焊接点和第二焊接点的焊接方法中，在第一焊接点焊接形成压焊球和球颈后，使得毛细管向着第二焊接点朝斜上方移动，使得球颈斜向倾斜后，多次进行通过毛细管上升、水平移动使得引线弯曲的弯曲工序后，使得毛细管上升，成环在第二焊接点，焊接在第二焊接点(例如，参照专利文献5的图1至图4)。
[专利文献1]日本特开2004-172477号公报
[专利文献2]日本特开平9-51011号公报
[专利文献3]日本特开2005-39192号公报
[专利文献4]日本特开平8-316260号公报
[专利文献5]日本专利第4137061号说明书
在专利文献1或专利文献2记载的以往技术的焊接方法中，将引线折返在压焊球上，形成头部分，因此，存在有时会损伤第一焊接点附近的引线问题。又，头部分的高度并不那么低，有时不能与使得整体的引线环高度更低的要求相对应。
另一方面，专利文献3记载的以往技术的焊接方法，没有如专利文献1或专利文献2所记载的方法那样，将引线折返在压焊球上形成头部分，而是使得与压焊球连接的部分的引线，向着第二焊接点弯曲，将引线连接在第二焊接点上，因此，与专利文献1或专利文献2记载的方法相比，能降低引线环整体高度。又，专利文献5记载的作为以往技术的焊接方法，能抑制给与第一焊接点附近引线的损伤，降低引线环高度。
但是，专利文献3记载的以往技术的焊接方法，通过毛细管将与压焊球连接部分的引线向着第二焊接点朝水平方向推压后，朝下推压，使得毛细管下降比毛细管上升量少的量，因此，使得毛细管水平移动时，有时因毛细管和引线的摩擦力将与压焊球连接部分的引线朝着引线轴向拉引。并且，若这样拉引引线，则与压焊球连接部分的引线的截面积变小，引线强度降低，存在有时引起引线断线的问题。同样，专利文献5记载的以往技术的焊接方法也使得引线向着第二焊接点方向水平移动，因此，因毛细管和引线的摩擦力，拉引与压焊球连接部分的引线，存在引线强度降低的问题。
另外，专利文献4记载的以往技术的焊接方法使得上升的毛细管以弧状轨迹下降且平行移动，因此，能抑制如专利文献3及专利文献5记载的以往技术那样的引线强度低下，但是，引线环的高度只能形成大约100μm左右的低环，存在难以形成更低的引线环的问题。
发明内容
于是，本发明的目的在于，在第一焊接点和第二焊接点的连接中，一边抑制引线强度低下，一边能使得引线环高度更低。
为了解决上述课题的手段如下。
本发明的引线焊接方法为用引线连接第一焊接点和第二焊接点之间，该引线焊接方法包括：
第一焊接工序，由毛细管使得形成在引线前端的初始球接合在第一焊接点，形成压焊球；
引线推压工序，第一焊接工序后，多次反复实行使得毛细管大致垂直地上升后、使得毛细管向着第二焊接点方向朝着斜下方下降比毛细管上升量少的量的连续动作，在多个位置朝着斜下方推压引线；
第二焊接工序，引线推压工序后，使得毛细管上升，接着，使得毛细管朝着第二焊接点方向移动，通过将引线压焊在第二焊接点上接合。
在本发明的引线焊接方法中，合适的是，连续动作的第一次的毛细管的上升量比第二次的毛细管的上升量大。又，合适的是，连续动作为在第一焊接工序后，使得毛细管大致垂直地上升，接着，以毛细管的上升量为半径，使得毛细管向着第二焊接点方向作圆弧状移动的上升圆弧状动作。
另外，在本发明的引线焊接方法中，合适的是，连续动作的毛细管的圆弧状移动为将上次连续动作的毛细管的圆弧状移动的结束点作为中心的圆弧动作。又，合适的是，连续动作的第一次的毛细管的圆弧状移动时的移动角度比第二次的毛细管的圆弧状移动时的移动角度大。
又，在本发明的引线焊接方法中，合适的是，上升圆弧状动作的圆弧状移动为毛细管沿着以多条直线近似圆弧的近似折线移动。又，合适的是，连续动作的第三次以后(包含第三次)的毛细管的上升量比第一次、第二次的毛细管的上升量大。
又，在本发明的引线焊接方法中，合适的是，在引线推压工序和第二焊接工序之间，包括扭折形成工序，该扭折形成工序使得毛细管上升，接着，至少实行一次使得毛细管朝与第二焊接点相反方向移动的逆向动作，在引线上形成扭折。
本发明的半导体装置具有用引线连接第一焊接点和第二焊接点之间的引线环，具有通过以下工序形成的引线环形状：
第一焊接工序，由毛细管使得形成在引线前端的初始球接合在第一焊接点，形成压焊球；
引线推压工序，第一焊接工序后，多次反复实行使得毛细管大致垂直地上升后、使得毛细管向着第二焊接点方向朝着斜下方下降比毛细管上升量少的量的连续动作，在多个位置朝着斜下方推压引线；
第二焊接工序，引线推压工序后，使得毛细管上升，接着，使得毛细管朝着第二焊接点方向移动，通过将引线压焊在第二焊接点上接合。
在本发明的半导体装置中，合适的是，连续动作的第一次的毛细管的上升量比第二次的毛细管的上升量大。又，合适的是，连续动作为在第一焊接工序后，使得毛细管大致垂直地上升，接着，以毛细管的上升量为半径，使得毛细管向着第二焊接点方向作圆弧状移动的上升圆弧状动作。
下面说明本发明的效果。
本发明具有在第一焊接点和第二焊接点的连接中，一边抑制引线强度低下，一边能使得引线环高度更低的效果。
附图说明
图1是表示本发明实施形态的引线焊接方法的第一焊接工序的说明图。
图2是表示本发明实施形态的引线焊接方法的推压工序的第一次连续动作的说明图。
图3是表示本发明实施形态的引线焊接方法的推压工序的第一次连续动作的说明图。
图3A是表示图3所示动作中的毛细管和引线的放大图。
图4是表示本发明实施形态的引线焊接方法的推压工序的第二次连续动作的说明图。
图5是表示本发明实施形态的引线焊接方法的推压工序的第二次连续动作的说明图。
图5A是表示图5所示动作中的毛细管和引线的放大图。
图6是表示本发明实施形态的引线焊接方法的推压工序的第三次连续动作的说明图。
图7是表示本发明实施形态的引线焊接方法的推压工序的第三次连续动作的说明图。
图8是表示本发明实施形态的引线焊接方法的第二焊接工序的说明图。
图9是表示本发明实施形态的引线焊接方法的第二焊接工序和本发明实施形态的引线环的说明图。
图10是表示本发明另一实施形态的引线焊接方法的扭折(kink)形成工序的说明图。
图11是表示本发明另一实施形态的引线焊接方法的第二焊接工序和本发明另一实施形态的引线环的说明图。
图12是表示本发明实施形态的引线焊接方法的毛细管前端移动的说明图。
图13是表示本发明实施形态的引线焊接方法的毛细管前端移动的说明图。
图14是表示本发明另一实施形态的引线焊接方法的毛细管前端移动的说明图。
图15是表示本发明另一实施形态的引线焊接方法的毛细管前端移动的说明图。
图16是表示用本发明另一实施形态的引线焊接方法形成的引线环形状的说明图。
图17是表示本发明另一实施形态的引线焊接方法的毛细管前端移动的说明图。
图18是表示本发明另一实施形态的引线焊接方法的毛细管前端移动的说明图。
符号说明如下：
10  中心线
11  第一焊接点
12  压焊球
13  引线
14  毛细管
15  内倒角
16  面部
19  第二焊接点
21  引线环
22  初始球
23  颈引线(neck wire)
24  弯曲部
31  圆弧
32  近似折线
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的焊接方法以及具有通过该焊接方法形成的引线环的半导体装置的合适的实施形态。在半导体装置中形成连接多个第一焊接点和第二焊接点的引线环，但在以下说明中，说明一个第一焊接点和一个第二焊接点的连接。如图1所示，通过没有图示的焊枪等在插入穿通毛细管14的引线13的前端形成初始球22后，如图1箭头所示，沿着第一焊接点11的中心线10，使得毛细管14下降。接着，通过毛细管14的前端的面部16和内倒角部15，将初始球22推压到第一焊接点11上接合，在第一焊接点11上形成压焊球12。压焊球12因毛细管14的推压，压焊在第一焊接点11上(第一焊接工序)。
如图2及图12所示，使得毛细管14沿着中心线10仅垂直上升高度H1，开始第一次的连续动作。若毛细管14上升结束，则毛细管14的前端位于从压焊球12的上面高度H1的点U1。
如图3及图12所示，点C1处于压焊球12的上面和中心线10的交点，沿着以该点C1为中心，以图2所示的高度H1为半径r1的圆弧，使得毛细管14向着第二焊接点19的方向，作角度θ1的圆弧状移动。角度θ1比90度小，例如45度左右的角度。若毛细管14的第一次的圆弧移动结束，则毛细管14的前端与点U1相比，在第二焊接点19侧，位于处于点U1和点C1之间高度的点C2。即，毛细管14通过圆弧移动，从点U1仅下降点U1和点C2的高度差，从点U1向着第二焊接点19的方向移动。点U1和点C2的高度差比图2所示毛细管14的上升高度H1小，因此，毛细管14的前端通过第一次的圆弧移动，下降比毛细管14的上升量H1少的量，同时，向着第二焊接点19的方向斜下方移动。通过该动作，使得颈引线23向着第二焊接点19缓慢地弯曲，同时，将颈引线23朝斜下方推压，朝着水平方向形成用于成环的第一个波形(引线推压工序)。
毛细管14实行第一次圆弧动作时，如图3A所示，颈引线23因毛细管14的内倒角部15的锥部分朝着横向移动，同时，被毛细管14的面部16朝下推压。这时，毛细管14以点C1为中心作圆弧状移动，因此，点C1和毛细管14前端之间的距离几乎不变化，保持一定。因此，当使得毛细管14从点U1向着点C2朝斜下方移动时，不会产生因毛细管14将颈引线23朝着其轴向拉引，抑制对图2所示的颈引线23施加拉引载荷。并且，能抑制颈引线23因拉引载荷变细、颈引线23强度降低。
另外，当在引线13前端形成初始球22时，通过焊枪等放电加热引线13前端，因此，引线13大多因该热引起热硬化，大多在颈引线23残存该热硬化。热硬化长度大多因引线13直径及初始球22直径等而不同，大多从压焊球12上面50至100μm左右。通过第一次的圆弧动作，通过毛细管14进行颈引线23推压时，若推压颈引线23的热硬化部分，若推压深度过大，有时在颈引线23的硬化部分会发生损伤，与此相反，若推压深度过小，有时即使推压颈引线23，硬化部分不朝着水平方向，而是朝着上方向回跳，不能降低引线环整体的高度。于是，可以将第一次连续动作时的毛细管14的上升高度H1设为比颈引线23的热硬化部分稍稍上方，增大圆弧动作的半径r1，使得颈引线23缓慢弯曲，抑制损伤，同时，通过毛细管14的第一次的圆弧动作，颈引线23的硬化部分上方的没有硬化部分向着水平方向延伸。由此，能抑制颈引线23的损伤，同时，降低引线环整体的高度。
若图2、图3所示的第一次的毛细管14的上升动作和圆弧动作的连续动作结束，则如图4、图5所示，开始第二次的连续动作。如图4所示，使得毛细管14的前端从第一次的毛细管14的圆弧动作结束的点C2大致垂直地上升高度H2。若毛细管14上升结束，则毛细管14的轴向中心前端从点C2上升到位于高度H2的点U2。这时，毛细管14的上升高度H2可以比第一次的毛细管14的上升高度H1小。
如图5及图12所示，沿着以第一次的毛细管14的圆弧动作结束点C2为中心，以图4所示的高度H2为半径r2的圆弧，使得毛细管14向着第二焊接点19的方向，作角度θ2的圆弧状移动。角度θ2比90度小，例如45度左右的角度。又，角度θ2可以是比角度θ1小的角度。若毛细管14的第二次的圆弧移动结束，则毛细管14的轴向中心前端与点U2相比，在第二焊接点19侧，位于处于点U2和点C2之间高度的点C3。即，毛细管14通过圆弧移动，从点U2仅下降点U2和点C3的高度差，从点U2向着第二焊接点19的方向移动。点U2和点C3的高度差比图4所示毛细管14的上升高度H2小，因此，毛细管14的前端通过圆弧动作，下降比毛细管14的上升量H2少的量，同时，向着第二焊接点19的方向朝斜下方移动。通过该动作，使得引线13再次向着第二焊接点19弯曲，同时，将引线13朝下方推压，朝着水平方向形成用于成环的第二个波形。当使得毛细管14的上升高度H2比第一次的毛细管14的上升高度H1小的场合，弯曲半径r2也变小，能增大对引线13的推压力。在第二次的圆弧动作中，引线13使得没有硬化部分向着第二焊接点19弯曲，同时，朝斜下方推压引线13，因此，减小弯曲半径r2，增大推压力，能有效地在引线13形成沿水平方向延伸的波形(引线推压工序)。
毛细管14实行第二次圆弧动作时，如图5A所示，引线13因毛细管14的内倒角部15的锥部分朝着横向移动，同时，被朝下推压。与第一次圆弧动作相同，毛细管14以点C2为中心作圆弧状移动，因此，点C2和毛细管14轴向中心前端之间的距离几乎不变化，保持一定。因此，当使得毛细管14从点U2向着点C3朝斜下方移动时，不会产生因毛细管14将引线13朝着其轴向拉引，能抑制引线13因拉引载荷变细、其强度降低。
若图4、图5所示的第二次的毛细管14的上升动作和圆弧动作的连续动作结束，则如图6、图7所示，开始第三次的连续动作。如图6所示，使得毛细管14的前端从第二次的毛细管14的圆弧动作结束的点C3大致垂直地上升高度H3。若毛细管14上升结束，则毛细管14的轴向中心前端从点C3上升到位于高度H3的点U3。第三次的连续动作可以在离开压焊球12的位置，稍稍将引线13朝斜下方推压，因此，毛细管14的上升高度H3虽然是由引线环21的整体形状决定的长度，但是，可以比第一次的毛细管14的上升高度H1、第二次的上升高度H2大。
如图7及图12所示，沿着以第二次的毛细管14的圆弧动作结束点C3为中心，以图6所示的高度H3为半径r3的圆弧，使得毛细管14向着第二焊接点19的方向，作角度θ3的圆弧状移动。角度θ3比90度小，例如45度左右的角度。又，角度θ3可以是比角度θ1、角度θ2小的角度。若毛细管14的第三次的圆弧移动结束，则毛细管14的轴向中心前端与点U3相比，在第二焊接点19侧，位于处于点U3和点C3之间高度的点C4。毛细管14通过圆弧移动，从点U3仅下降点U3和点C4的高度差，从点U3向着第二焊接点19的方向移动。点U3和点C4的高度差比图6所示毛细管14的上升高度H3小，因此，毛细管14的前端通过圆弧动作，下降比毛细管14的上升量H3少的量，同时，向着第二焊接点19的方向朝斜下方移动。通过该动作，使得引线13再次向着第二焊接点19缓慢地弯曲，同时，将引线13朝斜下方推压，朝着水平方向形成用于成环的第三个波形。该第三个波形可以是比第一个波形、第二个波形小的波形(引线推压工序)。
毛细管14实行第三次圆弧动作时，与第二次圆弧动作相同，引线13因毛细管14的内倒角部15的锥部分朝着横向移动，同时，被朝下推压。与第一次、第二次圆弧动作相同，毛细管14以点C3为中心作圆弧状移动，因此，不会产生因毛细管14将引线13朝着其轴向拉引，能抑制引线13因拉引载荷变细、其强度降低。
如上所述，若从第一次的连续动作至第三次的连续动作结束，则如图8所示，使得毛细管14的前端从点C4的位置大致垂直地上升。若上升结束，则毛细管14的前端位置上升到点U4。接着，如图9所示，使得毛细管14的前端从点U4向着第二焊接点19移动，通过毛细管14的面部16使得引线13压焊在第二焊接点19接合。接着，通过与毛细管14一起提升引线13，在第二焊接点19切断引线13，形成连接第一焊接点11和第二焊接点19的引线环21(第二焊接工序)。若多个第一焊接点11和第二焊接点19的连接全部结束，形成各第一焊接点11和第二焊接点19之间的引线环21，则结束半导体装置的组装。
如图9所示，通过本实施形态的引线焊接方法形成的半导体装置的引线环21，颈引线23的部分从压焊球12的上面向着第二焊接点19朝着比水平方向稍稍朝下弯曲，从通过第一次的连续动作形成的波形的位置P1稍稍朝上延伸后，到达通过第二次的连续动作形成的波形的位置P2前，稍稍朝下延伸，从通过第二次的连续动作形成的波形的位置P2稍稍朝上延伸后，到达通过第三次的连续动作形成的波形的位置P3前，稍稍朝下延伸，与第二焊接点19连接。这样，在本实施形态的引线焊接方法中，使得与压焊球12连续的颈引线23或引线13向着第二焊接点19弯曲，同时，朝着斜下方推压引线，抑制弯曲后的引线跳起，能降低引线环21整体的高度。另外，如前所述，当使得毛细管14向着第二焊接点19朝斜下方移动时，使得毛细管14作圆弧移动，因此，能抑制拉伸颈引线23或引线13使其变细，因此，能抑制半导体装置的引线环21的强度降低。
又，在本实施形态中，说明了连续动作设为三次，但是，连续动作只要是多次，并不局限于三次，也可以是二次或四次或四次以上。
参照图13，说明连续动作为二次场合的实施形态。与参照图1至图9，图12说明的实施形态相同部分，标以相同符号，说明省略。如图13所示，在本实施形态中，与前面说明的实施形态相同，在第一焊接点11形成压焊球12后，使得毛细管14的前端从点C1移动到点U1、点C2、点U2、点C3后，从点C3向着点U3’，使得毛细管14向着第二焊接点19朝斜上方移动后，从点U3’向着点U4，使得毛细管14大致垂直地上升，向着第二焊接点19成环，在第二焊接点19进行焊接。
在本实施形态中，将连续动作设为二次，结束第二次连续动作后，使得毛细管14朝斜上方移动。在前面说明的实施形态中，连续动作实行三次，三次推压引线13，但是，如本实施形态那样，在第二次连续动作后使得毛细管14朝斜上方移动，此后，使其大致垂直地上升，在引线13上也能某种程度上形成第三个波形，因此，能根据半导体装置的引线环21的长度形成同样形状的环。又，半导体装置的引线环21的整体长度短的场合等，可以不必如本实施形态那样使得毛细管14朝斜上方移动，而是在第二次连续动作后，使其马上大致垂直地上升后，向着第二焊接点19成环。
参照图10、图11、图14，说明另一实施形态。与前面说明的实施形态相同部分，标以相同符号，说明省略。如图10、图14所示，本实施形态的引线焊接方法与前面说明的实施形态相同，实行第一次至第三次的连续动作后，如图10及图14所示，使得毛细管14的前端大致垂直地上升到点U4’后，使得毛细管14逆向动作，直到相对第一焊接点11的中心线10的与第二焊接点19相反侧的点U5(扭折形成工序)。接着，再次使得毛细管14的前端上升到点U6。并且，此后使得毛细管14向着第二焊接点19移动，将引线13压焊在第二焊接点19接合。
本实施形态与前面说明的实施形态相同，能抑制半导体装置的引线环21的强度降低，同时，能降低半导体装置的引线环整体的高度，并且，能通过逆向动作在引线13上形成扭折K。当将引线13焊接在第二焊接点19形成引线环21时，如图11所示，该扭折K形成使得从位置P3大致水平延伸的引线13向着第二焊接点19朝斜下方弯曲的弯曲部24。该弯曲部24将引线环21的形状设为梯形状，在第一焊接点11和第二焊接点19之间存在阶梯差场合，使得引线环21不与阶梯差接触而发生短路，同时，能增大引线环21对于变形的强度，因此，能抑制例如，注入树脂时的引线环21的变形、切断、或引线焊接时因冷却空气引起的引线环21的变形、短路等，能提高焊接质量。在本实施形态中，说明形成一个扭折K，但是，也可以多次实行上升、逆向动作，设有多个扭折K，在引线环21上形成多个弯曲部24。
参照图15、图16，说明另一实施形态。本实施形态形成比前面说明的实施形态长的引线环21。与前面说明的实施形态相同部分，标以相同符号，说明省略。如图15所示，本实施形态的引线焊接方法与前面说明的实施形态相同，实行第一次至第三次的连续动作后，进而实行第四次连续动作，使得毛细管14的前端从点C4移动到点U4，从点U4到点C5作角度θ4的圆弧状移动，四次推压引线13后，如图15所示，使得毛细管14的前端大致垂直地上升到点U5后，使得毛细管14逆向动作，直到相对第一焊接点11的中心线10的与第二焊接点19相反侧的点U6(扭折形成工序)。接着，再次使得毛细管14的前端朝着斜上方向着第二焊接点19移动到位于焊接中心轴10上的点U7后，使得毛细管14从点U7向着第二焊接点19移动，将引线13压焊在第二焊接点19接合。
在图15所示实施形态中，说明了使得毛细管14的前端从点U6朝着斜上方移动到点U7后，从点U7向着第二焊接点19移动，但是，也可以如图15虚线所示，使得毛细管14的前端从点U6大致垂直地上升到点U6’，此后，使得毛细管14向着第二焊接点19移动，将引线13压焊在第二焊接点19接合。
如图16所示，由本实施形态形成的半导体装置的引线环21与前面说明的实施形态相同，形成从位置P1至位置P3的三个位置的波形，以及弯曲部24，除此之外，还在P3和第二焊接点19之间的位置P4，设有通过第四次连续动作形成的波形。如图16所示，引线环21的长度长的场合，有时即使在位置P3形成第三个波形，因引线向上方跳起，也不能降低引线环21的整体高度，但是，在设想因跳起而引起环高度变高的位置P4形成第四个波形，能抑制形成在位置P3的第三个波形的位于第二焊接点19侧的引线向上方跳起，因此，即使引线环21长度长的场合，也能均一地降低引线环21的整体高度。
参照图17说明本发明另一实施形态。在前面参照图1至图9、图12说明的实施形态中，说明了当使得毛细管14向着第二焊接点19朝斜下方移动时，使得毛细管14的前端作圆弧状移动，但是，毛细管14的上升高度H1～H3不太大场合，或者圆弧移动时的回转角度θ1～θ3不太大场合，可以不使得毛细管14的前端作圆弧状动作，而是如图17所示，从点U1到点C2，实行直线动作。这是由于当毛细管14的上升高度H1～H3小，圆弧移动时的回转角度θ1～θ3小场合，斜向移动时的点C1和毛细管14的前端的距离之差小，因毛细管14施加到颈引线23或引线13上的轴向力不会变大，因其变形而引起的强度降低也小的缘故。本实施形态如前面说明的实施形态那样，可以不使得毛细管14的前端作圆弧状移动，因此，能简化焊接装置的控制。
又，如图18所示，当使得毛细管14的前端从点U1移动到点C2场合，可以使得毛细管14的前端沿着近似折线32移动，该近似折线32系连接与毛细管14的上升高度H1相同的半径r1的圆弧31的弦。这时，毛细管14的前端从点U1到点Q1，再到点C2，顺序直线移动。本实施形态也与前面说明的实施形态相同，可以简化焊接装置。

Claims (15)

1.一种引线焊接方法,用引线连接第一焊接点和第二焊接点之间,其特征在于:
该引线焊接方法包括:
第一焊接工序，由毛细管使得形成在引线前端的初始球接合在第一焊接点，形成压焊球；
引线推压工序,第一焊接工序后，连续多次反复实行如下的上升圆弧状动作:使得毛细管大致垂直地上升,接着,以毛细管的上升量为半径使得毛细管向着第二焊接点方向作圆弧状移动,使得毛细管向着第二焊接点方向朝着斜下方下降比毛细管上升量少的量,在多个位置朝着斜下方推压引线;以及
第二焊接工序，引线推压工序后,使得毛细管上升,接着,使得毛细管朝着第二焊接点方向移动,通过将引线压焊在第二焊接点上接合;
上升圆弧状动作的第一次的毛细管的上升量比第二次的毛细管的上升量大;
上升圆弧状动作的毛细管的圆弧状移动为以上次上升圆弧状动作的毛细管的圆弧状移动的结束点作为中心的圆弧动作;
上升圆弧状动作的第一次的毛细管的圆弧状移动时的移动角度比第二次的毛细管的圆弧状移动时的移动角度大。
2.根据权利要求1所述的引线焊接方法,其特征在于:
上升圆弧状动作的圆弧状移动为毛细管沿着以多条直线近似圆弧的近似折线移动。
3.根据权利要求1所述的引线焊接方法,其特征在于:
上升圆弧状动作的第三次以后的毛细管的上升量比第一次、第二次的毛细管的上升量大。
4.根据权利要求1所述的引线焊接方法,其特征在于:
在引线推压工序和第二焊接工序之间，包括扭折形成工序,该扭折形成工序使得毛细管上升,接着,至少实行一次使得毛细管朝与第二焊接点相反方向移动的逆向动作,在引线上形成扭折。
5.一种半导体装置,具有用引线连接第一焊接点和第二焊接点之间的引线环,其特征在于:
所述半导体装置包括:
压焊球,由毛细管使得形成在引线前端的初始球接合在第一焊接点形成；
多个波形,形成压焊球后,连续多次反复实行如下的上升圆弧状动作:使得毛细管大致垂直地上升,接着,以毛细管的上升量为半径使得毛细管向着第二焊接点方向作圆弧状移动,使得毛细管向着第二焊接点方向朝着斜下方下降比毛细管上升量少的量,在多个位置朝着斜下方推压引线;以及
接合部,在多个位置朝着斜下方推压引线后，使得毛细管上升,接着,使得毛细管朝着第二焊接点方向移动,通过将引线压焊在第二焊接点上形成;
引线环从压焊球上面向着第二焊接点朝着比水平方向稍稍朝下延伸后,成为各波形位置的引线朝下凸、各波形位置间的引线朝上凸那样的波形状,最初形成的波形和第二个形成的波形的位置的朝下凸的引线下面成为包含第一焊接点的面的上侧;
上升圆弧状动作的第一次的毛细管的上升量比第二次的毛细管的上升量大;
上升圆弧状动作的毛细管的圆弧状移动为以上次上升圆弧状动作的毛细管的圆弧状移动的结束点作为中心的圆弧动作;
上升圆弧状动作的第一次的毛细管的圆弧状移动时的移动角度比第二次的毛细管的圆弧状移动时的移动角度大。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:
上升圆弧状动作的圆弧状移动为毛细管沿着以多条直线近似圆弧的近似折线移动。
7.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:
上升圆弧状动作进行二次。
8.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:
上升圆弧状动作的第三次以后的毛细管的上升量比第一次的毛细管的上升量、第二次的毛细管的上升量大。
9.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:
进一步包括弯曲部,在多个位置朝着斜下方推压引线后，在用毛细管将引线压焊在第二焊接点上之前,使得毛细管上升,接着,通过至少实行一次使得毛细管相对第一焊接点的中心线朝与第二焊接点相反侧移动的逆向动作,形成弯曲部。
10.一种半导体装置的制造方法,用引线连接第一焊接点和第二焊接点之间,其特征在于:
该半导体装置的制造方法包括:
第一焊接工序，由毛细管使得形成在引线前端的初始球接合在第一焊接点，形成压焊球；
引线推压工序,第一焊接工序后，连续多次反复实行如下的上升圆弧状动作:使得毛细管大致垂直地上升,接着,以毛细管的上升量为半径使得毛细管向着第二焊接点方向作圆弧状移动,使得毛细管向着第二焊接点方向朝着斜下方下降比毛细管上升量少的量,在多个位置朝着斜下方推压引线;以及
第二焊接工序，引线推压工序后,使得毛细管上升,接着,使得毛细管朝着第二焊接点方向移动,通过将引线压焊在第二焊接点上接合;
上升圆弧状动作的第一次的毛细管的上升量比第二次的毛细管的上升量大;
上升圆弧状动作的毛细管的圆弧状移动为以上次上升圆弧状动作的毛细管的圆弧状移动的结束点作为中心的圆弧动作;
上升圆弧状动作的第一次的毛细管的圆弧状移动时的移动角度比第二次的毛细管的圆弧状移动时的移动角度大。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
上升圆弧状动作的圆弧状移动为毛细管沿着以多条直线近似圆弧的近似折线移动。
12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
上升圆弧状动作的第三次以后的毛细管的上升量比第一次、第二次的毛细管的上升量大。
13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
在引线推压工序和第二焊接工序之间，包括扭折形成工序,该扭折形成工序使得毛细管上升,接着,至少实行一次使得毛细管朝与第二焊接点相反方向移动的逆向动作,在引线上形成扭折。
14.根据权利要求1所述的引线焊接方法,其特征在于:
上升圆弧状动作进行二次。
15.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
上升圆弧状动作进行二次。
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