CN102195005A - 有机发光二极管、显示器和照明器件 - Google Patents

有机发光二极管、显示器和照明器件 Download PDF

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Abstract

本发明涉及有机发光二极管、显示器和照明器件。根据一个实施方案，提供一种有机发光二极管(10)，其包括相互间隔排列的阳极(12)和阴极(17)，和插入阳极(12)与阴极(17)之间且包括主体材料和发射掺杂剂的发射层(14)。发射掺杂剂包括由下式(1)表示的铜配合物，其中Cu+表示铜离子，配体A表示具有氮作为配位元素的吡啶衍生物且可具有取代基，PR1R2R3为与Cu+配位的膦化合物，其中R1、R2和R3可相同或不同，且表示具有6个或更少碳原子的线性、支化或环状烷基，或可具有取代基的芳族环状基团，且X-表示抗衡离子(相反离子)，其中X表示F、Cl、Br、I、BF4、PF6、CH3CO2、CF3CO2、CF3SO3或ClO4。

Description

有机发光二极管、显示器和照明器件
技术领域
本发明所述实施方案一般性地涉及有机发光二极管、显示器和照明器件。
背景技术
近年来，考虑到下一代显示器和照明的发光技术，有机发光二极管已引起人们注意。在有机发光二极管的早期研究中，主要使用荧光。然而，近年来，使用具有较高内量子效率的磷光的有机发光二极管已引起人们注意。
近年来，使用磷光的发射层的主流为其中包含有机材料的主体材料掺杂有包括铱或铂的发射金属配合物作为中心金属的那些。
然而，铱配合物和铂配合物为稀有金属，因此昂贵，产生使用这些稀有金属的有机发光二极管成本增加的问题。另一方面，铜配合物同样发出磷光且便宜，使得预期它们降低生产成本。
例如，JP-A 2008-179697(Kokai)公开了一种使用铜配合物作为发光材料的有机发光二极管。然而，这里所用的铜配合物的问题是合成方法复杂。
附图说明
图1为实施方案的有机发光二极管的截面图；
图2为显示实施方案的显示器的电路图；
图3为显示实施方案的照明器件的截面图；
图4为显示[Cu(py)2(PPh3)2]BF4的PL光谱的图；
图5A为显示根据实施例1的二极管的电压与电流密度之间关系的图；
图5B为显示根据实施例1的二极管的电压与亮度之间关系的图；
图5C为显示根据实施例1的二极管的电压与发光效率之间关系的图；和
图6为显示根据实施例1的有机发光二极管的EL光谱的图。
发明内容
通常而言，根据一个实施方案，提供一种有机发光二极管，其包括相互间隔排列的阳极和阴极；和插入阳极与阴极之间且包括主体材料和发射掺杂剂的发射层。发射掺杂剂包括由下式(1)表示的铜配合物：
Figure BSA00000259257900021
其中Cu+表示铜离子，配体A表示具有氮作为配位元素的吡啶衍生物且可具有取代基，PR1R2R3为与Cu+配位的膦化合物，其中R1、R2和R3可相同或不同，且表示具有6个或更少碳原子的线性、支化或环状烷基，或可具有取代基的芳族环状基团，且X-表示抗衡离子，其中X表示F、Cl、Br、I、BF4、PF6、CH3CO2、CF3CO2、CF3SO3或ClO4。
具体实施方式
下面参考附图说明本发明的实施方案。
图1为本发明实施方案的有机发光二极管的截面图。
在有机发光二极管10中，在基质11上依次形成阳极12、空穴传输层13、发射层14、电子传输层15、电子注入层16和阴极17。如果需要，形成空穴传输层13、电子传输层15和电子注入层16。
下面详细说明本发明实施方案的有机发光二极管的各个组成部分。
发射层14接收分别来自阳极和阴极的空穴和电子，其后空穴和电子重组而导致发光。重组产生的能量激发发射层中的主体材料。发射掺杂剂通过激发的主体材料向发射掺杂剂的能量传递而被激发，且当它返回基态时，发射掺杂剂发光。
发射层14含发光金属配合物(下文称作发射掺杂剂)，其掺入有机材料的主体材料中。在此实施方案中，下式(1)表示的铜配合物用作发射掺杂剂：
Figure BSA00000259257900031
在该式中，Cu+表示铜离子。配体A为具有氮作为配位元素的吡啶衍生物。吡啶衍生物的实例包括吡啶、喹啉和苯基吡啶。以上吡啶衍生物可由取代基如烷基、卤原子或羧基取代。以上PR1R2R3为与Cu+配位的膦化合物，其中R1、R2和R3可相同或不同，且表示具有6个或更少碳原子的线性、支化或环状烷基，或可具有取代基的芳族环状基团。烷基的具体实例包括甲基、异丙基和环己基。以上芳族环状基团的具体实例包括苯基、萘基和苯氧基。X-为抗衡离子，其中X表示F、Cl、Br、I、BF4、PF6、CH3CO2、CF3CO2、CF3SO3或ClO4。
铜配合物作为发射掺杂剂使用能使得以比在使用铱配合物或铂配合物的情况下降低的成本生产有机发光二极管。另外，上式(1)表示的铜配合物可比已知用作发射掺杂剂的其他铜配合物更容易地合成。此外，甚至在使用这些铜配合物的情况下，可提供具有与常规有机发光二极管相比相同或更高发光效率和亮度的有机发光二极管。
以上式(1)表示的铜配合物的具体实例包括由下式(2)表示的铜配合物：
Figure BSA00000259257900032
在该式中，X为BF4或ClO4。
上式(2)表示的铜配合物为已知化合物(Actacryst.(2008).E64，m607和J.Chem.Soc.，Dalton Trans.，1985，125-133)。然而，不存在该铜配合物用作有机发光二极管的发射掺杂剂的先例。
可使用下式(3)表示的铜配合物作为发射掺杂剂：
Figure BSA00000259257900041
R1、R2和R3为上式(1)中定义的那些。R4和R5表示F或H，并可都表示F，条件是二者不同时表示H。
不存在上式(3)表示的铜配合物用作有机发光二极管的发射掺杂剂的先例。式(3)表示的铜配合物可用作发射波长移向短波长的发射掺杂剂，因此发射蓝光。此外，铜配合物还具有高发射量子产率。因此，当这种铜配合物用作发射掺杂剂时，得到具有高发光效率并发射蓝光的有机发光二极管。
下面显示式(3)表示的铜配合物的具体实例：
优选使用在向发射掺杂剂的能量传递中具有高效率的材料作为主体材料。当使用磷光发射掺杂剂作为发射掺杂剂时所用的主体材料粗略分为小分子类型和聚合物类型。含小分子主体材料的发射层主要通过小分子主体材料和发射掺杂剂真空共蒸发形成。含聚合物主体材料的发射层通过施涂通过聚合物主体材料与发射掺杂剂作为主要组分混合得到的溶液而形成。小分子主体材料的典型实例包括1，3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)。聚合物主体材料的典型实例包括聚乙烯咔唑(PVK)。除以上材料外，4，4’-双(9-咔唑基)-2，2’-联苯(CBP)、对-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)等可在此实施方案中用作主体材料。
在使用具有高空穴传输能力的主体材料的情况下，发射层中空穴与电子之间的载流子平衡无法保持，产生发光效率下降的问题。为此，发射层可另外包含电子注入/传输材料。另一方面，在使用具有高电子传输能力的主体材料的情况下，发射层可另外包含空穴注入/传输材料。这种结构确保发射层中空穴与电子之间的良好载流子平衡，导致改善的发光效率。
形成发射层14的方法包括例如旋涂，但只要它为可形成薄膜的方法，就不特别限制它。以所需厚度施涂含发射掺杂剂和主体材料的溶液，其后用电热板等加热并干燥。可预先将待施涂溶液用过滤器过滤。
发射层14的厚度优选为10-100nm。只要不削弱本发明的效果，发射层14中主体材料与发射掺杂剂之比为任意的。
基质11为支持其他部件的部件。基质11优选为通过热或有机溶剂改性的一种。基质11的材料包括例如无机材料如无碱玻璃和石英玻璃；塑料如聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺-酰亚胺、液晶聚合物和环烯烃聚合物；聚合物膜；和金属基质如不锈钢(SUS)和硅。为得到光发射，优选使用由玻璃、合成树脂等组成的透明基质。基质11的形状、结构、大小等没有特别限制，且可根据应用、目的等适当地选择。只要它具有支持其他部件的足够强度，不特别限制基质11的厚度。
阳极12在基质11上形成。阳极12将空穴注入空穴传输层13或发射层14中。只要它具有导电性，不特别限制阳极12的材料。通常而言，具有导电性的透明或半透明材料通过真空蒸发、溅射、离子电镀、电镀和涂覆方法等沉积。例如，具有导电性的金属氧化物膜和半透明金属薄膜可用作阳极12。具体而言，使用通过使用由氧化铟、氧化锌、氧化锡、为其配合物的氧化铟锡(ITO)、氟掺杂的氧化锡(FTO)、氧化铟锌(indium zinc oxide)等(NESA等)组成的导电玻璃；金；铂、银；铜等制备的膜。特别优选为由ITO组成的透明电极。作为电极材料，可使用有机导电聚合物如聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等。当ITO用作阳极12时，其厚度优选为30-300nm。如果厚度比30nm小，则电导率降低且电阻增加，导致发光效率降低。如果厚度比300nm大，ITO损失柔性并且当它受到应力时破裂。阳极12可为单层或各自由具有各种功函的材料组成的堆叠层(stacked layer)。
空穴传输层13任选排列在阳极12与发射层14之间。空穴传输层13接收来自阳极12的空穴并将它们传输至发射层侧。作为空穴传输层13的材料，可使用例如聚噻吩类型聚合物如导电油墨、聚(乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐[下文称作PEDOT:PSS]，但不限于这些。只要它为可形成薄膜的方法，形成空穴传输层13的方法就没有特别限制，且可例如为旋涂法。在以所需膜厚度施涂空穴传输层13的溶液以后，用电热板等将其加热并干燥。可预先将待施涂溶液用过滤器过滤。
电子传输层15任选在发射层14上形成。电子传输层15接收来自电子注入层16的电子，并将它们传输至发射层侧。作为电子传输层15的材料例如为三[3-(3-吡啶基)-
Figure BSA00000259257900061
基]硼烷[下文称作3TPYMB]、三(8-羟基喹啉根合)铝[下文称作Alq3]和嗜碱菲咯啉(BPhen)，但不限于这些。沉积电子传输层15的方法类似于沉积空穴传输层13的方法。
电子注入层16任选在电子传输层15上形成。电子注入层16接收来自阴极17的电子并将它们传输至电子传输层15或发射层14。作为电子注入层16的材料例如为CsF、LiF等，但不限于这些。形成电子注入层16的方法类似于形成空穴传输层13的方法。
阴极17在发射层14(或电子传输层15或电子注入层16)上形成。阴极17将电子注入发射层14(或电子传输层15或电子注入层16)中。通常而言，具有导电性的透明或半透明材料通过真空蒸发、溅射、离子电镀、电镀、涂覆方法等沉积。用于阴极的材料包括具有导电性的金属氧化物膜和半透明金属薄膜。当阳极12使用具有高功函的材料形成时，具有低功函的材料优选用作阴极17。具有低功函的材料包括例如碱金属和碱土金属。具体而言，它为Li、In、Al、Ca、Mg、Li、Na、K、Yb、Cs等。
阴极17可为单层或各自由具有各种功函的材料组成的堆叠层。另外，它可为两种或更多种金属的合金。合金的实例包括锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金和钙-铝合金。
阴极17的厚度优选为10-150nm。当厚度比上述范围薄时，电阻过高。当膜厚度更厚时，沉积阴极17需要长的时间，由于损害相邻层而导致性能劣化。
以上解释的为有机发光二极管，其中阳极在基质上形成，阴极排列在基质的相反侧，但基质可排列在阴极侧。
图2为显示实施方案的显示器的电路图。
图2所示显示器20具有其中像素21排列在电路中的结构，所述像素各自具有矩阵方式排列的横向控制线(CL)和竖向数字线(DL)。像素21包括发光二极管25和连接在发光二极管25上的薄膜晶体管(TFT)26。TFT 26的一端连接在控制线上，另一端连接在数字线上。数字线连接在数字线驱动器22上。另外，控制线连接在控制线驱动器23上。数字线驱动器22和控制线驱动器23由控制器24控制。
图3为显示实施方案的照明器件的截面图。
照明器件100具有其中阳极107、有机发光二极管层106和阴极105以此顺序在玻璃基质101上形成的结构。布置密封玻璃102以便覆盖阴极105并使用UV粘合剂104粘合。干燥剂103布置在密封玻璃102的阴极105侧。
实施例
(实施例1)
下面显示铜配合物[Cu(py)2(PPh3)2]BF4的合成实施例。
[Cu(py)2(PPh3)2]BF4具有其中吡啶(py)和三苯基膦(PPh3)与铜离子配位的结构：
Figure BSA00000259257900071
(反应I)
在100mL三颈烧瓶中装入四乙腈四氟硼酸铜(I)(0.51g，1.62毫摩尔)和三苯基膦(0.85g，3.24毫摩尔)，并将烧瓶中的混合物在真空下干燥。将三颈烧瓶中的气氛用氮气代替，并通过使用其中气氛用氮气代替的注射器将25mL氮气鼓泡过的氯仿加入烧瓶中。在室温下搅拌混合物6小时以后，将反应溶液过滤以除去不溶的物质。当将己烷加入滤液中时，白色固体沉淀。通过过滤分离沉淀物以得到目标产物[Cu(CH3CN)2(PPh3)2]BF4(收率：97％)。
下面显示以上反应I的反应图解：
(反应II)
在50mL三颈烧瓶中装入[Cu(CH3CN)2(PPh3)2]BF4(2.71g，3.58毫摩尔)，并将烧瓶中的混合物在真空下干燥。将三颈烧瓶中的气氛用氮气代替，并通过使用其中气氛用氮气代替的注射器将10mL氮气鼓泡过的氯仿加入烧瓶中。在溶液中的组分完全溶解以后，将2mL吡啶加入溶液中。在室温下搅拌混合物5小时以后，将反应溶液过滤以除去不溶的物质。除去溶剂，然后将其在真空下干燥，得到白色固体形式的目标产物[Cu(py)2(PPh3)2]BF4(收率：84％)。将[Cu(py)2(PPh3)2]BF4溶于氘代氯仿中以测量质子核磁共振谱。峰位的化学位移(ppm)：8.37(单峰)、7.81(三重峰)和7.08-7.44(多重峰)。
下面显示以上反应II的反应图解：
测量如上得到的[Cu(py)2(PPh3)2]BF4的光致发光(PL)光谱。光谱在室温下在固态下测量。结果显示于图4中。以上[Cu(py)2(PPh3)2]BF4受激发波长为365nm的紫外线激发，并因此发射发光峰值为501nm的蓝绿色光。
以上合成的[Cu(py)2(PPh3)2]BF4用作发射掺杂剂以制造有机发光二极管。此二极管的层结构如下：ITO 100nm/PEDOT:PSS 45nm/PVK:OXD-7:[Cu(py)2(PPh3)2]BF4 65nm/3TPYMB 50nm/CsF 1nm/Al 150nm。
阳极为由厚度为100nm的ITO(氧化铟锡)制得的透明电极。
作为空穴传输层的材料，使用为导电油墨的聚(乙撑二氧噻吩):聚(苯乙烯·磺酸)[PEDOT:PSS]水溶液。通过旋涂施涂PEDOT:PSS水溶液并在加热下干燥以形成厚度为45nm的空穴传输层。
关于用于发射层的材料，聚(乙烯咔唑)[PVK]用作主体材料，1，3-双(2-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-氧联二唑(oxydiazole)-5-基)苯[OXD-7]用作电子传输材料且[Cu(py)2(PPh3)2]BF4用作发射掺杂剂。PVK为空穴传输主体材料且OXD-7为电子传输材料。因此，如果这些材料的混合物用作主体材料，则当施加电压时，可有效地将电子和空穴注入发射层中。将这些化合物称重，使得这些化合物的重量比如下：PVK∶OXD-7∶[Cu(py)2(PPh3)2]BF4＝60∶30∶10，并溶于氯苯中以得到溶液，通过旋涂施涂所述溶液，其后在加热下干燥以形成厚度为65nm的发射层。
电子传输层通过将三[3-(3-吡啶基)-
Figure BSA00000259257900091
基]硼烷[3TPYMB]气相蒸发而以50nm的厚度形成。电子注入层以1nm的厚度由CsF形成，阴极以150nm的厚度由Al形成。
检验以上述方式制造的有机发光二极管的发光特性。图5A为显示根据实施例1的二极管的电压与电流密度之间关系的图。图5B为显示根据实施例1的二极管的电压与亮度之间关系的图。图5C为显示根据实施例1的二极管的电压与发光效率之间关系的图。发光效率通过同时测量亮度、电流和电压得到。亮度使用具有能见度滤色片的Si光二极管S7610(商品名，由Hamamatsu Photonics K.K.制造)测量。另外，电流和电压使用半导体参数分析仪4156b(商品名，由HEWLETT PACKARD制造)测量。
电流密度随电压的施加上升且在8V下开始发光。10V下亮度为10cd/cm2，最大发光效率为1.3cd/A。
另外，测量当施加电压时根据实施例1的有机发光二极管的电致发光(EL)光谱。结果显示于图6中。得到发光峰值在535nm的EL光谱。从以上结果发现，根据此实施方案的铜配合物作为有机发光二极管的发射掺杂剂是有用的。
(实施例2)
以下显示[Cu(2F-DPA)(PPh3)3]的合成实施例。
(反应I)
在100mL三颈烧瓶中装入50mL甲苯、3-氟苯酚(25.0毫摩尔)和50mL30％磷酸钾水溶液，并在将反应溶液保持在10℃或更低的条件下，向溶液中逐滴加入三氟甲烷磺酸酐(30.0毫摩尔)。将反应溶液在室温下搅拌1小时，然后用50mL乙酸乙酯萃取2次。将萃取物用150mL水洗涤，加入硫酸镁以除去水，其后真空干燥以得到液体化合物3-氟苯基三氟甲烷磺酸盐。
(反应II)
在100mL三颈烧瓶中装入乙酸钯(0.2毫摩尔)、碳酸铯(2.4毫摩尔)和2-二环己基膦基-2’，4’，6’-三异丙基联苯(0.3毫摩尔)，并将40mL甲苯加入混合物中以溶解这些组分。依次将3-氟苯基三氟甲烷磺酸盐(2.0毫摩尔)和3-氟苯胺(2.2毫摩尔)加入溶液中，然后将其在100℃下搅拌2小时。将反应溶液在真空下干燥，然后通过柱层析(溶剂为乙酸乙酯∶正己烷＝1∶3)提纯以得到二取代的氟二苯基胺(2F-DPA)。
下面显示以上反应(I)和(II)的反应图解：
反应(III)
在100mL三颈烧瓶中装入2F-DPA，并加入无水四氢呋喃以溶解2F-DPA。将1.6M nBuLi己烷溶液加入2F-DPA溶液中，然后将其在室温下搅拌5分钟，然后冷却至-35℃。准备单独的100mL三颈烧瓶并装入CuBr·Me2S和三苯基膦(PPh3)。加入无水四氢呋喃以溶解这些组分并将溶液冷却至-35℃。在-35℃下将制备的2F-DPA溶液加入含CuBr·Me2S和PPh3的溶液中，并遮蔽所得溶液以防光。在将溶液搅拌2小时以后，将溶剂蒸发，其后真空干燥。将得到的固体用苯萃取并冻干以得到目标化合物[Cu(2F-DPA)(PPh3)3]。
下面显示以上反应(III)的反应图解：
Figure BSA00000259257900111
下面显示[Cu(4F-DPA)(PPh3)3]的合成实施例。
(反应I)
在100mL三颈烧瓶中装入50mL甲苯、3，5-二氟苯酚(25.0毫摩尔)和50mL 30％磷酸钾水溶液，并在将反应溶液保持在10℃或更低的条件下向溶液中逐滴加入三氟甲烷磺酸酐(30.0毫摩尔)。将反应溶液在室温下搅拌1小时，然后用50mL乙酸乙酯萃取2次。将萃取物用150mL水洗涤，加入硫酸镁以除去水，其后真空干燥以得到液体化合物3，5-二氟苯基三氟甲烷磺酸盐。
(反应II)
在100mL三颈烧瓶中装入乙酸钯(0.2毫摩尔)、碳酸铯(2.4毫摩尔)和2-二环己基膦基-2’，4’，6’-三异丙基联苯(0.3毫摩尔)，并将40mL甲苯加入混合物中以溶解这些组分。依次将3，5-二氟苯基三氟甲烷磺酸盐(2.0毫摩尔)和3，5-二氟苯胺(2.2毫摩尔)加入溶液中，然后将其在100℃下搅拌30分钟。将反应溶液在真空下干燥，然后通过柱层析(溶剂：乙酸乙酯∶正己烷＝1∶5)提纯以分离，由此得到4F-DPA。
以下显示上述反应(I)和(II)的反应图解：
Figure BSA00000259257900121
反应(III)
在100mL三颈烧瓶中装入4F-DPA，并加入无水四氢呋喃以溶解4F-DPA。将1.6M nBuLi己烷溶液加入溶液中，然后将其在室温下搅拌5分钟，然后冷却至-35℃。准备单独的100mL三颈烧瓶并装入CuBr·Me2S和三苯基膦(PPh3)。加入无水四氢呋喃以溶解这些组分并将溶液冷却至-35℃。在-35℃下将制备的4F-DPA溶液加入含CuBr·Me2S和PPh3的溶液中，并遮蔽所得溶液以防光。在将溶液搅拌2小时以后，将溶剂蒸发，其后真空干燥。将得到的固体用苯萃取并冻干以得到目标化合物[Cu(4F-DPA)(PPh3)3]。
下面显示以上反应(III)的反应图解：
Figure BSA00000259257900122
关于[Cu(2F-DPA)(PPh3)3]、[Cu(4F-DPA)(PPh3)3]和[Cu(PN)(PPh3)3]，进行分子轨道计算以评估发光波长。下面显示[Cu(PN)(PPh3)3]的结构：
Figure BSA00000259257900123
该计算使用分子轨道计算软件Gaussian 03进行。首先根据密度泛函方法(B3LYP方法)进行结构优化，然后通过使用此优化结构进行时间依赖性密度泛函方法(TD-DFT)以得到发光波长。作为基本函数，LanL2DZ用于Cu，6-31G*用于C、H、N和F。
因此，各个发光波长如下：[Cu(PN)(PPh3)3]：469.30nm，[Cu(2F-DPA)(PPh3)3]：434.57nm和[Cu(4F-DPA)(PPh3)3]：412.97nm。与[Cu(PN)(PPh3)3]的发光波长相比，其中两个氟基团被引入特定位置的[Cu(2F-DPA)(PPh3)3]的发光波长向较短波长侧位移35nm，其中四个氟基团被引入特定位置的[Cu(4F-DPA)(PPh3)3]的发光波长向较短波长侧位移56nm。因此，[Cu(PN)(PPh3)3]在504nm发光峰值处显示蓝绿色光，而[Cu(4F-DPA)(PPh3)3]发射蓝光。
以与实施例1相同的方式制造有机发光二极管，不同之处在于以上合成的[Cu(2F-DPA)(PPh3)3]和[Cu(4F-DPA)(PPh3)3]作为发射掺杂剂。
虽然已描述某些实施方案，但是这些实施方案仅以举例的方式呈现，不意欲限制本发明的范围。事实上，本发明所述新的实施方案可以以多种其他形式体现；此外，可作出本发明所述实施方案形式的各种省略、替代和变化而不偏离本发明精神。附随的权利要求和它们的等价物意欲覆盖将属于本发明的范围和精神的这种形式或改进。

Claims (8)

1.一种有机发光二极管，其特征在于包含：
相互间隔排列的阳极和阴极；和
插入阳极与阴极之间且包括主体材料和发射掺杂剂的发射层，其中：
发射掺杂剂包括由下式(1)表示的铜配合物：
Figure FSA00000259257800011
其中Cu+表示铜离子，配体A表示具有氮作为配位元素的吡啶衍生物且可具有取代基，PR1R2R3为与Cu+配位的膦化合物，其中R1、R2和R3可相同或不同，且表示具有6个或更少碳原子的线性、支化或环状烷基，或可具有取代基的芳族环状基团，且X-表示抗衡离子，其中X表示F、Cl、Br、I、BF4、PF6、CH3CO2、CF3CO2、CF3SO3或ClO4。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于发射掺杂剂包括由下式(2)表示的铜配合物：
Figure FSA00000259257800012
其中X为BF4或ClO4，且PPh3为与Cu+配位的膦化合物，其中Ph表示苯基。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于主体材料为小分子材料或聚合物材料。
4.一种显示器，其特征在于包含根据权利要求1所述的有机发光二极管。
5.一种照明器件，其特征在于包含根据权利要求1所述的有机发光二极管。
6.一种有机发光二极管，其特征在于包含：
相互间隔排列的阳极和阴极；和
插入阳极与阴极之间且包括主体材料和发射掺杂剂的发射层，其中：
发射掺杂剂包括由下式(3)表示的铜配合物：
Figure FSA00000259257800021
其中PR1R2R3为与Cu+配位的膦化合物，R1、R2和R3可相同或不同，且表示具有6个或更少碳原子的线性、支化或环状烷基，或可具有取代基的芳族环状基团，且R4和R5表示F或H，并可都表示F，条件是二者不同时表示H。
7.一种显示器，其特征在于包含根据权利要求6所述的有机发光二极管。
8.一种照明器件，其特征在于包含根据权利要求6所述的有机发光二极管。
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