TWI425075B - 有機發光二極體，顯示器與照明裝置 - Google Patents

有機發光二極體，顯示器與照明裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI425075B
TWI425075B TW099129495A TW99129495A TWI425075B TW I425075 B TWI425075 B TW I425075B TW 099129495 A TW099129495 A TW 099129495A TW 99129495 A TW99129495 A TW 99129495A TW I425075 B TWI425075 B TW I425075B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
emitting diode
organic light
pph
anode
light
Prior art date
Application number
TW099129495A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201130947A (en
Inventor
Atsushi Wada
Yukitami Mizuno
Tomoaki Sawabe
Isao Takasu
Tomoko Sugizaki
Shintaro Enomoto
Isao Amemiya
Original Assignee
Toshiba Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Kk filed Critical Toshiba Kk
Publication of TW201130947A publication Critical patent/TW201130947A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI425075B publication Critical patent/TWI425075B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/361—Polynuclear complexes, i.e. complexes comprising two or more metal centers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

有機發光二極體，顯示器與照明裝置
本文中所描述之體系一般係有關一種有機發光二極體、顯示器與照明裝置。
近幾年來，考慮到用於下一代顯示器和照明之發光技術，有機發光二極體已吸引注意。在有機發光二極體的早期研究中，主要使用螢光。然而，近幾年來，顯示較高內量子效率之利用磷光的有機發光二極體已吸引注意。
近幾年來利用磷光的發光層之主流為令包含有機材料之主體材料以包括銥或鉑作為中心金屬之發光金屬錯合物摻雜。
然而，銥錯合物及鉑錯合物為稀有金屬且因此很貴，產生使用這些稀有金屬之有機發光二極體成本增加的問題。另一方面，銅錯合物同樣地發出磷光且為使宜的，所以預期它們會減少製造成本。
例如，JP-A 2008-179697(公開)揭示一種使用銅錯合物作為發光材料之有機發光二極體。然而，此處所使用之銅錯合物具有合成方法是複雜的問題。
 詳細說明
一般而言，根據一體系，有提供一種有機發光二極體，其包括彼此分開排列之陽極及陰極，及置於陽極及陰極中間且包括主體材料及發光摻雜劑的發光層。該發光摻雜劑包括以式(1)表示之銅錯合物：
其中Cu+ 表示銅離子，配位基A表示具有氮作為配位元素且可具有取代基之吡啶衍生物，PR1 R2 R3 為與Cu+ 配位之膦化合物，其中R1 、R2 及R3 可為相同或不同，且表示具有6或更少個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基基團或芳族環狀基團，其可具有取代基，及X- 表示相反離子，其中X表示F、Cl、Br、I、BF4 、PF6 、CH3 CO2 、CF3 CO2 、CF3 SO3 或ClO4 。
本發明之體系係參考圖式解釋於下。
圖1為本發明體系之有機發光二極體的橫剖面圖。
在有機發光二極體10中，陽極12、電洞傳輸層13、發光層14、電子傳輸層15、電子注入層16及陰極17係按順序在基板11上形成。電洞傳輸層13、電子傳輸層15及電子注入層16係於需要時形成。
本發明體系之有機發光二極體的各構件係詳細解釋於下。
發光層14接受分別地來自陽極及陰極之電洞及電子，接著電洞及電子之再結合，其產生發光。由再結合產生之能量激發發光層中的主體材料。發光摻雜劑係藉由能量從經激發之主體材料轉移至發光摻雜劑而激發，且發光摻雜劑當其回到基態時發出光。
發光層14包含發光金屬錯合物(在下文中，稱為發光摻雜劑)，其摻雜於有機材料之主體材料中。在此體系中，使用一種以式(1)表示之銅錯合物作為發光摻雜劑。
在該式中，Cu+ 表示銅離子。配位基A為具有氮作為配位元素之吡啶衍生物。吡啶衍生物之例子包括吡啶、喹啉及苯基吡啶。上述吡啶衍生物可經取代基諸如烷基、鹵素原子或羧基取代。上述PR1 R2 R3 為與Cu+ 配位之膦化合物。R1 、R2 及R3 可為相同或不同，且表示具有6或更少個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基基團或芳族環狀基團，其可具有取代基。烷基之具體例子包括甲基、異丙基及環己基。上述芳族環狀基團之具體例子包括苯基、萘基及苯氧基。X- 為相反離子，其中X表示F、Cl、Br、I、BF4 、PF6 、CH3 CO2 、CF3 CO2 、CF3 SO3 或ClO4 。
銅錯合物作為發光摻雜劑之使用使得製造有機發光二極體的成本比在使用銦錯合物或鉑錯合物的情況降低。此外，以上式(1)表示之銅錯合物可比以已知用作發光摻雜劑之其他銅錯合物更容易合成。而且，即使在使用這些銅錯合物的情況下，供相較於習知有機發光二極體，可提出具有相同或更高發光效率及亮度之有機發光二極體。
以上式(1)表示之銅錯合物的具體例子包括以下式(2)表示之銅錯合物。
在式中，X為BF4 或ClO4 。
以上式(2)表示之銅錯合物為已知化合物(ActaCryst.(2008). E64,m607及J. Chem. Soc.,Dalton Trans.,1985,125-133)。然而，沒有以此銅錯合物用作有機發光二極體之發光摻雜劑的前案。
作為發光摻雜劑，可使用以下式(3)表示之銅錯合物。
R1 ，R2 及R3 如上式(1)中所定義。R4 及R5 表示F或H且可皆表示F，其先決條件為二者不同時表示H。
沒有以上式(3)表示之銅錯合物用作有機發光二極體之發光摻雜劑的前案。以式(3)表示之銅錯合物可用作具有位移到短波長之發光波長的發光摻雜劑，且因此發出藍光。此外，此銅錯合物也具有高發光量子產率。因此，當該銅錯合物用作發光摻雜劑時，獲得具有高發光效率及發出藍光之有機發光二極體。
以式(3)表示之銅錯合物的具體例子為已知。
作為主體材料，較佳使用在能量轉移到發光摻雜劑方面具有高效率之材料。當使用磷光發光摻雜劑作為發光摻雜劑時，所使用之主體材料概略分類成小分子型及聚合物型。包含小分子主體材料之發光層主要係藉由小分子主體材料及發光摻雜劑的真空共蒸發形成。包含聚合物主體材料之發光層係藉由施用摻合作為基本成分之聚合物主體材料與發光摻雜劑獲得之溶液而形成。小分子主體材料之典型例子包括1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)。聚合物主體材料之典型例子包括聚乙烯咔唑(PVK)。除上述材料之外，在此體系中可使用4,4’-雙(9-二咔唑基)-2,2’-聯苯(CBP)、對-雙(三苯矽基)苯(UGH2)等等作為主體材料。
在使用具有高電洞傳輸能力之主體材料的情形中，在發光層中電洞及電子之間的載子平衡沒有被維持，引起關於發光效率下降的問題。為此，發光層可進一步包含電子注入/傳輸材料。另一方面在使用具有高電子傳輸能力之主體材料的情形中，發光層此外可包含電洞注入/傳輸材料。該類結構確定在發光層中電洞及電子之間的良好載子平衡，導致改良之發光效率。
一種用於形成發光層14之方法包括(例如)旋轉塗佈，但不特別地限制該方法，只要其為一種可形成薄膜的方法即可。以所要厚度施用一種包含發光摻雜劑及主體材料之溶液，接著用熱板等等加熱及乾燥。所要施用之溶液可預先用過濾器過濾。
發光層14的厚度較佳為10-100奈米。在發光層14中主體材料及發光摻雜劑的比為任意的，只要不損害本發明之效果。
基板11為用於支撐其他構件的構件。基板11較佳為一種不以熱或有機溶劑改良之基板。基板11之材料包括(例如)無機材料諸如無鹼玻璃及石英玻璃；塑膠諸如聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺-醯亞胺、液晶聚合物及環烯烴聚合物；聚合物薄膜；及金屬基板諸如不鏽鋼(SUS)及矽。為了獲得發光，較佳使用由玻璃、合成樹脂、等等構成的透明基板。基板11之形狀、結構、大小、等等不被特別地限制且可根據應用、目的、等等適當地選擇。不特別地限制基板11的厚度，只要其具有支撐其他構件的足夠強度即可。
陽極12係在基板11上形成。陽極12將電洞注入電洞傳輸層13或發光層14中。陽極12之材料不特別地限制，只要其顯示導電性即可。通常，具有導電性之透明或半透明材料係藉由真空蒸鍍、濺鍍、離子電鍍、電鍍及塗佈方法、等等沈積。例如，顯示導電性之金屬氧化物薄膜及半透明金屬薄膜可用作陽極12。具體來說，使用一種用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化銦錫(ITO，其為一種錯合物)、摻雜氟之氧化錫(FTO)、氧化銦鋅、等等(NESA等等)；金；鉑；銀；銅；等等構成的導電玻璃製備之薄膜。尤其，其較佳為由ITO構成之透明電極。作為電極材料，可使用有機導電聚合物諸如聚苯胺、其衍生物、聚噻吩、其衍生物、等等。當ITO用作陽極12時，其厚度較佳為30-300奈米。如果其厚度比30奈米薄，則導電性減少且電阻增加，導致減少發光效率。如果其比300奈米厚，則ITO失去撓性且當其在應力下時龜裂。陽極12可為單層或疊層，各由具有各種功函數之材料組成。
電洞傳輸層13可任意排列在陽極12及發光層14之間。電洞傳輸層13從陽極12接受電洞並將其傳輸至發光層側。作為電洞傳輸層13之材料，例如可使用聚噻吩型聚合物諸如導電性油墨、聚(伸乙二氧基噻吩)：聚苯乙烯磺酸酯[在下文中，稱為PEDOT: PSS]，但不限於此。一種用於形成電洞傳輸層13之方法不特別地限制，只要其為一種可形成薄膜的方法即可，且可為(例如)旋轉塗佈法。以所要薄膜厚度施用電洞傳輸層13的溶液之後，用熱板等等將其加熱及乾燥。所要施用之溶液可預先用過濾器過濾。
電子傳輸層15可隨意地在發光層14上形成。電子傳輸層15從電子注入層16接受電子並將其傳輸至發光層側。作為電子傳輸層15之材料為(例如)參[3-(3-吡啶基)-基]硼烷[在下文中，稱為3TPYMB]、參(8-羥基喹啉)鋁[在下文中，稱為Alq3 ]及貝索啡啉(basophenanthroline)(BPhen)，但不限於此。一種用於沈積電子傳輸層15之方法類似於用於電洞傳輸層13之方法。
電子注入層16可隨意地在電子傳輸層15上形成。電子注入層16從陰極17接受電子並將其傳輸至電子傳輸層15或發光層14。作為電子注入層16之材料為(例如)CsF、LiF、等等，但不限於此。一種用於形成電子注入層16之方法類似於用於電洞傳輸層13之方法。
陰極17係在發光層14(或電子傳輸層15或電子注入層16)上形成。陰極17將電子注入發光層14(或電子傳輸層15或電子注入層16)。通常，具有導電性之透明或半透明材料係藉由真空蒸鍍、濺鍍、離子電鍍、電鍍及塗佈方法、等等沈積。用於陰極之材料包括顯示導電性之金屬氧化物薄膜及半透明金屬薄膜。當成陽極12使用具有高功函數之材料形時，較佳使用具有低功函數之材料作為陰極17。具有低功函數之材料包括(例如)鹼金屬及鹼土金屬。具體來說，其為Li、In、Al、Ca、Mg、Li、Na、K、Yb、Cs、等等。
陰極17可為單層或疊層，各由具有各種功函數之材料組成。此外，其可為二或多種金屬之合金。合金之例子包括鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金及鈣-鋁合金。
陰極17的厚度較佳為10-150奈米。當厚度比上述範圍薄時，電阻過高。當薄膜厚度比較厚時，陰極17的沈積需要長時段，由於損害相鄰層而導致性能惡化。
上述解釋為一種有機發光二極體，其中陽極係在基板上形成及陰極排列在基板反側上，但基板可排列在陰極側上。
圖2為顯示根據一體系之顯示器的電路圖。
圖2中所顯示之顯示器20具有其中像素21排列在電路中之結構，各電路提供有逐矩陣排列(matrix-wise)的橫向控制線(CL)及垂直數位線(DL)。像素21包括發光二極體25及連接至發光二極體25之薄膜電晶體(TFT)26。TFT 26之一端子連接至控制線及另一個連接至數位線。數位線連接至數位線驅動器22。此外，控制線連接至控制線驅動器23。數位線驅動器22及控制線驅動器23係由控制器24控制。
圖3為顯示根據一體系之照明裝置的橫剖面圖。
照明裝置100具有之結構為陽極107、有機發光二極體層106及陰極105以此順序在玻璃基板101上形成。密封玻璃102配置成覆蓋陰極105且使用UV黏著劑104黏著。乾燥劑103係配置在密封玻璃102之陰極105側上。
 實例 (實例1)
銅錯合物[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 的合成例係顯示於下。
[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 具有其中吡啶(py)及三苯膦(PPh3 )與銅離子配位之結構。
(反應I)
將100毫升三頸燒瓶進料肆乙腈四氟硼酸銅(I)(0.51克，1.62毫莫耳)及三苯膦(0.85克，3.24毫莫耳)，且在真空下乾燥在該燒瓶中的混合物。用氮替換三頸燒瓶中之氛圍，及使用注射器將25毫升通入氮之氯仿加至燒瓶，注射器中已用氮替換氛圍。混合物在周圍溫度下攪拌6小時之後，將反應溶液過濾以除去不溶解材料。當己烷加至濾液時，白色固體沈澱。藉由過濾分離沈澱物以獲得[Cu(CH3 CN)2 (PPh3 )2 ]BF4 ，其為目標產物(產率：97%)。
上述反應I之反應流程係顯示於下。
(反應II)
將50毫升三頸燒瓶進料[Cu(CH3 CN)2 (PPh3 )2 ]BF4 (2.71克，3.58毫莫耳)，及在真空下乾燥燒瓶中之混合物。用氮替換三頸燒瓶中之氛圍，及使用注射器將10毫升通入氮之氯仿加至燒瓶，注射器中已用氮替換氛圍。溶液中的成分完全地溶解之後，將2毫升吡啶加至溶液。混合物在周圍溫度下攪拌5小時之後，將反應溶液過濾以除去不溶解材料。除去溶劑，將其在真空下乾燥以獲得[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 ，其為目標產物，於白色固體形式(產率：84%)。將[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 溶解在氘化氯仿中以測量質子核磁共振光譜。峰位之化學位移(ppm)：8.37(單重線)，7.81(三重線)及7.08-7.44(三重線)。
上述反應II之反應流程係顯示於下。
測量如上述所得之[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 的光發光(PL)光譜。光譜係在周圍溫度下以固態測量。結果顯示於圖4中。上述[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 係以具有於365奈米之激發波長的紫外光激發，且結果，發出具有於501奈米之發光峰的藍綠光。
上述合成之[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 用作製造有機發光二極體之發光摻雜劑。此二極體之層結構如下：ITO 100奈米/PEDOT: PSS 45奈米/PVK: OXD-7:[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 65奈米/3TPYMB 50奈米/CsF 1奈米/Al 150奈米。
陽極為100奈米厚度之由製造ITO(氧化銦錫)的透明電極。
作為電洞傳輸層之材料，使用聚(伸乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)[PEDOT: PSS]水溶液，其為導電性油墨。PEDOT: PSS水溶液係以旋轉塗佈施用，及在加熱下乾燥以形成厚度45奈米之電洞傳輸層。
對於用於發光層之材料，聚(乙烯咔唑)[PVK]用作主體材料，1,3-雙(2-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-氧基二唑-5-基)苯[OXD-7]用作電子傳輸材料及[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 用作發光摻雜劑。PVK為電洞傳輸主體材料及OXD-7為電子傳輸材料。因此，如果這些材料的混合物用作主體材料，則當施用電壓時，電子及電洞可有效率地注入發光層。將這些化合物秤重以使這些化合物的重量比如下：PVK: OXD-7:[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 =60: 30: 10，及溶解在氯苯中以獲得一種溶液，其係藉由旋轉塗佈施用，接著在加熱下乾燥以形成65奈米厚度之發光層。
電子傳輸層係藉由參[3-(3-吡啶基)-基]硼烷[3TPYMB]之蒸汽蒸發形成於50奈米厚度。電子注入層由厚度1奈米之CsF形成及陰極由厚度150奈米之Al形成。
檢驗以上述方式製造之有機發光二極體的發光特性。圖5A為顯示根據實例1之二極體的電壓和電流密度之間的關係之視圖。圖5B為顯示根據實例1之二極體的電壓和亮度之間的關係之視圖。圖5C為顯示根據實例1之二極體的電壓和發光效率之間的關係之視圖。發光效率係藉由同時測量亮度、電流及電壓獲得。亮度係使用具有能見度過濾器之Si光二極體S7610(商品名，由Hamamatsu Photonics K.K.製造)測量。此外，使用半導體參數分析儀4156b(商品名，由HEWLETT PACKARD製造)測量電流及電壓。
電流密度隨電壓的施用而上升及發光在8 V開始。亮度在10 V下為10 cd/cm2 及最大值發光效率為1.3 cd/A。
此外，測量當施用電壓時根據實例1之有機發光二極體的電發光(EL)光譜。結果顯示在圖6中。獲得具有發光峰於535奈米之EL光譜。從上述結果，發現根據此體系之銅錯合物可用作有機發光二極體之發光摻雜劑。
(實例2)
[Cu(2F-DPA)(PPh3 )3 ]的合成例係顯示於下。
(反應I)
將100毫升三頸燒瓶進料50毫升的甲苯、3-氟酚(25.0毫莫耳)及50毫升的30%磷酸鉀水溶液，及在反應溶液保持在10℃或更低之條件下將三氟甲磺酸酐(30.0毫莫耳)逐滴加至該溶液。反應溶液在周圍溫度下攪拌一小時且然後用50毫升的乙酸乙酯萃取二次。將萃取物用150毫升的水洗滌，及添加硫酸鎂以除去水，接著真空乾燥以獲得液體化合物三氟甲磺酸3-氟苯酯。
(反應II)
將100毫升三頸燒瓶進料乙酸鈀(0.2毫莫耳)、碳酸銫(2.4毫莫耳)及2-二環己基膦基-2',4',6'-三異丙基聯苯(0.3毫莫耳)且將40毫升的甲苯加至該混合物中以溶解這些成分。接著，將三氟甲磺酸3-氟苯酯(2.0毫莫耳)及3-氟苯胺(2.2毫莫耳)加至溶液，其然後在100℃下攪拌2小時。將反應溶液在真空下乾燥及然後藉由管柱層析(溶劑為乙酸乙酯：正己烷=1：3)純化以獲得二取代之氟二苯胺(2F-DPA)。
上述反應(I)及(II)之反應流程係顯示於下。
(反應III)
將100毫升三頸燒瓶進料2F-DPA，及添加無水四氫呋喃以溶解2F-DPA。將1.6 M nBuLi己烷溶液加至2F-DPA溶液，其然後在周圍溫度下攪拌5分鐘，及然後，冷卻至-35℃。準備不同的100毫升三頸燒瓶並進料CuBr‧Me2 S及三苯膦(PPh3 )。添加無水四氫呋喃以溶解這些成分且將溶液冷卻至-35℃。在-35℃下將製得之2F-DPA溶液加至包含CuBr‧Me2 S及PPh3 之溶液，及將所產生之溶液遮蔽光。將溶液攪拌2小時之後，將溶劑蒸發，接著真空乾燥。所得固體用苯萃取並冷凍乾燥以獲得標的化合物[Cu(2F-DPA)(PPh3 )3 ]。
上述反應(III)之反應流程係顯示於下。
[Cu(4F-DPA)(PPh3 )3 的合成例係顯示於下。
(反應I)
將100毫升三頸燒瓶進料50毫升的甲苯、3,5-氟酚(25.0毫莫耳)及50毫升的30%磷酸鉀水溶液，及在反應溶液保持在10℃或更低之條件下將三氟甲磺酸酐(30.0毫莫耳)逐滴加至該溶液。反應溶液在周圍溫度下攪拌一小時且然後用50毫升的乙酸乙酯萃取二次。將萃取物用150毫升的水洗滌，及加入硫酸鎂以除去水，接著真空乾燥以獲得液體化合物三氟甲磺酸3,5-二氟苯酯。
(反應II)
將100毫升三頸燒瓶進料乙酸鈀(0.2毫莫耳)、碳酸銫(2.4毫莫耳)及2-二環己基膦基-2',4',6'-三異丙基聯苯(0.3毫莫耳)且將40毫升的甲苯加至該混合物中以溶解這些成分。接著，將三氟甲磺酸3,5-二氟苯酯(2.0毫莫耳)及3,5-二氟苯胺(2.2毫莫耳)加至溶液，然後在100℃下攪拌30分鐘。將反應溶液在真空下乾燥及然後藉由管柱層析(溶劑為乙酸乙酯：正己烷=1：5)純化以分離，藉此獲得4F-DPA。
上述反應(I)及(II)之反應流程係顯示於下。
(反應III)
將100毫升三頸燒瓶進料4F-DPA且添加無水四氫呋喃以溶解4F-DPA。將1.6 M nBuLi己烷溶液加至該溶液，然後在周圍溫度下攪拌5分鐘，及然後，冷卻至-35℃。準備另一100毫升三頸燒瓶且進料CuBr‧Me2 S及三苯膦(PPh3 )。添加無水四氫呋喃以溶解這些成分且將溶液冷卻至-35℃。在-35℃下將製得之4F-DPA溶液加至包含CuBr‧Me2 S及PPh3 之溶液，及將所產生之溶液遮蔽光。將溶液攪拌2小時之後，將溶劑蒸發，接著真空乾燥。所得固體用苯萃取並冷凍乾燥以獲得標的化合物[Cu(4F-DPA)(PPh3 )3 ]。
上述反應(III)之反應流程係顯示於下。
關於[Cu(2F-DPA)(PPh3 )3 ]、[Cu(4F-DPA)(PPh3 )3 ]及[Cu(PN)(PPh3 )3 ]，進行分子軌道計算以估計發光波長。[Cu(PN)(PPh3 )3 ]之結構係顯示於下。
此計算係使用Gaussian 03(其為分子軌道計算的軟體)進行。首先，根據密度泛函法(density functional method)(B3LYP法)進行結構最佳化及接著藉由使用此最佳化結構進行時間依賴性密度泛函法(TD-DFT)以獲得發光波長。作為基底函數，LanL2DZ係用於Cu及6-31G*係用於C、H、N及F。
結果，各發光波長如下：[Cu(PN)(PPh3 )3 ]: 469.30奈米，[Cu(2F-DPA)(PPh3 )3 ]: 434.57奈米及[Cu(4F-DPA)(PPh3 )3 ]: 412.97奈米。如相較於[Cu(PN)(PPh3 )3 ]之發光波長，其中二個氟基引進特定位置的[Cu(2F-DPA)(PPh3 )3 ]之發光波長係位移至短波長側35奈米及其中四個氟基引進特定位置的[Cu(4F-DPA)(PPh3 )3 ]之發光波長係位移至短波長側56奈米。因此，[Cu(PN)(PPh3 )3 ]在504奈米之發光峰顯示藍綠光，而[Cu(4F-DPA)(PPh3 )3 ]發出藍光。
以如實例1中相同的方式製造有機發光二極體，除了使用上述合成之[Cu(2F-DPA)(PPh3 )3 ]及[Cu(4F-DPA)(PPh3 )3 ]作為發光摻雜劑之外。
雖然已描述某些體系，這些體系只以實例的方式呈現，且不意欲限制本發明之範圍。的確，本文中所述之新穎體系可以各種其他形式具體化；此外，可在不背離本發明之精神下可進行在本文中所述體系之形式的各種省略、替換及改變。意欲所附申請專利範圍及其同等物包括該等將屬於本發明之精神及範圍內的形式或修正。
10．．．有機發光二極體
11．．．基板
12．．．陽極
13．．．電洞傳輸層
14．．．發光層
15．．．電子傳輸層
16．．．電子注入層
17．．．陰極
20．．．顯示器
21．．．像素
22．．．數位線驅動器
23．．．控制線驅動器
24．．．控制器
25．．．發光二極體
26．．．薄膜電晶體
100．．．照明裝置
101．．．玻璃基板
102．．．密封玻璃
103．．．乾燥劑
104．．．UV黏著劑
105．．．陰極
106．．．有機發光二極體層
107．．．陽極
圖1為顯示一體系之有機發光二極體的橫剖面圖；
圖2為顯示一體系之顯示器的電路圖；
圖3為顯示一體系之照明裝置的橫剖面圖；
圖4為顯示[Cu(py)2 (PPh3 )2 ]BF4 的PL光譜之視圖；
圖5A為顯示根據實例1之二極體的電壓和電流密度之間的關係之視圖；
圖5B為顯示根據實例1之二極體的電壓和亮度之間的關係之視圖；
圖5C為顯示根據實例1之二極體的電壓和發光效率之間的關係之視圖；及
圖6為顯示根據實例1之有機發光二極體的EL光譜之視圖。
10．．．有機發光二極體
11．．．基板
12．．．陽極
13．．．電洞傳輸層
14．．．發光層
15．．．電子傳輸層
16．．．電子注入層
17．．．陰極

Claims (7)

  1. 一種有機發光二極體，其包含：彼此分開排列之陽極及陰極；及發光層，其置於該陽極及該陰極中間且包含主體材料及發光摻雜劑，其中該發光摻雜劑包含以下式(2)表示之銅錯合物： 其中X表示BF4 或ClO4 ，及PPh3 為與Cu+ 配位之膦化合物，其中Ph表示苯基。
  2. 根據申請專利範圍第1項之有機發光二極體，其中該主體材料為小分子材料或聚合物材料。
  3. 一種顯示器，其包含根據申請專利範圍第1項之有機發光二極體。
  4. 一種照明裝置，其包含根據申請專利範圍第1項之有機發光二極體。
  5. 一種有機發光二極體，其包含：彼此分開排列之陽極及陰極；及發光層，其置於該陽極及該陰極中間且包含主體材料及發光摻雜劑，其中 該發光摻雜劑包含以式(3)表示之銅錯合物： 其中PR1 R2 R3 為與Cu+ 配位之膦化合物，其中R1 、R2 及R3 可為相同或不同，且表示具有6或更少個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基基團或苯基，及R4 及R5 表示F或H且可皆表示F，其先決條件為二者不同時表示H。
  6. 一種顯示器，其包含根據申請專利範圍第5項之有機發光二極體。
  7. 一種照明裝置，其包含根據申請專利範圍第5項之有機發光二極體。
TW099129495A 2010-03-08 2010-09-01 有機發光二極體，顯示器與照明裝置 TWI425075B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010051014A JP4886870B2 (ja) 2010-03-08 2010-03-08 有機電界発光素子、表示装置および照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201130947A TW201130947A (en) 2011-09-16
TWI425075B true TWI425075B (zh) 2014-02-01

Family

ID=44530514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099129495A TWI425075B (zh) 2010-03-08 2010-09-01 有機發光二極體，顯示器與照明裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8679646B2 (zh)
JP (1) JP4886870B2 (zh)
KR (1) KR101170251B1 (zh)
CN (1) CN102195005B (zh)
TW (1) TWI425075B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5361821B2 (ja) * 2010-07-22 2013-12-04 株式会社東芝 新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP5178795B2 (ja) 2010-09-07 2013-04-10 株式会社東芝 新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP5242648B2 (ja) * 2010-09-07 2013-07-24 株式会社東芝 新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP5178794B2 (ja) * 2010-09-07 2013-04-10 株式会社東芝 新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP5380471B2 (ja) 2011-01-19 2014-01-08 株式会社東芝 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
DE102011079856A1 (de) * 2011-07-26 2013-01-31 Eberhard-Karls-Universität Tübingen Komplexverbindungen mit einem Liganden mit einem N- und einem P-Donor und ihre Verwendung im opto-elektronischen Bereich
DE102013212775B4 (de) * 2013-06-28 2015-07-02 Technische Universität Braunschweig Verfahren und Verwendung von Kupferverbindungen zur Messung einer katalytischen Oberflächenaktivität
DE102013106949A1 (de) * 2013-07-02 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, organische funktionelle Schicht und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN104693220A (zh) * 2015-03-27 2015-06-10 吉林化工学院 一种具有蓝光性能偶氮苯-4,4’-二羧酸铜配合物的制备方法
CN105374949A (zh) * 2015-11-26 2016-03-02 电子科技大学 一种有机电致发光器件及其制备方法
GB2551501A (en) 2016-06-17 2017-12-27 Sumitomo Chemical Co Nanoparticles

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100482A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 色素増感型太陽電池
US20050221115A1 (en) * 2002-05-09 2005-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting device and display apparatus using same
US20070207344A1 (en) * 2004-10-14 2007-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Organic Electroluminescent Device and Display Apparatus Using the Same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1251630A (en) * 1983-04-19 1989-03-28 Paul J. Giordano, Jr. Photochemical conversion and storage of light energy by photoisomerization of compounds
JP5090698B2 (ja) 2006-09-26 2012-12-05 株式会社ユニバーサルエンターテインメント 遊技機
JP2008179697A (ja) 2007-01-24 2008-08-07 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料
JP2008303152A (ja) 2007-06-05 2008-12-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 新規銅錯体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100482A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 色素増感型太陽電池
US20050221115A1 (en) * 2002-05-09 2005-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting device and display apparatus using same
US20070207344A1 (en) * 2004-10-14 2007-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Organic Electroluminescent Device and Display Apparatus Using the Same

Also Published As

Publication number Publication date
JP4886870B2 (ja) 2012-02-29
JP2011187656A (ja) 2011-09-22
US8679646B2 (en) 2014-03-25
CN102195005A (zh) 2011-09-21
US20110215304A1 (en) 2011-09-08
KR20110102115A (ko) 2011-09-16
KR101170251B1 (ko) 2012-07-31
CN102195005B (zh) 2014-04-16
TW201130947A (en) 2011-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI425075B (zh) 有機發光二極體，顯示器與照明裝置
KR102584939B1 (ko) 불소치환을 함유하는 금속 착물
Hsu et al. Phosphine-oxide-containing bipolar host material for blue electrophosphorescent devices
TWI427063B (zh) 銥錯合物化合物，使用其之有機電致發光元件及其用途
KR101343699B1 (ko) 신규 화합물 및 그것을 사용한 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치
Cho et al. Phenylimidazole-based homoleptic iridium (III) compounds for blue phosphorescent organic light-emitting diodes with high efficiency and long lifetime
Park et al. Synthesis, characterization of the phenylquinoline-based on iridium (III) complexes for solution processable phosphorescent organic light-emitting diodes
US20230024427A1 (en) Platinum metal complex and use thereof in organic electroluminescent device
JP2018522820A (ja) 発光化合物
JPWO2009034987A1 (ja) 燐光発光性高分子化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
CN111943986B (zh) 一种含有多个稠合杂环结构配体的金属配合物
US9136485B2 (en) Compound and organic light-emitting diode, display and illuminating device using the compound
CN111087416B (zh) 含硅的电子传输材料及其应用
US8535815B2 (en) Compound and organic light-emitting diode, display and lighting device using the same
US20120181515A1 (en) Organic light-emitting diode, display and illuminating device
JP5361821B2 (ja) 新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP5178793B2 (ja) 新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP5178794B2 (ja) 新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置
CN111018880B (zh) 热活化延迟荧光材料及使用其所制备的有机发光二极管
KR100786471B1 (ko) 유기 금속 화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees