TW202318684A - 基板的處理系統及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種基板的處理系統及方法，該處理系統包括設有開口的子模組框架、托盤、以及薄膜。其中，所述子模組框架活動設置於所述托盤；所述薄膜耦合於所述子模組框架，且覆蓋所述開口，所述薄膜設有安裝口，所述安裝口的面積小於或等於所述開口面積，所述安裝口用於耦合基板；其中，所述安裝口的面積小於所述基板的面積，當所述基板與所述薄膜耦合時，所述基板覆蓋所述安裝口。本發明通過將子模組框架活動設置在托盤上，便於基板處理系統在對基板處理時實現對基板上表面和下表面的翻轉切換。同時避免了在系統的工藝室內需要切換基板處理面而替換不同托盤的問題，不需要將不同托盤分類放置，降低了生產成本，更重要的是避免對基板的污染。

Description

基板的處理系統及方法
本發明涉及光電及太陽能電池技術領域，尤其涉及一種基板的處理系統及方法。
目前，異質結電池單元處理的工藝被分解成三個單獨的系統。比如處理基板的工藝系統，需要在基板的兩側形成粗糙化表面，並使用電漿增強化學氣相沉積和物理氣相沉積在基板的兩側上沉積三層薄膜，然後將處理後的基板放置在基板盒中並裝載到待處理的托盤或輸送機系統上，之後再將完成的基板收集基板盒中並翻轉以進入另一個系統。
由於每個系統具有自己運輸基板的方式，所以每個系統使用的托盤往往是不同的，使基板在處理過程中，摻雜劑可彼此污染基板。並且，在日常管理過程中，還要保證從一個系統進入另一個系統中所使用的托盤不被混合在一起，所以還需要操作使不同的基板托盤組完成分離，大大提高了庫存成本。
本發明的目的在於提供一種基板的處理系統及方法，降低了生產製造的成本，同時降低了基板處理時被摻雜劑污染的可能性。
為實現上述目的，第一方面，本發明提供了一種基板的處理系統，包括設有開口的子模組框架、托盤、以及薄膜。其中，所述子模組框架活動設置於所述托盤；所述薄膜耦合於所述子模組框架，且覆蓋所述開口，所述薄膜設有安裝口，所述安裝口的面積小於或等於所述開口面積，所述安裝口用於耦合基板。
其中，所述安裝口的面積小於所述基板的面積，當所述基板與所述薄膜耦合時，所述基板覆蓋所述安裝口。
本發明提供的基板的處理系統有益效果在於：通過將子模組框架活動設置在托盤上，便於基板處理系統在對基板處理時實現對基板上表面和下表面的翻轉切換。同時避免了在系統的工藝室內需要切換基板處理面而替換不同托盤的問題，不需要將不同托盤分類放置，降低了生產成本，更重要的是避免對基板的污染。
可選的，還包括傳輸軌道、托盤裝載站、預熱站、處理站、冷卻站和托盤卸載站，所述托盤裝載站、所述預熱站、所述處理站、所述冷卻站和所述托盤卸載站依次設置，所述傳輸軌道用於將設有所述基板的所述托盤依次移動到所述托盤裝載站、所述預熱站、所述處理站、所述冷卻站和所述托盤卸載站；其中，所述處理站中包括若干翻轉站，所述翻轉站用於將所述托盤中的所述子模組框架在所述翻轉站的真空腔室中進行翻轉。其有益效果在於：通過將托盤裝載站、預熱站、處理站、冷卻站和托盤卸載站依次設置，實現傳輸軌道將待處理的基板依次傳送至系統中各個工藝站內進行處理。更為重要的是，處理站中包括若干翻轉站，翻轉站用於將托盤中的子模組框架在翻轉站的真空腔室中進行翻轉，實現自動化的將基板上表面和下表面的翻轉切換，提高了基板處理的效率，且避免將基板拿進拿出時替換托盤可能帶來的污染。
可選的，所述處理站至少包括蝕刻站、電漿增強化學氣相沉積PECVD站和物理氣相沉積PVD站中的所述PECVD站和所述PVD站，所述蝕刻站用於對所述基板乾蝕刻；所述PECVD站用於對所述基板PECVD沉積；所述PVD站用於對所述基板PVD沉積；其中，所述蝕刻站、所述PECVD站和所述PVD站內均設有所述翻轉站。其有益效果在於：通過在蝕刻站、PECVD站和PVD站內均設置翻轉站，實現在工作的真空環境中切換基板的上表面和下表面，無需通過冷卻基板退出真空環境和重新加熱基板進入真空環境中，減少了能量浪費，進一步提高了處理基板的效率，且避免將基板拿進拿出時替換托盤可能帶來的污染，降低了生產成本。
可選的，所述薄膜間隔設有若干安裝口，若干所述安裝口用於依次耦合設置所述基板，當若干所述安裝口耦合設置所述基板時，所述基板上表面與所述子模組框架上表面的距離和所述基板下表面與所述子模組框架下表面的距離相等。其有益效果在於：可處理一組基板，提高了生產效率，且基板上表面與子模組框架上表面的距離和基板下表面與子模組框架下表面的距離相等，保證在處理基板的上表面和下表面時均勻一致性。
可選的，所述托盤還包括射頻墊圈和吹掃裝置，所述射頻墊圈將所述托盤與所述處理站的腔室主體構成接地回路，所述吹掃裝置用於形成氣牆分隔所述基板和所述托盤。其有益效果在於：通過設置吹掃裝置用於分隔出基板的處理區域和托盤，避免工藝氣體污染到托盤，沉積到不必要的區域，且設置設備墊圈形成接地回路，提高了生產加工時的穩定性。
可選的，所述系統還包括載入鎖和卸載鎖，所述載入鎖設於所述托盤裝載站和所述預熱站之間，所述載入鎖用於將所述基板從大氣環境傳送至所述系統中的真空環境中；所述卸載鎖設於所述處理站和所述冷卻站之間，所述卸載鎖用於將所述基板從所述系統中的真空環境傳送至大氣環境中。其有益效果在於：通過設置載入鎖和卸載鎖，使系統內的反應室始終為真空環境，保證了生產處理的良好條件，提高系統處理基板的可靠性。
第二方面，本發明提供了一種基板的處理方法，基於上述的系統，該方法包括：
將基板耦合於所述安裝口；在所述基板的上表面依次形成第一I層和N型離子層；所述翻轉站翻轉所述子模組框架，在所述基板的下表面依次形成第二I層和P型離子層。
本發明提供的基板的處理方法其有益效果在於：採用統一的托盤，且通過對子模組框架進行翻轉，實現了對基板上表面和下表面的切換，完成在基板的上表面依次形成第一I層和N型離子層，在基板的下表面依次形成第二I層和P型離子層，提高了處理基板的效率，減低了生產成本。
可選的，所述在所述基板的上表面依次形成第一I層和N型離子層之前，包括：對所述基板的上表面和所述基板的下表面進行粗糙化處理。其有益效果在於：對基板的上表面和下表面進行粗糙化處理，提高了後續處理基板的可靠性。
可選的，所述翻轉站翻轉所述子模組框架，在所述基板的下表面依次形成第二I層和P型離子層之後，包括：在所述基板的下表面形成第一導電層；所述翻轉站翻轉所述子模組框架；在所述基板的上表面形成第二導電層。其有益效果在於：通過翻轉站在基板的上表面和下表面生產導電層，提高了生產效率，降低了污染基板的可能性。
可選的，在所述基板的上表面形成第二導電層之後，還包括：在所述第一導電層和所述薄膜的下表面形成連通的第一匯流條，在所述第二導電層和所述薄膜的上表面形成連通的第二匯流條。其有益效果在於：通過在基板和薄膜上形成一匯流條和第二匯流條，便於後續導電線的生成。
可選的，當形成一組模組時，在所述第一匯流條上形成第一導電線，在所述第二匯流條上形成第二導電線。或，當形成二組以上模組時，將二個以上的所述薄膜依次堆疊，所述薄膜具有相對設置的第一邊和第二邊，位於上面的所述薄膜的所述第二邊疊合於位於下面的所述薄膜的第一邊，且位於上面的所述薄膜的所述第一匯流條與位於下面的所述薄膜的所述第二匯流條形成通孔，在所述第一匯流條上形成第一導電線，在所述第二匯流條上形成第二導電線。其有益效果在於：實現對一組模組或二組以上模組進行導電線的設置。值得說明的是，採用該方式形成二組以上模組時，使整個基板暴露在陽光下，提高了光的接收面積。
可選的，在所述一組模組的上表面依次設置第一聚合物薄膜和第一玻璃，在所述一組模組的下表面依次設置第二聚合物薄膜和第二玻璃。或，在所述二組以上模組的上表面依次設置第一聚合物薄膜和第一玻璃，在所述二組以上模組的下表面依次設置第二聚合物薄膜和第二玻璃。其有益效果在於：實現了太陽能模組的製造。
可選的，當形成所述二組以上模組的模組時，位於上面的所述薄膜與位於下面的所述薄膜膠合連接。其有益效果在於：通過膠合連接的形式實現多個薄膜的連接，該連接方式簡單，無需使用精密連接線對母線進行堆疊焊接，不會影響發電表面。
可選的，第一導電層為第一摻錫氧化銦ITO層，所述第二導電層為第二摻錫氧化銦ITO層。其有益效果在於：採用摻錫氧化銦ITO層作為第一導電層和第二導電層提高了基板導電的可靠性。
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。除非另外定義，此處使用的技術術語或者科學術語應當為本發明所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本文中使用的「包括」等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞後面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
目前，異質結電池單元處理的工藝被分解成三個單獨的系統，每個系統具有各自的運輸方式，所以每個系統使用的托盤，導致基板在不同系統內進行表面處理時，摻雜劑可彼此污染基板。並且，在日常管理過程中，還要保證從一個系統進入另一個系統中所使用的托盤不被混合在一起，所以還需要使不同的基板托盤組完成分離，大大提高了庫存成本和人工成本。
針對目前存在的問題，本發明的實施例提供了一種基板的處理系統，參考圖1和圖2所示，該系統包括設有開口的子模組框架2、托盤40、以及薄膜1。其中，子模組框架2活動設置於托盤40，薄膜1耦合於子模組框架2，且覆蓋開口，薄膜1設有安裝口，該安裝口的面積小於或等於薄膜1的開口面積，薄膜1設置的安裝口用於耦合基板3。另外，安裝口的面積小於基板3的面積，當基板3與薄膜1耦合時，基板3覆蓋薄膜1的安裝口。
需要說明的是，結合圖3所示，一般在薄膜1上間隔設有若干安裝口，若干安裝口用於依次耦合設置基板3，當若干安裝口耦合設置基板3時，基板3上表面與子模組框架2上表面的距離和基板3下表面與子模組框架2下表面的距離相等，可處理一組基板3，提高了生產效率，且基板3上表面與子模組框架2上表面的距離和基板3下表面與子模組框架2下表面的距離相等，保證在處理基板3的上表面和下表面時均勻一致性。
在本實施例中，通過將子模組框架2活動設置在托盤40上，便於基板3處理系統在對基板3處理時實現對基板3上表面和下表面的翻轉切換。同時避免了在系統的工藝室內需要切換基板3處理面而替換不同托盤40的問題，不需要將不同托盤40分類放置，降低了生產成本，更重要的是避免對基板3的污染。
可選的，該系統還傳輸軌道、托盤裝載站10、預熱站23、處理站、冷卻站80和托盤卸載站70，參考圖4所示，托盤裝載站10、預熱站23、處理站、冷卻站80和托盤卸載站70依次設置，傳輸軌道用於將設有基板3的托盤40依次移動到托盤裝載站10、預熱站23、處理站、冷卻站80和托盤卸載站70內進行加工處理。需要說明的是，處理站中包括若干翻轉站30，若干翻轉站30用於將托盤40中的子模組框架2在翻轉站30的真空腔室中進行翻轉。
通過將托盤裝載站10、預熱站23、處理站、冷卻站80和托盤卸載站70依次設置，實現傳輸軌道將待處理的基板3依次傳送至系統中各個工藝站內進行處理。更為重要的是，處理站中包括若干翻轉站30，翻轉站30用於將托盤40中的子模組框架2在翻轉站30的真空腔室中進行翻轉，實現自動化的將基板3上表面和下表面的翻轉切換，提高了基板3處理的效率，且避免將基板3拿進拿出時替換托盤40可能帶來的污染。
可選的，處理站至少包括蝕刻站、電漿增強化學氣相沉積PECVD站和物理氣相沉積PVD站中的PECVD站和PVD站，蝕刻站用於對基板3乾蝕刻，PECVD站用於對基板3PECVD沉積，PVD站用於對基板3PVD沉積，其中，蝕刻站、PECVD站和PVD站內均設有翻轉站30。
通過在蝕刻站、PECVD站和PVD站內均設置翻轉站30，實現在工作的真空環境中切換基板的上表面和下表面，無需通過冷卻基板退出真空環境和重新加熱基板進入真空環境中，減少了能量浪費，降低了生產成本，進一步提高了處理基板3的效率，且避免將基板3拿進拿出時替換托盤40可能帶來的污染。需要說明的是，在本實施例中採用乾蝕刻製絨，蝕刻站的配置是為了採用乾蝕刻製絨的方法處理基板3，蝕刻站被配置在預熱站23和載入鎖50之間，蝕刻站包括第一製絨室251和第二製絨室252，採用一個翻轉站30配置於第一製絨室251和第二製絨室252之間，第一製絨室251用於對基板3的下表面進行粗糙化處理，翻轉站30用於翻轉基板3，使第二製絨室252用於對基板3的上表面進行粗糙化處理。結合圖5所示，圖5為採用濕法蝕刻的系統結構示意圖，需要說明的是，當採用濕法製絨時，會提前對基板3進行製絨處理，故系統中不配置蝕刻站。
可選的，具體參考圖2所示，托盤40還包括射頻墊圈41和吹掃裝置42，射頻墊圈41將托盤40與處理站的腔室主體構成接地回路，吹掃裝置42用於形成氣牆分隔基板3和托盤40。通過設置吹掃裝置42用於分隔出基板3的處理區域和托盤40，避免工藝氣體污染到托盤40，且設置射頻墊圈41形成接地回路，提高了生產加工時的穩定性。
進一步的，為了保證了生產處理的良好條件，提高系統處理基板的可靠性，該系統還包括載入鎖50和卸載鎖60，載入鎖50設於托盤裝載站10和預熱站23之間，載入鎖50用於將基板3從大氣環境傳送至系統中的真空環境中，卸載鎖60設於處理站和冷卻站80之間，卸載鎖60用於將基板3從系統中的真空環境傳送至大氣環境中。通過設置載入鎖50和卸載鎖60，使系統內的反應室始終為真空環境。
在本發明公開的又一個實施例中，提供一種基板3的處理系統，參考圖6所示，該系統包括托盤裝載站10、預熱站23、處理站、托盤40、冷卻站80和托盤卸載站70和運輸機構（圖中未示出）。其中，托盤裝載站10用於放置托盤40，托盤40設於運輸機構上，運輸機構用於將托盤40從托盤裝載站10移動至處理站。該處理站包括翻轉站30，當托盤40移動至翻轉站30時，托盤40會在翻轉站30內的真空腔室進行翻轉，實現基板3的上表面和下表面的翻轉轉換，處理站用於處理基板3，並在基板3的上表面形成第一本質非晶矽層（第一I層）和N型離子層，在基板3的下表面形成第二本質非晶矽層（第二I層）和P型離子層。托盤卸載站70用於存儲或卸載經過處理後的基板3，便於基板3後續的處理工作。
具體的，處理站包括電漿增強化學氣相沉積PECVD站，該PECVD站進一步包括第一前PECVD站211、第二前PECVD站212、第一後PECVD站213和第二後PECVD站214，依次設置第一前PECVD站211、第二前PECVD站212、翻轉站30、第一後PECVD站213和第二後PECVD站214，先在基板3的上表面形成第一I層和N型離子層後，通過翻轉站30將基板3的待處理的表面旋轉成下表面，然後在下表面形成後第二I層和P型離子層。
需要說明的是，在有些實施例中，參考圖5所示，通過依次設置第一前PECVD站211、翻轉站30、第一後PECVD站213、第二後PECVD站214、翻轉站30和第二前PECVD站212，在基板3上表面形成第一I層和N型離子層，在基板3的下表面形成第二I層和P型離子層。
結合圖7和圖8所示，當托盤40在運輸機構上被移動至PECVD站時，進入工作狀態，PECVD站的推動端4推動托盤40，使托盤40與密封端5貼合形成一個反應密封腔和接地回路，反應密封腔可容納反應氣體，在基板3表面進行工藝處理，當完成後進入非工作狀態時，推動端4回移，使托盤40返回運輸機構的軌道，進行移動至下一站進行處理。
通過在第一前PECVD站211、第二前PECVD站212、第一後PECVD站213和第二後PECVD站214之間設置翻轉站30，通過翻轉站30將托盤40內的基板3進行上表面和下表面的翻轉切換，提高了基板3處理的效率，避免了托盤40需要更換時帶來的不利影響。
可選的，處理站還包括物理氣相沉積PVD站，該PVD站進一步包括第一物理氣相沉積站221和第二物理氣相沉積站222，第一物理氣相沉積站221和第二物理氣相沉積站222依次配置於PECVD站之後。一個翻轉站30配置在第一物理氣相沉積站221和第二物理氣相沉積站222之間，第一物理氣相沉積站221用於在P型離子層上形成第一導電層，第二物理氣相沉積站222用於在N型離子層上形成第二導電層。通過在第一物理氣相沉積站221和第二物理氣相沉積站222之間配置翻轉站30，提高了在基板3上形成第一導電層和第二導電層的效率。
另外，該系統還包括卸載鎖60和載入鎖50，由於處理站內為真空環境，且為了保證基板3在運輸時不破壞處理站中的真空環境，將載入鎖50設於托盤裝載站10和預熱站23之間，用於保證將基板3從大氣環境傳送至處理站內的真空環境中，避免破壞處理站內的真空環境，卸載鎖60設於冷卻站80和處理站之間，用於將基板3從處理站內的真空環境中轉出至大氣環境，從而保證基板3在處理站內具有較好的工作環境，進一步提高系統處理基板3的可靠性。
進一步的，該處理站還包括壓力緩衝室24，其中，壓力緩衝室24設於PECVD站和PVD站之間，壓力緩衝室24用於調節基板3從PECVD站進入PVD站的大氣壓力，因為處理站內各個處理腔室可能壓力不同。預熱站23設於載入鎖50和PECVD之間，用於調節基板3進入PECVD站的溫度。通過配置預熱站23，使基板3在進入處理站之前提前加熱，提高了PECVD站在基板3表面形成本質非晶矽層和離子層時的效率，且保證形成的可靠性。在PECVD站和PVD站之間配置壓力緩衝室24，保證了基板3進入PVD站內的壓力需求，進一步保障了在基板3上形成導電層的效率以及可靠性。
值得說明的是，冷卻站80設於托盤卸載站70和卸載鎖60之間，冷卻站80用於將基板3經過大氣自然冷卻，再通過運輸機構移至托盤卸載站70內，避免基板3溫度過高產生安全危險。
在本發明公開的另一個實施例中，提供一種基板的處理方法，該方法基於上述實施例中公開的系統，參考圖9所示，該方法包括：
S901：將基板3耦合於所述安裝口。
該步驟中，需要說明的是，若採用濕法蝕刻製絨，需要提前對所述基板的上表面和所述基板的下表面進行粗糙化處理，然後將處理好的基板耦合於安裝口。
S902：在所述基板的上表面依次形成第一I層和N型離子層。
該步驟之前，對基板的上表面和基板的下表面進行粗糙化處理，若採用乾蝕刻法製絨，在基板的上表面依次形成第一I層和N型離子層之前，預先通過托盤將基板移動到蝕刻站進行處理。
S903：所述翻轉站翻轉所述子模組框架，在所述基板的下表面依次形成第二I層和P型離子層。
S904：在所述基板的下表面形成第一導電層，所述翻轉站翻轉所述子模組框架，在所述基板的上表面形成第二導電層。
該步驟中，先在基板的下表面形成第一導電層，然後通過翻轉站翻轉子模組框架，在基板的上表面形成第二導電層。
S905：在所述第一導電層和所述薄膜的下表面形成連通的第一匯流條，在所述第二導電層和所述薄膜的上表面形成連通的第二匯流條。
S906：在所述第一匯流條上形成第一導電線，在所述第二匯流條形成第二導電線。
該步驟中，具體參考圖10至11所示，需要說明的是，當生產一組模組時，在第一匯流條103上形成第一導電線，在第二匯流條104上形成第二導電線即可。若想生產二組以上模組時，將二個以上的薄膜1依次堆疊，薄膜1具有相對設置的第一邊和第二邊，位於上面的薄膜1的第二邊疊合於位於下面的薄膜1的第一邊，且位於上面的薄膜1的第一匯流條103與位於下面的薄膜1的第二匯流條104形成通孔，在第一匯流條103上形成第一導電線，在第二匯流條104上形成第二導電線。
S907：在基板的上表面依次設置第一聚合物薄膜和第一玻璃，在基板的下表面依次設置第二聚合物薄膜和第二玻璃。
該步驟中，參考圖12所示，在所述一組模組的上表面依次設置第一聚合物薄膜1011和第一玻璃105，在所述一組模組的下表面依次設置第二聚合物薄膜1021和第二玻璃106。或，在所述二組以上模組的上表面依次設置第一聚合物薄膜1011和第一玻璃105，在所述二組以上模組的下表面依次設置第二聚合物薄膜1021和第二玻璃106。
需要說明的是，第一導電層為第一摻錫氧化銦ITO層，第二導電層為第二摻錫氧化銦ITO層，當形成二組以上模組的模組時，位於上面的薄膜與位於下面的薄膜膠合連接，該連接方式簡單，不會影響發電的表面。
以上所述，僅為本申請實施例的具體實施方式，但本申請實施例的保護範圍並不局限於此，任何在本申請實施例揭露的技術範圍內的變化或替換，都應涵蓋在本申請實施例的保護範圍之內。因此，本申請實施例的保護範圍應以所述請求項的保護範圍為准。
1:薄膜 2:子模組框架 3:基板 4:推動端 5:密封端 10:托盤裝載站 23:預熱站 24:壓力緩衝室 30:翻轉站 40:托盤 41:射頻墊圈 42:吹掃裝置 50:載入鎖 60:卸載鎖 70:托盤卸載站 80:冷卻站 103:第一匯流條 104:第二匯流條 105:第一玻璃 106:第二玻璃 1011:第一聚合物薄膜 1021:第二聚合物薄膜 211:第一前PECVD站 212:第二前PECVD站 213:第一後PECVD站 214:第二後PECVD站 221:第一物理氣相沉積站 222:第二物理氣相沉積站 251:第一製絨室 252:第二製絨室
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附附圖之說明如下： 圖1為本發明公開的基板通過薄膜設置在模組框架的結構示意圖； 圖2為本發明公開的托盤的結構示意圖； 圖3為本發明公開的子模組框架安裝基板後的剖視圖； 圖4為本發明公開的採用乾蝕刻製絨的方法處理基板的系統圖； 圖5為本發明公開的採用濕蝕刻製絨的方法製備太陽能電池的系統圖； 圖6為本發明公開的又一個採用濕蝕刻製絨的方法製備太陽能電池的系統圖； 圖7為本發明公開的PECVD站的工作狀態時的結構示意圖； 圖8為本發明公開的PECVD站的非工作狀態時的結構示意圖； 圖9為本發明公開的基板的處理方法的流程圖； 圖10為本發明公開的一組模組的包括正視和側視的結構示意圖； 圖11為本發明公開的二組模組的包括正視和側視的結構示意圖； 圖12為本發明公開的太陽能電池模組的結構示意圖。
10:托盤裝載站
23:預熱站
24:壓力緩衝室
30:翻轉站
40:托盤
50:載入鎖
60:卸載鎖
70:托盤卸載站
80:冷卻站
211:第一前PECVD站
212:第二前PECVD站
213:第一後PECVD站
214:第二後PECVD站
221:第一物理氣相沉積站
222:第二物理氣相沉積站
251:第一製絨室
252:第二製絨室

Claims (14)

  1. 一種基板處理系統，包括：設有開口的子模組框架、托盤、以及薄膜； 所述子模組框架活動設置於所述托盤； 所述薄膜耦合於所述子模組框架，且覆蓋所述開口，所述薄膜設有安裝口，所述安裝口的面積小於或等於所述開口面積，所述安裝口用於耦合基板； 其中，所述安裝口的面積小於所述基板的面積，當所述基板與所述薄膜耦合時，所述基板覆蓋所述安裝口。
  2. 如請求項1所述的基板處理系統，還包括傳輸軌道、托盤裝載站、預熱站、處理站、冷卻站和托盤卸載站； 所述托盤裝載站、所述預熱站、所述處理站、所述冷卻站和所述托盤卸載站依次設置，所述傳輸軌道用於將設有所述基板的所述托盤依次移動到所述托盤裝載站、所述預熱站、所述處理站、所述冷卻站和所述托盤卸載站； 其中，所述處理站包括若干翻轉站，所述翻轉站用於將所述托盤中的所述子模組框架在所述翻轉站的真空腔室中進行翻轉。
  3. 如請求項2所述的基板處理系統，其中，所述處理站至少包括蝕刻站、電漿增強化學氣相沉積PECVD站和物理氣相沉積PVD站中的所述PECVD站和所述PVD站； 所述蝕刻站用於對所述基板乾蝕刻；所述PECVD站用於對所述基板PECVD沉積；所述PVD站用於對所述基板PVD沉積； 其中，所述蝕刻站、所述PECVD站和所述PVD站內均設有所述翻轉站。
  4. 如請求項1所述的基板處理系統，其中，所述薄膜間隔設有若干安裝口，若干所述安裝口用於依次耦合設置所述基板； 當若干所述安裝口耦合設置所述基板時，所述基板上表面與所述子模組框架上表面的距離和所述基板下表面與所述子模組框架下表面的距離相等。
  5. 如請求項1所述的基板處理系統，其中，所述托盤還包括射頻墊圈和吹掃裝置，所述射頻墊圈將所述托盤與所述處理站的腔室主體構成接地回路，所述吹掃裝置用於形成氣牆分隔所述基板和所述托盤。
  6. 如請求項2或3所述的基板處理系統，還包括載入鎖和卸載鎖； 所述載入鎖設於所述托盤裝載站和所述預熱站之間，所述載入鎖用於將所述基板從大氣環境傳送至所述系統中的真空環境中； 所述卸載鎖設於所述處理站和所述冷卻站之間，所述卸載鎖用於將所述基板從所述系統中的真空環境傳送至大氣環境中。
  7. 一種基板處理方法，基於上述請求項1至6任一項所述的系統，所述方法包括： 將基板耦合於所述安裝口； 在所述基板的上表面依次形成第一I層和N型離子層； 所述翻轉站翻轉所述子模組框架，在所述基板的下表面依次形成第二I層和P型離子層。
  8. 如請求項7所述的基板處理方法，其中，在所述基板的上表面依次形成第一I層和N型離子層之前，包括： 對所述基板的上表面和所述基板的下表面進行粗糙化處理。
  9. 如請求項8所述的基板處理方法，其中，所述翻轉站翻轉所述子模組框架，在所述基板的下表面依次形成第二I層和P型離子層之後，包括： 在所述基板的下表面形成第一導電層； 所述翻轉站翻轉所述子模組框架； 在所述基板的上表面形成第二導電層。
  10. 如請求項9所述的基板處理方法，其中，在所述基板的上表面形成第二導電層之後，還包括： 在所述第一導電層和所述薄膜的下表面形成連通的第一匯流條，在所述第二導電層和所述薄膜的上表面形成連通的第二匯流條。
  11. 如請求項10所述的基板處理方法，其中，當形成一組模組時，在所述第一匯流條上形成第一導電線，在所述第二匯流條上形成第二導電線； 或，當形成二組以上模組時，將二個以上的所述薄膜依次堆疊，所述薄膜具有相對設置的第一邊和第二邊，位於上面的所述薄膜的所述第二邊疊合於位於下面的所述薄膜的第一邊，且位於上面的所述薄膜的所述第一匯流條與位於下面的所述薄膜的所述第二匯流條形成通孔，在所述第一匯流條上形成第一導電線，在所述第二匯流條上形成第二導電線。
  12. 如請求項11所述的基板處理方法，其中，在所述一組模組的上表面依次設置第一聚合物薄膜和第一玻璃，在所述一組模組的下表面依次設置第二聚合物薄膜和第二玻璃； 或，在所述二組以上模組的上表面依次設置第一聚合物薄膜和第一玻璃，在所述二組以上模組的下表面依次設置第二聚合物薄膜和第二玻璃。
  13. 如請求項12所述的基板處理方法，其中，當形成所述二組以上模組的模組時，位於上面的所述薄膜與位於下面的所述薄膜膠合連接。
  14. 如請求項13所述的基板處理方法，其中，所述第一導電層為第一摻錫氧化銦ITO層，所述第二導電層為第二摻錫氧化銦ITO層。
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