CN101918888A - 显示装置、其制造方法及溅射靶 - Google Patents

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Abstract

本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。

Description

显示装置、其制造方法及溅射靶
技术领域
本发明涉及一种具备改良的薄膜晶体管基板且用于液晶显示器、半导体装置、光学零件等的显示装置，特别是涉及一种包含Al合金薄膜作为配线材料的新型显示装置及溅射靶。
背景技术
液晶显示器(LCD：Liquid Crystal Display)以中小型用于手机的显示器及移动终端、PC监视器，而且，近年来正逐渐大型化，也用于超过30英寸的大型TV。液晶显示器根据像素的驱动方法分为单纯矩阵型和有源矩阵型，由阵列基板或对向基板、注入其间的液晶层、以及滤色器或偏振板等树脂膜、背光灯等构成。上述阵列基板运用在半导体上培养的微细加工技术，形成开关元件(TFT：Thin Film Transistor)及像素、以及用于向该像素传递电信号的扫描线和信号线。另外，由于具有薄膜晶体管作为开关元件的有源矩阵型液晶显示装置可以实现高精度的画质而被广泛使用。
图1是表示用于有源矩阵型的液晶显示装置的代表性液晶面板的构造的示意剖面放大说明图。图1所示的液晶面板具备：TFT矩阵基板1、与该TFT基板对向配置的对置基板2、及配置在这些TFT基板1和对置基板2之间且作为光调制层起作用的液晶层3。TFT阵列基板1由配置在绝缘性的玻璃基板1a上的薄膜晶体管(TFT)4及配置在与配线部6对向的位置的遮光膜9构成。
另外，在构成TFT基板1及对置基板2的绝缘性基板的外面侧配置偏振片10，同时，在对置基板2上设置用于使包含于液晶层3的液晶分子沿规定的方向定向的定向膜11。
在这样的构造的液晶面板中，利用形成于对置基板2和氧化物导电膜5(透明导电膜或透明像素电极)之间的电场，控制液晶层3中的液晶分子的定向方向，调制通过TFT阵列基板1和对置基板2之间的液晶层3的光，由此，控制透过对置基板2的光的透過，从而显示画像。
另外，TFT阵列利用拉出到TFT阵列外部的TAB载带12，由驱动电路13及控制电路14驱动。另外，图1中，15表示隔离物，16表示密封材料，17表示保护膜，18表示扩散膜，19表示棱镜片，20表示导光板，21表示反射板，22表示背光灯，23表示保持架，24表示印刷基板。
图2是例示用于如上所述的显示装置用阵列基板的薄膜晶体管(TFT)的构成的截面示意说明图。如图2所示，在玻璃基板1a上通过Al合金薄膜形成扫描线25，该扫描线25的一部分作为控制薄膜晶体管的导通截止的栅电极26起作用。另外，介由栅极绝缘膜27以与扫描线25相交的方式通过铝薄膜形成信号线，该信号线的一部分作为TFT的源电极28起作用。另外，该类型一般称为底栅(bottom gate)型。
在栅极绝缘膜27上的像素区域配置例如由在In2O3中含有SnO的ITO膜形成的氧化物导电膜5。由Al合金膜形成的薄膜晶体管的漏电极29与氧化物导电膜5直接接触而电连接。
在如上所述的构成的TFT基板1a上介由扫描线25向栅电极26供给栅极电压时，薄膜晶体管为导通状态，预先供给到信号线的驱动电压从源电极28介由漏电极29向氧化物导电膜5供给。向氧化物导电膜5供给规定水平的驱动电压时，在与对置的共通电极之间向液晶元件施加驱动电压，液晶进行动作。另外，在图1所示的构成中，显示了源-漏电极和氧化物导电膜5直接接触的状态，但栅电极有时也采用在端子部与氧化物导电膜5接触而电连接的构成。
扫描线及信号线中使用的配线材料目前通常使用纯Al及Al合金、或高熔点金属。其理由是，作为配线材料，要求低电阻率、耐腐蚀性、耐热性等。
对于大型液晶显示器，配线长度变长，随之，配线电阻和配线容量变大，因此，表示应答速度的时间常数变大，有显示质量降低的倾向。另一方面，加宽配线宽度时，像素的开口率及配线容量增加，或加厚配线膜厚时，材料成本增加，产生成品率降低等问题，因此，优选配线材料的电阻率低。
另外，在制作液晶显示器的工序中，重复进行配线的微细加工及清洗，并且在使用时，要求长时间的显示质量的可靠性，因此，必须具有高的耐腐蚀性。
进而，作为别的问题，由于配线材料在液晶显示器的制造工序中受热，因此，要求耐热性。阵列基板的构造由薄膜的层叠构造构成，形成配线后，通过CVD或热处理施加350℃左右的热。例如，Al的熔点为660℃，但由于玻璃基板和金属的热膨胀率不同，因此，受热时，在金属薄膜(配线材料)和玻璃基板之间产生应力，该应力成为驱动力，导致金属元素扩散，产生小丘(hillock)或空隙(void)等塑性变形。产生小丘或空隙时，成品率降低，因此，要求配线材料在350℃下不发生塑性变形。
另外，如上所述，在TFT基板中，栅极配线及源极-漏极配线等的配线材料由于电阻小、且微细加工容易等，因此广泛使用纯Al或Al-Nd等Al合金(以下，有时将它们统称为Al系合金)。在Al系合金配线和透明像素电极之间通常设置由Mo、Cr、Ti、W等高熔点金属构成的阻挡金属层。由此，介由阻挡金属层连接Al系合金配线的理由是，将Al系合金配线与透明像素电极直接连接时，连接电阻(接触电阻)上升，画面的显示质量降低。即，构成与透明像素电极直接连接的配线的Al非常容易氧化，利用在液晶显示器的成膜过程中产生的氧或成膜时添加的氧等，Al系合金配线和透明像素电极的界面生成Al氧化物的绝缘层。另外，构成透明像素电极的ITO等透明导电膜为导电性的金属氧化物，但利用如上操作生成的Al氧化物层，不能进行电的欧姆连接。
但是，为了形成阻挡金属层，在栅电极及源电极、以及漏电极的形成所需要的成膜用溅射装置的基础上，必须额外地配备阻挡金属形成用的成膜室。伴随着液晶显示器的大量生产，正在低成本化，不能忽视伴随阻挡金属层的形成的制造成本的上升及生产性的降低。
因此，提案有可以省略阻挡金属层的形成、可以使Al系合金配线与透明像素电极直接连接的电极材料及制造方法。
目前，我们提案有使用新型A1合金配线材料和配线膜形成技术，可以使Al合金膜与像素电极直接接触，将纯Al等使用的层叠配线构造单层化省略阻挡金属层的技术(以下有时称为直接接触)(参照专利文献1、专利文献2)。
例如本申请的申请人在专利文献1中公开了一种技术，其中，将不是纯粹的Al、而是Al-Ni系合金代表的多元系Al合金膜用于配线，省略阻挡金属层而使上述Al合金膜和氧化物导电膜(透明像素电极)直接接触。在专利文献1的技术中，通过在Al合金膜中含有Ni等，可以降低Al合金膜和氧化物导电膜之间的接触电阻。
但是，上述专利文献2不仅实现了直接接触，而且即使在较低的加工温度下实施也可以成功地提供Al合金膜自身的电阻率低和兼具耐热性的薄膜晶体管基板，在各实施方式中，发现可以同时改良对碱性显影液的耐腐蚀性、对显影后的碱清洗的耐腐蚀性等。专利文献2的发明基础是，作为添加在Al中的元素，选择α组的元素及X组的元素，为由Al-α-X构成的Al合金组成。α组的元素使用选自Ni、Ag、Zn、Cu、Ge中的至少1种，X组的元素使用选自Mg、Cr、Mn、Ru、Rh、Pd、Ir、La、Ce、Pr、Gd、Tb、Eu、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Dy中的至少1种，本申请发明可以定位为成功地对该专利文献2的发明进行了进一步的发展。
另外，专利文献1中，作为合金成分，公开了含有0.1～6原子％选自Au、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Ge、Sm、及Bi中的至少一种的Al合金。Al系合金配线使用由该Al合金构成的合金配线时，这些合金成分的至少一部分在该Al系合金配线与透明像素电极的界面以金属间化合物或浓化层的形式存在，因此，即使省略阻挡金属层，也可以降低与透明像素电极的接触电阻。
但是，专利文献1中记载的包含Ni等的Al合金的耐热温度均大致为150～200℃，均比显示装置(特别是TFT基板)的制造工序中的最高温度低。
另外，近年来，从成品率的改善及生产性提高的观点考虑，显示装置的制造温度越来越倾向于低温化。但是，即使使制造工序的最高温度(氮化硅膜的成膜温度)降至300℃，也超过专利文献1中记载的Al合金的耐热温度。
另一方面，制造工序中的最高温度(在本发明中称为“热处理温度”。)降低时，存在Al系合金配线的电阻不充分降低这样的不良情况。因此，本申请的申请人公开了在专利文献2中，不仅显示良好的耐热性、而且即使为低的热处理温度也显示足够低的电阻的Al合金。
将上述Al合金膜用于薄膜晶体管基板时，可以省略阻挡金属层，同时，可以不增加工序数地使由Al合金膜和导电性氧化膜构成的透明像素电极直接且可靠地接触。另外，对于Al合金膜，例如，即使使用约100℃以上300℃以下的低热处理温度，也可以实现电阻的降低和优异的耐热性。具体而言，例如记载有，即使采用250℃下30分钟这样的低温的热处理，也可以不生成小丘等缺陷地使该Al合金膜的电阻率为7μΩ·cm以下。
专利文献1：日本特开2004-214606号公报
专利文献2：日本特开2006-261636号公报
发明内容
通过在Al合金中添加元素，可以赋予纯Al没有的各种功能，但另一方面，添加量多时，配线自身的电阻率增加。例如，直接接触性通过添加本申请说明书中规定的X1组的元素(Ni、Ag、Zn、Co)而得到优异的性能，但通过添加这些合金元素，表现出上述电阻率及耐腐蚀性恶化这样的不优选的倾向。
在大型TV用途中，使用纯Al的层叠配线构造，但考虑保持配线设计并将纯Al变更为任意的Al合金时，该Al合金配线(考虑以直接接触为前提以单层的形式使用)优选得到与配线构造的总电阻相比同等以上的电阻率。
另外，通过其它方式发现，通过添加La、Nd、Gd、Dy等可以改善耐热性，但由于与X1组的元素相比时，这些元素自身在Al基体中的析出温度高，因此，存在使电阻率进一步恶化的问题。另外，此时的电阻率的恶化依赖于添加量，因此，优选这些元素的添加量少。
在阵列基板的制造工序中，经过多个湿式工序，添加比Al贵的金属时，显现出电腐蚀的问题，耐腐蚀性变差。例如，在光刻工序中，使用包含TMAH(四甲基氢氧化铵)的碱性显影液，但为直接接触构造时，由于省略阻挡金属层而露出Al合金，因此容易受到因显影液引起的损害。
此外，在剥离光刻工序中形成的光致抗蚀剂(树脂)的清洗工序中，使用包含胺类的有机剥离液连续进行水洗。但是，由于胺和水混合时生成碱性溶液，因此，存在在短时间使Al腐蚀这样的其它问题。但是，Al合金在经过剥离清洗工序之前，经由CVD工序受热。该受热过程中，在Al基体中合金成分形成金属间化合物。但是，由于该金属间化合物和Al之间具有大的电位差，因此，在作为剥离液的胺与水接触的瞬间因上述电腐蚀而促进碱腐蚀，电化学上为碱金属的Al粒子化而溶出，形成凹坑状的孔蚀(以下有时记为黑点)。
该黑点在外观检查中有时被识别为缺陷，从耐腐蚀性的观点的考虑，要求尽可能避免。
在专利文献1、2的技术中，上述直接接触、即Al合金膜和透明像素电极的直接连接成为可能。另一方面，近年来，一直在对制造显示装置时的加工温度进行研究，从成品率的改善及生产性提高的观点考虑，加工温度倾向于低温化。加工温度低温化时，添加元素难以充分析出，另外，会导致金属间化合物的粒成长不充分，因此，产生了Al合金自身的电阻率及接触电阻变高等课题。上述金属间化合物给与透明像素电极的电连接带来好的影响，但要求在加工温度的低温化下也可以形成充分的金属间化合物的材料方面的改善。
本发明是着眼于这样的情况而进行的，其目的在于，提供一种具备铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在直接接触材料中，即使经过低温的热处理(300℃以下)后，也可以得到低电阻率和与透明导电膜的低的接触电阻，同时，通过控制添加元素和金属间化合物，改善了Al合金的耐腐蚀性和耐热性。
本发明的主旨如下。
(1)一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分析出并存在于所述Al合金膜的接触表面的显示装置，其中，
所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素X1、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素X2，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。
另外，有时也配合后述的元素X3，该情况下的X1-X2及Al-X1-X2是指有时包含X1-X2-X3及Al-X1-X2-X3。
另外，作为元素X2，如后面所述，可以举出Cu、Ge、Si、Mg、In、Sn、B等，例如，选择Ni作为元素X1、选择Cu作为元素X2时，在Al基体中形成Al-Ni-Cu金属间化合物，选择Ge作为元素X2时，在Al基体中形成Al-Ni-Ge金属间化合物。
另外，如上所述，欲进一步提高加工工序中的耐热性时，配合选自La、Nd、Gd、Dy等中的1种以上也相当于本发明的实施的例子。
(2)如(1)所述的显示装置，其中，最大直径150nm以上的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物的密度小于1个/100μm2。
(3)如(1)所述的显示装置，其中，通过300℃以下的热处理，所述元素X2的至少一部分在Al基体中析出。
(4)如(3)所述的显示装置，其中，通过150℃以上230℃以下的热处理，所述元素X2的至少一部分在Al基体中析出。
(5)如(4)所述的显示装置，其中，通过200℃以下的热处理，所述元素X2的至少一部分在Al基体中析出。
(6)如(1)所述的显示装置，其中，所述Al合金膜中以X1-X2和Al-X1-X2表示的金属间化合物的合计面积为全部金属间化合物的合计面积的50％以上。
(7)如(1)～(6)中任一项所述的显示装置，其中，所述Al合金膜中的所述元素X1为Ni、所述元素X2为Ge及Cu中的至少一种，通过300℃以下的热处理，形成有Al-Ni-Ge及Al-Ni-Cu中的至少一种金属间化合物。
(8)如(1)所述的显示装置，其中，所述Al合金膜的接触表面的算术平均粗糙度Ra为2.2nm以上20nm以下。
另外，本发明中的算术平均粗糙度Ra以JIS B0601：2001(2001修订的JIS规格)为基准。
(9)如(8)所述的显示装置，其中，所述Al合金膜含有合计0.05～2原子％的所述元素X1。
(10)如(9)所述的显示装置，其中，所述元素X2为Cu及Ge中的至少一种，所述Al合金膜含有合计0.1～2原子％的Cu及Ge中的至少一种。
(11)如(9)或(10)所述的显示装置，其中，所述Al合金膜进一步含有合计0.05～0.5原子％的至少1种稀土类元素。
(12)如(11)所述的显示装置，其中，所述稀土类元素选自La、Nd及Gd中的元素的至少1种。
(13)一种(8)所述的显示装置的制造方法，其中，在使所述Al合金膜与所述氧化物导电膜直接接触之前，使其与碱溶液接触，将Al合金膜表面的算术平均粗糙度Ra调整为2.2nm以上20nm以下。
(14)如(13)所述的制造方法，其中，所述碱溶液为包含氨或链烷醇胺类的水溶液。
(15)如(13)所述的制造方法，其中，所述算术平均粗糙度Ra的调整通过抗蚀膜的剥离工序来进行。
(16)如(1)所述的显示装置，其中，所述Al合金膜含有0.05～0.5原子％的Ni作为所述元素X1，含有0.4～1.5原子％的Ge作为所述元素X2，且还含有合计0.05～0.3原子％的选自稀土类元素组中的至少1种元素，同时，Ni及Ge的合计量为1.7原子％以下。
(17)如(16)所述的显示装置，其中，所述稀土类元素组由Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr、Dy构成。
(18)如(16)所述的显示装置，其中，还含有0.05～0.4原子％的Co作为所述X1元素，并且，Ni、Ge及Co的合计量为1.7原子％以下。
另外，本发明还包含一种显示装置，其特征在于，将上述Al合金膜用于薄膜晶体管。
(19)一种溅射靶，其含有0.05～0.5原子％的Ni、0.4～1.5原子％的Ge、及合计0.05～0.3原子％的选自稀土类元素组的至少1种元素，同时，Ni及Ge的合计量为1.7原子％以下，剩余部分为Al及不可避免的杂质。
(20)如(19)所述的溅射靶，其中，所述稀土类元素组由Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr、Dy构成。
(21)如(19)或(20)所述的溅射靶，其中，还含有0.05～0.4原子％的Co，并且，Ni、Ge及Co的合计量为1.7原子％以下。
根据本发明，可以提供一种具备铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在直接接触材料中即使经过低温的热处理(300℃以下)后也可以得到低电阻率和与透明导电膜的低接触电阻，同时，通过控制添加元素和金属间化合物改善了Al合金的耐腐蚀性和耐热性。
另外，通过在Al合金膜中含有元素X2，可以使金属间化合物(析出物)微细化、提高耐腐蚀性、防止凿槽腐蚀(crater corrosion)。另外，通过将Al合金膜表面的算术平均粗糙度Ra控制在适当范围，可以降低接触电阻。
另外，还可以提供一种显示装置用Al合金膜，其中，可以不经由阻挡金属层而将Al合金膜与透明像素电极(透明导电膜、氧化物导电膜)直接连接，并且，即使使用较低的热处理温度(例如250～300℃)也显示足够低的电阻、同时耐腐蚀性(碱性显影液耐受性、剥离液耐受性)优异、并且耐热性也优异。另外，上述热处理温度是指在显示装置的制造工序(例如TFT基板的制造工序)中成为最高温度的处理温度，在一般的显示装置的制造工序中，是指用于形成各种薄膜的CVD成膜时的基板的加热温度、或使保护膜热固化时的热处理炉的温度等。
另外，将本发明的Al合金膜用于显示装置时，可以省略上述阻挡金属层。因此，使用本发明的Al合金膜时，可以得到生产性优异、廉价且高性能的显示装置。
附图说明
图1是表示有源矩阵型的液晶显示装置中使用的代表性的液晶面板的构造的截面示意放大说明图。
图2是例示显示装置用阵列基板中使用的薄膜晶体管(TFT)的构成的截面示意说明图。
图3表示Al-0.2Ni-0.35La的TEM观察图像。
图4表示Al-1Ni-0.5Cu-0.3La的TEM观察图像。
图5表示Al-0.5Ni-0.5Ge-0.3La的TEM观察图像。
图6是表示使用非晶硅TFT基板的代表性的液晶显示器的构成的截面示意放大说明图。
图7是表示本发明的第1实施方式的TFT基板的构成的截面示意说明图。
图8是将图7所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图9是将图7所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图10是将图7所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图11是将图7所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图12是将图7所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图13是将图7所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图14是将图7所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图15是将图7所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图16表示本发明的第2实施方式的TFT基板的构成的截面示意说明图。
图17是将图16所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图18是将图16所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图19是将图16所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图20是将图16所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图21是将图16所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图22是将图16所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图23是将图16所示的TFT基板的制造工序的一例按顺序表示的说明图。
图24是表示被识别为黑点的尺寸和这时的金属间化合物尺寸的图。
图25是表示Al合金膜和透明像素电极的直接接触电阻的测定中使用的Kelvin图案(TEG图案)的图。
符号说明
1 TFT基板(TFT阵列基板)
2 对置基板
3 液晶层
4 薄膜晶体管(TFT)
5 透明像素电极(透明导电膜、氧化物导电膜)
6 配线部
7 共通电极
8 滤色器
9 遮光膜
10、10a、10b 偏振片
11 定向膜
12 TAB载带
13 驱动电路
14 控制电路
15 隔离物
16 密封材料
17 保护膜
18 扩散板
19 棱镜片
20 导光板
21 反射板
22 背光灯
23 保持架
24 印刷基板
25 扫描线
26 栅电极
27 栅极绝缘膜
28 源电极
29 漏电极
30 保护膜(氮化硅膜)
31 光致抗蚀剂
32 接触孔
33 非晶硅通道膜(活性半导体膜)
34 信号线
52、53 阻挡金属层
55 非掺杂氢化非晶硅膜(a-Si-H)
56 n+型氢化非晶硅膜(n+a-Si-H)
具体实施方式
在本发明中，从材料设计的观点出发，完成克服上述课题的技术。
首先，作为促进金属间化合物的形成的技术手段，作为即使经过低温热处理后也可以得到表现低电阻率和与透明导电膜的低接触电阻的元素，首先，第1个想到了上述X1组的元素。关于直接接触技术，根据本发明人等一直以来的研究，通过在Al合金膜中含有元素X1(Ni、Ag、Zn及Co)，并且，通过使包含该元素X1的金属间化合物在Al合金膜和氧化物导电膜的界面(即Al合金膜的接触表面)析出，可以降低接触电阻。
第2，在Al基体中，添加在比该X1元素更低的温度下(从升温程序这样的观点考虑时，从升温的初始阶段提早)析出的元素，使时间上先析出的元素X2组作为元素X1组的析出核起作用，在这样的思想下，研究X2组的元素。其结果，作为X2组的元素，想到了Cu、Ge、Si、Mg、In、Sn、B等，并且发现，通过在Al合金膜中含有X2组元素，可以将析出物(包含元素X1和X2的金属间化合物)微细化，可以有效防止凿槽腐蚀。
另外，作为析出物(金属间化合物)微细化的机制，首先，推测元素X2在低温下以微细的核的形式析出，并在其周围析出元素X1，形成微细的金属间化合物(X1-X2或Al-X1-X2)。然后推测，通过使成为腐蚀的起点的金属间化合物微细化而更小地分散，耐腐蚀性提高。另外，本发明并不限定于这些推测机制。
进而，在加工工序中，为了具备必要的防止小丘这样的耐热性，设想添加少量La、Nd、Gd、Dy(在本说明书中，有时记为X3组元素或仅记为X3元素)，进行实验。
元素X1是选自Ni、Ag、Zn及Co中的至少1种，优选为Ni。为了充分发挥降低接触电阻的效果，元素X1的合计量优选为0.05原子％以上、更优选为0.08原子％以上、进一步优选为0.1原子％以上、特别优选为0.2原子％以上。但是，元素X1的合计量过量时，析出物(金属间化合物)粗大化(参照后述的实施例)。因此，元素X1的合计量优选为2原子％以下、更优选为1.5原子％以下。
作为X2组选择的元素只要是可以形成含有X1的金属间化合物的元素，就没有特别限定，优选在升温程序中300℃以下、优选270℃以下、更优选250℃以下、进一步优选230℃以下、特别优选200℃以下的低温下开始析出的元素。元素X2优选为选自Cu、Ge、Si、Mg、In、Sn及B中的至少1种，更优选为Cu及/或Ge。为了充分发挥析出物(金属间化合物)的微细化效果，元素X2的合计量优选为0.1原子％以上、更优选为0.2原子％以上、进一步优选为0.5原子％以上。但是，元素X2的合计量过量时，上述金属间化合物粗大化。因此，元素X1的合计量优选为2原子％以下、更优选为1.5原子％以下。选择Cu作为X2组的元素时，例如在150～230℃的温度下在晶界形成10～30nm直径的Al-Cu或Al-Cu-X3的微细金属间化合物。另外，选择Ge的情况也同样，例如在150～230℃的温度下形成Ge-X3的微细金属间化合物。进一步升温，从200℃付近X1组的元素也开始析出，这时，含有X2组的元素的金属间化合物以核的形式加快析出。
不含有X2组的元素时(也可以含有X3组的元素)，例如Al-Ni-La，形成Al3Ni和Al4La(或者Al3La)等金属间化合物，Al3Ni的金属间化合物包含150～300nm直径的金属间化合物(图3：TEM观察图像)。但是，预先添加X2组的元素(例如Cu)时，X2组的元素在Al的再结晶加快之前微细分散于Al的晶界而高密度地形成金属间化合物。通过使该金属间化合物形成核，可以使例如20～100nm直径左右的Al-Ni-Cu或Al-Ni-Cu-La的微细金属间化合物均匀分散在膜中(图4：TEM观察图像)。添加X2元素组时，它们在低温下的析出较早进行并多数微细分散在Al基体中，因此，该微细分散的核分别聚集Ni等X1元素，逐渐成长为金属间化合物，因此，导致各个金属间化合物变小(数目变多)。
由此，由于金属间化合物在低温下均匀且高密度地分散而形成，因此，接触电阻稳定。因此，即使X1的添加量低，直接接触性也较稳定，因此，也可以实现低电阻化。
同样，由于X2元素为Ge时，也使Al-Ni-Ge或Al-Ni-Ge-La的微细金属间化合物快速分散而产生(图5：TEM观察图像)，因此，对直接接触性的稳定化有效。另外，以X1元素为Co、X2元素为Ge的组合实施本发明时，形成Al-Co-Ge或Al-Co-Ge-La的金属间化合物。选择Ag或Zn作为X1元素时也发现同样的现象。
为了提高Al合金膜的耐腐蚀性，形成最大直径150nm以下、优选140nm以下、更优选130nm以下的析出物(X1-X2或Al-X1-X2表示的金属间化合物)。另外，优选最大直径150nm以上的金属间化合物的密度小于1个/100μm2。这样的金属间化合物可以通过利用溅射等将含有适当量的元素X1及X2的Al合金膜成膜后，在300℃左右的温度下热处理30分左右而形成。上述金属间化合物的最大直径使用透射型电子显微镜(TEM、倍率15万倍)测定。另外，用截面TEM或反射SEM观察金属间化合物形态，将金属间化合物直径的长轴长度和短轴长度的平均值作为金属间化合物的最大直径。在后述的实施例中，合计测定3处1200μm×1600μm的测定视野，各测定视野中的金属间化合物最大直径的最大值满足150nm以下的设定为“合格”。
Al合金膜中的X1-X2及Al-X1-X2表示的金属间化合物的合计面积优选为全部金属间化合物的合计面积的50％以上。
为了提高耐热性、防止热处理等中形成小丘，Al合金膜也可以含有稀土类元素(优选La、Nd及Gd中的至少1种)。为了充分发挥耐热性提高效果，稀土类元素的合计量优选为0.05原子％以上、更优选为0.1原子％以上、进一步优选为0.2原子％以上。但是，稀土类元素的合计量过量时，Al合金膜自身的电阻增大。因此，稀土类元素的合计量优选为0.5原子％以下、更优选为0.4原子％以下。
另外，本发明人等研究的结果发现，通过在使Al合金膜与氧化物导电膜直接接触之前，使其与碱溶液接触，将其表面的算术平均粗糙度Ra调整为2.2nm以上(优选3nm以上、更优选5nm以上)、20nm以下(优选18nm以下、更优选15nm以下)，可以降低接触电阻。本发明的算术平均粗糙度Ra以JIS B0601：2001(2001修订的JIS规格)为基准，用于Ra评价的标准长度为0.08mm、评价长度为0.4mm。
将Al合金膜预先用碱溶液进行处理时，认为，(1)表面存在的氧化物被除去、及(2)Al合金成分的至少一部分露出于表面、与氧化物导电膜的接触面积增大，因此，可以降低接触电阻。
如下述实施例2-1所示，Al合金膜表面的Ra过小、过大都不能充分降低接触电阻。首先，Ra过小时接触电阻变高被认为是由于，存在于Al合金膜表面的金属间化合物表面的氧化覆膜的溶解不充分。另一方面，Ra过大时，认为，Al合金膜自身过度腐蚀，Al合金膜和氧化物导电膜的接触偏离正常范围，因此，接触电阻也增大。
本发明的优选的实施方式为：优选显示装置的栅电极、源电极及漏电极的任一个、更优选这些电极的全部由上述Al合金膜形成。
如上所述，本发明的显示装置的特征之一在于，将Ra调整在适当范围，本发明的显示装置的制造方法的特征在于，使Al合金膜与碱溶液接触将Ra调整在适当范围。为了将Ra控制在适当范围，例如如以下所说明，将Al合金膜在碱性水溶液中浸渍数十秒～数分钟左右即可。
具体而言，根据所使用的Al合金膜的组成或碱性水溶液的pH等，适当调整浸渍时间即可。这是由于，根据所使用的Al合金膜的组成的不同，金属间化合物尺寸及密度不同。例如，元素X1(代表性的为Ni等)的含量优选以约1原子％左右为边界改变碱溶液的pH，X1＜约1原子％时，优选与pH9.5以上的碱溶液接触，X1≥约1原子％时，优选与pH8.0以上的碱溶液接触。另外，如后述的实施例所示，也可以通过浸渍40秒左右将Ra控制在规定的范围内。在本发明的制造方法中，碱溶液优选为包含氨或链烷醇胺类(特是乙醇胺类)的水溶液。
在本发明的制造方法中，也可以在配线构图时的抗蚀膜的剥离工序将Ra调整在适当范围。即，在显示装置的构图时，在抗蚀膜的剥离工序(利用剥离液除去抗蚀膜及其后的水洗工序)中，Al合金膜与碱溶液接触，因此，在该工序中，与抗蚀剂剥离一同进行Ra的调整。
另外，本发明人等为了实现如下的Al合金膜进行了专心研究，所述Al合金膜即使在热处理温度低的情况下也可以使电阻足够低，同时，即使在省略阻挡金属层而与透明像素电极直接连接的情况下也可以使接触电阻充分降低，而且对显示装置的制造工序中使用的药液(碱性显影液、剥离液)的耐受性(耐腐蚀性)和耐热性也优异。其结果，以优选形成含有较少量的Ni和Ge及稀土类元素作为必要元素的Al合金膜的想法为基础发现了其具体的方法。以下，对本发明中选择上述元素的理由和规定其含量的理由进行详细说明。
本发明的Al合金膜优选含有0.05～0.5原子％(at％)Ni。通过像这样含有较少量的Ni，可以将接触电阻抑制在较低的值。
认为其机制如下。即，认为，在Al合金膜中含有Ni作为合金成分时，即使为低热处理温度，Al合金膜和透明像素电极的界面也容易形成导电性的含Ni金属间化合物或含Ni浓化层，可以防止上述界面生成由Al氧化物构成的绝缘层，并且，在Al合金膜和透明像素电极(例如ITO)之间，大部分的接触电流通过上述含Ni金属间化合物或Ni含有浓化层而流动，可以将接触电阻抑制在较低的值。
另外，Ni使用较低的热处理温度时，对充分降低电阻也是有效的。
为了充分发挥Ni的这些作用效果，优选使Ni量为0.05原子％以上。优选为0.08原子％以上、更优选为0.1原子％以上、进一步优选为0.2原子％以上。但是，Ni量过量时，耐腐蚀性倾向于降低。通过使Ni为较少量，可以兼具优异的耐腐蚀性，从这样的观点考虑，在本发明中，优选将Ni量的上限设定为0.5原子％，更优选设定为0.4原子％以下。
另外，同时含有Ge和Ni时，也可以使接触电阻充分降低。其机制被认为是，即使在低温下进行热处理也可以形成含有Ge和Ni的金属间化合物，并且通过该金属间化合物，接触电流在Al合金膜和透明像素电极(例如ITO)之间流动，可以降低接触电阻。
另外，作为耐腐蚀性，从进一步提高对感光性树脂的剥离中使用的剥离液的耐受性的观点考虑，含有Ge是有效的。
为了充分发挥Ge的这些作用效果，优选将Ge量设定为0.4原子％以上。优选为0.5原子％以上。但是，Ge量过量时，使用较低的热处理温度时，倾向于不能使电阻足够小、且不能谋求接触电阻的降低。进而，耐腐蚀性相反也倾向于降低。因此，Ge量优选设定为1.5原子％以下、更优选设定为1.2原子％以下。
在本发明中，特别是从即使使用较低的热处理温度也可以使电阻足够小的观点考虑，优选将Ni及Ge的合计量设定为1.7原子％以下。优选为1.5原子％以下、更优选为1.0原子％以下。
在本发明中，为了提高耐热性及耐腐蚀性，优选还含有选自稀土类元素组(优选Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr、Dy)中的至少1种元素。
形成有Al合金膜的基板之后通过CVD法等形成氮化硅膜(保护膜)，这时推测，由于对Al合金膜施加的高温的热，其与基板之间产生热膨胀之差，形成小丘(疙瘩状的突起物)。但是，通过含有上述稀土类元素，可以抑制小丘的形成。另外，通过含有稀土类元素，还可以提高耐腐蚀性。
如上所述，为了在确保耐热性的同时提高耐腐蚀性，优选含有合计0.05原子％以上的选自稀土类元素组(优选Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr、Dy)中的至少1种元素，更优选含有0.1原子％以上。但是，稀土类元素量过量时，热处理后的Al合金膜自身的电阻倾向于增大。因此，优选将稀土类元素的总量设定为0.3原子％以下(优选0.2原子％以下)。
另外，这里所述的稀土类元素是指在镧系元素(周期表中原子序号57的La到原子序号71的Lu的合计15个元素)中添加有Sc(钪)和Y(钇)的元素组。
上述Al合金膜优选含有上述规定量的Ni、Ge及稀土类元素，剩余部分为Al及不可避免的杂质，进而，为了降低接触电阻，可以含有Co。
认为通过添加Co而接触电阻降低的机制如下。即，认为，在Al合金膜中含有Co作为合金成分时，即使为低热处理温度，Al合金膜和透明像素电极的界面也容易形成导电性的含Co金属间化合物或含Co浓化层，可以防止上述界面生成由Al氧化物构成的绝缘层，并且，在Al合金膜和透明像素电极(例如ITO)之间，大部分的接触电流通过上述含Co金属间化合物或含Co浓化层而流动，可以将接触电阻抑制在较低的值。
为了实现上述Co引起的低接触电阻及耐腐蚀性提高，优选将Co量设定为0.05原子％以上。更优选设定为0.1原子％以上。但是，Co过量时，相反，接触电阻变高的同时，耐腐蚀性倾向于降低。因此，Co量优选设定为0.4原子％以下。
另外，含有Co时，特别是使用较低的热处理温度时，从使电阻足够小的观点考虑，也优选将Ni、Ge及Co的合计量抑制在1.7原子％以下。更优选为1.5原子％以下，进一步优选为1.0原子％以下。
上述Al合金膜优选利用溅射法使用溅射靶(以下有时也称为“靶”)来形成。这是由于，可以容易地形成成分及膜厚的膜面内均匀性比由离子电镀法及电子束蒸镀法、真空蒸镀法形成的薄膜优异的薄膜。
另外，为了利用上述溅射法来形成上述Al合金膜，优选作为上述靶，使用含有0.05(优选0.08)～0.5原子％Ni、0.4～1.5原子％Ge、及合计0.05～0.3原子％的选自稀土类元素组(优选Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr、Dy)中的至少1种元素、同时Ni及Ge的合计量为1.7原子％以下、剩余部分为Al及不可避免的杂质的与目标Al合金膜为相同组成的Al合金溅射靶时，可以不产生组成偏离地形成目标成分·组成的Al合金膜。
作为上述溅射靶，也可以根据成膜的Al合金膜的成分组成，使用进一步含有0.05～0.4原子％Co的溅射靶(其中，Ni、Ge及Co的合计量为1.7原子％以下)。
上述靶的形状根据溅射装置的形状及构造包含加工成任意的形状(角型板状、圆形板状、环形板状等)的靶。
作为上述靶的制造方法，可以举出：可通过熔融铸造法及粉末烧结法、喷射成型法制造由Al基合金构成的坯料的方法；及可在制造由Al基合金构成的预成型坯(得到最终的致密体之前的中间体)后通过致密化手段将该预成型坯致密化的方法。
本发明也包含特征在于将上述Al合金膜用于薄膜晶体管的显示装置，作为其方式，可以举出：
·将上述Al合金膜用于薄膜晶体管的源电极及/或漏电极以及信号线、漏电极与透明导电膜直接连接的显示装置；及/或、
·将上述Al合金膜用于薄膜晶体管的栅电极及扫描线的显示装置。
另外，还包含以下方式：上述栅电极及扫描线和上述源电极及/或漏电极以及信号线为同一组成的Al合金膜。
作为本发明的透明像素电极，优选氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
以下，参照附图，说明本发明的显示装置的优选的实施方式。以下，代表性地列举说明具备非晶硅TFT基板或多晶硅TFT基板的液晶显示装置(例如图6，详细情况在后面叙述)，但本发明并不限定于此。
(实施方式1)
参照图7，对非晶硅TFT基板的实施方式进行详细说明。
图7是上述图6(本发明的显示装置的一例)中A的重要部分的放大图，是说明本发明的显示装置的TFT基板(底栅型)的优选的实施方式的截面示意说明图。
在本实施方式中，作为源-漏电极/信号线(34)及栅电极/扫描线(25、26)，使用Al合金膜。相对于以往的TFT基板在扫描线25上、栅电极26上、信号线34(源电极28及漏电极29)之上或之下分别形成阻挡金属层，在本实施方式的TFT基板中，可以省略这些阻挡金属层。
即，根据本实施方式，可以不经由上述阻挡金属层而将TFT的漏电极29中使用的Al合金膜与透明像素电极5直接连接，这样的实施方式也可以实现与以往的TFT基板相同程度以上的良好的TFT特性。
接着，参照图8～图15，说明图7所示的本发明的非晶硅TFT基板的制造方法的一例。薄膜晶体管是使用氢化非晶硅作为半导体层的非晶硅TFT。在图8～图15中，附加与图7相同的参照符号。
首先，使用溅射法，在玻璃基板(透明基板)1a上层叠厚度200nm左右的Al合金膜。溅射的成膜温度设定为150℃。通过对该Al合金膜进行构图，形成栅电极26及扫描线25(参照图8)。这时，优选在后述的图9中，以栅极绝缘膜27的有效区域变好的方式将构成栅电极26及扫描线25的Al合金膜的周边预先蚀刻成约30°～40°的锥形。
接着，如图9所示，使用例如等离子体CVD法等方法，以厚度约300nm左右的氧化硅膜(SiOX)形成栅极绝缘膜27。等离子体CVD法的成膜温度设定为约350℃。接着，使用例如等离子体CVD法等方法，在栅极绝缘膜27上将厚度50nm左右的氢化非晶硅膜(αSi-H)及厚度300nm左右的氮化硅膜(SiNX)成膜。
接着，通过以栅电极26为掩模的背面曝光，如图10所示对氮化硅膜(SiNX)进行构图，形成通道保护膜。进而在其上将掺杂有磷的厚度50nm左右的n+型氢化非晶硅膜(n+a-Si-H)56成膜，然后，如图11所示，对氢化非晶硅膜(a-Si-H)55及n+型氢化非晶硅膜(n+a-Si-H)56进行构图。
接着，在其上，使用溅射法，依次层叠厚度50nm左右的阻挡金属层(Mo膜)53和厚度300nm左右的Al合金膜28、29。溅射的成膜温度设定为150℃。接着，通过如图12所示进行构图，形成和信号线一体的源电极28、和与透明像素电极5直接接触的漏电极29。进而，以源电极28及漏电极29作为掩模，干法蚀刻除去通道保护膜(SiNX)上的n+型氢化非晶硅膜(n+a-Si-H)56。
接着，如图13所示，使用例如等离子体CVD装置等，将厚度300nm左右的氮化硅膜30成膜，形成保护膜。此时的成膜温度例如为250℃左右。接着，在氮化硅膜30上形成光致抗蚀剂层31，然后，对氮化硅膜30进行构图，通过例如干法蚀刻等在氮化硅膜30上形成接触孔32。同时，在面板端部的与栅电极上的TAB连接的部分形成接触孔(未图示)。
接着，例如经过利用氧等离子体的灰化工序后，如图14所示，使用例如胺系等剥离液剥离光致抗蚀剂层31。最后，在例如保管时间(8小时左右)的范围内，如图15所示，将例如厚度40nm左右的ITO膜成膜，利用湿法蚀刻进行构图，由此形成透明像素电极5。同时，在面板端部的与栅电极的TAB的连接部分，为了与TAB连接而对ITO膜而进行构图时，完成TFT基板1。
由此制得的TFT基板中，漏电极29和透明像素电极5直接连接。
上述说明中，作为透明像素电极5，使用ITO膜，也可以使用IZO膜。另外，作为活性半导体层，可以代替非晶硅而使用多晶硅(参照后述的实施方式2)。
使用由此得到的TFT基板，例如通过以下所述的方法，完成上述图6所示的液晶显示装置。
首先，在如上所述制得的TFT基板1的表面涂布例如聚酰亚胺并干燥，进行摩擦处理，形成定向膜。
另一方面，对置基板2通过在玻璃基板上将例如铬(Cr)构图成矩阵状，形成遮光膜9。接着，在遮光膜9的间隙形成树脂制的红、绿、蓝的滤色器8。通过在遮光膜9和滤色器8上配置ITO膜之类的透明导电性膜作为共通电极7，形成对置电极。在对置电极的最上层涂布例如聚酰亚胺并干燥后，进行摩擦处理，形成定向膜11。
接着，以TFT基板1和对置基板2的形成定向膜11的面分别对置的方式配置，利用树脂制等密封材料16，除去液晶的封入口使TFT基板1和2片对置基板2贴合。这时，在TFT基板1和对置基板2之间，通过经由隔离物15等，将2片基板间的间隙保持大致一定。
将由此得到的空单元放置在真空中，以将封入口浸渍在液晶中的状态慢慢返回至大气压，由此，向空单元中注入包含液晶分子的液晶材料，形成液晶层，并密封封入口。最后，在空单元的外侧的两面粘贴偏振片10，完成液晶显示器。
接着，如图6所示，将驱动液晶显示装置的驱动电路13与液晶显示器电连接，配置在液晶显示器的侧部或背面部。利用成为液晶显示器的显示面的包含开口的保持架23、形成面光源的背光灯22、导光板20和保持架23保持液晶显示器，完成液晶显示装置。
(实施方式2)
参照图16，对多晶硅TFT基板的实施方式进行详细说明。
图16是说明本发明的顶栅型TFT基板的优选的实施方式的截面示意说明图。
本实施方式主要在代替非晶硅使用多晶硅作为活性半导体层方面、不使用底栅型而使用顶栅型的TFT基板方面，与上述实施方式1不同。详细而言，在图16所示的本实施方式的多晶硅TFT基板中，在活性半导体膜由不掺杂有磷的多晶硅膜(Poly-Si)、离子注入有磷或者砷的多晶硅膜(n+Poly-Si)形成方面，与上述图7所示的非晶硅TFT基板不同。另外，信号线以经由层间绝缘膜(SiOX)与扫描线相交的方式形成。
在本实施方式中，可以省略形成于源电极28及漏电极29之上的阻挡金属层。
接着，参照图17～图23，说明图16所示的本发明的多晶硅TFT基板的制造方法的一例。薄膜晶体管为使用多晶硅膜(Poly-Si)作为半导体层的多晶硅TFT。图17～图23中，附加与图16相同的参照符号。
首先，在玻璃基板1a上，利用例如等离子体CVD法等，在基板温度约300℃左右下，将厚度50nm左右的氮化硅膜(SiNX)、厚度100nm左右的氧化硅膜(SiOX)、及厚度约50nm左右的氢化非晶硅膜(a-Si-H)成膜。接着，为了将氢化非晶硅膜(a-Si-H)多晶硅化，进行热处理(在约470℃下进行1小时左右)及激光退火。进行脱氢处理后，使用例如准分子激光退火装置，对氢化非晶硅膜(a-Si-H)照射能量约230mJ/cm2左右的激光，由此，得到厚度约0.3μm左右的多晶硅膜(Poly-Si)(图17)。
接着，如图18所示，通过等离子体蚀刻等对多晶硅膜(Poly-Si)进行构图。接着，如图19所示，将厚度约100nm左右的氧化硅膜(SiOX)成膜，形成栅极绝缘膜27。在栅极绝缘膜27上，通过溅射等，层叠厚度约200nm左右的Al合金膜及厚度约50nm左右的阻挡金属层(Mo薄膜)52后，利用等离子体蚀刻等方法构图。由此，形成与扫描线一体的栅电极26。
接着，如图20所示，以光致抗蚀剂31形成掩模，通过例如离子注入装置等，例如以50keV左右掺杂1×1015个/cm2左右的磷，在多晶硅膜(Poly-Si)的一部分上形成n+型多晶硅膜(n+Poly-Si)。接着，剥离光致抗蚀剂31，在例如500℃左右下进行热处理，使磷扩散。
接着，如图21所示，使用例如等离子体CVD装置等，将厚度500nm左右的氧化硅膜(SiOX)在基板温度约250℃左右下成膜，形成层间绝缘膜后，同样，使用利用光致抗蚀剂构图得到的掩模，对层间绝缘膜(SiOX)和栅极绝缘膜27的氧化硅膜进行干法蚀刻，形成接触孔。通过溅射，将厚度50nm左右的阻挡金属层(Mo膜)53和厚度450nm左右的Al合金膜成膜后，进行构图，由此形成与信号线一体的源电极28及漏电极29。其结果，源电极28和漏电极29经由各接触孔与n+型多晶硅膜(n+Poly-Si)接触。
接着，如图22所示，利用等离子体CVD装置等，将厚度500nm左右的氮化硅膜(SiNX)在基板温度250℃左右下成膜，形成层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成光致抗蚀剂层31后，对氮化硅膜(SiNX)进行构图，通过例如干法蚀刻在氮化硅膜(SiNX)上形成接触孔32。
接着，如图23所示，经由例如利用氧等离子体的灰化工序后，与上述实施方式1同样操作，使用胺系剥离液等剥离光致抗蚀剂，然后，将ITO膜成膜，通过湿法蚀刻进行构图，形成透明像素电极5。
在如上操作制得的多晶硅TFT基板中，漏电极29与透明像素电极5直接连接。
接着，为了使晶体管的特性稳定，例如在250℃左右进行1小时左右退火时，完成多晶硅TFT阵列基板。
利用第2实施方式的TFT基板、及具备该TFT基板的液晶显示装置，可以得到与上述第1实施方式的TFT基板相同的效果。
使用由此得到的TFT阵列基板，与上述实施方式1的TFT基板同样操作，完成例如上述图6所示的液晶显示装置。
实施例
下面，列举实施例对本发明进行更具体的说明，但本发明不限定于下面的实施例，自不必说，可以在符合上述或下述的主旨的范围内实施适当的变更，这些均包含在本发明的技术范围内。
(实施例1-1)
从耐腐蚀性的观点出发，对剥离液清洗后的黑点产生情况进行评价。剥离液清洗后产生的黑点如从已述的说明理解的那样，以金属间化合物为起点而产生。将Al合金使用溅射装置在玻璃基板上(Corning制イ一グル2000，直径2英寸、板厚0.7mm)形成膜厚300nm的Al合金膜，使用300℃的氮气氛围的热处理炉进行30分钟热处理。在氮气流下使炉内保持在300℃并投入基板，在投入基板后，需要15分钟等待炉温的稳定，进而再进行30分钟热处理。接着，用纯水将以单乙醇胺为主成分的剥离液(东京应化制TOK106)稀释到55000倍，制备pH10的碱性液体，将热处理后的基板浸渍5分钟，并用纯水清洗1分钟。其后，吹入氮气进行干燥并进行显微镜观察(倍率1000倍)。在观察时，在产生明显的对比并确认为黑点时，将其判断为缺陷。将结果记载于表1。从耐腐蚀性的观点可知，通过使各个金属间化合物微细化，可以分散并缩小腐蚀的起点，可以改善耐腐蚀性(可知至少可以消除或减轻来自外观上的耐腐蚀性不良)。
另外，显影液耐受性的评价使用通过溅射成膜为300nm厚度的膜，用段差计测定浸渍于显影液(TMAH2.38wt％水溶液)时的膜减少量，换算成蚀刻速率。将结果记载于表1。纯Al的蚀刻速度为20nm/分，不优选比该其快的速度。
另外，对于表1中的“接触电阻(Ω)、CVD温度250℃”的评价，将在250℃下进行CVD成膜时的与ITO的接触电阻值为99Ω以下的情况记为A、将为100～499Ω的情况记为B、将为500～999Ω的情况记为C、将为1000Ω以上的情况记为D。
另外，对于表1中的“凿槽腐蚀密度(个/100μm2)”的评价，将其值为0.9个以下的情况记为A、将为1～9.9个的情况记为B、将为10～50个的情况记为C、将多于50个的情况记为D。
另外，对于表1中的“耐热性(350℃)”的评价，用“A、B”表示。其表示观察在350℃下进行30分钟的真空中热处理时的小丘的有无及表面状态时的成绩，“A”为“没有小丘”、“B”为“没有观察到小丘但表面上出现若干龟裂”。
另外，对于表1中的“金属间化合物尺寸(150nm以下)”的评价，将金属间化合物尺寸的最大直径为150nm以下的情况记为A，将大于150nm的情况记为B。
另外，对于表1中的“X1-X2及Al-X1-X2的全体比50％以上”的评价，将X1-X2及Al-X1-X2的金属间化合物的合计面积为全部金属间化合物的合计面积的50％以上的情况记为A、将X1-X2及Al-X1-X2的金属间化合物的合计面积比全部金属间化合物的合计面积的50％小的情况记为B。
表1
Figure BPA00001182582800251
在表1中还同时记载了在250℃下进行CVD成膜时的ITO的接触电阻、黑点的密度(正确的是凿槽腐蚀密度)、膜自身的电阻率。另外，也记载了黑点的密度、150nm以上的金属间化合物。接着，对这些各实验进行评价。
首先，对样品的制造工序及各项目的评价手法进行说明时，对于接触电阻使用接触链进行评价。连接50个接触孔。首先，在玻璃基板上通过溅射将300nm的Al合金成膜。接着，通过光刻和蚀刻形成配线。其后，通过CVD在250℃的温度下将SiN成膜为300nm。再通过光刻形成10μm见方的接触孔，通过Ar/SF6/O2等离子体蚀刻将SiN蚀刻。接着，使用氧等离子体灰化和TOK106进行抗蚀剂剥离，水洗后，将透明导电膜(非晶ITO)以200nm的膜厚进行溅射成膜。另外，表1的接触电阻表示换算为每1个接触孔的值。
实验No.1由于Ni非常少，接触电阻变高，不能实现作为本发明的最初的前提的直接接触。但是，膜自身的电阻率由于Ni较少而可以保持较低。另外，对作为本发明的课题的耐腐蚀性，通过添加作为X2元素的Cu而得到改善，这与金属间化合物尺寸的最大直径：150nm以下(下面有时称为“金属间化合物尺寸主要条件”)、X1-X2及Al-X1-X2的面积比率：50％以上(以下有时称为“金属间化合物面积主要条件”)的各主要条件均为A评价相匹配。另外，对于在本发明中作为附加公开的的希望改善的项目的耐热性，通过添加作为X3元素的La，显示优异的值。
实验No.2由于含有充分的量的Ni，与实验No.1相比接触电阻改善，对作为本发明的课题的其它项目，显示没有问题的优异的结果。
实验No.3由于Ni的量进一步增加，接触电阻进一步改善，另一方面Al合金膜自身的电阻率也增加若干，在实际应用上没有问题，作为本发明的课题的耐腐蚀性，进而也包含耐热性在内，举出优异的成果。
实验No.4由于Ni的量进一步增加，接触电阻进一步改善。Al合金膜自身的电阻率只增加一点点，在实际应用上没有问题，作为本发明的课题的耐腐蚀性被改善到实际应用上没有问题的水平，进而也包含耐热性在内，举出优异的成果。
实验No.5由于Ni非常多，接触电阻进一步改善。Al合金膜自身的电阻率、耐腐蚀性有稍低的倾向，但包含耐热性在内进行考察时，为实际应用上没有问题的水平。
实验No.6由于与实验No.3相比Cu较少，因此，显影液的蚀刻速率稍有增加(比纯Al的20mm/min.快)，耐腐蚀性没有问题，另外，耐热性也良好。
实验No.7由于与实验No.6相比Cu明显多，因此，接触电阻更加良好，另外，耐腐蚀性、耐热性也非常好。
实验No.8由于与实验No.7相比Cu更多，因此，在耐腐蚀性方面稍不利，但不是实际应用上存在问题的水平。耐热性也良好。
实验No.9与实验No.8相比Cu更多，因此，在耐腐蚀性及显影液蚀刻速率上稍不利。在实际应用上，存在产生些许问题的情况，但总体而言，显示了稳定的性状。
实验No.10使Cu含量返回到实验No.1～5的水平。在显影液蚀刻速率上稍不利，但总体而言，可以说实际应用上没有问题。
实验No.11、12不含有元素X2。因此，在“金属间化合物尺寸主要条件”、“金属间化合物面积主要条件”中产生问题，另外，“150nm以上的金属间化合物的密度”也为1个/100μm2以上，在耐腐蚀性上残留问题，不能实现本发明的课题。另外，表中的“-”，是指由于不含有元素X2而不形成X1-X2、X1-X2-X3的金属间化合物。
实验No.13～28中，改变添加的元素、含量，150nm以上的金属间化合物密度均小于1个/100μm2。
实验No.29～31中，均含有适量的元素X1、X2，可以没有问题地解决本发明的课题。
实验No.32不含有元素X1。因此，不能实现本发明的前提课题即直接接触。
实验No.33、34只是将实验No.3的元素X3(La)置换为Nd或Gd，得到与实验No.3大致相同的结果。
实验No.35进一步增加作为元素X2的Cu的量使其超过实验No.9，因此，凿槽腐蚀密度、显影液蚀刻速率稍变差，根据使用目的有时不能推荐使用。
实验No.36、37也不含有元素X2。因此，存在接触电阻过高，显影液蚀刻速率过快这样的问题。也不能满足“金属间化合物面积主要条件”。
对于实验No.38～48，改变添加的元素、含量，150nm以上的金属间化合物密度均小于1个/100μm2。
实验No.49、50、51是将元素X1从Ni变更为Co的例子，与X2一起含有适当的量。这些实验例的Co添加量比上述各实验例中的Ni添加量更低，直接接触可以与Ni添加量多的情况相匹敌，在耐腐蚀性、耐热性方面也没有任何问题，可以良好地解决本发明的所有课题。
实验No.52将Co添加量与添加Ni的上述各实验例中的Ni添加量同等提高，接触电阻相应比实验No.51更好，包含其它项目的所有评价项目均显示优异的效果。
实验No.53或许是由于Co添加量非常多，“金属间化合物面积主要条件”为不优选的状态，产生显影液蚀刻速率明显变快这样的问题。
实验No.54不含有元素X1。因此，不能实现本发明的前提课题即直接接触。
实验No.55～58将元素X1变更为Ag、Zn，与作为X2的Cu、Ge一起含有适当的量，可以本发明的所有课题。
实验No.59～61含有元素X1及X2，不含有元素X3。因此，接触电阻及电阻率低，耐腐蚀性也良好，但与进一步含有元素X3的例子相比，耐热性降低若干。
实验No.62、63是将元素X3的含量与Ni、Co同等大量添加的例子。因此，电阻率变高若干，但由于满足元素X3的优选的上限，因此耐热性良好。
根据这些结果，元素X1的添加量为0.05～6at％、优选为0.08～4at％，更优选为0.1～4at％、进一步优选为0.1～2.5at％、最优选为0.2～1.5at％，元素X2的添加量为0.1～2at％、优选为0.3～1.5at％。接着，La、Nd、Dy、Gd这样的元素X3的添加量为0.05～2at％、更优选为0.1～0.5at％。
表示对各元素X1、X2、X3的总评价时，从接触稳定性的观点考虑，在Co比Ni少量也有效方面具有特征，在均可以得到稳定的性能方面是优选的。另一方面，从显影液耐受性的观点考虑，Co比Ni稍差。
其中，对于电阻率，Co与添加Ni相比稍低。另外，对于剥离液引起的黑点的产生，Co在低添加范围内几乎不产生黑点。进而，Cu添加和Ge添加具有几乎同等的效果，电阻稍低，接触电阻也得到改善。另外，对于耐腐蚀性，特别是在Ni及Co的低添加范围，也得到良好的改善效果。
接着，通过显微镜以SEM(30000倍～50000倍)确认缺陷和判断的黑点，结果，尺寸超过150nm，在表1中，150nm以上的金属间化合物密度为1个/100μm2以上。对于通过上述方法不能确认为缺陷品的膜，使用SEM(30000倍～50000倍)及平面TEM(30万倍)进行观察，结果，金属间化合物的尺寸为150nm以下。使用多个样品进行统计分析时，对于确认为黑点的尺寸和实际的金属间化合物的尺寸的关系，根据使用Al-Ni-La进行观察的结果，为图24，金属间化合物的尺寸需要为最大150nm以下。
根据以上结果，以与作为起点的金属间化合物的尺寸几乎成比例为前体考虑黑点的尺寸时，为了抑制黑点，需要控制金属间化合物的析出形态及尺寸。
(实施例2-1)
在本实施例中，为了研究Al合金膜的接触表面的算术平均粗糙度Ra对接触电阻的影响，改变碱溶液的浸渍条件，并控制Ra来进行实验。
具体而言，首先，以无碱玻璃板(板厚：0.7mm)作为基板，通过室温下的DC磁控管溅射在其表面将Ni量不同的2种Al合金膜成膜(膜厚300nm)。具体而言，作为第1Al合金膜，使用Al-0.6原子％Ni-0.5原子％Cu-0.3原子％La合金膜，作为第2Al合金膜，使用Al-1.0原子％Ni-0.5原子％Cu-0.3原子％La合金膜。
将这些Al合金膜在320℃下进行30分钟热处理，形成析出物(金属间化合物)。基于上述方法，测定金属间化合物尺寸的最大直径，结果均为50～130nm。
对于热处理后的各Al合金膜，按照下述表2及表3所示的pH及浸渍时间，浸渍在纯水(pH7.0)或碱性水溶液中，对其表面进行湿法蚀刻。另外，在制备pH9.5以上的碱性水溶液时，使用单乙醇胺60体积％及二甲基亚砜(DMSO)40体积％的碱溶液，用水稀释至下述表2所示的pH。另一方面，在pH9.0以下的碱性水溶液(pH8.0及9.0)中，使用氨水溶液，用水稀释，调节pH。
将各Al合金膜浸渍规定时间后，水洗·干燥，用原子间力显微镜(AFM、测定区域：5×5mm)测定其表面的算术平均粗糙度Ra(标准长度：0.08mm、评价长度：0.01mm)。将这些结果示于下述表2及表3。
在测定了Ra的各Al合金膜的表面，通过DC磁控管溅射将作为氧化物导电膜的ITO膜(膜厚：200nm)成膜。接着，通过利用光刻及蚀刻的构图，形成接触电阻测定图案(接触区域10μm×10μm)，使用接触链(contactchain)评价Al合金膜/ITO膜的接触电阻。具体而言，形成连续形成有50个接触孔的接触电阻测定图案，计算换算为每个接触孔的接触电阻。在表2、表3、及后述的表4中，设置接触电阻的相对评价栏，以下述标准进行评价。在本实施例及后述的实施例中，接触电阻为1.0×103Ω以下的(相对评价为A)均为合格。
A：1.0×103Ω以下
B：超过1.0×103Ω且为1×104Ω以下
C：超过1×104Ω
将这些结果示于下述表2及表3。表2表示第1Al合金膜的结果，表3表示第2Al合金膜的结果。
Figure BPA00001182582800311
由表2及3所示的结果可知，通过调节碱性水溶液的pH及浸渍时间、并将Al合金膜的表面的算术平均粗糙度Ra调节至2.2～20nm，可以降低Al合金膜和ITO膜之间的接触电阻。
(实施例2-2)
在本实施例中，研究Ra的控制中使用的碱溶液对接触电阻的影响。
首先，通过与实施例2-1相同的DC磁控管溅射及热处理，将Al-0.6原子％Ni-0.5原子％Cu-0.3原子％La合金膜成膜，形成金属间化合物。将该Al合金膜浸渍在下述表4所示的胺类碱性水溶液中60秒，进行水洗、干燥，与实施例2-1同样操作，测定算术平均粗糙度Ra。另外，碱性水溶液中的胺类的浓度为5.5×10-4体积％。
与实施例2-1同样操作，在测定了Ra的Al合金膜的表面将ITO膜成膜，测定其接触电阻。将结果示于下述表4。
[表4]
Figure BPA00001182582800331
(注备)：上述表中，“E+0X(X：整数)”是指“10X”
由表4所示的结果可知，X1元素的添加量低(小于1％)时，作为碱性水溶液所使用的胺类，优选链烷醇胺类(特别是乙醇胺类)。
(实施例2-3)
在本实施例中，研究Al合金膜的组成对接触电阻等的影响。
首先，以无碱玻璃板(板厚：0.7mm)作为基板，通过室温下的DC磁控管溅射在其表面将下述表5所示的组成的Al合金膜成膜(膜厚300nm)。
与实施例2-1同样操作，形成Al合金膜的金属间化合物，测定其尺寸(最大直径)。将结果示于下述表5。
接着，将热处理后的Al合金膜浸渍在用水稀释单乙醇胺60体积％及DMSO：40体积％的碱溶液并将pH调节为9.5的碱性水溶液中300秒后，纯粹地进行1分钟水洗，并通过吹入氮气进行干燥。与实施例2-1同样操作测定该Al合金膜表面的算术平均粗糙度Ra。将结果示于下述表5。
与实施例2-1同样操作，在测定了Ra的Al合金膜的表面将ITO膜成膜，并测定其接触电阻。将结果示于下述表5。
与测定了金属间化合物尺寸、Ra及接触电阻的Al合金膜分开制作相同组成的Al合金膜。将该Al合金膜浸渍在用水稀释单乙醇胺60体积％及DMSO：40体积％的碱溶液并将pH调节为10的碱性水溶液中300秒后，进行水洗、干燥。用光学显微镜(观察倍率1000倍、观察面积：10μm×10μm)测定该Al合金膜的凿槽腐蚀(黑点)，并测定其密度。观察时，产生明显的对比并确认为黑点时，判断其为缺陷。在本实施例中，凿槽腐蚀密度大致为5个/100μm2以下，评价为合格(耐腐蚀性优异)。将结果示于下述表5。
表5
Figure BPA00001182582800341
(备注)合金组成的单位：原子％。合金的剩余部分：Al及不可避免的杂质。
首先，No.1～5、8及9是Al合金膜的组成均满足本发明的优选的主要条件的例子，并且Ra及金属间化合物尺寸也被适当的控制，因此，接触电阻的降低和耐腐蚀性均优异。
相对于此，No.6及7是Ni量超过本发明的优选的范围的例子，接触电阻良好，但金属间化合物粗大化且耐腐蚀性变差。
(实施例3-1)
通过DC磁控管·溅射法(基板＝玻璃基板(corning公司制Eagle2000)、氛围气＝氩、压力＝2mTorr、基板温度＝25℃(室温))将表6所示的各种合金组成的Al合金膜(膜厚＝300nm)成膜。
另外，为了形成上述各种合金组成的Al合金膜，使用通过真空溶解法制作的各种组成的Al合金靶作为溅射靶。
另外，实施例中使用的各种Al合金膜中的各合金元素的含量通过ICP发光分析(电感耦合等离子体发光分析)法求出。
使用如上操作成膜得到的Al合金膜，分别按照下述方法测定热处理后的Al合金膜自身的电阻率、将Al合金膜与透明像素电极直接连接时的直接接触电阻(与ITO的接触电阻)、作为耐腐蚀性的碱性显影液耐受性和剥离液耐受性、及耐热性。将它们的结果也示于表6。
(1)热处理后的Al合金膜自身的电阻率
对于上述Al合金膜，形成10μm宽的Line and Space图案，在惰性气体氛围中，在270℃下实施15分钟的热处理，然后，用4端子法测定电阻率。然后，按照下述标准，判定热处理后的Al合金膜自身的电阻的好坏。
(判定标准)
A：4.5μΩ·cm以下
B：超过4.5μΩ·cm且小于5.0μΩ·cm
C：5.0μΩ·cm以上
(2)与透明像素电极的直接接触电阻
对于使Al合金膜和透明像素电极直接接触时的接触电阻，通过在下述条件下溅射透明像素电极(ITO；在氧化铟中添加有10质量％的氧化锡的氧化铟锡)，制作图25所示的Kelvin图案(接触孔尺寸：10μm见方)，进行4端子测定(使电流流过ITO-Al合金膜，在其它端子测定ITO-Al合金间的电压降低的方法)。具体而言，通过使电流I流过图25的I1-I2间、并控制V1-V2间的电压V，求出接触部C的直接接触电阻R为[R＝(V2-V1)/I2]。然后，按照下述标准，判定与ITO的直接接触电阻的好坏。
(透明像素电极的成膜条件)
·氛围气＝氩
·压力＝0.8mTorr
·基板温度＝25℃(室温)
(判定标准)
A：小于1000Ω
B：1000Ω以上
(3)碱性显影液耐受性(显影液蚀刻速率的测定)
对在基板上成膜得到的Al合金膜施加掩模后，在25℃下在显影液(包含TMAH 2.38质量％的水溶液)中浸渍1分钟，使用触针式段差计测定其蚀刻量。然后，按照下述标准判定碱性显影液耐受性的好坏。
(判定标准)
A：小于60nm/分
B：60nm以上100nm以下/分
C：超过100nm/分
(4)剥离液耐受性
模拟光致抗蚀剂剥离液的清洗工序，利用混合有胺系光致抗蚀剂和水的碱性水溶液进行腐蚀实验。详细而言，准备将东京应化工业(株)制的胺系抗蚀剂剥离液“TOK 106”水溶液调节为pH10的溶液(液温25℃)，使在惰性气体氛围中、在330℃下对上述Al合金膜进行30分钟的热处理而得到的产物浸渍在其中300秒。然后，调查浸渍后的膜表面发现的凿槽状的腐蚀(孔蚀)痕(圆相当直径为150nm以上)的个数(观察倍率为1000倍)。然后，按照下述标准判定剥离液耐受性的好坏。
(判定标准)
A：小于10个/100μm2
B：10个以上20个以下/100μm2
C：超过20个/100μm2
(5)耐热性
在氮气氛围中、在350℃下对在基板上成膜的Al合金膜进行30分钟热处理后，使用光学显微镜(倍率：500倍)观察表面性状，目视确认小丘的有无。然后，按照下述判定标准评价耐热性。
(判定标准)
A：没有小丘且表面不粗糙
B：没有小丘但表面粗糙
C：有小丘
另外，对于表6中的“150nm以上的金属间化合物密度”，将其值小于1个/100μm2的表示为A，将其值为1个/100μm2以上表示为B。
另外，对于表6中的“X1-X2及Al-X1-X2的全体比50％以上”的评阶，将X1-X2及Al-X1-X2的金属间化合物的合计面积为全部金属间化合物的合计面积的50％以上的表示为A，将X1-X2及Al-X1-X2的金属间化合物的合计面积小于全部金属间化合物的合计面积的50％的表示为B。
Figure BPA00001182582800381
由表6所示的结果可知，首先，通过设定为含有规定量的Ni、Ge及稀土类元素的Al合金膜，即使为低温的热处理也可以使电阻充分降低，同时，可以大幅降低与ITO(透明像素电极)的直接接触电阻、即实现低接触电阻。进而可知，耐腐蚀性及耐热性也优异。
进而，通过设定为含有Co的Al合金膜，可以进一步降低接触电阻，同时进一步提高耐腐蚀性(特别是碱性显影液耐受性)。
相对于此，可知，不含有Ni时，不能实现低接触电阻，另一方面，Ni量超过上限时，耐腐蚀性(碱性显影液耐受性、剥离液耐受性)变差。
不含有Ge的Al合金膜或Ge量不足的Al合金膜也不能充分降低接触电阻。
另外可知，代替Ge而含有Zn或In、B时，不能得到优异的耐腐蚀性。另一方面可知，Ge过量时，在低温的热处理后不能使电阻充分降低、并且耐腐蚀性变差。
可知，各元素量在规定范围内，但Ni+Ge的合计量、或Ni+Ge+Co的合计量超过上限时，在低温的热处理后不能使电阻充分降低。
进而可知，不含有稀土类元素时，不能确保耐腐蚀性及耐热性。
以上详细并参照特定的实施方式对本发明进行了说明，对本领域人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种变更及修订。
本申请是基于2008年3月31日申请的日本专利申请(特愿2008-093992)、2008年4月24日申请的日本专利申请(特愿2008-114333)、2008年11月19日申请的日本专利申请(特愿2008-296005)的申请，其内容作为参考引入到本说明书中。
产业上的可利用性
根据本发明，可以提供一种具备铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在直接接触材料中即使经过低温的热处理(300℃以下)后也可以得到低电阻率和与透明导电膜的低接触电阻，同时，可以通过控制添加元素和金属间化合物来改善Al合金的耐腐蚀性和耐热性。
另外，通过在Al合金膜中含有元素X2，可以使金属间化合物(析出物)微细化、提高耐腐蚀性、防止凿槽腐蚀。另外，通过将Al合金膜表面的算术平均粗糙度Ra控制在适当范围，可以降低接触电阻。
另外，还可以提供一种显示装置用Al合金膜，其中，可以不经由阻挡金属层而将Al合金膜与透明像素电极(透明导电膜、氧化物导电膜)直接连接，并且，即使使用较低的热处理温度(例如250～300℃)也显示足够低的电阻、同时耐腐蚀性(碱性显影液耐受性、剥离液耐受性)优异、并且耐热性也优异。另外，上述热处理温度是指在显示装置的制造工序(例如TFT基板的制造工序)中成为最高温度的处理温度，在一般的显示装置的制造工序中，是指用于形成各种薄膜的CVD成膜时的基板的加热温度、或使保护膜热固化时的热处理炉的温度等。
另外，将本发明的Al合金膜用于显示装置时，可以省略上述阻挡金属层。因此，使用本发明的Al合金膜时，可以得到生产性优异、廉价且高性能的显示装置。

Claims (21)

1.一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分析出并存在于所述Al合金膜的接触表面的显示装置，其中，
所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素X1、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素X2，形成有最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，最大直径为150nm以上的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物的密度小于1个/100μm2。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，通过300℃以下的热处理，所述元素X2的至少一部分在Al基体中析出。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，通过150℃以上230℃以下的热处理，所述元素X2的至少一部分在Al基体中析出。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，通过200℃以下的热处理，所述元素X2的至少一部分在Al基体中析出。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述Al合金膜中以X1-X2和Al-X1-X2表示的金属间化合物的合计面积为全部金属间化合物的合计面积的50％以上。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示装置，其中，所述Al合金膜中的所述元素X1为Ni、所述元素X2为Ge及Cu中的至少一种，通过300℃以下的热处理，形成有Al-Ni-Ge及Al-Ni-Cu中的至少一种金属间化合物。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述Al合金膜的接触表面的算术平均粗糙度Ra为2.2nm以上20nm以下。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述Al合金膜含有合计0.05～2原子％的所述元素X1。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述元素X2为Cu及Ge中的至少一种，所述Al合金膜含有合计0.1～2原子％的Cu及Ge中的至少一种。
11.根据权利要求9或10所述的显示装置，其中，所述Al合金膜还含有合计0.05～0.5原子％的至少1种稀土类元素。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述稀土类元素选自La、Nd及Gd中的元素的至少1种。
13.一种权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，在使所述Al合金膜与所述氧化物导电膜直接接触之前，使其与碱溶液接触，将Al合金膜表面的算术平均粗糙度Ra调整为2.2nm以上20nm以下。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述碱溶液为包含氨或链烷醇胺类的水溶液。
15.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述算术平均粗糙度Ra的调整通过抗蚀膜的剥离工序来进行。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述Al合金膜含有0.05～0.5原子％的Ni作为所述元素X1，含有0.4～1.5原子％的Ge作为所述元素X2，且还含有合计0.05～0.3原子％的选自稀土类元素组中的至少1种元素，同时，Ni及Ge的合计量为1.7原子％以下。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述稀土类元素组由Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr、Dy构成。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，还含有0.05～0.4原子％的Co作为所述X1元素，并且，Ni、Ge及Co的合计量为1.7原子％以下。
19.一种溅射靶，其含有0.05～0.5原子％的Ni、0.4～1.5原子％的Ge、及合计0.05～0.3原子％的选自稀土类元素组的至少1种元素，同时，Ni及Ge的合计量为1.7原子％以下，剩余部分为Al及不可避免的杂质。
20.根据权利要求19所述的溅射靶，其中，所述稀土类元素组由Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr、Dy构成。
21.根据权利要求19或20所述的溅射靶，其中，还含有0.05～0.4原子％的Co，并且，Ni、Ge及Co的合计量为1.7原子％以下。
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