JP4297665B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に基板と称する）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
【０００３】
これを図１９の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを収納したカセット（図示省略）を投入する投入部１０１と、処理済の基板Ｗを収納したカセットを払い出す払出部１０２と、投入部１０１・払出部１０２および後述する処理部１０４間で基板Ｗの投入および払い出しを行うインデクサ１０３と、複数個の処理部１０４と、複数個の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。
【０００４】
外部処理装置１０７は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置である場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、インデクサ１０３の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ａと、基板搬送経路１０５上を搬送する搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットを投入部１０１に投入して、投入されたカセットから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４（例えば、熱処理）に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
このように露光までの一連の処理が終了すると、搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、外部処理装置１０７までの処理とは逆の手順で基板Ｗの受け渡しおよび処理が行われる。そして、払出部１０２から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
近年、前述した外部処理装置１０７としての露光装置における基板露光処理のスループットが向上してきており、この露光装置に接続される基板処理装置の高スループット化が要求されてきている。そこで、従来の基板処理装置では、前述した処理部１０４等を平面的に増設配置することで、この基板処理装置の基板並行処理能力を高め、各処理にかかる時間を短縮させ、高スループット化を図っており、前述の露光装置に対応できるようにしている。しかしながら、処理部１０４等の平面的な増設配置によって、基板処理装置が複雑かつ大型になってしまい、基板処理装置の占有面積が増大してしまうという別異の問題が生じてしまう。また、基板処理装置の占有面積の増大を防止するために、処理部１０４を上下方向に多段に積層することが考えられるが、この場合には、基板処理装置の占有面積の増大を防止できても、基板処理装置が複雑かつ大型化するという問題は解決できないし、さらに、上段側の処理部１０４の操作性が悪くなることなどから、上段側の処理部１０４のメンテナンスなどにも時間がかかってしまい、結果として基板処理装置のスループットを思うように向上させることができない。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、占有面積を増大させることなくスループットを向上させた基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、発明者が鋭意研究をした結果、次のような知見を得た。すなわち、従来の基板処理装置では、前述した各処理部１０４のように、塗布液でもって基板に塗布処理のみを施すための塗布処理部と、この塗布処理および露光処理を受けた基板に現像液でもって現像処理のみを施すための現像処理部とを備えているが、この基板処理装置での基板群の一連処理の開始期間には、主として基板が塗布処理部で塗布処理されているだけであり、塗布処理および露光処理を受けた基板が現像処理部に供給されてきていないことから、現像処理部が処理待ち状態になっていて現像処理を実行していない。また、この基板処理装置での基板群の一連処理の終了期間には、主として基板が現像処理部で現像処理されているだけであり、投入された複数枚の基板に対する塗布処理が全て終了して払い出されていることから、塗布処理部が処理待ち状態になっていて塗布処理を実行していない。このように、基板群の一連処理の開始および終了期間において、塗布処理部や現像処理部がかなりの処理待ち状態にあるという現象が存在することを解明した。そして、この塗布処理部や現像処理部の処理待ち状態を処理状態に替えていく、つまり、基板群の一連処理の開始期間には現像処理部を塗布処理部に切り替えて塗布処理を増加させ、基板群の一連処理の終了期間には塗布処理部を現像処理部に切り替えて現像処理を増加させることができれば、それらの使用効率が向上して基板処理装置の生産性が上がることになるし、結果として基板処理装置の高スループット化が図れ、なおかつ、占有面積を増大させることのない基板処理装置を得ることができるという因果関係があることを見出したのである。
【００１１】
このような知見に基づく本発明は次のような構成を採る。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して第１処理液である塗布液で第１処理である塗布処理を行い、この第１処理後で他の処理である露光処理が施された基板に対して第２処理液である現像液で第２処理である現像処理を行うという一連の処理を施す基板処理装置であって、第１処理液で基板に処理を施す第１処理手段と、第２処理液で基板に処理を施す第２処理手段と、第１処理液で基板に処理を施す第１処理と、第２処理液で基板に処理を施す第２処理とを切り替えて個別に行う複数個の共用処理手段と、第１処理のみを行う初期状態と、第１処理と第２処理との両方を行う中間状態と、第２処理のみを行う末期状態とに変移する本基板処理装置での基板群の一連の処理流れのうちで、当該処理流れが前記初期状態となる前に前記複数個の共用処理手段を全て第１処理に切り替えて第１処理量を増加させるように制御し、前記処理流れが前記中間状態である場合には前記複数個の共用処理手段のうちの一部を第２処理に切り替えて第２処理量を増加させるように制御し、前記処理流れが前記末期状態である場合には前記複数個の共用処理手段を全て第２処理に切り替えて第２処理量を増加させるように制御する制御手段とを備えていることを特徴とするものである。
【００１２】
（作用・効果）請求項１に記載の発明によれば、第１処理液である塗布液で基板に処理を施す第１処理である塗布処理と、第２処理液である現像液で基板に処理を施す第２処理である現像処理とを切り替えて個別に行う複数個の共用処理手段のその第１，第２処理を、基板群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する、つまり、第１，第２処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用処理手段の第１，第２処理を切り替え制御するので、第１処理のみを行う初期状態と、第１処理と第２処理との両方を行う中間状態と、第２処理のみを行う末期状態とに変移する本基板処理装置での基板群の一連の処理流れが前記初期状態となる前に共用処理手段を全て第１処理に切り替えることで第１処理量を増加させることができ、前記処理流れが前記中間状態である場合には複数個の共用処理手段のうちの一部を第２処理に切り替えて第２処理量を増加させるように制御し、基板群の一連の処理流れが前記末期状態である場合には複数個の共用処理手段を全て第２処理に切り替えることで第２処理量を増加させることができ、共用処理手段を有効活用することができる。その結果、本装置の占有面積を増大させることなく、本装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、第１処理液で第１処理が施された基板を搬送するための第１処理用の基板搬送手段と、第２処理液で第２処理が施された基板を搬送するための第２処理用の基板搬送手段とを個別に備えていることを特徴とするものである。
【００１６】
（作用・効果）請求項２に記載の発明によれば、第１処理液で第１処理が施された基板を搬送するための第１処理用の基板搬送手段と、第２処理液で第２処理が施された基板を搬送するための第２処理用の基板搬送手段とを個別に備えているので、本装置のスループットをさらに向上させることができる。
【００１７】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１処理用の基板搬送手段と前記第２処理用の基板搬送手段との間で基板を受け渡すための基板受け渡し部を備えていることを特徴とするものである。
【００１８】
（作用・効果）請求項３に記載の発明によれば、第１処理用の基板搬送手段と第２処理用の基板搬送手段との間で基板を受け渡すための基板受け渡し部を備えているので、第１処理用の基板搬送手段と第２処理用の基板搬送手段とが直接に基板を受け渡すことを防止できる。
【００１９】
なお、本明細書は、次のような基板処理方法および基板処理ユニットに係る発明も開示している。
【００２０】
（１）基板に一連の処理を施す基板処理方法において、
第１処理液で基板に処理を施す第１処理と、第２処理液で基板に処理を施す第２処理とを切り替えて個別に行う共用処理手段のその第１，第２処理を、基板群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する制御過程
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
【００２１】
前記（１）に記載の基板処理方法によれば、第１処理液で基板に処理を施す第１処理と、第２処理液で基板に処理を施す第２処理とを切り替えて個別に行う共用処理手段のその第１，第２処理を、基板群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する、つまり、第１，第２処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用処理手段の第１，第２処理を切り替え制御するので、基板群の一連の処理流れが主として第１処理を行うことである場合には共用処理手段を第１処理に切り替えることで第１処理量を増加させることができ、基板群の一連の処理流れが主として第２処理を行うことである場合には共用処理手段を第２処理に切り替えることで第２処理量を増加させることができ、共用処理手段を有効活用することができる。その結果、基板処理装置の占有面積を増大させることなく、基板処理装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【００２２】
（２）基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理ユニットであって、
基板を所定の姿勢に支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された基板に第１処理液を供給する第１供給部と、
前記基板支持部に支持された基板に第２処理液を供給する第２供給部と
を備え、
前記第１，第２供給部は、基板群の一連の処理流れに応じて、それぞれの第１，第２処理液の供給が切り替え制御され、
第１処理液で基板に処理を施す第１処理と、第２処理液で基板に処理を施す第２処理とを切り替えて個別に行うことを特徴とする基板処理ユニット。
【００２３】
前記（２）に記載の基板熱処理装置によれば、基板を所定の姿勢に支持する基板支持部と、この基板支持部に支持された基板に第１処理液を供給する第１供給部と、基板支持部に支持された基板に第２処理液を供給する第２供給部とを備え、第１，第２供給部は、基板群の一連の処理流れに応じて、それぞれの第１，第２処理液の供給が切り替え制御され、第１処理液で基板に処理を施す第１処理と、第２処理液で基板に処理を施す第２処理とを切り替えて個別に行うので、基板群の一連の処理流れが主として第１処理を行うことである場合には基板処理ユニットを第１処理に切り替えることで第１処理量を増加させることができ、基板群の一連の処理流れが主として第２処理を行うことである場合には基板処理ユニットを第２処理に切り替えることで第２処理量を増加させることができ、基板処理ユニットを有効活用することができる。その結果、基板処理装置の占有面積を増大させることなく、基板処理装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
＜第１実施例＞
本発明の第１実施例の基板処理装置について説明する。図１は本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図であり、図２はその基板処理装置の１階部分の概略構成を示す平面図であり、図３はその基板処理装置の２階部分の概略構成を示す平面図である。なお、本実施例では、フォトリソグラフィ工程において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピンコータ、およびレジスト塗布されて、さらに露光処理が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパを例に採って、基板処理を説明する。
【００２５】
本実施例に係る基板処理装置は、図１〜図３に示すように、カセット載置台１とインデクサ２と処理ブロック３とインターフェイス４とから構成されている。インターフェイス４は、本実施例に係る基板処理装置と別体の装置とを連結するように構成されている。本実施例の場合には、インターフェイス４は、レジスト塗布および現像処理を行う基板処理装置と、基板の露光処理を行う露光装置ＳＴＰ（例えば、ステップ露光を行うステッパなど）とを連結するように構成されている。
【００２６】
カセット載置台１は、図２に示すように、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを収納したカセット（図示省略）を投入する投入部５と、処理済の基板Ｗを収納したカセットを払い出す払出部６とを備えている。投入部５には、カセットを載置する投入用の載置台５ａ，５ｂが、払出部６には、カセットを載置する払出用の載置台６ａ，６ｂが、それぞれ配設されている。
【００２７】
次に、インデクサ２の具体的構成について説明する。インデクサ２（以下、適宜『ＩＤ』と略記する）は、図２に示すように、ＩＤ用搬送経路７とＩＤ用搬送機構８とから構成されている。ＩＤ用搬送経路７は、図２に示すように、カセット載置台１の投入用の載置台５ａ，５ｂ、払出用の載置台６ａ，６ｂに沿って形成されている。また、インデクサ２と処理ブロック３との間には、基板Ｗを受け渡すための載置台Ｐａｓｓ１が設けられている。ＩＤ用搬送機構８は、ＩＤ用搬送経路７上を移動することで、カセット載置台１の投入部５および払出部６と、処理ブロック３の載置台Ｐａｓｓ１との間で基板Ｗを搬送する。つまり、インデクサ２は、カセット載置台１と処理ブロック３との間で基板Ｗの投入と払い出しとを行う機能を備えている。
【００２８】
次に、ＩＤ用搬送機構８の具体的構成について、図４を参照して説明する。図４（ａ）はＩＤ用搬送機構８の平面図であり、図４（ｂ）はその右側面図である。ＩＤ用搬送機構８は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＤ用搬送経路７の長手方向（ｙ方向）である矢印ＲＡの方向にアーム基台８ａを移動可能に構成するｙ軸移動機構８ｂ、矢印ＲＢの方向（ｚ方向）にアーム基台８ａを昇降移動可能に構成するｚ軸昇降機構８ｃ、およびｚ軸周り（矢印ＲＣの方向）にアーム基台８ａを回転可能に構成する回転駆動機構８ｄを備えている。このアーム基台８ａには基板Ｗを保持するアーム８ｅが備えられており、このアーム８ｅは、回転半径方向である矢印ＲＤの方向に進退移動可能に構成されている。
【００２９】
ｙ軸移動機構８ｂは、図４（ａ）に示すように、螺軸８ｆと、この螺軸８ｆを軸心周りに回転させるモータ８ｇとを備えており、この螺軸８ｆには上述したｚ軸昇降機構８ｃが取り付けられている。モータ８ｇの回転によって、螺軸８ｆに取り付けられたｚ軸昇降機構８ｃが矢印ＲＡの水平方向に移動される。
【００３０】
ｚ軸昇降機構８ｃは、図４（ｂ）に示すように、ｙ軸移動機構８ｂと同じく、螺軸８ｈと、この螺軸８ｈを軸心周りに回転させるモータ８ｉとを備えており、この螺軸８ｈには上述した回転駆動機構８ｄが取り付けられている。モータ８ｉの回転によって、螺軸８ｈに取り付けられた回転駆動機構８ｄが矢印ＲＢの方向に移動される。
【００３１】
回転駆動機構８ｄは、図４（ｂ）に示すように、上述したアーム基台８ａ、このアーム基台８ａを軸心周りに回転させるモータ８ｊ、および、アーム基台８ａとモータ８ｊとを支持する支持部材８ｋを備えている。モータ８ｊの回転によって、アーム基台８ａがアーム８ｅとともに矢印ＲＣの方向に回転される。
【００３２】
このように構成されることで、アーム基台８ａのアーム８ｅに保持された基板Ｗは、矢印ＲＡの方向に移動し、矢印ＲＢの方向に移動し、矢印ＲＣの方向に回転し、矢印ＲＤ方向に進退移動可能となる。これにより基板Ｗは、カセット載置台１の投入部５および払出部６と、処理ブロック３（図２参照）の載置台Ｐａｓｓ１との間で搬送される。
【００３３】
図１〜図３に戻って、処理ブロック３の具体的構成について説明する。処理ブロック３は、図１〜図３に示すように、例えば、主として、１階部分と２階部分とからなる２段構成になっていて、その１階部分には後述するＳＣセル９，ＳＤセル１０，共用セル１１が配設され、その２階部分には後述する熱処理部２４が配設され、１階部分と２階部分との間とｘ方向とに自由に移動可能な後述するＳＣ用搬送機構１７およびＳＤ用搬送機構２０が配設されている。
【００３４】
具体的には、処理ブロック３の１階側には、図１，図２に示すように、複数個（この第１実施例では、例えば２個）のＳＣセル９と、複数個（この第１実施例では、例えば４個）の共用セル１１と、複数個（この第１実施例では、例えば２個）のＳＤセル１０とが平面的に配設されている。
【００３５】
ＳＣセル９は、基板Ｗを回転させながらフォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するスピンコータ（Spin Coater）（以下、『ＳＣ』と呼ぶ）を備えたものである。また、複数個のうちのいくつかのＳＣセル９を、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜（Bottom Ant-Reflection Coating）（以下、『ＢＡＲＣ』と呼ぶ）を基板Ｗに塗布形成するＢＡＲＣセルとして使用する場合もある。
【００３６】
ＢＡＲＣセル内のＢＡＲＣは、例えば、基板Ｗを回転させながらＢＡＲＣ処理を行うように構成されている。詳述すると、基板Ｗを保持して水平面内に回転させるスピンチャック，反射防止液を吐出するノズルなどから構成されている。このスピンチャックに保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてノズルから反射防止液を吐出することで、基板Ｗの遠心力により反射防止膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。
【００３７】
ＳＣセル９内のＳＣは、反射防止液の替わりにフォトレジスト液を吐出してフォトレジスト膜を塗布形成する以外には、ＢＡＲＣセル内のＢＡＲＣと同様の構成をしているので、ＳＣセル９内のＳＣの説明を省略する。なお、上述した反射防止液やフォトレジスト液が本発明に係る第１処理液に相当する。
【００３８】
ＳＤセル１０は、露光処理後の基板Ｗに現像液を吐出してこの基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパ（Spin Developer）（以下、『ＳＤ』と呼ぶ）を備えたものである。なお、上述した現像液が本発明に係る第２処理液に相当する。
【００３９】
続いて、共用セル１１について図５を用いて説明する。図５は、共用セル１１の概略構成を示すブロック図である。共用セル１１は、基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理ユニットであって、図５に示すように、フォトレジスト液で基板Ｗに処理を施す塗布処理（本発明に係る第１処理に相当）と、現像液で基板Ｗに処理を施す現像処理（本発明に係る第２処理に相当）とを、制御部１５からの指示にしたがって、切り替えて個別に行うものである。
【００４０】
具体的には、共用セル１１は、基板Ｗを水平姿勢で保持するスピンチャック１１ａを備えている。スピンチャック１１ａは、回転軸１１ｂを介して電動モータ１１ｃに連動連結して構成されるとともに、図示しない真空ラインに繋がっていて、基板Ｗを真空吸着して保持する。このスピンチャック１１ａは、電動モータ１１ｃの回転駆動によって、基板Ｗを保持しながら回転中心Ｐ１周りに回転する。なお、上述したスピンチャック１１ａが本発明における基板支持部に相当する。
【００４１】
スピンチャック１１ａの周囲には、スピンチャック１１ａに保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように、飛散防止カップ１２が配備されている。また、スピンチャック１１ａに水平姿勢で保持された基板Ｗにフォトレジスト液を塗布するための塗布液用ノズル１３と、スピンチャック１１ａに水平姿勢で保持された基板Ｗに現像液を吐出するための現像液用ノズル１４とを備えている。この飛散防止カップ１２は、図示しない昇降機構によって昇降可能に構成されていて、基板Ｗが回転駆動される際に上昇して、基板Ｗ上に塗布されたフォトレジスト液や、基板Ｗ上に液盛りされた現像液などが周囲に飛散するのを防止する。このとき、飛散防止カップ１２内に飛び散ったフォトレジスト液や現像液は、この飛散防止カップ１２に設けられている図示しない廃液回収構造によって回収される。基板Ｗの回転駆動が終了すると、スピンチャック１１ａからの基板Ｗの搬出を許容するように、飛散防止カップ１２は下降する。
【００４２】
ここで、塗布液用ノズル１３について説明する。塗布液用ノズル１３は、支持アーム１３ｂに片持ち支持されている。この支持アーム１３ｂは、ノズル駆動機構１３ａに昇降可能に支持されていて、ｘ方向にスライド移動自在になっている。ノズル駆動機構１３ａのスライド移動によって、塗布液用ノズル１３をｘ方向に進退移動させることができる。
【００４３】
図５に示すように、支持アーム１３ｂの内部に一体に構成された送液管１３ｃは、支持アーム１３ｂに片持ち支持された塗布液用ノズル１３に連通接続されている。さらに、この送液管１３ｃは、支持アーム１３ｂの基端部で、フォトレジスト液タンク１３ｄに繋がれたフォトレジスト液供給ライン１３ｅに連通接続されている。フォトレジスト液供給ライン１３ｅの途中には、制御部１５の指示によって、フォトレジスト液供給ライン１３ｅの開閉を行う開閉バルブ１３ｆが設けられている。フォトレジスト液供給ライン１３ｅが繋がれているフォトレジスト液タンク１３ｄには、その内部に貯留されたフォトレジスト液Ｑ１を加圧する窒素加圧ライン１３ｇが接続されている。ノズル駆動機構１３ａ，開閉バルブ１３ｆおよび窒素加圧ライン１３ｇは、制御部１５に制御されている。上述した塗布液用ノズル１３などを含む塗布液供給機構が本発明に係る第１供給部に相当する。
【００４４】
ここで、現像液用ノズル１４について説明する。現像液用ノズル１４は、支持アーム１４ｂに片持ち支持されている。この支持アーム１４ｂは、ノズル駆動機構１４ａに昇降可能に支持されていて、ｘ方向にスライド移動自在になっている。ノズル駆動機構１４ａのスライド移動によって、現像液用ノズル１４をｘ方向に進退移動させることができる。
【００４５】
図５に示すように、支持アーム１４ｂの内部に一体に構成された送液管１４ｃは、支持アーム１４ｂに片持ち支持された現像液用ノズル１４に連通接続されている。さらに、この送液管１４ｃは、支持アーム１４ｂの基端部で、現像液タンク１４ｄに繋がれた現像液供給ライン１４ｅに連通接続されている。現像液供給ライン１４ｅの途中には、制御部１５の指示によって、現像液供給ライン１４ｅの開閉を行う開閉バルブ１４ｆが設けられている。現像液供給ライン１４ｅが繋がれている現像液タンク１４ｄには、その内部に貯留された現像液Ｑ２を加圧する窒素加圧ライン１４ｇが接続されている。ノズル駆動機構１４ａ，開閉バルブ１４ｆおよび窒素加圧ライン１４ｇは、制御部１５に制御されている。上述した現像液用ノズル１４などを含む現像液供給機構が本発明に係る第２供給部に相当する。
【００４６】
さらに、この共用セル１１は、図５に示すように、基板Ｗの有無を検出する、つまり、スピンチャック１１ａに基板Ｗが保持されているかどうかを検出ための基板検出部１１ｄを備えている。基板検出部１１ｄとしては、基板Ｗの有無を検出できるものであればよく、接触式または非接触式で光学的方式，電磁的方式あるいは機械的方式によって基板Ｗの有無を検出する種々のセンサなどを採用すればよい。また、上述した基板検出部１１ｄは、各共用セル１１に設けられていて、２個のＳＣセル９および２個のＳＤセル１０のそれぞれにも設けられている。
【００４７】
４個の共用セル１１，２個のＳＣセル９および２個のＳＤセル１０のそれぞれの基板検出部１１ｄの基板Ｗの有無に関する基板検出信号は、制御部１５に出力される。制御部１５は、各基板検出部１１ｄからの前記基板検出信号に基づいて、４個の共用セル１１，２個のＳＣセル９および２個のＳＤセル１０内に基板Ｗがあるかどうかを個別に検出できるようになっている。
【００４８】
制御部１５は、基板Ｗ群の一連の処理流れに応じて、つまり、４個の共用セル１１，２個のＳＣセル９および２個のＳＤセル１０内の基板Ｗの有無の検出に基づいて、４個のうちの対応する共用セル１１の塗布処理と現像処理とを切り替え制御する。すなわち、塗布処理と現像処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用セル１１の塗布，現像処理を切り替え制御するので、基板Ｗ群の一連の処理流れが主として塗布処理を行うことである場合には共用セル１１を塗布処理（ＳＣ）に切り替えることで塗布処理量を増加させ、基板Ｗ群の一連の処理流れが主として現像処理を行うことである場合には共用セル１１を現像処理（ＳＤ）に切り替えることで現像処理量を増加させるように制御するのである。なお、上述した共用セル１１が本発明に係る共用処理手段に相当し、上述した制御部１５が本発明に係る制御手段に相当する。
【００４９】
次に、図１，図３に示すように、処理ブロック３の２階部分に配設された熱処理部（以下、適宜に『ＢＡＫＥ』とも呼ぶ）２４について説明する。熱処理部（ＢＡＫＥ）２４は、基板Ｗを熱処理するためのものであり、図示は省略するが、基板Ｗを熱処理するためのホットプレート部（以下、『ＨＰ』と呼ぶ）と、基板Ｗを冷却処理するためのクールプレート部（以下、『ＣＰ』と呼ぶ）とが、例えば上下方向（ｚ方向）に積み重ねるようにして配設されたものである。この第１実施例では、クールプレート部上にホットプレート部を積み重ねているものとする。また、この熱処理部（ＢＡＫＥ）２４は、さらに、前記のホットプレート部とクールプレート部との間で基板を受け渡すためのローカル搬送機構（図示省略）を備えている。
【００５０】
ここで、この熱処理部（ＢＡＫＥ）２４のローカル搬送機構による基板Ｗの搬送動作について説明する。まず、ＳＣ用搬送機構１７によって搬送されてきた基板Ｗが熱処理部（ＢＡＫＥ）２４のクールプレート部に近い側の基板出入口から搬入されて、クールプレート面から上方に突き出た状態の３本の支持ピン上に基板Ｗが水平姿勢に載置される。水平姿勢に支持する３本の支持ピンをクールプレート用昇降機構によって下降させていき、クールプレート面上に基板Ｗを水平姿勢に載置する。なお、クールプレート面上には微小突起物が所定個数形成されていて、基板Ｗの裏面全体をクールプレート面に接触させるのではなく、基板Ｗの裏面を微小突起物で点支持している。クールプレートによる基板Ｗの冷却処理が終わると、３本の支持ピンを突き上げてクールプレート面から基板Ｗを離間させた状態にし、ローカル搬送機構でこの基板Ｗを保持して上昇させていき、ホットプレート部２５の方に搬送する。
【００５１】
ローカル搬送機構は、搬送してきた基板Ｗを、ホットプレート面から上方に突き出た状態の３本の支持ピン上に水平姿勢に載置する。基板Ｗを水平姿勢に支持する３本の支持ピンをホットプレート用昇降機構によって下降させていき、ホットプレート面上に基板Ｗを水平姿勢に載置する。なお、ホットプレート面上にも微小突起物が所定個数形成されていて、基板Ｗの裏面全体をホットプレート面に接触させるのではなく、基板Ｗの裏面を微小突起物で点支持している。ホットプレートによる基板Ｗの加熱処理が終わると、３本の支持ピンを突き上げてホットプレート面から基板Ｗを離間させた状態にし、ローカル搬送機構でこの基板Ｗを保持して下降させていき、クールプレート部の方に搬送する。クールプレートから上方に突き出た状態の３本の支持ピン上に基板Ｗが水平姿勢に載置されると、ＳＣ用搬送機構１７がその基板を熱処理部（ＢＡＫＥ）２４の外部に搬送する。
【００５２】
また、図２に示すように、処理ブロック３の１階側には、ＳＣ用搬送機構１７とＳＤ用搬送機構２０との間で基板を受け渡すための基板受け渡し部としての載置台Ｐａｓｓ２〜４をそれぞれ備えている。載置台Ｐａｓｓ２は、制御部１５の指示にしたがって、ＳＣセル９と共用セル１１との間の待機位置と、ＳＣ用搬送機構１７およびＳＤ用搬送機構２０の移動経路上の使用位置との間を進退移動可能なように構成されている。これと同様に、載置台Ｐａｓｓ３は、制御部１５の指示にしたがって、Ｘ方向に隣接する共用セル１１間の待機位置と、ＳＣ用搬送機構１７およびＳＤ用搬送機構２０の移動経路上の使用位置との間を進退移動可能なように構成されている。これと同様に、載置台Ｐａｓｓ４は、制御部１５の指示にしたがって、共用セル１１とＳＤセル１０との間の待機位置と、ＳＣ用搬送機構１７およびＳＤ用搬送機構２０の移動経路上の使用位置との間を進退移動可能なように構成されている。
【００５３】
また、この処理ブロック３の１階部分には、図示は省略するが、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理（Edge Exposure Unit）をするためのＥＥセル（以下、『ＥＥ』と呼ぶ）や、露光処理後の基板Ｗを加熱する（Post Exposure Bake）ためのＰＥＢセル（以下、『ＰＥＢ−ＣＰ』と呼ぶ）が配設されている。なお、これらのＥＥやＰＥＢ−ＣＰ等への基板の受け渡しは、後述するＳＤ用搬送機構２０で行われる。
【００５４】
次に、ＳＣ用搬送機構１７の具体的構成について、図６を参照して説明する。図６（ａ）は、ＳＣ用搬送機構１７の平面図であり、図６（ｂ）はその側面図であり、図６（ｃ）はその正面図である。ＳＣ用搬送機構１７は、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、矢印ＲＨの方向に（ｚ方向）にアーム基台１７ａを昇降移動可能に構成する筒状のｚ軸昇降機構１７ｂと、そのｚ軸昇降機構１７ｂをｚ軸周り（矢印ＲＩの方向）に回転可能に構成するモータ１７ｃと、ｚ軸昇降機構１７ｂおよびモータ１７ｃをｘ方向に移動可能するための螺軸１７ｈおよびモータ１７ｉからなるｘ軸移動機構１７ｊを備えている。このアーム基台１７ａには基板Ｗを保持するアーム１７ｄが備えられており、このアーム１７ｄは、回転半径方向である矢印ＲＪ方向に進退移動可能に構成されている。
【００５５】
筒状のｚ軸昇降機構１７ｂは、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、空洞になっており、この空洞部に上述したアーム基台１７ａが収容されている。また、アーム１７ｄが進退移動する際に通過することができるように、ｚ軸昇降機構１７ｂに開口部１７ｅが設けられている。さらに、ｚ軸昇降機構１７ｂは、図６（ｂ）に示すように、螺軸１７ｆと、この螺軸１７ｆを軸心周りに回転させるモータ１７ｇとを備えており、この螺軸１７ｆにはアーム基台１７ａが取り付けられている。モータ１７ｇの回転によって、螺軸１７ｆに取り付けられたアーム基台１７ａが矢印ＲＨの方向に移動される。
【００５６】
ｚ軸昇降機構１７ｂの底部には、上述したモータ１７ｃが取り付けられており、モータ１７ｃの回転によって、ｚ軸昇降機構１７ｂ自体が、ｚ軸昇降機構１７ｂ内に収容されたアーム基台１７ａおよびアーム１７ｄとともに矢印ＲＩの方向に回転される。
【００５７】
このように構成されることで、アーム基台１７ａのアーム１７ｄに保持された基板Ｗは、ｘ方向に移動し、矢印ＲＩの方向に回転し、矢印ＲＨの方向に移動し、矢印ＲＪ方向に進退移動可能となる。これにより基板Ｗは、ＳＣ用搬送機構１７によって、ＳＣセル９と、ＳＣ用に切り替えた場合の共用セル１１と、載置台Ｐａｓｓ１と、基板Ｗを受け渡すための載置台Ｐａｓｓ５との間で受け渡される。ＳＣ用搬送機構１７は、塗布液などの処理液で処理された基板Ｗを搬送する。このように、ＳＣ用搬送機構１７の場合には、筒状のｚ軸昇降機構１７ｂが取り付けられており、そのｚ軸昇降機構１７ｂ自体が回転可能となっているので、水平面内の全ての方向に基板Ｗを受け渡すことができる。
【００５８】
ＳＤ用搬送機構２０は、現像液で処理された基板Ｗを搬送するものであり、ＳＤ用搬送機構２０も前述したＳＣ用搬送機構１７と同様に構成されていて、このＳＤ用搬送機構２０によって基板ＷをＳＤセル１０と、ＳＤ用に切り替えた場合の共用セル１１と、載置台Ｐａｓｓ１と、載置台Ｐａｓｓ５との間で受け渡すことができる。
【００５９】
上述したように処理ブロック３は、インデクサ２から払い出された基板Ｗを、ＢＡＲＣセル，ＳＣセル９，ＳＤセル１０，熱処理部（ＢＡＫＥ）２４等で所要の一連の処理を施してこのインデクサ２に再び戻すというものである。
【００６０】
なお、上述したＳＣ用搬送機構１７が本発明に係る第１処理用の基板搬送手段に相当し、ＳＤ用搬送機構２０が本発明に係る第２処理用の基板搬送手段に相当する。
【００６１】
図１〜図３に戻って、インターフェイス４の具体的構成について説明する。図２に示すように、インターフェイス４（以下、適宜『ＩＦ』と略記する）は、ＩＦ用搬送経路２８とＩＦ用搬送機構２９とから構成されている。ＩＦ用搬送経路２８は、インデクサ２のＩＤ用搬送経路７と平行に形成されている。ＩＦ用搬送機構２９は、ＩＦ用搬送経路２８上を移動することで、第４の処理ユニット１２と、図２中の二点鎖線で示した露光装置（ステッパ）ＳＴＰとの間で基板Ｗを搬送する。この露光装置ＳＴＰは、本実施例装置とは別体の装置で構成されるとともに、かつ本実施例装置に連設可能に構成されており、本実施例装置と露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行わないときには、本実施例装置のインターフェイス４から露光装置ＳＴＰを退避させてもよい。
【００６２】
ＩＦ用搬送機構２９の具体的構成については、図４に示したＩＤ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃの取り付け位置が相違する以外には、ＩＤ用搬送機構８と同様の構成であるので、その説明を省略する。
【００６３】
続いて、この第１実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理について、図７，図８のフローチャートを参照して説明する。なお、各処理において複数枚の基板Ｗが並行して行われるが、１枚の基板Ｗのみに注目して説明する。
【００６４】
（ステップＳ１）インデクサでの搬送
未処理の複数枚の基板Ｗを収納したカセット（図示省略）を、カセット載置台１の投入部５の載置台５ａまたは５ｂに載置して投入する。投入されたカセットから１枚の基板Ｗを取り出すために、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で矢印ＲＡの方向に移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃはアーム基台８ａを矢印ＲＢの方向に下降させつつ、回転駆動機構８ｄはアーム基台８ａを矢印ＲＣの方向に回転させる。そして、アーム８ｅを矢印ＲＤの方向に前進させて、前進されたアーム８ｅがカセット内の１枚の基板Ｗを保持する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム８ｅを矢印ＲＤの方向に後退させる。
【００６５】
（ステップＳ２）載置台Ｐａｓｓ１での受け渡し
ＩＤ用搬送機構８は、処理ブロック３の載置台Ｐａｓｓ１に基板Ｗを渡す。具体的に説明すると、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃおよび回転駆動機構８ｄは、アーム基台８ａを上昇および回転させる。そして、アーム８ｅを前進させて、載置台Ｐａｓｓ１の開口部を通して、基板Ｗを載置台Ｐａｓｓ１に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム８ｅを後退させる。
【００６６】
（ステップＳ３）ＣＰ処理
載置台Ｐａｓｓ１に載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のｘ軸移動機構１７ｊ，ｚ軸昇降機構１７ｂおよびモータ１７ｃはアーム基台１７ａを移動，昇降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、載置台Ｐａｓｓ１の開口部を通して、基板Ｗを載置台Ｐａｓｓ１から搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。
【００６７】
そして、基板ＷをＳＣセル９上の熱処理部（ＢＡＫＥ）２４内のＣＰで冷却処理（ＣＰ処理）するために、このアーム１７ｄを上昇，回転および前進させて、ＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。そして、ＣＰに載置された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。
【００６８】
（ステップＳ４）ＢＡＲＣ処理
ＣＰ処理が終了すると、ＳＣ用搬送機構１７は、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＣＰの開口部を通して、アーム１７ｄを矢印ＲＪの方向に前進させて基板Ｗを保持する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。そして、ＳＣセル９や共用セル１１のうちでＢＡＲＣセルとしたＢＡＲＣでＢＡＲＣ処理するために、ＳＣ用搬送機構１７のｘ軸移動機構１７ｊ，ｚ軸昇降機構１７ｂおよびモータ１７ｃは、アーム基台１７ａを移動，下降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、基板ＷをＢＡＲＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。
【００６９】
ＢＡＲＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら反射防止膜を塗布形成するＢＡＲＣ処理が行われる。
【００７０】
（ステップＳ５）ＣＰでの受け渡し
ＢＡＲＣ処理が終了すると、ＢＡＲＣに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて、基板ＷをＢＡＲＣから搬出する。そして、ＢＡＲＣセル上の熱処理部（ＢＡＫＥ）２４のＣＰ（クールプレート）に搬入するために、ＳＣ用搬送機構１７のｘ軸移動機構１７ｊ，ｚ軸昇降機構１７ｂおよびモータ１７ｃは、アーム基台１７ａを移動，上昇および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、熱処理部２４のＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。
【００７１】
（ステップＳ６）ＣＰ処理
そして、熱処理部（ＢＡＫＥ）２４のＣＰ（クールプレート）で基板Ｗを冷却処理する。
【００７２】
（ステップＳ７）ＨＰ処理
熱処理部（ＢＡＫＥ）２４内のローカル搬送機構は、ＣＰ（クールプレート）に載置されたＣＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＨＰ（ホットプレート）の方に移動し、基板ＷをＨＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＢＡＲＣ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。
【００７３】
（ステップＳ８）ＣＰ処理
前述のローカル搬送機構は、ＨＰ（ホットプレート）に載置されたＨＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＣＰ（クールプレート）の方に移動し、基板ＷをＣＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、熱処理部２４のＣＰで基板Ｗを冷却処理する。ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて、ＢＡＲＣセル上の熱処理部（ＢＡＫＥ）２４のＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰから搬出する。
【００７４】
（ステップＳ９）ＳＣ処理
ＳＣセル９内のＳＣで処理するために、ＳＣ用搬送機構１７のｘ軸移動機構１７ｊ，ｚ軸昇降機構１７ｂおよびモータ１７ｃは、アーム基台１７ａを移動，下降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、基板ＷをＳＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。そして、ＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながらレジスト塗布を行うＳＣ処理が行われる。
【００７５】
（ステップＳ１０）ＣＰでの受け渡し
ＳＣ処理が終了すると、ＳＣに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて基板Ｗを保持し、基板ＷをＳＣから搬出する。そして、処理部ロック３の２階部分の熱処理部（ＢＡＫＥ）２４のＣＰに搬入するために、ＳＣ用搬送機構１７のｘ軸移動機構１７ｊ，ｚ軸昇降機構１７ｂおよびモータ１７ｃは、アーム基台１７ａを移動，上昇および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、熱処理部（ＢＡＫＥ）２４のＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。
【００７６】
（ステップＳ１１）ＣＰ処理
そして、熱処理部（ＢＡＫＥ）２４のＣＰ（クールプレート）で基板Ｗを冷却処理する。
【００７７】
（ステップＳ１２）ＨＰ処理
熱処理部（ＢＡＫＥ）２４内のローカル搬送機構は、ＣＰ（クールプレート）に載置されたＣＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＨＰ（ホットプレート）の方に移動し、基板ＷをＨＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＳＣ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。
【００７８】
（ステップＳ１３）ＣＰ処理
熱処理部（ＢＡＫＥ）２４内のローカル搬送機構は、ＨＰ（ホットプレート）に載置されたＨＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＣＰ（クールプレート）の方に移動し、基板ＷをＣＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、熱処理部２４のＣＰで基板Ｗを冷却処理する。ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて、ＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰから搬出する。
【００７９】
（ステップＳ１４）載置台Ｐａｓｓ２〜４での受け渡し
載置台Ｐａｓｓ２〜４のうちでＳＣ用搬送機構１７の移動経路上の使用位置にあるものに基板Ｗを搬送するために、ＳＣ用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｂおよびｘ軸移動機構１７ｊは、アーム基台１７ａを下降し、ｘ方向に移動させる。そして、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて、前述の載置台Ｐａｓｓ２〜４のうちの対応するものに基板Ｗを搬入する。
【００８０】
（ステップＳ１５）ＳＤ用搬送機構２０による搬送
ＳＤ用搬送機構２０は、前述の載置台Ｐａｓｓ２〜４から基板Ｗを受け取り、処理ブロック３内のＥＥに基板Ｗを搬入する。
【００８１】
（ステップＳ１６）ＥＥ処理
ＥＥに載置された基板Ｗに対して、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するＥＥ（エッジ露光）処理が行われる。
【００８２】
（ステップＳ１７）載置台Ｐａｓｓ５での受け渡し
ＥＥ処理が終了すると、ＳＤ用搬送機構２０は、ＥＥに載置された基板Ｗを受け取り、処理ブロック３とインターフェイス４との境界部分に位置する載置台Ｐａｓｓ５に基板Ｗを載置する。
【００８３】
（ステップＳ１８）インターフェイスでの搬送
ＩＦ用搬送機構２９は、載置台Ｐａｓｓ５に載置された基板Ｗを受け取り、露光装置ＳＴＰに搬入する。
【００８４】
（ステップＳ１９）露光処理
インターフェイス４に連結された露光装置ＳＴＰは、ＩＦ用搬送機構２９によって搬入された基板Ｗに対して、露光処理を行う。
【００８５】
（ステップＳ２０）インターフェイスでの搬送
露光処理が終了すると、露光装置ＳＴＰから搬出するために、ＩＦ用搬送機構２９は、露光装置ＳＴＰから基板Ｗを取り出す。
【００８６】
（ステップＳ２１）載置台Ｐａｓｓ５での受け渡し
ＩＦ用搬送機構２９は、露光装置ＳＴＰから取り出した基板Ｗを載置台Ｐａｓｓ５に載置する。
【００８７】
（ステップＳ２２）ＣＰでの受け渡し
処理ブロック３内のＰＥＢ−ＣＰのＣＰに基板Ｗを搬送するために、ＳＤ用搬送機構２０は、載置台Ｐａｓｓ５に載置された基板Ｗを保持して取り出し、処理ブロック３内のＰＥＢ−ＣＰのＣＰに搬入する。
【００８８】
（ステップＳ２３）ＣＰ処理
そして、ＰＥＢ−ＣＰのＣＰ（クールプレート）で基板Ｗを冷却処理する。
【００８９】
（ステップＳ２４）ＰＥＢ処理
ＰＥＢ−ＣＰの内のローカル搬送機構（図示省略）によって、ＰＥＢ−ＣＰの内部でＣＰからＰＥＢに基板Ｗが搬送される。そして、ＰＥＢに載置された基板Ｗに対して、露光処理後の基板Ｗを加熱するＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理が行われる。
【００９０】
（ステップＳ２５）ＣＰ処理
ＰＥＢ処理が終了すると、ＰＥＢ−ＣＰの内のローカル搬送機構（図示省略）によって、ＰＥＢ−ＣＰの内部でＰＥＢからＣＰに基板が搬送される。ＣＰに載置された基板Ｗに対して、ＰＥＢで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。
【００９１】
（ステップＳ２６）ＳＤ処理
ＰＥＢ−ＣＰでのＣＰ処理が終了すると、ＳＤ用搬送機構２０は、ＰＥＢ−ＣＰのＣＰ内に載置された基板Ｗを受け取り、ＳＤセル１０に基板Ｗを搬入する。そして、ＳＤセル１０に載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら現像処理を行うＳＤ（現像）処理が行われる。
【００９２】
（ステップＳ２７）ＣＰでの受け渡し
ＳＤ処理が終了すると、ＳＤ用搬送機構２０は、ＳＤセル１０に載置された基板Ｗを受け取り、処理ブロック３の２階部分の熱処理部（ＢＡＫＥ）２４内のＣＰに基板Ｗを搬入する。
【００９３】
（ステップＳ２８）ＣＰ処理
そして、処理ブロック３の熱処理部（ＢＡＫＥ）２４内のＣＰ（クールプレート）で基板Ｗを冷却処理する。
【００９４】
（ステップＳ２９）ＨＰ処理
熱処理部（ＢＡＫＥ）２４内のローカル搬送機構は、ＣＰ（クールプレート）に載置されたＣＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＨＰ（ホットプレート）の方に移動し、基板ＷをＨＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＳＤ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。
【００９５】
（ステップＳ３０）ＣＰ処理
熱処理部（ＢＡＫＥ）２４内のローカル搬送機構は、ＨＰ（ホットプレート）に載置されたＨＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＣＰ（クールプレート）の方に移動し、基板ＷをＣＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、熱処理部２４のＣＰで基板Ｗを冷却処理する。ＣＰ処理が終了すると、ＳＤ用搬送機構２０は、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取り、基板ＷをＣＰから搬出する。
【００９６】
（ステップＳ３１）載置台Ｐａｓｓ２〜４での受け渡し
ＣＰ処理が終了すると、ＳＤ用搬送機構２０は、熱処理部（ＢＡＫＥ）２４のＣＰから搬出した基板Ｗを、載置台Ｐａｓｓ２〜４のうちでＳＤ用搬送機構２０の移動経路上の使用位置にあるものに載置する。
【００９７】
（ステップＳ３２）ＳＣ用搬送機構１７による搬送
ＳＣ用搬送機構１７は、前述の載置台Ｐａｓｓ２〜４から基板Ｗを受け取り、処理ブロック３とインデクサ２との境界部分にある載置台Ｐａｓｓ１に基板Ｗを搬入する。
【００９８】
（ステップＳ３３）インデクサでの搬送
ＩＤ用搬送機構８は、載置台Ｐａｓｓ１に載置された基板Ｗを受け取り、カセット載置台１の払出部６の載置台６ａまたは６ｂに載置されたカセットに基板を収納する。
【００９９】
カセット内に所定枚数だけ処理済の基板Ｗが収納されると、カセットは、払出部６から払い出されて、一連の基板処理が終了する。このように、各基板Ｗは、前述したステップＳ１〜Ｓ３３のような一連の処理を受けることになる。
【０１００】
続いて、この第１実施例の基板処理装置の特徴部分である処理制御方法、つまり、共用セル１１の制御方法について、図９，図１０を参照して説明する。図９は第１実施例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。図１０（ａ）〜（ｃ）は第１実施例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【０１０１】
（ステップＳ４１）共用セル１１を全てＳＣ用に変更
基板処理装置での基板Ｗ群の一連処理が開始されると、制御部１５は、図１０（ａ）に示すように、全て（４個）の共用セル１１をＳＣ用に変更するように全て（４個）の共用セル１１を制御するとともに、載置台Ｐａｓｓ４を２点鎖線で示す待機位置からＳＣ用搬送機構１７の移動経路上の使用位置に移動させるように載置台Ｐａｓｓ４を制御する。具体的には、制御部１５は、図５に示す現像液用ノズル１４の開閉バルブ１４ｆを閉じて現像液Ｑ２を供給しないようにするとともに、塗布液用ノズル１３の開閉バルブ１３ｆを開き、窒素加圧ライン１３ｇおよびノズル駆動機構１３ａを制御して、フォトレジスト液Ｑ１を基板Ｗに供給できるようにすることで、共用セル１１をＳＣセル９に切り替える。
【０１０２】
つまり、この第１実施例の基板処理装置は、図１０（ａ）に示すように、基板Ｗ群の一連処理の開始期間において「６ＳＣ−２ＳＤ」として稼動することになる。なお、図１０（ａ）に示すように載置台Ｐａｓｓ４が使用位置にある場合は、この載置台Ｐａｓｓ４を使用して、ＳＣ用搬送機構１７とＳＤ用搬送機構２０との間の基板Ｗの受け渡しが行われる。また、各基板Ｗは、前述したステップＳ１〜Ｓ３３のような一連の処理を受けることになることから、処理ブロック３で露光前の各処理（ＳＣ処理，熱処理およびＥＥ処理等）を受けた基板Ｗは、順次にインターフェイス４によって露光装置ＳＴＰに搬出され、この露光装置ＳＴＰで露光処理された基板Ｗがインターフェイス４によって再び処理ブロック３に供給される。この処理ブロック３で露光後の基板Ｗに現像処理を施すことになる。
【０１０３】
（ステップＳ４２）各セルでの基板Ｗ検出
制御部１５は、基板Ｗ群の一連処理中の所定タイミング毎に、４個の共用セル１１，２個のＳＣセル９および２個のＳＤセル１０のそれぞれの基板検出部１１ｄからの基板Ｗの有無に関する基板検出信号に基づいて、各セルでの基板Ｗの有無の検出を行う。
【０１０４】
（ステップＳ４３）ＳＤセル１０内の基板Ｗの有無検出
制御部１５は、２個のＳＤセル１０のそれぞれの基板検出部１１ｄからの基板Ｗの有無に関する基板検出信号に基づいて、２個のうちのいずれかのＳＤセル１０に基板Ｗが搬入されているかどうかを検出する。ＳＤセル１０に基板Ｗが搬入されていなければ、前記のステップＳ４２に戻る。ＳＤセル１０に基板Ｗが搬入されていれば、次のステップＳ４４に進む。
【０１０５】
（ステップＳ４４）ＳＣセル９内の基板Ｗの有無検出
制御部１５は、２個のＳＣセル９およびＳＣ用に切り替えられた４個の共用セル１１、つまり、合計６個のＳＣセル９のそれぞれの基板検出部１１ｄからの基板Ｗの有無に関する基板検出信号に基づいて、６個のうちのいずれかのＳＣセル９で基板Ｗが処理されているか、つまり、基板Ｗが搬入されているかどうかを検出する。ＳＣセル９で基板Ｗが処理されていれば、次のステップＳ４５に進む。ＳＣセル９で基板Ｗが処理されていなければ、後述するステップＳ４６に進む。
【０１０６】
（ステップＳ４５）４個の共用セル１１のうちの２個をＳＤ用に変更
制御部１５は、図１０（ｂ）に示すように、４個のうちの２個の共用セル１１をＳＤ用に変更するようにこの２個の共用セル１１を制御するとともに、載置台Ｐａｓｓ４をＳＣ用搬送機構１７の移動経路上の使用位置から２点鎖線で示す待機位置に戻すように載置台Ｐａｓｓ４を制御し、なおかつ、載置台Ｐａｓｓ３を２点鎖線で示す待機位置からＳＣ用搬送機構１７の移動経路上の使用位置に移動させるように載置台Ｐａｓｓ３を制御する。具体的には、制御部１５は、４個のうちの２個の共用セル１１については、図５に示す塗布液用ノズル１３の開閉バルブ１３ｆを閉じて現像液Ｑ１を供給しないようにするとともに、現像液用ノズル１４の開閉バルブ１４ｆを開き、窒素加圧ライン１４ｇおよびノズル駆動機構１４ａを制御して、現像液Ｑ２を基板Ｗに供給できるようにすることで、共用セル１１をＳＤセル１０に切り替える。
【０１０７】
つまり、この第１実施例の基板処理装置は、図１０（ｂ）に示すように、基板Ｗ群の一連処理の期間におけるステップＳ４５の時点から「４ＳＣ−４ＳＤ」として稼動することになる。なお、図１０（ｂ）に示すように載置台Ｐａｓｓ３が使用位置にある場合は、この載置台Ｐａｓｓ３を使用して、ＳＣ用搬送機構１７とＳＤ用搬送機構２０との間の基板Ｗの受け渡しが行われる。
【０１０８】
（ステップＳ４６）共用セル１１を全てＳＤ用に変更
制御部１５は、図１０（ｃ）に示すように、ＳＣ用としている２個の共用セル１１をＳＤ用に変更するようにこの２個の共用セル１１を制御するとともに、載置台Ｐａｓｓ３をＳＣ用搬送機構１７の移動経路上の使用位置から２点鎖線で示す待機位置に戻すように載置台Ｐａｓｓ３を制御し、なおかつ、載置台Ｐａｓｓ２を２点鎖線で示す待機位置からＳＣ用搬送機構１７の移動経路上の使用位置に移動させるように載置台Ｐａｓｓ２を制御する。具体的には、制御部１５は、ＳＣ用としている２個の共用セル１１については、図５に示す塗布液用ノズル１３の開閉バルブ１３ｆを閉じて現像液Ｑ１を供給しないようにするとともに、現像液用ノズル１４の開閉バルブ１４ｆを開き、窒素加圧ライン１４ｇおよびノズル駆動機構１４ａを制御して、現像液Ｑ２を基板Ｗに供給できるようにすることで、ＳＣ用としていた２個の共用セル１１をＳＤセル１０に切り替える。
【０１０９】
つまり、この第１実施例の基板処理装置は、図１０（ｃ）に示すように、基板Ｗ群の一連処理の期間におけるステップＳ４６の時点から「２ＳＣ−６ＳＤ」として稼動することになる。なお、図１０（ｃ）に示すように載置台Ｐａｓｓ２が使用位置にある場合は、この載置台Ｐａｓｓ２を使用して、ＳＣ用搬送機構１７とＳＤ用搬送機構２０との間の基板Ｗの受け渡しが行われる。上述したステップＳ４２〜Ｓ４６が本発明に係る制御過程に相当する。
【０１１０】
上述したように本第１実施例の基板処理装置によれば、フォトレジスト液で基板Ｗに処理を施す塗布処理と、現像液で基板Ｗに処理を施す現像処理とを切り替えて個別に行う共用セル１１のその塗布，現像処理を、基板Ｗ群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する、つまり、塗布，現像処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用セル１１の塗布，現像処理を切り替え制御するので、基板Ｗ群の一連の処理流れが主として塗布処理を行うことである場合には共用セル１１を塗布処理に切り替えることで塗布処理量を増加させることができ、基板Ｗ群の一連の処理流れが主として現像処理を行うことである場合には共用セル１１を現像処理に切り替えることで現像処理量を増加させることができ、共用セル１１を有効活用することができる。その結果、本基板処理装置の占有面積を増大させることなく、本基板処理装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【０１１１】
また、共用セル１１は、塗布液用ノズル１３と現像液用ノズル１４とを備えているので、フォトレジスト液で基板Ｗを処理する塗布処理と、現像液で基板Ｗを処理する現像処理とを、切り替えて個別に行える構成を実現できる。
【０１１２】
また、フォトレジスト液で塗布処理が施された基板Ｗを搬送するためのＳＣ用搬送機構１７と、現像液で現像処理が施された基板Ｗを搬送するためのＳＤ用搬送機構２０とを個別に備えているので、本基板処理装置のスループットをさらに向上させることができる。
【０１１３】
また、ＳＣ用搬送機構１７とＳＤ用搬送機構２０との間で基板Ｗを受け渡すための載置台Ｐａｓｓ２〜４を備えているので、ＳＣ用搬送機構１７とＳＤ用搬送機構２０とが直接に基板Ｗを受け渡すことを防止できる。
【０１１４】
また、ＳＣ用搬送機構１７は塗布液で処理された基板Ｗを扱い、ＳＤ用搬送機構２０は現像液で処理された基板Ｗを扱い、熱処理部２４のローカル搬送機構は熱処理された基板Ｗを扱うように区別しているので、熱処理された基板Ｗを扱うことで昇温される熱処理部２４のローカル搬送機構が、ＳＣセル９やＳＤセル１０に基板Ｗを直接に搬送することがないし、熱処理部２４のローカル搬送機構から基板Ｗへの熱伝導によって温度変化した基板Ｗを、ＳＣセル９やＳＤセル１０に搬送することを防止でき、熱分離することができる。
【０１１５】
以下に、第１実施例の基板処理装置と従来の基板処理装置とを、それぞれの具体的な数値データに基づいて比較した結果について説明する。従来の基板処理装置は、４ＳＣ（２ＢＡＲＣ＋２レジスト）―４ＳＤを有するものである。従来の基板処理装置では、標準レシピで１カセット（基板が２５枚収納されたもの）のみを投入して処理する場合には、１０２Ｗ／Ｈ（基板枚数／時間）の処理が限界である。しかしながら、この第１実施例の基板処理装置では、１５０Ｗ／Ｈ（基板枚数／時間）の処理を行うことができ、従来例装置と比べて各段に高いスループットを実現できる。また、２カセット（基板を２５枚収納したものが２個＝合計５０枚）の場合でも、１３０Ｗ／Ｈ（基板枚数／時間）の処理を行うことができる。その理由は、主として、基板Ｗの投入当初は、共用セル１１をＳＣセル９に切り替えてＳＣセル９を増加させることでＳＣ処理量を増加させることができ、全てのＳＣセル９から基板Ｗが払い出される、つまり、全てのＳＣセル９での基板ＷのＳＣ処理が終了すると、共用セル１１をＳＤセル１０に切り替えてＳＤセル１０を増加させることでＳＤ処理量を増加させることができるからである。
【０１１６】
＜第２実施例＞
図１１，図１２を参照して第２実施例に係る基板処理装置について説明する。図１１は本発明の第２実施例に係る基板処理装置の１階部分の概略構成を示す平面図であり、図１２はその基板処理装置の２階部分の概略構成を示す平面図である。
【０１１７】
なお、上述した第１実施例では、図２，図３に示すように、処理ブロック３に４個の共用セル１１および１６個の熱処理部（ＢＡＫＥ）２４を備えているが、本第２実施例では、図１１，図１２に示すように、処理ブロック３に２個の共用セル１１および１２個の熱処理部（ＢＡＫＥ）２４を備えている点が、上述した第１実施例とは異なっている。なお、上述した第１実施例と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【０１１８】
続いて、この第２実施例の基板処理装置の特徴部分である処理制御方法、つまり、共用セル１１の制御方法について、図１３，図１４を参照して説明する。図１３は第２実施例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。図１４（ａ），（ｂ）は第２実施例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【０１１９】
（ステップＳ５１）共用セル１１を全てＳＣ用に変更
基板処理装置での基板Ｗ群の一連処理が開始されると、制御部１５は、図１４（ａ）に示すように、全て（２個）の共用セル１１をＳＣ用に変更するように全て（２個）の共用セル１１を制御するとともに、載置台Ｐａｓｓ３を２点鎖線で示す待機位置からＳＣ用搬送機構１７の移動経路上の使用位置に移動させるように載置台Ｐａｓｓ３を制御する。具体的には、制御部１５は、図５に示す現像液用ノズル１４の開閉バルブ１４ｆを閉じて現像液Ｑ２を供給しないようにするとともに、塗布液用ノズル１３の開閉バルブ１３ｆを開き、窒素加圧ライン１３ｇおよびノズル駆動機構１３ａを制御して、フォトレジスト液Ｑ１を基板Ｗに供給できるようにすることで、共用セル１１をＳＣセル９に切り替える。
【０１２０】
つまり、この第１実施例の基板処理装置は、図１４（ａ）に示すように、基板Ｗ群の一連処理の開始期間において「４ＳＣ−２ＳＤ」として稼動することになる。なお、図１４（ａ）に示すように載置台Ｐａｓｓ３が使用位置にある場合は、この載置台Ｐａｓｓ３を使用して、ＳＣ用搬送機構１７とＳＤ用搬送機構２０との間の基板Ｗの受け渡しが行われる。
【０１２１】
（ステップＳ５２）各セルでの基板Ｗ検出
制御部１５は、基板Ｗ群の一連処理中の所定タイミング毎に、２個の共用セル１１，２個のＳＣセル９および２個のＳＤセル１０のそれぞれの基板検出部１１ｄからの基板Ｗの有無に関する基板検出信号に基づいて、各セルでの基板Ｗの有無の検出を行う。
【０１２２】
（ステップＳ５３）ＳＤセル１０内の基板Ｗの有無検出
制御部１５は、２個のＳＤセル１０のそれぞれの基板検出部１１ｄからの基板Ｗの有無に関する基板検出信号に基づいて、２個のうちのいずれかのＳＤセル１０に基板Ｗが搬入されているかどうかを検出する。ＳＤセル１０に基板Ｗが搬入されていなければ、前記のステップＳ５２に戻る。ＳＤセル１０に基板Ｗが搬入されていれば、次のステップＳ５４に進む。
【０１２３】
（ステップＳ５４）ＳＣセル９内の基板Ｗの有無検出
制御部１５は、２個のＳＣセル９およびＳＣ用に切り替えられた２個の共用セル１１、つまり、合計４個のＳＣセル９のそれぞれの基板検出部１１ｄからの基板Ｗの有無に関する基板検出信号に基づいて、４個のうちのいずれかのＳＣセル９で基板Ｗが処理されているか、つまり、基板Ｗが搬入されているかどうかを検出する。ＳＣセル９で基板Ｗが処理されていれば、次のステップＳ５２に戻り。ＳＣセル９で基板Ｗが処理されていなければ、後述するステップＳ５５に進む。
【０１２４】
（ステップＳ５５）共用セル１１を全てＳＤ用に変更
制御部１５は、図１４（ｂ）に示すように、ＳＣ用としている２個の共用セル１１をＳＤ用に変更するようにこの２個の共用セル１１を制御するとともに、載置台Ｐａｓｓ３をＳＣ用搬送機構１７の移動経路上の使用位置から２点鎖線で示す待機位置に戻すように載置台Ｐａｓｓ３を制御し、なおかつ、載置台Ｐａｓｓ２を２点鎖線で示す待機位置からＳＣ用搬送機構１７の移動経路上の使用位置に移動させるように載置台Ｐａｓｓ２を制御する。具体的には、制御部１５は、ＳＣ用としている２個の共用セル１１については、図５に示す塗布液用ノズル１３の開閉バルブ１３ｆを閉じて現像液Ｑ１を供給しないようにするとともに、現像液用ノズル１４の開閉バルブ１４ｆを開き、窒素加圧ライン１４ｇおよびノズル駆動機構１４ａを制御して、現像液Ｑ２を基板Ｗに供給できるようにすることで、ＳＣ用としていた２個の共用セル１１をＳＤセル１０に切り替える。
【０１２５】
つまり、この第１実施例の基板処理装置は、図１４（ｂ）に示すように、基板Ｗ群の一連処理の期間におけるステップＳ５５の時点から「２ＳＣ−４ＳＤ」として稼動することになる。なお、図１４（ｂ）に示すように載置台Ｐａｓｓ２が使用位置にある場合は、この載置台Ｐａｓｓ２を使用して、ＳＣ用搬送機構１７とＳＤ用搬送機構２０との間の基板Ｗの受け渡しが行われる。上述したステップＳ５２〜Ｓ５５が本発明に係る制御過程に相当する。
【０１２６】
上述したように本第２実施例の基板処理装置によれば、上述した第１実施例と同様に、フォトレジスト液で基板Ｗに処理を施す塗布処理と、現像液で基板Ｗに処理を施す現像処理とを切り替えて個別に行う共用セル１１のその塗布，現像処理を、基板Ｗ群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する、つまり、塗布，現像処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用セル１１の塗布，現像処理を切り替え制御するので、基板Ｗ群の一連の処理流れが主として塗布処理を行うことである場合には共用セル１１を塗布処理に切り替えることで塗布処理量を増加させることができ、基板Ｗ群の一連の処理流れが主として現像処理を行うことである場合には共用セル１１を現像処理に切り替えることで現像処理量を増加させることができ、共用セル１１を有効活用することができる。その結果、本基板処理装置の占有面積を増大させることなく、本基板処理装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【０１２７】
＜参考例＞
図１５，図１６を参照して参考例に係る基板処理装置について説明する。図１５は本発明の参考例に係る基板処理装置の１階部分の概略構成を示す平面図であり、図１６はその基板処理装置の２階部分の概略構成を示す平面図である。
【０１２８】
なお、上述した第１実施例では、図２，図３に示すように、処理ブロック３に、２個のＳＣセル９，２個のＳＤセル１０，４個の共用セル１１および１６個の熱処理部（ＢＡＫＥ）２４並びにＳＣ用搬送機構１７およびＳＤ用搬送機構２０を備えているが、参考例では、２個のＳＣセル９，２個のＳＤセル１０並びにＳＣ用搬送機構１７およびＳＤ用搬送機構２０を設けず、図１５，図１６に示すように、処理ブロック３に、４個の共用セル１１および１２個の熱処理部（ＢＡＫＥ）２４並びに搬送機構２２を備えている点が、上述した第１実施例とは異なっている。搬送機構２２は、上述した第１実施例のＳＣ用搬送機構１７と同様に構成されているので、ここではその図示と説明を省略する。なお、上述した第１実施例と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【０１２９】
続いて、この参考例の基板処理装置の特徴部分である処理制御方法、つまり、共用セル１１の制御方法について、図１７，図１８を参照して説明する。図１７は参考例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。図１８（ａ）〜（ｃ）は参考例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【０１３０】
（ステップＳ６１）共用セル１１を全てＳＣ用に変更
基板処理装置での基板Ｗ群の一連処理が開始されると、制御部１５は、図１８（ａ）に示すように、全て（４個）の共用セル１１をＳＣ用に変更するように全て（４個）の共用セル１１を制御する。具体的には、制御部１５は、図５に示す現像液用ノズル１４の開閉バルブ１４ｆを閉じて現像液Ｑ２を供給しないようにするとともに、塗布液用ノズル１３の開閉バルブ１３ｆを開き、窒素加圧ライン１３ｇおよびノズル駆動機構１３ａを制御して、フォトレジスト液Ｑ１を基板Ｗに供給できるようにすることで、共用セル１１をＳＣセル９に切り替える。
【０１３１】
つまり、この第１実施例の基板処理装置は、図１８（ａ）に示すように、基板Ｗ群の一連処理の開始期間において「４ＳＣ」として稼動することになる。
【０１３２】
（ステップＳ６２）各セルでの基板Ｗ検出
制御部１５は、基板Ｗ群の一連処理中の所定タイミング毎に、４個の共用セル１１のそれぞれの基板検出部１１ｄからの基板Ｗの有無に関する基板検出信号およびインターフェイス４からの後述する基板搬入検出信号に基づいて、各共用セル１１での基板Ｗの有無の検出を行う。
【０１３３】
（ステップＳ６３）ＳＤセル１０に搬入する基板Ｗの有無検出
この参考例の基板処理装置では、制御部１５は、インターフェイス４によってＳＤセル１０に搬入する基板Ｗの有無をインターフェイス４からの基板搬入検出信号に基づいて検出できるようになっている。制御部１５は、ＳＤセル１０に搬入する基板Ｗの有無を検出する。ＳＤセル１０に搬入する基板Ｗがなければ、前記のステップＳ６２に戻る。ＳＤセル１０に搬入する基板Ｗがあれば、次のステップＳ６４に進む。
【０１３４】
（ステップＳ６４）ＳＣセル９内の基板Ｗの有無検出
制御部１５は、ＳＣ用に切り替えられた４個の共用セル１１のそれぞれの基板検出部１１ｄからの基板Ｗの有無に関する基板検出信号に基づいて、４個のうちのいずれかのＳＣセル９で基板Ｗが処理されているか、つまり、基板Ｗが搬入されているかどうかを検出する。ＳＣセル９で基板Ｗが処理されていれば、次のステップＳ６５に進む。ＳＣセル９で基板Ｗが処理されていなければ、後述するステップＳ６６に進む。
【０１３５】
（ステップＳ６５）４個の共用セル１１のうちの２個をＳＤ用に変更
制御部１５は、図１８（ｂ）に示すように、４個のうちの２個の共用セル１１をＳＤ用に変更するようにこの２個の共用セル１１を制御する。具体的には、制御部１５は、４個のうちの２個の共用セル１１については、図５に示す塗布液用ノズル１３の開閉バルブ１３ｆを閉じて現像液Ｑ１を供給しないようにするとともに、現像液用ノズル１４の開閉バルブ１４ｆを開き、窒素加圧ライン１４ｇおよびノズル駆動機構１４ａを制御して、現像液Ｑ２を基板Ｗに供給できるようにすることで、共用セル１１をＳＤセル１０に切り替える。
【０１３６】
つまり、この第１実施例の基板処理装置は、図１８（ｂ）に示すように、基板Ｗ群の一連処理の期間におけるステップＳ６５の時点から「２ＳＣ−２ＳＤ」として稼動することになる。
【０１３７】
（ステップＳ６６）共用セル１１を全てＳＤ用に変更
制御部１５は、図１８（ｃ）に示すように、ＳＣ用としている２個の共用セル１１をＳＤ用に変更するようにこの２個の共用セル１１を制御する。具体的には、制御部１５は、ＳＣ用としている２個の共用セル１１については、図５に示す塗布液用ノズル１３の開閉バルブ１３ｆを閉じて現像液Ｑ１を供給しないようにするとともに、現像液用ノズル１４の開閉バルブ１４ｆを開き、窒素加圧ライン１４ｇおよびノズル駆動機構１４ａを制御して、現像液Ｑ２を基板Ｗに供給できるようにすることで、ＳＣ用としていた２個の共用セル１１をＳＤセル１０に切り替える。
【０１３８】
つまり、この第１実施例の基板処理装置は、図１８（ｃ）に示すように、基板Ｗ群の一連処理の期間におけるステップＳ６６の時点から「４ＳＤ」として稼動することになる。上述したステップＳ６２〜Ｓ６６が本発明に係る制御過程に相当する。
【０１３９】
上述したように本参考例の基板処理装置によれば、上述した第１実施例と同様に、フォトレジスト液で基板Ｗに処理を施す塗布処理と、現像液で基板Ｗに処理を施す現像処理とを切り替えて個別に行う共用セル１１のその塗布，現像処理を、基板Ｗ群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する、つまり、塗布，現像処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用セル１１の塗布，現像処理を切り替え制御するので、基板Ｗ群の一連の処理流れが主として塗布処理を行うことである場合には共用セル１１を塗布処理に切り替えることで塗布処理量を増加させることができ、基板Ｗ群の一連の処理流れが主として現像処理を行うことである場合には共用セル１１を現像処理に切り替えることで現像処理量を増加させることができ、共用セル１１を有効活用することができる。その結果、本基板処理装置の占有面積を増大させることなく、本基板処理装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【０１４０】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１４１】
（１）上述した各実施例では、図２，図１１に示すように、共用セル１１を２個あるいは４個設けているが、共用セル１１をそれ以外の複数個あるいは単数個設けるようにしてもよい。
【０１４２】
（２）上述した第１，第２実施例では、図１０，図１４に示すように、載置台Ｐａｓｓ２〜４を介して、ＳＣ用搬送機構１７とＳＤ用搬送機構２０との間での基板Ｗの受け渡しを行うようにしているが、熱処理部（ＢＡＫＥ）２４のＣＰ等を介して、ＳＣ用搬送機構１７とＳＤ用搬送機構２０との間での基板Ｗの受け渡しを行うようにし、載置台Ｐａｓｓ２〜４を設けない構造にしてもよい。
【０１４３】
（３）上述した各実施例では、熱処理部（ＢＡＫＥ）２４は、基板Ｗを熱処理するためのホットプレート部と、基板Ｗを冷却処理するためのクールプレート部とを例えば上下方向（ｚ方向）に積み重ねるようにして配設されたものとしているが、ホットプレート部とクールプレート部とを水平方向に配置し、ホットプレート部とクールプレート部との間の基板Ｗの搬送をローカル搬送機構で行うものとしてもよいし、ローカル搬送機構を備えずＳＣ用搬送機構１７またはＳＤ用搬送機構２０によってホットプレート部とクールプレート部との間の基板Ｗの搬送を行うものとしてもよい。
【０１４４】
（４）上述した各実施例では、共用セル１１にスピンチャック１１ａを採用しているが、基板Ｗを水平姿勢で非回転で保持する等各種の基板保持機構を採用してもよい。
【０１４５】
（５）上述した各実施例では、基板処理として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して洗浄処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述した浸漬タイプのエッチング以外のエッチング処理（例えばドライエッチングやプラズマエッチングなど）や、上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄する洗浄処理（例えばソニック洗浄や化学洗浄など）、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理や、スパッタリング処理や、化学気相成長（ＣＶＤ）処理や、アッシング処理などのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常の手法で行う基板処理であれば、本発明に適用することができる。
【０１４６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、第１処理液である塗布液で基板に処理を施す第１処理手段と、第２処理液である現像液で基板に処理を施す第２処理手段と、第１処理液（塗布液）で基板に処理を施す第１処理である塗布処理と、第２処理液（現像液）で基板に処理を施す第２処理である現像処理とを切り替えて個別に行う複数個の共用処理手段とを備え、この共用処理手段のその第１，第２処理を、第１処理のみを行う初期状態と、第１処理と第２処理との両方を行う中間状態と、第２処理のみを行う末期状態とに変移する本基板処理装置での基板群の一連の処理流れのうちで、当該基板群の一連の処理流れが前記初期状態となる前に複数個の共用処理手段を全て第１処理に切り替えることで第１処理量を増加させることができ、前記処理流れが前記中間状態である場合には複数個の共用処理手段のうちの一部を第２処理に切り替えて第２処理量を増加させるように制御し、基板群の一連の処理流れが前記末期状態である場合には複数個の共用処理手段を全て第２処理に切り替えることで第２処理量を増加させることができ、共用処理手段を有効活用することができる。その結果、本装置の占有面積を増大させることなく、本装置のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の１階部分の概略構成を示す平面図である。
【図３】図１に示した基板処理装置の２階部分の概略構成を示す平面図である。
【図４】（ａ）はＩＤ用搬送機構の平面図であり、（ｂ）はその右側面図である。
【図５】共用セルの概略構成を示すブロック図である。
【図６】（ａ）はＳＣ用搬送機構の平面図であり、（ｂ）はその側面図であり、（ｃ）はその正面図である。
【図７】第１実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図８】第１実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図９】第１実施例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は第１実施例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【図１１】本発明の第２実施例に係る基板処理装置の１階部分の概略構成を示す平面図である。
【図１２】本発明の第２実施例に係る基板処理装置の２階部分の概略構成を示す平面図である。
【図１３】第２実施例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。
【図１４】（ａ），（ｂ）は第２実施例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【図１５】 本発明の参考例に係る基板処理装置の１階部分の概略構成を示す平面図である。
【図１６】 本発明の参考例に係る係る基板処理装置の２階部分の概略構成を示す平面図である。
【図１７】 参考例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。
【図１８】 （ａ）〜（ｃ）は参考例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【図１９】従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１１ … 共用セル（共用処理手段）
１５ … 制御部（制御手段）
１７ … ＳＣ用搬送機構（第１処理用の基板搬送手段）
２０ … ＳＤ用搬送機構（第２処理用の基板搬送手段）
Ｐａｓｓ２〜４ … 載置台（基板受け渡し部）
Ｗ … 基板

Claims (3)

1. 基板に対して第１処理液である塗布液で第１処理である塗布処理を行い、この第１処理後で他の処理である露光処理が施された基板に対して第２処理液である現像液で第２処理である現像処理を行うという一連の処理を施す基板処理装置であって、
   第１処理液で基板に処理を施す第１処理手段と、
   第２処理液で基板に処理を施す第２処理手段と、
   第１処理液で基板に処理を施す第１処理と、第２処理液で基板に処理を施す第２処理とを切り替えて個別に行う複数個の共用処理手段と、
   第１処理のみを行う初期状態と、第１処理と第２処理との両方を行う中間状態と、第２処理のみを行う末期状態とに変移する本基板処理装置での基板群の一連の処理流れのうちで、当該処理流れが前記初期状態となる前に前記複数個の共用処理手段を全て第１処理に切り替えて第１処理量を増加させるように制御し、前記処理流れが前記中間状態である場合には前記複数個の共用処理手段のうちの一部を第２処理に切り替えて第２処理量を増加させるように制御し、前記処理流れが前記末期状態である場合には前記複数個の共用処理手段を全て第２処理に切り替えて第２処理量を増加させるように制御する制御手段と
   を備えていることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   第１処理液で第１処理が施された基板を搬送するための第１処理用の基板搬送手段と、第２処理液で第２処理が施された基板を搬送するための第２処理用の基板搬送手段とを個別に備えていることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記第１処理用の基板搬送手段と前記第２処理用の基板搬送手段との間で基板を受け渡すための基板受け渡し部
   を備えていることを特徴とする基板処理装置。

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