CN102163697A

CN102163697A - 发光元件,发光器件,和电子设备

Info

Publication number: CN102163697A
Application number: CN2011100648985A
Authority: CN
Inventors: 岩城裕司; 坂田淳一郎; 池田寿雄; 青山智哉; 永田贵章; 川上贵洋; 濑尾哲史; 野村亮二
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-07-25
Filing date: 2006-07-19
Publication date: 2011-08-24
Anticipated expiration: 2026-07-19
Also published as: EP1911079A4; JP2014239253A; JP2012099830A; US8227982B2; WO2007013478A1; CN101263616B; CN102163697B; CN101263616A; JP5820516B2; EP1911079A1; JP2009224804A; JP5025691B2; JP5645804B2; US20120286256A1; JP2013179366A; KR101262068B1; US9224968B2; KR20080032227A; US20090230847A1

Abstract

本发明的目的是，提供具有高发光效率的发光元件，和低电压驱动的发光元件。本发明的另一目的是，通过采用该发光元件提供具有低能耗的发光器件。本发明的另一目的是，通过在显示部分中采用该发光器件提供具有低能耗的电子设备。发光元件包括，在一对电极之间，含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层和含有第二有机化合物的、与含有复合材料的层相接触的层，其中如果将第二有机化合物与无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。

Description

发光元件,发光器件,和电子设备

本申请是以下申请的分案申请：申请日：2006年7月19日；申请号：200680027259.9(PCT/JP2006/314710)；发明名称：“发光元件，发光器件，和电子设备”。

技术领域

本发明涉及电流激发型发光元件。另外，本发明涉及具有该发光元件的发光器件和电子设备。

背景技术

近年来，对采用具有发光性能的有机化合物的发光元件广泛地进行了研究和开发。在这种发光元件的基本结构中，将含有具备发光性能的有机化合物的层嵌入一对电极之间。通过将电压施加到该元件上，将电子和空穴从这对电极分别注入含有具备发光性能的有机化合物的层中；由此，电流流动。随后，通过那些载流子(电子和空穴)的重组，具有发光性能的有机化合物形成激发态且在该激发态回到基态时发出光线。由于这种机理，这种发光元件被称作电流激发型发光元件。

有机化合物的激发态包括单线激发态和三线激发态，且从单线激发态发光被称作荧光和从三线激发态发光被称作磷光。

这种发光元件通常可以通过使用厚度为约0.1微米的有机薄膜来制备；由此，该发光元件具有薄和重量轻的优点。另外，由于从载流子注入直到发光需要约1毫秒或更短，极快速的响应也是其优点之一。由于这些优点，认为发光元件优选作为平板显示元件。

由于将发光元件形成膜状，可以通过形成大尺寸元件容易地获得表面发光。这点是在白炽灯和LED所代表的点光源或者荧光灯所代表的线光源中难以获得的特征。由此，该发光元件也有效地用作可应用到照明等的表面光源。

在将结合到最近迅速开发的各种信息处理设备中的显示器中，存在特别是对更低能耗的需求，且已尝试降低发光元件的驱动电压以满足这种需求。

例如，依据参照文献1(日本专利申请公开文本No.2005-123095)，通过采用其中将氧化钒和α-NPD共蒸发的层，获得了降低驱动电压的效果。

但是，其中将氧化钒和α-NPD共蒸发的层在400～800nm(其为可见范围)中存在吸收光谱的峰值。特别地，该层在约150～500nm(其为蓝色区域)中具有高的吸收峰。由此，从发光器件中发出的光在其中将氧化钒和α-NPD共蒸发的层中被吸收，导致发光的外部提取效率降低的问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是，提供具有高发光效率的发光元件。另外，本发明的目的是，提供具有低驱动电压的发光元件。另外，本发明的目的是，提供具有低能耗的发光器件，通过使用该发光元件制备该发光器件。另外，本发明的目的是，提供具有低能耗的电子设备，通过在显示部分中使用该反应器件。

本发明者深入研究之后发现，通过采用有机化合物和无机化合物的复合材料，可以实现这些目的。

依据本发明的发光元件包括含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层；和含第二有机化合物的层，提供该层使得其与含有复合材料的层接触，其中将含有复合材料的层和含有第二有机化合物的层提供在一对电极之间，且其中如果将第二有机化合物与无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。

依据本发明的发光元件包括含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含第二有机化合物的层，提供该层使得其与含有复合材料的层接触；和含发光物质的发光层，其中将含复合材料的层、含第二有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中如果将第二有机化合物与无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光层发光。

依据本发明的发光元件包括含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含第二有机化合物的层，提供该层使得其与含有复合材料的层接触；和含发光物质的发光层，其中将含复合材料的层、含第二有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中是供含复合材料的层使得其与第一电极接触，其中如果将第二有机化合物与无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光物质发光。

依据本发明的发光元件包括多层体，其中堆叠含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层和含第二有机化合物的层，提供该层使得其与含复合材料的层接触，其中将该多层体提供在一对电极之间，且其中该多层体在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。

依据本发明的发光元件包括多层体，堆叠含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层和含第二有机化合物的层，提供该层使得其与含复合材料的层接触，其中将该多层体提供在一对电极之间，其中当复合材料的厚度为100nm时该复合材料在450～800nm波长范围内的透射率为80％或更大，且其中当第二有机化合物和无机化合物的复合材料的厚度为100nm时该第二有机化合物和无机化合物的复合材料在450～800nm波长范围内的透射率为80％或更大。

依据本发明的发光元件包括多层体，堆叠含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层和含第二有机化合物的层，提供该层使得其与含复合材料的层接触，其中将该多层体提供在一对电极之间，其中该复合材料在450～800nm波长范围内的吸收率满足式(1)，且其中该第二有机化合物和无机化合物的复合材料在450～800nm波长范围内的吸收率满足式(1)。

A≤9.7×10^-4×1……(1)

A：吸收率

l：厚度(nm)

依据本发明的发光元件包括含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含有第二有机化合物的层，提供该层使其与含复合材料的层接触；和含发光物质的发光层，其中将含复合材料的层、含第二有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中将含复合材料的层和含第二有机化合物的层堆叠在其中的多层体，在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光物质发光。

依据本发明的发光元件包括含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含有第二有机化合物的层，提供该层使其与含复合材料的层接触；和含发光物质的发光层，其中将含复合材料的层、含第二有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中当复合材料的厚度为100nm时该复合材料在450～800nm波长范围内的透射率为80％或更大，其中当第二有机化合物和无机化合物的复合材料的厚度为100nm时该第二有机化合物和无机化合物的复合材料在450～800nm波长范围内的透射率为80％或更大，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光物质发光。

依据本发明的发光元件包括含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含有第二有机化合物的层，提供该层使其与含复合材料的层接触；和含发光物质的发光层，其中将含复合材料的层、含第二有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中提供含复合材料的层使得其与第一电极接触，其中将含复合材料的层和含第二有机化合物的层堆叠在其中的多层体，在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光物质发光。

依据本发明的发光元件包括含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含有第二有机化合物的层，提供该层使其与含复合材料的层接触；和含发光物质的发光层，其中将含复合材料的层、含第二有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中提供含复合材料的层使得其与第一电极接触，其中当复合材料的厚度为100nm时该复合材料在450～800nm波长范围内的透射率为80％或更大，其中当第二有机化合物和无机化合物的复合材料的厚度为100nm时该第二有机化合物和无机化合物的复合材料在450～800nm波长范围内的透射率为80％或更大，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光物质发光。

依据本发明的发光元件包括含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含有第二有机化合物的层，提供该层使其与含复合材料的层接触；和含发光物质的发光层，其中将含复合材料的层、含第二有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中提供含复合材料的层使得其与第一电极接触，其中该复合材料在450～800nm波长范围内的吸收率满足式(1)，其中该第二有机化合物和无机化合物的复合材料在450～800nm波长范围内的吸收率满足式(1)，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光物质发光。

A≤9.7×10^-4×1……(1)

A：吸收率

l：厚度(nm)

在上述结构中，该第一有机化合物优选为芳烃。特别地，该第一有机化合物优选为蒽衍生物。

依据本发明的发光元件包括多层体，将含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层与含有第二有机化合物的层堆叠在其中，提供该层使其与含复合材料的层接触，其中将该多层体提供在一对电极之间，且其中该第一有机化合物为芳烃。

依据本发明的发光元件包括多层体，将含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层与含有第二有机化合物的层堆叠在其中，提供该层使其与含复合材料的层接触，其中将该多层体提供在一对电极之间，且其中该第一有机化合物为蒽衍生物。

在上述结构中，该第二有机化合物的电离电位优选地比第一有机化合物高0.5eV或更小，更优选0.3eV或更小，且更加预选0.1eV或更小。换句话说，优选地满足下式，其中Ip(1)为第一有机化合物的电离电位且Ip(2)为第二有机化合物的电离电位。

Ip(2)≤Ip(1)+0.5eV

更优选地，满足下式。

Ip(2)≤Ip(1)+0.3eV

更加优选地，满足下式。

Ip(2)≤Ip(1)+0.1eV

在上述结构中，第二有机化合物优选地为芳烃或咔唑衍生物。特别地，该第二有机化合物优选为蒽衍生物。

在上述结构中，该含第二有机化合物的层的厚度优选为1～20nm。

在上述结构中，该无机化合物优选地对于第一有机化合物具有受电子性能。

另外，该无机化合物优选为过渡金属的氧化物。特别地，该无机化合物优选为属于周期表第4族～第8族中任一族的金属的氧化物。更优选地该无机化合物为氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、和氧化铼的任一种。

依据本发明的发光元件包括含有机化台物和无机化合物的复合材料的层；和含有机化合物的层，提供该层使得其与含复合材料的层接触，其中将该含复合材料的层和含有机化合物的层提供在一对电极之间，且其中该复合材料在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。

依据本发明的发光元件包括含有机化合物和无机化合物的复合材料的层；和含有机化合物的层，提供该层使得其与含复合材料的层接触，其中将该含复合材料的层和含有机化合物的层提供在一对电极之间，且其中在复合材料的厚度为100nm时该复合材料在450～800nm的波长范围内的透射率为80％或更大。

依据本发明的发光元件包括含有机化合物和无机化合物的复合材料的层；和含有机化合物的层，提供该层使得其与含复合材料的层接触，其中将该含复合材料的层和含有机化合物的层提供在一对电极之间，且其中该复合材料在450～800nm的波长范围内的吸收率满足式(1)。

A≤9.7×10^-4×1……(1)

A：吸收率

l：厚度(nm)

依据本发明的发光元件包括含有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含有机化合物的层，提供该层使得其与含复合材料的层接触；和含发光物质的发光层；其中将含复合材料的层、含有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中该复合材料在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光物质发光。

依据本发明的发光元件包括含有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含有机化合物的层，提供该层使得其与含复合材料的层接触；和含发光物质的发光层；其中将含复合材料的层、含有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中当复合材料的厚度为100nm时该复合材料在450～800nm波长范围内的透射率为80％或更大，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光物质发光。

依据本发明的发光元件包括含有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含有机化合物的层，提供该层使得其与含复合材料的层接触；和含发光物质的发光层，其中将含复合材料的层、含有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中提供该含复合材料的层使得其与第一电极接触，其中当复合材料的厚度为100nm时该复合材料在450～800nm波长范围内的透射率为80％或更大，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光物质发光。

依据本发明的发光元件包括含有机化合物和无机化合物的复合材料的层；含有机化合物的层，提供该层使得其与含复合材料的层接触；和含发光物质的发光层；其中将含复合材料的层、含有机化合物的层、和发光层提供在第一电极和第二电极之间，其中提供该含复合材料的层使得其与第一电极接触，其中该复合材料在450～800nm波长范围内的吸收率满足式(1)，且其中当施加电压使第一电极电位高于第二电极时该发光物质发光。

A≤9.7×10^-4×l……(1)

A：吸收率

l：厚度(nm)

在上述结构中，该有机化合物优选为芳烃。特别地，该有机化合物优选为蒽衍生物。

依据本发明的发光元件包括含有机化合物和无机化合物的复合材料的层；和含有机化合物的层，提供该层使其与含复合材料的层接触，其中将该含复合材料的层和含有机化合物的层提供在一对电极之间，且其中该有机化合物为芳烃。

依据本发明的发光元件包括含有机化合物和无机化合物的复合材料的层；和含有机化合物的层，提供该层使其与含复合材料的层接触，其中将该含复合材料的层和含有机化合物的层提供在一对电极之间，且其中该有机化合物为蒽衍生物。

在上述结构中，该含有机化合物的层的厚度优选为1～20nm。

另外，该无机化合物优选为过渡金属的氧化物。特别地，该无机化合物优选为属于周期表第4族～第8族中任一族的金属的氧化物。更优选地，该无机化合物为氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、和氧化铼的任一种。

应当指出的是，本发明包括在其范畴内具有任意前述发光元件的发光器件。本说明书中的发光器件包括图象显示器件、发光期间、和光源(包括照明器件)。另外，该发光器件包括其中将连接器如FPC(柔性印刷电路)、TAB(带式自动焊接)带、或TCP(带式载体包装)连接到其中形成了发光器件的面板的模块，其中将印刷线路板提供在TAB带或TCP两端的模块，和其中通过COG(玻璃上芯片(Chip On Glass))方法将IC(集成电路)直接安装在发光元件上的模块。

在其显示部分中利用本发明的发光元件的电子设备也包括在本发明的范畴之内。由此，本发明的电子设备装配有前述发光元件和用于控制其显示部分中该发光元件的光发射的控制器。

通过采用本发明，可以获得具有高发光效率的发光元件。

另外，通过采用本发明，可以获得在低电压下驱动的发光元件。

通过采用本发明，可以获得具有低能耗的发光器件。

通过采用本发明，可以获得具有低能耗的电子设备。

附图说明

附图中：

图1A～1C描述了本发明的发光元件；

图2描述了本发明的发光元件；

图3描述了本发明的发光元件；

图4显示了复合材料的透射率；

图5显示了复合材料的透射率；

图6显示了发光元件的电流-电压特性；

图7显示了发光元件的亮度-电压特性；

图8显示了发光元件的电流效率-亮度特性；

图9显示了发光元件的电流-电压特性；

图10显示了发光元件的亮度-电压特性；

图11显示了发光元件的电流效率-亮度特性；

图12显示了发光元件的电流-电压特性；

图13显示了发光元件的亮度-电压特性；

图14显示了发光元件的电流效率-亮度特性；

图15显示了发光元件的电流-电压特性；

图16显示了发光元件的亮度-电压特性；

图17显示了发光元件的电流效率-亮度特性；

图18显示了发光元件的电流-电压特性；

图19显示了发光元件的亮度-电压特性；

图20显示了发光元件的电流效率-亮度特性；

图21显示了发光元件的电流-电压特性；

图22显示了发光元件的亮度-电压特性；

图23显示了发光元件的电流效率-亮度特性；

图24显示了发光元件的电流-电压特性；

图25显示了发光元件的亮度-电压特性；

图26显示了发光元件的电流效率-亮度特性；

图27显示了发光元件的电流-电压特性；

图28显示了发光元件的亮度-电压特性；

图29显示了发光元件的电流效率-亮度特性；

图30显示了发光元件的电流-电压特性；

图31显示了发光元件的亮度-电压特性；

图32显示了发光元件的电流效率-亮度特性；

图33A和33B描述了本发明的发光器件；

图34描述了本发明的发光器件；

图35A～35D描述了本发明的电子设备；

图36描述了本发明的电子设备；

图37显示了复合材料的吸收光谱；

图38显示了复合材料的吸收光谱；

图39显示了发光元件的电流-电压特性；

图40显示了发光元件的亮度-电压特性；

图41显示了发光元件的电流效率-亮度特性。

实施本发明的最佳方式

下文中将参照附图描述本发明的实施方式模式和实施方式。但是，本发明并非限定于下列说明且本领域技术人员容易理解可以对该模式和详细内容进行各种改变，并不背离本发明的范围和精神。由此，本发明并非构成为限定于下文中所示的实施方式模式和实施方式的说明。

[实施方式模式1]

这种实施方式模式将描述用于本发明的发光元件的复合材料。在该说明中，复合的含义不仅表示两种材料的简单混合物，也可以是变化为这样的状态，使得电荷在分子水平通过材料的混合物在两种材料之间转移。

用于本发明的复合材料为第一有机化合物和无机化合物的复合材料。作为用于该复合材料的第一有机化合物，可以使用各种化合物如芳胺化合物、咔唑衍生物、芳烃、和高分子化合物(如低聚物、树枝状聚合物、或聚合物)。用于该复合材料的第一有机化合物优选为具有高空穴-传输性能的有机化合物。具体地，优选使用空穴迁移率为10^-6cm²/Vs或更高的物质。但是，也可以使用这些之外的其它物质，只要该物质具有比电子传输性能更高的空穴传输性能。可以用于该复合材料的第一有机化合物具体如下所示。

例如，作为芳胺化合物可以给出下列：N，N’-二)p-甲苯基)-N，N’-二苯基-p-苯二按(缩写：DTDPPA)；4，4′-双[N-(4-二苯基氮基苯基)-N苯基氨基]联苯(缩写：DPAB)；4，4′-双(N-{4-[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯(缩写：DNTPD)；1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(缩写：DPA3B)等。

作为可以用于该复合材料的咔唑衍生物，可以具体给出下列：3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCAl)；3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCA2)；3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCNl)等。

另外，也可以使用4，4′-二(N-咔唑基)联苯(缩写：CBP)；1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(缩写：TCPB)；9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(缩写：CzPA)；2，3，5，6-三苯基-1，4-双[4-(N-咔唑基)苯基]苯等。

作为可以用于该复合材料的芳烃，可以给出下列，例如：蒽衍生物如9，10-二(萘-2-基)-2-叔双丁基蒽(缩写：t-BuDNA)；9，10-二(萘-1-基)-2-叔丁基蒽；9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(缩写：DPPA)；9，10-二(4-苯基苯基)-2-叔丁基蒽(缩写：t-BuDBA)；9，10-二(萘-2-基)蒽(缩写：DNA)；9，10-二苯基蒽(缩写：DPAnth)；2-叔丁基蒽(缩写：t-BuAnth)；9，10-二(4甲基萘-1-基)蒽(缩写：DMNA)；2-叔丁基-9，10-双[2-(萘-1-基)苯基]蒽；9，10-双[2-(萘-1-基)苯基]蒽；2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-1-基)蒽；2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-2-基)蒽；9，9′-联蒽；10，10′-二苯基-9，9′-联蒽；10，10’-二(2-苯基苯基)-9，9′-联蒽；10，10′-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9′-联蒽；蒽等；并四苯；红荧烯；二萘嵌苯；2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。除了这些之外，也可以使用并五苯、六苯并苯等。这样，特别优选空穴迁移率为1×10^-6％m²/Vs或更高且具有14～42个碳原子的芳烃。

可以用于该复合材料的芳烃可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳烃，可以给出下列，例如：4，4′-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(缩写：DPVBi)；9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(缩写：DPVPA)等。

另外，也可以使用高分子化合物如聚(N-乙烯基咔唑)(缩写：PVK)或者聚(4-乙烯基三苯胺)(缩写：PVTPA)。

作为用于该复合材料的无机化合物，优选过渡金属的氧化物。另外，优选属于周期表第4族～第8族中任一族的金属的氧化物。具体地，氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、和氧化铼由于它们的高受电子性能而是优选的。尤其，特别优选氧化钼，因为其在空气中稳定、容易处理、且具有低的吸湿性。

用于制备含复合材料的层的方法可以是湿法或是干法，且可以采用任意方法。例如，可以通过将前述有机化合物和无机化合物共蒸发来制备该含复合材料的层。另外，也可以通过施用含前述有机化合物和金属醇盐的溶液并烘烤的方式获得该含复合材料的层。由于氧化钼在真空中容易蒸发，所以出于制造方法的角度也优选氧化钼。

用于本发明的复合材料在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰。另外，当膜厚为100nm时，该复合材料在450～800nm的波长范围内的透射率为80％或更大。由此，可以有效地将发光区中的发光提取到外部。

[实施方式模式2]

该模式将描述含第二有机化合物的层，提供该层使其与实施方式模式1中所示的、第一有机化合物和无机化合物的复合材料接触。

在将第二有机化合物与复合材料中的无机化合物配料的情形中，在含第二有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)中的第二有机化合物，在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰。含有与含复合材料的层的第一有机化合物和无机化合物的混合物比例相同的、第二有机化合物和无机化合物的复合材料，在膜厚为100nm时在450～800nm的波长范围内的透射率为80％或更大。

作为该第二有机化合物，可以使用各种化合物如芳胺化合物、咔唑衍生物、芳烃、和高分子化合物(如低聚物、树枝状聚合物、或聚合物)。作为该第二有机化合物，优选具有高空穴-传输性能的有机化合物。具体地，优选空穴迁移率为10^-6cm²/Vs或更高的物质。但是，也可以使用这些之外的其它物质，只要该物质具有比电子传输性能更高的空穴传输性能。下文中具体显示了该第二有机化合物。

例如，作为芳胺化合物可以给出下列：N，N’-二(p-甲苯基)-N，N’-二苯基-p-苯二胺(缩写：DTDPPA)；4，4′-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(缩写：DPAB)；4，4′-双(N-{4-[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯(缩写：DNTPD)；1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(缩写：DPA3B)等。

作为咔唑衍生物，可以具体给出下列：3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCAl)；3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCA2)；3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCN1)等。

作为芳烃，可以给出下列，例如：蒽衍生物如9，10-二(萘-2-基)-2-叔丁基蒽(缩写：t-BuDNA)；9，10-二(萘-1-基)-2-叔丁基蒽；9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(缩写：DPPA)；9，10-二(4-苯基苯基)-2-叔丁基蒽(缩写：t-BuDBA)；9，10-二(萘-2-基)蒽(缩写：DNA)；9，10-二苯基蒽(缩写：DPAnth)；2-叔丁基蒽(缩写：t-BuAnth)；9，10-二(4-甲基萘-1-基)蒽(缩写：DMNA)；2-叔丁基-9，10-双[2-(萘-1-基)苯基]蒽；9，10-双[2-(萘-1-基)苯基]蒽；2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-1-基)蒽；2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-2-基)蒽；9，9′-联蒽；10，10′-二苯基-9，9′-联蒽；10，10’-二(2-苯基苯基)-9，9′-联蒽；10，10′-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9′-联蒽；蒽等；并四苯；红荧烯；二萘嵌苯；2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。除了这些之外，也可以使用并五苯、六苯并苯等。这样，特别优选空穴迁移率为1×10^-6cm²/Vs或更高且具有14～42个碳原子的芳烃。

芳烃可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳烃，可以给出下列，例如：4，4′-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(缩写：DPVBi)；9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(缩写：DPVPA)等。

如果将该第二有机化合物与复合材料中所含的无机化合物配料时，该含第二有机化合物的层在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰。如果将该第二有机化合物与无机化合物以与含复合材料的层中第一有机化合物与无机化合物相同的混合物比例配料，在膜厚为100nm时在450～800nm的波长范围内的透射率为80％或更大。由此，即使在含复合材料的层和含第二有机化合物的层彼此接触且含复合材料的层中的无机化合物和第二有机化合物在含复合材料的层与含第二有机化合物的层之间的界面上彼此接触时该第二有机化合物和含复合材料的层中的无机化合物以复合材料存在，从发光物质中发出的光线不会被吸收且通过该复合材料有效地透射。换句话说，可以获得具有高发光效率的发光元件。

[实施方式模式3]

本发明的发光元件具有在一对电极之间的多个层。通过将含有具备高载流子注入性能的物质和具有高载流子传输性能的物质的层组合，使得远离电极形成发光区，即，使得载流子在远离电极的部分再结合，由此堆叠多个层。

下文将参照图1描述本发明的发光元件的模式。

在该实施方式模式中，该发光元件包括第一电极102；依次堆叠在第一电极102之上的第一层103、第二层104、第三层105、和第四层106；和提供在第四层106之上的第二电极107。在该实施方式模式中，第一电极102作为阳极且第二电极107作为阴极。

衬底101用作支撑该发光元件。该衬底101可以是由，例如，玻璃、塑料等制成的。也可以使用这些之外的其它材料，只要在制造过程期间可以支撑该发光元件。

作为第一电极102，可以使用各种金属、合金、导电化合物、或其混合物。例如，可以使用铟锡氧化物(ITO)、含硅的铟锡氧化物、或铟铁氧化物(IZO)(其中将氧化锌(ZnO)以2～20wt％混入氧化铟中)。另外，可以使用金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、钛(Ti)、铜(Cu)、钯(Pd)、铝(Al)、铝-硅(Al-Si)、铝-钛(Al-Ti)、铝-硅-铜(Al-Si-Cu)、金属材料的氮化物(如TiN)等。如果该第一电极用作阳极，优选使用，这些材料之中，具有高功函(功函为4.0eV或更高)的材料等。

在本发明的发光元件中，该第一电极102可以通过采用不仅具有高功函的材料而且也具有低功函的材料来形成。

该第一层103含有实施方式模式1中所示的复合材料。也就是，该第一层103含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料。

该第一层103中的复合材料在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。另外，当该第一层的膜厚为100nm时，该第一层103中的复合材料在450～800nm的整个波长范围内的透射率为80％或更大。由此，发光元件中发出的光线可以有效地被透射以改进外部提取效率。也就是，可以获得具有高发光效率的发光元件。

该第二层104含有实施方式模式2中所示的第二有机化合物。换句话说，该第二层104含有第二有机化合物，如果将该第二有机化合物与第一层103中所含的复合材料中的无机化合物配料时该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。

该第二有机化合物的电离电位优选地比第一层103中的第一有机化合物高0.5eV或更低，更优选0.3eV或更低，且更加优选地0.1eV或更低。换句话说，优选地满足下式，其中Ip(1)为第一有机化合物的电离电位且Ip(2)为第二有机化合物的电离电位。

Ip(2)≤Ip(1)+0.5eV

更优选地，满足下式。

Ip(2)≤Ip(1)+0.3eV

更加优选地，满足下式。

Ip(2)≤Ip(1)+0.1eV

当第二有机化合物和第一有机化合物的电离电位满足上式时，降低了第一层103和第二层104之间的载流子注入阻力；由此，可以降低驱动电压。由此，如果具有高电离电位的有机化合物如芳烃用于第一层103中的第一有机化合物时，可以扩大可用于第二层104的第二有机化合物的电离电位的范围，使得第二有机化合物的选择范围更宽。例如，芳烃可以用于第一层103中的第一有机化合物和第二层104中的第二有机化合物。这样，也可以制得不包括胺化合物的发光元件。

表1中显示可用作该第一有机化合物或第二有机化合物的化合物的比电离电位的测量值。

化合物	电离电位值(eV)
		9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(缩写：DPPA)	5.83
9，10-二(萘-2-基)蒽(缩写：DNA)	5.81
		9，10-二(萘-2-基)-2-叔丁基蒽(缩写：t-BuDNA)	5.55
9，10-二(萘-1-基)-2-叔丁基蒽	5.78
		9，10-二苯基蒽(缩写：DPAnth)	5.74

9，10-双[2-(萘-1-基)苯基]蒽	5.67
		2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-1-基)蒽	5.70
2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-2-基)蒽	5.54
		10，10’-二(2-苯基苯基)-9，9’-联蒽	5.81

在该说明书中，电离电位是通过电光子分光光谱在空气中测量的。例如，使用RIKEN KEIKI Co.，Ltd.制造的AC-2作为用于该测量的设备。待测量的目标为通过蒸发法在玻璃衬底之上形成的薄膜。

当芳烃用于第一层103中的第一有机化合物和第二层104中的第二有机化合物时，可以制得具有高耐热性的发光元件。通常，当分子中存在碳与杂原子如氧、氮、或硫的键时，其分子骨架的柔韧性改善；由此热物理性能如玻璃化转变温度或熔点降低。因此，在类似分子结构中，芳烃比芳族胺化合物具有更高的热物理性能。由此，相对于使用具有类似分子结构的芳胺化合物，采用芳烃可以获得具有高耐热性的发光元件。

为了胺化合物可以具有高玻璃化转变温度和高熔点，必须提高分子量。由此，迄今已合成了星放射状胺化合物和线性低聚胺化合物；但是，这种化合物需要多个合成步骤，且耗时长和成本高以获得目标材料。由此，通过使用芳烃，可以降低获得具有类似耐热性的发光元件所需的成本。

优选地，采用相同物质形成第一层103和第二层104中的有机化合物，即，采用相同物质形成第一有机化合物和第二有机化合物，因为第一层103与第二层104之间的载流子注入阻力变低。如果通过蒸发法形成第一层103和第二层104，它们可以连续地形成；由此，可以简化制造过程且可以改进生产率。

第二层104的膜厚优选范围为1～20nm。

如图3中所示，可以在第二层104和第三层105之间提供含有具备高空穴传输性能的物质的层108。作为具有高空穴传输性能的物质，例如，给出下列芳胺化合物(即，具有苯环与氮的键的化合物)：4，4′-双[N-(1-萘基)-N苯基]联苯(缩写：NPB或α-NPD)；N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺(缩写：TPD)；4，4′，4″-三(N，N’-二苯基氨基)三苯胺(缩写：TDATA)；4，4′，4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(缩写：MTDATA)；4，4′-双[N-苯基-N-(螺芴-2-基)]联苯(缩写：BSPB)等。本文中所列的物质大体上具有10^-6cm²/Vs或更高的空穴迁移率。但是，可以使用这些之外的其它物质，只要该物质具有比电子传输性能更高的空穴传输性能。另外，含有具有高空穴传输性能的物质的层可以单一层，或者可以是通过堆叠两个或多个含上述物质的层而形成的。

第三层105含有具备高发光性能的物质。例如，将具有高发光性能的物质与具有高载流子传输性能和具有高膜质量(即，难以结晶)的物质自由组合以形成第三层105。具有高发光性能的物质为N，N’-二甲基喹吖酮(缩写：DMQd)；N，N’-二苯基喹吖酮(缩写：DPQd)；3-(2-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆素(缩写：香豆素6)等。具有高载流子传输性能且具有高膜质量的物质为三(8-羟基喹啉合)铝(缩写：Alq)；9，10-二(2-萘基)蒽(缩写：DNA)等。但是，由于Alq和DNA具有高发光性能，可以仅采用这些物质的任一种来形第三层105。

第四层106含有具备高电子传输性能的物质；例如，给出具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的下列金属络合物等：三(8-羟基喹啉合)铝(缩写：Alq)；三(5-甲基-8-羟基喹啉合)铝(缩写：Almq3)；双(10-羟基苯并[h]-喹啉合)铍(缩写：BeBq2)；双(2-甲基-8-羟基喹啉合)-4-苯基酚合-铝(缩写：BAlq)等。除了这些之外，也可以使用具有噁唑配体或噻唑配体的金属络合物，如双[2-(2-羟基苯基)-苯并噁唑合]锌(缩写：Zn(BOX)2)；或双[2-(2-羟基苯基)-苯并噻唑合]锌(缩写：Zn(BTZ)2)等。除了金属络合物之外，可以使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(缩写：PBD)；1，3-双[5-(p-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(缩写：OXD-7)；3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(缩写：TAZ)；3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(缩写：p-EtTAZ)；红菲绕啉(缩写：BPhen)；bathocuproin(缩写：BCP)等。本文中所列的物质大体上具有10^-6cm²/Vs或更高的空穴迁移率。这些之外的其它物质也可以用于该第四层106，只要该物质具有比空穴传输性能更高的电子传输性能。另外，该第四层106可以是单一层，或者可以是通过堆叠两个或多个含上述物质的层而形成的。

第二电极107可以采用各自具有低功函(功函3.8eV或更低)的金属、合金、导电化合物、其混合物等来形成。作为这种阴极材料的具体实例，可以给出属于周期表中第1族或第2族的元素，即碱金属如锂(Li)或铯(Cs)，碱土金属如镁(Mg)、钙(Ca)、或锶(Sr)，或者含有这些的任一种的合金(如Mg:Ag或者Al:Li)。但是，通过在第二电极107之上堆叠将具有促进电子注入的功能的层提供在第二电极107与第四层106之间时，各种导电材料如Al、Ag、ITO、或含硅的ITO可以用于该第二电极107，无论功函如何。

对于具有促进电子注入功能的层，可以使用碱金属或碱土金属的化合物，如氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、或氟化钙(CaF₂)。另外，可以采用含有具备电子传输性能的物质的层，其中进一步含有碱金属或碱土金属，如含镁(Mg)的Alq。

可以通过除前述蒸发法之外的其它方法来形成该第一层103、第二层104、第三层105和第四层106。例如，可以采用喷墨法、旋涂法等。另外，对于每个电极或每个层采用不同的成膜方法。

在具有上述结构的本发明的发光元件中，电流通过第一电极102与第二电极107之间产生的电位差流动且空穴和电子在含有具备高发光性能的物质的第三层105中再结合，由此发出光。也就是，该结构是，在第三层105中形成发光区。但是，不必整个第三层105作为该发光区，但是，例如，该发光区可以仅形成于第二层104侧或者第四层106侧的那部分第三层105中。

将发光通过第一电极102和第二电极107的之一或者二者提取到外侧。由此，采用具有发光性能的物质形成该第一电极102和第二电极107的之一或者二者。如果仅是采用具有发光性能的物质形成第一电极102，将发光通过第一电极102从衬底侧提取，如图1A中所示。如果仅是采用具有发光性能的物质形成第二电极107，将发光通过第二电极107从衬底侧的相对侧提取，如图1B中所示。如果采用具有发光性能的物质形成第一电极102和第二电极107，将发光通过第一电极102和第二电极107从衬底侧和衬底侧的相对侧提取，如图1C中所示。

提供在第一电极102和第二电极107之间的层的结构并非限定于前述结构。也可以采用前述结构之外的其它结构，只要结构如下：在远离第一电极102和第二电极107提供其中空穴和电子再结合的区域，使得由于发光区和金属的逼近而导致的消光得到抑制，并且另外，含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层与含第二有机化合物的层接触，如果将该第二有机化合物与复合材料中的无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。

换句话说，这些层的多层结构并无特别限制，且可以将含有具备高电子传输性能的物质、具有高空穴传输性能的物质、具有高电子注入性能的物质、具有高空穴注入性能的物质、具有双极性能的物质(具有高电子传输性能和高空穴传输性能的物质)等的层，与含有第一有机化合物与无机化合物的复合材料的层和含第二有机化合物的层自由组合，如果将该第二有机化合物与复合材料中的无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。

图2中所示的发光元件具有这样的结构，其中将含有具备高电子传输性能的物质的第一层303，含有具备高发光性能的物质的第二层304，含有第二有机化合物的第三层305(如果将该第二有机化合物与第四层306的复合材料中所含的无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值)、含复合材料的第四层306、和作为阳极的第二电极307堆叠在作为阴极的第一电极302之上。参考数字301表示衬底。

在这种实施方式模式中，在由玻璃、塑料等制成的衬底上制造该发光元件。通过在一个衬底上制造多个这种发光元件，可以制得被动型发光器件。除了由玻璃、塑料等制成的衬底之外，可以将该发光元件制备在，例如，薄膜晶体管(TFT)阵列衬底之上。由此，可以制得其中通过TFT控制发光元件的驱动的有效矩阵型发光器件。TFT的结构并无特别限制。可采用错列的TFT或反向错列的TFT。通过采用N型TFT和P型TFT的任一种或者二者，可以形成在TFT阵列衬底之上形成的驱动器电路。用于该TFT的半导体膜的结晶度并无特别限制。可以采用无定形半导体膜或者结晶半导体膜。

本发明的发光元件具有含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层，和含第二有机化合物的层，如果将该第二有机化合物与复合材料中的无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。

含有复合材料的层在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。由此，可以将发光物质中发出的光通过该含复合材料的层有效传播，且可以改进外部提取效率。也就是，可以获得具有高发光效率的发光元件。

如果将第二有机化合物与复合材料中的无机化合物配料，含有该第二有机化合物的层在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。由此，即使在第一层103和第二层104彼此接触且含复合材料的层中的无机化合物和第二有机化合物在含复合材料的层与含第二有机化合物的层之间的界面上彼此接触时该第二有机化合物和含复合材料的层中的无机化合物以复合材料存在时，从发光物质中发出的光线不会被吸收且通过该复合材料有效地透射。由此，可以改进外部提取效率。换句话说，可以获得具有高发光效率的发光元件。

含有该第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层具有高电导率。由此，可以实现该发光元件的较低电压驱动。

由于含有机化合物和无机化合物的复合材料的层具有高电导率，即使在含复合材料的膜具有高膜厚的情形中，也可以抑制驱动电压的增加。由此，变得难以优化含复合材料的层的膜厚，使得增加了外部光提取效率，同时抑制了驱动电压的增加。

另外，可以实现通过光学设计对色纯度的改进，且不增加驱动电压。

由于通过增加含复合材料的层的膜厚可以防止由于电极上的凹凸、震动等而导致的短路，可以获得具有高可靠性的发光元件。例如，相对于发光元件的电极之间的层或多个层的总膜厚(其通常范围为100～150nm)，可以将采用含复合材料的层的发光元件的电极之间的层或多个层的总膜厚制成100～500nm，且优选为200～500nm。

用于本发明的发光元件的、含复合材料的层可以具有与电极的欧姆接触，且与电极的接触电阻小。由此可以无需考虑功函等来选择电极材料。换句话说，电极材料的选择范围可以更宽。

[实施方式模式4]

该实施方式模式将描述具备本发明的发光元件的发光器件。

该实施方式模式将参照图33A和33B，描述在像素部分中具有本发明的发光元件的发光器件。图33A为显示发光器件的俯视图且图33B为沿图33A的线A-A’和B-B’的横截面图。虚线所示的参考数字601表示驱动电路部分(源侧驱动电路)；602，像素部分；且603，驱动电路部分(门侧驱动电路)。另外，参考数字604表示密封衬底；605，密封材料；且607，密封材料605所包围的空间。

引线608将使输入的信号传输到源侧驱动电路601和门侧驱动电路603，且接受来自作为外部出入终端FPC(柔性印刷电路)609的视频信号、时钟信号、启动信号、复位信号等。虽然本文中仅显示了FPC，但是可以在该FPC上提供印刷线路板(PWB)。该说明书中的发光器件不仅包括发光器件自身，也包括其中该发光元件具有连接在其上的FPC或PWB的状态。

下面，将参照图33B描述横截面结构。在元件衬底610之上形成驱动电路部分和像素部分。此时，显示了源侧驱动电路601(其为驱动电路部分)，和像素部分中的一个像素。

在源侧驱动电路601中，形成其中组合了n-通道TFT-623和p-通道TFT-624的CMOS电路。用于形成该驱动电路的TFT可以采用各种电路如CMOS电路、PMOS电路、或NMOS电路来形成。虽然这种实施方式模式显示了其中驱动电路形成于衬底之上的集成驱动器的类型，但是本发明并非限定于此，且可以将该驱动电路形成于衬底外侧，并非衬底之上。

可以通过各自包括转换TFT611、电流控制TFT612、和电连接于电流控制TFT612的通道(drain)的第一电极613的多个像素，形成该像素部分602。形成绝缘体614使得覆盖第一电极613的端部。本文中，通过采用正性光敏丙烯酸树脂膜形成该绝缘体614。

为了改进覆盖，形成该绝缘体614的上端部或下端部，由此具有曲率的曲面。例如，在使用正性光敏丙烯酸树脂用于绝缘体614的情形中，优选地，仅仅该绝缘体614的上端部具有曲率的曲面(曲率半径为0.2～3μm)。作为该绝缘体614，可以采用通过光辐照变得不溶于蚀刻剂的负性类型，或者通过光辐照变得可溶于蚀刻剂的正性类型。

在第一电极613之上，形成含有发光物质的层615和第二电极617。此时，作为阳极的第一电极613可以采用各种金属、合金、导电化合物、或其混合物来形成。如果第一电极用作阳极，优选地使用，这些材料之中，具有高功函(功函4.0eV或更高)的材料等。例如，可以采用含硅的铟锡氧化物、其中将2～20wt％的氧化锌(ZnO)混入氧化铟中的铟锌氧化物的单层，氮化钛膜，铬膜，钨膜，Zn膜，Pt膜等。另外，可以采用包括含有氮化钛的膜和含有作为其主要组分的铝的膜的多层；包括氮化钛膜、含有作为其主要组分的铝的膜、和氮化钛膜的三层结构。该多层结构实现了具有低的导线电阻、有利的欧姆接触和作为阳极的功能。

通过各种方法如采用蒸发掩膜的蒸发法、喷墨法、旋涂法等来形成含有发光物质的层616。该含发光物质的层616具有含实施方式模式1中所示的复合材料的层和含实施方式模式2中所示的第二有机化合物的层。作为构成该含发光物的层616的一部分的另一材料，可以采用低分子材料、中分子材料(包括低聚物和树枝状聚合物)、或高分子材料。作为用于该含发光物质的层的材料，通常有机化合物经常用作单层或多层；但是，在本发明中，采用无机化合物作为含有机材料的膜的一部分的结构也是可接受的。

作为用于起阴极作用的第二电极617(其形成于含发光物质的层616之上)的材料，可以采用具有低功函(功函为3.8eV或更低)的金属、合金、导电化合物、其混合物等。作为这种阴极材料的具体实例，可以给出属于周期表中第1族或第2族的元素，即碱金属如锂(Li)或铯(Cs)，碱土金属如镁(Mg)、钙(Ca)、或锶(Sr)，或者含有这些的任一种的合金(如Mg:Ag或者Al:Li)。在将含发光物质的层616中产生的光通过第二电极617透射的情形中，优选地通过采用金属薄膜和透明导电膜(ITO、含2～20wt％的氧化锌的氧化铟、含硅的铟锡氧化物、氧化锌(ZnO)等)的多层来形成该第二电极617。

当密封衬底604和元件衬底610通过密封材料605彼此连接时，在元件衬底610、密封衬底604、和密封材料605所包围的空间607中提供发光元件618。该空间607可以填充填料，且可以填充惰性气体(如氮气或氩气)、密封材料等。

优选环氧树脂用于该密封材料605。该材料优选地使尽可能少的水分和氧气渗透进去。作为用于密封衬底604的材料，除了玻璃衬底或石英衬底之外，也可以使用由FRP(玻璃纤维-增强的塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯树脂、聚酯、丙烯酸树脂等制成的塑料衬底。

这样，可以获得具有本发明的发光元件的发光器件。

本发明的发光器件具有含实施方式模式1中所示的复合材料的层，和含实施方式模式2中所示的第二有机化合物的层，提供该层使其与含复合材料的层接触。由此，可以有效地将发光区中发出的光提取到外部，且发光效率高。另外，可以降低驱动电压，由此使得能耗更低。

另外，本发明的发光器件可以抑制驱动电压的增加，即使在将含复合材料的层制成更厚时。由此，通过增加含复合材料的层的厚度，可以防止该发光元件的短路。另外，可以通过光学设计来实现光发射的外部提取效率的改进。由此，可以获得具有低能耗的、非常可靠的发光器件。

虽然这种实施方式模式已描述了其中通过传感器控制发光元件的驱动的有效矩阵型发光器件，但是该发光元件可以是其中无需特别地提供驱动元件如传感器来驱动发光元件的被动类型的。图34为通过实施本发明制得的被动型发光器件的示意图。图34中，在衬底951之上的电极952和电极956之间提供含发光物质的层955。用绝缘层953覆盖电极952的端部。随后，在绝缘层953之上提供隔墙层954。隔墙层954的侧壁具有一个侧壁与另一侧壁之间的距离随着到达衬底表面而变短的梯度。也就是说，短侧方向上隔墙层954的横截面为梯形，其中底侧(与绝缘层953的表面方向相同的方向上的侧边)比上侧(与绝缘层953的表面方向相同的方向上的侧边，其不与绝缘层953接触)更短。这样，通过提供隔墙层954，可以防止由于静电等而导致的发光元件的问题。另外，甚至，通过包括本发明的、具有高发光效率的且采用低驱动电压驱动的发光元件，可以采用低能耗驱动被动型发光器件。

[实施方式模式5]

这种实施方式模式将描述本发明的电子设备，其包括作为其一部分的、实施方式模式4中所示的发光器件。本发明的电子设备具有低能耗的显示部分，且具有含实施方式模式1中所示的复合材料的层和实施方式模式2中所示的第二有机化合物的层，提供该层使其与含复合材料的层接触。通过增加含实施方式模式1中所示的复合材料的层的厚度，也能够提供具有高可靠性的显示部分的电子设备，其中抑制了由于来自外部的震动、微小外部颗粒等而导致的短路。

作为采用本发明的发光器件制得的电子设备，给出相机如摄像机或数字相机，目镜型显示器，导航系统，声音复制设备(如汽车声频组件或声频组件)，计算机游戏机，移动信息终端(移动计算机，移动电话，移动游戏机，或电子书)，装有记录介质的图象复制设备(具体地，装有用于复制记录介质如数字通用光盘并显示该图象的显示设备的设备)等。这些电子设备的具体实施例如图35A～35D中所示。图35A显示了依据本发明的电视设备，其包括外壳9101、支架9102、显示部分9103、播音部分9104、视频输入终端9105等。在该电视设备中，通过以矩阵形式排列与实施方式模式2～6中所述的那些相同的发光元件来形成该显示部分9103。该发光元件具有高发光效率和低驱动电压的优点。另外，能够防止由于微小外部颗粒、来自外部的震动等而导致的短路。由于具有该发光元件的显示部分9103也具有相同的优点，该电视机的图象质量不会恶化且消耗更少的电能。由于这些优点可以在电视机设备中大大减少各自具有恶化-补偿功能的电路和能源电路数目或者可以降低这些电路的尺寸，可以实现外壳9101和支架9102的尺寸和重量的降低。由于可以在本发明的电视机设备中实现尺寸、重量、和能耗的降低，以及图象质量的改进，可以提供适用于居住环境的产品。

图35B显示了依据本发明的计算机，其包括主体9201、外壳9202、显示部分9203、键盘9204、外连接端9205、定位鼠标9206等。在该计算机中，通过以矩阵形式排列与实施方式模式2～6中所述的那些相同的发光元件来形成该显示部分9203。该发光元件具有高发光效率和低驱动电压的优点。另外，能够防止由于微小外部颗粒、来自外部的震动等而导致的短路。由于具有该发光元件的显示部分9203也具有相同的优点，该计算机的图象质量不会恶化且消耗更少的电能。由于这些优点可以在电视机设备中大大减少各自具有恶化-补偿功能的电路和能源电路数目或者可以降低这些电路的尺寸，可以实现主体9201和外壳9202的尺寸和重量的降低。由于可以在本发明的计算机中实现尺寸、重量、和能耗的降低，以及图象质量的改进，可以提供适用于居住环境的产品。另外，随身携带该计算机成为可能，且可以提供具有在随身携带时抵抗来自外部的震动的显示部分的计算机。

图35C显示了本发明的移动电话，其包括主体9401、外壳9402、显示部分9403、声频输入部分9404、声频输出部分9405、操作键9406、外连接端9407、天线9408等。通过以矩阵形式排列与实施方式模式2～6中所述的那些相同的发光元件来形成该显示部分9403。该发光元件具有高发光效率和低驱动电压的优点。另外，能够防止由于微小外部颗粒、来自外部的震动等而导致的短路。由于具有该发光元件的显示部分9403也具有相同的优点，该移动电话的图象质量不会恶化且消耗更少的电能。由于这些优点可以在移动电话中大大减少各自具有恶化-补偿功能的电路和能源电路数目或者可以降低这些电路的尺寸，可以实现主体9401和外壳9402的尺寸和重量的降低。由于可以在本发明的移动电话中实现尺寸、重量、和能耗的降低，以及图象质量的改进，可以提供适用于随身携带的产品。另外，可以提供具有在随身携带时抵抗来自外部的震动的显示部分的产品。

图35D显示了本发明的相机，其包括主体9501、显示部分9502、外壳9503、外连接端9504、遥控接收部分9505、图象接收部分9506、电池9507、声频输入部分9508、操作键9509、目镜部分9510等。在该相机中，通过以矩阵形式排列与实施方式模式2～6中所述的那些相同的发光元件来形成该显示部分9502。该发光元件具有高发光效率和低驱动电压的优点。另外，能够防止由于微小外部颗粒、来自外部的震动等而导致的短路。由于具有该发光元件的显示部分9502也具有相同的优点，该相机的图象质量不会恶化且消耗更少的电能。由于这些优点可以在相机中大大减少各自具有恶化-补偿功能的电路和能源电路数目或者可以降低这些电路的尺寸，可以实现主体9501的尺寸和重量的降低。由于可以在本发明的移动电话中实现尺寸、重量、和能耗的降低，以及图象质量的改进，可以提供适用于随身携带的产品。另外，可以提供具有在随身携带时抵抗来自外部的震动的显示部分的产品。

如此所述，本发明的发光器件的应用范围非常宽，且该发光器件可以应用于各个领域的电子设备。通过采用本发明的发光器件，可以提供具有消耗更少电能的、高度可靠的显示部分的电子设备。

另外，本发明的发光器件具有具备高发光效率的发光元件，且该发光器件可以用作照明设备。将参照图36描述使用本发明的发光元件作为照明设备的实例。

图36显示了液晶显示器件的实例，其中本发明的发光器件用作背光。图36中所示的液晶显示器件包括外壳901、液晶层902、背光903、和外壳904，其中该液晶层902连接于驱动IC905。该背光903使用本发明的发光器件，且通过终端906将电流供给背光903。

当本发明的发光器件用作该液晶显示设备的背光时，该背光消耗更少的电能。另外，由于本发明的发光元件为表面发光的照明设备且能够扩大该发光器件，所以可以将该背光制得更大且该液晶显示设备也可以具有更大的面积。另外，由于该发光器件薄且消耗更少的电能，所以能够降低该显示设备的厚度和能耗。

[实施方式1]

该实施方式将描述光学特征和制备用于本发明的发光元件的有机化合物、无机化合物、和含复合材料的层的方法。

[样本1]

首先，将石英衬底固定在真空蒸发装置中的衬底夹持器上。随后，将DNTPD和氧化钼(VI)分别放在不同的电阻加热蒸发源，且将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa。然后，通过共蒸发法形成含DNTPD和氧化钼的层。此时，进行共蒸发，使得DNTPD和氧化钼之间的重量比为2∶1。该层的厚度设定为100nm。

图37中显示了以这种方式形成的DNTPD-氧化钼复合层(样本1)在450～800nm的波长范围内的吸收光谱的测量值。另外，图4中显示了其透射率。

[对比实施例1]

[对比样本2]

首先，将石英衬底固定在真空蒸发装置中的衬底夹持器上。随后，将NPB和氧化钼(VI)分别放在不同的电阻加热蒸发源，且将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa。然后，通过共蒸发法形成含NPB和氧化钼的层。此时，进行共蒸发，使得NPB和氧化钼之间的重量比为2∶0.75。该层的厚度设定为100nm。

图37中显示了以这种方式形成的NPB-氧化钼复合层(对比样本2)在450～800nm的波长范围内的吸收光谱的测量值。另外，图4中显示了其透射率。

由图4和图37可以看出，DNTPD-氧化钼复合层在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰但透射率为80％或更大。相反，作为对比实施例的NPB-氧化钼复合层在约500nm的波长处存在吸收峰且存在其中透射率小于80％的波长范围。

由此，将理解的是，本发明的复合材料和含有机化合物的层(提供该层使其与复合材料接触)在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰但具有高透射率。

[实施方式2]

[样本3]

首先，将石英衬底固定在真空蒸发装置中的衬底夹持器上。随后，将t-BuDNA和氧化钼(VI)分别放在不同的电阻加热蒸发源，且将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa。然后，通过共蒸发法形成含t-BuDNA和氧化钼的层。此时，进行共蒸发，使得t-BuDNA和氧化钼之间的重量比为2∶1。该层的厚度设定为100nm。

[样本4]

类似于样本3，将石英衬底固定在真空蒸发装置中的衬底夹持器上。随后，将DPPA和氧化钼(VI)分别放在不同的电阻加热蒸发源，且将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa。然后，通过共蒸发法形成含DPPA和氧化钼的层。此时，进行共蒸发，使得DPPA和氧化钼之间的重量比为2∶1。该层的厚度设定为100nm。

[样本5]

类似于样本3，将石英衬底固定在真空蒸发装置中的衬底夹持器上。随后，将DNA和氧化钼(VI)分别放在不同的电阻加热蒸发源，且将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa。然后，通过共蒸发法形成含DNA和氧化钼的层。此时，进行共蒸发，使得DNA和氧化钼之间的重量比为2∶1。该层的厚度设定为100nm。

[样本6]

类似于样本3，将石英衬底固定在真空蒸发装置中的衬底夹持器上。随后，将DPAnth和氧化钼(VI)分别放在不同的电阻加热蒸发源，且将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa。然后，通过共蒸发法形成含DPAnth和氧化钼的层。此时，进行共蒸发，使得DPAnth和氧化钼之间的重量比为2∶1。该层的厚度设定为100nm。

图38中显示了以这种方式形成的t-BuDNA-氧化钼复合层(对比样本3)、DPPA-氧化钼复合层(对比样本4)、DNA-氧化钼复合层(对比样本5)、和DPAnth-氧化钼复合层(对比样本6)在450～800nm的波长范围内的吸收光谱的测量值。另外，图5中显示了各个层的透射率。

由图5和图38可以看出，t-BuDNA-氧化钼复合层(对比样本3)、DPPA-氧化钼复合层(对比样本4)、DNA-氧化钼复合层(对比样本5)、和DPAnth-氧化钼复合层(对比样本6)在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰但透射率为80％或更大。

由此，将理解的是，含本发明的复合材料的层和含有机化合物的层(提供该层使其与复合材料接触)在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰但具有高透射率。

含有机化合物的层的透射率高于含复合材料的层。由此，将理解的是，含复合材料的层和含有机化合物的层(提供该层使其与复合材料接触)的多层体，其透射率高于80％。

另外，依据朗伯-比尔定律(Lambert-Beer′s law)，吸收率和膜厚之间的关系如下式(2)所示。

A = \log \frac{I_{0}}{I} = ϵL . . . (2)

A：吸收率

I₀：入射光

I：透射光

ε：吸收率系数/单位膜厚(nm^-1)

L：厚度(nm)

另外，透射率由下式(3)所示。

T = \frac{I}{I_{0}} . . . (3)

T：透射率

通过将式(3)代入式(2)中得到下式(4)所示的吸收率。

\log \frac{1}{T} = ϵL

ϵ = \frac{1}{L} \cdot \log \frac{1}{T} . . . (4)

例如，当膜厚L为100nm且透射率T为80％时，吸收率系数/单位膜厚如式(5)所示。

ϵ \leq \frac{1}{100} \cdot \log \frac{1}{0.8}

ϵ \leq \frac{1}{100} \cdot 0.097 = 9.7 \times 10^{- 4} . . . (5)

优选地，用于本发明的发光元件的复合材料在450～800nm的波长范围内的透射率为80％或更高。也就是，优选地满足下式(6)。

A＝εL≤9.7×10^-41…(6)

A：吸收率

l：厚度(nm)

如果透射率为0％，例如在使用反射材料等的情形中，朗伯-比尔定律并非有效；由此，不满足式(6)。

[实施方式3]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

首先，通过溅射法在玻璃衬底之上形成含二氧化硅的铟锡氧化物，由此形成第一电极。将其膜厚设定为110nm且电极面积为2mm×2mm。

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa，且随后将t-BuDNA和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为50nm，且调节t-BuDNA和氧化钼(VI)之间的体积比使得含有10体积％的氧化钼。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成t-BuDNA，使其与含复合材料的层接触，厚度为10nm。t-BuDNA的电离电位为5.55eV。

通过共蒸发Alq和DPQd，在t-BuDNA之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和DPQd之间的重量比为1∶0.005(＝Alq∶DPQd)。由此，DPQd以DPQd分散于含Alq的层中的状态存在。

然后，通过电阻加热通过蒸发法在发光层之上形成厚度为30nm的Alq，由此形成电子传输层。

进一步，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为1nm的氟化锂，由此形成电子注入层。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件1。

[对比实施例2]

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的NPB。

另外，通过共蒸发Alq和DPQd，在NPB之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和DPQd之间的重量比为1∶0.005(＝Alq∶DPQd)。由此，DPQd以DPQd分散于含Alq的层中的状态存在。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得对比发光元件1。

图6中显示了实施方式3中制得的发光元件1和对比实施例2中制得的对比发光元件1的电流-电压特性。另外，图7中显示了其亮度-电压特性。另外，图8中显示了其电流效率-亮度特性。

在发光元件1中，获得1225cd/m²的亮度所需的电压为5.6V，此时流动的电流为0.35mA(电流密度为8.63mA/cm²)。另外，此时的电流效率为14.2cd/A。同时，在对比发光元件1中，获得1096cd/m²的亮度所需的电压为5.8V，此时流动的电流为0.34mA(电流密度为8.57mA/cm²)。此时的电流效率为12.8cd/A。

发光元件1和对比发光元件1具有几乎相同的电流-电压特性。但是，由于发光元件1的电流效率-亮度特性已改进，认为亮度-电压特性也已改进。换句话说，认为获得一定亮度所需的电压降低。

由上述结论，已证实了通过实施本发明改进了发光效率。

[实施方式4]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4a，且随后将t-BuDNA和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为50nm，且调节t-BuDNA和氧化钼(VI)之间的体积比使得含有10体积％的氧化钼。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的t-BuDNA，使其与含复合材料的层接触。t-BuDNA的电离电位为5.55eV。

然后，通过电阻加热通过蒸发法在发光层之上形成厚度为30nm的BPhen，由此形成电子传输层。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件2。

[对比实施例3]

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的NPB。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得对比发光元件2。

图9中显示了实施方式4中制得的发光元件2和对比实施例3中制得的对比发光元件2的电流-电压特性。另外，图10中显示了其亮度-电压特性。另外，图11中显示了其电流效率-亮度特性。

在发光元件2中，获得1233cd/m²的亮度所需的电压为4.6V，此时流动的电流为0.36mA(电流密度为8.90mA/cm²)。另外，此时的电流效率为13.9cd/A。同时，在对比发光元件2中，获得1179cd/m²的亮度所需的电压为4.8V，此时流动的电流为0.38mA(电流密度为9.59mA/cm²)。此时的电流效率为12.3cd/A。

发光元件2和对比发光元件2具有几乎相同的电流-电压特性。但是，由于发光元件2的电流效率-亮度特性已改进，认为亮度-电压特性也已改进。换句话说，认为获得一定亮度所需的电压降低。

由上述结论，已证实了通过实施本发明改进了发光效率。

[实施方式5]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的t-BuDNA，使其与含复合材料的层接触。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件3。

[对比实施例4]

首先，通过溅射法在玻璃衬底之上形成含二氧化硅的铟锡氧化物，由此形成第一电极。将其膜厚设定为110hm且电极面积为2mm×2mm。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的NPB。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得对比发光元件3。

图12中显示了实施方式5中制得的发光元件3和对比实施例4中制得的对比发光元件3的电流-电压特性。另外，图13中显示了其亮度-电压特性。另外，图14中显示了其电流效率-亮度特性。

在发光元件3中，获得1063cd/m²的亮度所需的电压为5.6V，此时流动的电流为0.31mA(电流密度为7.65mA/cm²)。另外，此时的电流效率为13.9cd/A。同时，在对比发光元件3中，获得1027cd/m²的亮度所需的电压为5.8V，此时流动的电流为0.32mA(电流密度为8.11mA/cm²)。此时的电流效率为12.7cd/A。

发光元件3和对比发光元件3具有几乎相同的电流-电压特性。但是，由于发光元件3的电流效率-亮度特性已改进，认为亮度-电压特性也已改进。换句话说，认为获得一定亮度所需的电压降低。

由上述结论，已证实了通过实施本发明改进了发光效率。

[实施方式6]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa，且随后将t-BuDBA和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为50nm，且调节t-BuDBA和氧化钼(VI)之间的体积比使得含有10体积％的氧化钼。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的t-BuDBA，使其与含复合材料的层接触。

通过共蒸发Alq和DPQd，在t-BuDBA之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和DPQd之间的重量比为1∶0.005(＝Alq∶DPQd)。由此，DPQd以DPQd分散于含Alq的层中的状态存在。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件4。

[对比实施例5]

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的NPB。

通过共蒸发Alq和DPQd，在NPB之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和DPQd之间的重量比为1∶0.005(＝Alq∶DPQd)。由此，DPQd以DPQd分散于含Alq的层中的状态存在。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得对比发光元件4。

图15中显示了实施方式6中制得的发光元件4和对比实施例5中制得的对比发光元件4的电流-电压特性。另外，图16中显示了其亮度-电压特性。另外，图17中显示了其电流效率-亮度特性。

在发光元件4中，获得1105cd/m²的亮度所需的电压为5.6V，此时流动的电流为0.31mA(电流密度为7.86mA/cm²)。另外，此时的电流效率为14.1cd/A。同时，在对比发光元件4中，获得1010cd/m²的亮度所需的电压为5.8V，此时流动的电流为0.31mA(电流密度为7.87mA/cm²)。此时的电流效率为12.8cd/A。

发光元件4和对比发光元件4具有几乎相同的电流-电压特性。但是，由于发光元件4的电流效率-亮度特性已改进，认为亮度-电压特性也已改进。换句话说，认为获得一定亮度所需的电压降低。

由上述结论，已证实了通过实施本发明改进了发光效率。

[实施方式7]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa，且随后将t-BuDNA和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为50nm，且调节t-BuDNA和氧化钼(VI)之间的重量比为4∶1(t-BuDNA∶氧化钼)。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

另外，通过共蒸发Alq和香豆素6，在t-BuDNA之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和香豆素6之间的重量比为4∶0.04(＝Alq∶香豆素6)。由此，香豆素6以香豆素6分散于含Alq的层中的状态存在。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件5。

[实施方式8]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4a，且随后将t-BuDNA和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为50nm，且调节t-BuDNA和氧化钼(VI)之间的重量比为4∶1(t-BuDNA∶氧化钼)。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。t-BuDNA的电离电位为5.55eV。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的DPPA，使其与含复合材料的层接触。DPPA的电离电位为5.83eV。

另外，通过共蒸发Alq和香豆素6，在DPPA之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和香豆素6之间的重量比为4∶0.04(＝Alq∶香豆素6)。由此，香豆素6以香豆素6分散于含Alq的层中的状态存在。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件6。

[对比实施例6]

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa，且随后将t-BuDNA和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为50nm，且调节t-BuDNA和氧化钼之间的重量比为4∶1(t-BuDNA∶氧化钼)。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的NPB。

另外，通过共蒸发Alq和香豆素6，在NPB之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和香豆素6之间的重量比为4∶0.04(＝Alq∶香豆素6)。由此，香豆素6以香豆素6分散于含Alq的层中的状态存在。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得对比发光元件5。

[对比实施例7]

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4a，且随后将t-BuDNA和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为50nm，且调节t-BuDNA和氧化钼之间的重量比为4∶1(t-BuDNA∶氧化钼)。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的4，4’-双[N-苯基-N-(螺芴-2-基)]联苯(缩写：BSPB)。

另外，通过共蒸发Alq和香豆素6，在BSPB之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和香豆素6之间的重量比为4∶0.04(＝Alq∶香豆素6)。由此，香豆素6以香豆素6分散于含Alq的层中的状态存在。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得对比发光元件6。

图18中显示了实施方式7中制得的发光元件5、实施方式8中制得的发光元件6、对比实施例6中制得的对比发光元件5和对比实施例7中制得的对比发光元件6的电流-电压特性。另外，图19中显示了其亮度-电压特性。另外，图20中显示了其电流效率-亮度特性。

在发光元件5中，获得1202cd/m²的亮度所需的电压为5.8V，此时流动的电流为0.36mA(电流密度为9.00mA/cm²)。另外，此时的电流效率为13.4cd/A。同时，在发光元件6中，获得1057cd/m²的亮度所需的电压为6.0V，此时流动的电流为0.35mA(电流密度为8.72mA/cm²)。另外，此时的电流效率为12.1cd/A。另一方面，在对比发光元件5中，获得1103cd/m²的亮度所需的电压为6.0V，此时流动的电流为0.46mA(电流密度为11.54mA/cm²)。另外，在对比发光元件6中，获得1159cd/m²的亮度所需的电压为5.8V，此时流动的电流为0.473mA(电流密度为11.74mA/cm²)。此时的电流效率为9.9cd/A。

发光元件5和6与对比发光元件5和6具有几乎相同的电流-电压特性。但是，由于发光元件5和6的电流效率-亮度特性已相对于对比发光元件5和6改进，认为亮度-电压特性也已改进。换句话说，认为获得一定亮度所需的电压降低。

由上述结论，已证实了通过实施本发明改进了发光效率。

[实施方式9]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa，且随后将DNTPD和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为120nm，且调节DNTPD和氧化钼(VI)之间的重量比为1∶0.67(DNTPD∶氧化钼)。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为5nm的DNTPD，使其与含复合材料的层接触。

进一步，采用电阻加热通过蒸发法在DNTPD之上形成厚度为5nm的NPB。

随后，通过共蒸发Alq和香豆素6，在NPB之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和香豆素6之间的重量比为1∶0.005(＝Alq∶香豆素6)。由此，香豆素6以香豆素6分散于含Alq的层中的状态存在。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件7。

[对比实施例8]

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的NPB。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得对比发光元件7。

图21中显示了实施方式9中制得的发光元件7和对比实施例8中制得的对比发光元件7的电流-电压特性。另外，图22中显示了其亮度-电压特性。另外，图23中显示了其电流效率-亮度特性。

在发光元件7中，获得1287cd/m²的亮度所需的电压为5.6V，此时流动的电流为0.46mA(电流密度为11.59mA/cm²)。另外，此时的电流效率为11.1cd/A。同时，在对比发光元件7中，获得1094cd/m²的亮度所需的电压为5.8V，此时流动的电流为0.47mA(电流密度为11.74mA/cm²)。另外，此时的电流效率为9.3cd/A。

发光元件7和对比发光元件7具有几乎相同的电流-电压特性。但是，由于发光元件7的电流效率-亮度特性已改进，认为亮度-电压特性也已改进。换句话说，认为获得一定亮度所需的电压降低。

由上述结论，已证实了通过实施本发明改进了发光效率。

[实施方式10]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa，且随后将t-BuDNA和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为20nm，且调节t-BuDNA和氧化钼(VI)之间的体积比使得含有10体积％的氧化钼。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

随后，通过共蒸发Alq和DPQd，在t-BuDNA之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和DPQd之间的重量比为1∶0.005(＝Alq∶DPQd)。由此，DPQd以DPQd分散于含Alq的层中的状态存在。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件8。

[对比实施例9]

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa，且随后将NPB和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为20nm，且调节NPB和氧化钼(VI)之间的体积比使得含有10体积％的氧化钼。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的t-BuDNA。

另外，通过共蒸发Alq和DPQd，在t-BuDNA之上形成40nm厚的发光层。此时，调节Alq和DPQd之间的重量比为1∶0.005(＝Alq∶DPQd)。由此，DPQd以DPQd分散于含Alq的层中的状态存在。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得对比发光元件8。

图24中显示了实施方式10中制得的发光元件8和对比实施例9中制得的对比发光元件8的电流-电压特性。另外，图25中显示了其亮度-电压特性。另外，图26中显示了其电流效率-亮度特性。

在发光元件8中，获得1130cd/m²的亮度所需的电压为5.4V，此时流动的电流为0.27mA(电流密度为6.76mA/cm²)。另外，此时的电流效率为16.7cd/A。同时，在对比发光元件8中，获得1180cd/m²的亮度所需的电压为7.4V，此时流动的电流为0.37mA(电流密度为9.16mA/cm²)。此时的电流效率为12.9cd/A。

认为发光元件8的电流-电压特性相对于对比发光元件8已改进，即电流容易流动。另外，发光元件8的电流效率-亮度特性相对于对比发光元件8已改进，且认为亮度-电压特定也已改进。换句话说，认为获得一定亮度所需的电压降低。

对比发光元件8使用NPB作为含复合材料的层中所含的有机化合物，且使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)用于含有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)。在对比发光元件8中，由于含复合材料的层与含有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)之间的载流子注入阻力高，所以驱动电压高。另外，由于对比发光元件8中含复合材料的层在450～800nm的波长范围内存在吸收峰，所以从发光区中发出的光部分在含复合材料的层中吸收。

同时，发光元件8使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)作为复合材料中所含的第一有机化合物。由此，能够使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)用于含第二有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)。另外，由于含复合材料的层使用了与提供使其与含复合材料的层相接触的层相同的有机化合物，因此载流子注入阻力低。由此，可以降低发光元件的驱动电压。另外，由于发光元件8中含复合材料的层在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰，从发光区中发出的光可以有效地提取到外部。由此，可以改进发光效率。

由上述结果，已证实了通过实施本发明可以降低发光元件的驱动电压且可以改进发光效率。

[实施方式11]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件9。

[对比实施例10]

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa，且随后将NPB和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为50nm，且调节NPB和氧化钼(VI)之间的体积比使得含有10体积％的氧化钼。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的t-BuDNA。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得对比发光元件9。

图27中显示了实施方式11中制得的发光元件9和对比实施例10中制得的对比发光元件9的电流-电压特性。另外，图28中显示了其亮度-电压特性。另外，图29中显示了其电流效率-亮度特性。

在发光元件9中，获得1009cd/m²的亮度所需的电压为5.6V，此时流动的电流为0.30mA(电流密度为7.46mA/cm²)。另外，此时的电流效率为13.5cd/A。同时，在对比发光元件9中，获得1295cd/m²的亮度所需的电压为7.8V，此时流动的电流为0.50mA(电流密度为12.62mA/cm²)。此时的电流效率为10.3cd/A。

认为发光元件9的电流-电压特性相对于对比发光元件8已改进，即电流容易流动。另外，发光元件9的电流效率-亮度特性相对于对比发光元件8已改进，且认为亮度-电压特定也已改进。换句话说，认为获得一定亮度所需的电压降低。

对比发光元件9使用NPB作为含复合材料的层中所含的有机化合物，且使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)用于含有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)。在对比发光元件9中，由于含复合材料的层与含有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)之间的载流子注入阻力高，所以驱动电压高。另外，由于对比发光元件9中含复合材料的层在450～800nm的波长范围内存在吸收峰，所以从发光区中发出的光部分在含复合材料的层中吸收。

同时，发光元件9使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)作为复合材料中所含的第一有机化合物。由此，能够使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)用于含第二有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)。另外，由于含复合材料的层使用了与提供使其与含复合材料的层相接触的层相同的有机化合物，因此载流子注入阻力低。由此，可以降低发光元件的驱动电压。另外，由于发光元件9中含复合材料的层在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰，从发光区中发出的光可以有效地提取到外部。由此，可以改进发光效率。

[实施方式12]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa，且随后将t-BuDNA和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为150nm，且调节t-BuDNA和氧化钼(VI)之间的体积比使得含有10体积％的氧化钼。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件10。

[对比实施例11]

其次，将其中形成了第一电极的衬底固定在提供在真空蒸发装置中的衬底夹持器上，使在其上形成了第一电极的衬底的表面朝下。然后，将真空装置抽空以将压力降到约10^-4Pa，且随后将NPB和氧化钼(VI)在该第一电极之上共蒸发，由此形成含复合材料的层。膜厚设定为150nm，且调节NPB和氧化钼(VI)之间的体积比使得含有10体积％的氧化钼。共蒸发法是在一个工艺室之内同时由多个蒸发源进行蒸发的蒸发法。

其次，采用电阻加热通过蒸发法形成厚度为10nm的t-BuDNA。

图30中显示了实施方式12中制得的发光元件10和对比实施例11中制得的对比发光元件10的电流-电压特性。另外，图31中显示了其亮度-电压特性。另外，图32中显示了其电流效率-亮度特性。

在发光元件10中，获得1087cd/m²的亮度所需的电压为5.4V，此时流动的电流为0.30mA(电流密度为7.51mA/cm²)。另外，此时的电流效率为14.5cd/A。同时，在对比发光元件10中，获得1272cd/m²的亮度所需的电压为7.6V，此时流动的电流为0.45mA(电流密度为11.17mA/cm²)。此时的电流效率为11.4cd/A。

认为发光元件10的电流-电压特性相对于对比发光元件10已改进，即电流容易流动。另外，发光元件10的电流效率-亮度特性相对于对比发光元件10已改进，且认为亮度-电压特定也已改进。换句话说，认为获得一定亮度所需的电压降低。

对比发光元件10使用NPB作为含复合材料的层中所含的有机化合物，且使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)用于含有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)。在对比发光元件10中，由于含复合材料的层与含有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)之间的载流子注入阻力高，所以驱动电压高。另外，由于对比发光元件10中含复合材料的层在450～800nm的波长范围内存在吸收峰，所以从发光区中发出的光部分在含复合材料的层中吸收。

同时，发光元件10使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)作为复合材料中所含的第一有机化合物。由此，能够使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)用于含第二有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)。另外，由于含复合材料的层使用了与提供使其与含复合材料的层相接触的层相同的有机化合物，因此载流子注入阻力低。由此，可以降低发光元件的驱动电压。另外，由于发光元件10中含复合材料的层在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰，从发光区中发出的光可以有效地提取到外部。由此，可以改进发光效率。

[实施方式13]

该实施方式将更具体地描述本发明的发光元件。

随后，通过共蒸发9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(缩写：CzPA)和9-(4-{N-[4-(9-咔唑基)苯基]-N-苯基氨基}苯基)-10-苯基蒽(缩写：YGAPA)，在t-BuDNA之上形成30nm厚的发光层。此时，调节CzPA和YGAPA之间的重量比为4∶0.16(＝CzPA∶YGAPA)。

然后，通过电阻加热通过蒸发法在发光层之上形成厚度为5nm的BPhen和形成厚度为30nm的Alq，由此形成电子传输层。

最后，通过电阻加热通过蒸发法在该电子传输层之上形成厚度为200nm的铝，由此形成第二电极。由此，制得发光元件11。

图39中显示了实施方式13中制得的发光元件11的电流-电压特性。另外，图40中显示了其亮度-电压特性。另外，图41中显示了其电流效率-亮度特性。

在发光元件11中，获得1023cd/m²的亮度所需的电压为10.6V，此时流动的电流为2.46mA(电流密度为61.5mA/cm²)。另外，此时的电流效率为1.66cd/A。

发光元件11使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)作为复合材料中所含的第一有机化合物。由此，能够使用t-BuDNA(其为具有高电离电位的芳烃)用于含第二有机化合物的层(提供该层使其与含复合材料的层接触)。另外，由于含复合材料的层使用了与提供使其与含复合材料的层相接触的层相同的有机化合物，因此载流子注入阻力低。由此，可以降低发光元件的驱动电压。另外，由于发光元件11中含复合材料的层在450～800nm的波长范围内不存在吸收峰，从发光区中发出的光可以有效地提取到外部。由此，可以改进发光效率。

本申请是基于2005年7月25日在日本特许厅提交的日本专利申请序号第2005-213759和2005年8月9日在日本特许厅提交的日本专利申请序号第2005-230272，其全部内容由此引入作为参考。

附图标记

101：衬底，102：第一电极，103：第一层，104：第二层，105：第三层，106：第四层，107：第二电极，108：含有具备高空穴传输性能的物质的层，302：第一电极，303：第一层，304：第二层，305：第三层，306：第四层，307：第二电极，601：源侧驱动电路，602：像素部分，603：门侧驱动电路，604：密封衬底，605：密封材料，607：空间，608：引线，609：FPC(柔性印刷电路)，610：元件衬底，611：转换TFT，612：电流控制TFT，613：第一电极，614：绝缘体，616：含发光物质的层，617：第二电极，618：发光元件，623：n-通道TFT，624：p-通道TFT，901：外壳，902：液晶层，903：背光，904：外壳，905：驱动IC，906：终端，951：衬底，952：电极，953：绝缘层，954：隔墙层，955：含发光物质的层，956：电极，9101：外壳，9102：支架，9103：显示部分，9104：播音部分，9105：视频输入终端，9201：主体，9202：外壳，9203：显示部分，9204：键盘，9205：外连接端，9206：定位鼠标，9401：主体，9402：外壳，9403：显示部分，9404：声频输入部分，9405：声频输出部分，9406：操作键，9407：外连接端，9408：天线，9501：主体，9502：显示部分，9503：外壳，9504：外连接端，9505：遥控接收部分，9506：图象接收部分，9507：电池，9508：声频输入部分，9509：操作键，和9510：目镜部分。

Claims

1.一种发光元件，包括：

多层体，其中含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的第一层和含第二有机化合物的第二层堆叠，且第二层与第一层接触，

其中，该第一有机化合物为芳烃。

2.一种发光元件，包括：

多层体，其中含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的第一层和含第二有机化合物的第二层堆叠，其中第二层与第一层接触，

其中，该多层体在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值，和

其中，该第一有机化合物为芳烃。

3.一种发光元件，包括：

其中，该复合材料在450～800mm的波长范围内的吸收率满足式(1)：

A≤9.7×10^-4×1……(1)

A：吸收率

l：厚度值，单位为nm，和

其中，该第一有机化合物为芳烃。

4.一种发光元件，包括：

含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的第一层；和

含第二有机化合物的第二层，该第二层与第一层接触，

其中，该第一有机化合物为芳烃。

5.一种发光元件，包括：

含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的第一层；和

含第二有机化合物的第二层，该第二层与第一层接触，

其中第一层与第二层堆叠的多层体在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值，和

其中，该第一有机化合物为芳烃。

6.一种发光元件，包括：

含第一有机化合物和无机化合物的复合材料的第一层；和

含第二有机化合物的第二层，该第二层与第一层接触，

其中，该复合材料在450～800nm的波长范围内的吸收率满足式(1)：

A≤9.7×10^-4×1……(1)

A：吸收率

l：厚度值，单位为nm，和

其中，该第一有机化合物为芳烃。

7.权利要求1、2、4和5中任一项的发光元件，

其中当该复合材料的厚度为100nm时，该复合材料在450～800nm的波长范围内的透射率为80％以上，并且

其中当第二有机化合物和无机化合物的复合材料的厚度为100nm时，该第二有机化合物和无机化合物的复合材料在450～800nm的波长范围内的透射率为80％或更大。

8.权利要求3或6的发光元件，其中第二有机化合物和无机化合物的复合材料在450～800nm的波长范围内的吸收率满足式(1)。

9.权利要求1-3中任一项的发光元件，其中该多层体被提供在一对电极对之间。

10.权利要求4-6中任一项的发光元件，其中该第一层和第二层被提供在一对电极对之间。

11.权利要求1-3中任一项的发光元件，所述发光元件还包括：

含发光物质的发光层，

其中，该发光层提供在所述多层体和电极对的一个电极之间，

其中，该第一层与电极对的另一个电极接触，和

其中，在施加电压使得所述电极对的另一个电极的电位高于所述电极对的一个电极时，所述发光物质发光。

12.权利要求4-6中任一项的发光元件，所述发光元件还包括：

含发光物质的发光层，

其中，该发光层提供在所述第二层和电极对的一个电极之间，

其中，该第一层与电极对的另一个电极接触，和

13.权利要求1-6中任一项的发光元件，其中该第一有机化合物的电离电位Ip(1)和第二有机化合物的电离电位Ip(2)满足：

Ip(2)≤Ip(1)+0.5eV。

14.权利要求1-6中任一项的发光元件，其中该第二有机化合物为芳烃。

15.权利要求1-6中任一项的发光元件，其中该第二有机化合物为蒽衍生物。

16.权利要求1-6中任一项的发光元件，其中该第二有机化合物为咔唑衍生物。

17.权利要求1-6中任一项的发光元件，其中该第二层的厚度为1～20nm。

18.权利要求1-6中任一项的发光元件，其中该无机化合物对于第一有机化合物具有受电子性能。

19.权利要求1-6中任一项的发光元件，其中该无机化合物为过渡金属的氧化物。

20.权利要求1-6中任一项的发光元件，其中该无机化合物是属于周期表第4族～第8族中任一族的金属的氧化物。

21.权利要求1-6中任一项的发光元件，其中该无机化合物为氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、和氧化铼的任一种。

22.一种发光器件，所述发光器件包括权利要求1-6中任一项的发光元件。

23.权利要求22的发光器件，所述发光器件配备有用于控制该发光元件的光发射的控制设备。

24.一种电子设备，所述电子设备包括权利要求1-6中任一项的发光元件。

25.权利要求24的电子设备，其中所述电子设备装备有显示部分，和用于控制该发光元件的光发射的控制设备。