CN102082169A - 部分soi横向双扩散器件 - Google Patents

部分soi横向双扩散器件 Download PDF

Info

Publication number
CN102082169A
CN102082169A CN 201010579250 CN201010579250A CN102082169A CN 102082169 A CN102082169 A CN 102082169A CN 201010579250 CN201010579250 CN 201010579250 CN 201010579250 A CN201010579250 A CN 201010579250A CN 102082169 A CN102082169 A CN 102082169A
Authority
CN
China
Prior art keywords
type impurity
buried layer
soi
source electrode
diffused
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 201010579250
Other languages
English (en)
Other versions
CN102082169B (zh
Inventor
廖红
罗波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sichuan Changhong Electric Co Ltd
Original Assignee
Sichuan Changhong Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sichuan Changhong Electric Co Ltd filed Critical Sichuan Changhong Electric Co Ltd
Priority to CN2010105792507A priority Critical patent/CN102082169B/zh
Priority to CN201210047316.7A priority patent/CN102569359B/zh
Publication of CN102082169A publication Critical patent/CN102082169A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102082169B publication Critical patent/CN102082169B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题，提供了一种部分SOI横向双扩散器件，其技术方案可概括为：部分SOI横向双扩散器件，其埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆接触区的水平距离不小于零，埋氧层的另一端到漏极下方的器件边缘之间，第一型杂质衬底与第二型杂质顶层硅层接触形成PN结。本发明的有益效果是，其埋氧层在漏极下方开口，能够有效传递SOI器件所产生的热量，适用于SOI器件。

Description

部分SOI横向双扩散器件
技术领域
本发明涉及SOI技术，特别涉及SOI横向双扩散器件。
背景技术
SOI(Silicon on Insulator)技术被誉为“21世纪的硅集成电路技术”，是新一代集成电路的主流技术之一，目前已广泛用于集成低压高性能芯片如超高速处理器，薄膜SOI是采用LOCOS工艺的全介质隔离器件，薄膜SOI采用LOCOS工艺隔离，不存在阱的制备，局部氧化就能实现硅岛的形成，很大程度上减少了隔离区的面积，但常规SOI器件纵向耐压只由漂移区和埋氧层决定，其严重的自热效应限制了其发展，Park等人提出了部分SOI器件结构的形式，由于硅窗口的存在，漂移区和衬底相连，耗尽层向衬底扩展，使衬底耗尽后承担了部分耐压，增加了器件的纵向耐压长度，且随着衬底浓度的降低，纵向耐压进一步增加，SOI器件击穿电压由纵向和横向电压的较小者决定，常规SOI器件为了提高其击穿电压，耐压层全部耗尽，漂移区掺杂必须较低，纵向耐压由漏端面下漂移区和埋氧层厚度决定，常规部分SOI器件从源极到漏极的漂移区厚度都相同，且表面电场不被优化，部分SOI器件虽然打破了常规SOI纵向耐压的限制，但其表面电场必须满足RESURF原理，表面场会出现两端高中间低的分布形状，使得第二型杂质器件漂移区未充分优化，且RESURF本身局限性限制了对其漂移区中电场调制，使得第二型杂质器件漂移区电场分布不能得到改善，如图1所示，常规SOI器件包括源极、漏极、第一型杂质衬底1、埋氧层2及第二型杂质顶层硅层3，所述第二型杂质顶层硅层3包括第一型杂质背栅接触区7、源极第二型杂质欧姆接触区6、第二型杂质器件漂移区5及漏极第二型杂质欧姆接触区4，所述第一型杂质衬底1设置在水平面上，埋氧层2设置在第一型杂质衬底1上，第二型杂质器件漂移区5设置在埋氧层2上，埋氧层2将第一型杂质衬底1与第二型杂质顶层硅层3进行电器隔离，第一型杂质背栅接触区8及源极第二型杂质欧姆接触区7相并列，设置在第二型杂质器件漂移区5上表面靠近源极的位置，所述漏极第二型杂质欧姆接触区4设置在第二型杂质器件漂移区5上表面靠近漏极的位置，其中第一型杂质为p型杂质或n型杂质，第二型杂质为n型杂质或p型杂质。
发明内容
本发明的目的是克服目前常规SOI器件自热效应明显的缺点，提供一种部分SOI横向双扩散器件。
本发明解决其技术问题，采用的技术方案是，部分SOI横向双扩散器件，包括源极、漏极、第一型杂质衬底、埋氧层及第二型杂质顶层硅层，所述第二型杂质顶层硅层包括漏极第二型杂质欧姆接触区及源极第二型杂质欧姆接触区，所述第一型杂质衬底设置在水平面，其特征在于，所述埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆接触区的水平距离不小于零，埋氧层的另一端到漏极下方的器件边缘之间，第一型杂质衬底与第二型杂质顶层硅层接触形成PN结。
具体的，所述埋氧层为连续层或从一端到另一端之间分为n段，每两个相邻的段之间的间距大于零，所述间距中具有第一型杂质衬底与第二型杂质顶层硅层形成的PN结。
进一步的，所述间距从埋氧层的源极的一端到靠近漏极的一端依次增大，所述段从埋氧层源极的一端到靠近漏极的一端依次减小，从埋氧层源极一端开始的第一个段的长度大于源极第二型杂质欧姆接触区到源极的水平距离。
具体的，还包括第二型杂质浮空层，所述第二型杂质浮空层水平设置在第一型杂质衬底中，其一端位于漏极下方与器件边缘接触，另一端与源极第二型杂质欧姆接触区的水平距离不小于零。
再进一步的，还包括第二型杂质浮空层，所述第二型杂质浮空层水平设置在第一型杂质衬底中，其一端位于漏极下方与器件边缘接触，另一端与源极第二型杂质欧姆接触区的水平距离不小于零，所述间距在第二型杂质浮空层面的水平投影上都具有第二型杂质浮空层，所述第二型杂质浮空层的另一端到源极下方的器件边缘之间的水平距离小于从埋氧层源极下方一端开始的第一个段的长度。
具体的，所述第二型杂质浮空层的浓度为1e16cm-3到2e17cm-3，其厚度为1μm到5μm，其与第一型杂质衬底上表面的垂直距离为3μm到15μm。
再进一步的，所述第一型杂质为p型杂质或n型杂质，第二型杂质为n型杂质或p型杂质。
本发明的有益效果是，通过上述部分SOI横向双扩散器件，其埋氧层在漏极下方开口，能够有效传递SOI器件所产生的热量，同时漏极下方为第一型杂质衬底与第二型杂质顶层硅层所形成的PN结，其中，第一型杂质衬底掺杂浓度较低，能够将耗尽层向衬底延伸，且由于增加了第二型杂质浮空层，其分担了埋氧层电场，使得埋氧层中电场大幅度降低，能够使用较薄的埋氧层满足高压器件，进一步减少了SOI器件的自热效应，同时，第二型杂质浮空层能够对于漂移区中电场进行调制，加强漂移区中间区域电场，相比常规SOI器件，其能够获得更大击穿电压。
附图说明
图1为常规SOI器件剖视图；
图2为本实施例的部分SOI横向双扩散器件埋氧层为连续时的剖视图；
图3为本实施例的部分SOI横向双扩散器件埋氧层从源极的一端到靠近漏极的一端之间分为n段时的剖视图；
图4为常规SOI器件击穿时等势线分布图；
图5为本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时等势线分布图；
图6为常规SOI器件与本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时横向表面场分布特性曲线；
图7为常规SOI器件与本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时纵向电场分布特性曲线；
图8为常规SOI器件与本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时特性曲线；
其中，1为第一型杂质衬底，2为埋氧层，3为第二型杂质顶层硅层，4为漏极第二型杂质欧姆接触区，5为第二型杂质器件漂移区，6为源极第二型杂质欧姆接触区，7为第一型杂质背栅接触区，8为第二型杂质浮空层，21为从埋氧层源极一端开始的第一个段。
具体实施方式
下面结合附图及实施例，详细描述本发明的技术方案。
本发明所述的部分SOI横向双扩散器件，其埋氧层2并未完全将第一型杂质衬底1与第二型杂质顶层硅层3进行电气隔离，埋氧层2的一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆接触区4的水平距离不小于零，埋氧层2的另一端到漏极下方的器件边缘之间，第一型杂质衬底1与第二型杂质顶层硅层3接触形成PN结，由于其埋氧层2在漏极下方开口，能够有效传递SOI器件所产生的热量。
实施例
本例的部分SOI横向双扩散器件的埋氧层2可以是连续层或者间断的分为n段，其埋氧层为连续时的剖视图如图2，埋氧层从源极的一端到靠近漏极的一端之间分为n段时的剖视图如图3，常规SOI器件击穿时等势线分布图如图4，本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时等势线分布图如图5，常规SOI器件与本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时横向表面场分布特性曲线如图6，常规SOI器件与本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时纵向电场分布特性曲线如图7，常规SOI器件与本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时特性曲线如图8。
该部分SOI横向双扩散器件的埋氧层2并未完全将第一型杂质衬底1与第二型杂质顶层硅层3进行电气隔离，埋氧层2的一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆接触区4的水平距离不小于零，埋氧层2的另一端到漏极下方的器件边缘之间，第一型杂质衬底1与第二型杂质顶层硅层3接触形成PN结，其埋氧层2从一端到另一端可以是连续层，也可以从其一端到另一端之间分为n段，每两个相邻的段之间的间距大于零，间距中具有第一型杂质衬底1与第二型杂质顶层硅层3接触形成的PN结，其间距从埋氧层2的一端到另一端依次增大，所述段从埋氧层2一端到另一端依次减小，从埋氧层2源极下方一端开始的第一个段21的长度大于源极第二型杂质欧姆接触区6到源极的水平距离，在第一型杂质衬底1中还水平设置有第二型杂质浮空层11，第二杂质浮空层8的一端位于漏极下方与器件边缘接触，另一端与源极第二型杂质欧姆接触区6的水平距离不小于零，当埋氧层2为间断的分为n段时，其间距在第二型杂质浮空层8面的水平投影上都具有第二型杂质浮空层8，第二型杂质浮空层8的另一端到源极下方的器件边缘之间的水平距离小于从埋氧层2源极下方一端开始的第一个段21的长度，第二型杂质浮空层8的浓度为1e16cm-3到2e17cm-3，其厚度为1μm到5μm，第二型杂质浮空层8到第一型杂质衬底1上表面的垂直距离为3μm到15μm，当第一型杂质为p型杂质时，第二型杂质为n型杂质，当第一型杂质为n型杂质时，第二型杂质为p型杂质。
常规SOI器件击穿时等势线分布图如图4，其相邻等势线电压差为10V，从图4中可以看出SOI器件的埋氧层2承担了SOI器件的纵向耐压，其第二型杂质器件漂移区5中的电场稀疏，该SOI器件未能达到第二型杂质器件漂移区5的充分利用；本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时等势线分布图如图5，其相邻等势线电压差为10V，从图5可以看出等势线不再受到埋氧层2限制，其可以“穿过”埋氧层2，使第一型杂质衬底1承受器件纵向耐压，打破了常规SOI器件其耐压受到埋氧层2厚度的限制，同时第二型杂质浮空层8对于第二型杂质器件漂移区5中的电场进行调制，促使第二型杂质器件漂移区5中的电场进行再分布，使得该部分SOI横向双扩散器件横向电场分布更为均匀，该部分SOI横向双扩散器件具有更大的击穿电压；常规SOI器件与本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时横向表面场分布特性曲线如图6，其中，X轴代表水平方向距离，Y轴代表电场，从图6上可以看出本实施例所提供的部分SOI横向双扩散器件由于表面场受到了第二型杂质浮空层8对其的调制，其分布明显更为均匀，相比于常规SOI技术所集成的LDMOS器件展现出了巨大的优势；常规SOI器件与本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时纵向电场分布特性曲线如图7，其中，X轴代表垂直方向距离，Y轴代表电场，从图7可以看出本实施例所提供的部分SOI横向双扩散器件将埋氧层2电场从常规SOI器件的8.5E5V/cm降至2.5E5V/cm，同时耗尽层宽度有了大幅度提高，所以要达到相同的击穿电压需求，本实施例所提供的部分SOI横向双扩散器件可以用较薄的埋氧层2厚度便可达到要求，再加上本实施例所提供的部分SOI横向双扩散器件其埋氧层2在漏极开孔，可向第一型杂质衬底1传输该器件工作中所产生的热量，所以其具有更小的自热效应；常规SOI器件与本实施例的部分SOI横向双扩散器件击穿时特性曲线如图8，其中，X轴代表漏极电压，Y轴代表漏极电流，从图8上可以看出由于第二型杂质浮空层8对于第二型杂质器件漂移区5中横向电场与纵向电场的调制作用，使本实施例的部分SOI横向双扩散器件获得了445V击穿电压，而常规SOI器件击穿电压却仅有315V。

Claims (8)

1.部分SOI横向双扩散器件，包括源极、漏极、第一型杂质衬底、埋氧层及第二型杂质顶层硅层，所述第二型杂质顶层硅层包括漏极第二型杂质欧姆接触区及源极第二型杂质欧姆接触区，所述第一型杂质衬底设置在水平面，其特征在于，所述埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆接触区的水平距离不小于零，埋氧层的另一端到漏极下方的器件边缘之间，第一型杂质衬底与第二型杂质顶层硅层接触形成PN结。
2.根据权利要求1所述部分SOI横向双扩散器件，其特征在于，所述埋氧层为连续层。
3.根据权利要求2所述部分SOI横向双扩散器件，其特征在于，还包括第二型杂质浮空层，所述第二型杂质浮空层水平设置在第一型杂质衬底中，其一端位于漏极下方与器件边缘接触，另一端与源极第二型杂质欧姆接触区的水平距离不小于零。
4.根据权利要求1所述部分SOI横向双扩散器件，其特征在于，所述埋氧层从一端到另一端之间分为n段，每两个相邻的段之间的间距大于零，所述间距中具有第一型杂质衬底与第二型杂质顶层硅层接触形成PN结。
5.根据权利要求4所述部分SOI横向双扩散器件，其特征在于，所述间距从埋氧层的一端到另一端依次增大，所述段从埋氧层的一端到另一端依次减小，从埋氧层源极下方一端开始的第一个段的长度大于源极第二型杂质欧姆接触区到源极的水平距离加上第二型杂质欧姆接触区的长度。
6.根据权利要求4或5所述部分SOI横向双扩散器件，其特征在于，还包括第二型杂质浮空层，所述第二型杂质浮空层水平设置在第一型杂质衬底中，其一端位于漏极下方与器件边缘接触，另一端与源极第二型杂质欧姆接触区的水平距离不小于零，所述间距在第二型杂质浮空层面的水平投影上都具有第二型杂质浮空层，所述第二型杂质浮空层的另一端到源极下方的器件边缘之间的水平距离小于从埋氧层源极下方一端开始的第一个段的长度。
7.根据权利要求3或6所述部分SOI横向双扩散器件，其特征在于，所述第二型杂质浮空层的浓度为1e16cm-3到2e17cm-3，其厚度为1μm到5μm，其与第一型杂质衬底上表面的垂直距离为3μm到15μm。
8.根据权利要求1或2或3或4或5或6或7所述部分SOI横向双扩散器件，其特征在于，所述第一型杂质为p型杂质或n型杂质，第二型杂质为n型杂质或p型杂质。
CN2010105792507A 2010-12-08 2010-12-08 部分soi横向双扩散器件 Active CN102082169B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105792507A CN102082169B (zh) 2010-12-08 2010-12-08 部分soi横向双扩散器件
CN201210047316.7A CN102569359B (zh) 2010-12-08 2010-12-08 部分soi横向双扩散器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105792507A CN102082169B (zh) 2010-12-08 2010-12-08 部分soi横向双扩散器件

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210047316.7A Division CN102569359B (zh) 2010-12-08 2010-12-08 部分soi横向双扩散器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102082169A true CN102082169A (zh) 2011-06-01
CN102082169B CN102082169B (zh) 2012-07-25

Family

ID=44088021

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105792507A Active CN102082169B (zh) 2010-12-08 2010-12-08 部分soi横向双扩散器件
CN201210047316.7A Active CN102569359B (zh) 2010-12-08 2010-12-08 部分soi横向双扩散器件

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210047316.7A Active CN102569359B (zh) 2010-12-08 2010-12-08 部分soi横向双扩散器件

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN102082169B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103426913A (zh) * 2013-08-09 2013-12-04 电子科技大学 一种部分soi超结高压功率半导体器件
CN103545346A (zh) * 2012-07-09 2014-01-29 上海华虹Nec电子有限公司 隔离型n型ldmos器件及其制造方法
CN107123681A (zh) * 2016-02-25 2017-09-01 瑞萨电子株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN108447904A (zh) * 2018-03-14 2018-08-24 电子科技大学 一种横向igbt的制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103515428B (zh) * 2013-09-09 2015-12-09 电子科技大学 一种psoi横向高压功率半导体器件
US10930777B2 (en) * 2017-11-21 2021-02-23 Globalfoundries U.S. Inc. Laterally double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device on fully depleted silicon on insulator (FDSOI) enabling high input voltage

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6281054B1 (en) * 1998-12-30 2001-08-28 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. SOI device and method for fabricating the same
US6319772B1 (en) * 2000-10-30 2001-11-20 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method for making low-leakage DRAM structures using selective silicon epitaxial growth (SEG) on an insulating layer
US20050133881A1 (en) * 2003-12-18 2005-06-23 Chang-Woo Oh Semiconductor device employing buried insulating layer and method of fabricating the same
CN101488526A (zh) * 2009-02-27 2009-07-22 东南大学 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
CN101552291A (zh) * 2009-03-30 2009-10-07 东南大学 N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101621009B (zh) * 2008-07-02 2012-03-21 中国科学院微电子研究所 一种制作部分耗尽soi器件体接触结构的方法
CN101777584B (zh) * 2010-01-29 2011-12-07 四川长虹电器股份有限公司 p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6281054B1 (en) * 1998-12-30 2001-08-28 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. SOI device and method for fabricating the same
US6319772B1 (en) * 2000-10-30 2001-11-20 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method for making low-leakage DRAM structures using selective silicon epitaxial growth (SEG) on an insulating layer
US20050133881A1 (en) * 2003-12-18 2005-06-23 Chang-Woo Oh Semiconductor device employing buried insulating layer and method of fabricating the same
CN101488526A (zh) * 2009-02-27 2009-07-22 东南大学 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
CN101552291A (zh) * 2009-03-30 2009-10-07 东南大学 N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103545346A (zh) * 2012-07-09 2014-01-29 上海华虹Nec电子有限公司 隔离型n型ldmos器件及其制造方法
CN103426913A (zh) * 2013-08-09 2013-12-04 电子科技大学 一种部分soi超结高压功率半导体器件
CN103426913B (zh) * 2013-08-09 2016-08-31 电子科技大学 一种部分soi超结高压功率半导体器件
CN107123681A (zh) * 2016-02-25 2017-09-01 瑞萨电子株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN107123681B (zh) * 2016-02-25 2022-03-01 瑞萨电子株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN108447904A (zh) * 2018-03-14 2018-08-24 电子科技大学 一种横向igbt的制造方法
CN108447904B (zh) * 2018-03-14 2020-09-29 电子科技大学 一种横向igbt的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102569359A (zh) 2012-07-11
CN102569359B (zh) 2015-07-29
CN102082169B (zh) 2012-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102082169B (zh) 部分soi横向双扩散器件
CN102969358B (zh) 一种横向高压功率半导体器件
CN103268890B (zh) 一种具有结型场板的功率ldmos器件
CN103715238B (zh) 一种超低比导通电阻的横向高压器件
US9825158B2 (en) Insulated gate bipolar transistor
CN105633137B (zh) 一种槽栅功率mosfet器件
CN102376762B (zh) 超级结ldmos器件及制造方法
CN105070759A (zh) Nldmos器件及其制造方法
CN108682689A (zh) 横向扩散金属氧化物半导体结构和其形成方法
CN103928522B (zh) 一种槽型积累层mosfet器件
US10068965B1 (en) Lateral high-voltage device
CN102386211A (zh) Ldmos器件及其制造方法
CN103022134B (zh) 一种超低比导通电阻的soi横向高压功率器件
CN107658340A (zh) 一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅mosfet器件与制备方法
CN101083278A (zh) 一种具有双介质埋层的耐压层结构及采用双介质埋层的soi功率器件
CN108682690A (zh) 横向扩散金属氧化物半导体器件和其制造方法
JP2013069866A (ja) 半導体装置
CN102738240A (zh) 一种双栅功率mosfet器件
CN107275388A (zh) 一种横向高压器件
CN110190127A (zh) 一种具有l型掩蔽层结构的碳化硅mosfet器件
CN115274816A (zh) 一种高阻衬底tsv接地的超结ldmos器件及其制作方法
US20120091516A1 (en) Lateral Floating Coupled Capacitor Device Termination Structures
US8674441B2 (en) High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device
CN102142460A (zh) 一种soi型p-ldmos
CN218069857U (zh) 具有倒t型埋层的深沟槽型功率器件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant