CN102099307A - 光纤用母材的制造方法及光纤用母材的制造装置 - Google Patents

Abstract

一种用VAD法制作光纤用母材的方法，向纤芯沉积用燃烧器提供氧、氢、及硅化合物；通过在氢氧火焰中水解反应而生成的二氧化硅依次沉积在初始材料的前端；调整初始材料的提拉速度以与多孔质母材的生长相适应、使得沉积的前端位置位于恒定位置；每个预定的时间计算平均提拉速度；计算所算出的提拉速度的平均值与预先设定的提拉速度设定值之间的差值；在所提供的氢是常温下所制造的氢或者是常温下所贮藏的氢的情况下，根据该差值校正四氯化硅的流量；在所提供的氢是使液态氢气化而得到的氢的情况下，根据该差值校正氢的流量；在校正该氢的流量时，以与向纤芯沉积用燃烧器所提供的氢的校正前后的流量之比相同的比、校正向包层沉积用燃烧器所提供的氢的流量。

Description

光纤用母材的制造方法及光纤用母材的制造装置

技术领域

本发明涉及利用在氢氧火焰水解反应来制造光纤用母材的制造方法及装置，尤其涉及使用使液态氢气化而得到的氢进行水解反应的光纤用母材的制造方法及装置。本申请与下述日本专利申请相关、且主张下述日本专利申请的优先权。对于认可文献通过参照而被并入的指定国，下述专利申请中所记载的内容通过参照的方式而被结合到本申请中，成为本申请的一部分。

1．特愿2008-187918  申请日   2008年7月18日

2．特愿2009-168138  申请日   2009年7月16日。

背景技术

在低温贮藏槽中贮藏液态氢，然后将其升温、气化而供给到连接于后段的设备中的氢供给设备已被实用化。例如，可以列举制造高纯度的石英玻璃的例子，其中，有使用VAD法或OVD法的方法，无论哪种方法，都是向燃烧器内供给氢和氧、并对使其燃烧的氢氧火焰中供给四氯化硅（SiCl₄）等硅化合物，然后通过水解反应生成二氧化硅（SiO₂），使生成的二氧化硅沉积以制造多孔质母材，然后用电气炉加热多孔质母材，获得透明的高纯度的石英玻璃。

在用VAD法制造由折射率高的纤芯部和折射率比纤芯部低的包层部构成的光纤预制棒的情况下，在纤芯沉积用燃烧器中，大多提供锗作为用于提高石英玻璃的折射率的添加剂。锗以化合物的形式提供，例如，使用四氯化锗（GeCl₄）。GeCl₄在氢氧火焰中水解，生成GeO₂。SiCl₄和GeCl₄在常温下是液体，其或者通过载气产生气泡而被气化来提供、或者通过加热至比沸点高的温度而被直接气化来提供。

提供给燃烧器的氢，可以使用常温下所制造的氢或者是常温下所贮藏的氢，作为在其供给停止时的备用，可以考虑使用液态氢。或者所供给的所有氢为液态氢经气化后得到的氢的方法。

在用VAD法或OVD法制造的设备中，使用质量流量控制器（MFC）来控制提供给燃烧器的气体的流量。

用VAD法制作光纤用母材，将通过火焰水解反应生成的玻璃微粒子沉积在旋转的初始部件上来形成多孔质母材，然后将其在加热炉内加热至1500℃左右，形成透明的石英玻璃。沉积中，检测出多孔质母材的沉积前端位置，且配合多孔质母材的生长，调整提拉速度，但是，如专利文献1中所记载的，在沉积过程中，如果使提拉速度保持恒定的话，能够稳定地获得具有所期望的折射率分布的光纤用母材，因此，每隔预定时间检测相对于提拉速度设定值的偏离量，根据所检测到的偏离量校正SiCl₄等原料气体的流量。专利文献2为了保持提拉速度恒定，在多个包层用燃烧器中，只控制向与纤芯用燃烧器相邻的包层用燃烧器提供的氢量。

专利文献1：特开平1-239033号公报

专利文献2：特开平3-242341号公报。

发明内容

在使用常温下所制造的氢的VAD装置中，在该氢的供给被中断时切换为供给气化液态氢所得到的氢，提拉速度不由自主地提高了2%左右，芯径变细。另外，即使是在通常的将液态氢气化后使用的情况下，如果其使用量变化的话，提拉速度也会变化，芯径也会产生改变。专利文献2是这样的技术：其只校正向与纤芯相邻的燃烧器供给的氢，使纤芯部的温度变化、使提拉速度变化、且校正包层的生长速度。该技术没有考虑因氢的来源不同而引起的实际流量的改变。因此，在使用通常的气体氢而不是使液态氢气化的氢、在将其切换为使液态氢气化的氢的情况下，即使使提拉速度保持恒定、包层的生长速度也会显著变化，从而导致包层的厚度不稳定的情形。

这种氢气的流量变化的影响对通过VAD法制造的光纤用母材的光学特性表现得非常明显，存在不能稳定地获得具有所期望的折射率分布的光纤用母材、次品的比率变大的问题。

为了解决上述问题，根据本发明的第一实施方式，提供一种光纤用母材的制造方法，其用VAD法将玻璃微粒子依次沉积在一边旋转一边被提拉的初始材料的前端，该方法的特征在于，向纤芯沉积用燃烧器提供氧、氢、及硅化合物；将在氢氧焰下通过水解反应而生成的二氧化硅依次沉积在初始材料的前端；调整提拉速度以与多孔质母材的生长相适应、使得沉积的前端位置位于恒定位置；在各预定的时间计算提拉速度的平均值；计算所算出的提拉速度的平均值与预先设定的提拉速度设定值之间的差值；在所提供的氢是常温下所制造的氢或者是常温下所贮藏的氢的情况下，根据该差值校正被提供给纤芯沉积用燃烧器的四氯化硅的流量；在所提供的氢是使液态氢气化而得到的氢的情况下，根据该差值校正被提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的流量；在校正该氢的流量时，以与向纤芯沉积用燃烧器所提供的氢的校正前后的流量之比相同的比、校正向包层沉积用燃烧器所提供的氢的流量。

在上述光纤用母材的制造方法中，还可以向所述纤芯沉积用燃烧器提供作为添加剂的锗化合物。另外，所述硅化合物可以是被加热到沸点以上而被气化的四氯化硅。所述锗化合物可以是被加热到沸点以上而被气化的四氯化锗。

在所述纤芯沉积用燃烧器及包层沉积用燃烧器二者中，可以提供来源相同的氢。向所述纤芯沉积用燃烧器及包层沉积用燃烧器所提供的氢可以由以测定气体的热容量作为测定原理的流量控制装置来控制流量。所述以测定气体的热容量作为测定原理的流量控制装置为质量流量控制器。

另外，根据本发明第二实施方式，提供一种光纤用母材的制造装置，其用VAD法将玻璃微粒子依次沉积在一边旋转一边被提拉的初始材料的前端，该制造装置的特征在于，包括：四氯化硅供给设备；供给在常温下制造的氢或者在常温下贮藏的氢的第1氢供给设备；至少使液态氢气化并供给氢的第2氢供给设备；调整提拉速度以配合母材的生长，使沉积的前端位置位于恒定位置的机构；控制部，其每个预定的时间计算提拉速度的平均值，计算所算出的提拉速度的平均值与预先设定的提拉速度设定值之间的差值，具有根据该差值来校正被提供给纤芯沉积用燃烧器的四氯化硅的流量的模式、以及根据该差值来校正被提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的流量的模式；控制部设定为，在由第1氢供给设备供给氢的情况下使用校正四氯化硅的流量的模式，在由第2氢供给设备供给氢的情况下使用校正氢的流量的模式，在校正该氢的流量的模式下，以与提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的校正前后的流量比相同的比来校正被提供给包层沉积用燃烧器的氢的流量。

被提供给纤芯沉积用燃烧器及包层沉积用燃烧器的氢可以由以测定气体的热容量作为测定原理的流量控制装置来控制流量。以测定气体的热容量作为测定原理的流量控制装置为质量流量控制器。

光纤用母材的制造装置还具有检测部，该检测部检测所供给的氢在常温下制造的或贮藏的氢与使液态氢气化的氢之间的切换的情况，控制部可以根据检测部检测到的被切换的情况而切换使用的模式。

上述发明的概要所列举的并不都是本发明的必要特征。另外，这些特征的子组合也可以形成本发明。

发明的效果

利用本发明，能以高收率获得光学特性稳定的光纤用母材，且提高了生产性。

附图说明

图1示出了表示正氢与仲氢的旋转状态的示意图。

图2示出了在各温度的平衡状态下的仲氢浓度，纵轴为仲氢浓度（%），横轴为温度（K）。

图3示出了本实施方式的光纤用母材的制造装置的具体构成例。

图4是说明氢的供给形态的示意图。

图5是说明通过VAD法制作光纤用母材的方法的示意图。

图6是表示通过VAD法所制造的光纤用母材的折射率分布的概略图，其中纵轴表示折射率差，横轴表示预制棒的径向位置。

图7A是表示实施例1中将供给至由VAD法制造光纤用母材的装置的氢从常温下所制造的氢切换为气化液态氢而得到氢时的提拉速度的变化的图。纵轴表示粉末沉积体（スート堆積体）的提拉速度（mm/min），横轴从左向右表示时间（一个格为2.4小时）。

图7B是表示在比较例1中的提拉速度的变化的图。

附图标记的说明

10  光纤用母材的制造装置； 100  四氯化硅供给设备； 120 第1氢供给设备； 140 第2氢供给设备；142 低温贮藏槽； 144 气化器； 150 氢供给源切换器； 152 第1阀； 154 第2阀； 160 控制装置； 161 检测部； 162 设定值存储部； 164 校正系数存储部； 165 校正演算部； 167 第1质量流量控制部； 168 第2质量流量控制部； 180 VAD装置； 182 提拉速度调整机构。

具体实施方式

下面，通过本发明的实施方式对本发明的一个侧面进行说明，但是以下的实施方式并不限定本发明的保护范围。另外，实施方式中所说明的特征的组合的全部不一定都是解决本发明技术问题所必须的。

在使用常温下所制造的氢的VAD装置中，在切换为供给气化液态氢所得到的氢时，提拉速度提高2%左右，芯径变细。通过研究，该提拉速度的提高及纤芯的细径化相当于SiCl₄的流量不变而使氢的流量减少1%左右时的变化。另外，提拉速度基本上由提供给纤芯沉积用燃烧器的SiCl₄和氢的流量决定，纤芯径的粗细基本上由提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的流量决定。

在氢提供给MFC的阶段，氢的压力及温度在氢的切换前后被相同的程度保持，在常温下所制造的氢、液态氢的纯度、及不纯物浓度方面，没有看到与这样的氢流量变化相关联的差异。

另外，即使在通常的使液体氢气化后使用的情况下，其使用量如果变化，提拉速度变化，同样发现了在氢的实际流量上的变化。

因此，本发明的发明人着重于氢分子的异构体的存在。

氢分子中，如图1中所示，存在核旋转方向不同的2种异构体。作为2原子分子的氢分子具有两个质子，将两个质子的旋转方向相同的氢分子称为正氢，将两个质子的旋转方向相反的氢分子称为仲氢。

图2表示在各个温度的平衡状态下的仲氢浓度。在200K以上的常温下的平衡状态，氢中的正氢与仲氢的比率为3 : 1；而在液态氢的沸点（20K）附近的平衡状态，几乎都为仲氢。另外，将在常温下正氢与仲氢处于平衡状态的氢称为标准氢。由于从正氢向仲氢的转换是缓慢的，而且是放热反应，所以当将常温的氢在不改变正氢与仲氢之比率的状态下变成液态氢的情况下，在低温贮藏槽内正氢向仲氢转换并放热，大量的液态氢蒸发。

为了防止这样的反应，应该在稳定的状态下贮藏液态氢，通常在氢的液化处理阶段进行正氢与仲氢的转换，几乎所有仲氢都是以液态氢被制造、输送、贮藏。

另外，在正氢与仲氢中，其物理特性值不同。在0℃的恒压比热，仲氢为30.35[J/(mol·K)]、标准氢为28.59[J/(mol·K)]，存在6%左右的差异。

另一方面，为控制氢的流量而使用的MFC，由于通过测定以热的方式所流过的流体的热容量来进行控制，所以对于比热不同的流体，每种流体适用不同的转换系数（conversion factor），以保证流量的精度。因此，用适用标准氢用的转换系数的MFC，控制仲氢比标准氢浓度高的氢流量时，判明对应于仲氢的浓度，与标准氢相对比，实际流量至少在0～6%的范围减少。例如，在仲氢的浓度为37%左右时，判定氢的实际流量比标准氢减少1%左右。这样的氢的实际流量的变化对所制造的产品的光学特性产生影响、使次品的比例增加。

另外，即使经常使液态氢气化而使用的例子下，在其使用量变化的情形下，液态氢被气化后到达MFC为止的时间会变化，从而仲氢、正氢转换的程度不同，所以最后到达MFC时的仲氢的浓度也会变化。在这种情况下，由于与上述例子同样的理由，随着仲氢的浓度的变化，氢的实际流量也变化。

为了防止这种氢的实际流量的变化，也想到了将标准氢直接作为液态氢而贮藏的方法，但是这种方法每当施加磁场时抑制正氢向仲氢的转换，不仅仅附随于液态氢制造设备的低温贮藏槽设置施加磁场的装置，在输送中使用的货车及附随于氢供给设备的低温贮藏槽全都需要设置施加同样磁场的装置，这在成本上来讲是不实用的。

基于上述事实，在本实施方式中，每隔预定的时间间隔算出提拉速度的平均值，计算所算出的提拉速度的平均值与预先设定的提拉速度设定值之间的差值；在控制装置中预先设定根据该差值来校正提供给纤芯沉积用燃烧器的四氯化硅的流量的模式、以及根据该差值来校正提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的流量的模式，在所提供的氢是在常温下所制造的氢或者是常温下所贮藏的氢的情况下，校正四氯化硅的流量；在所提供的氢是使液态氢气化而得到的氢的情况下，校正氢的流量；在校正氢的流量的模式下，以与向纤芯沉积用燃烧器所提供的氢的校正前后的流量之比相同的比、校正向包层沉积用燃烧器所提供的氢的流量。

由此，即使在氢被切换成使备用的液态氢气化的氢的情形下，或者在使来源于液态氢的氢的流量变化的情形下，可以保证实质上向纤芯沉积用燃烧器及包层沉积用燃烧器所供给的氢的实际流量恒定。

另外，由于在校正前后的MFC中的氢的流量比表示正在流动的氢随着正氢与仲氢之比的变化而引起的实际流量的变化，所以即使对于包层沉积用燃烧器，如果以相同的比校正由MFC进行流量控制所提供的氢的流量，那么被提供给包层沉积用燃烧器的氢的实际流量也会基本上保持恒定，因此能够获得特性稳定的产品。

另外，SiCl₄或GeCl₄的供给，通过加热至比沸点高的温度使其直接被气化而提供。通过这种方法，可以准确地得到任意的原料气体浓度。另外，为了使其在到达燃烧器之前不冷凝而再次液化，可以通过用其它气体（例如氦气）来稀释后提供。另外，对于SiCl₄或GeCl₄的供给，还有用载气形成气泡使其气化来提供的方法，但是载气与原料气体的混合气体由于混合气体中的原料气体浓度受大气压的影响，所以不能说是优选的方法。

图3示出了本发明的光纤用母材制造装置10的具体构成例。光纤用母材制造装置10包括四氯化硅供给设备100、第1氢供给设备120、第2氢供给设备140、氢供给源切换器150、控制装置160、以及VAD装置180。光纤用母材制造装置10通过用VAD法将玻璃微粒子依次沉积在一边旋转一边被提拉的初始材料的前端来制造光纤用母材。

四氯化硅供给设备100 向VAD装置180提供四氯化硅（SiCl₄）。第1氢供给设备120向VAD装置180所具有的燃烧器供给常温下制造的氢或者是常温下贮藏的氢。第2氢供给设备140具有低温贮藏槽142及气化器144，气化器144将在低温贮藏槽142中贮藏的液态氢气化，提供给VAD装置180所具有的燃烧器。从第2氢供给设备140提供的氢可以用作从第1氢供给设备120所提供的氢的备用品使用。

氢供给源切换器150将供给VAD装置180的氢的供给源切换为第1氢供给设备120或第2氢供给设备140。氢供给源切换器150例如具有第1阀152和第2阀154，第1阀152设置在从第1氢供给设备120的氢供给途中，第2阀154设置在从第2氢供给设备140的氢供给途中。

控制装置160具有检测部161、设定值存储部162、校正系数存储部164、校正演算部165、第1质量流量控制部167、第2质量流量控制部168。控制装置160在每个预定的时间计算提拉速度的平均值，计算所算出的提拉速度的平均值与预先设定的提拉速度设定值之间的差值，具有根据该差值来校正被提供给纤芯沉积用燃烧器的四氯化硅的流量的模式、以及根据该差值来校正被提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的流量的模式。

控制装置160在所提供的氢是常温制造的氢或者常温贮藏的氢的情况下，可以使用校正四氯化硅的流量的模式。另外，控制装置160在所提供的氢是使液态氢气化而得到的氢的情况下可以使用校正氢的流量的模式。在该校正氢的流量的模式下，可以以与提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的校正前后的流量比相同的比来校正提供给包层沉积用燃烧器的氢的流量。

检测部161检测氢的供给源在第1氢供给设备与第2氢供给设备之间被切换的情况。检测部161可以监视第1阀152及第2阀154中打开的阀，检测氢供给源的切换情况。另外，检测部161还可以监视被提供给第2质量流量控制器168的氢中的正氢与仲氢的比率，检测氢供给源的切换情况。

设定值存储部162存储氢或者四氯化硅的流量的设定值。校正系数存储部164存储在校正提供给纤芯沉积用燃烧器的氢或四氯化硅的流量的情形下所使用的校正系数。校正演算部165在校正提供给纤芯沉积用燃烧器的四氯化硅的流量的模式下，对第1质量流量控制器167设定在校正系数存储部164中所存储的系数乘以四氯化硅的流量设定值而得到的值作为校正后的设定值。另外，校正演算部165在校正提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的流量的模式中，对第2质量流量控制器168设定在校正系数存储部164中所存储的系数乘以氢的流量设定值而得到的值作为校正后的设定值。

第1质量流量控制部167测定四氯化硅的流量，并进行控制以使该流量与设定值一致。第2质量流量控制部168测定氢的流量，并进行控制以使该流量与设定值一致。第1质量流量控制部167及第2质量流量控制部168优选为以测定气体的热容量为测定原理的装置。

VAD装置180具有纤芯沉积用燃烧器及包层沉积用燃烧器，使所供给的四氯化硅与氢产生反应并使玻璃微粒子沉积。提拉速度调整机构182与母材的生长相适应地来调整提拉速度，以使沉积的前端位置总是位于恒定位置。

下面通过列举实施例及比较例对本发明的实施方式进一步详细说明，但本发明并不局限于此。

实施例1：

如图4所示意性地示出的，在氢供给设备的后段，将为商业用所研发、提供的液态氢贮藏在液态氢容器中，使其通过气化器被气化、产生氢气；使氢供给设备的后段与供给常温下所制造的氢的配管合流、连接于使用氢的设备。在液态氢供给管的配管上和供给常温下所制造的氢的配管上，分别在合流前设置阀，以使得各个管可以单独使用。

图5中示出了在本实施例中使用的VAD装置的概略图。VAD装置具有纤芯沉积用燃烧器及位于其上方的包层沉积用燃烧器，分别提供通过MFC进行流量控制的氢、氧、惰性气体、作为原料被气化的SiCl₄。关闭液态氢供给管侧的阀门，向VAD装置的氢提供常温下所制造的氢。

被提供到氢氧火焰中的SiCl₄通过水解反应而形成SiO₂，被依次沉积在一边旋转一边被提拉的目标体的前端，形成粉末沉积体。在沉积过程中，沉积体的前端附近由摄像机（CCD）来监视粉末，为了使其前端位置不上下移动，通过PID控制器配合粉末沉积体的生长调整提拉速度。例如，每20分钟左右的规定时间求提拉速度的平均值。然后，例如，对于1.00mm/min的设定速度，上述平均值究竟偏离多大程度，算出其差值。在校正四氯化硅的模式下，上述速度每相差0.01mm/min、使纤芯沉积用燃烧器的四氯化硅减少0.5%。在校正氢的流量的模式下在规定时间求提拉速度的平均值，该平均值与为1.0mm/min的某设定速度每相差0.01mm/min，纤芯沉积用燃烧器及包层沉积用燃烧器的氢增加0.5%。

给下方的纤芯沉积用燃烧器除了供给SiCl₄之外，还供给GeCl₄。GeCl₄经火焰水解反应形成GeO₂，被添加到最终制造的石英玻璃中，提高折射率。通过只向纤芯沉积用燃烧器供给GeCl₄，只有纤芯部的折射率被提高，制造出如图6所示的具有作为光纤有用的折射率分布的光纤预制体。在该图中，纵轴是相对折射率差，横轴表示预制体的径向位置。

使用常温下制造的氢、开始光纤预制体的制造，在制造进行到某种程度的时刻，将对纤芯沉积用燃烧器及包层沉积用燃烧器的氢的提供，从常温下所制造的氢切换为气化液态氢所产生的氢。与此同时从校正上述四氯化硅的流量的模式切换至校正上述氢的流量的模式。其结果，在切换前后的氢的实际流量没有丝毫变化。如图7A所示，在切换前后没有看到提拉速度出现异常，将所得到的粉末沉积体透明玻璃化而得到的光纤预制棒，在长度方向上的光学特性稳定。另外，图7A及图7B的纵轴表示粉末沉积体的提拉速度（mm/min），横轴表示从左向右行进的时间（一格为2.4小时）。

比较例1：

在从常温下所制造的氢向气化液态氢而得到的氢切换时， 除了不进行氢流量的校正以外，与实施例1一样地进行了光纤预制棒的制造。结果，在氢的切换前后氢的实际流量发生变化，如图7B中所示，提拉速度加快2%。在将所得到的粉末沉积体透明玻璃化时，可以看到由于该变化，折射率分布、芯径、包层径也发生变化，作为光纤预制棒不能使用。另外，在一部分装置中粉末沉积体剥离。这被认为是由于在切换前后氢的实际流量突然变化、密度急剧变化而引起的。

以上，虽然通过实施方式对本发明进行了说明，但是本发明的技术范围并不限于上述实施方式中所记载的范围。对于本领域技术人员来说可以明白的是，对上述实施方式还可以进行多种变更或改进。从记载的权利要求的范围可知，进行这样的变更或改进而得到的实施方式也被包含于本发明的技术范围内。

在权利要求书、说明书、及附图中所示的装置、系统、程序、及方法中的动作、次序、步骤、以及阶段等的各种处理的实际顺序，如果没有特别明示“在……之前”、“先于……”等，或者除非在后面的处理中使用前面的处理的输出，则应该认为可以以任意的顺序来实现。关于权利要求书、说明书、及附图中的动作流程，为了方便虽然使用了“首先”、“其次”等进行说明，但是并不意味着必须以这样的顺序来实施。

产业上的利用可能性

如从上述说明所明白的，利用本发明的一实施方式，可以以高收率获得光学特性稳定的光纤用母材，可以提高生产性。另外，利用本发明的一实施方式，即使在从常温下所制造的氢或常温下所贮藏的氢切换至使液态氢气化的氢时，或者在常时使用液态氢的例子中，使其供给量变化时，也可以使氢的实际流量保持恒定，在长度方向芯径稳定，可以稳定地得到具有期望的折射率分布的光纤用母材等，达到极好的效果。

Claims (11)

1.一种光纤用母材的制造方法，其用VAD法将玻璃微粒子依次沉积在一边旋转一边被提拉的初始材料的前端，其特征在于，

向纤芯沉积用燃烧器提供氧、氢、及硅化合物；

将通过在氢氧火焰中水解反应而生成的二氧化硅依次沉积在初始材料的前端；

配合多孔质母材的生长，调整提拉速度，以使沉积的前端位置位于固定位置；

在各预定的时间计算所述提拉速度的平均值；

计算所算出的提拉速度的平均值与预先设定的提拉速度设定值之间的差值；

在所提供的氢是常温下所制造的氢或者是常温下所贮藏的氢的情况下，根据该差值校正被提供给纤芯沉积用燃烧器的四氯化硅的流量；

在所提供的氢是使液态氢气化而得到的氢的情况下，根据该差值校正被提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的流量；

在校正该氢的流量时，以与向纤芯沉积用燃烧器提供的氢的校正前后的流量之比相同的比、校正向包层沉积用燃烧器提供的氢的流量。

2.根据权利要求1所述的光纤用母材的制造方法，其特征在于，向所述纤芯沉积用燃烧器还提供作为添加剂的锗化合物。

3.根据权利要求1所述的光纤用母材的制造方法，其特征在于，所述硅化合物是被加热到沸点以上而气化的四氯化硅。

4.根据权利要求2所述的光纤用母材的制造方法，其特征在于，所述锗化合物是被加热到沸点以上而被气化的四氯化锗。

5.根据权利要求1所述的光纤用母材的制造方法，其特征在于，在所述纤芯沉积用燃烧器及包层沉积用燃烧器二者中，提供来源相同的氢。

6.根据权利要求5所述的光纤用母材的制造方法，其特征在于，向所述纤芯沉积用燃烧器及包层沉积用燃烧器所提供的氢，由以测定气体的热容量作为测定原理的流量控制装置来控制流量。

7.根据权利要求6所述的光纤用母材的制造方法，其特征在于，所述以测定气体的热容量作为测定原理的流量控制装置为质量流量控制器。

8.一种光纤用母材的制造装置，其用VAD法将玻璃微粒子依次沉积在一边旋转一边被提拉的初始材料的前端，其特征在于，包括：

四氯化硅供给设备；

供给在常温下制造的氢或者在常温下贮藏的氢的第1氢供给设备；

至少使液态氢气化并供给的第2氢供给设备；

配合母材的生长，调整提拉速度，以使沉积的前端位置位于固定位置的机构；

控制部，其具有在每个预定的时间计算所述提拉速度的平均值，计算所算出的提拉速度的平均值与预先设定的提拉速度设定值之间的差值，根据该差值来校正被提供给纤芯沉积用燃烧器的四氯化硅的流量的模式、以及根据该差值来校正被提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的流量的模式；

所述控制部设定为，在由所述第1氢供给设备供给氢的情况下使用校正四氯化硅的流量的模式，在由所述第2氢供给设备供给氢的情况下使用校正氢的流量的模式，在该校正氢的流量的模式下，以与提供给纤芯沉积用燃烧器的氢的校正前后的流量比相同的比校正被提供给包层沉积用燃烧器的氢的流量。

9.根据权利要求8所述的光纤用母材制造装置，其特征在于，被提供给所述纤芯沉积用燃烧器及包层沉积用燃烧器的氢，由以测定气体的热容量作为测定原理的流量控制装置来控制流量。

10.根据权利要求9所述的光纤用母材制造装置，其特征在于，所述以测定气体的热容量作为测定原理的流量控制装置为质量流量控制器。

11.根据权利要求8所述的光纤用母材制造装置，其特征在于，还具有检测部，该检测部检测所供给的氢在常温下制造或贮藏的氢和使液态氢气化的氢之间的切换情况，

所述控制部根据所述检测部检测到的切换的情况，而切换使用模式。

Images