JP5263042B2 - 半導体装置、ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 - Google Patents
半導体装置、ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5263042B2 JP5263042B2 JP2009163837A JP2009163837A JP5263042B2 JP 5263042 B2 JP5263042 B2 JP 5263042B2 JP 2009163837 A JP2009163837 A JP 2009163837A JP 2009163837 A JP2009163837 A JP 2009163837A JP 5263042 B2 JP5263042 B2 JP 5263042B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- wire bonding
- ball
- loop
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4845—Details of ball bonds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
複数の第1被ボンド領域と
前記第1被ボンド領域と異なる位置にそれぞれ設けられた複数の第2被ボンド領域と、
前記複数の第1被ボンド領域と前記複数の第2被ボンド領域とをそれぞれ接続する複数のワイヤボンディング構造と、
を備え、
前記複数のワイヤボンディング構造のそれぞれが、
前記第1被ボンド領域に設けられ、前記第1被ボンド領域の面方向において所定の直径を有するネック部を備えた、第1ボンド部と、
前記ネック部と連結し、前記ネック部の前記直径よりも細いワイヤにより構成され、前記ネック部から前記第1被ボンド領域が属する面の法線方向側へ延びるとともに前記第2被ボンド領域側に屈曲して前記第2被ボンド領域側に延びるワイヤ部と、
前記第2被ボンド領域に設けられ、前記第1ボンド部側から延びてきた前記ワイヤ部と連結する第2ボンド部と、
を備え、
前記ワイヤ部と前記ネック部の連結箇所において、前記ワイヤ部を構成する前記ワイヤの中心軸が、前記ネック部の中心軸に対して、前記ワイヤ部と前記ネック部の境界における前記ワイヤ部の周縁が前記ネック部の中心軸を越えない範囲内において、前記第2被ボンド領域の位置と反対の方向へと偏心しており、
前記ネック部の前記第2被ボンド領域側の端と前記連結箇所における前記ワイヤ部の前記第2被ボンド領域側表面との間の距離D1と、前記ネック部の前記第2被ボンド領域とは反対側の端と前記連結箇所における前記ワイヤ部の前記第2被ボンド領域とは反対側の表面との間の距離D2の比であるD2/D1の値が、零以上かつ0.75以下の範囲内にあることを特徴とする。
ワイヤの端部を溶融してボールを形成するボール形成ステップと、
前記ボールを第1被ボンド面に圧着して前記第1被ボンド面上にボンド部を形成するボンド部形成ステップと、
前記第1被ボンド面上への前記ボンド部の形成後に、次に前記ワイヤをボンディングすべき第2被ボンド面の位置とは反対側に、前記ワイヤをリバース動作させるリバース動作ステップと、
前記リバース動作の後に、前記第2被ボンド面側へと前記ワイヤを屈曲させてループを形成するループ形成ステップと、
を有し、
前記ボール形成ステップおよび前記ボンド部形成ステップの少なくとも一方のステップが、前記ボンド部の中心軸に対し前記ワイヤの中心軸が前記ループの形成方向の反対方向へと偏心するように前記ボールと前記ワイヤの位置をずらす偏心形成ステップを含むことを特徴とする。
ワイヤを挿通させる挿通部を有するキャピラリと、
前記キャピラリに挿通したワイヤの周囲を回るように移動が可能なトーチ電極と、
前記ワイヤの前記周囲のうち今回のループ形成方向の側の位置に、前記トーチ電極を移動させる位置制御部と、
前記ワイヤの端部を溶融させてボールを形成するときに、前記位置制御部により前記トーチ電極を移動させた後で、前記トーチ電極の放電をさせる放電制御部と、
を備えることを特徴とする。
ワイヤを挿通させる挿通部を有するキャピラリと、
前記キャピラリに挿通したワイヤの周囲に並ぶように、複数個備えられたトーチ電極と、
前記ワイヤの端部を溶融させてボールを形成するときに、前記複数のトーチ電極のうち今回のループ形成方向の側の位置に最も近いトーチ電極に放電をさせる制御部と、
を備えることを特徴とする。
ワイヤより大きな径を有し内部にワイヤを挿通させる挿通部を有するキャピラリと、
前記キャピラリに挿通したワイヤの端部を溶融させて前記端部にボールを形成するトーチ電極と、
前記ボールを被ボンド面に圧着して前記被ボンド面にボンド部を形成するように、前記キャピラリを制御するキャピラリ制御部と、
今回のワイヤボンディングにおける前記ワイヤのループ形成方向を取得する取得手段と、
前記ボールが溶融状態にあるときに、あるいは、前記ボールと前記被ボンド面とが接触した以後であって該被ボンド面への該ボールの圧着前に、前記キャピラリの前記挿通部内において前記ループ形成方向の反対側に前記ワイヤが偏るように、前記キャピラリと前記ワイヤの間の位置関係を調整する位置調整手段と、
を備えることを特徴とする。
[実施の形態1のワイヤボンディング構造]
<ワイヤボンディング構造の構成>
図1は、本発明の実施の形態1にかかるワイヤボンディング構造2の構成を示す図である。ワイヤボンディング構造2は、Au線を用いたボールボンディング法を行うことにより得ることができる。ワイヤボンディング構造2は、半導体チップ30の電極パッド32と、リード34との間を接続している。ワイヤボンディング構造2は、電極パッド32上のボンド部10と、リード34上のボンド部22と、これらをつなぐワイヤ部20を備えている。
次に、実施の形態1にかかるワイヤボンディング構造2の効果を説明する。ここでは、先ず、図18を用いて比較例の説明を行い、従来の技術の問題点を述べる。その後、ワイヤボンディング構造2の効果を説明する。
図3は、実施の形態1にかかるワイヤボンディング構造2の変形例を説明するための図である。図3(a)は、実施の形態1のワイヤボンディング構造2の部分拡大図である。一方、図3(b)〜(d)は、それぞれ、ワイヤボンディング構造2において、ワイヤ部20とネック部12との偏心の大きさを変化させたバリエーションを示す。
実施の形態1:図3(a) D2/D1×100=0[%]
第1変形例:図3(b) D2/D1×100=25[%]
第2変形例:図3(c) D2/D1×100=50[%]
第3変形例:図3(d) D2/D1×100=75[%]
以下、図4〜図9を用いて、本発明の実施の形態1にかかるワイヤボンディング方法ならびにワイヤボンディング装置を説明する。実施の形態1にかかるワイヤボンディング方法ならびにワイヤボンディング装置は、ワイヤボンディング構造2を製造する上で好適な方法、装置である。
(i)ネック部12の中心が、ワイヤ部20の周縁を越えない(外れない)こと
(ii)D2/D1×100の値が、0%〜75%の範囲内にあること(D2/D1が0以上0.75以下であること)
以下、本発明の実施の形態2にかかるワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置を説明する。実施の形態2にかかるワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置は、実施の形態1のワイヤボンディング構造2の製造に好適である。なお、これ以降の説明では、実施の形態1で述べた構成と同一あるいは相当する構成には同じ符号を付し、適宜に説明を省略する。
以下、本発明の実施の形態3にかかるワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置を説明する。実施の形態3にかかるワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置は、実施の形態1のワイヤボンディング構造2の製造に好適である。
以下、本発明の実施の形態4にかかるワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置を説明する。実施の形態4にかかるワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置は、実施の形態1のワイヤボンディング構造2の製造に好適である。
10、22 ボンド部
12 ネック部
20、120 ワイヤ部
30 半導体チップ
32 電極パッド
34 リード
40、240 キャピラリ
42、242 ワイヤ挿通穴
50 ワイヤ
60 トーチ電極
60a〜60h トーチ電極
62、162 レール
64 アーム
70、170、270 制御部
246、248 貫通穴
272 送風装置
Claims (13)
- 複数の第1被ボンド領域と
前記第1被ボンド領域と異なる位置にそれぞれ設けられた複数の第2被ボンド領域と、
前記複数の第1被ボンド領域と前記複数の第2被ボンド領域とをそれぞれ接続する複数のワイヤボンディング構造と、
を備え、
前記複数のワイヤボンディング構造のそれぞれが、
前記第1被ボンド領域に設けられ、前記第1被ボンド領域の面方向において所定の直径を有するネック部を備えた、第1ボンド部と、
前記ネック部と連結し、前記ネック部の前記直径よりも細いワイヤにより構成され、前記ネック部から前記第1被ボンド領域が属する面の法線方向側へ延びるとともに前記第2被ボンド領域側に屈曲して前記第2被ボンド領域側に延びるワイヤ部と、
前記第2被ボンド領域に設けられ、前記第1ボンド部側から延びてきた前記ワイヤ部と連結する第2ボンド部と、
を備え、
前記ワイヤ部と前記ネック部の連結箇所において、前記ワイヤ部を構成する前記ワイヤの中心軸が、前記ネック部の中心軸に対して、前記ワイヤ部と前記ネック部の境界における前記ワイヤ部の周縁が前記ネック部の中心軸を越えない範囲内において、前記第2被ボンド領域の位置と反対の方向へと偏心しており、
前記ネック部の前記第2被ボンド領域側の端と前記連結箇所における前記ワイヤ部の前記第2被ボンド領域側表面との間の距離D1と、前記ネック部の前記第2被ボンド領域とは反対側の端と前記連結箇所における前記ワイヤ部の前記第2被ボンド領域とは反対側の表面との間の距離D2の比であるD2/D1の値が、零以上かつ0.75以下の範囲内にあることを特徴とする半導体装置。 - ワイヤの端部を溶融してボールを形成するボール形成ステップと、
前記ボールを第1被ボンド面に圧着して前記第1被ボンド面上にボンド部を形成するボンド部形成ステップと、
前記第1被ボンド面上への前記ボンド部の形成後に、次に前記ワイヤをボンディングすべき第2被ボンド面の位置とは反対側に、前記ワイヤをリバース動作させるリバース動作ステップと、
前記リバース動作の後に、前記第2被ボンド面側へと前記ワイヤを屈曲させてループを形成するループ形成ステップと、
を有し、
前記ボール形成ステップおよび前記ボンド部形成ステップの少なくとも一方のステップが、前記ボンド部の中心軸に対し前記ワイヤの中心軸が前記ループの形成方向の反対方向へと偏心するように前記ボールと前記ワイヤの位置をずらす偏心形成ステップを含むことを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 前記ボール形成ステップが、前記ワイヤの周囲にトーチ電極を配置する配置ステップと、前記トーチ電極の放電を行うことにより前記ボールを形成する放電ステップと、を含み、
前記偏心形成ステップが、前記配置ステップおよび前記放電ステップにおいて、前記ループの形成方向側に前記トーチ電極を配置させた状態で前記放電を行わせるステップであることを特徴とする請求項2に記載のワイヤボンディング方法。 - 前記ボール形成ステップの前記配置ステップは、前記ワイヤの周囲にトーチ電極を複数個配置するステップであり、
前記偏心形成ステップが、前記配置ステップで配置された前記複数個のトーチ電極のうち前記ループの形成方向に最も近いトーチ電極を放電させるステップであることを特徴とする請求項3に記載のワイヤボンディング方法。 - 前記偏心形成ステップが、前記ボール形成ステップにおいて、前記ボールが溶融状態にあるときに前記ワイヤを前記ボールに対して前記ループの形成方向の反対側にずらすステップであることを特徴とする請求項2に記載のワイヤボンディング方法。
- 前記偏心形成ステップが、
前記ボンド部形成ステップにおいて、前記第1被ボンド面に前記ボールを接触させたときに前記ワイヤを案内するキャピラリを前記ループの形成方向側にずらすステップと、
前記キャピラリを前記ループの形成方向側にずらした状態で、前記ボールを前記第1被ボンド面に圧着するステップと、
を含むことを特徴とする請求項2に記載のワイヤボンディング方法。 - ワイヤボンディングが行われるべき半導体チップを準備する工程と、
前記半導体チップに対して、前記半導体チップの被ボンド面を前記第1被ボンド面として、請求項2乃至6の何れか1項に記載のワイヤボンディング方法によって、ワイヤボンディングを行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップは、ワイヤボンディングが行われるべき電極パッドを、少なくとも、隣り合う2辺にそれぞれ備えており、
前記半導体チップの前記隣り合う2辺に備えられた複数の前記電極パッドについて、ワイヤボンディング時のループ形成方向を取得する取得ステップを備え、
さらに、
請求項2乃至6の何れか1項に記載のワイヤボンディング方法の前記偏心形成ステップが、
前記取得ステップで取得された前記ループ形成方向に応じて、前記ボールと前記ワイヤの位置をずらすべき方向を設定する偏心方向設定ステップと、
前記偏心方向設定ステップが設定した前記方向に従って、前記半導体チップの前記隣り合う2辺に備えられた複数の前記電極パッドに対して、それぞれワイヤボンディングを行うステップと、
を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - ワイヤを挿通させる挿通部を有するキャピラリと、
前記キャピラリに挿通したワイヤの周囲を回るように移動が可能なトーチ電極と、
前記ワイヤの前記周囲のうち今回のループ形成方向の側の位置に、前記トーチ電極を移動させる位置制御部と、
前記ワイヤの端部を溶融させてボールを形成するときに、前記位置制御部により前記トーチ電極を移動させた後で、前記トーチ電極の放電をさせる放電制御部と、
を備えることを特徴とするワイヤボンディング装置。 - ワイヤボンディングが行われるべき電極パッドを少なくとも隣り合う2辺にそれぞれ備えた半導体チップにワイヤボンディングを行う場合に、前記隣り合う2辺に備えられた複数の前記電極パッドについてワイヤボンディング時のループ形成方向を取得する取得部を備え、
前記位置制御部は、前記取得部で取得された前記ループ形成方向の側に、前記トーチ電極を位置させることを特徴とする請求項9に記載のワイヤボンディグ装置。 - ワイヤを挿通させる挿通部を有するキャピラリと、
前記キャピラリに挿通したワイヤの周囲に並ぶように、複数個備えられたトーチ電極と、
前記ワイヤの端部を溶融させてボールを形成するときに、前記複数のトーチ電極のうち今回のループ形成方向の側の位置に最も近いトーチ電極に放電をさせる制御部と、
を備えることを特徴とするワイヤボンディング装置。 - ワイヤボンディングが行われるべき電極パッドを少なくとも隣り合う2辺にそれぞれ備えた半導体チップにワイヤボンディングを行う場合に、前記隣り合う2辺に備えられた複数の前記電極パッドについてワイヤボンディング時のループ形成方向を取得する取得部を備え、
前記制御部が、前記取得部が取得した前記ループ形成方向に基づいて、前記複数のトーチ電極のうち今回のループ形成方向の側の位置に最も近いトーチ電極に放電をさせることを特徴とする請求項11に記載のワイヤボンディグ装置。 - ワイヤを挿通させる挿通部を有するキャピラリと、
前記キャピラリに挿通したワイヤの端部を溶融させて前記端部にボールを形成するトーチ電極と、
前記ボールを被ボンド面に圧着して前記被ボンド面にボンド部を形成するように、前記キャピラリを制御するキャピラリ制御部と、
今回のワイヤボンディングにおける前記ワイヤのループ形成方向を取得する取得手段と、
前記ボールが溶融状態にあるときに、あるいは、前記ボールと前記被ボンド面とが接触した以後であって該被ボンド面への該ボールの圧着前に、前記キャピラリの前記挿通部内において前記ループ形成方向の反対側に前記ワイヤが偏るように、前記キャピラリと前記ワイヤの間の位置関係を調整する位置調整手段と、
を備えることを特徴とするワイヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009163837A JP5263042B2 (ja) | 2009-07-10 | 2009-07-10 | 半導体装置、ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009163837A JP5263042B2 (ja) | 2009-07-10 | 2009-07-10 | 半導体装置、ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011018843A JP2011018843A (ja) | 2011-01-27 |
JP5263042B2 true JP5263042B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=43596399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009163837A Active JP5263042B2 (ja) | 2009-07-10 | 2009-07-10 | 半導体装置、ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5263042B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102072527B1 (ko) * | 2015-11-05 | 2020-02-03 | 야마하 모터 로보틱스 홀딩스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP6644352B2 (ja) | 2017-09-27 | 2020-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
TWI739379B (zh) * | 2019-04-24 | 2021-09-11 | 日商新川股份有限公司 | 半導體裝置、半導體裝置的製造方法、以及打線接合裝置 |
CN112992706B (zh) * | 2021-01-25 | 2022-12-09 | 芯峰光电技术(深圳)有限公司 | 一种芯片引脚打线针装置 |
CN116000511B (zh) * | 2022-12-26 | 2024-04-09 | 深圳市海志亿半导体工具有限公司 | 一种增强细间距送丝成形效果的劈刀刀头 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5117160A (ja) * | 1974-08-02 | 1976-02-10 | Hitachi Ltd | |
JPS53123663A (en) * | 1977-04-04 | 1978-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | Cutting device of metal thin wire |
-
2009
- 2009-07-10 JP JP2009163837A patent/JP5263042B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011018843A (ja) | 2011-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6774494B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP5263042B2 (ja) | 半導体装置、ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 | |
US5544804A (en) | Capillary designs and process for fine pitch ball bonding | |
JP4881620B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20020050653A1 (en) | Semiconductor devcice and its manufacturing method | |
US20080217768A1 (en) | System and method for increased stand-off height in stud bumping process | |
JP2009076783A (ja) | 半導体装置及びワイヤボンディング方法 | |
US20050121494A1 (en) | Capillary with contained inner chamfer | |
JP2008034567A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20110079904A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2010140986A (ja) | リードピン付配線基板及びリードピン | |
TWI424511B (zh) | 結合方法 | |
JP2007150144A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
WO2010106740A1 (ja) | 半導体装置および半導体基板、並びに半導体装置の製造方法 | |
US11901329B2 (en) | Wire bonding method and wire bonding apparatus | |
JP4219781B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010287633A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びにワイヤボンディング装置及びその動作方法 | |
JP4485600B1 (ja) | リードピン付配線基板及びリードピン | |
JPH056893A (ja) | キヤピラリ、それによるバンプ製造方法及びそれによる半導体装置 | |
JPH04255237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010073747A (ja) | ワイヤボンディング方法及び半導体装置 | |
JP2005317860A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP5266371B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008091734A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5048990B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5263042 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |