CN102190890A - 有机硅树脂组合物及其使用方法、有机硅树脂、含有其的结构体、和光半导体元件密封体 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题是提供可以维持透明性、并且耐硫化性优异的有机硅树脂组合物及其使用方法、有机硅树脂、含有有机硅树脂的结构体、以及光半导体元件密封体。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种有机硅树脂组合物，包含：(A)成分：具有至少2个与硅原子结合了的链烯基的聚硅氧烷，(B)成分：具有至少2个由硅原子与氢原子结合而成的SiH基的聚硅氧烷交联剂，(C)成分：氢化硅烷化反应催化剂，(D)成分：锌化合物；相对于上述(A)成分和上述(B)成分的合计100质量份，含有0.1～5质量份的上述(D)成分。

Description

有机硅树脂组合物及其使用方法、有机硅树脂、含有其的结构体、和光半导体元件密封体
技术领域
本发明涉及有机硅树脂组合物及其使用方法、有机硅树脂、含有有机硅树脂的结构体、以及光半导体元件密封体。
背景技术
以往，提出了在用于密封光半导体的组合物中使用环氧树脂作为树脂(例如专利文献1)。然而，由含有环氧树脂的组合物获得的密封体存在由于白色LED元件的发热而颜色变黄等问题。
此外，提出了一种室温固化性有机聚硅氧烷组合物，含有：具有2个硅烷醇基的有机聚硅氧烷、1分子中具有2个以上与硅原子结合了的可水解基团的硅烷化合物等、和有机锆化合物(例如专利文献2、3)。
此外，提出了在具有2个硅烷醇基的二有机聚硅氧烷等和具有3个以上烷氧基的硅烷等中混合缩合催化剂并进行加热(例如专利文献4、5)。
专利文献1：日本特开平10-228249号公报
专利文献2：日本特开2001-200161号公报
专利文献3：日本特开平2-196860号公报
专利文献4：日本特开2007-224089号公报
专利文献5：日本特开2006-206700号公报
发明内容
然而，在硅氧烷系树脂的情况下，与环氧树脂相比，气体透过性较高、空气容易通过，因此空气中的硫化氢使光半导体封装的镀银容易随时间推 移而变色，结果亮度倾向于降低。
此外，对于硅氧烷系树脂，为了提高耐硫化性，一般使树脂变硬，但是在该情况下，可能会发生固化收缩和/或由此引起的从LED封装(package)剥离和/或线(wire)断线。
本发明者们发现，通过在有机硅树脂组合物中添加锌化合物，可以表现耐硫化性、抑制银的变色，从而完成了本发明。即，本发明提供可以维持透明性、并且耐硫化性优异的有机硅树脂组合物及其使用方法、有机硅树脂、含有有机硅树脂的结构体、以及光半导体元件密封体。
此外，本发明者们明确了，如果在有机硅树脂组合物中添加锌化合物，则有时观察到高温下的长期可靠性会降低，进而发现，通过添加规定成分可使高温下的长期可靠性优异。
即，本发明提供下述1～14。
1.一种有机硅树脂组合物，包含：
(A)成分：具有至少2个与硅原子结合了的链烯基的聚硅氧烷，
(B)成分：具有至少2个由硅原子与氢原子结合而成的SiH基的聚硅氧烷交联剂，
(C)成分：氢化硅烷化反应催化剂，
(D)成分：锌化合物，
相对于所述(A)成分和所述(B)成分的合计100质量份，含有0.1～5质量份的所述(D)成分。
2.根据上述1所述的有机硅树脂组合物，实质上不包含具有硅烷醇基的硅化合物。另外，在本发明中，“实质上不包含具有硅烷醇基的硅化合物”是指，在本发明的有机硅树脂组合物中，具有硅烷醇基(与硅原子结合了的羟基)的硅化合物的含量小于0.1质量％。
3.根据上述1或2所述的有机硅树脂组合物，所述(D)成分是含有锌的络合物和/或金属盐。
4.根据上述1～3的任一项所述的有机硅树脂组合物，所述链烯基是乙烯基或(甲基)丙烯酰基。
5.根据上述1～4的任一项所述的有机硅树脂组合物，用于密封光半导体元件。
6.根据上述1～5的任一项所述的有机硅树脂组合物，在银的存在下使用。
7.根据上述1～6的任一项所述的有机硅树脂组合物，还包含(E)成分：硼化合物和/或(F)成分：磷酸酯。
8.根据上述1～7的任一项所述的有机硅树脂组合物，还包含双(烷氧基)烷烃和/或异氰脲酸酯衍生物。
9.根据上述1～8的任一项所述的有机硅树脂组合物，
在使用第11族的金属而获得的金属层上涂布厚度为1mm的所述有机硅树脂组合物并使其固化，从而形成具有所述金属层和有机硅树脂层的叠层体，
将所述叠层体在23℃的条件下放置在560ppm的硫化氢气体中，进行耐硫化试验，在所述耐硫化试验前和所述耐硫化试验开始24小时后，使用分光反射率计测定所述叠层体的分光反射率，将所述分光反射率代入式[分光反射率维持率＝(耐硫化试验后的分光反射率/耐硫化试验前的分光反射率)×100]而计算得到的分光反射率维持率为80％以上。
10.一种有机硅树脂，是通过使上述1～9的任一项所述的有机硅树脂组合物固化而获得的。
11.一种含有有机硅树脂的结构体，包含上述10所述的有机硅树脂和含银的部件。
12.一种光半导体元件密封体，LED芯片被上述10所述的有机硅树脂密封。
13.根据上述12所述的光半导体元件密封体，还含有含银的部件。
14.一种有机硅树脂组合物的使用方法，包括以下工序：在银的存在下使上述1～8的任一项所述的有机硅树脂组合物固化。
本发明的有机硅树脂组合物由于相对于上述(A)成分和上述(B)成分的合计100质量份，含有0.1～5质量份的作为(D)成分的锌化合物，因而使 用该组合物，可以向硅氧烷系树脂固化物赋予耐硫化性，从而可以制造可以维持透明性、并且耐硫化性优异的光半导体密封体。
由于本发明的有机硅树脂和光半导体密封体是使用上述组合物而形成的，因此不易产生裂缝、并且耐硫化性和透明性优异。
附图说明
图1是示意性示出本发明的一例光半导体密封体的俯视图。
图2是示意性示出图1所示光半导体密封体的A-A剖面的剖面图。
图3是示意性示出本发明的一例光半导体密封体的剖面图。
图4是示意性示出本发明的一例光半导体密封体的剖面图。
图5是示意性示出使用了本发明的光半导体密封体的一例LED显示器的图。
图6是使用了图5所示LED显示器的LED显示装置的框图。
图7是示意性示出实施例中为了使本发明的组合物固化而使用的模具的剖面的剖面图。
具体实施方式
以下，详细地说明本发明的有机硅树脂组合物及其使用方法、有机硅树脂、含有有机硅树脂的结构体、以及光半导体元件密封体。
1.有机硅树脂组合物
本发明的有机硅树脂组合物包含：
(A)成分：具有至少2个与硅原子结合了的链烯基的聚硅氧烷，
(B)成分：具有至少2个由硅原子与氢原子结合而成的SiH基的聚硅氧烷交联剂，
(C)成分：氢化硅烷化反应催化剂，
(D)成分：锌化合物，
相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份，含有0.1～5质量份的(D)成分。
1.1.(A)成分
(A)成分只要是1分子中具有至少2个与硅原子结合了的链烯基、具有聚硅氧烷结构作为主链的有机聚硅氧烷即可，没有特别限制。
(A)成分是本发明的有机硅树脂组合物的主剂(基础聚合物)。从韧性、拉伸性优异的观点出发，(A)成分优选1分子中具有2个以上与硅原子结合了的链烯基，更优选具有2～20个、进一步优选具有2～10个左右的与硅原子结合了的链烯基。
此外，从组合物的粘度较低的观点出发，(A)成分可以是1分子中具有1个乙烯基和/或氢化甲硅烷基(hydrosilyl)的聚硅氧烷。
链烯基可以介由有机基团与硅原子结合。对有机基团没有特别限制，可以具有例如氧原子、氮原子、硫原子等杂原子。
作为链烯基，可列举例如，乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基等碳原子数2～8的不饱和烃基；(甲基)丙烯酰基。其中，从固化性优异的观点出发，链烯基优选为乙烯基或(甲基)丙烯酰基，更优选为乙烯基。
另外，本发明中的(甲基)丙烯酰基是指丙烯酰基和甲基丙烯酰基中的任一者或两者。
作为链烯基的结合位置，可列举例如，聚硅氧烷的分子链末端和分子链侧链中的任一者或两者。此外，链烯基可以结合在聚硅氧烷分子链的一末端或两末端。
在(A)成分中，作为除链烯基以外的与硅原子结合了的有机基团，可列举例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3，3，3-三氟丙基等卤代烷基；环戊基、环己基等环烷基等。此外，作为(A)成分的聚硅氧烷可以具有氢化甲硅烷基。
其中，从耐热性优异的观点出发，优选为甲基、苯基。
在(A)成分中，作为其主链，可列举例如，有机聚硅氧烷。具体可列举聚二甲基硅氧烷、甲基苯基聚硅氧烷、二苯基聚硅氧烷。其中，从耐热性、 耐光性优异的观点出发，优选为聚二甲基硅氧烷。另外，在本发明中，耐光性是指对LED的发光的耐久性(例如不易发生变色、燃烧)。
对(A)成分的分子结构没有特别限制。可列举例如，直链状、具有部分支链的直链状、环状、支链状、三维网状等。可列举直链状作为优选形态之一。
作为(A)成分的分子结构，可列举主链包含二有机硅氧烷重复单元作为优选的形态之一。
作为(A)成分，在使用含有乙烯基的聚硅氧烷和/或含有氢化甲硅烷基的聚硅氧烷的情况下，在(A)成分的结构中可以具有亚烷基和/或亚苯基骨架。
此外，(A)成分的分子末端可以被硅烷醇基(结合了硅原子的羟基)、烷氧基甲硅烷基封端，或者被三甲基甲硅烷氧基等三有机甲硅烷氧基或乙烯基封端。
作为(A)成分，可列举例如，下述式(I)所示的化合物。
Figure BDA0000045377060000061
(式中，R1、R2、R3各自独立地为链烯基，R4各自独立地为除链烯基以外的一价烃基、羟基、烷氧基，R各自独立地为有机基团，a+b+n为2以上，a、b为0～3的整数，m、n为0以上的整数)。
在聚硅氧烷是具有不饱和烃基作为链烯基的聚硅氧烷的情况下，固化性更优异。
聚硅氧烷是具有不饱和烃基作为链烯基的聚硅氧烷，作为该聚硅氧烷，可列举例如，包含式：(R1)3SiO1/2所示的硅氧烷单元、式：(R1)2R2SiO1/2所示的硅氧烷单元、式：(R1)2SiO2/2所示的硅氧烷单元和式：SiO4/2所示的硅氧烷单元的有机硅氧烷共聚物；包含式：(R1)3SiO1/2所示的硅氧烷单元、式：(R1)2R2SiO1/2所示的硅氧烷单元和式：SiO4/2所示的硅氧烷单元的有机硅氧烷共聚物；包含式：(R1)2R2SiO1/2所示的硅氧烷单元、式：(R1)2SiO2/2 所示的硅氧烷单元和式：SiO4/2所示的硅氧烷单元的有机硅氧烷共聚物；包含式：(R1)2R2SiO1/2所示的硅氧烷单元、式：R1SiO3/2所示的硅氧烷单元或式：R2SiO3/2所示的硅氧烷单元的有机硅氧烷共聚物。
在聚硅氧烷是具有不饱和烃基作为链烯基的聚硅氧烷的情况下，在聚硅氧烷的结构中可以具有亚烷基和/或亚苯基骨架。
此处，上述式中的R1是除链烯基以外的一价烃基。
作为除链烯基以外的一价烃基，可列举例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3，3，3-三氟丙基等卤代烷基等。
此外，上述式中的R2为不饱和烃基。作为不饱和烃基，可列举例如，乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基。
在(A)成分具有乙烯基作为链烯基的情况下，固化性更优异。另外，以下有时将具有乙烯基作为链烯基的聚硅氧烷称为“含有乙烯基的聚硅氧烷”。
在(A)成分是具有(甲基)丙烯酰基作为链烯基的聚硅氧烷的情况下，固化性更优异。另外，以下有时将具有(甲基)丙烯酰基作为链烯基的聚硅氧烷称为“含有(甲基)丙烯酰基的聚硅氧烷”。
作为含有(甲基)丙烯酰基的聚硅氧烷，可列举例如，下述平均组成式(II)所示的化合物。
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2    (II)
(式中，R1表示氢原子、羟基、碳原子数1～10的烷基或芳基，R2表示CH2＝CR3-CO-O-(CH2)c-所示的(甲基)丙烯酰氧基烷基(CH2＝CR3-CO-O-(CH2)c-中的R3是氢原子或甲基，c是2～6的整数，优选为2、3或4)，a是0.8～2.4，优选为1～1.8，b是0.1～1.2，优选为0.2～1，更优选为0.4～1，a+b为2～2.5，优选为2～2.2)。
式中，作为R1的烷基、芳基，可列举例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基。其中，优选为甲基、乙基、丙基、苯基，特别优选为甲基。
从固化性更优异，韧性、拉伸性、操作性优异的观点出发，(A)成分的分子量(重均分子量)优选为500～100,000，更优选为1,000～100,000，进一步优选为5,000～50,000。另外，在本申请说明书中，重均分子量是通过GCP(凝胶渗透色谱)测定的聚苯乙烯换算值。
从所得的有机硅树脂的物理特性良好，有机硅树脂组合物的操作作业性良好出发，(A)成分在23℃下的粘度优选为5～10,000mPa·s，更优选为10～1,000mPa·s。另外，本发明中的粘度是使用E型粘度计在23℃的条件下测定得到的。
(A)成分可以分别单独使用或2种以上组合使用。对(A)成分的制造方法没有特别限制。可列举例如，以往公知的制造方法。
1.2.(B)成分
作为(B)成分的聚硅氧烷交联剂只要是1分子中具有至少2个由硅原子与氢原子结合而成的基团(即，SiH基)、具有聚硅氧烷结构作为主链的有机含氢聚硅氧烷(Hydrogen polysiloxane)即可，没有特别的限制。
(B)成分优选为1分子中具有2～300个左右、更优选具有3个以上(例如3～150个左右)SiH基。作为(B)成分的分子结构，可列举例如，直链状、支链状、环状、三维网状结构。
在(B)成分中，作为SiH基的结合位置，可列举例如，聚硅氧烷的分子链末端和分子链侧链中的任一者或两者。此外，SiH基可以结合在聚硅氧烷的分子链的一末端或两末端。
作为(B)成分，可列举例如，下述平均组成式(III)所示的有机含氢聚硅氧烷。
HaR3 bSiO(4-a-b)/2    (III)
(式中，R3独立地为不含有脂肪族不饱和键的未取代或取代的1价烃基，a和b是满足0＜a＜2、0.8≤b≤2且0.8＜a+b≤3的数，优选为满足0.05≤a≤1、0.9≤b≤2且1.0≤a+b≤2.7的数。此外，一分子中的硅原子个数为2～300个，优选为3～200个)。
式中，作为R3的不含有脂肪族不饱和键的未取代或取代的1价烃基， 可列举例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3，3，3-三氟丙基等卤代烷基等。
其中，从耐热性、耐光性优异的观点出发，优选为甲基等碳原子数1～3的低级烷基、苯基、3，3，3-三氟丙基。
作为(B)成分，可列举例如，分子链两末端被三甲基甲硅烷氧基封端的甲基含氢聚硅氧烷(methyl hydrogen polysiloxane)、分子链两末端被三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷(methyl hydrogensiloxane)共聚物、分子链两末端被硅烷醇基封端的甲基含氢聚硅氧烷、分子链两末端被硅烷醇基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物、分子链两末端被二甲基氢甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷、分子链两末端被二甲基氢甲硅烷氧基封端的甲基含氢聚硅氧烷、分子链两末端被二甲基氢甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物等；包含(R3)2HSiO1/2单元和SiO4/2单元的有机硅树脂、可任意包含(R3)3SiO1/2单元、(R3)2SiO2/2单元、R3HSiO2/2单元、(H)SiO3/2单元或R3SiO3/2单元的有机硅树脂(其中，式中R3与上述不含有脂肪族不饱和键的未取代或取代的1价烃基相同)等，此外还可以列举出出在这些例示化合物中部分或全部甲基被乙基、丙基等其它烷基和/或苯基、氢化甲硅烷基取代而得的化合物等。
此外，可列举下述式所示的化合物：
(其中，式中，R3与上述R3的不含有脂肪族不饱和键的未取代或取代的1价烃基相同，c是0或1以上的整数，d是1以上的整数)。
(B)成分可以分别单独使用或2种以上组合使用。
对(B)成分的制造方法没有特别限制。可列举例如以往公知的制造方法。具体可如下获得：例如，将选自下述通式：R3SiHCl2和(R3)2SiHCl(式中，R3与上述不含有脂肪族不饱和键的未取代或取代的1价烃基相同)中的至少1种氯硅烷进行共水解，或将该氯硅烷与选自下述通式：(R3)3SiCl和(R3)2SiCl2(式中，R3与上述不含有脂肪族不饱和键的未取代或取代的1价烃基相同)中的至少1种氯硅烷组合进行共水解，从而获得的。此外，作为(B)成分，可以使用将共水解而获得的聚硅氧烷平衡化后的化合物。
从固化后的橡胶物性(韧性、拉伸性)优异的观点出发，优选以相对于(A)成分中的每1摩尔链烯基，(B)成分所具有的与硅原子结合了的氢原子(SiH基)为0.1～5摩尔的量来使用(B)成分，更优选以0.5～2.5摩尔、进一步优选以1.0～2.0摩尔的量来使用。
在SiH基量为0.1摩尔以上的情况下，可获得固化充分、具有强度的橡胶固化物(有机硅树脂)。
在SiH基量为5摩尔以下的情况下，可获得固化物不会变脆等具有强度的橡胶固化物。
在本发明中，(A)成分和(B)成分可以以(A)成分与(B)成分的混合物的形式使用。
1.3.(C)成分
作为(C)成分的氢化硅烷化反应催化剂(聚硅氧烷催化剂)是用于促进(A)成分所具有的链烯基与(B)成分所具有的与硅原子结合了的氢原子(即，SiH基)的加成反应的催化剂。本发明的有机硅树脂组合物由于包含(C)成分因而固化性优异。
对(C)成分没有特别限制。可列举例如以往公知化合物。作为具体例，可列举例如，铂(包含铂黑)、铑、钯等铂族金属单质；H2PtCl4·nH2O、H2PtCl6·nH2O、NaHPtCl6·nH2O、KHPtCl6·nH2O、Na2PtCl6·nH2O、 K2PtCl4·nH2O、PtCl4·nH2O、PtCl2、Na2HPtCl4·nH2O(其中，式中，n为0～6的整数，优选为0或6)等氯化铂、氯铂酸和氯铂酸盐；醇改性氯铂酸(参照美国专利第3,220,972号说明书)；氯铂酸与烯烃的络合物(参照美国专利第3,159,601号说明书，美国专利第3,159,662号说明书，美国专利第3,775,452号说明书)；使铂黑、钯等铂族金属担载在氧化铝、二氧化硅、碳等载体上而得的催化剂；铑-烯烃络合物；氯代三(三苯基膦)铑(Wilkinson催化剂)；氯化铂、氯铂酸或氯铂酸盐与含有乙烯基的硅氧烷、特别是含有乙烯基的环状硅氧烷的络合物等铂族金属系催化剂。
(C)成分可以在催化剂量的范围使用。从可以发挥优异固化性的观点出发，相对于(A)成分和(B)成分的合计量，(C)成分以铂族金属的质量换算可以为0.1～500ppm(优选为10～100ppm)。
1.4.(D)成分
作为(D)成分的锌化合物是含有锌的化合物，例如为含有锌的络合物和/或金属盐。由于本发明的组合物相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份含有0.1～5质量份的作为(D)成分的锌化合物，因而该锌化合物与硫结合，从而可以向固化物赋予耐硫化性。由此，可以防止银的变色(腐蚀)，保持透明性。此外，使用本发明的组合物而获得的固化物即使不使树脂硬化也有充分耐硫化性。因此，上述固化物可以是不易产生裂缝的有机硅树脂。因此，在使用固化物作为光半导体密封体的情况下，可以防止该密封体中包含的线的断线。
作为(D)成分的含有锌的络合物和金属盐，可列举例如，以双乙酰丙酮锌、双(2-乙基己酸)锌(Zinc bis(2-ethylhexanoate))、(甲基)丙烯酸锌、新癸酸锌等羧酸盐为代表的有机锌化合物，以氧化锌、锡酸锌等锌氧化物为代表的无机锌化合物。
例如，在要求使用本发明的组合物而形成的固化物具有透明性的情况下，(D)成分优选是如下锌化合物：在将(D)成分添加到树脂中的情况下的树脂的透射率例如波长400nm的光的透射率为70％以上。
从可以抑制热引起的着色、切实地表现透明性和耐硫化性的观点出发， 本发明的有机硅树脂组合物优选相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份含有0.1～1质量份的(D)成分，更优选为0.1～0.5质量份，进一步优选为0.12～0.5质量份。此处，如果(D)成分相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份大于5质量份，则有时容易发生热引起的着色、透明性会降低，另一方面，如果小于0.1质量份，则有时不会充分表现耐硫化性。
(D)成分可以分别单独使用或2种以上组合使用。
作为(D)成分的制造方法，可列举例如，使1摩尔氧化锌和/或碳酸锌与1.5摩尔以上且小于3摩尔的无机酸和/或有机酸反应的方法。
此时，作为无机酸，可列举例如磷酸，作为有机酸，可列举例如，硬脂酸、棕榈酸、月桂酸、2-乙基己酸、(甲基)丙烯酸、新癸酸等。
1.5.(E)成分
本发明的有机硅树脂组合物由于含有(E)成分：硼化合物，因而高温下的长期可靠性优异。
作为(E)成分，只要是作为含有硼的化合物的硼化合物即可，没有特别限制，可列举例如，硼络合物、硼酸酯。
硼络合物是指具有硼原子的络合物，可列举例如，三氟化硼络合物。
三氟化硼络合物是指三氟化硼与水、醇、羧酸、酸酐、酯、醚、酮、醛等化合物形成的络合物。
作为形成三氟化硼络合物的醇，可列举甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、正癸醇等碳原子数1～10的伯醇；异丙醇、仲丁醇等碳原子数3～10的仲醇；等等。作为羧酸，可列举乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、琥珀酸等碳原子数2～10的脂肪族羧酸；苯甲酸、邻苯二甲酸等芳香族羧酸；等等。作为酸酐，可列举例如，上述羧酸的酸酐。作为酯，可列举例如，上述羧酸的甲基、乙基、正丙基、正丁基等碳原子数1～6的烷基酯。作为醚，可列举二甲醚、乙醚、二丁醚等。作为酮，可列举丙酮、甲基乙基酮等。作为醛，可列举乙醛、苯甲醛等。
作为这样的三氟化硼络合物，优选为例如三氟化硼醚络合物，更优选为三氟化硼乙醚、三氟化硼丁醚。
硼酸酯是指通过原硼酸、偏硼酸、连二硼酸等硼酸与具有羟基(-OH)的化合物发生缩合反应而获得的化合物。
作为硼酸酯，可列举例如，下述式(e1)～(e5)的任一者所示的化合物。
Figure BDA0000045377060000131
式(e1)～(e5)中，R独立地表示氢原子、烷基、烯丙基、芳基、甲硅烷基或膦基、R’独立地表示2价烃基。
作为式(e1)～(e5)中的R所示的烷基，优选碳原子数1～18的烷基，可列举例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、异己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。
式(e1)～(e5)中的R所示的烯丙基是2-丙烯基(-CH2CH＝CH2)。
作为式(e1)～(e5)中的R所示的芳基，优选碳原子数1～18的芳基，可列举例如，苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、2，4，6-三甲苯基等。
作为式(e1)～(e5)中的R所示的甲硅烷基，可列举例如，未取代的甲硅烷基；甲基甲硅烷基等单烷基甲硅烷基；二甲基甲硅烷基等二烷基甲硅烷基；三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基等三烷基甲硅烷基；甲氧基二甲基甲硅烷基等烷氧基二烷基甲硅烷基；二甲氧基甲基甲硅烷基等二烷氧基烷基甲硅烷基；三甲氧基甲硅烷基等三烷氧基甲硅烷基；等等。
作为式(e1)～(e5)中的R所示的膦基，可列举例如，二甲基膦基、二苯基膦基、二甲苯基膦基、二萘基膦基等。
作为式(e1)～(e5)中的R’所示的2价烃基，优选为碳原子数1～20的2 价烃基，更优选为碳原子数1～20的亚烷基，可列举例如，亚甲基、亚乙基、丙烷-1，3-二基、丁烷-1，4-二基、庚烷-1，5-二基、己烷-1，6-二基等。
作为式(e1)～(e5)所示的(E)成分，可列举例如，下述式(e6)所示的2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂戊硼烷、下述式(e7)所示的三(三甲基甲硅烷基)硼酸酯、下述式(e8)所示的2，4，6-三甲氧基环硼氧烷、下述式(e9)所示的双(频那醇合)二硼等。
Figure BDA0000045377060000141
其中，从高温下的长期可靠性更优异的理由出发，优选为2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂戊硼烷，三(三甲基甲硅烷基)硼酸酯、2，4，6-三甲氧基环硼氧烷、双(频那醇合)二硼。
(E)成分可以分别单独使用或2种以上组合使用。
从高温下的长期可靠性更优异的理由出发，优选(E)成分的量相对于上述(A)成分100质量份为0.01～5质量份，更优选为0.1～3质量份。
1.6.(F)成分
本发明的有机硅树脂组合物由于含有(F)成分：磷酸酯，因而高温下的长期可靠性优异。
作为磷酸酯，可列举例如，下述式(f2)所示的化合物。
O＝P-(OR6)3        (f2)
式(f2)中，R6各自独立地表示碳原子数1～18的烷基、芳基或甲硅烷基，与上述式(f1)中的R6所示的碳原子数1～18的烷基、芳基或甲硅烷基含义相同。
作为式(f2)中的R6，从对(A)成分的相容性优异的理由出发，优选为碳原子数1～18的烷基，更优选为碳原子数1～6的烷基。
作为磷酸酯，可列举例如，磷酸丙酯、磷酸丁酯、磷酸己酯等单酯；磷酸二丙酯、磷酸二丁酯、磷酸二己酯等二酯；磷酸三乙酯、磷酸三丙酯、磷酸三丁酯、磷酸三己酯、磷酸三(三甲基甲硅烷基)酯等三酯；聚氧化乙烯十二烷基醚磷酸酯等聚氧化乙烯烷基醚磷酸酯；等等。
其中，从高温下的长期可靠性更优异的理由出发，优选为三酯，更优选为磷酸三乙酯、磷酸三(三甲基甲硅烷基)酯。
作为(F)成分，从不易阻碍氢化硅烷化反应的理由出发，优选为磷原子不直接具有孤对电子的正磷酸酯。
(F)成分可以单独使用1种，也可以2种以上合并使用。
从高温下的长期可靠性更优异的理由出发，(F)成分的量(在合并使用上述(E)成分的情况下，(E)成分和(F)成分的合计量)相对于上述(A)成分100质量份优选为0.01～5质量份，更优选为0.1～3质量份。
本发明的有机硅树脂组合物中除了包含(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分、以及(E)成分和/或(F)成分以外，在不破坏本发明的目的和效果的范围内还可以根据需要含有添加剂。
作为添加剂，可列举例如，无机填料、抗氧化剂、润滑剂、紫外线吸收剂、热光稳定剂、分散剂、抗静电剂、阻聚剂、消泡剂、固化促进剂、溶剂、无机荧光体、抗老化剂、自由基抑制剂、粘结增进剂、阻燃剂、表面活性剂、保存稳定性改良剂、抗臭氧老化剂、增稠剂、增塑剂、放射线阻断剂、成核剂、偶联剂、导电剂、磷系过氧化物分解剂、颜料、金属钝化剂、物性调节剂、粘结增进剂、粘结辅助剂。对各种添加剂没有特别限制。可列举例如以往公知的添加剂。
作为粘结增进剂或粘结辅助剂，可列举例如，公知的环氧系硅烷偶联剂、双(烷氧基)烷烃、异氰脲酸酯衍生物等，其中，优选为双(烷氧基)烷烃和/或异氰脲酸酯衍生物。
作为双(烷氧基)烷烃，优选为选自例如1，2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、 1，6-双(三甲氧基甲硅烷基)己烷、1，7-双(三甲氧基甲硅烷基)庚烷、1，8-双(三甲氧基甲硅烷基)辛烷、1，9-双(三甲氧基甲硅烷基)壬烷和1，10-双(三甲氧基甲硅烷基)癸烷中的至少1种，更优选为1，6-双(三甲氧基甲硅烷基)己烷。
作为异氰脲酸酯衍生物，优选为下述式所示的化合物。
Figure BDA0000045377060000161
上述式中，R各自独立地表示有机基团或具有脂肪族不饱和键的一价烃基，可以具有环氧基、环氧丙氧基、烷氧基甲硅烷基、(甲基)丙烯酰基等取代基。
作为上述式中的R所示的有机基团，没有特别限制，可列举例如，甲基、乙基、丙基、丁基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；环戊基、环己基等环烷基；卤代烷基；等等。
此外，作为上述式中的R所示的具有脂肪族不饱和键的一价烃基，没有特别限制，可列举例如，乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基等碳原子数2～8的不饱和烃基。
作为上述式所示的异氰脲酸酯衍生物，可列举例如，三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯。
这些粘结增进剂或粘结辅助剂可以单独使用或2种以上组合使用。
作为无机填料，没有特别限制，可列举不降低光学特性的微粒状无机填料。具体可列举例如，氧化铝、氢氧化铝、熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅、超微粉无定形二氧化硅、疏水性超微粉二氧化硅、滑石、碳酸钙、硫酸钡。
作为无机荧光体，可列举例如，LED中广泛利用的钇、铝、石榴子石系的YAG系荧光体、ZnS系荧光体、Y2O2S系荧光体、红色发光荧光体、蓝色发光荧光体、绿色发光荧光体。
对本发明的有机硅树脂组合物的制造方法没有特别限制。例如可以通过将(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分、优选添加的(E)成分和/或(F)成分、根据需要可以使用的氢化硅烷化反应催化剂、添加剂进行混合来制造。此外，本发明的有机硅树脂组合物可以为单组分型或双组分型。
在本发明的有机硅树脂组合物为双组分型的情况下，可以分成含有(B)成分和(C)成分的第1组分与含有(A)成分和(D)成分的第2组分来制造。可以将(E)成分和/或(F)成分、以及添加剂添加到第1组分和第2组分中的一者或两者中。
从可使用时间的长度适当的观点出发，本发明的有机硅树脂组合物优选为，在将包含除(B)成分以外成分的液体与(B)成分混合后，在23℃的条件下放置24小时后的粘度为5～10,000mPa·s，更优选为5～5000mPa·s。
另外，在本发明中，对将本发明的有机硅树脂组合物混合并在23℃的条件下放置、从混合开始24小时后的组合物，其粘度的测定使用E型粘度计在23℃、湿度为55％的条件下进行。
作为本发明的有机硅树脂组合物的使用方法，可列举例如，在基材(例如，光半导体元件)上涂布本发明的组合物使其固化。
对涂布发明的有机硅树脂组合物使其固化的方法没有特别限制。可列举例如，使用分配器(dispenser)的方法、浇注法、丝网印刷、传递成型、注射成型。
本发明的有机硅树脂组合物可以通过加热来固化。
将本发明的有机硅树脂组合物加热使其固化时的加热温度通常为100℃以上，从固化性更优异的观点出发，优选为120℃以上，更优选为120～200℃，进一步优选为120～180℃。
对本发明的有机硅树脂组合物的用途没有特别限制。可列举例如，电子材料用的密封材料组合物、建筑用密封材料组合物、汽车用密封材料组合物、粘结剂组合物。
作为电子材料，可列举例如，引线框、配线完成的带载(Tape Carrier)、配线板、玻璃、硅晶片等支持部件；光半导体元件；半导体芯片、晶体管、 二极管、晶闸管等有源元件；电容器、电阻体、线圈等无源元件。
此外，本发明的有机硅树脂组合物可以用于例如，显示材料、光记录介质材料、光学设备材料、光部件材料、光纤维材料、光·电子功能有机材料、半导体集成电路周边材料等用途中。
从储存稳定性的观点出发，本发明的有机硅树脂组合物可以是实质上不包含具有硅烷醇基的硅化合物。
此外，本发明的有机硅树脂组合物可以在银的存在下使用。通过在银的存在下使本发明的有机硅树脂组合物固化来制造有机硅树脂，可以防止银的变色(腐蚀)、并可以保持所得有机硅树脂的透明性。
此外，在本发明中，可以按照如下方法来计算分光反射率维持率。
首先，在使用第11族的金属(例如，银)而获得的金属层上涂布厚度为1mm的本发明的有机硅树脂组合物并使其固化，从而形成具有上述金属层和有机硅树脂层的叠层体。
接下来，将上述叠层体在23℃的条件下放置在560ppm的硫化氢气体中，进行耐硫化试验，在上述耐硫化试验前和上述耐硫化试验开始24小时后，使用分光反射率计测定上述叠层体的分光反射率。
然后，将上述分光反射率代入式[分光反射率维持率＝(耐硫化试验后的分光反射率/耐硫化试验前的分光反射率)×100]来计算分光反射率维持率。
在本发明中，从耐硫化性的观点出发，优选分光反射率维持率为80％以上。
2.有机硅树脂
本发明的有机硅树脂是使本发明的有机硅树脂组合物固化而获得的。可以通过使用本发明的有机硅树脂组合物来获得例如耐硫化性优异的有机硅树脂。
以下对固化进行说明。本发明的有机硅树脂可以通过将本发明的有机硅树脂组合物加热使其固化来获得。
在将有机硅树脂组合物通过加热使其固化的情况下，从固化性优异、 可以使固化时间、可使用时间为适当长度、可以抑制发泡、可以抑制有机硅树脂开裂、有机硅树脂的平滑性、成型性、物性优异的观点出发，优选将有机硅树脂组合物在120～180℃(优选为150℃)下固化20小时(优选为12小时)以内的方法。
本发明的有机硅树脂可以作为LED芯片的密封材料使用。对LED芯片的发光色没有特别限制。可列举例如，蓝色、红色、黄色、绿色、白色。LED芯片可以分别单独使用或2种以上组合使用。
3.光半导体元件密封体
以下对本发明的光半导体元件密封体进行说明。本发明的光半导体元件密封体是LED芯片被本发明的有机硅树脂密封而得的。
本发明的光半导体元件密封体中使用的有机硅树脂只要是本发明的有机硅树脂即可，没有特别限制。
对于本发明的光半导体元件密封体，由于使用本发明的有机硅树脂组合物作为有机硅树脂组合物，因而所得的光半导体元件密封体的耐硫化性优异，并且橡胶弹性和可挠性优异。
此外，对本发明的光半导体元件密封体中使用的LED芯片的发光色没有特别限制。例如，使用在本发明的有机硅树脂组合物中含有钇·铝·石榴子石等荧光物质而得的组合物来涂覆蓝色LED芯片，则可以形成白色LED。
此外，在使用红色、绿色和蓝色的LED芯片使发光色为白色的情况下，例如，可以用本发明的有机硅树脂组合物密封各个LED芯片，使用这3色LED芯片的密封体；或可以集合3色LED芯片用本发明的有机硅树脂组合物来密封，从而形成1个光源。
对LED芯片的大小、形状没有特别限制。
对LED芯片的种类没有特别限制，可列举例如，大功率LED、高亮度LED、普通亮度LED、白色LED、蓝色LED。
作为本发明的光半导体元件密封体中使用的光半导体元件，除了LED以外，可列举例如，有机电致发光元件(有机EL)、激光二极管、LED阵列。
作为本发明的光半导体元件密封体中使用的光半导体元件，可以使用例如，光半导体元件通过管芯接合(die bonding)被粘结在引线框等基板上，通过芯片接合(chip bonding)、线接合(wire bonding)、无线接合(wireless bonding)等与基板等连接的状态的光半导体元件。
本发明的光半导体元件密封体中使用的固化物只要可密封光半导体元件即可。作为本发明的光半导体元件密封体，可列举例如，固化物直接密封光半导体元件的情况、为炮弹型的情况、为表面安装型的情况、填充多种光半导体元件密封体之间的情况。
作为本发明的光半导体元件密封体的制造方法，可列举具有如下工序的方法：在LED芯片上涂布本发明的有机硅树脂组合物的涂布工序；将涂布了上述有机硅树脂组合物的LED芯片加热，使上述有机硅树脂组合物固化而形成固化物，并且使上述锌化合物渗出到上述固化物表面的固化工序。
在涂布工序中，在LED芯片上涂布本发明的有机硅树脂组合物，来获得涂布了上述有机硅树脂组合物的LED芯片。在涂布工序中使用的LED芯片与上述含义相同。对涂布的方法没有特别限制。可列举例如，浇注法、传递成型、注射成型、丝网印刷法。
接下来，在固化工序中，将涂布了上述有机硅树脂组合物的LED芯片加热，使上述有机硅树脂组合物固化来获得固化物。此处，加热上述有机硅树脂组合物的温度与制造本发明的有机硅树脂的工序中所示温度的含义相同。
以下使用附图对本发明的光半导体元件密封体进行说明。另外，本发明的光半导体元件密封体不限于附图。
图1是示意性示出本发明的一例光半导体元件密封体的俯视图，图2是示意性示出图1所示的光半导体元件密封体的A-A剖面的剖面图。
在图1中，600是本发明的光半导体元件密封体，光半导体元件密封体600具备LED芯片601和用于密封LED芯片601的有机硅树脂603。本发明的组合物可用于有机硅树脂603。另外，在图1中，省略了引线、线、基板609。
在图2中，LED芯片601通过例如粘结剂、焊料(图中未示出)接合于基板609。作为基板，可列举例如陶瓷、多层陶瓷、多层印刷、引线框。另外，在图2中，省略了线。此外，在基板609上设置有银膜602作为含银的部件。银膜602通过例如镀敷而在基板609上成膜。虽然在图2所示的光半导体元件密封体中，显示了银膜602与有机硅树脂603接触的例子，但是也可以不与有机硅树脂603接触。例如，可以在设置在银膜602上的其它层(图中未示出)上配置有机硅树脂。
此外，图2中的T表示有机硅树脂603的厚度。即，T是从LED芯片601的表面上的任意点605、沿着相对于点605所属的面607垂直的方向测定有机硅树脂603的厚度时得到的值。
从确保透明性、密闭性优异的观点出发，本发明的光半导体元件密封体的厚度(图2中的T)优选为0.1mm以上，更优选为0.5～1mm。
以下使用附图对使用白色LED作为本发明的一例光半导体元件密封体的情况进行说明。图3是示意性示出本发明的光半导体元件密封体的剖面图。图4是示意性示出本发明的光半导体元件密封体的剖面图。另外，本发明的光半导体元件密封体不限于附图。
在图3中，白色LED200在基板210上具有陶瓷的封装204。封装204在内部设置有靠下一段的空腔(图中未示出)。在空腔内配置有蓝色LED芯片203和有机硅树脂202。有机硅树脂202是使本发明的有机硅树脂组合物固化而得的，可以含有铈活化的钇·铝·石榴子石作为荧光物质。
蓝色LED芯片203被安装部件201固定在基板210上。蓝色LED芯片203的各电极(图中未示出)与设置在封装204上的外部电极209通过导电性线207进行线接合。
在封装204的空腔(图中未示出)中，可以用本发明的有机硅树脂组合物填充直至斜线部206。在用本发明的有机硅树脂组合物填充直至斜线部206的情况下，有机硅树脂202与斜线部206合并。如图3所示，有机硅树脂202可以以1层密封LED芯片。
在图4中，白色LED300，在具有灯功能的有机硅树脂306的内部具 有基板310、蓝色LED芯片303和内引线305。在基板310中，头部设置有靠下一段的空腔(图中未示出)。在空腔内配置有蓝色LED芯片303和有机硅树脂302。有机硅树脂302是使本发明的有机硅树脂组合物固化而得的，可以含有铈活化的钇·铝·石榴子石作为荧光物质。此外，可以使用本发明的有机硅树脂组合物形成有机硅树脂306。
蓝色LED芯片303被安装部件301固定在基板310上。蓝色LED芯片303的各电极(图中未示出)与基板310和内引线305分别通过导电性线307进行线接合。
另外，在图3、图4中，以蓝色LED芯片来说明LED芯片，但是可以在空腔内配置红色、绿色和蓝色这3色LED芯片。使用本发明的有机硅树脂组合物通过例如浇注法来密封有机硅树脂202、302的部分，从而可以制成光半导体元件密封体。
本发明的光半导体元件密封体，除了使用本发明的有机硅树脂(本发明的有机硅树脂的原料是本发明的有机硅树脂组合物)作为有机硅树脂以外，对其制造方法没有特别限制。可列举例如，以往公知的方法。此外，制造本发明的光半导体元件密封体时的加热温度，从可以发挥优异的固化性的观点出发，优选与使本发明的有机硅树脂组合物固化时的加热温度相同。
使用附图对将本发明的光半导体元件密封体用于LED显示器的情况进行说明。图5是示意性示出使用了本发明的光半导体元件密封体的一例LED显示器的图。图6是使用了图5所示LED显示器的LED显示装置的框图。另外，使用了本发明的光半导体元件密封体的LED显示器、LED显示装置不限于附图。
在图5中，LED显示器400构成为：在壳体404的内部矩阵状地配置白色LED401，用填充剂406固定白色LED401，遮光部件405配置于壳体404的一部分。本发明的有机硅树脂组合物可以作为填充剂406使用。
在图6中，LED显示装置500具备使用白色LED密封体的LED显示器501。LED显示器501与作为驱动电路的点灯电路等进行电连接。可以通过来自驱动电路的输出脉冲来制成可显示各种图像的显示器等。作为驱 动电路，具备：暂时存储输入的显示数据的RAM(Random、Access、Memory)504、由存储在RAM504中的数据来演算用于使各个白色LED点灯至规定亮度的灰度等级信号的灰度等级控制电路(CPU)503、被灰度等级控制电路(CPU)503的输出信号切换而使白色LED点灯的驱动器502。灰度等级控制电路(CPU)503由存储在RAM504中的数据来演算白色LED的点灯时间，并输出脉冲信号。另外，本发明的光半导体元件密封体可以彩色显示，可以在LED显示器和/或LED显示装置中使用。
作为本发明的光半导体元件密封体的用途，可列举例如，汽车用灯(头灯、尾灯、方向灯等)、家庭用照明器具、工业用照明器具、舞台用照明器具、显示器、信号、投影机。
4.实施例
以下，显示实施例来具体说明本发明。然而，本发明不限于这些实施例。
4.1.评价
如下所示，对透射率、耐热着色稳定性、耐硫化性、固化状态、粘结性和高温下的长期可靠性进行评价。结果示于第1表。
4.1.1.透射率评价试验
在透射率评价试验中，对于使由如下方式获得的有机硅树脂组合物在150℃的条件下固化12小时而获得的初始固化物、和耐热试验(再将初始固化物在150℃的条件下加热10天的试验)后的固化物(厚度都为2mm)，分别使用紫外·可见吸收光谱测定装置(岛津制作所社制)按照JIS K0115：2004测定波长400nm下的透射率。此外，通过下述计算式求出耐热试验后的透射率相对于初始透射率的保持率。
透射率保持率(％)＝(耐热试验后的透射率)/(初始透射率)×100
4.1.2.耐热着色稳定性评价试验
对于使由如下方式获得的有机硅树脂组合物在150℃的条件下固化4小时而获得的初始固化物、和耐热试验(将初始固化物在150℃的条件下加热10天的试验)后的固化物(厚度都是2mm)，目视观察耐热试验后的固化 物与初始固化物相比是否变黄。
4.1.3.耐硫化性
固化样品制作：在镀银上涂布各实施例和比较例的有机硅树脂组合物，使其厚度为1mm左右，在150℃下加热3小时使其固化，从而制作叠层体(也称为“固化样品”)。
耐硫化试验：在10L的干燥器的底部放置10g左右(相对于0.5毫摩尔盐酸大量过剩)粉碎成粉状的硫化铁，在该硫化铁的上方，在干燥器内以不与硫化铁接触的方式安装滤盘(具有贯通孔)，在该滤盘上放置固化样品。接下来，通过在大量过剩的硫化铁中滴加0.5毫摩尔盐酸而产生0.25毫摩尔的硫化氢(浓度的理论值：560ppm)(反应式：FeS+2HCl→FeCl2+H2S)。
接下来，如下所述，进行分光反射率的测定，计算分光反射率维持率。
分光反射率的测定：在上述耐硫化试验前和上述耐硫化试验开始(开始产生硫化氢)24小时后，使用分光反射率计(ウシオ电机社制的URE-30)在475nm的条件下测定上述叠层体的分光反射率。
评价方法：将所得的耐硫化试验后的分光反射率和耐硫化试验前的分光反射率代入式[分光反射率维持率＝(耐硫化试验后的分光反射率/耐硫化试验前的分光反射率)×100]来计算分光反射率维持率。
在第1表中，将计算得到的分光反射率维持率为80％以上的情况作为耐硫化性优异而评价为“○”，将小于80％的情况作为耐硫化性差而评价为“×”。
进而，每隔1小时目视确认银的变色。在第1表中，将通过目视未确认变色的情况记为“○”，将通过目视确认了变色的情况记为“×”。
4.1.4.粘结性
将由如下方式获得的有机硅树脂组合物倒入LED用封装(エノモト社制)中，在150℃、3小时的条件下使其固化，从而获得了评价用样品。
接下来，对于所得的评价用样品，目视确认固化物是否剥离，在未确认剥离的情况下，使用刮刀来评价固化物的粘结性。
将目视未确认固化物剥离的情况作为粘结性稍微优异而评价为“△”， 将即使进而使用刮刀固化物也不容易剥离的情况作为粘结性优异而评价为“○”，将使用刮刀剥离时会伴随固化物凝聚破坏的情况作为粘结性更优异而评价为“◎”。
与此相对，将目视确认了固化物剥离的情况或通过使用刮刀而容易剥离固化物的情况作为粘结性差而评价为“×”。
4.1.5.高温下的长期可靠性
将由下述方式获得的有机硅树脂组合物倒入LED用封装(エノモト社制)中，在150℃、3小时的条件下使其固化，从而获得评价用样品。接下来，将所得的评价用样品在150℃的条件下暴露500小时，然后，目视确认固化物是否开裂、剥离，在未确认剥离的情况下，使用刮刀来评价固化物的粘结性。
将目视未确认裂缝、剥离的情况作为高温下的长期可靠性稍微优异而评价为“△”，此外将即使使用刮刀固化物也不容易剥离的情况作为高温下的长期可靠性优异而评价为“○”，将在使用刮刀使其剥离时伴随固化物凝聚破坏的情况作为高温下的长期可靠性更优异而评价为“◎”。
与此相对，将目视确认了裂缝、剥离的情况作为高温下的长期可靠性差而评价为“×”。
4.2.样品的制作(用于评价透射率、耐热着色稳定性和固化状态)
以下使用附图对样品的制作进行说明。
图7是示意性示出实施例中为了使本发明的有机硅树脂组合物固化而使用的模具的剖面图。
在图7中，模具8为，在玻璃3(玻璃3的大小是，长为10cm、宽为10cm、厚度为4mm)上配置有PET膜5，在PET膜5上配置有硅模具的衬垫1(长为5cm、宽为5cm、高为2mm)的模具8。
使用模具8在衬垫1的内部6中倒入组合物6，如下进行样品的固化。
将填充了组合物6的模具8放入电烘箱中，在上述评价条件下加热使组合物6固化，从而制造了厚度为2mm的固化物6(初始固化物)。使用所得的固化物6作为用于评价透射率、耐热着色稳定性和固化状态的样品。
4.3.有机硅树脂组合物的制造
使用真空搅拌机将下述第1表所示成分按照同表所示量(单位：质量份)均匀地混合来制造有机硅树脂组合物。
第1表的实施例1～8的组合物中含有(D)成分。实施例9～21的组合物中含有(E)成分和/或(F)成分。另一方面，第1表的比较例1～6和9的组合物中不含有(D)成分。此外，第1表的比较例7和8的组合物，(D)成分的含量相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份在0.1～5质量份的范围之外。在比较例1中，除了不含有(D)成分以外，含有与实施例1同样的成分；在比较例2～6中，分别含有铝化合物、镁化合物、铁化合物、钴化合物或锰化合物代替(D)成分。比较例9是使用了环氧树脂的例子。
表1
Figure BDA0000045377060000261
Figure BDA0000045377060000271
Figure BDA0000045377060000272
表4
Figure BDA0000045377060000281
第1表所示的各成分如下所述。
·(A)(B)(C)混合物：作为主剂的乙烯基聚硅氧烷((A)成分)与作为交联剂的含氢聚硅氧烷((B)成分)的混合液(A液)、与、乙烯基聚硅氧烷((B)成分)与氢化硅烷化反应催化剂((C)成分)的混合液(B液：CAT-RG)的混合物(商品名KE106，CATRAG信越化学工业社制)
·(A)聚硅氧烷2：两末端被乙烯基封端的二甲基聚硅氧烷(商品名：DMS-V31，Gelest社制)
·(B)聚硅氧烷交联剂2：含氢聚硅氧烷(商品名：KF-9901，信越化学社制)
·(C)氢化硅烷化反应催化剂2：铂-环乙烯基甲基硅氧烷络合物(商品名：SIP6832.2，Gelest社制)
·环氧树脂：双酚A二缩水甘油醚环氧液体树脂(商品名：EP4100，东都化成制)
·(D)锌化合物1：双乙酰丙酮锌，关东化学制
·(D)锌化合物2：双(2-乙基己酸)锌，ホ一プ制药制
·铝化合物：乙酸乙基铝二异丙酯(Ethyl acetate aluminum diisopropylate)(商品名：AL-CH，川研フアインケミカル社制)
·镁化合物：双(2-乙基己酸)镁(商品名：ニツカオクチツクスマグネシウム，日本化学产业社制)
·铁化合物：乙酰丙酮铁(III)(Gelest社制)
·钴化合物：乙酰丙酮钴(III)(マツモト交商社制)
·锰化合物：乙酰丙酮锰(III)(东京化成工业社制)
·阳离子聚合催化剂：BF3·Et2O(BF3乙醚络合物，东京化成工业社制)
·粘结增进剂1：环氧硅烷低聚物(商品名：X-41-1053，信越化学工业社制)
·粘结增进剂2：1，6-双(三甲氧基甲硅烷基)己烷(商品名：Z-6830，東レ·ダウコ一ニング社制)
·粘结增进剂3：三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯(商品名：X-12-965，信越化学工业社制)
·(E)硼化合物1：2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂戊硼烷(东京化成工业社制)
·(E)硼化合物2：三(三甲基甲硅烷基)硼酸酯(东京化成工业社制)
·(E)硼化合物3：2，4，6-三甲氧基环硼氧烷(东京化成工业社制)
·(E)硼化合物4：双(频那醇合)二硼(东京化成工业社制)
·(E)硼化合物5：三氟化硼乙醚(东京化成工业社制)
·(F)磷酸酯1：磷酸三乙酯(东京化成工业)
·(F)磷酸酯2：磷酸三(三甲基甲硅烷基)酯(Gelest社制)
4.4.结果
由第1表所示结果明确了，使用不含有(D)成分、或相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份、(D)成分的含量小于0.1质量份的比较例1和8的组合物而获得的固化物的耐硫化性较差。此外，使用相对于(A)成分和(B)成分的合计100质量份、(D)成分的含量大于5质量份的比较例7的组合物而获得的固化物发生白浊。此外，使用了分别使用了铝化合物或镁化合物 代替(D)成分的比较例2和3的组合物而获得的固化物的耐硫化性较差，此外，使用了分别使用了铁化合物、钴化合物或锰化合物代替(D)成分的比较例4～6的组合物而获得的固化物发生着色，不适合作为密封材料(各化合物本身会着色)。此外，使用含有环氧树脂的比较例9的组合物而获得的固化物发生着色而透射率差。
与此相对，使用实施例1～7的组合物而获得的固化物的耐硫化性优异，而且透射率和透射率保持率较高，因此可以保持透明性，混合后的增稠较低，并且储存稳定性优异。
此外，由第1表所示结果可知，含有(E)成分和/或(F)成分的实施例9～21与不含有(E)成分和/或(F)成分的实施例1～8相比，高温下的长期可靠性更优异。
附图标记说明
1  衬垫
3  玻璃
5  PET膜
6  有机硅树脂组合物(固化后变成有机硅树脂6、固化物6)
8  模具
10 表面
12 背面
14 覆膜
16 边界
18 有机硅树脂部分
200、300 白色LED
201、301 安装部件
202、302 有机硅树脂
203、303 蓝色LED芯片
204 封装
206  斜线部
306  有机硅树脂
207、307  导电性线
209  外部电极
210、310  基板
305  内引线
400、501  LED显示器
401  白色LED
404  壳体
405  遮光部件
406  填充剂
500  LED显示装置
501  LED显示器
502  驱动器
503  灰度等级控制单元(CPU)
504  图像数据存储单元(RAM)
600  本发明的光半导体元件密封体
601  LED芯片
602  银膜
603  有机硅树脂
605  点
607  点605所属的面
609  基板
611  斜线部
T  有机硅树脂603的厚度

Claims (14)

1.一种有机硅树脂组合物，其包含：
(A)成分：具有至少2个与硅原子结合了的链烯基的聚硅氧烷，
(B)成分：具有至少2个由硅原子与氢原子结合而成的SiH基的聚硅氧烷交联剂，
(C)成分：氢化硅烷化反应催化剂，
(D)成分：锌化合物，
相对于所述(A)成分和所述(B)成分的合计100质量份，含有0.1～5质量份的所述(D)成分。
2.根据权利要求1所述的有机硅树脂组合物，其实质上不包含具有硅烷醇基的硅化合物。
3.根据权利要求1或2所述的有机硅树脂组合物，其中，所述(D)成分是含有锌的络合物和/或金属盐。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的有机硅树脂组合物，其中，所述链烯基是乙烯基或(甲基)丙烯酰基。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的有机硅树脂组合物，其用于密封光半导体元件。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的有机硅树脂组合物，其在银的存在下使用。
7.根据权利要求1～6的任一项所述的有机硅树脂组合物，其中，还包含(E)成分：硼化合物和/或(F)成分：磷酸酯。
8.根据权利要求1～7的任一项所述的有机硅树脂组合物，其中，还包含双(烷氧基)烷烃和/或异氰脲酸酯衍生物。
9.根据权利要求1～8的任一项所述的有机硅树脂组合物，
在使用第11族的金属而获得的金属层上涂布厚度为1mm的所述有机硅树脂组合物并使其固化，从而形成具有所述金属层和有机硅树脂层的叠层体，
将所述叠层体在23℃的条件下放置在560ppm的硫化氢气体中，进行耐硫化试验，在所述耐硫化试验前和所述耐硫化试验开始24小时后，使用分光反射率计测定所述叠层体的分光反射率，将所述分光反射率代入式[分光反射率维持率＝(耐硫化试验后的分光反射率/耐硫化试验前的分光反射率)×100]而计算得到的分光反射率维持率为80％以上。
10.一种有机硅树脂，其是通过使权利要求1～9的任一项所述的有机硅树脂组合物固化而获得的。
11.一种含有有机硅树脂的结构体，其包含权利要求10所述的有机硅树脂和含银的部件。
12.一种光半导体元件密封体，其中，LED芯片被权利要求10所述的有机硅树脂密封。
13.根据权利要求12所述的光半导体元件密封体，其还含有含银的部件。
14.一种有机硅树脂组合物的使用方法，其包括以下工序：在银的存在下使权利要求1～8的任一项所述的有机硅树脂组合物固化。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103509347A (zh) * 2012-06-21 2014-01-15 日东电工株式会社 有机硅树脂组合物、半固化体片、有机硅固化体的制造方法、发光二极管装置及其制造方法
TWI460890B (zh) * 2011-11-21 2014-11-11 Advanced Optoelectronic Tech 可撓式發光二極體封裝結構及其製造方法
CN104169368A (zh) * 2012-11-09 2014-11-26 住友精化株式会社 有机硅树脂组合物、有机硅树脂固化物和光学半导体元件封装体
CN104871040A (zh) * 2012-12-20 2015-08-26 皇家飞利浦有限公司 保护性组合物
CN104974662A (zh) * 2015-04-16 2015-10-14 杭州师范大学 一种有机硅成膜剂及其制备方法与应用
CN106574118A (zh) * 2014-07-24 2017-04-19 中央硝子株式会社 固化性有机硅树脂组合物和其固化物，以及使用它们的光半导体装置
US9783717B2 (en) 2013-08-19 2017-10-10 Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. Addition-curable silicone resin composition, addition-curable silicone resin cured product, and sealed optical semiconductor element
US9963552B2 (en) 2013-08-20 2018-05-08 Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. Condensation-curable silicone resin composition, condensation-curable silicone resin cured product, and sealed optical semiconductor element
CN108368342A (zh) * 2016-01-08 2018-08-03 株式会社大赛璐 固化性有机硅树脂组合物及其固化物、以及光半导体装置
CN109153787A (zh) * 2016-08-31 2019-01-04 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 聚硅氧烷、半导体用材料、半导体及太阳能电池制备方法
CN110832010A (zh) * 2017-07-10 2020-02-21 美国陶氏有机硅公司 可固化有机硅组合物和光学半导体器件
CN112011243A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 信越化学工业株式会社 底涂剂组合物及使用了该底涂剂组合物的光学半导体装置
CN112789323A (zh) * 2018-10-02 2021-05-11 昭和电工材料株式会社 树脂组合物、固化物及半导体器件
TWI814802B (zh) * 2018-04-24 2023-09-11 美商陶氏有機矽公司 正型可光圖案化之聚矽氧及用於產生圖案化聚矽氧層之方法
CN117603646A (zh) * 2023-09-04 2024-02-27 浙江科峰有机硅股份有限公司 一种基于特殊粉体处理技术的电子灌封胶及其制备方法
US11981776B2 (en) 2018-10-18 2024-05-14 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition and cured product thereof, layered product and production method therefor, and optical device or optical display

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220002594A1 (en) * 2018-10-18 2022-01-06 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition and cured product thereof, layered product and production method therefor, and optical device or optical display

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1553937A (zh) * 2000-09-25 2004-12-08 GE�ݶ���ɷ����޹�˾ 硅橡胶配剂及其应用

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1553937A (zh) * 2000-09-25 2004-12-08 GE�ݶ���ɷ����޹�˾ 硅橡胶配剂及其应用

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI460890B (zh) * 2011-11-21 2014-11-11 Advanced Optoelectronic Tech 可撓式發光二極體封裝結構及其製造方法
CN103509347A (zh) * 2012-06-21 2014-01-15 日东电工株式会社 有机硅树脂组合物、半固化体片、有机硅固化体的制造方法、发光二极管装置及其制造方法
CN104169368A (zh) * 2012-11-09 2014-11-26 住友精化株式会社 有机硅树脂组合物、有机硅树脂固化物和光学半导体元件封装体
US9181400B2 (en) 2012-11-09 2015-11-10 Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. Silicone resin composition, cured silicone resin, and sealed optical semiconductor element
CN104871040A (zh) * 2012-12-20 2015-08-26 皇家飞利浦有限公司 保护性组合物
CN104871040B (zh) * 2012-12-20 2020-02-21 飞利浦照明控股有限公司 保护性组合物
US9783717B2 (en) 2013-08-19 2017-10-10 Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. Addition-curable silicone resin composition, addition-curable silicone resin cured product, and sealed optical semiconductor element
US9963552B2 (en) 2013-08-20 2018-05-08 Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. Condensation-curable silicone resin composition, condensation-curable silicone resin cured product, and sealed optical semiconductor element
CN106574118A (zh) * 2014-07-24 2017-04-19 中央硝子株式会社 固化性有机硅树脂组合物和其固化物，以及使用它们的光半导体装置
CN104974662A (zh) * 2015-04-16 2015-10-14 杭州师范大学 一种有机硅成膜剂及其制备方法与应用
CN108368342A (zh) * 2016-01-08 2018-08-03 株式会社大赛璐 固化性有机硅树脂组合物及其固化物、以及光半导体装置
CN108368342B (zh) * 2016-01-08 2021-07-02 日亚化学工业株式会社 固化性有机硅树脂组合物及其固化物、以及光半导体装置
CN109153787A (zh) * 2016-08-31 2019-01-04 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 聚硅氧烷、半导体用材料、半导体及太阳能电池制备方法
CN109153787B (zh) * 2016-08-31 2021-07-30 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 聚硅氧烷、半导体用材料、半导体及太阳能电池制备方法
CN110832010A (zh) * 2017-07-10 2020-02-21 美国陶氏有机硅公司 可固化有机硅组合物和光学半导体器件
US11787943B2 (en) 2017-07-10 2023-10-17 Dow Silicones Corporation Curable silicone composition and optical semiconductor device
TWI814802B (zh) * 2018-04-24 2023-09-11 美商陶氏有機矽公司 正型可光圖案化之聚矽氧及用於產生圖案化聚矽氧層之方法
CN112789323A (zh) * 2018-10-02 2021-05-11 昭和电工材料株式会社 树脂组合物、固化物及半导体器件
CN112789323B (zh) * 2018-10-02 2024-02-02 株式会社力森诺科 树脂组合物、固化物及半导体器件
US11981776B2 (en) 2018-10-18 2024-05-14 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition and cured product thereof, layered product and production method therefor, and optical device or optical display
CN112011243A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 信越化学工业株式会社 底涂剂组合物及使用了该底涂剂组合物的光学半导体装置
CN112011243B (zh) * 2019-05-31 2022-11-11 信越化学工业株式会社 底涂剂组合物及使用了该底涂剂组合物的光学半导体装置
CN117603646A (zh) * 2023-09-04 2024-02-27 浙江科峰有机硅股份有限公司 一种基于特殊粉体处理技术的电子灌封胶及其制备方法
CN117603646B (zh) * 2023-09-04 2024-08-06 浙江科峰有机硅股份有限公司 一种基于粉体处理技术的电子灌封胶及其制备方法

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