CN102033365A - Ffs模式lcd及其制造方法 - Google Patents

Ffs模式lcd及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102033365A
CN102033365A CN2010105093076A CN201010509307A CN102033365A CN 102033365 A CN102033365 A CN 102033365A CN 2010105093076 A CN2010105093076 A CN 2010105093076A CN 201010509307 A CN201010509307 A CN 201010509307A CN 102033365 A CN102033365 A CN 102033365A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
transparent
tolerant
auxiliary electrical
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010105093076A
Other languages
English (en)
Inventor
田旼暻
金戊瑽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hydis Technologies Co Ltd
Original Assignee
Hydis Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020100054267A external-priority patent/KR101096336B1/ko
Application filed by Hydis Technologies Co Ltd filed Critical Hydis Technologies Co Ltd
Publication of CN102033365A publication Critical patent/CN102033365A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供一种FFS模式LCD及其制造方法。所述LCD包括下基板、上基板以及设置于它们之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域以及开关装置，所述LCD还包括：设置于所述像素区域中的透明像素电极和透明共用电极，它们隔开并在预定区域中重叠，在它们之间夹置有绝缘层；以及透明辅助电容式电极，与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明辅助电容式电极与所述透明像素电极之间夹置有栅极绝缘层；其中所述透明辅助电容式电极通过接触孔电连接至所述下基板外周边非显示区域上的共用总线，且所述共用总线连接至所述透明共用电极。本发明通过减小栅极线及数据线的负载并增大传统的存储电容，能够有效地改善图像质量。

Description

FFS模式LCD及其制造方法
相关申请交叉参考
本申请要求2009年10月8日提出的韩国专利申请No.2009-95554及2010年6月9日提出的韩国专利申请No.2010-54267的优先权，这两个韩国专利申请所揭露的内容以引用方式全部并入本文。
技术领域
本发明涉及一种FFS(Fringe Field Switching，边缘场切换)模式LCD(Liquid Crystal Display Device，液晶显示装置)及其制造方法，更具体而言，涉及一种通过减小栅极线及数据线的负载并增大传统的存储电容Cst而能够有效地改善图像质量的FFS模式LCD及其制造方法。
背景技术
总体而言，为改善面内切换(IPS)模式LCD的低开口率及透射率，已提出一种FFS模式LCD，并且与此种FFS模式LCD有关的技术已作为韩国专利申请第1998-0009243号提出申请。
同时，由本申请人提出并获得授权的韩国专利登记第0849599号(其名称为“FFS模式LCD(FFS Mode LCD)”)揭露了一种FFS模式LCD，此种FFS模式LCD能够以差动方式驱动邻近数据线的液晶与邻近像素区域的液晶，以消除形成于数据线上的黑底并防止漏光。
亦即，图1为传统FFS模式LCD的下基板的像素区域的一部分的平面图，图2为图1的沿线I-I’截取的剖面图，图3则为图1的沿线II-II’截取的剖面图。
参见图1至图3，由不透明金属形成的栅极线G与数据线600被设置成垂直地交叉，以在下基板100上形成单位像素区域。透明共用电极800与透明像素电极400设置于单位像素区域中，且其间夹置有绝缘层700。透明像素电极400与数据线600设置于同一层上并呈例如板状，且透明共用电极800被设置成具有通过将沉积于绝缘层700上的透明导电层图案化而形成的多个狭缝，并与透明像素电极400的预定区域重叠。
在栅极线G之间的栅电极200上设置有有源图形(active pattern)500、源电极600a及漏电极600b，在它们和栅电极200之间夹置有栅极绝缘层300，从而形成薄膜晶体管(TFT)T，其中在有源图形500中，依序沉积有非晶硅(α-Si)层与n+α-Si层。漏电极600b电连接至透明像素电极400，以给单位像素提供数据信号。
随着分辨率的提高，此种传统FFS模式LCD的像素尺寸变小。因此，用于漏电极600b与透明像素电极400之间的电连接以及漏电极等的电连接的接触孔所占据的面积相对增大而使得开口率降低，从而使透明像素电极400与透明共用电极800之间的形成存储电容Cst的重叠区域也减小。这最终会造成例如像素电压ΔVp增大、电压保持率(VHR)降低、图像质量降低(例如存在残影或闪烁)、透射率降低等问题。
发明内容
鉴于上述问题，本发明旨在提供一种如下的FFS模式LCD及其制造方法：其能够根据因高的分辨率而引起的像素尺寸变化以及根据每一像素的传统存储电容的变化来形成辅助存储电容，并能够保持或增大总的存储电容从而有效地改善图像质量。
本发明还涉及一种如下的FFS模式LCD及其制造方法：其能够根据因高的分辨率而引起的像素尺寸变化以及根据每一像素的传统存储电容的变化来形成透明辅助电容式电极，并减小透明辅助电容式电极及/或透明共用电极的电阻从而提高总的负载，且通过在电压保持之时使共用电压迅速地返回从而改善在特定图案处发生的“浅绿现象(greenishphenomenon)”。
根据本发明的一个方面，提供一种FFS模式LCD，其包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域以及开关装置，所述单位像素区域由被形成为相互交叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处，所述LCD还包括：透明像素电极及透明共用电极，所述透明像素电极设置于所述像素区域中，用于通过对所述液晶层施加电场来调整透光率，所述透明共用电极与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明像素电极与所述透明共用电极之间夹置有绝缘层；以及透明辅助电容式电极，它与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明辅助电容式电极与所述透明像素电极之间夹置有栅极绝缘层，其中所述透明辅助电容式电极通过预定接触孔电连接至共用总线，所述共用总线形成于所述下基板外周边的非显示区域上，且所述共用总线连接至所述透明共用电极。
这里，平行于所述栅极线设置在所述像素区域中的所述透明辅助电容式电极相互电连接。
根据本发明的另一个方面，提供一种FFS模式LCD，其包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域和开关装置，所述单位像素区域由被形成为相互交叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处，所述LCD还包括：用于减小电阻的预定共用线，与所述栅极线设置于同一层上并与每一栅极线间隔开；透明像素电极，设置于所述单位像素区域中，用于通过对所述液晶层施加电场来调整透光率；透明共用电极，与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明像素电极与所述透明共用电极之间夹置有绝缘层；以及透明辅助电容式电极，与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明辅助电容式电极与所述透明像素电极之间夹置有栅极绝缘层，其中所述透明辅助电容式电极被形成为覆盖所述用于减小电阻的共用线的一部分，从而电连接至所述用于减小电阻的共用线。
这里，所述透明共用电极通过预定的接触孔电连接至所述透明辅助电容式电极，所述接触孔形成于所述绝缘层及所述栅极绝缘层上。
此外，所述透明共用电极可包括多个具有预定宽度的狭缝。
此外，所述透明辅助电容式电极可具有在平面图中包含于所述透明像素电极中的区域。
此外，所述透明像素电极可为板状。
此外，所述透明像素电极可与所述数据线形成于同一层上。
根据本发明的又一个方面，提供一种制造FFS模式LCD的方法，所述FFS模式LCD包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域以及开关装置，所述单位像素区域由形成为相互交叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处，所述方法包括以下步骤：在基板上形成具有栅电极的栅极线；形成透明辅助电容式电极以使其在每一单位像素区域中与透明像素电极的一部分重叠；在所述基板的整个上部上形成栅极绝缘层，以使其覆盖具有所述栅电极的所述栅极线以及所述透明辅助电容式电极，然后在所述栅极绝缘层上在每一单位像素区域中形成所述透明像素电极；在所述栅电极的上部部分上的所述栅极绝缘层的一部分上形成有源图形，并使用接触掩模在所述下基板外周边的非显示区域中形成第一接触孔，使其露出所述透明辅助电容式电极；在所述栅电极上的所述栅极绝缘层的所述部分上形成源电极、漏电极以及数据线以构成开关装置，并同时在所述下基板外周边的所述非显示区域中形成共用总线，使该共用总线通过所述第一接触孔电连接至所述透明辅助电容式电极；在形成有所述开关装置的所得结构上形成绝缘层，并在所述下基板外周边的所述非显示区域中形成第二接触孔；以及在所述绝缘层上形成透明共用电极，使其与所述透明像素电极的至少一部分重叠并通过所述第二接触孔电连接至所述共用总线。
这里，平行于所述栅极线设置在像素区域中的所述透明辅助电容式电极相互电连接。
根据本发明的再一个方面，提供一种制造FFS模式LCD的方法，所述FFS模式LCD包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域以及开关装置，所述单位像素区域由形成为相互交叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处，所述方法包括以下步骤：在基板上形成具有栅电极的栅极线，并同时使用与所述栅极线相同的材料在与所述栅极线相同的层上形成用于减小电阻的共用线，使其与每一栅极线间隔开；形成透明辅助电容式电极，使其覆盖所述用于减小电阻的共用线的一部分并与每一单位像素区域中的透明像素电极的一部分重叠；在所述基板的整个上部上形成栅极绝缘层，使其覆盖具有所述栅电极的所述栅极线及所述透明辅助电容式电极；在所述栅电极的上部部分上的所述栅极绝缘层的一部分上形成有源图形，并在所述栅极绝缘层上形成将要设置于每一单位像素区域中的所述透明像素电极；在所述栅电极的所述上部上的所述栅极绝缘层的所述部分上形成源电极、漏电极以及数据线以构成开关装置，并在形成有所述开关装置的所得结构上形成绝缘层；以及在所述绝缘层上形成透明共用电极。
这里，在形成所述透明像素电极之后，形成第一接触孔，使该第一接触孔露出所述透明辅助电容式电极的预定区域；在形成所述绝缘层之后，在与所述第一接触孔相同的位置处形成第二接触孔，使该第二接触孔露出所述透明辅助电容式电极的预定区域；并使所述透明共用电极形成为通过所述第一接触孔及所述第二接触孔电连接至所述透明辅助电容式电极。
此外，所述透明辅助电容式电极可具有在平面图中包含于所述透明像素电极中的区域。
此外，所述透明像素电极可为板状。
此外，所述透明像素电极可与所述数据线形成于同一层上。
附图说明
通过参照附图详细说明本发明的实例性实施例，本发明的上述及其它目的、特征及优点对于所属领域的一般技术人员将变得更加显而易见，附图中：
图1为传统FFS模式LCD的下基板的像素区域的一部分的平面图；
图2为图1的沿线I-I’截取的剖面图；
图3则为图1的沿线II-II’截取的剖面图；
图4为根据本发明实例性实施例的FFS模式LCD的下基板的像素区域的一部分的平面图；
图5至图8为依序显示形成各个层和使这些层重叠的步骤的平面图；
图9为图4的沿线A-A’截取的剖面图；
图10为图4的沿线B-B’截取的剖面图；
图11为FFS模式LCD的平面图，其显示图4所示的层的一部分；
图12为图11的沿线C-C’截取的剖面图；
图13为显示根据本发明实例性实施例的FFS模式LCD的液晶单元的等效电路图；
图14为显示模拟结果的图，用于对现有技术与本发明第一实例性实施例的透射部及1点的透光率进行比较，其中(a)表示现有技术，(b)表示本发明；
图15为根据本发明第二实例性实施例的FFS模式LCD的下基板的像素区域的一部分的平面图；
图16至图21为依序显示形成各个层和使这些层重叠的步骤的平面图；
图22为根据本发明第三实例性实施例的FFS模式LCD的下基板的像素区域的一部分的平面图；
图23为根据本发明第四实例性实施例的FFS模式LCD的下基板的像素区域的一部分的平面图；
图24至图31为依序显示形成各个层和使这些层重叠的步骤的平面图；
图32为图15的沿线D-D’截取的剖面图；
图33为图22的沿线E-E’截取的剖面图；以及
图34为图23的沿线F-F’截取的剖面图。
具体实施方式
以下参照附图来详细说明本发明的实例性实施例。尽管是结合本发明的实例性实施例来显示和说明本发明，然而所属领域的技术人员易知，可在不背离本发明精神及范围的条件下作出各种修改。
本发明的FFS模式LCD包括下基板、上基板及设置于其间的液晶层。栅极线与数据线被形成为相互交叉并在下基板上界定像素区域。开关装置设置于栅极线与数据线的交叉点上。为对液晶层施加电压及调整透光率，设置有透明像素电极以及与透明像素电极间隔开的透明共用电极，以使二者在预定区域相互重叠，其中在透明像素电极与透明共用电极之间夹置有绝缘层。
第一实例性实施例
图4为根据本发明第一实例性实施例的FFS模式LCD的下基板的像素区域的一部分的平面图；图5至图8为依序显示形成图4所示各个层和使这些层重叠的步骤的平面图；图9为图4的沿线A-A’截取的剖面图；图10为图4的沿线B-B’截取的剖面图；图11为FFS模式LCD的平面图，其显示图4所示的层的一部分；图12为图11的沿线C-C’截取的剖面图；图13为显示根据本发明第一实例性实施例的FFS模式LCD的液晶单元的等效电路图。
参见图4至图13，应用于本发明第一实例性实施例的下基板具有如下结构：其中由不透明金属(例如Mo等)形成的栅极线G与数据线600在具有绝缘特性的基板100上被设置成相互交叉，从而形成单位像素区域。在单位像素区域中形成透明共用电极800与透明像素电极400，其间夹置有绝缘层700。透明像素电极400与数据线600设置于同一层中并呈例如板状，透明共用电极800具有通过将沉积于绝缘层700上的透明导电层图案化而形成的多个狭缝并在预定区域中与透明像素电极400重叠。
在栅极线G之间的栅电极200上设置有有源图形(active pattern)500、源电极600a及漏电极600b，且在它们和栅电极200之间夹置有栅极绝缘层300，从而形成薄膜晶体管(TFT)T作为开关元件，其中在有源图形500中依序沉积有α-Si层与n+α-Si层。漏电极600b电连接至透明像素电极400，以给单位像素提供数据信号。
具体而言，在本发明的第一实例性实施例中，设置有透明辅助电容式电极150，其在形成栅极绝缘层300之前与形成于下基板100上的栅极线G设置于同一层上。
透明辅助电容式电极150被形成为在每一单位像素区域中与透明像素电极400的至少一部分重叠，并且优选地具有在平面图中包含于透明像素电极400中的区域(在本实例中，不包括用于连接每一单位像素区域的透明辅助电容式电极150的连接部的区域)。
同时，与每一单位像素区域的栅极线G平行地设置于各单位像素区域中的透明辅助电容式电极150相互电连接。另外，平行于栅极线G连接的透明辅助电容式电极150是通过传统的共用总线CB及接触孔CH1进行电连接，接触孔CH1形成于下基板外周边的非显示区域中。
此处，共用总线CB沿像素区域的周边形成于下基板外周边的非显示区域中，并对透明辅助电容式电极150施加共用电压信号Vcom，以形成额外的辅助电容Cst’。
另外，共用电压信号Vcom由共用总线CB施加至设置于基板100上的透明共用电极800，且共用电压信号Vcom与基板100上透明像素电极400的像素电压共同作用来形成边缘场，从而驱动液晶分子。
同时，透明辅助电容式电极150可由选自氧化铟锡(ITO)、氧化锡(TO)、氧化铟锡锌(ITZO)及氧化铟锌(TZO)中的任一者制成。
如上所述，透明辅助电容式电极150与透明像素电极400在基板100上相互间隔开并相互重叠，其间夹置有栅极绝缘层300。因此，在透明像素电极400与透明共用电极800之间形成存储电容Cst，以保持被充至液晶单元Clc的数据电压，且设置于透明像素电极400与透明辅助电容式电极150之间的栅极绝缘层300形成辅助电容Cst’。
辅助电容Cst’通过接触孔CH1直接连接至共用总线CB，以便与传统存储电容Cst并联连接，从而减小栅极线G及数据线600的负载并有效地增大传统存储电容Cst。
另外，可根据像素参数及驱动负载来最佳地调整并自由地形成辅助电容Cst’的大小。
同时，根据本发明的结构，用于驱动液晶层的电场由透明像素电极400与透明共用电极800确定，但形成于透明辅助电容式电极150与透明像素电极400之间的电场对液晶层不存在影响。这是因为在该结构中，透明像素电极400为板状，且透明辅助电容式电极150形成于该板状下方，从而使透明辅助电容式电极150的电场可尽可能少地施加至液晶层。这意味着发挥透明辅助电容式电极150的辅助容量的功能，且其余整个LCD的特性不会存在问题。进一步，当透明辅助电容式电极150所具有的面积小于透明像素电极400的板状面积且透明辅助电容式电极150包含于透明像素电极400中(当从上方看时)时，可更为有效。例如，透明像素电极400具有矩形板形状，且透明辅助电容式电极150具有包含于透明像素电极的矩形结构中的矩形结构。
同时，在上基板上设置有滤色片(图未示)，用于体现与形成于下基板100上的像素区域相对应的屏幕的颜色。在数据线600上可形成、也可不形成黑矩阵。
以下参照图4至图13来详细说明根据本发明第一实例性实施例的一种制造FFS模式LCD的方法。
参见图4至图13，在应用于本发明第一实例性实施例的下基板中，首先在基板100上形成具有栅电极200的栅极线G，并在与基板100的栅极线G相同的层上形成透明辅助电容式电极150。
亦即，通过沉积不透明金属层并将其图案化，在基板100上对应于TFT T的成型部而形成包含栅电极200的栅极线G，并通过沉积透明金属层并将其图案化而在基板100上形成透明辅助电容式电极150，使透明辅助电容式电极150在每一单位像素区域中均与透明像素电极400的一部分重叠。
此处，可将平行于栅极线G形成于单位像素区域上的透明辅助电容式电极150相互电连接。
接着，在基板100的整个上部上沉积栅极绝缘层300，以覆盖包括栅电极200的栅极线G和透明辅助电容式电极150，然后通过沉积透明导电层并将其图案化，在栅极绝缘层300上的单位像素区域中形成板状的透明像素电极400。
在所得基板上依序沉积α-Si层及n+α-Si层，且接着将其图案化，以在栅极绝缘层300上对应于栅电极200形成有源图形500，并使用接触掩模(图未示)在将形成共用总线CB的栅极绝缘层300中形成接触孔CH1，以露出透明辅助电容式电极150。
此后，沉积用于源电极和漏电极的金属层并接着将其图案化，以形成包括源电极600a及漏电极600b的数据线600，从而构成TFT T。此处，漏电极600b被配置成电连接至透明像素电极400。
同时，在下基板外周边的非显示区域上形成共用总线CB。此处，共用总线CB被配置成通过接触孔CH电连接至透明辅助电容式电极150。另外，共用总线CB可由与数据线600相同的材料形成。
在形成有TFT T的所得结构上应用由例如SiNx材料形成的绝缘层700，并接着形成狭缝状的透明共用电极800，使透明共用电极800与透明像素电极400的至少一部分重叠。此时，透明共用电极800通过接触孔CH2电连接至共用总线CB。
接着，尽管图中未显示，在形成有透明共用电极800的所得结构的最上部上应用配向层，从而完成阵列基板的制造。
同时，在上基板上选择性地形成滤色片，并在上面形成配向层。将上基板与下基板在其间夹置液晶层后相互粘合在一起，从而完成根据本发明第一实例性实施例的FFS模式LCD的制造。当然，在对基板进行粘合后，可在基板外表面附装偏光层。
图14为显示模拟结果的图，用于对现有技术与本发明第一实例性实施例的透射部及1点的透光率进行比较，且在其中设置有透明电极400、透明共用电极800及透明辅助电容式电极150的结构的上部所示的曲线图表示透光率。
第二实例性实施例
图15为根据本发明第二实例性实施例的FFS模式LCD的下基板的像素区域的一部分的平面图；图16至图21为依序显示形成各个层和使这些层重叠的步骤的平面图；图32为图15的沿线D-D’截取的剖面图。
应用于本发明第二实例性实施例的下基板的结构类似于应用于上述第一实例性实施例的下基板的结构，为便于解释起见，对于与第一实例性实施例中相同的元件，将使用与第一实例性实施例相同的附图标记及名称。
此外，将主要解释与图4所示根据本发明第一实例性实施例的FFS模式LCD的下基板的区别，主要区别在于，为有效地减小下侧的共用部分(即透明辅助电容式电极)的电阻，在形成栅极线G时使用与栅极线G相同的材料(即Mo)在与栅极线G相同的层上形成用于减小电阻的共用线900，并形成透明辅助电容式电极150，使透明辅助电容式电极150覆盖用于减小电阻的共用线900的一部分，从而电连接至用于减小电阻的共用线900。
亦即，参见图15至图21以及图32，平行于栅极线G的用于减小电阻的共用线900设置于像素的边缘部(即邻近数据线G的位置)中并与栅极线G间隔开。用于减小电阻的共用线900与栅极线G形成于同一层上并电连接至透明共用电极800，从而连续地给透明共用电极800提供共用信号。
亦即，如图11及图12所示，如应用于第一实例性实施例的透明辅助电容式电极150的连接结构一样，用于减小电阻的共用线900通过接触孔CH1电连接至传统共用总线CB，传统共用总线CB形成于下基板外周边的非显示区域中。共用总线CB沿像素区域的周边形成于下基板外周边的非显示区域中，并通过用于减小电阻的共用线900给透明辅助电容式电极150提供共用电压信号Vcom，从而形成额外的辅助电容Cst’。
此外，透明共用电极800通过接触孔CH2电连接至共用总线CB，且共用电压信号Vcom提供至透明共用电极800并与基板100上透明像素电极400的像素电压共同作用而形成边缘场，从而驱动液晶分子。
具体而言，在本发明的第二实例性实施例中，透明辅助电容式电极150在形成栅极绝缘层300之前设置在与下基板100上的栅极线G相同的层上。
透明辅助电容式电极150可被形成为覆盖用于减小电阻的共用线900的一部分，以便在不具有单独接触孔的情况下直接电连接至用于减小电阻的共用线900，从而改善总的负载。此外，这也会通过在电压保持之时使共用电压迅速地返回从而改善在特定图案处发生的“浅绿现象”。
透明辅助电容式电极150被形成为与透明像素电极400的一部分重叠，并优选地具有在平面图中包含于透明像素电极400中的区域。
以下参照图15至图21以及图32来详细说明根据本发明第二实例性实施例的一种制造FFS模式LCD的方法。
参见图15至图21以及图32，在应用于本发明第二实例性实施例的下基板中，在基板100上形成具有栅电极200的栅极线G，并使用与栅极线G相同的材料(例如Mo)在与栅极线G相同的层上与每一栅极线G相间隔地形成用于减小电阻的预定共用线900。
然后，在基板100上与栅极线G相同的层上形成透明辅助电容式电极150。亦即，通过沉积透明金属层并将其图案化，将透明辅助电容式电极150形成为覆盖用于减小电阻的共用线900的一部分并与每一单位像素区域中的透明像素电极400的一部分重叠。
此后，在基板100的整个上部上沉积栅极绝缘层300，使栅极绝缘层300覆盖包括栅电极200的栅极线G以及透明辅助电容式电极150，然后在所得结构上依序沉积α-Si层及n+α-Si层并接着将其图案化，在栅电极200的上部的栅极绝缘层300的一部分上形成有源图形500。
接着，通过沉积透明导电层并将其图案化，形成在单位像素区域中设置于栅极绝缘层300上的板状的透明像素电极400。此后，沉积用于源电极及漏电极的金属层并将其图案化，以形成包括源电极600a及漏电极600b的数据线600，从而构成TFT T。此处，漏电极600b被构造成电连接至透明像素电极400。
接着，在形成有TFT T的所得结构上应用由例如SiNx材料形成的绝缘层700，并接着形成狭缝状的透明共用电极800，使透明共用电极800与透明像素电极400的至少一部分重叠。接着，尽管图中未显示，在形成有透明共用电极800的所得结构的最上部上应用配向层，从而完成阵列基板的制造。
此外，在上基板上选择性地形成滤色片，并在上部形成配向层。将上基板与下基板在其间夹置液晶层后相互粘合在一起，从而完成根据本发明第二实例性实施例的FFS模式LCD的制造。当然，优选地，在对基板进行粘合后，可在基板外表面附装偏光层。
第三实例性实施例
图22为根据本发明第三实例性实施例的FFS模式LCD的下基板的像素区域的一部分的平面图，图33则为图22的沿线E-E’截取的剖面图。
参见图22及图33，对根据本发明第三实例性实施例的FFS模式LCD装置的下基板与上文所述根据本发明第二实例性实施例的FFS模式LCD装置的下基板进行比较，其区别仅在于用于减小电阻的共用线900的设置位置，且根据本发明第三实例性实施例的FFS模式LCD装置与根据本发明第二实例性实施例的FFS模式LCD装置在结构及其制造方法方面相同。因此，关于其详细说明，请参见第二实例性实施例。
应用于第二实例性实施例的用于减小电阻的共用线900是平行于栅极线G设置于像素的边缘部中并与栅极线G(当从上方看基板时，为栅极线的下侧部分)间隔开。如上文所述的第二实例性实施例，用于减小电阻的共用线900被形成于与栅极线G相同的层上并电连接至透明共用电极800，从而给透明共用电极800连续地提供共用信号。
第四实例性实施例
图23为根据本发明第四实例性实施例的FFS模式LCD的下基板的像素区域的一部分的平面图；图24至图31为依序显示形成各个层和使这些层重叠的步骤的平面图；图34则为图23的沿线F-F’截取的剖面图。
应用于本发明第四实例性实施例的下基板的结构类似于应用于上述第三实例性实施例的下基板的结构，且为便于解释起见，对于与第三实例性实施例中相同的元件，将使用与第三实例性实施例相同的附图标记及名称。
此外，将主要解释图23所示根据本发明第四实例性实施例的FFS模式LCD的下基板的区别，主要区别在于，为有效地减小上侧及下侧的共用部分(即透明共用电极及透明辅助电容式电极)的电阻，在栅极绝缘层300及绝缘层700上形成第一接触孔及第二接触孔(CH1及CH2)，从而露出直接连接至用于减小电阻的共用线900的透明辅助电容式电极150的一部分、并使通过第一接触孔CH1及第二接触孔CH2露出的透明辅助电容式电极150与透明共用电极800相互电连接。
在大尺寸的FFS模式LCD中，透明共用电极800的电阻随其尺寸增大，从而出现例如共用信号延迟等问题。如果对其应用本发明的第四实例性实施例，则当形成透明共用电极800时，通过第一接触孔CH1及第二接触孔CH2露出的透明辅助电容式电极150、透明共用电极800、及用于减小电阻的共用线900被形成为在单位像素区域中相互电连接，从而通过使用一条用于减小电阻的共用线900来改善上侧及下侧的共用部分(即透明共用电极与透明辅助电容式电极)的所有电阻。
此外，用于减小电阻的共用线900与形成于下基板外周边的非显示区域中的共用总线CB(参见图11及图12)之间的连接关系与第二及第三实例性实施例相同，故不再赘述。
以下参照图23至图31以及图34来详细说明根据本发明第四实例性实施例的一种制造FFS模式LCD的方法。
参见图23至图31以及图34，在应用于本发明第四实例性实施例的下基板中，首先在基板100上形成具有栅电极200的栅极线G，并使用与栅极线G相同的材料(例如Mo)在与栅极线G相同的层上形成与每一栅极线G间隔开的用于减小电阻的预定共用线900。
然后，在基板100上在与栅极线G相同的层上形成透明辅助电容式电极150。亦即，通过沉积透明金属层并将其图案化来形成透明辅助电容式电极150，使透明辅助电容式电极150覆盖用于减小电阻的共用线900的一部分并在每一单位像素区域中与透明像素电极400的一部分重叠。
此后，在基板100的整个上部上沉积栅极绝缘层300，使其覆盖包括栅电极200的栅极线G以及透明辅助电容式电极150，接着在所得基板上依序沉积α-Si层及n+α-Si层并接着将其图案化，以在栅电极200的上部的栅极绝缘层300的一部分上形成有源图形500。
通过沉积透明导电层并将其图案化，形成板状的透明像素电极400，使得透明像素电极400设置于单位像素区域中的栅极绝缘层300上，并接着形成第一接触孔CH1，以露出透明辅助电容式电极150的预定区域。
亦即，通过蚀刻栅极绝缘层300而形成第一接触孔CH1，从而露出透明辅助电容式电极150的与用于减小电阻的共用线900相接触的预定区域。
此后，沉积用于源电极及漏电极的金属层并将其图案化，以形成包括源电极600a及漏电极600b(参见图9)的数据线600，从而构成TFT T。此处，漏电极600b被构造成电连接至透明像素电极400。
接着，在形成有TFT T的所得结构上应用由例如SiNx材料形成的绝缘层700，并接着通过蚀刻绝缘层700而在与第一接触孔CH1相同的位置处形成第二接触孔CH2，以露出透明辅助电容式电极150的预定区域。
然后，形成狭缝状的透明共用电极800，使透明共用电极800与透明像素电极400的至少一部分重叠。此时，透明共用电极800电连接至通过第一接触孔CH1及第二接触孔CH2露出的透明辅助电容式电极150。
接着，尽管图中未显示，在形成有透明共用电极800的所得结构的最上部上应用配向层，从而完成阵列基板的制造。
此外，在上基板上选择性地形成滤色片，并在上部形成配向层。将上基板与下基板在其间夹置液晶层后相互粘合在一起，从而完成根据本发明第四实例性实施例的FFS模式LCD的制造。当然，在对基板进行粘合后，可在基板外表面附装偏光层。
所属领域的技术人员应该知道，在不背离本发明的精神或范围的条件下可对本发明的上述实例性实施例作出各种修改。因此，本发明涵盖归属于所附权利要求书及其等同范围内的所有此种修改。

Claims (22)

1.一种FFS模式LCD，其包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域以及开关装置，所述单位像素区域由形成为相互交叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处，所述LCD还包括：
透明像素电极及透明共用电极，所述透明像素电极设置于所述像素区域中，用于通过对所述液晶层施加电场来调整透光率，所述透明共用电极与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明像素电极与所述透明共用电极之间夹置有绝缘层，以及
透明辅助电容式电极，与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明辅助电容式电极与所述透明像素电极之间夹置有栅极绝缘层，
其中所述透明辅助电容式电极通过接触孔电连接至共用总线，所述共用总线形成于所述下基板外周边的非显示区域上，且所述共用总线连接至所述透明共用电极。
2.如权利要求1所述的FFS模式LCD，其中平行于所述栅极线设置在所述像素区域中的所述透明辅助电容式电极相互电连接。
3.一种FFS模式LCD，其包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域和开关装置，所述单位像素区域由形成为相互交叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处，所述LCD还包括：
用于减小电阻的共用线，与所述栅极线设置于同一层上并与每一栅极线间隔开；
透明像素电极及透明共用电极，所述透明像素电极设置于所述单位像素区域中，用于通过对所述液晶层施加电场来调整透光率，所述透明共用电极与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明像素电极与所述透明共用电极之间夹置有绝缘层；以及
透明辅助电容式电极，与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明辅助电容式电极与所述透明像素电极之间夹置有栅极绝缘层；
其中所述透明辅助电容式电极被形成为覆盖所述用于减小电阻的共用线的一部分，从而电连接至所述用于减小电阻的共用线。
4.如权利要求3所述的FFS模式LCD，其中所述透明共用电极通过接触孔电连接至所述透明辅助电容式电极，所述接触孔形成于所述绝缘层及所述栅极绝缘层上。
5.如权利要求1所述的FFS模式LCD，其中所述透明共用电极包括多个具有预定宽度的狭缝。
6.如权利要求3所述的FFS模式LCD，其中所述透明共用电极包括多个具有预定宽度的狭缝。
7.如权利要求1所述的FFS模式LCD，其中所述透明辅助电容式电极具有在平面图中包含于所述透明像素电极中的区域。
8.如权利要求3所述的FFS模式LCD，其中所述透明辅助电容式电极具有在平面图中包含于所述透明像素电极中的区域。
9.如权利要求1所述的FFS模式LCD，其中所述透明像素电极为板状。
10.如权利要求3所述的FFS模式LCD，其中所述透明像素电极为板状。
11.如权利要求1所述的FFS模式LCD，其中所述透明像素电极与所述数据线形成于同一层上。
12.如权利要求3所述的FFS模式LCD，其中所述透明像素电极与所述数据线形成于同一层上。
13.一种制造FFS模式LCD的方法，所述FFS模式LCD包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域以及开关装置，所述单位像素区域由形成为相互交叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成具有栅电极的栅极线，并形成透明辅助电容式电极以使其在每一单位像素区域中与透明像素电极的一部分重叠；
在所述基板的整个上部上形成栅极绝缘层，以使其覆盖具有所述栅电极的所述栅极线以及所述透明辅助电容式电极，并在所述栅极绝缘层上在每一单位像素区域中形成所述透明像素电极；
在所述栅电极的上部部分上的所述栅极绝缘层的一部分上形成有源图形，并使用接触掩模在所述下基板外周边的非显示区域中形成第一接触孔，使其露出所述透明辅助电容式电极；
在所述栅电极上的所述栅极绝缘层的所述部分上形成源电极、漏电极以及数据线以构成开关装置，并同时在所述下基板外周边的所述非显示区域中形成共用总线，使该共用总线通过所述第一接触孔电连接至所述透明辅助电容式电极；
在形成有所述开关装置的所得结构上形成绝缘层，并在所述下基板外周边的所述非显示区域中形成第二接触孔；以及
在所述绝缘层上形成透明共用电极，使其与所述透明像素电极的至少一部分重叠并通过所述第二接触孔电连接至所述共用总线。
14.如权利要求13所述的方法，其中平行于所述栅极线设置在像素区域中的所述透明辅助电容式电极相互电连接。
15.一种制造FFS模式LCD的方法，所述FFS模式LCD包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域以及开关装置，所述单位像素区域由形成为相互交叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成具有栅电极的栅极线，并同时使用与所述栅极线相同的材料在与所述栅极线相同的层上形成用于减小电阻的共用线，使其与每一栅极线间隔开；
形成透明辅助电容式电极，使其覆盖所述用于减小电阻的共用线的一部分并与每一单位像素区域中的透明像素电极的一部分重叠；
在所述基板的整个上部上形成栅极绝缘层，使其覆盖具有所述栅电极的所述栅极线及所述透明辅助电容式电极；
在所述栅电极的上部部分上的所述栅极绝缘层的一部分上形成有源图形，并在所述栅极绝缘层上形成将要设置于每一单位像素区域中的所述透明像素电极；
在所述栅电极的所述上部上的所述栅极绝缘层的所述部分上形成源电极、漏电极以及数据线以构成开关装置，并在形成有所述开关装置的所得结构上形成绝缘层；以及
在所述绝缘层上形成透明共用电极。
16.如权利要求15所述的方法，其中在形成所述透明像素电极之后，形成第一接触孔，使该第一接触孔露出所述透明辅助电容式电极的预定区域；在形成所述绝缘层之后，在与所述第一接触孔相同的位置处形成第二接触孔，使该第二接触孔露出所述透明辅助电容式电极的预定区域；并使所述透明共用电极形成为通过所述第一接触孔及所述第二接触孔电连接至所述透明辅助电容式电极。
17.如权利要求13所述的方法，其中所述透明辅助电容式电极具有在平面图中包含于所述透明像素电极中的区域。
18.如权利要求15所述的方法，其中所述透明辅助电容式电极具有在平面图中包含于所述透明像素电极中的区域。
19.如权利要求13所述的方法，其中所述透明像素电极为板状。
20.如权利要求15所述的方法，其中所述透明像素电极为板状。
21.如权利要求13所述的方法，其中所述透明像素电极与所述数据线形成于同一层上。
22.如权利要求15所述的方法，其中所述透明像素电极与所述数据线形成于同一层上。
CN2010105093076A 2009-10-08 2010-10-08 Ffs模式lcd及其制造方法 Pending CN102033365A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20090095554 2009-10-08
KR10-2009-0095554 2009-10-08
KR1020100054267A KR101096336B1 (ko) 2009-10-08 2010-06-09 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
KR10-2010-0054267 2010-06-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102033365A true CN102033365A (zh) 2011-04-27

Family

ID=43854589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105093076A Pending CN102033365A (zh) 2009-10-08 2010-10-08 Ffs模式lcd及其制造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110085121A1 (zh)
CN (1) CN102033365A (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102629036A (zh) * 2011-09-30 2012-08-08 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板以及显示器件
CN102749776A (zh) * 2012-07-02 2012-10-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法
CN103137619A (zh) * 2012-11-15 2013-06-05 华映光电股份有限公司 画素结构及其制作方法
CN103163701A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 上海中航光电子有限公司 网状公共电极结构液晶显示器件及其制造方法
CN103293776A (zh) * 2013-05-07 2013-09-11 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103353695A (zh) * 2013-06-28 2013-10-16 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN103605244A (zh) * 2013-11-25 2014-02-26 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构
CN104280951A (zh) * 2014-09-23 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN104423110A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 业鑫科技顾问股份有限公司 液晶显示器的阵列基板
CN105204252A (zh) * 2015-09-23 2015-12-30 深超光电（深圳）有限公司 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板
WO2016004722A1 (zh) * 2014-07-09 2016-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN106526997A (zh) * 2016-12-02 2017-03-22 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN109219774A (zh) * 2016-06-09 2019-01-15 夏普株式会社 有源矩阵基板、具备其的带触摸面板的显示装置及液晶显示装置
CN111103734A (zh) * 2018-10-25 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
WO2020103387A1 (en) * 2018-11-22 2020-05-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel, display apparatus, and method of fabricating array substrate
CN111754934A (zh) * 2020-06-22 2020-10-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
US11921388B2 (en) 2020-10-30 2024-03-05 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101992884B1 (ko) * 2011-12-21 2019-06-26 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5953120B2 (ja) * 2012-05-25 2016-07-20 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN103579219B (zh) * 2012-07-27 2016-03-16 北京京东方光电科技有限公司 一种平板阵列基板、传感器及平板阵列基板的制造方法
JP6091197B2 (ja) 2012-12-10 2017-03-08 三菱電機株式会社 アレイ基板及び表示装置
KR101997745B1 (ko) 2013-01-25 2019-07-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP2014153370A (ja) 2013-02-04 2014-08-25 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 表示装置
JP2014186121A (ja) 2013-03-22 2014-10-02 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 液晶表示装置及びその駆動方法
WO2014181494A1 (ja) 2013-05-09 2014-11-13 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
CN104269414B (zh) 2014-09-25 2018-03-09 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
JP6892575B2 (ja) 2016-03-01 2021-06-23 天馬微電子有限公司 液晶表示装置
US11201175B2 (en) * 2018-11-21 2021-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha Array substrate with capacitance forming portion to hold potential at electrode

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010002146A1 (en) * 1997-07-12 2001-05-31 Lg Electronics Inc. In-plane switching mode liquid crystal display device
CN1392965A (zh) * 2000-09-27 2003-01-22 松下电器产业株式会社 液晶显示装置
US20030117559A1 (en) * 2001-12-24 2003-06-26 Ik-Soo Kim Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
CN1487346A (zh) * 2002-10-04 2004-04-07 Lg.飞利浦Lcd有限公司 面内切换模式液晶显示器件及其制造方法
US20060290826A1 (en) * 2005-06-23 2006-12-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN101114086A (zh) * 2006-07-27 2008-01-30 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置
TW200815883A (en) * 2006-09-26 2008-04-01 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display panel having the same
CN101241278A (zh) * 2007-02-05 2008-08-13 京东方显示器科技公司 边缘场开关模式lcd
CN101382708A (zh) * 2007-09-04 2009-03-11 株式会社日立显示器 液晶显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100293436B1 (ko) * 1998-01-23 2001-08-07 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식액정표시장치
KR100325079B1 (ko) * 1999-12-22 2002-03-02 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법
KR100322970B1 (ko) * 1999-12-24 2002-02-02 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법
KR100466392B1 (ko) * 2001-05-30 2005-01-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법
JP3881248B2 (ja) * 2002-01-17 2007-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置および画像表示装置
KR100930363B1 (ko) * 2005-12-28 2009-12-08 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법
JP2008064954A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP4404084B2 (ja) * 2006-10-31 2010-01-27 エプソンイメージングデバイス株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
TWI414864B (zh) * 2007-02-05 2013-11-11 Hydis Tech Co Ltd 邊緣電場切換模式之液晶顯示器
JP5079463B2 (ja) * 2007-11-20 2012-11-21 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置及びその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010002146A1 (en) * 1997-07-12 2001-05-31 Lg Electronics Inc. In-plane switching mode liquid crystal display device
CN1392965A (zh) * 2000-09-27 2003-01-22 松下电器产业株式会社 液晶显示装置
US20030117559A1 (en) * 2001-12-24 2003-06-26 Ik-Soo Kim Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
CN1487346A (zh) * 2002-10-04 2004-04-07 Lg.飞利浦Lcd有限公司 面内切换模式液晶显示器件及其制造方法
US20060290826A1 (en) * 2005-06-23 2006-12-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN101114086A (zh) * 2006-07-27 2008-01-30 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置
TW200815883A (en) * 2006-09-26 2008-04-01 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display panel having the same
CN101241278A (zh) * 2007-02-05 2008-08-13 京东方显示器科技公司 边缘场开关模式lcd
CN101382708A (zh) * 2007-09-04 2009-03-11 株式会社日立显示器 液晶显示装置

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102629036A (zh) * 2011-09-30 2012-08-08 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板以及显示器件
CN103163701A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 上海中航光电子有限公司 网状公共电极结构液晶显示器件及其制造方法
CN103163701B (zh) * 2011-12-16 2015-09-30 上海中航光电子有限公司 网状公共电极结构液晶显示器件及其制造方法
CN102749776A (zh) * 2012-07-02 2012-10-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法
CN103137619A (zh) * 2012-11-15 2013-06-05 华映光电股份有限公司 画素结构及其制作方法
CN103137619B (zh) * 2012-11-15 2016-03-30 华映光电股份有限公司 画素结构及其制作方法
CN103293776A (zh) * 2013-05-07 2013-09-11 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2014206052A1 (zh) * 2013-06-28 2014-12-31 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及显示装置
CN103353695A (zh) * 2013-06-28 2013-10-16 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN103353695B (zh) * 2013-06-28 2015-12-09 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及显示装置
US9488881B2 (en) 2013-06-28 2016-11-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display device
CN104423110A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 业鑫科技顾问股份有限公司 液晶显示器的阵列基板
US9823528B2 (en) 2013-08-30 2017-11-21 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display device using same
CN103605244A (zh) * 2013-11-25 2014-02-26 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构
WO2015074286A1 (zh) * 2013-11-25 2015-05-28 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构
CN103605244B (zh) * 2013-11-25 2016-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构
WO2016004722A1 (zh) * 2014-07-09 2016-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
US9773819B2 (en) 2014-07-09 2017-09-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, its manufacturing method, display panel and display device
CN104280951A (zh) * 2014-09-23 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
US10418383B2 (en) 2014-09-23 2019-09-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, fabrication method thereof and display device
WO2016045423A1 (en) * 2014-09-23 2016-03-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, fabrication method thereof and display device
CN105204252A (zh) * 2015-09-23 2015-12-30 深超光电（深圳）有限公司 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板
US9897877B2 (en) 2015-09-23 2018-02-20 Century Technology (Shenzhen) Corporation Limited Thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel using same
CN109219774B (zh) * 2016-06-09 2021-08-03 夏普株式会社 有源矩阵基板、带触摸面板的显示装置及液晶显示装置
CN109219774A (zh) * 2016-06-09 2019-01-15 夏普株式会社 有源矩阵基板、具备其的带触摸面板的显示装置及液晶显示装置
CN106526997A (zh) * 2016-12-02 2017-03-22 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN111103734A (zh) * 2018-10-25 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
US11392002B2 (en) 2018-10-25 2022-07-19 Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
WO2020103387A1 (en) * 2018-11-22 2020-05-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel, display apparatus, and method of fabricating array substrate
US11086178B1 (en) 2018-11-22 2021-08-10 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, display panel, display apparatus, and method of fabricating array substrate
CN111754934A (zh) * 2020-06-22 2020-10-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
US11921388B2 (en) 2020-10-30 2024-03-05 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Also Published As

Publication number Publication date
US20110085121A1 (en) 2011-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102033365A (zh) Ffs模式lcd及其制造方法
US11907460B2 (en) Touch sensing type display device
US5923390A (en) Liquid crystal display with high aperture ratio and method for manufacturing the same
CN1808252B (zh) 薄膜晶体管阵列面板和包括该面板的液晶显示器
CN100406975C (zh) 具有触摸屏功能的液晶显示装置及其构造方法
TWI393924B (zh) 觸控式顯示面板、彩色濾光片及其製作方法
CN100407036C (zh) 液晶显示装置及其制造方法
KR100486133B1 (ko) 액티브매트릭스 표시장치
CN100422831C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN101211084A (zh) 液晶显示板及其制造方法
CN101169565A (zh) 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
JPH06301059A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR101801974B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 액정표시장치 및 이들의 제조방법
CN101097375A (zh) 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
JP2011081385A (ja) Ｆｆｓモード液晶表示装置及びその製造方法
JPWO2011030583A1 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
CN101196660B (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN106483728A (zh) 像素结构、阵列基板和显示装置
KR20130015737A (ko) 액정표시장치
CN101017302A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN104076551B (zh) 一种彩膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置
KR20120038846A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
CN100468177C (zh) 显示器
TWI335483B (en) Pixel structure and liquid crystal display panel
JPH04335617A (ja) アクティブマトリクス基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110427