CN106206905A - 发光二极管封装结构 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装结构，包括：多层式电路板、发光二极管晶片及透镜。多层式电路板包含传导层、设置于传导层上的第一树脂层及设置于第一树脂层上的第一线路层。第一树脂层形成有第一开孔，传导层的部分表面经由第一开孔而显露于外，并定义为固晶区。第一线路层形成有第二开孔，且固晶区经由第二开孔而显露于外。发光二极管晶片固定于固晶区上并且打线连接于第一线路层。透镜设置于第一树脂层上并罩设发光二极管晶片与第一线路层。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种封装结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
现有的发光二极管封装结构，尤指应用于闪光灯的发光二极管封装结构，其大都选择以埋入射出方式将反射杯包覆于导线架。然而，仅以反射杯结合于导线架表面，其结合强度明显不足，并且上述埋入射出还会产生相对应的模具费用，进而使现有发光二极管封装结构的成本提高。
于是，本发明人有感上述缺点的可改善，于是特地潜心研究并配合学理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺点的本发明。
发明内容
本发明实施例在于提供一种发光二极管封装结构，通过发光二极管封装结构采用多层式电路板此种创新架构，借以改善现有发光二极管封装结构结合强度低与成本高的问题。
本发明实施例提供一种发光二极管封装结构，包括：一多层式电路板，包含：一传导层，具有位于相反侧的一第一表面与一第二表面；一第一树脂层，设置于该传导层的该第一表面上，该第一树脂层形成有一第一开孔，该传导层的部分该第一表面经由该第一开孔而显露于外，并定义为一固晶区；一第一线路层，设置于该第一树脂层上，并且该第一线路层具有相互分离的一第一电极与一第二电极，该第一电极形成有一第二开孔，该固晶区经由该第二开孔而显露于外；一发光二极管晶片，穿设于该第一线路层的该第二开孔与该第一树脂层的该第一开孔并固定于该传导层的该固晶区上，并且该发光二极管晶片打线连接于该第一线路层的该第二电极；一透镜，设置于该第一树脂层上并罩设该发光二极管晶片与该第一线路层。
综上所述，本发明实施例所提供的发光二极管封装结构，其多层式电路板可通过传导层表面堆叠第一树脂层而形成，以使发光二极管封装结构会有较小的热阻，进一步得到较佳的发光效率。其中，第一树脂层表面因较为粗糙，使得透镜安装于第一树脂层上时，能够有效地提升透镜与第一树脂层之间的结合强度。
再者，由于传导层具有较厚的厚度，使得发光二极管晶片固定于其固晶区上时，能够提升发光二极管晶片的散热速度。并且多层式电路板通过第一开孔的侧壁与第二开孔的侧壁围绕于发光二极管晶片的周围，以形成如同反射围墙的构造，用以反射发光二极管晶片所发出的光线，进而提升发光二极管封装结构的出光率。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附附图仅用来说明本发明，而非对本发明作任何的限制。
附图说明
图1为本发明发光二极管封装结构第一实施例的立体示意图。
图2为图1另一视角的立体示意图。
图3为本发明发光二极管封装结构的局部分解示意图。
图4为本发明的发光二极管与齐纳二极管自多层式电路板分离的示意图。
图5为本发明多层式电路板的上视示意图。
图6为本发明多层式电路板的分解示意图。
图7为图6另一视角的示意图。
图8为图1沿X1-X1剖线的剖视示意图。
图9为本发明发光二极管封装结构第二实施例的立体示意图。
图10为图9另一视角的立体示意图。
图11A为本发明发光二极管封装结构第三实施例的立体示意图。
图11B为图11A沿X2-X2剖线的剖视示意图。
图11C为本发明发光二极管封装结构第三实施例的光视角数据图。
图12A为本发明发光二极管封装结构第四实施例的立体示意图。
图12B为图12A沿X3-X3剖线的剖视示意图。
图12C为本发明发光二极管封装结构第四实施例的光视角数据图。
图13A为本发明发光二极管封装结构第五实施例的立体示意图。
图13B为图13A沿X4-X4剖线的剖视示意图。
图13C为本发明发光二极管封装结构第五实施例的光视角数据图。
图14A为本发明发光二极管封装结构第六实施例的立体示意图。
图14B为图14A沿X5-X5剖线的剖视示意图。
图14C为本发明发光二极管封装结构第六实施例的光视角数据图。
具体实施方式
请参阅图1至图8，其为本发明的第一实施例，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量与外型，仅用以具体地说明本发明的实施方式，以便于了解其内容，而非用以局限本发明的权利范围。
如图1至图4，本实施例为一种发光二极管封装结构100，包括一多层式电路板1、一发光二极管晶片2、一齐纳二极管(Zener diode)3、一透镜4、一粘着胶5及一荧光粉贴片6。其中，上述发光二极管晶片2与齐纳二极管3分别安装于多层式电路板1上的不同平面，而所述透镜4则是通过粘着胶5粘固于多层式电路板1上。其中，粘着胶5可为一紫外线胶、Epoxy或Silicone。以下先就多层式电路板1的具体构造作一说明，而后再介绍多层式电路板1与其他元件之间的连接关系。
请参阅图6和图7所示，并请适时参酌图5与图8。所述多层式电路板1包含一传导层11、设置于传导层11之上的一第一树脂层12、一第一线路层13与一反射层14、穿设于第一树脂层12的两第一连接柱15、设置于传导层11之下的一第二树脂层16与一第二线路层17以及穿设于上述第二树脂层16的两第二连接柱18。
其中，所述传导层11大致呈方型，厚度可为50-500微米，并且传导层11包含有相互分离的一第一传导块111与一第二传导块112、分别自上述第一传导块111侧壁与第二传导块112侧壁延伸的多个连接臂113及包围在上述第一传导块111侧壁、第二传导块112侧壁及该多个连接臂113侧壁的一绝缘部114。其中，所述第一传导块111的顶面、第二传导块112的顶面、连接臂113的顶面及绝缘部114的顶面呈共平面设置，并共同定义为一第一表面115。所述第一传导块111的底面、第二传导块112的底面、连接臂113的底面及绝缘部114的底面亦呈共平面设置，并共同定义为一第二表面116。而该些连接臂113的末端面1131与其所相邻的绝缘部114侧缘齐平，并共同定义为一环侧面117。
再者，所述第一传导块111与第二传导块112是以金属材质(如：铜)制成，并且第一传导块111与第二传导块112为尺寸相异的矩形构造，而第一传导块111的尺寸大于第二传导块112的尺寸。上述第一传导块111的其中一长侧壁与第二传导块112的其中一长侧壁彼此平行地相向且具有相同的长度，所述第一传导块111与第二传导块112在未彼此相向的其余侧壁上一体延伸形成有上述连接臂113，而未延伸形成连接臂113的第一传导块111与第二传导块112的侧壁部位经由绝缘部114包围，进而保持第一传导块111与第二传导块112两者的相对位置。
借此，所述传导层11的环侧面117是以大部分绝缘部114搭配少部分连接臂113末端面1131所构成，使传导层11被切割时，其金属材质(即第一传导块111、第二传导块112、与连接臂113)受切割的部位仅为连接臂113末端面1131，令传导层11被切割的金属材质面积大幅下降，进而避免毛边的产生。
所述第一树脂层12大致呈方型且其采用BT(Bismalimides Triazine)材质，第一树脂层12设置于传导层11的第一表面115上，并且第一树脂层12的周缘于本实施例中大致切齐于传导层11的周缘。其中，所述第一树脂层12形成有呈方型的一第一开孔121及呈圆形的两第一穿孔122，上述第一开孔121大致位于第一树脂层12的中间部位，而第一传导块111的部分第一表面115经由第一开孔121而显露于外，并定义为一固晶区1111(如图5)。上述两第一穿孔122大致位于第一开孔121的对角两侧并分别露出部分第一传导块111与部分第二传导块112。
所述第一线路层13是以金属材质(如：铜)所制成，并且所述第一线路层13设置于第一树脂层12上。上述第一线路层13的厚度小于上述传导层11的厚度，并且第一线路层13厚度与传导层11厚度的比例约为1:4。其中，所述第一线路层13具有相互分离的一第一电极131、一第二电极132及两圆形的极性辨识部133，并且上述第一电极131与第二电极132分别覆盖在所述两第一穿孔122上。
更详细地说，所述第一电极131包含有一环状部1311以及相连于环状部1311的一承载部1312，并且上述环状部1311大致呈方型且形成有方型的一第二开孔1313，第二开孔1313的侧壁切齐于第一开孔121的侧壁，第二开孔1313的位置大致对应第一开孔122的位置，第二开孔1313的开孔的大小也大致对应第一开孔122的开孔大小，以使所述固晶区1111经由第二开孔1313而显露于外。所述承载部1312于本实施例中是由环状部1311的一角落所延伸形成的方型片体。再者，所述第二电极132大致呈L型，并且上述L型的第二电极132的转角围绕于环状部1311的另一角落。
所述反射层14的反射率对应于400nm～470nm波长的光大致为80％以上，反射层14可由防焊油墨或陶瓷油墨所制成。反射层14覆盖于部分第一树脂层12与部分第一线路层13上。其中，所述反射层14大致呈四边形，其外轮廓大致等于透镜4罩设的区域，并且反射层14于其各个角落处形成有1/4圆弧状的一缺角141。所述两极性辨识部133设置于第一树脂层12上且分别对应设置于反射层14的其中两相邻的缺角141，并且该两极性辨识部133是位于第一电极131上方，据以做为辨识发光二极管封装结构100极性之用。
再者，所述反射层14形成有方型的一第三开孔142，上述第三开孔142的轮廓大于第一开孔121与第二开孔1313，并且上述第三开孔142的轮廓落在第一电极131的环状部1311外缘向内缩一距离的位置，以使固晶区1111与第一电极131的承载部1312能经由第三开孔142而显露于外。所述第二电极132于其转角处的两侧各有一区域未被反射层14所覆盖，即分别对应于反射层14所形成的一第四开孔143和一第五开孔144。换句话说，第四开孔143裸露出第二电极132的一发光二极管打线区1322(如图5)，第五开孔144裸露出第二电极132的一齐纳二极管打线区1321(如图5)。反射层14可距离发光二极管晶片四周50-300微米，最佳为150微米，能有效提高出光效率。
借此，所述第一线路层13大都被反射层14所覆盖，而仅露出承载部1312、部分的环状部1311内缘、齐纳二极管打线区1321及发光二极管打线区1322，借以通过光反射率较高的反射层14覆盖第一线路层13的方式，避免第一线路层13影响光反射效率。
所述两第一连接柱15可为铜柱，分别穿设于第一树脂层12的两第一穿孔122，并且该两第一连接柱15的其中一第一连接柱15两端分别连接于第一电极131及第一传导块111，而另一第一连接柱15两端则分别连接于第二电极132及第二传导块112。
所述第二树脂层16大致呈方型且其采用BT材质，第二树脂层16设置于传导层11的第二表面116上，并且第二树脂层16的周缘于本实施例中大致切齐于传导层11的周缘。其中，所述第二树脂层16形成有多个贯孔161以及呈圆形的两第二穿孔162，上述贯孔161于本实施例中大致位于第二树脂层16的中间部位并呈矩阵状排列。进一步地说，该些矩阵状排列的贯孔161是大致位于固晶区1111的正下方。所述两第二穿孔162大致位于该些贯孔161的对角两侧并分别露出部分第一传导块111与部分第二传导块112。
所述第二线路层17大致呈方型且以金属材质(如：铜)所制成，上述第二线路层17设置于第二树脂层16上，并且第二线路层17的周缘位于第二树脂层16周缘向内缩一距离处(如图2)。上述第二线路层17的厚度小于传导层11的厚度，并且第二线路层17厚度与传导层11厚度的比例约为1:4。其中，所述第二线路层17具有相互分离的一第一焊接垫171与一第二焊接垫172。上述第一焊接垫171与第二焊接垫172之间设有一隔离部173，用以确保第一焊接垫171与第二焊接垫172电性独立，增加发光二极管封装结构100的信赖性。而上述第一焊接垫171与第二焊接垫172分别覆盖在所述两第二穿孔162上。
更详细地说，所述第一焊接垫171设有一凸出部1711，而第二焊接垫172于对应上述凸出部1711的部位设有一凹陷部1721，并且凸出部1711的前端部分位于凹陷部1721所包围的空间内。其中，所述第一焊接垫171覆盖上述第二树脂层16的所有贯孔161，并且凸出部1711覆盖至少两列的贯孔161。换言之，该些贯孔161是位于固晶区1111与第一焊接垫171之间(如图8)。再者，所述固晶区1111正投影于第二线路层17所形成的投影区域，其完全位于凸出部1711及凸出部1711旁的第一焊接垫171部位。再者，所述隔离部173包围在第一焊接垫171与第二焊接垫172两者彼此相邻的侧壁上，以使第一焊接垫171与第二焊接垫172的电性独立。
借此，通过位于固晶区1111与第一焊接垫171之间的第二树脂层16部位形成有贯孔161，使得固晶区1111能将热能经由该些贯孔161而迅速地传递至第一焊接垫171，借以提升发光二极管封装结构100的散热效率。再者，所述第一焊接垫171通过设有凸出部1711，使固晶区1111能够完全对应至第一焊接垫171，借以提升发光二极管封装结构100的散热面积与吃锡面积。
所述两第二连接柱18可为铜柱，分别穿设于第二树脂层16的两第二穿孔162，并且该两第二连接柱18的其中一第二连接柱18两端分别连接于第一焊接垫171及第一传导块111，而另一第二连接柱18两端则分别连接于第二焊接垫172及第二传导块112。
以上即为本实施例所提出的多层式电路板1，其通过传导层11于相反两表面分别堆叠第一树脂层12与第二树脂层16而形成的多层堆叠构造，以使多层式电路板1的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion，CTE)能够平衡，进而达到多层式电路板1不易产生翘曲的效果。以下将接着说明多层式电路板1与其他元件的连接关系。
请参阅图3、图4及图8。所述发光二极管晶片2于本实施例中是采用垂直式晶片，但于实际应用时，并不受限于此，设计者亦能于第一线路层上增设发光二极管打线区域(图略)，借以改为采用水平式晶片。
再者，所述发光二极管晶片2穿设于第三开孔142、第二开孔1313及第一开孔121，并固定于传导层11的固晶区1111上，借以使发光二极管晶片2底面部位与固晶区1111达成电性连接。并且发光二极管晶片2突伸出第三开孔142的部位，其高度比例超过50％。所述荧光粉贴片6贴合于发光二极管晶片2上方，并且荧光粉贴片6于发光二极管晶片2的晶片电极处形成两个缺口，以供金属导线电性连接用。亦即，上述裸露于荧光粉贴片6缺口之外的发光二极管晶片2晶片电极经打线连接于第一线路层13的第二电极132的发光二极管打线区1322。
借此，由于多层式电路板1的传导层11具有较厚的厚度，使得发光二极管晶片2固定于其固晶区1111上时，能够提升发光二极管晶片2的散热速度。再者，通过第一开孔121的侧壁、第二开孔1313的侧壁及第三开孔142的侧壁围绕于发光二极管晶片2的周围，以形成如同反射围墙的构造(如图8)，用以反射发光二极管晶片2所发出的光线，进而提升发光二极管封装结构100的出光率。
所述齐纳二极管3固定于第一电极131的承载部1312，并且齐纳二极管3经打线连接于第二电极132的齐纳二极管打线区1321。借此，齐纳二极管3所在的承载部1312位置是高于发光二极管晶片2所在的固晶区1111，借以通过承载部1312与固晶区1111位于不同平面的设计，避免齐纳二极管3及其所在的承载部1312影响发光二极管晶片2的出光效率。
所述透镜4经由粘着胶5而固定于第一树脂层12上并罩设发光二极管晶片2、齐纳二极管3、第一线路层13及反射层14。其中，透镜4于本实施例是以紫外光胶5固定于第一树脂层12为例，但于实际应用时，亦可通过其他方式将透镜4固定于第一树脂层12，并不以本实施例所述的粘着胶5为限。
借此，由于本实施例中的第一树脂层12为含有玻璃纤维的BT材质，使其表面因而较为粗糙，借以在透镜4粘固于第一树脂层12上时，能够有效地提升透镜4与第一树脂层12之间的结合强度。再者，所述多层式电路板1中的反射层14所形成的多个1/4圆弧状缺角141，能够在透镜4固定于上述第一树脂层12时，避免对上述两者的结合产生干涉。
更详细地说，邻近多层式电路板1的透镜4底缘形成有1/2圆弧状的一缺口41，并且透镜4所包围的空间能经由缺口41而连通于外。其中，所述缺口41对应于多层式电路板1的位置大致位于远离齐纳二极管3的部位。借此，所述透镜4通过缺口41的设计，借以使透镜4内所包围空间能够与外部流通，避免冷热膨胀而产生裂开的问题。
以上所述的发光二极管封装结构100为本发明的较佳实施态样，但本发明的发光二极管封装结构100并不以此为限。举例来说，如图9和图10所示的第二实施例中，所述发光二极管封装结构100的多层式电路板1能够省略如第一实施例中所载的第二树脂层16与第二线路层17，亦即，第二实施例的多层式电路板1仅包含第一实施例中所载的传导层11、第一树脂层12、第一线路层13及反射层14。据此，第二实施例的多层式电路板1的传导层11的第一传导块111与第二传导块112能分别作为发光二极管封装结构100的正极与负极使用。再者，由于本实施例的多层式电路板1的传导层11表面仅堆叠第一树脂层12而未堆叠第二树脂层16，使得本实施例的发光二极管封装结构100会有较小的热阻，进一步得到较佳的发光效率。
再者，所述透镜4的具体构造亦能依据设计者的实际需求而加以调整变化，例如图11A至图14C所分别呈现的第三至第六实施例的发光二极管封装结构100。
进一步地说，如图11A至图11C所示，当采用平凸的透镜4时，发光二极管封装结构100所能呈现的光视角在水平方向或垂直方向视角大约为41度。如图12A至图12C所示，当采用平凹的透镜4时，发光二极管封装结构100所能呈现的光视角在水平方向或垂直方向视角大约为110度。如图13A至图13C所示，当采用平加Frensel透镜4时，发光二极管封装结构100所能呈现的光视角在水平方向或垂直方向视角大约为107度。如图14A至图14C所示，当采用平凸的透镜4时，发光二极管封装结构100所能呈现的光视角在水平方向或垂直方向视角大约为52-60度。上述实施例所使用的透镜4，无论是水平方向或垂直方向，其光视角大致相同。使用者也可依不同的应用需求设计出水平方向和垂直方向各具有不同的光视角。譬如说，在其他未绘示的实施例中，发光二极管封装结构100所能呈现的光视角在水平方向大约为78度，在垂直方向大约为52度。依上所述，不同透镜4的选择会影响光均匀性、光视角和出光效率，可因应不同的应用而搭配不同形状的透镜4。本发明透镜4的形状并不以上述为限，透镜4可为单一轴向的多重曲率或多个轴向的多重曲率混合。
[本发明实施例的可能效果]
综上所述，本发明实施例所提供的发光二极管封装结构具有下述效果：
多层式电路板通过传导层于相反两表面分别堆叠第一树脂层与第二树脂层而形成的多层堆叠构造，以使多层式电路板的热膨胀系数能够平衡，进而达到多层式电路板不易产生翘曲的效果。其中，第一树脂层表面因较为粗糙，使得透镜粘固于第一树脂层上时，能够有效地提升透镜与第一树脂层之间的结合强度。再者，当传导层表面仅堆叠第一树脂层时，发光二极管封装结构会有较小的热阻，进一步得到较佳的发光效率。
由于传导层具有较厚的厚度，使得发光二极管晶片固定于其固晶区上时，能够提升发光二极管晶片的散热速度。再者，通过第一开孔的侧壁、第二开孔的侧壁及第三开孔的侧壁围绕于发光二极管晶片的周围，以形成如同反射围墙的构造，用以反射发光二极管晶片所发出的光线，进而提升发光二极管封装结构的出光率。
所述传导层的环侧面是以大部分绝缘部搭配少部分连接臂末端面所构成，使传导层被切割时，其金属材质受切割的部位仅为连接臂末端面，令传导层被切割的金属材质面积大幅下降，进而避免毛边的产生。
所述第一线路层大都被反射层所覆盖，而仅露出承载部、部分的环状部内缘、齐纳二极管打线区及发光二极管打线区，借以通过反射率高的反射层覆盖第一线路层的方式，避免第一线路层影响反射效率。
所述多层式电路板中的反射层所形成的多个1/4圆弧状缺角，能够在透镜固定于上述第一树脂层时，避免对上述两者的结合产生干涉。
齐纳二极管所在的承载部位置是高于发光二极管晶片所在的固晶区，借以通过承载部与固晶区位于不同平面的设计，避免齐纳二极管及其所在的承载部影响发光二极管晶片的出光效率。
通过位于固晶区与第一焊接垫之间的第二树脂层部位形成有贯孔，使得固晶区能将热能经由该些贯孔而能迅速地传递至第一焊接垫，借以提升发光二极管封装结构的散热效率。再者，所述第一焊接垫通过设有凸出部，使固晶区能够完全对应至第一焊接垫，借以提升发光二极管封装结构的散热面积与吃锡面积。
所述透镜通过1/2圆弧状缺口的设计，借以使透镜内所包围空间能够与外部流通，避免冷热膨胀而产生裂开的问题。
以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，其并非用以局限本发明的范围，凡依本发明权利要求书所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (13)

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一多层式电路板，包含：
一传导层，具有位于相反侧的一第一表面与一第二表面；
一第一树脂层，设置于该传导层的该第一表面上，该第一树脂层形成有一第一开孔，该传导层的部分该第一表面经由该第一开孔而显露于外，并定义为一固晶区；及
一第一线路层，设置于该第一树脂层上，并且该第一线路层具有相互分离的一第一电极与一第二电极，该第一电极形成有一第二开孔，该固晶区经由该第二开孔而显露于外；
一发光二极管晶片，穿设于该第一线路层的该第二开孔与该第一树脂层的该第一开孔并固定于该传导层的该固晶区上，并且该发光二极管晶片打线连接于该第一线路层的该第二电极；以及
一透镜，设置于该第一树脂层上并罩设该发光二极管晶片与该第一线路层。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一线路层的厚度小于该传导层的厚度，该传导层包含有相互分离的一第一传导块与一第二传导块、分别自该第一传导块侧壁与该第二传导块侧壁延伸的多个连接臂及包围在该第一传导块侧壁、该第二传导块侧壁及该多个连接臂侧壁的一绝缘部；该第一传导块的尺寸大于该第二传导块的尺寸，并且该绝缘部包围在该第一传导块侧壁、该第一传导块侧壁和该多个连接臂侧壁，该些连接臂的末端面与其所相邻的该绝缘部侧缘齐平，而该固晶区位于该第一传导块上。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该多层式电路板具有穿设于该第一树脂层的两第一连接柱，并且该两第一连接柱的其中一第一连接柱两端分别连接于该第一电极及该第一传导块，而另一第一连接柱两端则分别连接于该第二电极及该第二传导块。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一电极包含有形成该第二开口的一环状部以及相连于该环状部的一承载部，该发光二极管封装结构进一步包括有一齐纳二极管，该齐纳二极管固定于该第一电极的该承载部，并且该齐纳二极管打线连接于该第二电极。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该多层式电路板包括有一反射层，该反射层覆盖于部分该第一树脂层与部分该第一线路层上并位于该透镜所罩设的区域内；该反射层形成有一第三开孔、一第四开孔和一第五开孔，该第三开孔的轮廓大于该第一开孔与该第二开孔，该固晶区与该承载部经由该第三开孔而显露于外，该第四开孔和该第五开孔分别裸露出该第二电极的一发光二极管晶片打线区与一齐纳二极管打线区，并且该发光二极管晶片打线连接于该发光二极管晶片打线区，而该齐纳二极管打线连接于该齐纳二极管打线区。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该反射层呈四边形，并且该反射层于其各个角落处形成有一圆弧状的缺角。
7.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一开孔的侧壁与该第二开孔的侧壁相互切齐，并且该第一开孔的侧壁、该第二开孔的侧壁及该第三开孔的侧壁用以反射该发光二极管晶片所发出的光线。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，邻近该多层式电路板的该透镜底缘形成有一圆弧状的缺口，并且该透镜所包围的空间经由该缺口而连通于外。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其进一步包括一粘着胶，该透镜经由该粘着胶而粘固于该第一树脂层上。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该多层式电路板进一步包括：
一第二树脂层，设置于该传导层的该第二表面上；及
一第二线路层，设置于该第二树脂层上，该第二线路层的厚度小于该传导层的厚度，并且该第二线路层具有相互分离的一第一焊接垫与一第二焊接垫。
11.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该多层式电路板具有穿设于该第二树脂层的两第二连接柱，并且该两第二连接柱的其中一第二连接柱两端分别连接于该第一焊接垫及该第一传导块，而另一第二连接柱两端则分别连接于该第二焊接垫及该第二传导块。
12.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第二树脂层形成有多个贯孔，并且该些贯孔位于该固晶区与该第一焊接垫之间。
13.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一焊接垫设有一凸出部，该第二焊接垫于对应该凸出部的部位设有一凹陷部，该凸出部的部分位于该凹陷部所包围的空间内，并且该固晶区正投影于该第二线路层所形成的投影区域，完全位于该第一焊接垫部位内，且位置对应该凸出部。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109935556A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 光宝科技股份有限公司 发光二极管封装结构、散热基板及散热基板的制造方法
CN111180568A (zh) * 2020-02-19 2020-05-19 松山湖材料实验室 发光二极管封装结构及其制备方法
CN111524881A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 光宝光电(常州)有限公司 光源装置
US11217572B2 (en) 2019-02-01 2022-01-04 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light source device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109560183B (zh) * 2015-04-29 2020-04-17 光宝光电(常州)有限公司 多层式电路板及发光二极管封装结构
TWI634679B (zh) * 2017-03-27 2018-09-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其支架
DE102017106959A1 (de) * 2017-03-31 2018-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung und Leuchtsystem
JP2019145593A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 京セラ株式会社 光半導体素子、光半導体モジュール、および光半導体モジュールの製造方法
CN109860165B (zh) * 2018-12-29 2024-09-06 广东晶科电子股份有限公司 一种led器件及其制作方法
CN113630958A (zh) * 2020-05-06 2021-11-09 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 电路板及其制备方法、背光板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1423477A (zh) * 2001-11-30 2003-06-11 松下电器产业株式会社 固态成像装置及其制作方法
US20040212051A1 (en) * 2000-12-22 2004-10-28 Broadcom Corporation Ball grid array package with patterned stiffener layer
CN1875493A (zh) * 2003-11-07 2006-12-06 特里多尼克光电子有限公司 带有散热板的发光二极管装置
US20090053459A1 (en) * 1998-12-16 2009-02-26 Ibiden Co., Ltd. Conductive connecting pin and package substrate
CN103682069A (zh) * 2012-09-06 2014-03-26 欧司朗股份有限公司 多层的led电路板

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5455456A (en) * 1993-09-15 1995-10-03 Lsi Logic Corporation Integrated circuit package lid
JPH0846085A (ja) * 1994-08-02 1996-02-16 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO1999034654A1 (fr) * 1997-12-29 1999-07-08 Ibiden Co., Ltd. Plaquette a circuits imprimes multicouche
EP1990833A3 (en) * 2000-02-25 2010-09-29 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed circuit board and multilayer printed circuit board manufacturing method
US6614660B1 (en) * 2002-04-30 2003-09-02 Ultratera Corporation Thermally enhanced IC chip package
US6849932B2 (en) * 2002-09-03 2005-02-01 Ultratera Corporation Double-sided thermally enhanced IC chip package
CN1835211A (zh) * 2005-03-15 2006-09-20 王忠诚 电子装置的电路板及制造方法
JP5136632B2 (ja) * 2010-01-08 2013-02-06 大日本印刷株式会社 電子部品
CN103367619B (zh) * 2012-03-30 2015-12-02 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构
CN105845807A (zh) * 2012-05-07 2016-08-10 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管覆晶封装结构
CN102751425B (zh) * 2012-05-30 2016-05-04 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管封装构造及其承载件
CN109560183B (zh) * 2015-04-29 2020-04-17 光宝光电(常州)有限公司 多层式电路板及发光二极管封装结构

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090053459A1 (en) * 1998-12-16 2009-02-26 Ibiden Co., Ltd. Conductive connecting pin and package substrate
US20040212051A1 (en) * 2000-12-22 2004-10-28 Broadcom Corporation Ball grid array package with patterned stiffener layer
CN1423477A (zh) * 2001-11-30 2003-06-11 松下电器产业株式会社 固态成像装置及其制作方法
CN1875493A (zh) * 2003-11-07 2006-12-06 特里多尼克光电子有限公司 带有散热板的发光二极管装置
CN103682069A (zh) * 2012-09-06 2014-03-26 欧司朗股份有限公司 多层的led电路板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109935556A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 光宝科技股份有限公司 发光二极管封装结构、散热基板及散热基板的制造方法
CN109935556B (zh) * 2017-12-15 2020-11-24 光宝科技股份有限公司 发光二极管封装结构、散热基板及散热基板的制造方法
CN111524881A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 光宝光电(常州)有限公司 光源装置
US11217572B2 (en) 2019-02-01 2022-01-04 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light source device
CN111180568A (zh) * 2020-02-19 2020-05-19 松山湖材料实验室 发光二极管封装结构及其制备方法

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