CN102194663B - 液处理装置、液处理方法和存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在基板上进行液处理的液处理装置中，在构成装置的各部处于无法使用的状态时，能够抑制生产率降低的装置。构成具备第一喷嘴、第二喷嘴的液处理装置。在该液处理装置中，控制基板搬送机构，通常状态下，在第一罩组和第二罩组之间交替交接基板，在两罩组中，按顺序使用罩，并且，在基板保持部、处理液供给系统或喷嘴支撑机构处于无法使用的状态造成的第一罩组和第二罩组中的一个无法进行基板处理的状态时，为了使该一个罩组中的能够使用的罩处理基板，担当另一个罩组的喷嘴进行移动。

Description

液处理装置、液处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及向基板供给处理液、对基板进行液处理的液处理装置、液处理方法和存储介质。 
背景技术
在作为半导体制造工序的一个的光致蚀刻工序中，在作为基板的半导体晶片(以下，称为晶片)表面涂覆抗蚀剂，以规定的图案曝光该抗蚀剂后显影，形成抗蚀剂图案。这样的处理，通常使用在进行抗蚀剂的涂覆、显影的涂覆、显影装置上连接曝光装置的系统中进行。 
该涂覆、显影装置上设置有向晶片供给处理液进行液处理的各种液处理装置。作为该液处理装置，有在晶片上例如涂覆抗蚀剂的抗蚀剂涂覆装置。该抗蚀剂涂覆装置具备用于向晶片涂覆抗蚀剂的涂覆处理部，该涂覆处理部具备包围保持晶片的保持部和在上述保持部上保持的晶片、防止抗蚀剂的飞散的罩等。 
此外，抗蚀剂涂覆装置，具备向晶片W供给抗蚀剂的喷嘴，该喷嘴安装在支撑体(臂)上，构成喷嘴臂。例如，如专利文献1所公开的，该喷嘴臂为多个例如三个涂覆处理部共有，在各罩之间移动，向保持在各保持部的晶片供给抗蚀剂。进行显影处理的显影装置等，除了向基板供给的处理液不同之外，与该抗蚀剂涂覆装置具有同样结构的情况。 
但是，上述涂覆处理部的数量与喷嘴臂的数量的比不是1∶1。因此，当向喷嘴臂供给处理液的处理液供给线进行维修，喷嘴臂有故障无法移动时，多个涂覆处理部无法进行晶片的处理。此外，通常的晶片处理时，如果从喷嘴到晶片的抗蚀剂的喷出时间长，在一个涂覆处理部占有的喷嘴臂的时间变长，因此其他的涂覆处理部的晶片的处理开始时间滞后，生产率降低。基于述问题，需要一种在通常的晶片处理时，得到高的生产率并且各部故障进行维修时能够抑制生产率降低的抗蚀 剂涂覆装置。 
专利文献1：日本特开2010-045185 
发明内容
本发明的目的在于，提供在基板上进行液处理的液处理装置中，在无法使用构成装置的各部的状态时能够抑制生产率降低的液处理装置、液处理方法和存储介质。 
本发明的液处理装置，在罩内的基板保持部水平保持基板，从处理液供给系统通过喷嘴从其上方向基板供给处理液对基板进行液处理，具备： 
所述基板保持部配置在其内部、在左右方向排列成一列的2n(n为2以上的整数)个的罩； 
在通常状态下，仅由构成第一罩组的左侧n个罩共同使用的第一喷嘴； 
支撑该第一喷嘴、使得对于2n个全部能够使用的在左右方向能够自由移动的第一喷嘴支撑机构； 
在通常状态下，仅由构成第二罩组的右侧n个罩共同使用的第二喷嘴； 
支撑该第二喷嘴、使得对于2n个全部能够使用的在左右方向能够自由移动的第二喷嘴支撑机构； 
用于向基板保持部传递基板的基板搬送机构；和 
控制部，该控制部在通常状态下，控制基板搬送机构，在第一罩组和第二罩组之间交替交接基板，在两罩组中依次使用罩，并且，当基板保持部、处理液供给系统或喷嘴支撑机构处于无法使用状态造成在第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，为了利用该一个罩组中能够使用的罩组进行基板处理，输出控制信号，使得担当(负责)另一个罩组的喷嘴移动。 
上述控制部也可以，在第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，为了使用该一个罩组中由操作人员制定的罩，输出控制信号，使得担当另一个罩组的喷嘴移动。此外，上述控制部也可以，在第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状 态时，为了使用从该一个罩组中对应于该状态预先确定的罩，输出控制信号，使得担当另一个罩组的喷嘴移动。 
此外，上述控制部也可以构成为：在第一罩组和第二罩组中的一个无法进行基板的处理的状态时，能够选择手动模式和自动模式， 
例如，选择手动模式时，为了使用一个罩组中由操作人员指定的罩，输出控制信号，使得担当另一个罩组的喷嘴移动，选择自动模式时，为了使用从一个罩组中对应其状态预先决定的罩，输出控制信号，使得担当另一个罩组的喷嘴移动。 
一种液处理方法，在罩内的基板保持部水平保持基板，从处理液供给系统通过喷嘴从其上方向基板供给处理液，对基板进行液处理，包括： 
在通常状态下，从所述基板保持部配置在其内部、由在左右方向排列成一列的2n(n为2以上的整数)个的罩中，仅对构成第一罩组的左侧n个罩共同使用的第一喷嘴供给处理液的工序； 
在通常状态下，从所述2n个的罩中仅对构成第二罩组的右侧的n个罩共同使用的第二喷嘴供给处理液的工序； 
在通常状态下，由基板搬送机构在第一罩组的基板保持部和第二罩组的基板保持部之间交互交接基板，使得在两罩组中依次使用罩的工序；和 
在基板保持部、处理液供给系统或喷嘴支撑机构处于无法使用的状态造成的第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，为了利用该一个罩组中能够使用的罩处理基板，使担当另一个罩组的第一喷嘴或第二喷嘴在左右方向移动的工序。 
该液处理方法也可以包括，当第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，为了使用该一个罩组中由操作人员指定的罩，使担当另一个罩组的喷嘴移动的工序。此外，也可以包括在第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，为了使用从该一个罩组中对应于该状态预先决定的罩，使得担当另一个罩组的喷嘴移动的工序。 
本发明的存储介质，为在对基板进行液处理的液处理装置中使用的存储有计算机程序的存储介质， 
所述计算机程序的特征在于，是用于实施上述液处理方法的计算机程序。 
根据本发明，在第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，担当另一个罩组的喷嘴在一个罩组中能够使用的罩内处理基板。因此，在装置的维修时间或故障时间，能够抑制生产率的降低。 
附图说明
图1为本发明实施方式的抗蚀剂涂覆装置的立体图。 
图2为上述抗蚀剂涂覆装置的平面图。 
图3为上述抗蚀剂涂覆装置的涂覆处理部的纵向侧截面图。 
图4为上述抗蚀剂涂覆装置的喷嘴臂的正面图。 
图5为上述抗蚀剂涂覆装置的控制部的结构图。 
图6为表示由操作画面设定的一例的说明图。 
图7为表示上述控制部的存储器的说明图。 
图8为表示上述抗蚀剂涂覆装置中晶片的搬送和喷嘴臂的动作的作用图。 
图9为表示上述抗蚀剂涂覆装置中晶片的搬送和喷嘴臂的动作的作用图。 
图10为表示上述抗蚀剂涂覆装置的晶片的搬送和喷嘴臂的动作的作用图。 
图11为表示上述抗蚀剂涂覆装置的晶片的搬送和喷嘴臂的动作的作用图。 
图12为表示上述抗蚀剂涂覆装置的晶片的搬送和喷嘴臂的动作的作用图。 
图13为表示上述抗蚀剂涂覆装置的晶片的搬送和喷嘴臂的动作的作用图。 
图14为表示上述抗蚀剂涂覆装置的晶片的搬送和喷嘴臂的动作的作用图。 
符号说明 
1抗蚀剂涂覆装置 
11a、11b、11c、11d涂覆处理部 
12a、12b、12c、12d旋转夹具 
21a、21b、21c、21d罩 
34抗蚀剂供给喷嘴 
4、5喷嘴臂 
41、51喷嘴支撑机构 
6、7喷嘴总管 
61、71待机区域 
90控制部 
具体实施方式
针对本发明的液处理装置的实施方式的抗蚀剂涂覆装置1，分别参照其立体图、平面图的图1、图2进行说明。抗蚀剂涂覆装置1，具备4个涂覆处理部11a、11b、11c、11d和基台31。涂覆处理部11a～11d在基台31上横向排列成一列。 
各涂覆处理部11a～11d每个都是同样的结构，在此，以涂覆处理部11a为例，参照表示其纵向侧截面的图3进行说明。涂覆处理部11a具备吸附晶片W的背面中央部、构成保持水平的基板保持部的旋转夹具12a，旋转夹具12a通过旋转轴13a与旋转驱动机构14a连接。旋转夹具12a构成为：通过旋转驱动机构14a以保持晶片W的状态绕铅直轴自由旋转。旋转驱动机构14a接收从后述的控制部90输送的控制信号，控制旋转夹具12a的旋转速度。此外，旋转驱动机构14a，对应于该旋转速度向控制部90输出信号。 
在旋转夹具12a的周围，以包围旋转夹具12a上的晶片W的方式，设置在上方侧具备开口部20a的罩21a，在罩21a的底部侧设置例如构成凹部状的受液部23a。受液部23a由隔壁24a在晶片W的周边下方侧沿全周划分为外侧区域和内侧区域。在外侧区域的底部设置排液口25a，在内侧区域的底部设置用于排出处理氛围气体的排气口26a。图15a是构成为能够自由升降的升降销，在罩21a内设置3根(图3上为了方便仅表示了2根)。抗蚀剂涂覆装置1中对应于搬送晶片W的基 板搬送机构10的动作，升降机构16a使得升降销15a升降，在上述基板搬送机构10和旋转夹具12a之间传递晶片W。 
涂覆处理部11b、11c、11d中，涉及对应于涂覆处理部11a的各部的部分，使用与涂覆处理部11a的说明中使用数字的同样的数字，并且，分别用b、c、d代替a在各图中表示。 
基台31上设置2个喷嘴臂4、5。喷嘴臂4、5相互为相同的结构，在此，以喷嘴臂4为例进行说明。喷嘴臂4具备喷嘴支撑机构41、臂32、和复合喷嘴部33。喷嘴支撑机构41沿着设置在基台31上的导引42，在涂覆处理部11a～11d的排列方向移动。喷嘴支撑机构41依据从控制部90输送的控制信号进行上述移动、向控制部90输送对应于该横方向的位置的信号。 
臂32，从喷嘴支撑机构41以水平的、与该喷嘴支撑机构41的移动方向正交的方式延伸。复合喷嘴部33由多个例如9根抗蚀剂供给喷嘴34和1根稀释剂供给喷嘴35构成。稀释剂是用于提高抗蚀剂的润湿性的处理液。各抗蚀剂供给喷嘴34和稀释剂供给喷嘴35，在臂32的前端沿着涂覆处理部11a～11d的排列方向排列，能够在各涂覆处理部11a～11d的旋转夹具12a～12d上保持的晶片W的中心部上移动。 
喷嘴臂5具有相当于喷嘴支撑机构41的喷嘴支撑机构51，该喷嘴支撑机构51沿设置在基台31的导引52在涂覆处理部11a～11d的排列方向移动。由此，喷嘴臂5的各个喷嘴与喷嘴臂4的各个喷嘴同样，能够对由涂覆处理部11a～11d搬运来的晶片W进行处理。 
图3中的36为处理液供给单元。处理液供给单元36由处理液供给机构37构成，处理液供给机构37具备：存储分别向抗蚀剂供给喷嘴34、稀释剂供给喷嘴35供给的抗蚀剂、稀释剂的罐、和对罐内加压、将该罐内的处理液输送到喷嘴用的送液单元。处理液供给机构37设置与各喷嘴34、35同样数量的10个。各处理液供给机构37中存储的抗蚀剂，例如各个的浓度、成分不同，能够将期望的抗蚀剂供给晶片W。 
图38是连接各喷嘴34、35和各处理液供给机构37的处理液供给管，各处理液供给管38设置有包括阀39的流量控制部30。接受从控制部90输送的控制信号，控制各阀39的开闭，切换9种抗蚀剂和稀释剂，向各涂覆处理部11a～11d内的晶片W进行供给。 
如图1和图2所示，以夹持涂覆处理部11a～11d的状态设置喷嘴总管6、7。喷嘴总管6形成为上侧开口的杯状。喷嘴总管6的内部构成为喷嘴臂4的复合喷嘴部33的待机区域61。此外，喷嘴总管7与喷嘴总管6同样构成，具备相当于待机区域61的待机区域71。该待机区域71是使喷嘴臂5的复合喷嘴部33待机的区域。各喷嘴臂4、5的复合喷嘴部33，在不向晶片W进行抗蚀剂、稀释剂的供给处理时，分别收纳在待机区域61、71内待机。以下，作为代表，参照图4说明喷嘴总管6。 
喷嘴总管6具备例如由投光部62和受光部63构成的光传感器。受光部63对应于从投光部62入射的光量向控制部90输出信号。如图4所示，当上述复合喷嘴部33被收纳在待机区域61时，向受光部63入射的光被遮挡，上述输出信号变化。根据该输出信号的变化，控制部90进行复合喷嘴部33是否在待机区域61的判定。此外，喷嘴总管6具备排液口64。喷嘴臂4的各喷嘴34、35在待机区域61待机期间，作为维修，有将处理液喷出到待机区域61的情况。由该处理液的喷出，除去各喷嘴34、35内和处理液供给管38内的附着物，清洗处理液供给管线。在该清洁维修中喷出的处理液，从上述排液口64排出。 
回到图1和图2继续进行说明。抗蚀剂涂覆装置1具备：分别除去在各涂覆处理部11a～11d分别形成的抗蚀剂膜的周边部，防止该抗蚀剂膜的剥离的4个周边部除去机构8。周边部除去机构8具备供给作为抗蚀剂的溶剂的稀释剂的溶剂喷嘴81。图中82为支撑溶剂喷嘴81的臂。83为驱动机构，通过臂82使溶剂喷嘴81升降。此外，驱动机构83，沿着导引84在各涂覆处理部11a～11d的排列方向移动。在各罩21a～21d的侧方设置上侧开口的杯状的喷嘴总管85。由上述驱动机构83在喷嘴总管85内的待机区域86和与该待机区域86相邻的罩21内保持晶片W的周边部上之间，移动溶剂喷嘴81。 
接着，对抗蚀剂涂覆装置1的晶片W的抗蚀剂涂覆工序进行说明。在各涂覆处理部11a～11d，晶片W同样接受抗蚀剂的涂覆处理，各涂覆处理部11a～11d的处理相互并行进行。如后所述，通常，将晶片W搬送到涂覆处理部11a～11d，搬送到涂覆处理部11a、11b的晶片W在喷嘴臂4、搬送到涂覆处理部11c、11d的晶片W在喷嘴臂5分别进行处理。在此，对进行将晶片W搬送到涂覆处理部11a，由喷嘴臂4进行抗蚀剂的涂覆处理的顺序进行说明。 
基板搬送机构10将晶片W搬送到罩21a上，通过升降销15a，将晶片W传递到旋转夹具12a上，晶片W的背面中央部保持在旋转夹具12a上。接着，晶片W以规定的旋转速度绕着铅直轴旋转，并且在喷嘴总管6待机的喷嘴臂4的稀释剂供给喷嘴35位于晶片W的中心部上，移动到距离晶片W规定高度的位置之后，向晶片W的中心部喷出稀释剂。 
停止稀释剂喷出后，抗蚀剂供给喷嘴34位于晶片W的中心部上，向晶片W的中心部喷出抗蚀剂。抗蚀剂通过由离心力将被稀释剂润湿的晶片W向周边部扩散的，所谓旋涂扩散到晶片W整体。抗蚀剂的喷出停止后，喷嘴臂4返回喷嘴总管6的待机区域61。溶剂喷嘴81从喷嘴总管85向晶片W的周边部上移动，从该溶剂喷嘴81供给稀释剂，晶片W的周边部的抗蚀剂膜被除去。溶剂喷嘴81返回喷嘴总管85，通过升降销15a，晶片W传递到基板搬送机构10，从抗蚀剂涂覆装置1搬出。 
接着，参照图5说明设置在该抗蚀剂涂覆装置1上的控制部90。控制部90具备CPU91、存储器92和程序93。图中94为总线。在上述程序93中编入命令(各步骤)，使得从控制部90向抗蚀剂涂覆装置1的各部输送控制信号，进行抗蚀剂涂覆处理。控制由旋转驱动机构14a～14d进行的晶片W的旋转、由升降销15a～15d进行的晶片W的传递、由基板搬送机构10进行的晶片W的搬送、由喷嘴支撑机构41、51进行的喷嘴臂4、5的移动、由流量控制部30进行的向晶片W的抗蚀剂和稀释剂的供给等的动作。该程序(包括有关处理参数的输入操作和显示的程序)93，存储在例如软盘、光盘、硬盘、MO(磁光盘)、存储卡等的存储介质中，被安装到控制部90。 
此外，控制部90具备例如由触摸屏等构成的操作画面95。抗蚀剂涂覆装置1的操作人员，通过该操作画面95，设定为了进行维修而中止使用的维修位置或引起故障等的问题，造成不能使用的状态的问题位置。进行这样的设定，自动从上述状态变更搬送晶片W的涂覆处理部11、使用的喷嘴臂。此外，操作人员也能够从该操作画面95手动变 更搬送晶片W的涂覆处理部11、使用的喷嘴臂。 
图6为操作画面95的一个例子。操作人员能够在例如操作画面95显示的第一画面95a，输入喷嘴臂4、5、涂覆处理部11a～11d中的任一个作为维修位置。此外，将喷嘴臂4、5作为维修位置输入的情况下，从第一画面95a输入是进行在如上所述的待机区域61、71喷出处理液的处理液管线的清洗维修还是进行以外的例如部件交换等的维修。 
操作人员能够从第一画面95a到第二画面95b变更显示。在该第二画面95b，操作人员能够将喷嘴臂4、5、涂覆处理部11a～11d中的任一个作为问题位置输入。图7中表示存储器92，在第一画面95a、第二画面95b分别输入的维修位置、问题位置，存储在该存储器92中。 
操作人员能够从第二画面95b到第三画面95c变更显示。此外，在第一画面95a设定维修位置的情况下，第二画面95b不显示，第三画面95c显示。操作人员根据该第三画面95c，能够选择是自动设定还是手动设定在喷嘴臂4、5进行处理的涂覆处理部11。在选择自动设定的情况下，程序93基于存储器92中存储的维修位置和问题位置，如后述的各例子所示，自动决定搬送晶片的涂覆处理部11和处理中使用的喷嘴臂。在第三画面95c，选择手动设定的情况下，显示第四画面95d。操作人员，能够从该第四画面95d设定在喷嘴臂4、5分别进行处理的涂覆处理部11。 
以下的说明，为了方便，对于各晶片W，对搬送到抗蚀剂涂覆装置1的晶片W的批次的顺序按A、B……字母的顺序显示，该字母之后，表示在该批次内搬送到抗蚀剂涂覆装置1的顺序的数字编号。即，例如某批次内的晶片W，在该批次内第三个搬送到抗蚀剂涂覆装置1的晶片W表示为晶片A3。上述批次之后搬送到抗蚀剂涂覆装置1的后续批次中，该后续批次内第五个搬送到抗蚀剂涂覆装置1的晶片W表示为晶片B5。 
图8用时间序列表示不进行已述的操作画面95的设定的通常状态，基板搬送机构10搬送晶片W到各涂覆处理部11a～11d的时刻。此外，该图8中，箭头表示喷嘴臂4、5移动的区域。将涂覆处理部11a、11b作为第一处理组G1、涂覆处理部11c、11d作为第二处理组G2，晶片W在处理组G1、G2交替搬运，并且在各处理组G1、G2内的涂 覆处理部11交替搬运。具体来说，晶片A1、A2、A3、A4，按照涂覆处理部11a、11c、11b、11d的顺序搬送，后续的晶片A5、A6、A7、A8同样，按照涂覆处理部11a、11c、11b、11d的顺序搬送。搬送到涂覆处理部11a、11b的晶片W由喷嘴臂4处理，搬送到涂覆处理部11c、11d的晶片W由喷嘴臂5处理。 
以下，对装置各部设定为维修位置或问题位置的各例子中晶片W的搬送和使用的喷嘴臂进行说明。此外，以下的各情况中，上述操作画面95，由操作人员选择自动设定在喷嘴臂4、5进行处理的涂覆处理部11。 
第一种情况：设定喷嘴臂4为维修位置，进行处理液供给管线的清洗维修的情况 
进行上述设定时，装置1中处理中的批次A，在上述通常状态进行处理。批次A的处理结束，喷嘴臂4在喷嘴总管6的待机区域61内喷出处理液，进行处理液供给管线的清洗。期间，如图9所示，后续的批次B的晶片B，在涂覆处理部11c、11d之间交替搬送，喷嘴臂5进行这些晶片B的处理。维修结束后，从接着搬送来的批次的晶片，再次开始已述的使用喷嘴臂4、5和涂覆处理部11a～11d的通常状态的处理。 
第二种情况：未设定喷嘴臂4为维修位置，进行处理液管线的清洗维修的情况 
进行上述设定时，在装置1中处理中的批次A，在通常状态进行处理。当批次A的处理结束时，喷嘴臂4在喷嘴总管6的待机区域61内待机。如图10所示，后续的批次B的晶片B，在涂覆处理部11a～11d以与通常状态同样的顺序进行搬送，只在与通常状态不同的喷嘴臂5进行这些晶片B的处理。在这样进行批次B的处理期间，操作人员进行喷嘴臂4的部件的交换等的维修作业。当维修结束时，例如操作人员从操作画面95进行规定的设定，接着从搬送的批次的晶片再次开始通常状态下的处理。 
在第一种情况中，不使用涂覆处理部11a、11b，是为了防止由于处理液喷出到喷嘴总管6飞散的雾，在接近喷嘴总管6的该涂覆处理部11a、11b附着在处理中的晶片W上。在第二种情况中，在多个涂覆 处理部11并行对晶片W进行处理，为了提高生产率，使用全部的涂覆处理部11a～11d。 
在第一种情况中，代替设定喷嘴臂4为维修位置，设定喷嘴臂5为维修位置的情况下，使用喷嘴臂4和涂覆处理部11a、11b进行。在第二种情况中，代替设定喷嘴臂4为维修位置，设定喷嘴臂5为维修位置的情况下，使用喷嘴臂4和涂覆处理部11a～11d进行处理。 
第三种情况：喷嘴臂4设定为问题位置的情况 
进行设定后，控制部90停止喷嘴臂4，判断其位置是否在待机区域61。当判定在待机区域61以外的区域的情况下，在该判定时间以后，搬送到装置1的晶片A，在涂覆处理部11c、11d交替搬送，由喷嘴臂5进行处理。图11是显示晶片A5搬送到涂覆处理部11a之后进行问题位置的设定和上述判定，晶片A6以后的晶片A如上所述搬送到涂覆处理部11c、11d，由喷嘴臂5进行处理的例子。 
控制部90判定喷嘴臂4在喷嘴总管6的待机区域61停止的情况下，不变更各晶片W的搬送目的地，与通常状态相同，被搬送至涂覆处理部11a～11d。该判定以后，被搬送到涂覆处理部11a～11d的晶片A由喷嘴臂5进行处理。图12是表示晶片A5被搬送到涂覆处理部11a之后进行问题位置的设定和上述判定，晶片A6以后的晶片A如上所述由喷嘴臂5进行处理的例子。该第三种情况中，例如，操作人员由操作画面95进行规定的设定，进行该设定之后，从接着搬送的批次的晶片再次开始通常状态的处理。 
喷嘴臂4在待机区域61的外部停止时，晶片W在涂覆处理部11c、11d进行处理，是为了防止喷嘴臂4和喷嘴臂5的干涉。此外，喷嘴臂4在待机区域61停止，不会引起该干涉，因此如上所述使用涂覆处理部11a～11d全部，对于抑制生产率降低有利。 
上述第三种情况中，代替设定喷嘴臂4为问题位置，设置喷嘴臂5为问题位置的情况下，由喷嘴臂5的停止位置决定晶片W的搬送目的地。即，喷嘴臂5在待机区域71以外的区域停止的情况下，在涂覆处理部11a、11b交替搬送晶片W，由喷嘴臂4进行处理。此外，喷嘴臂5在待机区域71停止的情况下，与通常状态同样在涂覆处理部11a～11d搬送晶片W，由喷嘴臂4进行处理。 
第四种情况：涂覆处理部11a设定为问题位置的情况 
进行设定，基板搬送机构10将新搬入装置1的晶片A按照在涂覆处理部11b～11d中先结束晶片A的处理的顺序依次搬送，以后，以该顺序，反复向涂覆处理部11b～11d搬送晶片A。搬送到涂覆处理部11b的晶片的处理由喷嘴臂4进行，搬送到涂覆处理部11c、11d的晶片的处理由喷嘴臂5进行。在图13的上段表示批次A的晶片A6搬送到涂覆处理部11c之后进行上述设定时的晶片W的搬送状况。 
接着，批次A的全部的晶片的处理完成之后，喷嘴臂4在喷嘴总管6的待机区域61待机。如图13的下段所示，后续的批次B的晶片B以与上述设定后的批次A的晶片A相同的搬送顺序搬送到涂覆处理部11b～11d。接着，喷嘴臂5对搬送到涂覆处理部11b～11d的晶片B进行处理。如此在批次B进行处理的期间，操作人员解决涂覆处理部11a的问题。该第四种情况中，例如操作人员从操作画面95进行规定的设定，进行该设定后，从接着搬送的批次的晶片再次开始通常状态下的处理。 
上述批次B处理中，喷嘴臂4不通过涂覆处理部11a上，在喷嘴总管6待机，因此操作人员能够不被喷嘴臂4的移动妨碍，接近涂覆处理部11a，进行问题的消除处理，期间，通过喷嘴臂5在涂覆处理部11b进行晶片B的处理，由此能够抑制由于无法使用喷嘴臂4带来的生产率的降低。 
第四种情况中，代替涂覆处理部11a，与涂覆处理部11a同样，设定位于基台31的外侧的涂覆处理部11d为问题位置的情况也同样处理。具体来说，晶片W搬送到涂覆处理部11a～11c，喷嘴臂5在待机区域71待机。此外，作为涂覆处理部11的问题，有例如旋转驱动机构14a～14d的故障造成的旋转夹具12a～12d无法使用的情况。 
第五种情况：涂覆处理部11b设定为问题位置的情况 
进行如上所述的设定后，基板搬送机构10将在装置1中的处理中的批次A的后续晶片A按照在涂覆处理部11a、11c、11d中先结束晶片W的处理的顺序依次搬送，以后，以该顺序，反复向涂覆处理部11a、11c、11d搬送晶片W。搬送到涂覆处理部11a的晶片的处理由喷嘴臂4进行，搬送到涂覆处理部11c、11d的晶片的处理由喷嘴臂5进行。 在图14表示批次A的晶片A3搬送到涂覆处理部11b之后进行上述设定时的搬送例。 
进行这样的设定后，喷嘴臂4、5不通过涂覆处理部11b上，因此操作人员能够不受喷嘴臂4移动的妨碍，接近涂覆处理部11b，进行问题的处理。例如操作人员从操作画面95进行规定的设定，进行该设定之后，从接下来搬送的批次的晶片再次开始通常状态下的处理。 
第五种情况中，代替涂覆处理部11b，与涂覆处理部11b同样，设定内侧的涂覆处理部的11c为问题位置的情况也同样处理。具体来说，晶片W搬送到涂覆处理部11a、11b、11d。涂覆处理部11a、11b的晶片W由喷嘴臂4进行处理，涂覆处理部11d的晶片W由喷嘴臂5进行处理。 
此外，在例子4、5中，代替涂覆处理部11a、11b设定为问题位置，设定为维修位置的情况也同样，例如与该例子4、5进行同样的处理。 
以上，说明的该抗蚀剂涂覆装置1，在涂覆处理部11a～11d的任一个无法进行晶片W的处理时，在通常状态，对该涂覆处理部11不进行处理的喷嘴臂在该涂覆处理部11进行晶片W的处理。因此，进行维修时或装置上发生问题位置时，能够抑制生产率的下降。因此，在通常状态下对涂覆处理部11a～11d有2个喷嘴臂4、5进行处理，因此，较之有一个喷嘴臂的情况能够得到高的生产率。此外，即使抗蚀剂的供给时间设定的长，也能够抑制由此造成的生产率降低。 
在上述例子中，是问题位置由操作人员设定的结构，但也可以由控制部90自动检测出问题位置，在上述各例子中，由该检测代替操作人员的设定。例如，控制部90，基于来自旋转驱动机构14a～14d的输出信号，将旋转驱动机构14a～14d的旋转速度与预先设定的旋转速度相比较，如果两者的差在设定值以上，认为包括该旋转驱动机构14的涂覆处理部11为问题位置，自动进行第四种情况、第五种情况的处理。 
此外，作为其他例子，控制部90，基于来自喷嘴支撑机构41、51的输出信号，检测基台31中这些喷嘴支撑机构41、51横方向的位置。然后，控制部90，计算从该控制部90输出的将喷嘴支撑机构 41、51移动到固定位置所需的控制信号的输送时间和喷嘴支撑机构41、51移动到上述规定位置时输出的信号的输送时间的差值。但该差值在设定值以上时，包括该喷嘴支撑机构的喷嘴臂为问题位置，自动进行与第三种情况同样的处理。 
此外，上述各种情况中举出的搬送例为一个例子，不限于此例。例如，第一种情况中，向涂覆处理部11b～11d搬送晶片W，也可以由喷嘴臂5进行这些涂覆处理部的晶片W的处理液。 
从本发明的喷嘴供给的处理液，不限于抗蚀剂或稀释剂，供给显影液或者用于形成防反射膜的处理液也可以。 

Claims (7)

1.一种液处理装置，在罩内的基板保持部水平保持基板，从处理液供给系统通过喷嘴从其上方向基板供给处理液对基板进行液处理，该液处理装置的特征在于，具备：
所述基板保持部配置在其内部、在左右方向排列成一列的2n个罩，其中，n为2以上的整数；
通常状态下仅由构成第一罩组的左侧的n个罩共同使用的第一喷嘴；
支撑该第一喷嘴、使得对于2n个全部能够使用该喷嘴的在左右方向自由移动的第一喷嘴支撑机构；
通常状态下仅由构成第二罩组的右侧的n个罩共同使用的第二喷嘴；
支撑该第二喷嘴、使得对于2n个全部能够使用该喷嘴的在左右方向自由移动的第二喷嘴支撑机构；
用于向基板保持部传递基板的基板搬送机构；和
控制部，
该控制部在通常状态下控制基板搬送机构，使得在第一罩组和第二罩组之间交替交接基板，在两罩组中依次使用罩，并且，当由于基板保持部、处理液供给系统或喷嘴支撑机构处于无法使用的状态而成为在第一罩组和第二罩组中的一个无法进行基板处理的状态时，为了利用该一个罩组中能够使用的罩进行基板处理，输出控制信号，使得担当另一个罩组的喷嘴移动。
2.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，
所述控制部，当第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，为了使用该一个罩组中由操作人员指定的罩，输出控制信号，使得担当另一个罩组的喷嘴移动。
3.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，
所述控制部，在第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，为了使用从该一个罩组中对应于该状态预先确定的罩，输出控制信号，使得担当另一个罩组的喷嘴移动。
4.如权利要求2或3所述的液处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为：在第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，能够选择手动模式和自动模式，
选择手动模式时，为了使用一个罩组中由操作人员指定的罩，输出控制信号，使得担当另一个罩组的喷嘴移动；选择自动模式时，为了使用从一个罩组中对应其状态预先决定的罩，输出控制信号，使得担当另一个罩组的喷嘴移动。
5.一种液处理方法，在罩内的基板保持部水平保持基板，从处理液供给系统通过喷嘴从其上方向基板供给处理液，对基板进行液处理，该液处理方法的特征在于，包括：
通常状态下，从所述基板保持部配置在其内部、在左右方向排列成一列的2n个的罩中仅由构成第一罩组的左侧n个罩共同使用的第一喷嘴供给处理液的工序，其中，n为2以上的整数；
通常状态下，从所述2n个的罩中仅由构成第二罩组的右侧的n个罩共同使用的第二喷嘴供给处理液的工序；
通常状态下，按照在两罩组中依次使用罩的方式，由基板搬送机构在第一罩组的基板保持部和第二罩组的基板保持部之间交替交接基板的工序；和
当由于基板保持部、处理液供给系统或喷嘴支撑机构处于无法使用的状态而成为在第一罩组和第二罩组中的一个不能进行基板的处理的状态时，为了利用该一个罩组中能够使用的罩对基板进行处理，使担当另一个罩组的第一喷嘴或第二喷嘴在左右方向移动的工序。
6.如权利要求5所述的液处理方法，其特征在于，包括：
当第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，为了使用该一个罩组中由操作人员指定的罩，使担当另一个罩组的喷嘴移动的工序。
7.如权利要求5所述的液处理方法，其特征在于，包括：
当第一罩组和第二罩组中的一个处于无法进行基板处理的状态时，为了使用从该一个罩组中对应于该状态预先决定的罩，使担当另一个罩组的喷嘴移动的工序。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI597770B (zh) 2013-09-27 2017-09-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6203599B2 (ja) 2013-10-22 2017-09-27 ヤンマー株式会社 過給機付エンジン
KR101582565B1 (ko) * 2014-01-29 2016-01-07 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
US10388541B2 (en) * 2015-04-20 2019-08-20 Xintec Inc. Wafer coating system and method of manufacturing chip package
JP6412845B2 (ja) * 2015-10-08 2018-10-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
KR101985763B1 (ko) * 2016-11-24 2019-09-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102121241B1 (ko) * 2019-08-12 2020-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US10998218B1 (en) 2019-12-29 2021-05-04 Nanya Technology Corporation Wet cleaning apparatus and manufacturing method using the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7474377B2 (en) * 2005-03-11 2009-01-06 Tokyo Electron Limited Coating and developing system
CN101447408A (zh) * 2007-11-29 2009-06-03 东京毅力科创株式会社 基板处理系统及基板处理方法
CN101650532A (zh) * 2008-08-12 2010-02-17 东京毅力科创株式会社 液体处理装置、液体处理方法和存储介质

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3566475B2 (ja) * 1996-12-03 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP5045218B2 (ja) * 2006-10-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP4887310B2 (ja) * 2008-01-29 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5442968B2 (ja) * 2008-07-28 2014-03-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理ユニットおよび基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7474377B2 (en) * 2005-03-11 2009-01-06 Tokyo Electron Limited Coating and developing system
CN101447408A (zh) * 2007-11-29 2009-06-03 东京毅力科创株式会社 基板处理系统及基板处理方法
CN101650532A (zh) * 2008-08-12 2010-02-17 东京毅力科创株式会社 液体处理装置、液体处理方法和存储介质

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