CN101965800B - 一种单座苣苔的组织培养繁殖方法 - Google Patents

一种单座苣苔的组织培养繁殖方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种单座苣苔的组织培养繁殖方法。它利用植物细胞的全能性和植物组织培养技术,将单座苣苔的叶片作为外植体,经消毒后,在合适的培养基和培养条件下培养,使其能够脱分化并分化形成不定芽,再经继代增殖、生根培养获得试管苗,试管苗经移栽壮苗炼苗后获得栽培苗。本发明从外植体的诱导到获得栽培苗只需要140天就可以获得栽培苗,大大加快单座苣苔的繁殖速度,通过继代增殖,每个月可以增殖4.6倍左右,因此可以在短时期内获得大量的试管苗,试管苗经移栽后,其成活率高达90%以上,从而能够使单座苣苔这一国家一级濒危植物得以保存和发展,为今后更进一步利用该物种奠定良好的基础。

Description

一种单座苣苔的组织培养繁殖方法
技术领域:
本发明属于植物组织培养领域,具体涉及一种单座苣苔的组织培养繁殖方法。
背景技术:
单座苣苔(Metabriggsia ovalifolia W.T.Wang)属苦苣苔科(Gesneriaceae)单座苣苔属,多年生小型草本植物,茎高20~40厘米,被褐色长柔毛。目前分布于中国广西那坡、南丹,生于海拔1100米的石灰山山坡林下。由于该物种生存环境要求特殊、地理分布狭小、种群数量很少,已被国家确定为中国第一批重点(一级)保护的珍稀濒危保护植物。
利用植物外植体在固体培养基上培养,获得愈伤组织或完整植株,即为植物组织培养,也称离体培养或外植体培养。由于不同类型的植物在离体培养所需要的培养条件及方法等方面存在很大的不同,根据具体的植物,调整培养基类型、培养光照及温度、不同培养阶段培养基生长调节剂配比,分别诱导不定芽的形成,在此基础上建立有效的芽繁殖体系和植株再生体系。目前运用植物组织培养技术开展植物的保护和繁殖在很多植物种上已获得成功。
但是,到目前为止,单座苣苔的组织培养方面的研究,国内外均未见报道。
发明内容:
本发明的目的是提供一种单座苣苔的组织培养繁殖方法,利用该方法能在短期内获得大量的单座苣苔栽培苗,因此能有效的保护和繁殖该物种,使之解除濒危状态,为今后更进一步保护和利用该物种奠定良好的基础。
本发明利用植物细胞的全能性和植物组织培养技术,将单座苣苔的叶片作为外植体,经灭菌消毒后,在合适的培养基和培养条件下培养,使其能够脱分化并分化形成不定芽,再经继代增殖、生根培养获得试管苗,试管苗经移栽壮苗炼苗后获得栽培苗,从而实现了本发明的目的。
本发明的单座苣苔的组织培养繁殖方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)不定芽的诱导:选择单座苣苔的叶片作为外植体,将叶片灭菌消毒后切块,接种于诱导培养基上培养,培养条件为22~28℃,黑暗培养或光强为20μmol m-2 s-1以下、光照14小时/天的条件下培养,直至诱导出不定芽,然后转到光强为50~80μmol m-2 s-1、光照14小时/天的条件下继续培养10~20天;
(2)继代增殖:将上一步骤获得的不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖,培养条件为22~28℃,光强为50-80μmol m-2 s-1,光照14小时/天;
(3)生根培养:将增殖的不定芽转入生根培养基中培养,培养条件为22~28℃,光强为50-80μmol m-2 s-1,光照14小时/天,使其生根,长成试管苗;
(4)试管苗的移栽:将试管苗移植到蛭石和沙石按体积比为1∶1或火灰和细沙按体积比为1∶1的基质中,置于湿润、遮荫的环境下培养,浇水,施肥以满足试管苗生长所需的水分和营养需要,经常规培养后获得栽培苗;
所述的诱导培养基为每升培养基中含有N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲(TDZ)0.2~2.0mg或6-苄氨基嘌呤(BAP)0.2~2.0mg,其余成份为MS;
所述的繁殖培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤0.2~2.0mg、α-萘乙酸(NAA)0.1~0.5 mg,其余成份为MS;
所述的生根培养基为每升培养基中含有活性炭1g和吲哚-3-丁酸(IBA)0.05~0.2mg或α-萘乙酸(NAA)0.05~0.2mg,其余成份为1/2MS。
本发明的试管苗移植后注意浇水、施肥。每星期施用1‰的复合肥(N∶P∶K为1∶1∶1)一次,以满足试管苗生长所需的水分和营养需要,并注意保温,最好保持在20~25℃,移栽成活率可达到90%以上。
所述的将叶片灭菌消毒后切块优选是将叶片用自来水清洗干净,先以体积分数为75%酒精水溶液表面擦洗消毒10秒钟,无菌水洗脱2次,之后在质量体积百分比浓度为0.1%升汞溶液中浸泡8分钟,并以无菌水洗涤3次,最后将叶片切成0.6cm2大小。
所述的MS为国际通用的培养基,其成分和配制方法参看谭文澄、戴策刚主编,《观赏植物组织培养技术》,北京:中国林业出版社,1991,所述的1/2 MS是将MS中的大量元素和微量元素减半,其它成分不变而形成的培养基。
由于单座苣苔的试管苗很小,一般不超过2cm,在移植到室外后容易失水或养分缺乏而死亡,因此本发明人将试管苗移植到蛭石和沙石按体积比为1∶1或火灰和细沙按体积比的基质中,置于湿润、遮荫的环境下培养,浇水,施肥以满足试管苗生长所需的水分和营养需要,保证使试管苗有较高的成活率。
外植体自接种到诱导培养基中大概40天就可以诱导出不定芽,再在较强的光照下培养10~20天,转入继代增殖,一般一个月就可以继代一次,增殖的不定芽在生根培养基一般一个月就可以生根形成试管苗,试管苗移栽到基质中一般一个月后试管苗长到4~5cm高,获得栽培苗,就可以将其移栽到以火灰为基质的盆中培养了。
本发明的有益效果如下:
本发明从外植体的诱导到获得栽培苗只需要140天就可以获得栽培苗,大大加快单座苣苔的繁殖速度,通过继代增殖,每个月可以增殖4.6倍左右,因此可以在短时期内获得大量的试管苗,试管苗经移栽后,其成活率高达90%以上,从而能够使单座苣苔这一国家一级濒危植物得以保存和发展,为今后更进一步利用该物种奠定良好的基础。
具体实施方式:
以下是对本发明的进一步说明,而不是对本发明的限制。
实施例1:
以从广西河池采集的单座苣苔植株的叶片作为外植体,将叶片外植体用自来水清洗干净后,先以体积分数为75%酒精水溶液表面擦洗消毒10秒钟,无菌水洗脱2次,之后在质量体积百分比浓度为0.1%升汞溶液中浸泡8分钟,并以无菌水洗涤3次,最后将叶片切成0.6cm2大小,接种于诱导培养基上培养,培养条件为22~28℃,黑暗培养,40天后诱导出不定芽,然后转到光强为50μmol m-2 s-1、光照14小时/天的条件下继续培养20天;然后将此不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖,培养条件为22~28℃,光强为50μmol m-2 s-1,光照14小时/天,一个月为一个继代周期,每个继代周期增殖4.6倍。将增殖的不定芽转入生根培养基中培养,培养条件为22~28℃,光强为50μmol m-2 s-1,光照14小时/天,使其生根,一个月后长成试管苗。将该试管苗移植到含有蛭石和沙石按体积比为1∶1的基质的沙盆中,置于湿润、遮荫的环境下培养,室外温度介于20~25℃,经浇水,施肥,每星期施用1‰的复合肥(N∶P∶K为1∶1∶1)一次,以满足试管苗生长所需的水分和营养需要,经常规培养,一个月后试管苗长到4~5cm高,成活率高达90%,此时将此试管苗作为栽培苗栽到以火灰作为基质的盆中培养。
所述的诱导培养基为每升培养基中含有N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲(TDZ) 0.2mg,其余成份为MS;所述的繁殖培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤0.2mg、α-萘乙酸(NAA)0.5mg,其余成份为MS;所述的生根培养基为每升培养基中含有活性炭1g和吲哚-3-丁酸(IBA)0.05mg,其余成份为1/2MS。
实施例2:
以从广西河池采集的单座苣苔植株的叶片作为外植体,将叶片外植体用自来水清洗干净后,先以体积分数为75%酒精水溶液表面擦洗消毒10秒钟,无菌水洗脱2次,之后在质量体积百分比浓度为0.1%升汞溶液中浸泡8分钟,并以无菌水洗涤3次,最后将叶片切成0.6cm2大小,接种于诱导培养基上培养,培养条件为22~28℃,光强为20μmol m-2 s-1、光照14小时/天,40天后诱导出不定芽,然后转到光强为80μmol m-2 s-1、光照14小时/天的条件下继续培养10天;然后将此不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖,培养条件为22~28℃,光强为80μmol m-2 s-1,光照14小时/天,一个月为一个继代周期,每个继代周期增殖4.6倍。将增殖的不定芽转入生根培养基中培养,培养条件为22~28℃,光强为80μmol m-2 s-1,光照14小时/天,使其生根,一个月后长成试管苗。将该试管苗移植到含有火灰和细沙按体积比为1∶1的基质的沙盆中,置于湿润、遮荫的环境下培养,室外温度介于20~25℃,经浇水,施肥,每星期施用1‰的复合肥(N∶P∶K为1∶1∶1)一次,以满足试管苗生长所需的水分和营养需要,经常规培养,一个月后试管苗长到4~5cm高,成活率高达91%,此时将此试管苗作为栽培苗栽到以火灰作为基质的盆中培养。
所述的诱导培养基为每升培养基中含有N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲(TDZ)2mg,其余成份为MS;所述的繁殖培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤2mg、α-萘乙酸(NAA)0.1mg,其余成份为MS;所述的生根培养基为每升培养基中含有活性炭1g和吲哚-3-丁酸(IBA)0.2mg,其余成份为1/2MS。
实施例3:
以从广西河池采集的单座苣苔植株的叶片作为外植体,将叶片外植体用自来水清洗干净后,先以体积分数为75%酒精水溶液表面擦洗消毒10秒钟,无菌水洗脱2次,之后在质量体积百分比浓度为0.1%升汞溶液中浸泡8分钟,并以无菌水洗涤3次,最后将叶片切成0.6cm2大小,接种于诱导培养基上培养,培养条件为22~28℃,光强为10μmol m-2 s-1、光照14小时/天,40天后诱导出不定芽,然后转到光强为60μmol m-2 s-1、光照14小时/天的条件下继续培养15天;然后将此不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖,培养条件为22~28℃,光强为60μmol m-2 s-1,光照14小时/天,一个月为一个继代周期,每个继代周期增殖4.6倍。将增殖的不定芽转入生根培养基中培养,培养条件为22~28℃,光强为60μmol m-2 s-1,光照14小时/天,使其生根,一个月后长成试管苗。将该试管苗移植到含有火灰和细沙按体积比为1∶1的基质的沙盆中,置于湿润、遮荫的环境下培养,室外温度介于20~25℃,经浇水,施肥,每星期施用1‰的复合肥(N∶P∶K为1∶1∶1)一次,以满足试管苗生长所需的水分和营养需要,经常规培养,一个月后试管苗长到4~5cm高,成活率高达94%,此时将此试管苗作为栽培苗栽到以火灰作为基质的盆中培养。
所述的诱导培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤(BAP)0.2mg,其余成份为MS;所述的繁殖培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤0.8mg、α-萘乙酸(NAA)0.3mg,其余成份为MS;所述的生根培养基为每升培养基中含有活性炭1g和α-萘乙酸(NAA)0.05mg,其余成份为1/2MS。
实施例4:
以从广西河池采集的单座苣苔植株的叶片作为外植体,将叶片外植体用自来水清洗干净后,先以体积分数为75%酒精水溶液表面擦洗消毒10秒钟,无菌水洗脱2次,之后在质量体积百分比浓度为0.1%升汞溶液中浸泡8分钟,并以无菌水洗涤3次,最后将叶片切成0.6cm2大小,接种于诱导培养基上培养,培养条件为22~28℃,黑暗条件下,40天后诱导出不定芽,然后转到光强为70μmol m-2 s-1、光照14小时/天的条件下继续培养17天;然后将此不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖,培养条件为22~28℃,光强为70μmol m-2 s-1,光照14小时/天,一个月为一个继代周期,每个继代周期增殖4.6倍。将增殖的不定芽转入生根培养基中培养,培养条件为22~28℃,光强为70μmol m-2 s-1,光照14小时/天,使其生根,一个月后长成试管苗。将该试管苗移植到含有蛭石和沙石按体积比为1∶1的基质的沙盆中,置于湿润、遮荫的环境下培养,室外温度介于20~25℃,经浇水,施肥,每星期施用1‰的复合肥(N∶P∶K为1∶1∶1)一次,以满足试管苗生长所需的水分和营养需要,经常规培养,一个月后试管苗长到4~5cm高,成活率高达93%,此时将此试管苗作为栽培苗栽到以火灰作为基质的盆中培养。
所述的诱导培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤(BAP)2mg,其余成份为MS;所述的繁殖培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤1.5mg、α-萘乙酸(NAA)0.4mg,其余成份为MS;所述的生根培养基为每升培养基中含有活性炭1g和α-萘乙酸(NAA)0.2mg,其余成份为1/2MS。

Claims (3)

1.一种单座苣苔(Metabriggsia ovalifolia W.T.Wang)的组织培养繁殖方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)不定芽的诱导:选择单座苣苔的叶片作为外植体,将叶片灭菌消毒后切块,接种于诱导培养基上培养,培养条件为:培养温度:22~28℃;光照条件:黑暗培养,或光强为20μmol m-2s-1以下,光照14小时/天;在此条件下培养,直至诱导出不定芽,然后转到光强为50~80μmol m-2s-1、光照14小时/天的条件下继续培养10~20天;
(2)继代增殖:将上一步骤获得的不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖,培养条件为22~28℃,光强为50-80μmolm-2s-1,光照14小时/天;
(3)生根培养:将增殖的不定芽转入生根培养基中培养,培养条件为22~28℃,光强为50-80μmol m-2s-1,光照14小时/天,使其生根,长成试管苗;
(4)试管苗的移栽:将试管苗移植到蛭石和沙石按体积比为1∶1或火灰和细沙按体积比为1∶1的基质中,置于湿润、遮荫的环境下培养,浇水,施肥以满足试管苗生长所需的水分和营养需要,经常规培养后获得栽培苗;
所述的诱导培养基为每升培养基中含有N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲0.2~2.0mg、其余成份为MS;或每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤0.2~2.0mg,其余成份为MS;所述的繁殖培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤0.2~2.0mg、α-萘乙酸0.1~0.5mg,其余成份为MS;
所述的生根培养基为每升培养基中含有活性炭1g、吲哚-3-丁酸0.05~0.2mg、其余成份为1/2MS,或每升培养基中含有活性炭1g、α-萘乙酸0.05~0.2mg、其余成份为1/2MS。
2.根据权利要求1所述的单座苣苔的组织培养繁殖方法,其特征在于,所述的将叶片灭菌消毒后切块是将叶片用自来水清洗干净,先以体积分数为75%酒精水溶液表面擦洗消毒10秒钟,无菌水洗脱2次,之后在质量体积百分比浓度为0.1%升汞溶液中浸泡8分钟,并以无菌水洗涤3次,最后将叶片切成0.6cm2大小。
3.根据权利要求1所述的单座苣苔的组织培养繁殖方法,其特征在于,所述步骤(4)的试管苗的移栽步骤,培养温度为20~25℃。
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