CN101942667B - 用于cmp后清洗的配方和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于CMP后清洗的配方和方法。本发明涉及一种清洗去除半导体制备工艺中的残渣的方法，包括将待清洗的表面与水性配方接触，该水性配方含有选自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸盐的聚合物、丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物的聚合物，以及具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵或与非炔属表面活性剂一起的氢氧化胆碱。本发明也涉及一种含有上述方法中描述的组分的CMP后清洗配方。

Description

用于CMP后清洗的配方和方法
相关专利申请的交叉引用
本专利申请要求于2009年7月7日提交的美国临时专利申请序号61/223,526的优先权。
背景技术
在涉及制备半导体装置的步骤中，在多个步骤中需要清洗以去除有机/无机残渣。半导体制造工艺中所需的提高残渣去除的清洗包括：CMP(化学机械抛光)后清洗、光致抗蚀剂灰分残渣去除、光致抗蚀剂去除、后段封装(例如探测前(pre-probe)晶片清洗、切割、研磨等)中的多种应用。
用于改善清洗的特别需要存在于铜互联的CMP后清洗中。半导体晶片包含铜互联，它将晶片上的有源装置相互连接形成功能芯片。所述铜互联由在电介质中首先形成沟槽形成。薄的金属阻挡层通常沉积在电介质层上以阻止铜扩散到电介质中。接着是铜沉积到沟槽中。在铜沉积之后，使用一种称作化学机械抛光(CMP)的方法对该晶片进行抛光。该方法导致过量的铜沉积物去除并将用于随后光刻法步骤的表面平面化。在CMP步骤之后，所述晶片表面包含大量缺陷，如果不从表面将其清洗掉，将导致有缺陷的芯片最终产品。CMP方法之后的典型缺陷是由于所述晶片表面与CMP浆液相互作用以及表面上不需要的金属的含量升高导致的表面上的无机颗粒、有机残渣、化学残渣、反应产物。在抛光步骤之后，将该晶片进行清洗，最常使用刷子刷洗法。在该方法中，在晶片上施予清洗化学品以清洗该晶片。在进行干燥处理之前，该晶片之后还用去离子(DI)水进行冲洗。
本申请的领域中的专利通常包括：
JP 11-181494、US6,440,856、US7497966 B2、US7427362 B2、US7163644 B2、PCT/US2007/061588、US 7396806、US 6730644、US7084097、US 2003/0129078和US 2005/0067164。
现有技术均没有能够预料使用本发明的特定聚合物和碱在本发明中显示的残渣去除能力方面的改善。发现本发明的配方对于去除上述CMP抛光方法留下的残渣非常有效。
发明内容
本发明涉及一种清洗去除半导体制备工艺中的残渣的方法，包括将待清洗的表面与水性配方接触，该水性配方含有选自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸盐(acrylamido-methyl-propane sulfonate)的共聚物、丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物的聚合物，表面活性剂以及选自具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵和当该表面活性剂为非炔属(non-acetylenic)表面活性剂时的氢氧化胆碱的氢氧化季铵。
本发明也涉及一种水性配方，其包括：
(a)聚合物，其选自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸盐的共聚物、丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物；
(b)氢氧化季铵，其选自具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵和没有炔属表面活性剂时的氢氧化胆碱，
能够清洗在选自CMP后清洗、光致抗蚀剂灰分残渣去除、光致抗蚀剂去除、后段封装、探测前晶片清洗、切割和研磨及光电基片清洗步骤之后的半导体基片。
在优选的实施方式中，本发明涉及一种CMP后清洗配方，其包括：
(a)草酸；
(b)仲烷磺酸表面活性剂；
(c)基于炔属的表面活性剂；
(d)具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵，以提供1.5～4的pH；
(e)丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物或其混合物；以及，
(f)水。
在替代的实施方式中，本发明涉及一种CMP后清洗配方，其包括：
(a)乙二胺四乙酸(EDTA)；
(b)仲烷磺酸表面活性剂；
(c)仲醇乙氧基化物表面活性剂；
(d)具有超过4个碳原子的氢氧化季铵，以提供7～12的pH；
(e)丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物或其混合物；以及，
(f)水。
在进一步替代的实施方式中，本发明涉及一种CMP后清洗配方，其包括：
(a)乙二胺四乙酸；
(b)仲烷磺酸表面活性剂；
(c)基于非炔属的表面活性剂；
(d)氢氧化胆碱；
(e)聚合物，其选自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸盐的聚合物、丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物；以及
(f)水。
具体实施方式
本发明涉及在清洗配方中包含含有磺酸基和丙烯酸基的共聚物的聚合物与最小分子大小的碱组合使用的用途。更具体地，这些共聚物通过作为一种单体的2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸单体与作为另一单体的丙烯酸的聚合形成。这些类型的聚合物经常称作AA-AMPS聚合物(丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物)。丙烯酸也可以用包括甲基丙烯酸、马来酸、苯乙烯、衣康酸、丙烯腈、乙酸乙烯基酯、N-乙烯基吡咯酮等的其它单体替换。所述聚合物向具有适当碱的CMP后配方中的添加导致清洗性能极大改善。清洗改善的机制仍在研究中。一种可能的机制可能是表面上的物理吸附，这将阻止去除的颗粒和其它残渣的再沉积。另一种可能的机制是对于残渣(有机物)强的亲和力，由此增加清洗过程中去除(lift-off)的驱动力。
优选的聚合物为2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸-丙烯酸共聚物。此共聚物可以以Thermphos USA Corp.，Anniston，Alabama*(AA-AMPS*)提供的商品名Dequest P9030(CAS：40623-75-4)购得，且已发现对于改善清洗性能特别有效。尽管这些聚合物通常以盐(Na或K)获得，用于如在电子工业中的关键性应用，但它们可以经使用适合的技术(例如离子交换)进行纯化，以去除金属离子并用非金属离子(例如H+)置换它们。
这些类型的聚合物或其混合物可以以0.01重量％～10重量％的浓度添加到所述清洗配方中。优选的浓度范围为0.1重量％～5重量％。所述配方可以在使用时通过添加溶剂(例如水)以1～10000的倍数进行稀释。或者，所述配方可以以稀释的形式提供用于直接使用，而无需在使用时稀释。
含有这些聚合物的化学品可以用于多种需要从表面去除残渣的清洗应用中。这些残渣的性质可以是无机的或有机的。在其中含有这些聚合物的配方可能有效的方法的例子包括：CMP后清洗，光致抗蚀剂灰分残渣去除，光致抗蚀剂去除以及后段封装(例如：探测前晶片清洗、切割、研磨等)中的多种应用以及用于光电应用的基片的清洗。碱提高pH：所述清洗溶液的pH可以为0.25～13。
本发明的重要方面是上述聚合物与特定分子大小的碱的组合以及与该配方的其它组分的相容性。所述碱调节pH到所需水平。当具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵与上述的聚合物组合使用时，本发明显示出意料不到的改善效果。具有超过4个碳原子的季铵碱的例子包括氢氧化四乙铵、氢氧化四丙铵、氢氧化四丁铵、氢氧化三甲基乙基铵和氢氧化二甲基二乙基铵。对于本发明的目的，术语氢氧化烷基季铵指所有键合到氢氧化铵的基团为烷基或氢。这排除醇类和其它非烷基或氢的基团。优选地，所述碱以足量添加以调节pH在0.25～13。
也可以以氢氧化胆碱的形式使用碱，只要使用非炔属醇表面活性剂。发现氢氧化胆碱在本发明的配方中与炔属二醇表面活性剂不相容。此不相容性在下面的实施例6中进行评价。当没有炔属二醇表面活性剂而使用氢氧化胆碱时，该氢氧化胆碱是可以接受的。
对于CMP后清洗配方，可以存在提升清洗性能的辅助组分。通常类型的添加剂包括以下。
有机酸或其混合物：有机酸可以从宽范围的酸中选择，包括但不限于：草酸、柠檬酸、马来酸、苹果酸、丙二酸、葡萄糖酸、戊二酸、抗坏血酸、甲酸、乙酸、乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、甘氨酸、丙氨酸、胱氨酸等。也可以使用这些酸的盐。同样可以使用酸/盐的混合物。有机酸起到改善痕量金属去除、去除有机残渣、pH调节或降低金属腐蚀的作用。酸性pH中优选的有机酸为草酸。碱性pH中优选的有机酸为乙二胺四乙酸。所述清洗化学品可以包含1ppm～30重量％的酸/盐。优选酸的浓度为10ppm～5重量％的范围。
表面活性剂：在清洗化学品中使用表面活性剂以改善待清洗的表面的润湿并帮助从该表面去除残渣，而不会在表面上再沉积。表面活性剂也可以减少表面上的水印，其是干燥过程中形成的缺陷并接着需要清除。可以使用任何类型的表面活性剂，阴离子型的/阳离子型的/非离子型的/两性离子型的或其组合。此表面活性剂的选择可以取决于多种标准，包括：润湿性、起泡性、去垢性、可清洗能力等。也可以使用表面活性剂的组合，其中一种表面活性剂用于增溶较低溶解性的疏水性表面活性剂分子。
在这些实施方式中，表面活性剂的浓度可以是1ppb～10000ppm或者优选为1ppm～5000ppm。表面活性剂的例子包括：硅酮表面活性剂、聚(环氧烷)表面活性剂和含氟化合物表面活性剂。用于工艺组合物中的适合的非离子型表面活性剂包括但不限于：辛基和壬基酚乙氧基化物，例如
Figure BSA00000186418300051
X-114、X-102、X-45、X-15，以及醇乙氧基化物，例如56(C16H33(OCH2CH2)10OH)(ICI)、
Figure BSA00000186418300053
58(C16H33(OCH2CH2)20OH)(ICI)。阴离子型表面活性剂可以包括直链烷基苯磺酸盐(LAS)、仲烷基苯磺酸盐、脂肪醇硫酸盐(FAS)、仲烷磺酸盐(SAS)，以及某些情况下也包括脂肪醇醚硫酸盐(FAES)。更进一步示例性的表面活性剂包括：炔二醇型表面活性剂、醇(伯醇或仲醇)乙氧基化物、胺乙氧基化物、葡萄糖苷、葡萄糖酰胺、聚乙二醇、聚(乙二醇-共-丙二醇)，或者参考文献Manufacturers Confectioners Publishing Co.ofGlen Rock，N.J出版的McCutcheon’s Emulsifiers and Detergents，NorthAmerican Edition for the Year 2000中提到的其它表面活性剂。所述表面活性剂可以1ppm～10重量％的浓度使用。
任选的螯合剂：由于螯合剂相对于另一种金属离子可以更好地选择一种金属离子，因此多种螯合剂或其盐可用于本文描述的组合物中。据信这些螯合剂可以结合基片表面上的金属离子污染物并将它们溶解到该组合物中。进一步地，在某些实施方式中，所述螯合剂应当能够将这些金属离子保留在组合物中并阻止该离子再次沉积在基片的表面上。适合的可以使用的螯合剂的例子包括但不限于：乙二胺四乙酸(EDTA)、N-羟乙基乙二胺三乙酸(NHEDTA)、次氮基三乙酸(NTA)、二亚乙基三胺五乙酸(DPTA)、乙醇二氨基乙酸酯、柠檬酸、葡萄糖酸、草酸、磷酸、酒石酸、甲基二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、亚乙基二膦酸、1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸、1-羟基亚丙基-1，1-二膦酸、乙基氨基二亚甲基膦酸、十二烷基氨基二亚甲基膦酸、次氮基三亚甲基膦酸、亚乙基二胺二亚甲基膦酸、亚乙基二胺四亚甲基膦酸、己二胺四亚甲基膦酸、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸和1，2-丙烷二胺四亚甲基膦酸或铵盐、有机胺盐、丙二酸、琥珀酸、二巯基琥珀酸、戊二酸、马来酸、苯二甲酸、富马酸、聚羧酸(例如丙三羧酸(tricarbaryl acid)、丙-1，1，2，3-四羧酸、丁-1，2，3，4-四羧酸、1，2，4，5-苯四酸)、羟基羧酸(例如羟基乙酸、β-羟基丙酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、丙酮酸、二甘醇酸、水杨酸、没食子酸)、多酚类(例如儿茶酚、连苯三酚)、磷酸类(例如焦磷酸、聚磷酸)、杂环化合物(例如8-羟基喹啉)以及二酮类(例如α-联吡啶乙酰丙酮)。
任选的分散剂和聚合物。
任选的有机溶剂。
任选的消泡化合物。
实施例1
制备下面的配方：
表1
编号   草酸(％)   Hostapur SAS(％)   AA-AMPS*(％)   用于pH调节的碱 pH   残渣缺陷计数
  A   3   0.75   0   氢氧化胆碱   2.5   12562
  B   3   0.75   1.05   氢氧化胆碱   2.5   82
  C   3   0.75   0   氢氧化四乙基铵   2.5   25389
  D   3   0.75   1.05   氢氧化四乙基铵   2.5   137
  E   3   0.75   0   氢氧化四丙基铵   2.5   16173
  F   3   0.75   1.05   氢氧化四丙基铵   2.5   155
  G   3   0.75   0   氢氧化四甲基铵   2.5   1650
  H   3   0.75   1.05   氢氧化四甲基铵   2.5   397
  I   3   0.75   0   氢氧化钾   2.5   102
  J   3   0.75   1.05   氢氧化钾   2.5   78
  K   3   0.75   0   NH4OH   2.5   6452
  L   3   0.75   1.05   NH4OH   2.5   378
配制这些配方，以显示在用不同的碱制备的配方中AA-AMPS*(*Dequest P9030)聚合物的效果。将这些配方以1∶50比率用DI水稀释用于清洗测试。
毯式铜晶片(blanket copper wafer)在IPEC 472 CMP工具上以两步法进行抛光：(1)在抛光机的压板1上，使用来自DuPont Air ProductsNanomaterials，LLC，Tempe，Arizona的Cu3900 CMP浆液抛光1分钟，(2)在抛光机的压板2上，使用来自DuPont Air Products Nanomaterials，LLC，Tempe，Arizona的DP6545-MO5阻挡层浆液抛光1分钟。将所述晶片在Ontrak DSS200晶片刷洗工具上清洗。在此研究中，晶片在第一刷盒中经历20秒的化学施予和30秒的DI水冲洗。在第二刷盒中，所述晶片经历额外的5秒的化学施予和45秒的DI水冲洗。
所述AA-AMPS*配方A-F用它们的结构中具有超过4个碳原子的氢氧化季铵配制。随着AA-AMPS*聚合物的添加，它们显示出缺陷方面最大的改善。
使用其它的碱，例如氢氧化四甲基铵和氢氧化铵，利用AA-AMPS*聚合物的添加，缺陷的改善较小；且此时，甚至随着AA-AMPS*的添加，缺陷相对高。
虽然含有氢氧化钾的配方提供低的残渣效果，然而氢氧化钾在半导体制备工艺中不是所希望的，因为残留的钾离子对于介电性能可能有不利的影响。
实施例2
制备下面的配方以评价不同类型的表面活性剂中的含有AA-AMPS*的配方。这些配方使用氢氧化四乙基铵碱来制备以达到pH为2.5。
表2
编号   草酸(％)   表面活性剂浓度(％) 使用的表面活性剂   AA-AMPS*(％) pH   残渣缺陷计数
  M   3   0.75   无   1.05   2.5   78
N 3 0.75   Calfax DBA-70(阴离子型表面活性剂) 1.05 2.5 53
O 3 0.75   Tergitol 15-S-7(非离子型表面活性剂) 1.05 2.5 34
P 3 0.75   Tomah Q-18-15(阳离子型表面活性剂) 1.05 2.5 43
将这些配方以1∶50比率用DI水稀释用于清洗测试。毯式铜晶片在IPEC 472 CMP抛光工具上以两步法进行抛光：(1)在抛光机的第一压板上使用Cu3900 CMP抛光浆液抛光1分钟；和(2)在抛光机的第二压板上使用CMP6545 CMP抛光阻挡层浆液抛光1分钟。将所述晶片在OntrakDSS200晶片刷洗器上清洗。在此研究中，晶片在第一刷盒中经历20秒的化学施予和30秒的DI水冲洗。在第二刷盒中，所述晶片经历额外的5秒的化学施予和45秒的DI水冲洗。所述晶片使用Orbot Duo 736晶片检查工具进行检查。每个晶片随机观察100个缺陷。将在50个缺陷图像中发现的残渣缺陷的数目归一化成所述晶片上发现的全部缺陷的数目，示于表2中。
结果显示，使用宽范围的表面活性剂，以及不使用表面活性剂时，得到了优异的低缺陷率。
实施例3
制备下面的配方进行评价pH对清洗性能的影响。采用氢氧化四乙基铵进行pH的调节。
表3
  编号   草酸(％)   Hostapur SAS(％)   AA-AMPS*(％)   pH   残渣缺陷计数
  Q   3   0.75   1.05   2   53
  R   3   0.75   1.05   3   41
  S   3   0.75   1.05   4   96
  T   3   0.75   1.05   9   44
抛光、清洗和分析铜晶片的方法与实施例2相同。结果显示在宽的pH范围内非常低的缺陷率。
实施例4
使用不同的酸制备下面的配方。氢氧化四乙基铵用于调节pH。选择柠檬酸作为羟基羧酸的例子，选择乙二胺四乙酸(EDTA)作为氨基羧酸的例子。
表4
  编号   柠檬酸(％)   EDTA(％)   Hostapur SAS(％)   Tergitol15-S-7(％)   AA-AMPS*(％) pH   残渣缺陷计数
  U   3   0.75   1.05   2.5   56
  V   2.5   1   0.5   1.4   10.5   23
抛光、清洗和分析铜晶片的方法与实施例2相同。表4的结果显示对于多种有机酸，非常低的缺陷率是可能的。
实施例5
使用氢氧化四乙基铵作为pH调节剂制备下面的配方(C-E)。将这些配方以1∶25比率用DI水稀释用于清洗测试。毯式铜晶片在IPEC 472抛光工具上以两步法进行抛光：(1)在抛光机的第一压板上使用Cu3900 CMP抛光浆液抛光1分钟；和(2)在抛光机的第二压板上使用DP6545-MO5CMP抛光阻挡层浆液抛光1分钟。将所述晶片在Ontrak DSS200晶片刷洗器上清洗。在此研究中，晶片在第一刷盒中经历20秒的化学施予和30秒的DI水冲洗。在第二刷盒中，所述晶片经历额外的5秒的化学施予和45秒的DI水冲洗。所述晶片使用Orbot Duo 736晶片检查工具进行检查。每个晶片随机观察100个缺陷。将在100个缺陷图像中发现的残渣缺陷的数目归一化成所述晶片上发现的全部缺陷的数目，示于表5中。
表5
  编号   草酸(％)   Hostapur SAS(％)  Dynol 604(％)   AA-AMPS*(％)   氢氧化四乙基铵(％)   残渣缺陷计数
  W   2   0.5  0.25   0.175   3.32   121
  X   2   0.5  0.25   0.2625   3.34   64
  Y   2   0.5  0.25   0.35   3.39   57
  Z   2   0.5  0.25   0.4375   3.46   34
  AA   2   0.5  0.25   0.525   3.51   46
  BB   2   0.5  0.25   0.7   3.57   18
  CC   2   0.5  0.25   0.875   3.59   21
清楚地显示，增大AA-AMPS*(*Dequest P9030)的浓度导致残渣去除的改善。
实施例6
将作为碱的氢氧化胆碱在特定情况下用于配制具有AA-AMPS*(*Dequest P9030)的CMP后配方。虽然当与AA-AMPS*或类似丙烯酸/磺酸聚合物组合使用时氢氧化胆碱为有效的碱，但是已发现氢氧化胆碱与炔属二醇表面活性剂(例如Dynol 604)不相容。当将炔属二醇表面活性剂添加到下述的配方中时，溶液变得浑浊，表明有沉淀，并且浑浊持久且不澄清。伴随反应与沉淀的形成的不稳定性和浑浊从商用配方和贮存期限考虑是不可接受的。参见下表6中的结果。
表6
  编号   草酸(％)   仲烷磺酸表面活性剂(％)  Dynol 604(％)   AA-AMPS*(％) 碱(％)   沉淀物
  DD   2   0.59  0.25   0.17   氢氧化胆碱(2.65％)   有

Claims (33)

1.一种清洗去除半导体制备工艺中的残渣的方法，包括将待清洗的表面与水性配方接触，所述水性配方含有选自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸盐的聚合物、丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物的聚合物，以及选自具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵和没有炔属表面活性剂时的氢氧化胆碱的氢氧化季铵。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体制备工艺选自CMP后清洗、光致抗蚀剂灰分残渣去除、光致抗蚀剂去除、后段封装、探测前晶片清洗、切割和研磨及光电基片清洗。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面包括电介质基片上的铜图案。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物以1ppb～10重量％的浓度存在。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物以0.1ppm～5重量％的浓度存在。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述配方还包括有机酸和/或其盐。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述有机酸选自草酸、柠檬酸、马来酸、苹果酸、丙二酸、葡萄糖酸、戊二酸、抗坏血酸、甲酸、乙酸、乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、甘氨酸、丙氨酸、胱氨酸及其混合物。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵具有少于16个碳原子。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述配方还包括表面活性剂，其中，所述表面活性剂选自炔属二醇表面活性剂、硅酮表面活性剂、聚(环氧烷)表面活性剂、含氟化合物表面活性剂、醇、乙氧基化物、胺乙氧基化物、葡萄糖苷、葡萄糖酰胺、聚(乙二醇-共-丙二醇)、直链烷基苯磺酸盐(LAS)、仲烷基苯磺酸盐、脂肪醇硫酸盐(FAS)、仲烷磺酸盐(SAS)以及脂肪醇醚硫酸盐(FAES)及其混合物。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述聚(环氧烷)表面活性剂为聚乙二醇。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述乙氧基化物选自辛基和壬基酚乙氧基化物、醇乙氧基化物。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述醇乙氧基化物选自C16H33(OCH2CH2)10OH(ICI)和C16H33(OCH2CH2)200H。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述配方还包括螯合剂。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述螯合剂选自乙二胺四乙酸(EDTA)、N-羟乙基乙二胺三乙酸(NHEDTA)、次氮基三乙酸(NTA)、二亚乙基三胺五乙酸(DPTA)、乙醇二氨基乙酸酯、柠檬酸、葡萄糖酸、草酸、磷酸、酒石酸、甲基二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、亚乙基二膦酸、1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸、1-羟基亚丙基-1，1-二膦酸、乙基氨基二亚甲基膦酸、十二烷基氨基二亚甲基膦酸、次氮基三亚甲基膦酸、亚乙基二胺二亚甲基膦酸、亚乙基二胺四亚甲基膦酸、己二胺四亚甲基膦酸、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸和1，2-丙烷二胺四亚甲基膦酸、丙二酸、琥珀酸、二巯基琥珀酸、戊二酸、马来酸、苯二甲酸、富马酸、聚羧酸、丙三羧酸、丙-1，1，2，3-四羧酸、丁-1，2，3，4-四羧酸、1，2，4，5-苯四酸、羟基羧酸、羟基乙酸、β-羟基丙酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、丙酮酸、二甘醇酸、水杨酸、没食子酸、多酚类、儿茶酚、连苯三酚、磷酸类、焦磷酸、聚磷酸、杂环化合物、8-羟基喹啉、二酮类、α-联吡啶乙酰丙酮、它们的盐及其混合物。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氢氧化烷基季铵选自氢氧化四乙铵、氢氧化四丙铵、氢氧化四丁铵、氢氧化二甲基二乙基铵、氢氧化三甲基乙基铵及其混合物。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述配方还包括选自分散剂、有机溶剂、消泡剂及其混合物的试剂。
17.一种水性清洗配方，包括：
(a)聚合物，其选自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸盐的共聚物、丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物；和
(b)氢氧化季铵，其选自：具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵和没有炔属表面活性剂时的氢氧化胆碱。
18.根据权利要求17所述的配方，其中，所述聚合物以1ppb～10重量％的浓度存在。
19.根据权利要求17所述的配方，其中，所述聚合物以0.1ppm～1000ppm的浓度存在。
20.根据权利要求17所述的配方，包括有机酸和/或其盐。
21.根据权利要求20所述的配方，其中，所述有机酸选自草酸、柠檬酸、马来酸、苹果酸、丙二酸、葡萄糖酸、戊二酸、抗坏血酸、甲酸、乙酸、乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、甘氨酸、丙氨酸、胱氨酸及其混合物。
22.根据权利要求17所述的配方，其中，在它们的分子结构中具有超过4个碳原子的氢氧化季铵在它们的分子结构中具有少于16个碳原子。
23.根据权利要求17所述的配方，包括表面活性剂，其中，所述表面活性剂选自炔属二醇表面活性剂、硅酮表面活性剂、聚(环氧烷)表面活性剂、含氟化合物表面活性剂、醇、乙氧基化物、胺乙氧基化物、葡萄糖苷、葡萄糖酰胺、聚(乙二醇-共-丙二醇)、直链烷基苯磺酸盐(LAS)、仲烷基苯磺酸盐、脂肪醇硫酸盐(FAS)、仲烷磺酸盐(SAS)、脂肪醇醚硫酸盐(FAES)及其混合物。
24.根据权利要求23所述的配方，其中，所述聚(环氧烷)表面活性剂为聚乙二醇。
25.根据权利要求23所述的配方，其中，所述乙氧基化物选自辛基和壬基酚乙氧基化物、醇乙氧基化物。
26.根据权利要求25所述的配方，其中，所述醇乙氧基化物选自C16H33(OCH2CH2)10OH(ICI)和C16H33(OCH2CH2)20OH。
27.根据权利要求17所述的配方，包括螯合剂。
28.根据权利要求27所述的配方，其中，所述螯合剂选自乙二胺四乙酸(EDTA)、N-羟乙基乙二胺三乙酸(NHEDTA)、次氮基三乙酸(NTA)、二亚乙基三胺五乙酸(DPTA)、乙醇二氨基乙酸酯、柠檬酸、葡萄糖酸、草酸、磷酸、酒石酸、甲基二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、亚乙基二膦酸、1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸、1-羟基亚丙基-1，1-二膦酸、乙基氨基二亚甲基膦酸、十二烷基氨基二亚甲基膦酸、次氮基三亚甲基膦酸、亚乙基二胺二亚甲基膦酸、亚乙基二胺四亚甲基膦酸、己二胺四亚甲基膦酸、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸和1，2-丙烷二胺四亚甲基膦酸、丙二酸、琥珀酸、二巯基琥珀酸、戊二酸、马来酸、苯二甲酸、富马酸、聚羧酸、丙三羧酸、丙-1，1，2，3-四羧酸、丁-1，2，3，4-四羧酸、1，2，4，5-苯四酸、羟基羧酸、羟基乙酸、β-羟基丙酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、丙酮酸、二甘醇酸、水杨酸、没食子酸、多酚类、儿荼酚、连苯三酚、磷酸类、焦磷酸、聚磷酸、杂环化合物、8-羟基喹啉、二酮类、α-联吡啶乙酰丙酮、它们的盐及其混合物。
29.根据权利要求17所述的配方，其中，所述氢氧化烷基季铵选自氢氧化四乙铵、氢氧化四丙铵、氢氧化四丁铵、氢氧化二甲基二乙基铵、氢氧化三甲基乙基铵及其混合物。
30.一种CMP后清洗配方，包括：
(a)草酸；
(b)仲烷磺酸；
(c)基于炔属的表面活性剂；
(d)具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵；
(e)聚合物，其选自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸盐的聚合物、丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物；以及，
(f)水。
31.根据权利要求30所述的配方，包括：1重量％-6重量％草酸、0.1重量％-2重量％仲烷磺酸盐、0.05重量％-1.5重量％基于炔属的表面活性剂、0.1重量％-3重量％丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物、调节pH为1-7的具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵、余量的水。
32.根据权利要求30所述的配方，在使用时，用水在1∶0～1∶10000的范围进行稀释。
33.一种CMP后清洗配方，包括：
(a)乙二胺四乙酸；
(b)仲烷磺酸表面活性剂；
(c)基于非炔属的表面活性剂；
(d)氢氧化胆碱；
(e)聚合物，其选自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸盐聚合物、丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物；以及
(f)水。
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