CN102082936A - 固体摄像装置 - Google Patents
固体摄像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102082936A CN102082936A CN2010102835337A CN201010283533A CN102082936A CN 102082936 A CN102082936 A CN 102082936A CN 2010102835337 A CN2010102835337 A CN 2010102835337A CN 201010283533 A CN201010283533 A CN 201010283533A CN 102082936 A CN102082936 A CN 102082936A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- signal line
- pixel
- vertical signal
- camera head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title abstract 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 46
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 29
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
一种固体摄像装置。根据实施方式，设有像素、水平控制线、垂直信号线和信号处理电路。水平控制线选择行方向的上述像素。垂直信号线相互交叉，在每1列中配置有n(n是大于等于2的整数)条，按照在各列中被分为n个组的像素分别连接。垂直扫描电路选择上述水平控制线。信号处理电路处理经由上述垂直信号线读出的像素信号。
Description
本申请主张2009年11月30日提出申请的日本专利申请号2009-272369的优先权，其全部内容援用于本申请。
技术领域
本发明涉及固体摄像装置。
背景技术
随着高帧频(frame rate)化、像素数的增加及输出位数的增加，要求缩短在A/D变换等的图像处理中花费的时间。为了应对这样的要求，提出了将像素区域分割为二、从两个像素区域同时各读出一行信号的方法(日本特开2007-116479号公报)。
但是，在日本特开2007-116479号公报公开的方法中，必须在像素区域的边界部将垂直信号线切离。因此，在像素区域的边界部，布局变得与周边部不同，有因为配线容量的差异而像素特性不同、或对光学特性产生影响等问题。
此外，在将像素区域分割为二的情况下只要将输出电路上下配置就可以，但在将像素区域分割为大于等于3部分的情况下，有难以将输出电路放置到像素区域外的问题。
发明内容
根据实施方式，设有像素、水平控制线、垂直信号线和信号处理电路。像素在行方向及列方向上配置为矩阵状。水平控制线选择行方向的上述像素。垂直信号线相互交叉，在每1列中配置有n(n是大于等于2的整数)条，按照在各列中被分为n个组的像素分别连接。垂直扫描电路选择上述水平控制线。信号处理电路处理经由上述垂直信号线读出的像素信号。
附图说明
图1是表示有关本发明的第1实施方式的固体摄像装置的概略结构的框图。
图2是表示在图1的列方向上相互邻接的两个像素的概略结构的等效电路图。
图3是表示在图1的列方向上相互邻接的两个像素的布局结构的俯视图。
图4是表示有关本发明的第2实施方式的固体摄像装置中的沿列方向相互邻接的3个像素的布局结构的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图对有关本发明的实施方式的固体摄像装置进行说明。
(第1实施方式)
图1是表示有关本发明的第1实施方式的固体摄像装置的概略结构的框图。
在图1中，在该固体摄像装置中，在行方向和列方向上以矩阵状配置有像素PX。并且，配置有选择行方向上的像素PX的水平控制线L1～L4，并且配置有将从像素PX读出的像素信号沿列方向传送的垂直信号线Vsig1a～Vsig4a、Vsig1b～Vsig4b。另外，在水平控制线L1～L4中，例如可以包括从像素PX进行读出的读出线、使储存在像素PX中的电荷复位的复位线以及进行读出时的行选择的地址线。
垂直信号线Vsig1a～Vsig4a、Vsig1b～Vsig4b按每1列配置有两条，例如在第1列中配置有垂直信号线Vsig1a、Vsig1b、在第2列中配置有垂直信号线Vsig2a、Vsig2b、在第3列中配置有垂直信号线Vsig3a、Vsig3b、在第4列中配置有垂直信号线Vsig4a、Vsig4b。
此外，垂直信号线Vsig1a、Vsig1b在列方向上按每1个像素而相互交叉配置，垂直信号线Vsig2a、Vsig2b在列方向上按每1个像素而相互交叉配置，垂直信号线Vsig3a、Vsig3b在列方向上按每1个像素而相互交叉配置，垂直信号线Vsig4a、Vsig4b在列方向上按每1个像素而相互交叉配置。此外，像素PX配置为，使其按照各列在列方向上位置对齐。
此外，在固体摄像装置中，设有选择水平控制线L1～L4的垂直扫描电路11以及处理经由垂直信号线Vsig1a～Vsig4a、Vsig1b～Vsig4b读出的像素信号的信号处理电路12。
这里，垂直扫描电路11可以选择水平控制线L1～L4，以使得从相互邻接的两个像素PX同时将像素信号分别读出到各列的2条垂直信号线Vsig1a～Vsig4a、Vsig1b～Vsig4b中。例如，在从第1行的像素PX将信号读出到垂直信号线Vsig1b中、从第2行的像素PX将信号读出到垂直信号线Vsig1a中的情况下，垂直扫描电路11能够同时选择水平控制线L1、L2，向信号处理电路12传送。
信号处理电路12能够同时处理分别经由两条的垂直信号线Vsig1a～Vsig4a、Vsig1b～Vsig4b而从相互邻接的两个像素PX读出的像素信号。例如，能够将经由垂直信号线Vsig1a、Vsig1b同时传送的像素信号同时处理。
这里，通过将垂直信号线Vsig1a～Vsig4a、Vsig1b～Vsig4b在列方向上按每1个像素而相互交叉地分别配置，能够将像素PX配置为，使其按照各列在列方向上位置对齐。因此，即使在同一列的相互邻接的像素PX分别连接在相互不同的垂直信号线Vsig1a～Vsig4a、Vsig1b～Vsig4b上的情况下，也能够使像素特性及光学特性均匀化，能够在抑制画质的劣化的同时、使从1帧量的像素PX的读出高速化。
图2是表示在图1的列方向上相互邻接的两个像素(图1的虚线框的部分)的概略结构的等效电路图。
在图2中，在沿列方向相互邻接的两个像素PX中，分别设有读取晶体管1、1′、复位晶体管2、2′、地址晶体管3、3′、放大晶体管4、4′、光电二极管PD1、PD1′以及浮动扩散部(floating diffusion)FD1、FD1′。另外，在浮动扩散部FD1与垂直信号线Vsig1b之间附加有寄生电容C1，在浮动扩散部FD1与垂直信号线Vsig1a之间附加有寄生电容C2。此外，在浮动扩散部FD1′与垂直信号线Vsig1a之间附加有寄生电容C1′，在浮动扩散部FD1′与垂直信号线Vsig1b之间附加有寄生电容C2′。
并且，读取晶体管1、1′的源极分别连接在光电二极管PD1、PD1′上，读取晶体管1、1′的栅极分别连接在读出线上。此外，复位晶体管2、2′的源极分别连接在读取晶体管1、1′的漏极上，复位晶体管2、2′的栅极分别连接在复位线上，复位晶体管2、2′的漏极连接在电源电位VDD上。此外，地址晶体管3、3′的栅极分别连接在地址线上，地址晶体管3、3′的漏极连接在电源电位VDD上。此外，放大晶体管4、4′的源极分别连接在垂直信号线Vsig1a、Vsig1b上，放大晶体管4、4′的栅极分别连接在读取晶体管1、1′的漏极上，放大晶体管4、4′的漏极分别连接在地址晶体管3、3′的源极上。
这里，在放大晶体管4、4′的栅极与读取晶体管1、1′的漏极之间的连接点上分别形成有浮动扩散部FD1、FD1′。
并且，在图1的水平控制线L3、L4的地址线是低电平(low level)时，地址晶体管3、3′成为截止(OFF)状态，源极跟随器不动作，所以不输出信号。此时，如果水平控制线L3、L4的读出线成为高电平(high level)，则第3行和第4行的像素PX的读取晶体管1、1′导通(ON)，将储存在光电二极管PD1、PD1′中的信号电荷分别传送给浮动扩散部FD1、FD1′。然后，在光电二极管PD1、PD1′中，开始有效的信号电荷的储存。在信号电荷被读出到浮动扩散部FD1、FD1′中之后，如果水平控制线L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管2、2′导通，将读出到浮动扩散部FD1、FD1′中的信号电荷排出。
接着，如果水平控制线L3、L4的地址线成为高电平，则地址晶体管3、3′导通，通过由放大晶体管4、4′和负荷晶体管构成源极跟随器，能够输出信号。并且，如果水平控制线L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管2、2′导通，将储存在浮动扩散部FD1、FD1′中的电荷复位。此时，将浮动扩散部FD1、FD1′的复位电压分别经由垂直信号线Vsig1a、Vsig1b输出，将该复位电压通过信号处理电路12保持。
接着，在地址晶体管3、3′为导通的状态下，如果水平控制线L3、L4的读出线成为高电平，则读取晶体管1、1′导通，将储存在光电二极管PD1、PD1′中的信号电荷量读出到浮动扩散部FD1、FD1′中。接着，将在浮动扩散部FD1、FD1′中变化的信号电压(复位电压+信号电压)分别经由垂直信号线Vsig1a、Vsig1b输出给信号处理电路12。
图3是表示在图1的列方向上相互邻接的两个像素的布局结构的俯视图。
在图3中，在列方向上相互邻接的两个像素PX中，通过在半导体基板SB1上形成扩散层DF1而构成光电二极管PD1、PD1′。此外，通过在半导体基板SB1上分别配置栅极电极G1、在这些栅极电极G1的两侧分别设置扩散层DF1，构成读取晶体管1、1′、复位晶体管2、2′、地址晶体管3、3′及放大晶体管4、4′。此外，通过将读取晶体管1的栅极电极G1与复位晶体管2的栅极电极G1之间的扩散层DF1经由通孔(via)B1及配线H1连接到放大晶体管4的栅极电极G1上，构成浮动扩散部FD1。此外，通过将读取晶体管1′的栅极电极G1与复位晶体管2′的栅极电极G1之间的扩散层DF1经由通孔B1及配线H1连接到放大晶体管4′的栅极电极G1上，构成浮动扩散部FD1′。
此外，由相互邻接配置的两条配线H1构成垂直信号线Vsig1a、Vsig1b，在垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的交叉位置上，在连接着两条配线H1中的一个的状态下将另一个切断，将该切断部位用配线H2经由通孔B1连接。另外，配线H1、H2可以配置在相互不同的配线层中，例如配线H1可以使用第1层配线层，配线H2可以使用第2层配线层。此外，用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1的交叉位置处的切断，可以对垂直信号线Vsig1a、Vsig1b交替地进行。此外，垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的交叉位置的上下关系，也可以交替地替换。
此外，使垂直信号线Vsig1a、Vsig1b交叉之后的配线H1的行方向的位置相互一致是优选的，垂直信号线Vsig1a相对于垂直信号线Vsig1b在相互邻接的像素PX间配置在一条直线上是优选的。此外，由邻接于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b而配置的配线H1构成电源线VD1。
并且，用于垂直信号线Vsig1a的配线H1经由通孔B1连接在放大晶体管4的源极侧的扩散层DF1上，用于垂直信号线Vsig1b的配线H1经由通孔B1连接在放大晶体管4′的源极侧的扩散层DF1上。此外，用于电源线VD1的配线H1经由通孔B1连接在复位晶体管2、2′的漏极侧的扩散层DF1上。
这里，通过使垂直信号线Vsig1a、Vsig1b在列方向上按每1个像素而相互交叉配置，从而即使在沿列方向相互邻接的两个像素PX分别连接在相互不同的垂直信号线Vsig1a、Vsig1b上的情况下，也能够使这两个像素PX的布局完全一致，能够使像素特性及光学特性均匀化。
此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层DF1上，能够使浮动扩散部FD1、FD1′与垂直信号线Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。因此，能够使对其他像素PX的像素信号进行传送的垂直信号线Vsig1a、Vsig1b与自身像素PX的浮动扩散部FD1、FD1′之间的寄生电容C1、C1′变小，即使在对其他像素PX的像素信号进行传送的垂直信号线Vsig1a、Vsig1b配置在自身的像素PX中的情况下，也能够减少由寄生电容C1、C1′的电容耦合引起的串扰(cross talk)。
此外，通过使沿列方向相互邻接的像素PX的布局完全一致，能够使对自身的像素PX的像素信号进行传送的垂直信号线Vsig1a、Vsig1b、与自身的像素PX的浮动扩散部FD1、FD1′之间的寄生电容C2、C2′相互相等，能够使沿列方向相互邻接的像素PX的变换增益均匀化。
另外，在上述第1实施方式中，对每一列配置两条垂直信号线Vsig1a～Vsig4a、Vsig1b～Vsig4b的方法进行了说明，但每1列中配置的垂直信号线并不限定于两条，也可以每1列配置n(n是大于等于2的整数)条垂直信号线。在此情况下，可以将各列的像素PX分为n个组，按照各组将像素PX连接在不同的垂直信号线上。例如，沿列方向相互邻接的n个像素PX可以连接在各列的相互不同的垂直信号线上。此外，各列的1条垂直信号线可以与同一列的n-1条垂直信号线按每1个像素交叉。此外，各垂直信号线可以每隔同一列的n-1个像素沿行方向折回。此外，各列的像素PX可以在列方向上每隔n-1个连接在相同的垂直信号线上。此外，可以从n个属于相互不同的组的像素PX同时将像素信号读出到各列的n条垂直信号线中。此外，同一列的n条各垂直信号线，可以每在其他n-1条垂直信号线之下交叉一次、就在其他n-1条垂直信号线之上1条条地交叉n-1次。
(第2实施方式)
图4是表示有关本发明的第2实施方式的固体摄像装置中的相互邻接的3个像素的布局结构的俯视图。
在图4中，在沿列方向相互邻接的3个像素PX中，通过在半导体基板SB2上形成扩散层DF2而构成光电二极管PD2、PD2′、PD2″。此外，通过在半导体基板SB2上分别配置栅极电极G2、在这些栅极电极G2的两侧分别设置扩散层DF2，构成读取晶体管11、11′、11″、复位晶体管12、12′、12″、地址晶体管13、13′、13″、以及放大晶体管14、14′、14″。此外，通过将读取晶体管11的栅极电极G2与复位晶体管12的栅极电极G2之间的扩散层DF2经由通孔B2及配线H11连接在放大晶体管14的栅极电极G2上，构成浮动扩散部FD2。此外，通过将读取晶体管11′的栅极电极G2与复位晶体管12′的栅极电极G2之间的扩散层DF2经由通孔B2及配线H11连接在放大晶体管14′的栅极电极G2上，构成浮动扩散部FD2′。此外，通过将读取晶体管11″的栅极电极G2与复位晶体管12″的栅极电极G2之间的扩散层DF2经由通孔B2及配线H11连接在放大晶体管14″的栅极电极G2上，构成浮动扩散部FD2″。
此外，由相互邻接配置的3条配线H11构成垂直信号线Vsig11a、Vsig11b、Vsig11c，在垂直信号线Vsig11a、Vsig11b、Vsig11c的交叉位置上，在连接着3条配线H11中的1条的状态下将剩余的两条切断，将该切断部分用配线H12经由通孔B2分别连接。另外，配线H11、H12也可以配置在相互不同的配线层中。例如，配线H11可以使用第1层配线层，配线H12可以使用第2层配线层。此外，用于垂直信号线Vsig11a、Vsig11b、Vsig11c的配线H11的交叉位置处的切断，可以对垂直信号线Vsig11a、Vsig11b、Vsig11c依次进行。
此外，使垂直信号线Vsig11a、Vsig11b、Vsig11c交叉之后的配线H1的行方向的位置相互一致是优选的，垂直信号线Vsig11a相对于垂直信号线Vsig11b、Vsig11c在相互邻接的3个像素PX间配置在一条直线上是优选的。此外，由配置为与垂直信号线Vsig11a、Vsig11b、Vsig11c邻接的配线H11构成电源线VD2。
并且，用于垂直信号线Vsig11a的配线H11经由通孔B2连接在放大晶体管14的源极侧的扩散层DF2上，用于垂直信号线Vsig11b的配线H11经由通孔B2连接在放大晶体管14′的源极侧的扩散层DF2上，用于垂直信号线Vsig11c的配线H11经由通孔B2连接在放大晶体管14″的源极侧的扩散层DF2上。此外，用于电源线VD2的配线H1经由通孔B2连接在复位晶体管12、12′、12″的漏极侧的扩散层DF2上。
这里，通过将垂直信号线Vsig11a、Vsig11b、Vsig11c在列方向上按每1个像素而相互交叉配置，从而即使在沿列方向相互邻接的3个像素PX分别连接在相互不同的垂直信号线Vsig11a、Vsig11b、Vsig11c上的情况下，也能够使这3个像素PX的布局完全一致，能够使像素特性及光学特性均匀化。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是要限定发明的范围。这些新的实施方式可以通过其他各种形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的技术范围及主旨中，并且包含在权利要求书中记载的发明中和其等同范围中。
Claims (20)
1.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：
像素，沿行方向及列方向以矩阵状配置；
水平控制线，选择行方向上的上述像素；
垂直信号线，相互交叉，按每1列配置有n条，按照按各列被分为n组的每个像素而分别连接，其中，n是大于等于2的整数；
垂直扫描电路，选择上述水平控制线；以及
信号处理电路，处理经由上述垂直信号线读出的像素信号。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
在列方向上相互邻接的n个像素连接在各列的相互不同的垂直信号线上。
3.如权利要求2所述的固体摄像装置，其特征在于，
各列的1条垂直信号线，按每一个像素与同一列的n-1条垂直信号线交叉。
4.如权利要求3所述的固体摄像装置，其特征在于，
各列的像素在列方向上每隔n-1个连接到同一个垂直信号线上。
5.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述垂直扫描电路选择上述水平控制线，以使得从n个属于相互不同的组的像素同时地将像素信号读出到各列的n条垂直信号线；
上述信号处理电路同时处理分别经由上述n条垂直信号线而从n个像素读出的像素信号。
6.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
各列的像素的浮动扩散部，连接在各列的n条垂直信号线中的、距离最近的1条垂直信号线上。
7.如权利要求6所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述像素具备：
光电二极管，进行光电变换；
地址晶体管，进行行选择；
复位晶体管，将储存在上述浮动扩散部中的信号复位；
读取晶体管，从上述光电二极管将信号读出到上述浮动扩散部；以及
放大晶体管，将从上述光电二极管读出到上述浮动扩散部中的信号放大。
8.如权利要求7所述的固体摄像装置，其特征在于，
沿列方向邻接的上述像素的布局相互相同。
9.如权利要求8所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述垂直信号线每隔同一列的n-1个像素而在行方向上折回。
10.如权利要求9所述的固体摄像装置，其特征在于，
还具备电源线，该电源线配置为，按照各列而与上述垂直信号线邻接。
11.如权利要求9所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述像素配置为，按照各列而在列方向上位置对齐。
12.如权利要求11所述的固体摄像装置，其特征在于，
同一列的n条各垂直信号线，每在其他n-1条的垂直信号线的下方交叉1次，就在其他n-1条垂直信号线的上方按每一条地交叉n-1次。
13.如权利要求12所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述垂直信号线使用两层的配线来形成。
14.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：
像素，沿行方向及列方向以矩阵状配置；
水平控制线，选择行方向上的上述像素；
第1垂直信号线，传送从列方向的第偶数个像素读出的信号；
第2垂直信号线，以与上述第1垂直信号线交叉的方式配置，传送从列方向的第奇数个像素读出的信号；
垂直扫描电路，选择上述水平控制线；以及
信号处理电路，处理经由上述第1垂直信号线传送的第1像素信号、和经由上述第2垂直信号线传送的第2像素信号。
15.如权利要求14所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述第2垂直信号线，按每一个像素与上述第1垂直信号线交叉。
16.如权利要求14所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述垂直扫描电路选择上述水平控制线，以使得分别从列方向的第偶数个像素和第奇数个像素同时地读出第1像素信号及第2像素信号；
上述信号处理电路同时处理上述第1像素信号及第2像素信号。
17.如权利要求16所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述像素具备：
光电二极管，进行光电变换；
地址晶体管，进行行选择；
复位晶体管，将储存在上述浮动扩散部中的信号复位；
读取晶体管，从上述光电二极管将信号读出到上述浮动扩散部；以及
放大晶体管，将从上述光电二极管读出到上述浮动扩散部中的信号放大。
18.如权利要求17所述的固体摄像装置，其特征在于，
在列方向上邻接的上述像素的布局相互相同。
19.如权利要求18所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述第1垂直信号线及第2垂直信号线，每隔同一列的1个像素而在行方向上折回。
20.如权利要求19所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述第1垂直信号线及第2垂直信号线的交叉位置处的上下关系交替地替换。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP272369/2009 | 2009-11-30 | ||
| JP2009272369A JP2011114843A (ja) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102082936A true CN102082936A (zh) | 2011-06-01 |
Family
ID=44068588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010102835337A Pending CN102082936A (zh) | 2009-11-30 | 2010-09-10 | 固体摄像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110128426A1 (zh) |
| JP (1) | JP2011114843A (zh) |
| CN (1) | CN102082936A (zh) |
| TW (1) | TW201138447A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104124255A (zh) * | 2013-04-26 | 2014-10-29 | 佳能株式会社 | 成像装置和成像系统 |
| CN106068562A (zh) * | 2014-03-26 | 2016-11-02 | 索尼公司 | 固态成像器件及成像装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6026102B2 (ja) | 2011-12-07 | 2016-11-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
| JP6053505B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5926634B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2016-05-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| GB2516971A (en) | 2013-08-09 | 2015-02-11 | St Microelectronics Res & Dev | A Pixel |
| JP2015050478A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP2015138862A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
| US10477123B2 (en) | 2014-07-29 | 2019-11-12 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Image sensor, electronic apparatus, signal transmission system, and control method |
| US9955096B2 (en) * | 2016-03-22 | 2018-04-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for high-speed down-sampled CMOS image sensor readout |
| JP6949557B2 (ja) | 2017-05-25 | 2021-10-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、移動体 |
| JP7023684B2 (ja) | 2017-11-30 | 2022-02-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、移動体 |
| JP7023685B2 (ja) | 2017-11-30 | 2022-02-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、移動体 |
| KR20220156296A (ko) | 2021-05-18 | 2022-11-25 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1374701A (zh) * | 2000-10-13 | 2002-10-16 | 佳能株式会社 | 图象摄取装置 |
| US6507365B1 (en) * | 1998-11-30 | 2003-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
| CN1691759A (zh) * | 2004-04-23 | 2005-11-02 | 索尼株式会社 | 固态图像拾取器件 |
| US20060243883A1 (en) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Koji Yahazu | Solid state imaging device, method of driving solid state imaging device and image pickup apparatus |
| JP2007142738A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Sony Corp | 物理情報取得方法および物理情報取得装置 |
| US20080068471A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Olympus Corporation | Solid-state imaging apparatus |
-
2009
- 2009-11-30 JP JP2009272369A patent/JP2011114843A/ja active Pending
-
2010
- 2010-09-06 TW TW099130065A patent/TW201138447A/zh unknown
- 2010-09-10 CN CN2010102835337A patent/CN102082936A/zh active Pending
- 2010-09-20 US US12/885,965 patent/US20110128426A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6507365B1 (en) * | 1998-11-30 | 2003-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
| CN1374701A (zh) * | 2000-10-13 | 2002-10-16 | 佳能株式会社 | 图象摄取装置 |
| CN1691759A (zh) * | 2004-04-23 | 2005-11-02 | 索尼株式会社 | 固态图像拾取器件 |
| US20060243883A1 (en) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Koji Yahazu | Solid state imaging device, method of driving solid state imaging device and image pickup apparatus |
| JP2007142738A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Sony Corp | 物理情報取得方法および物理情報取得装置 |
| US20080068471A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Olympus Corporation | Solid-state imaging apparatus |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104124255A (zh) * | 2013-04-26 | 2014-10-29 | 佳能株式会社 | 成像装置和成像系统 |
| CN104124255B (zh) * | 2013-04-26 | 2017-04-12 | 佳能株式会社 | 成像装置和成像系统 |
| CN106068562A (zh) * | 2014-03-26 | 2016-11-02 | 索尼公司 | 固态成像器件及成像装置 |
| CN106068562B (zh) * | 2014-03-26 | 2020-04-14 | 索尼公司 | 固态成像器件及成像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201138447A (en) | 2011-11-01 |
| JP2011114843A (ja) | 2011-06-09 |
| US20110128426A1 (en) | 2011-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102082936A (zh) | 固体摄像装置 | |
| KR102072331B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 | |
| US10586818B2 (en) | Solid-state imaging device, camera module and electronic apparatus | |
| JP5500007B2 (ja) | 固体撮像素子およびカメラシステム | |
| CN102170533B (zh) | 固体摄像装置及其驱动方法和电子装置 | |
| CN101510552B (zh) | 固态成像装置、照相机和电子装置 | |
| JP5530839B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP5319161B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN101600058A (zh) | 固态成像设备 | |
| JP6274904B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
| CN100466274C (zh) | Cmos图像传感器 | |
| CN101107843A (zh) | 固态摄像装置及其驱动方法 | |
| JP2012253741A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、固体撮像システム | |
| JP6891340B2 (ja) | 画像センサの半導体構造、チップおよび電子デバイス | |
| CN100481478C (zh) | 放大式固体摄像器件 | |
| US9153617B2 (en) | Imaging apparatus, and imaging system | |
| CN107146801A (zh) | 固态成像器件以及制造方法和电子设备 | |
| JP2008282961A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2014146820A (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN102655573A (zh) | 固体拍摄装置 | |
| US20150054998A1 (en) | Solid-state imaging apparatus | |
| JP6602407B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
| JP2012199760A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP5523131B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2020107876A (ja) | 撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110601 |