CN102099933A - Led模块 - Google Patents

Led模块 Download PDF

Info

Publication number
CN102099933A
CN102099933A CN2009801284915A CN200980128491A CN102099933A CN 102099933 A CN102099933 A CN 102099933A CN 2009801284915 A CN2009801284915 A CN 2009801284915A CN 200980128491 A CN200980128491 A CN 200980128491A CN 102099933 A CN102099933 A CN 102099933A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead
wire
mounting terminal
led module
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801284915A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102099933B (zh
Inventor
峰下健太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of CN102099933A publication Critical patent/CN102099933A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102099933B publication Critical patent/CN102099933B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种LED模块(A1)，其包括：LED芯片(1)；包含搭载有LED芯片(1)的引线(4A)、和相对于引线(4A)分开配置的引线(4B)的引线组(4)；覆盖引线组(4)的各自一部分的树脂封装(2)；以及由引线组(4)中从树脂封装(2)露出的部分构成且在方向x分开配置的安装端子(41、42)，还包括在方向y相对于安装端子(41)分开配置的安装端子(43)；和在方向y相对于安装端子(42)分开配置的安装端子(44)。根据这样的构成，能够将LED模块(A1)相对于电路基板安装在正确的位置。

Description

LED模块
技术领域
本发明涉及作为光源的具有LED芯片的LED模块。
背景技术
图13是现有的LED模块的一例的仰视图(例如参照专利文献1)。同图所示的LED模块X具备LED芯片91、树脂封装92、两个引线93A、93B。两个引线93A、93B在方向x上分开配置，各自的一部分被树脂封装92覆盖。LED芯片91为LED模块X的光源，搭载于引线93A上。两个引线93A、93B中绕入树脂封装92的底面侧的部分构成用于面安装LED模块X的安装端子94A、94B。
LED模块X向例如电路基板(省略图示)的面安装多使用回流的方法进行。该方法中，通过在经由焊锡膏将安装端子94A、94B预接合于上述电路基板的配线图案上的状态下，使回流炉内的温度上升，由此，上述焊锡膏熔融。此时，当附着于安装端子94A、94B的熔融的焊锡膏的表面张力不平衡时，有时产生LED模块X相对于上述电路基板偏离的不良情况。
专利文献1：日本特开2007-329516号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于上述的情况而考虑的，其课题在于，提供一种相对于电路基板能够安装于正确的位置的LED模块。
用于解决课题的方法
由本发明提供的LED模块包括：LED芯片；包含搭载有所述LED芯片的第一引线、和相对于所述第一引线分开配置的第二引线的引线组；覆盖所述引线组的各自一部分的树脂封装；以及由所述引线组中从所述树脂封装露出的部分构成且在第一方向分开配置的第一安装端子和第二安装端子，还包括：在与所述第一方向成直角的第二方向相对于所述第一安装端子分开配置的第三安装端子；和在所述第二方向相对于所述第二安装端子分开配置的第四安装端子。
本发明优选的实施方式中，所述引线组还具备相对于所述第一引线和第二引线分开配置，且其一部分被所述树脂封装覆盖的第三引线，所述第一安装端子和第三安装端子由所述第一引线的一部分构成，所述第二安装端子由所述第二引线的一部分构成，所述第四安装端子由所述第三引线的一部分构成。
本发明优选的实施方式中，所述引线组还具备相对于所述第一引线第二引线分开配置且其一部分被所述树脂封装覆盖的第三引线，所述第一安装端子和第二安装端子由所述第一引线的一部分构成，所述第三安装端子由所述第三引线的一部分构成，所述第四安装端子由所述第二引线的一部分构成。
本发明优选的实施方式中，所述引线组还具备相对于所述第一引线和第二引线分开配置且其一部分被所述树脂封装覆盖的第三引线，所述第一安装端子和第四安装端子由所述第一引线的一部分构成，所述第二安装端子由所述第二引线的一部分构成，所述第三安装端子由所述第三引线的一部分构成。
本发明优选的实施方式中，所述引线组还具备相对于所述第一引线及第二引线分开配置且其一部分被所述树脂封装覆盖的第三引线和第四引线，所述第一安装端子由所述第一引线的一部分构成，所述第二安装端子由所述第二引线的一部分构成，所述第三安装端子由所述第三引线的一部分构成，所述第四安装端子由所述第四引线的一部分构成。
本发明优选的实施方式中，所述第一安装端子和第三安装端子由所述第一引线的一部分构成，所述第二安装端子和第四安装端子由所述第二引线的一部分构成。
本发明的其它特征及优点参照附图通过以下进行的详细的说明将明了。
附图说明
图1是表示基于本发明第一实施方式的LED模块的俯视图；
图2是表示基于本发明第一实施方式的LED模块的仰视图；
图3是沿着图1的III-III线的剖面图；
图4是表示基于本发明第一实施方式的LED模块的俯视图；
图5是表示基于本发明第二实施方式的LED模块的俯视图；
图6是表示基于本发明第二实施方式的LED模块的仰视图；
图7是表示基于本发明第三实施方式的LED模块的俯视图；
图8是表示基于本发明第三实施方式的LED模块的仰视图；
图9是表示基于本发明第四实施方式的LED模块的俯视图；
图10是表示基于本发明第四实施方式的LED模块的仰视图；
图11是表示基于本发明第五实施方式的LED模块的俯视图；
图12是表示基于本发明第五实施方式的LED模块的仰视图；
图13是表示现有的LED模块的一例的的仰视图。
具体实施方式
下面，参照附图具体说明本发明的最佳实施方式。
图1～图4表示基于本发明第一实施方式的LED模块。本实施方式的LED模块A1具备LED芯片1、树脂封装2、透光树脂3、引线组4。
LED芯片1是LED模块A1的光源。LED芯片1为例如层叠了以GaN为主成分的n型半导体层、活性层、p型半导体层的构造，发蓝色光。在LED芯片1的上表面形成有电极(省略图示)。该电极通过导线51连接于引线组4。LED芯片1例如为平面尺寸为0.2～0.3mm见方、高度为0.15mm左右。另外，从LED芯片1发出的光的波长由构成其的材质决定，也可以发出蓝色光以外的可视光、或红外线、紫外线等非可视光。
树脂封装2例如为白色树脂制，整体为大致正方体形状。树脂封装2覆盖引线组4的一部分。树脂封装2形成有环状的内面。该环状内面包围LED芯片1。
透光树脂3覆盖LED芯片1，充填于由上述环状内面围成的空间。在本实施方式中，透光树脂3由在透明的树脂中混入了荧光体材料的材料构成。作为该荧光体材料，使用例如通过由蓝色光激励而发黄色光的YAG:Ce3+等。由此，从LED模块A1发出白色光。另外，与本实施方式不同，透光树脂3也可以由例如透明的树脂等的使来自LED芯片1的光透过的材料形成。
引线组4由引线4A、4B、4C构成。引线4A、4B、4C例如为由Cu、Ni等合金构成的板状零件。或者也可以对这些合金实施镀Ag。引线4A具有衬垫45A。衬垫45A位于LED模块A1的大致中央，搭载有LED芯片1。引线4A具有从树脂封装2沿方向x彼此平行地突出的两个带状部。这些带状部中折弯至树脂封装2的底面侧的部分构成安装端子41、43。安装端子41、43在方向y上分开配置，用于面安装LED封装A1。
引线4B、4C在方向x上相对于引线4A分开配置。另外，引线4B、4C彼此在方向y上大致平行地分开配置。引线4B、4C分别具有衬垫45B、45C及伸出部47B、47C。衬垫45B、45C用于焊接后述的导线51、52、53、54，或者搭载例如齐纳二极管等元件。伸出部47B、47C是沿方向y伸出的部分。引线4B、4C中从树脂封装2沿方向x突出、进而折弯至树脂封装2的底面侧的部分构成安装端子42、44。安装端子42、44在方向y上分开配置，相对于安装端子41、43沿方向x分开配置。安装端子42、44用于面安装LED封装A1。
下面，对LED模块A1的作用进行说明。
根据本实施方式，在面安装LED模块A1时，在四个安装端子41、42、43、44和电路基板之间介设焊锡膏。该焊锡膏熔融时，在四个安装端子41、42、43、44各自上作用表面张力。如图13所示的现有技术的构成，与在两处作用表面张力的构成相比，在四处作用表面张力的本实施方式容易较良好地平衡表面张力。因此，相对于电路基板能够以正确的姿勢安装LED模块A1。
另外，根据本实施方式，在LED模块A1的制造工序中，可以容易地改变安装端子41、42、43、44的极性。例如，图4中，如果仅设置导线51、52，则可以将安装端子41、43设为-极、将安装端子42、44设为+极。另外，如果仅设置导线51、53，则可以将安装端子41、43、44设为+极、将安装端子42设为-极。另外，如果仅设置导线51，则可以将安装端子41、43设为-极.将安装端子42设为+极、将安装端子44设为开放状态。这样，如果极性容易改变，则即使对搭载LED模块A1的一侧的电路基板的+/-极的配置进行改变，也能够不大幅改变LED模块A1的构造而进行对应。
另外，如图4所示，如果在引线4C的衬垫45C上搭载齐纳二极管11，且仅设置导线51、52、54，则可以防止在LED模块A1上负载过大的逆电压。
当作用将引线4B、4C向方向x拔出的力时，伸出部47B、47C产生对抗该力的反作用力。由此，可防止将引线4B、4C拔出。对于引线4A，两个带状部之间的部分也实现防止引线4A拔出的功能。
本实施方式为具备一个LED芯片1的构成，但本发明的LED模块不限于此。也可以为在衬垫45A上搭载多个LED芯片1的构成。
图5～图12表示本发明的其它实施方式。另外，这些图中，与上述实施方式相同或类似的要素标注与上述实施方式相同的符号。
图5及图6表示基于本发明第二实施方式的LED模块。本实施方式的LED模块A2中，引线4A、4B、4C的构成与上述的实施方式不同。在本实施方式中，引线4A为沿方向x贯通树脂封装2的大致直线状。引线4B、4C相对于引线4A在方向y上分开配置，并在方向x上彼此分开。而且，安装端子41、42由引线4A的一部分构成，安装端子43通过引线4C构成，安装端子44通过引线4B构成。
根据这种构成，与上述的实施方式同样，能够将LED模块A2相对于电路基板以较正确的姿势安装。另外，如图5所示，通过仅设置导线51及52，可以将安装端子41、42设为-极、将安装端子43、44设为+极。另外，如果仅设置导线51、53，则可以将安装端子41、42、43设为-极、将安装端子44设为+极。进而，如果仅设置导线51，则可以将安装端子41、42设为-极、将安装端子44设为+极，将安装端子43设为开放状态。
图7及图8表示基于本发明第三实施方式的LED模块。本实施方式的LED模块A3中，引线4A、4B、4C的构成与上述任一实施方式不同。在本实施方式中，引线4A为在相对于方向x、y的任一方向倾斜的方向贯通树脂封装2的形状。引线4B、4C以夹着引线4A位于俯视为矩形状的树脂封装2的对角的方式设置。安装端子41、44由引线4A的一部分构成，安装端子42由引线4B构成，安装端子43由引线4C构成。
根据这种构成，与上述的实施方式同样，能够将LED模块A3相对于电路基板以较正确的姿势安装。另外，如图7所示，通过仅设置导线51、52，可以将安装端子41、44设为-极、将安装端子42、43设为+极。另外，如果仅设置导线51、53，则可以将安装端子41、43、44设为-极、将安装端子42设为+极。另外，如果仅设置导线51，则可以将安装端子41、44设为-极、将安装端子42设为+极、将安装端子43设开放状态。
图9及图10表示基于本发明第四实施方式的LED模块。本实施方式的LED模块A4中，引线组4的构成与上述的任一实施方式不同。在本实施方式中，引线组4由四个引线4A、4B、4C、4D构成。这些引线4A、4B、4C、4D以接近俯视为矩形状的树脂封装2的四角的方式配置。引线4A具有用于搭载LED芯片1的衬垫45A。引线4B、4C、4D分别具有伸出部47B、47C、47D。而且，安装端子41由引线4A构成，安装端子42由引线4B构成，安装端子43由引线4C构成，安装端子44由引线4D构成。
根据这种构成，与上述的实施方式同样，可以将LED模块A4相对于电路基板以较正确的姿势极性安装。另外，如图9所示，通过仅设置导线51、52、54，可以将安装端子41、42设为-极、将安装端子43、44设为+极。另外，如果仅设置导线51、52、55，则可以将安装端子41设为-极、将安装端子42、43、44设为+极。另外，如果仅设置导线51、52，则可以将安装端子41设为-极、将安装端子43、44设为+极、将安装端子42设为开发放状态。另外，如果仅设置导线51，则可以将安装端子41设为-极、将安装端子44设为+极、将安装端子42、43设为开放状态。这样，通过由四个引线4A、4B、4C、4D构成引线组4，可以增加安装端子41、42、43、44的极性图案数。
图11及图12表示基于本发明第五实施方式的LED模块。本实施方式的LED模块A5，引线组4的构成由上述的任一实施例构成。安装端子41、43由引线4A构成，安装端子42、44由引线4B构成。根据这种构成，与上述的实施方式相同，可以将LED模块A5相对于电路基板以较正确的姿势进行安装。
本发明的LED模块不限于上述的实施方式。本发明的LED模块的各部的具体的构成可进行各种设计变更。

Claims (6)

1.一种LED模块，其特征在于，包括：
LED芯片；
引线组，其包含搭载有所述LED芯片的第一引线和相对于所述第一引线分开配置的第二引线；
覆盖所述引线组的各引线的一部分的树脂封装；和
由所述引线组中从所述树脂封装露出的部分构成且在第一方向分开配置的第一和第二安装端子，
还包括：在与所述第一方向成直角的第二方向相对于所述第一安装端子分开配置的第三安装端子；和在所述第二方向相对于所述第二安装端子分开配置的第四安装端子。
2.如权利要求1所述的LED模块，其特征在于：
所述引线组还具备第三引线，该第三引线相对于所述第一和第二引线分开配置，且该第三引线的一部分被所述树脂封装覆盖，
所述第一安装端子和所述第三安装端子由所述第一引线的一部分构成，
所述第二安装端子由所述第二引线的一部分构成，
所述第四安装端子由所述第三引线的一部分构成。
3.如权利要求1所述的LED模块，其特征在于：
所述引线组还具备第三引线，该第三引线相对于所述第一引线和第二引线分开配置且该第三引线的一部分被所述树脂封装覆盖，
所述第一安装端子和所述第二安装端子由所述第一引线的一部分构成，
所述第三安装端子由所述第三引线的一部分构成，
所述第四安装端子由所述第二引线的一部分构成。
4.如权利要求1所述的LED模块，其特征在于：
所述引线组还具备第三引线，该第三引线相对于所述第一引线和第二引线分开配置且该第三引线的一部分被所述树脂封装覆盖，
所述第一安装端子和所述第四安装端子由所述第一引线的一部分构成，
所述第二安装端子由所述第二引线的一部分构成，
所述第三安装端子由所述第三引线的一部分构成。
5.如权利要求1所述的LED模块，其特征在于：
所述引线组还具备第三引线和第四引线，该第三引线和第四引线相对于所述第一引线和第二引线分开配置且该第三引线和第四引线的一部分被所述树脂封装覆盖，
所述第一安装端子由所述第一引线的一部分构成，
所述第二安装端子由所述第二引线的一部分构成，
所述第三安装端子由所述第三引线的一部分构成，
所述第四安装端子由所述第四引线的一部分构成。
6.如权利要求1所述的LED模块，其特征在于：
所述第一安装端子和所述第三安装端子由所述第一引线的一部分构成，
所述第二安装端子和所述第四安装端子由所述第二引线的一部分构成。
CN2009801284915A 2008-07-23 2009-07-22 Led模块 Active CN102099933B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008189756A JP5464825B2 (ja) 2008-07-23 2008-07-23 Ｌｅｄモジュール
JP2008-189756 2008-07-23
PCT/JP2009/063092 WO2010010890A1 (ja) 2008-07-23 2009-07-22 Ｌｅｄモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102099933A true CN102099933A (zh) 2011-06-15
CN102099933B CN102099933B (zh) 2013-04-03

Family

ID=41570350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801284915A Active CN102099933B (zh) 2008-07-23 2009-07-22 Led模块

Country Status (5)

Country Link
US (4) US8860066B2 (zh)
JP (1) JP5464825B2 (zh)
CN (1) CN102099933B (zh)
TW (1) TW201021250A (zh)
WO (1) WO2010010890A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012004596A (ja) * 2010-01-29 2012-01-05 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP4951090B2 (ja) * 2010-01-29 2012-06-13 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
US10234545B2 (en) * 2010-12-01 2019-03-19 Microsoft Technology Licensing, Llc Light source module
KR101725221B1 (ko) * 2011-01-20 2017-04-11 삼성전자 주식회사 발광 다이오드 패키지용 몰드 구조체
JP5941249B2 (ja) * 2011-02-02 2016-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8692282B2 (en) 2011-10-27 2014-04-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
US8823041B2 (en) 2011-10-27 2014-09-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
DE102011056810B4 (de) 2011-12-21 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2013179271A (ja) * 2012-01-31 2013-09-09 Rohm Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
JP6295171B2 (ja) * 2014-09-16 2018-03-14 アルパッド株式会社 発光ユニット及び半導体発光装置
US10257932B2 (en) 2016-02-16 2019-04-09 Microsoft Technology Licensing, Llc. Laser diode chip on printed circuit board
WO2019120482A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic package
TWI713237B (zh) * 2018-08-01 2020-12-11 大陸商光寶光電（常州）有限公司 發光二極體封裝結構
KR20210090338A (ko) * 2020-01-09 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20230156859A (ko) * 2022-05-06 2023-11-15 주식회사 비에스테크닉스 Mid와 자기유도 기술을 이용한 차량용 led 램프 및 그 제조방법

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
DE29825022U1 (de) * 1997-07-29 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2002314143A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
DE10243247A1 (de) * 2002-09-17 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE10255932A1 (de) * 2002-11-29 2004-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4645071B2 (ja) * 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
US7119422B2 (en) * 2004-11-15 2006-10-10 Unity Opto Technology Co., Ltd. Solid-state semiconductor light emitting device
JP2006216940A (ja) * 2005-01-07 2006-08-17 Toshiba Corp 半導体装置
JP4369409B2 (ja) * 2005-09-27 2009-11-18 日本ライツ株式会社 光源装置
KR100747029B1 (ko) 2005-11-25 2007-08-07 현대자동차주식회사 자동차의 프론트 엔드부 구조
KR100729439B1 (ko) * 2006-03-23 2007-06-15 (주)싸이럭스 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한발광소자의 제조방법
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP4952233B2 (ja) * 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
JP4922663B2 (ja) * 2006-05-18 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
US20070290220A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 Bily Wang Package for a light emitting diode and a process for fabricating the same
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
KR20080011757A (ko) 2006-07-31 2008-02-11 엘지전자 주식회사 방송채널의 선택순서 편집방법
US7910938B2 (en) * 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
WO2008038924A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. Ultraviolet light emitting diode package
JP2008108836A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP5106862B2 (ja) * 2007-01-15 2012-12-26 昭和電工株式会社 発光ダイオードパッケージ
JP5026848B2 (ja) * 2007-04-19 2012-09-19 スタンレー電気株式会社 光半導体デバイスおよびその製造方法
JP2008300573A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Toshiba Corp 発光装置
KR100801621B1 (ko) * 2007-06-05 2008-02-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP2007329502A (ja) * 2007-08-16 2007-12-20 Toshiba Corp 発光装置
JP2007329516A (ja) 2007-09-14 2007-12-20 Sharp Corp 半導体発光装置
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
KR101007131B1 (ko) * 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US8368112B2 (en) * 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US9293435B2 (en) * 2009-09-11 2016-03-22 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and production method therefor
JP5383611B2 (ja) * 2010-01-29 2014-01-08 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
JP5010693B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
MY155671A (en) * 2010-01-29 2015-11-13 Toshiba Kk LED package and method for manufacturing same
JP2011159767A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
TW201220555A (en) * 2010-11-02 2012-05-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light emitting diode lead frame
JP2012114311A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Toshiba Corp Ｌｅｄモジュール
CN103367619B (zh) * 2012-03-30 2015-12-02 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构

Also Published As

Publication number Publication date
US10439116B2 (en) 2019-10-08
US9882105B2 (en) 2018-01-30
WO2010010890A1 (ja) 2010-01-28
TW201021250A (en) 2010-06-01
US8860066B2 (en) 2014-10-14
US20180114888A1 (en) 2018-04-26
CN102099933B (zh) 2013-04-03
US20160141477A1 (en) 2016-05-19
US9276184B2 (en) 2016-03-01
US20150001575A1 (en) 2015-01-01
JP2010027969A (ja) 2010-02-04
JP5464825B2 (ja) 2014-04-09
US20110127569A1 (en) 2011-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102099933B (zh) Led模块
US10950759B2 (en) LED module
US8860047B2 (en) Semiconductor light-emitting device
WO2008153043A1 (ja) 半導体発光装置
CN210167054U (zh) Led灯珠及透明led显示屏
TW201727866A (zh) 發光裝置
EP2783400B1 (en) Water resistant led devices and led display including the same
CN102403306A (zh) 发光二极管封装结构
CN106206905A (zh) 发光二极管封装结构
JP2024015303A (ja) Ｌｅｄ照明装置
CN112086405B (zh) 具有内埋芯片的基板结构及使用其的发光装置
CN113394323A (zh) 显示模组及其制作方法
JP2017212273A (ja) 発光装置の製造方法
CN102064264A (zh) 发光二极管封装方法
KR20110107632A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR102708127B1 (ko) 발광 패키지 어셈블리, 발광 모듈 및 디스플레이 화면
JP5232698B2 (ja) 多面付け基板および半導体発光装置の製造方法。
CN108538997A (zh) 表面贴装型支架和多芯片光电器件
JP2013004834A (ja) Ｌｅｄモジュール
US20070090284A1 (en) Image sensor package structure
TW201331678A (zh) 背光結構及其製造方法
JPH0722577A (ja) 混成集積回路装置
KR20150066269A (ko) 발광 테이프 기판 및 발광 모듈
TWM384414U (en) Light-emitting diode package module

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant