CN102097289B - 真空进样室 - Google Patents

真空进样室 Download PDF

Info

Publication number
CN102097289B
CN102097289B CN2010101242391A CN201010124239A CN102097289B CN 102097289 B CN102097289 B CN 102097289B CN 2010101242391 A CN2010101242391 A CN 2010101242391A CN 201010124239 A CN201010124239 A CN 201010124239A CN 102097289 B CN102097289 B CN 102097289B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
base plate
ribs
load lock
slit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010101242391A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102097289A (zh
Inventor
李敦熙
金范城
河周一
马熙铨
金东建
卢东珉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TESCO Ltd
TES Co Ltd
Original Assignee
TESCO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TESCO Ltd filed Critical TESCO Ltd
Publication of CN102097289A publication Critical patent/CN102097289A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102097289B publication Critical patent/CN102097289B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

提供一种可防止真空变形的真空进样室。真空进样室包括第一腔室、第二腔室及上盖。第一腔室包括第一底板和从第一底板垂直延伸的四个第一侧壁,在四个第一侧壁中的相互对置的两个第一侧壁上,形成有用于基板的搬入及搬出的第一狭槽。第二腔室包括第二底板和从第二底板垂直延伸的四个第二侧壁,并且,该第二腔室以使其呈开口状的上部位于第一腔室侧的方式同第一腔室结合。在四个第二侧壁中的相互对置的两个第二侧壁上,形成有用于基板的搬入及搬出的第二狭槽。第二腔室包括第一加强肋,其从形成有第二狭槽的两个第二侧壁上端向内侧方向延伸。上盖覆盖第一腔室的呈开口状的上部。由此,可以最大限度地防止层叠的单位腔室之间的压力差所导致的真空变形。

Description

真空进样室
技术领域
本发明涉及一种真空进样室(load lock chamber,也称作“负荷固定室”或“上/下料腔”),更详细地说,涉及在执行大面积被处理基板的工艺处理前后,用于装载及卸载被处理基板的真空进样室。
背景技术
一般而言,在制造液晶显示装置、太阳能电池等产品时,需要执行在玻璃基板等被处理基板上沉积各种薄膜的工序,以及对已沉积的薄膜进行构图处理的工序等各种制造工序,而这些工序在向相应工序的执行提供最佳条件的处理室中完成。尤其在最近,将多个处理室配置成群结构,以便在短时间内能够处理多个基板的基板处理系统正在得到广泛应用。
这样的基板处理系统包括:多个处理室,执行化学气相沉积工艺;真空进样室(loadlock chamber),在基板进入处理室之前,构造可使基板进入处理室的环境;传送室(transfer chamber),设置有机械手,将真空进样室内的基板移送至处理室,或者将处理室内的基板移送至真空进样室。
通常,处理室在不同于外部大气环境的、高温低压环境下对基板进行工艺处理。因此,在基板从外部搬入到处理室之前,或者在基板从处理室搬出到外部之前,真空进样室提供与处理室的环境、或者外部环境实质上相同的环境状态。另外,最近为了提高工艺效率及生产率,采用了层叠多个单位腔室的真空进样室。
但是,具有层叠两个以上单位腔室的结构的真空进样室,单位腔室之间的压力差会引起弯曲等变形。尤其是,随着被处理基板的大面积化,真空进样室也变得大型化,这样就导致上述结构的真空进样室发生更大的变形,严重时甚至会发生真空进样室主体的开裂等问题。
发明内容
因此,本发明鉴于上述问题点而做出,其目的在于提供一种真空进样室,能够最大限度地防止层叠的单位腔室之间的压力差所引起的真空变形。
本发明提供的一种真空进样室,包括第一腔室、第二腔室及上盖。真空进样室包括第一腔室、第二腔室及上盖。所述第一腔室包括第一底板和从所述第一底板垂直延伸的四个第一侧壁,在所述四个第一侧壁中的相互对置的两个第一侧壁上,形成有用于基板的搬入及搬出的第一狭槽。所述第二腔室包括第二底板和从所述第二底板垂直延伸的四个第二侧壁,并且,该第二腔室以使其呈开口状的上部位于所述第一腔室侧的方式同所述第一腔室结合。在所述四个第二侧壁中的相互对置的两个第二侧壁上,形成有用于基板的搬入及搬出的第二狭槽。所述第二腔室包括第一加强肋,其从形成有所述第二狭槽的两个第二侧壁上端向内侧方向延伸。所述上盖覆盖所述第一腔室的呈开口状的上部。
另外,也可以是,所述第一加强肋从中央部往外侧,其宽度变得越来越大。而且,在所述第一加强肋上,形成有与所述第一底板联结用的第一结合孔。
此外,也可以是,所述第二腔室还包括多个第二加强肋,所述多个第二加强肋在所述四个第二侧壁中的未形成有所述第二狭槽的两个第二侧壁的内表面沿上下方向延伸形成。而且,在所述第二加强肋的上部,形成有与所述第一底板联结用的第二结合孔。
另外,也可以是,还包括第三加强肋,其形成在所述上盖的外表面和所述第二底板的外表面中的至少一个外表面上。而且,所述第三加强肋可以形成格子形状。
此外,也可以是,还包括加强板,其结合在形成有所述第一狭槽及第二狭槽的所述第一侧壁及第二侧壁的外表面。
本发明提供的另一种真空进样室,其包括第一腔室、第二腔室及上盖。所述第一腔室包括第一底板和从所述第一底板垂直延伸的四个第一侧壁,在所述四个侧壁中的相互对置的两个侧壁上,形成有用于基板的搬入及搬出的第一狭槽。所述第二腔室包括第二底板和从所述第二底板垂直延伸的四个第二侧壁,在所述四个第二侧壁中的相互对置的两个第二侧壁上,形成有用于基板的搬入及搬出的第二狭槽。所述第二腔室还包括多个加强肋,所述多个加强肋在未形成有所述第二狭槽的两个第二侧壁的内表面沿上下方向延伸形成,并且在上部形成有与所述第一底板联结用的结合孔;上盖覆盖所述第一腔室的呈开口状的上部。
根据上述结构的真空进样室,在由于形成狭槽而导致易于变形的侧壁的上端形成加强肋,可以有效地防止狭槽形成部位的腔室变形。另外,利用上述腔室的底板和下腔室的加强肋,通过螺栓联结方式结合上腔室和下腔室,就可以避免侧壁的不必要的厚度增大,而且,在解决真空变形导致的螺栓破损等问题的同时,可以最大限度地防止真空进样室的真空变形。
附图说明
图1是表示本发明的一实施例涉及的真空进样室的分解立体图。
图2是表示图1所示的第二腔室的具体结构的立体图。
图3是表示图1所示的第一腔室和第二腔室的结合状态的俯视图。
图4是沿图3的I-I’线剖切的剖视图。
图5是表示图4的A部分的放大示意图。
附图标记
100:真空进样室            200:第一腔室
210:第一底板              220:第一侧壁
222:第一狭槽              300:第二腔室
310:第二底板              320:第二侧壁
330:第一加强肋            332:第一结合孔
340:第二加强肋            342:第二结合孔
400:上盖                  500:第三加强肋
600:加强板
具体实施方式
下面,结合附图对本发明的较佳实施例进行详细说明。上述本发明的特征及效果,将通过结合附图进行的以下详细说明会变得更清除,并且,本发明所属技术领域的普通技术人员可以容易地实施本发明的技术思想。本发明不限于下述实施例,可通过其他方式实现。本说明书中记载的各个实施例的作用在于,可以更完整地公开技术内容,并且向本领域技术人员充分传达本发明的技术思想和特征。在附图中,为了清除地说明本发明,各装置或膜(层)及区域的厚度被夸张显示,另外,各装置还可以具备本说明书中未记载的各种附加装置。
下面,结合附图进一步详细说明本发明的较佳实施例。
图1是表示本发明的一实施例涉及的真空进样室的分解立体图,图2是表示图1所示的第二腔室的具体结构的立体图。
如图1及图2所示,本发明的一实施例涉及的真空进样室100包括:第一腔室200;第二腔室300,结合在第一腔室200的下部;以及上盖400,覆盖第一腔室200的呈开口状的上部。
第一腔室200包括第一底板210和从第一底板210垂直延伸的四个第一侧壁220。第一底板210具有矩形形状,第一侧壁220从第一底板210的四个边分别向上方垂直地形成,提供在其内部可收容基板的空间。例如,第一底板210和第一侧壁220通过焊接相结合,使连接部分完全被密封。在第一侧壁220中的相互对置的两个第一侧壁220a上,形成用于基板的搬入及搬出的第一狭槽222。
另外,在第一底板210的上表面,可以形成用于防止第一底板210变形的加强条212。加强条212例如可以向与形成有第一狭槽222的两个第一侧壁220a相垂直的方向延伸而形成。此外,加强条212还可以沿与形成有第一狭槽222的两个第一侧壁220a平行的方向形成,或者以格子形状形成。另外,加强条212也可以形成于第一底板210的下表面。
第二腔室300包括第二底板310和从第二底板310垂直延伸的四个第二侧壁320。第二底板310具有矩形形状,而第二侧壁320从第二底板310的四个边分别向上方垂直地形成,提供在其内部可收容基板的空间。例如,第二底板310和第二侧壁320通过焊接相结合,使连接部分完全被密封。在第二侧壁320中的相互对置的两个第二侧壁320a上,形成用于基板的搬入及搬出的第二狭槽322。
第二腔室300结合于第一底板210,此时其呈开口状的上部位于第一腔室200侧。通过如上所述的第一腔室200和第二腔室300的结合,在第二腔室300内形成了用于收容基板的封闭空间。
另外,由于在第二腔室300的上部配置具有较大重量的第一腔室200,因此,在第二腔室300上会施加很大的负荷。此时,在第二腔室300的第二侧壁320中的形成有第二狭槽322的两个侧壁320a,同其它侧壁相比具有相对较薄的厚度,因此,比较容易变形。为此,第二腔室300包括第一加强肋330,以防止形成有第二狭槽322的第二侧壁320a发生变形。
第一加强肋330从形成有第二狭槽322的两个第二侧壁320的上端向内侧方向延伸而形成。所述第一加强肋330从中央到未形成有第二狭槽322的第二侧壁320所在的外侧,其宽度变得越来越大,即延伸长度变大。即,第一加强肋330的、与形成有第二狭槽322的第二侧壁320a相结合的面的相反面,具有弧形形状。与此不同,第一加强肋的形状是,从中央部到外侧,其延伸长度沿着直线变长,或者延伸长度相同。
如上所述,通过在因第二狭槽322的形成而导致的易于真空变形的结构的第二侧壁320a的上端形成第一加强肋330,可以有效地抑制狭槽形成部位的腔室变形。
另外,第一腔室220和第二腔室300的结合,通过螺栓结合来实现。为了第一腔室200和第二腔室300之间的螺栓结合,可以在第一侧壁220或第二侧壁320上形成可使螺栓贯通的孔,以便实现螺栓结合,但是在该情况下,会存在第一侧壁220及第二侧壁320的厚度变厚而增加腔室重量的问题,会发生腔室间的真空变形的应力集中施加在螺栓上而导致螺栓破损的问题。
因此,通过在第一底板210上螺栓结合第二腔室300,来代替第一侧壁220和第二侧壁320的螺栓结合,就可以解决上述问题。
为此,在第一加强肋330上形成用于与第一腔室200的第一底板210进行螺栓结合的第一结合孔332。可以沿着第二侧壁320a的长度方向,相互隔着间距设有多个第一结合孔332。
另外,为了确保与第一底板210的有效结合,第二腔室300还包括在未形成有第二狭槽322的两个第二侧壁320b的内表面沿上下方向延伸形成的第二加强肋340。第二加强肋340可以沿第二侧壁320a的长度方向相互隔着间距设成有多个。在第二加强肋340的上部,形成用于与第一底板210螺栓结合的第二结合孔342。
图3是表示图1所示的第一腔室和第二腔室的结合状态的俯视图,图4是沿图3的I-I’线剖切的剖视图,图5是表示图4的A部分的放大示意图。
如图3、图4及图5所示,第一腔室200的第一底板210包括:第一通孔214,在与形成于第一加强肋330的第一结合孔332对应的位置形成;以及第二通孔216,在与形成于第二加强肋340的第二结合孔342对应的位置形成。即,在与形成有第一狭槽222的第一侧壁220a相邻的位置,沿着第一侧壁220a的长度方向相互隔着间距设有多个第一通孔214,此外,在与未形成有第一狭槽222的第一侧壁220b相邻的位置,沿着第一侧壁220b的长度方向相互隔着间距设有多个第二通孔216。
因此,与形成有第一狭槽222的两个第二侧壁220a相邻的第一底板210部分,通过利用了第一通孔214和第一结合孔332的螺栓联结而结合,与未形成有第一狭槽222的两个第二侧壁220b相邻的第一底板210部分,通过利用了第二通孔216和第二结合孔342的螺栓联结而结合。
这样,利用第一底板210和第一加强肋330及第二加强肋340来结合第一腔室200和第二腔室300,就可以避免第一侧壁220及第二侧壁320的不必要的厚度增大,而且,在解决真空变形引起的螺栓破损等问题的同时,可以防止真空进样室100的真空变形。
另外,可以在第一结合孔332及第二结合孔342的周边设置O形环,以便提高第一腔室200和第二腔室300之间的密封性。另外,还可以在第一侧壁220和第二侧壁320之间、以及第一侧壁220和上盖400之间等部位也设置O形环。
从图1可知,在第一腔室200的呈开口状的上部结合着上盖400。通过这样的第一腔室200和上盖400的结合,在第一腔室200内形成用于收容基板的封闭空间。例如,上盖400与第一侧壁220通过螺栓联结而结合。
另外,真空进样室100还可以包括在上盖400的外表面和第二底板310的外表面中的至少一个外表面形成的第三加强肋500。该第三加强肋500具有沿上盖400的宽度方向及长度方向延伸的格子形式。此外,第三加强肋500还可以具有沿斜线方向延伸的格子形式,或者是只沿上盖400的宽度方向延伸的形状,或者是只沿上盖400的长度方向延伸的形状。所述第三加强肋500防止上盖400及第二底板310的真空变形。
另外,为了进一步提高防止真空变形的效果,真空进样室100还可以包括加强板600。加强板600结合在形成有第一狭槽222及第二狭槽322的第一侧壁220a及第二侧壁320a的外表面上。在加强板600的与第一狭槽222及第二狭槽322对应的位置,形成有用于基板的搬入或搬出的开口部610。
另外,虽然未图示,但在第一腔室200及第二腔室300的内部,可以设置用于支撑基板的基板支撑构件。另外,在第一腔室200及第二腔室300上,可连结用于将内部抽成真空的排气机构和将真空状态转换为大气状态的气体供给机构。再者,可以在第一腔室200和第二腔室300中的任一个上设置用于加热基板的加热机构,在另一个上设置用于冷却基板的冷却机构。
具备上述结构的真空进样室100的工作过程如下。首先,若基板从外部被搬入到第一腔室200,通过对第一腔室200实施排气而形成真空状态,然后将基板传送至处理室。此时,可以利用设在第一腔室200的加热机构对基板进行加热。另外,在处理室中完成工艺处理之后,基板被传送至真空状态的第二腔室300,则向第二腔室300供给气体而转换为大气状态,然后将基板搬出至外部。此时,可以利用设在第二腔室300的冷却机构对基板进行冷却。
如上所述,具有用于装载基板的第一腔室200和用于卸载基板的第二腔室300层叠形成的结构的真空进样室100,需要持续地反复形成用于基板的搬入及搬出的真空状态和大气状态,但是,因第一腔室200和第二腔室300之间的压力差,会发生真空变形。因此,利用在第二腔室300的形成有第二狭槽322的第二侧壁320a上端形成的第一加强肋330、在未形成有第二狭槽322的第二侧壁320b上形成的第二加强肋340、在第一底板210上形成的加强条212、在上盖400及第二底板310的外表面形成的第三加强肋400、结合在形成有第一狭槽222及第二狭槽322的第一侧壁220a及第二侧壁320a外表面上的加强板600等,可以最大程度地减少真空进样室100的真空变形。
在以上记载的本发明的详细说明中,参照本发明的优选实施例进行了说明,但是,本领域的普通技术人员应当理解,在不脱离权利要求中记载的本发明的主旨和技术范围的情况下,可以对本发明进行修改、变形或者等同替换,这些均应属于本发明的要求保护范围中。

Claims (6)

1.一种真空进样室,其特征在于,包括:
第一腔室,包括第一底板和从所述第一底板垂直延伸的四个第一侧壁,在所述四个第一侧壁中的相互对置的两个第一侧壁上,形成有用于基板的搬入及搬出的第一狭槽;
第二腔室,包括第二底板和从所述第二底板垂直延伸的四个第二侧壁,并且,该第二腔室以使其呈开口状的上部位于所述第一腔室侧的方式同所述第一腔室结合,在所述四个第二侧壁中的相互对置的两个第二侧壁上,形成有用于基板的搬入及搬出的第二狭槽,还包括从形成有所述第二狭槽的两个第二侧壁的上端向内侧方向延伸的第一加强肋;以及
上盖,覆盖所述第一腔室的呈开口状的上部;
所述第一加强肋从中央部往外侧,其宽度变得越来越大或者相同,在所述第一加强肋上,形成有与所述第一底板联结用的第一结合孔。
2.根据权利要求1所述的真空进样室,其特征在于,
所述第二腔室还包括多个第二加强肋,所述多个第二加强肋在所述四个第二侧壁中的未形成有所述第二狭槽的两个第二侧壁的内表面沿上下方向延伸形成。
3.根据权利要求2所述的真空进样室,其特征在于,
在所述第二加强肋的上部,形成有与所述第一底板联结用的第二结合孔。
4.根据权利要求1所述的真空进样室,其特征在于,
还包括第三加强肋,其形成在所述上盖的外表面和所述第二底板的外表面中的至少一个外表面上。
5.根据权利要求4所述的真空进样室,其特征在于,
所述第三加强肋形成格子形状。
6.根据权利要求1所述的真空进样室,其特征在于,
还包括加强板,其结合在形成有所述第一狭槽及第二狭槽的所述第一侧壁及第二侧壁的外表面。
CN2010101242391A 2009-12-15 2010-03-15 真空进样室 Expired - Fee Related CN102097289B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2009-0124730 2009-12-15
KR1020090124730A KR20110067939A (ko) 2009-12-15 2009-12-15 로드락 챔버

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102097289A CN102097289A (zh) 2011-06-15
CN102097289B true CN102097289B (zh) 2013-06-26

Family

ID=44130322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101242391A Expired - Fee Related CN102097289B (zh) 2009-12-15 2010-03-15 真空进样室

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20110067939A (zh)
CN (1) CN102097289B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101484553B1 (ko) * 2013-10-24 2015-01-20 주식회사 테라세미콘 클러스터형 기판처리 장치
KR101685406B1 (ko) * 2015-10-19 2016-12-13 주식회사 티이에스 리드 개폐 모듈을 포함하는 장치
KR101962896B1 (ko) * 2015-12-14 2019-03-27 주식회사 씨에이치솔루션 보강부를 구비한 진공 챔버
CN112928043B (zh) * 2019-12-05 2022-07-22 应用材料公司 具有可替换接口板的可重新构造的主机

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100717974B1 (ko) * 2005-02-04 2007-05-14 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
JP4767574B2 (ja) * 2005-03-31 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 処理チャンバおよび処理装置
KR100803726B1 (ko) * 2005-08-12 2008-02-15 주식회사 아이피에스 반송챔버의 구조
JP4791110B2 (ja) * 2005-09-02 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 真空チャンバおよび真空処理装置
KR100970201B1 (ko) * 2008-03-17 2010-07-14 주식회사 아이피에스 진공처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110067939A (ko) 2011-06-22
CN102097289A (zh) 2011-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102097289B (zh) 真空进样室
US10134578B2 (en) Housing and substrate processing apparatus including the same
CN101770932B (zh) 等离子体处理设备
JPWO2010123004A1 (ja) 真空蒸着システム及び真空蒸着方法
CN104576445A (zh) 批处理式基板处理装置
CN218677078U (zh) 晶圆承载片、晶舟、晶圆传输装置和半导体工艺设备
KR20070015759A (ko) 평판표시소자 제조장치
KR20110016644A (ko) 기판처리장치
CN100470720C (zh) 减压干燥处理装置
TW202318684A (zh) 基板的處理系統及方法
CN102064095A (zh) 半导体基板加工设备
KR101022314B1 (ko) 박막 태양전지 제조용 화학 기상 증착 장치
KR20110059227A (ko) 트레이 및 이를 사용하는 기판처리장치
KR102260370B1 (ko) 전체-영역 대향류 열 교환 기판 지지부
KR100920420B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
CN100416759C (zh) 处理腔、平板显示器制造设备、以及利用所述设备的等离子处理方法
KR20110016642A (ko) 기판처리장치
KR101308389B1 (ko) 기판처리장치의 챔버
KR100905394B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
KR101446631B1 (ko) 대면적기판용 플라즈마 처리 장치
JP2009267260A (ja) 薄膜製造装置及び薄膜太陽電池製造装置
CN219553586U (zh) 一种有机物表面处理腔体结构
KR100940303B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
KR100920419B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
KR20120054778A (ko) 기판처리시스템

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130626

Termination date: 20190315