CN101891612A - 化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物 - Google Patents

化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN101891612A
CN101891612A CN2010101276449A CN201010127644A CN101891612A CN 101891612 A CN101891612 A CN 101891612A CN 2010101276449 A CN2010101276449 A CN 2010101276449A CN 201010127644 A CN201010127644 A CN 201010127644A CN 101891612 A CN101891612 A CN 101891612A
Authority
CN
China
Prior art keywords
expression
straight
polymkeric substance
branched alkyl
structural unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010101276449A
Other languages
English (en)
Inventor
秋田诚
吉田勋
桥本和彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Publication of CN101891612A publication Critical patent/CN101891612A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/76—Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C69/78—Benzoic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F12/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F12/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F12/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F12/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by hetero atoms or groups containing heteroatoms
    • C08F12/22—Oxygen
    • C08F12/24—Phenols or alcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C08F212/22—Oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C08F212/22—Oxygen
    • C08F212/24—Phenols or alcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/281—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing only one oxygen, e.g. furfuryl (meth)acrylate or 2-methoxyethyl (meth)acrylate
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
    • C07C2603/22—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/24—Anthracenes; Hydrogenated anthracenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/30—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/303—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety and one or more carboxylic moieties in the chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

本发明公开化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物。本发明提供由式(I)表示的化合物；包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元的聚合物；和，包含所述聚合物、至少一种酸生成剂和至少一种溶剂的化学放大型正性抗蚀剂组合物，在式(I)中，R1表示氢原子等，R2和R3各自独立地表示氢原子等，R4表示C1-C8二价烃基，R5表示单键等，并且R6表示未取代或取代的C6-C20芳族烃基。

Description

化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物
技术领域
本发明涉及化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物。
背景技术
将化学放大型正性抗蚀剂组合物用于采用光刻法的半导体微型制造，所述的光刻法使用i-射线、KrF、ArF和电子束；用于在半导体器件的生产中形成突出块或厚膜抗蚀剂图案；在电路板的生产中形成配线图案或厚膜抗蚀剂层压体；等。
期望化学放大型抗蚀剂组合物产生具有高分辨率和良好图案轮廓的图案。
US 2002/147259 A1公开了一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物包含树脂和酸生成剂，所述树脂包含衍生自羟基苯乙烯的结构单元和衍生自甲基丙烯酸2-甲基-2-金刚烷基酯的结构单元。
WO 2006/126433 A1公开了一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物包含树脂和酸生成剂，所述树脂包含衍生自4-羟基苯乙烯的结构单元、衍生自苯乙烯的结构单元、衍生自甲基丙烯酸叔丁酯的结构单元和衍生自甲基丙烯酸4-(4-羟基苯基硫氧基(sufoxy))苯基酯的结构单元。WO 2006/126433 A1也公开了一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物包含树脂和酸生成剂，所述树脂包含衍生自4-羟基苯乙烯的结构单元、衍生自4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯的结构单元、衍生自甲基丙烯酸4-(4-羟基苯基硫氧基)苯基酯的结构单元和衍生自甲基丙烯酸4-[4-(1-乙氧基乙氧基)苯基硫氧基]苯基酯的结构单元。
发明内容
本发明涉及下列各项：
<1>一种由式(I)表示的化合物：
Figure GSA00000037320800021
其中R1表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基，R2和R3各自独立地表示氢原子或C1-C4直链或支链烷基，R4表示C1-C8二价烃基，R5表示单键，C1-C4二价烃基或羰基，并且R6表示未取代或取代的C6-C20芳族烃基；
<2>根据<1>所述的化合物，其中R6中的所述未取代或取代的C6-C20芳族烃基是苯基、萘基、蒽基或菲基，并且所述苯基、所述萘基、所述蒽基和所述菲基可以含有C1-C6直链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基；
<3>根据<1>所述的化合物，其中R6中的所述未取代或取代的C6-C20芳族烃基是可以含有C1-C6直链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基的蒽基；
<4>根据<3>所述的化合物，其中所述蒽基是9-蒽基；
<5>一种聚合物，所述聚合物包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元：
Figure GSA00000037320800022
其中R1表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基，R2和R3各自独立地表示氢原子或C1-C4直链或支链烷基，R4表示C1-C8二价烃基，R5表示单键，C1-C4二价烃基或羰基，并且R6表示未取代或取代的C6-C20芳族烃基；
<6>根据<5>所述的聚合物，其中R6中的所述未取代或取代的C6-C20芳族烃基是苯基、萘基、蒽基或菲基，并且所述苯基、所述萘基、所述蒽基和所述菲基可以含有C1-C6直链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基；
<7>根据<5>或<6>所述的聚合物，其中所述聚合物还包含衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元；
<8>根据<7>所述的聚合物，其中所述衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元是由式(II)表示的结构单元：
Figure GSA00000037320800031
其中R41表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基，R42，R43，R44，R45和R46各自独立地表示氢原子，羟基或C1-C4直链或支链烷基，条件是R42至R46中的1至3个基团是羟基，并且R42至R46中的0至2个基团是C1-C4直链或支链烷基；
<9>根据<5>至<8>中任何一项所述的聚合物，其中所述聚合物还包含：在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元；
<10>根据<9>所述的聚合物，其中所述在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元是由式(III)表示的结构单元：
Figure GSA00000037320800032
其中R47表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基，并且R48表示由下式表示的基团：
Figure GSA00000037320800041
R50，R51和R52各自独立地表示C1-C6烷基或C3-C12脂环族烃基，并且R51和R52可以结合以形成可以被取代的C3-C20环状烃基；
<11>根据<7>至<10>中任何一项所述的聚合物，其中所述由式(I)表示的结构单元的含量是0.1至50摩尔/100摩尔的所有结构单元；
<12>一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物包含根据<5>至<11>中任何一项的聚合物、至少一种酸生成剂和至少一种溶剂；
<13>根据<12>所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中至少一种酸生成剂包含含有磺酰基的重氮甲烷化合物；
<14>根据<12>或<13>所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中所述化学放大型正性抗蚀剂组合物还包含碱性含氮有机化合物。
具体实施方式
首先，说明本发明的由式(I)表示的化合物：
Figure GSA00000037320800042
由式(I)表示的化合物是一种新的化合物。
式(I)中，R1表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基。
C1-C4直链或支链烷基的实例包括甲基，乙基，丙基，异丙基，丁基，异丁基，仲-丁基和叔-丁基，优选甲基和乙基，并且更优选甲基。
C1-C4氟化直链或支链烷基的实例包括C1-C4直链或支链全氟烷基，如三氟甲基，五氟乙基，七氟丙基，七氟异丙基，九氟丁基，九氟异丁基，九氟-仲-丁基和九氟-叔-丁基。
R1优选是氢原子或C1-C4直链烷基，并且更优选氢原子或甲基。
R2和R3各自独立地表示氢原子或C1-C4直链或支链烷基。C1-C4直链或支链烷基的实例包括与上所述实例相同的那些。R2和R3优选为相同的基团，并且更优选为甲基。
R4表示C1-C8二价烃基，并且其实例包括亚甲基，二亚甲基，三亚甲，亚乙基，1-甲基-1，2-亚乙基，亚丙基，1，2-亚丙基，亚异丙基，四亚甲基，五亚甲基，六亚甲基，八亚甲基和2-甲基环己烯-3，5-二基；优选C1-C4二价烃基；并且，更优选亚甲基，二亚甲基和三亚甲基。
R5表示单键，C1-C4二价烃基或羰基，并且C1-C4二价烃基的实例包括亚甲基，二亚甲基，三亚甲基，亚乙基，1-甲基-1，2-亚乙基，亚丙基，1，2-亚丙基，亚异丙基和四亚甲基。R5优选是单键，亚甲基或羰基，更优选单键或羰基，并且特别优选为羰基。
R6表示未取代或取代的C6-C20芳族烃基。未取代的C6-C20芳族烃基的实例包括苯基，茚基，萘基，甘菊环基(azurenyl)，庚搭烯基，联苯基基，indacenyl，蒽基，并四苯基，菲基，芴基，9，10-苯并菲基，芘基和1，2-苯并醋蒽基(1，2-benzacenaphthyl)，优选苯基，萘基，蒽基和菲基，更优选苯基和蒽基，并且特别优选蒽基。
取代的C6-C20芳族烃基的取代基的实例包括C1-C6直链或支链烷基，如甲基，乙基，丙基，异丙基，丁基，异丁基，叔-丁基，戊基和己基；C1-C6直链或支链烷氧基，如甲氧基，乙氧基，丙氧基，异丙氧基，丁氧基，异丁氧基，叔-丁氧基，戊氧基和己氧基。作为C1-C6直链或支链烷基，优选甲基和乙基，并且作为C1-C6直链或支链烷氧基，优选甲氧基。优选C1-C6直链或支链烷基作为取代基。取代的C6-C20芳族烃基的实例包括甲苯基，二甲苯基，
Figure GSA00000037320800051
基和枯基。
R6优选是可以含有C1-C6直链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基的9-蒽基，并且更优选是9-蒽基。
由式(I)表示的化合物的实例包括由式(M-1)至(M-192)表示的下列化合物：
Figure GSA00000037320800071
Figure GSA00000037320800081
Figure GSA00000037320800091
Figure GSA00000037320800101
Figure GSA00000037320800111
Figure GSA00000037320800121
Figure GSA00000037320800131
Figure GSA00000037320800141
Figure GSA00000037320800151
Figure GSA00000037320800161
Figure GSA00000037320800171
Figure GSA00000037320800181
Figure GSA00000037320800191
Figure GSA00000037320800201
Figure GSA00000037320800211
Figure GSA00000037320800221
Figure GSA00000037320800231
由式(I)表示的化合物可以通过如下制备：在惰性溶剂如甲苯，四氢呋喃，N，N-二甲基甲酰胺，二甲亚砜，乙腈，水，甲醇，氯仿，二氯甲烷和二氯乙烷中，在碱存在下，在-100至150℃，优选在-20至100℃，将由式(IV)表示的化合物与由式(V)表示的醇化合物反应：
Figure GSA00000037320800251
其中R1的定义同上，并且X表示卤素原子：
其中R2，R3，R4，R5和R6的定义同上。
式(IV)中，X表示卤素原子，并且卤素原子的实例包括氟原子，氯原子，溴原子和碘原子，优选氟原子，氯原子和溴原子，并且更优选氟原子和氯原子。
相对于每1摩尔由式(V)表示的醇化合物，由式(IV)表示的化合物的使用量通常为1至5摩尔，优选为1至3摩尔。
碱的实例包括无机碱如氢氧化钠，氢氧化钾和碳酸钾，有机碱如吡啶，三乙胺，二甲基吡啶和1-甲基吡咯烷及它们的混合物。相对于每1摩尔由式(V)表示的醇化合物，碱的使用量通常为1至5摩尔，并且优选为1至3摩尔。
由上述方法得到的由式(I)表示的化合物可以通过萃取和浓缩进行分离，并且它可以进一步通过重结晶、蒸馏或柱色谱进行纯化。
由式(I)表示的化合物也可以通过由式(V)表示的醇化合物与由式(VI)表示的化合物反应而制备：
Figure GSA00000037320800261
其中R1的定义同上。
由式(V)表示的醇化合物与由式(VI)表示的化合物的反应通常通过如下进行：在非质子溶剂如二氯乙烷，甲苯，乙基苯，一氯苯，乙腈和N，N-二甲基甲酰胺中，于20至200℃，优选50至150℃，将它们混合。在此反应中，可以使用酸催化剂，并且酸催化剂的实例包括有机酸如对-甲苯磺酸和无机酸如硫酸。此反应可以在脱水的情况下进行，原因在于反应时间倾向于缩短。脱水可以使用迪安-斯达克装置进行，并且可以在脱水剂如1，1-羰基二咪唑和N，N’-二环己基碳二亚胺存在下进行。
相对于每1摩尔由式(V)表示的醇化合物，由式(VI)表示的化合物的使用量通常是0.2至3摩尔，并且优选0.5至2摩尔。
当使用酸催化剂时，其使用量可以是催化量，或等于溶剂的量，并且相对于每1摩尔由式(V)表示的醇化合物，通常为0.001至5摩尔。
接着，说明包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元的聚合物。该聚合物是一种新的聚合物。
优选包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元的聚合物，其中在R6中的所述未取代或取代的C6-C20芳族烃基是苯基，萘基，蒽基或菲基，并且所述苯基，所述萘基，所述蒽基和所述菲基可以含有C1-C6直链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基。
除了衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元之外，聚合物还可以包含衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元。除了衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元之外，聚合物优选还包含衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元。
衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元的实例包括由式(II)表示的结构单元：
Figure GSA00000037320800271
其中R41表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基，R42，R43，R44，R45和R46各自独立地表示氢原子，羟基或C1-C4直链或支链烷基，条件是R42至R46中的1至3个基团是羟基，并且R42至R46中的0至2个基团是C1-C4直链或支链烷基。
C1-C4直链或支链烷基和C1-C4氟化直链或支链烷基的实例分别包括与上面所述实例相同的那些实例。
优选由式(II)表示的结构单元，其中R42，R43，R44，R45和R46各自独立地表示氢原子或羟基，条件是R42至R46中的1至3个基团是羟基；并且更优选由式(II)表示的结构单元，其中R42，R43，R44，R45和R46各自独立地表示氢原子或羟基，条件是R42至R46中的1个或2个基团是羟基；并且特别优选由式(II)表示的结构单元，其中R42，R43，R44，R45和R46各自独立地表示氢原子或羟基，条件是R42至R46中的1个基团是羟基。
式(II)表示的结构单元的实例包括下列结构单元：
Figure GSA00000037320800281
Figure GSA00000037320800291
Figure GSA00000037320800301
Figure GSA00000037320800311
上述式中，R41，R42，R43，R44，R45和R46的定义同上。
优选衍生自羟基苯乙烯的结构单元，并且更优选衍生自4-羟基苯乙烯的结构单元。
除了衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元外，聚合物还可以包含在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元。除了衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元外，聚合物优选还包含在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元。
优选的聚合物包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元、衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元和在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元。
在此说明书中，“酸不稳定基团”是指能够通过酸的作用而消除的基团。
在本说明书中，“酯基”是指“具有羧酸的酯的结构”。具体地，“叔丁酯基”是“具有羧酸的叔丁酯的结构”，并且可以被描述为“-COOC(CH3)3”。
酸不稳定基团的实例包括具有羧酸酯的结构，比如其中与氧原子相邻的碳原子是季碳原子的烷基酯基，其中与氧原子相邻的碳原子是季碳原子的脂环族酯基，以及其中与氧原子相邻的碳原子是季碳原子的内酯酯基。“季碳原子”表示“与四个不同于氢原子的取代基结合的碳原子”。
酸不稳定基团的实例包括：其中与氧原子相邻的碳原子是季碳原子的烷基酯基，比如叔丁酯基；缩醛型酯基，如甲氧基甲酯基、乙氧基甲酯基、1-乙氧基乙酯基、1-异丁氧基乙酯基、1-异丙氧基乙酯基、1-乙氧基丙氧基酯基、1-(2-甲氧基乙氧基)乙酯基、1-(2-乙酰氧基乙氧基)乙酯基、1-[2-(1-金刚烷基氧基)乙氧基]乙酯基、1-[2-(1-金刚烷羰氧基)乙氧基]乙酯基、四氢-2-呋喃酯基和四氢-2-吡喃酯基；其中与氧原子相邻的碳原子是季碳原子的脂环族酯基，比如异冰片酯基、1-烷基环烷基酯基、2-烷基-2-金刚烷基酯基和1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基酯基等。
优选的在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元是由式(III)表示的结构单元：
Figure GSA00000037320800321
其中R47表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基，并且R48表示由下式表示的基团：
R50，R51和R52各自独立地表示C1-C6烷基或C3-C12脂环族烃基，并且R51和R52可以结合以形成可以被取代的C3-C20环状烃基。
C1-C4直链或支链烷基和C1-C4氟化直链或支链烷基的实例包括如上所述相同的那些。C1-C6烷基的实例包括上述的C1-C4烷基，戊基和己基。C3-C12脂环族烃基的实例包括环戊基，环己基，降冰片(borbornyl)基，甲基环戊基，甲基环己基，二甲基环己基和甲基降冰片基。C3-C20环状烃基的实例包括金刚烷基。
R47优选是氢原子，甲基或三氟甲基，并且更优选是氢原子或甲基。
作为由式(III)表示的结构单元，优选由式(IIIa)表示的结构单元：
Figure GSA00000037320800331
其中R47的定义同上，并且R49表示C1-C8直链或支链烷基。
C1-C8直链或支链烷基的优选实例包括甲基，乙基和异丙基。
聚合物的实例包括：包含由式(i)和(ii)表示的结构单元的聚合物：
Figure GSA00000037320800332
包含由式(iii)和(iv)表示的结构单元的聚合物：
包含由式(i)、(v)和(vi)表示的结构单元的聚合物：
Figure GSA00000037320800342
包含由式(i)、(iii)和(vii)表示的结构单元的聚合物：
Figure GSA00000037320800351
包含由式(i)(viii)和(ix)表示的结构单元的聚合物：
Figure GSA00000037320800352
本发明的聚合物本身是不溶于或难溶于碱性水溶液，但是通过酸的作用而变得可溶于碱性水溶液。聚合物可以含有一种或多种其它结构单元。
相对于100摩尔的全部结构单元，衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元的量通常是0.1至100摩尔，优选0.1至50摩尔，更优选0.5至20摩尔，再更优选1至15摩尔，并且特别优选1至10摩尔。
除了衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元外，本发明的聚合物还可以含有一种或多种其它结构单元，并且相对于100摩尔的全部结构单元，所述一种或多种其它结构单元的量通常是0至99.9摩尔，优选50至99.9摩尔，更优选80至99.5摩尔，再更优选85至99摩尔，并且特别优选90至99摩尔。
当除了衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元外，本发明的聚合物还含衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元和在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元时，所述衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元与在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元的比例(衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元/在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元)通常是99.9/0.1至0.1/99.9，并且优选99/1至55/45。
本发明的聚合物可以例如通过如下制备：进行由式(I)表示的化合物、其中羟基用乙酰基保护的含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯和在其侧链中含有酸不稳定基团的相应单体的聚合反应，接着进行水解。
聚合反应通常在聚合引发剂存在下进行。聚合引发剂的实例包括偶氮化合物如2，2’-偶氮二异丁腈和二甲基-2，2’-偶氮二(2-甲基丙酸酯)；有机氢过氧化物如氢过氧化叔丁基和过氧化苯甲酰；氧化还原型引发剂，如过氧化氢/亚铁盐和过氧化苯甲酰/二甲基苯胺；烷基金属化合物，如丁基锂和三乙基铝。
聚合引发剂的量不受限制，并且基于所有单体和低聚物的摩尔量，它优选为1至20摩尔％。
聚合温度通常是0至150℃，并且优选40至100℃。
聚合反应通常在溶剂存在下进行，并且它优选使用充分溶解单体、聚合引发剂和所得聚合物的溶剂。其实例包括芳族烃溶剂，比如苯，甲苯和二甲苯；醚溶剂如1，4-二噁烷和四氢呋喃；和，醇溶剂，如甲醇，乙醇和异丙醇。这些溶剂可以单独使用，并且可以使用其混合物。溶剂的量不受限制，并且实际上，相对于1份的所有单体或低聚物，它优选为1至5重量份。
聚合反应完成之后，例如，通过向所得反应混合物中加入所述聚合物在其中不溶或难以溶解的溶剂并且过滤所沉淀出的聚合物，然后将所述的聚合物与酸如对-甲苯磺酸混合，可以分离出所制备的聚合物。
接着，说明本发明的化学放大型正性抗蚀剂组合物。
本发明的抗蚀剂组合物包含本发明的聚合物、至少一种酸生成剂和至少一种溶剂。
优选包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元、衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元和在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元的聚合物。更优选包包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元、由式(II)表示的结构单元和由式(III)表示的结构单元的聚合物。特别优选包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元、由式(II)表示的结构单元和由式(IIIa)表示的结构单元的聚合物。
本发明的抗蚀剂组合物可以含有一种或多种其它聚合物。其它聚合物的实例包括：包含衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元和在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元的聚合物，并且优选包含由式(II)表示的结构单元和由式(III)表示的结构单元的聚合物。
基于聚合物组分的总重量，本发明的聚合物的含量优选是10重量％以上，并且更优选50重量％以上。
相对于每100重量份的组合物的固体组分，聚合物组分的含量通常是60至98重量份，并且优选80至95重量份。以下，“组合物的固体组分”是指在本发明的抗蚀剂组合物中除了一种或多种溶剂之外的组分。
本发明的抗蚀剂组合物含有至少一种酸生成剂，优选含有两种以上的酸生成剂。
酸生成剂通过辐照它本身或含有它的组合物而产生酸，并且所产生的酸催化作用于本发明的聚合物和/或其它含有酸不稳定基团的聚合物，并且本发明的聚合物和/或其它含有酸不稳定基团的聚合物变得可溶于碱性水溶液。
酸生成剂可以选自各种通过用辐射线辐照酸生成剂本身或本发明的抗蚀剂细合物而产生酸的化合物。
作为酸生成剂，优选选自下列各项中的至少一项：鎓盐，卤代烷基三嗪化合物，含有磺酰基的重氮甲烷化合物，磺酸酯化合物和含有磺酰氧基的酰亚胺化合物。更优选鎓盐、含有磺酰基的重氮甲烷化合物及它们的混合物，且更优选鎓盐和含有磺酰基的重氮甲烷化合物的混合物。作为鎓盐，优选锍盐，并且更优选三苯基锍盐。
可以使用已知的酸生成剂。
含有磺酰基的重氮甲烷化合物的实例包括二(丙基磺酰基)重氮甲烷，二(异丙基磺酰基)重氮甲烷，二(丁基磺酰基)重氮甲烷，二(叔-丁基磺酰基)重氮甲烷，二(环戊基磺酰基)重氮甲烷，二(环己基磺酰基)重氮甲烷，二(苯基磺酰基)重氮甲烷，二(4-氯苯基磺酰基)重氮甲烷，二(对-甲苯基磺酰基)重氮甲烷，二(4-叔-丁基苯基磺酰基)重氮甲烷，二(2，4-二甲苯基磺酰基)重氮甲烷，二(4-异丙基苯基磺酰基)重氮甲烷，二(萘基磺酰基)重氮甲烷和二(蒽基磺酰基)重氮甲烷。
相对于100重量份的组合物的固体成分，酸生成剂的含量通常是2至40重量份，并且优选5至20重量份。
抗蚀剂组合物含有至少一种溶剂，并且溶剂的实例包括二元醇醚酯，比如乙基溶纤剂乙酸酯、甲基溶纤剂乙酸酯和丙二醇单甲醚乙酸酯；无环酯，比如乳酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯和丙酮酸乙酯；酮，如丙酮、甲基异丁基酮、2-庚酮和环己酮；以及环酯，如γ-丁内酯。这些溶剂可以单独使用，或者可以将其两种或更多种混合使用。
相对于100重量份的组合物的固体成分，溶剂的含量通常是70至98重量份，并且优选85至96重量份。
在本发明的抗蚀剂组合物中，通过加入作为猝灭剂的碱性含氮有机化合物，可以减小由酸的失活造成的性能恶化，而所述酸的失活是由于后曝光延迟而发生的。
含氮有机碱化合物的具体实例包括以下各式表示的胺化合物：
Figure GSA00000037320800391
其中T1和T2各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，并且所述烷基、环烷基和芳基可以含有选自羟基、可以被C1-C4烷基取代的氨基以及可以含有C1-C6烷氧基的C1-C6烷氧基中的至少一个基团；
T3和T4各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或烷氧基，并且所述烷基、环烷基、芳基和烷氧基可以含有选自羟基、可以被C1-C4烷基取代的氨基以及C1-C6烷氧基中的至少一个基团，或者T3和T4与它们所结合的碳原子结合在一起形成芳族环；
T5表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、烷氧基或硝基，并且该烷基、环烷基、芳基和烷氧基可以含有选自羟基、可以被C1-C4烷基取代的氨基以及C1-C6烷氧基中的至少一个基团；
T6表示烷基或环烷基，并且所述烷基和环烷基可以含有选自羟基、可以被C1-C4烷基取代的氨基以及C1-C6烷氧基中的至少一个基团；以及
A表示-CO-、-NH-、-S-、-S-S-、其至少一个亚甲基可以被-O-取代的亚烷基、或其至少一个亚甲基可以被-O-取代的亚链烯基(alkenylene)，以及由下式表示的氢氧化季铵：
Figure GSA00000037320800392
其中T7，T8，T9和T10各自独立地表示烷基，环烷基或芳基，并且所述烷基，环烷基或芳基可以含有选自羟基、可以被C1-C4烷基取代的氨基以及C1-C6烷氧基中的至少一个基团。
T1，T2，T3，T4，T5，T6，T7，T8，T9和T10中的烷基优选含有约1至10个碳原子，并且更优选含有约1至6个碳原子。
可以被C1-C4烷基取代的氨基的实例包括氨基、甲氨基、乙氨基、丁氨基、二甲氨基和二乙氨基。所述可以被C1-C6烷氧基取代的C1-C6烷氧基的实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、叔-丁氧基、戊氧基、己氧基和2-甲氧基乙氧基。
所述可以含有选自羟基、可以被C1-C4烷基取代的氨基以及可以含有C1-C6烷氧基的C1-C6烷氧基中的至少一个基团的烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔-丁基、戊基、己基、辛基、壬基、癸基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙基、2-羟乙基、2-羟丙基、2-氨基乙基、4-氨基丁基和6-氨基己基。
T1，T2，T3，T4，T5，T6，T7，T8，T9和T10中的环烷基优选含有约5至10个碳原子。所述可以含有选自羟基、可以被C1-C4烷基取代的氨基以及C1-C6烷氧基中的至少一个基团的环烷基的具体实例包括环戊基、环己基、环庚基和环辛基。
T1，T2，T3，T4，T5，T6，T7，T8，T9和T10中的芳基优选含有约6至10个碳原子。所述可以含有选自羟基、可以被C1-C4烷基取代的氨基以及C1-C6烷氧基中的至少一个基团的芳基的具体实例包括苯基和萘基。
T3，T4和T5中的烷氧基优选含有约1至6个碳原子，并且其具体实例包括甲氧基，乙氧基，丙氧基，异丙氧基，丁氧基，叔-丁氧基，戊氧基和己氧基。
在A中的亚烷基和亚链烯基优选含有2至6个碳原子。亚烷基的具体实例包括亚乙基、三亚甲基、四亚甲基、亚甲二氧基和亚乙基-1，2-二氧基，而亚链烯基的具体实例包括乙烯-1，2-二基、1-丙烯-1，3-二基和2-丁烯-1，4-二基。
胺化合物的具体实例包括己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺、4-甲基苯胺、4-硝基苯胺、1-萘胺、2-萘胺、乙二胺、四亚甲基二胺、六亚甲基二胺、4，4’-二氨基-1，2-二苯基乙烷、4，4’-二氨基-3，3’-二甲基二苯基甲烷、4，4’-二氨基-3，3’-二乙基二苯基甲烷、二丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、N-甲基苯胺、哌啶、二苯胺、三乙胺、三甲胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三庚胺、三辛胺、三壬胺、三癸胺、甲基二丁胺、甲基二戊胺、甲基二己胺、甲基二环己胺、甲基二庚胺、甲基二辛胺、甲基二壬胺、甲基二癸胺、乙基二丁胺、乙基二戊胺、乙基二己胺、乙基二庚胺、乙基二辛胺、乙基二壬胺、乙基二癸胺、二环己基甲胺、三[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺、三异丙醇胺、N，N-二甲基苯胺、2，6-二异丙基苯胺、咪唑、苯并咪唑、吡啶、4-甲基吡啶、4-甲基咪唑、联吡啶、2，2’-二吡啶胺、二-2-吡啶酮、1，2-二(2-吡啶基)乙烷、1，2-二(4-吡啶基)乙烷、1，3-二(4-吡啶基)丙烷、1，2-双(2-吡啶基)乙烯、1，2-双(4-吡啶基)乙烯、1，2-双(4-吡啶氧基)乙烷、4，4’-二吡啶硫醚(sulfide)、4，4’-二吡啶二硫醚(disulfide)、1，2-双(4-吡啶基)乙烯、2，2’-二吡啶甲基胺和3，3’-二吡啶甲基胺。
氢氧化季铵的实例包括氢氧化四甲铵、氢氧化四异丙铵、氢氧化四丁铵、氢氧化四己铵、氢氧化四辛铵、氢氧化苯基三甲铵、氢氧化(3-三氟甲基苯基)三甲铵和氢氧化(2-羟乙基)三甲铵(所谓的“胆碱”)。
还可以使用如JP 11-52575 A1中公开的具有哌啶骨架的受阻胺化合物作为猝灭剂。
就形成具有更高分辨率的图案而言，优选采用氢氧化季铵作为猝灭剂。
当使用碱性含氮有机化合物作为猝灭剂时，相对于100重量份的固体组分，本发明的抗蚀剂组合物优选包含0.1至2重量份的碱性含氮有机化合物，并且更优选0.2至1重量份。
必要时，本发明的抗蚀剂组合物可以含有少量的各种添加剂，比如敏化剂、溶解抑制剂、其它聚合物、表面活性剂、稳定剂和染料，只要不妨碍本发明的效果即可。
将涂覆到基板上之后干燥的抗蚀剂膜进行曝光以形成图案，然后进行热处理以促进解闭(deblock)反应，其后用碱性显影剂显影。所使用的碱性显影剂可以是本领域中使用的各种碱性水溶液中的任何一种。通常地，经常使用氢氧化四甲铵或氢氧化(2-羟乙基)三甲铵(通常称作“胆碱”)的水溶液。
应当解释的是，此处公开的实施方案在所有方面都是实例而不是限制性的。意图在于，本发明的范围不是由上面的描述而是由后附权利要求书确定的，并且包括权利要求书的等价含义和范围的所有变化。
将通过实施例更具体地描述本发明，这些实施例不应解释为对本发明范围的限制。用以表示以下实施例和比较例中使用的任何组分的含量和任何物质的量的“％”和“份”都是基于重量的，除非另外具体指明。以下实施例中所使用的任何物质的重均分子量、数均分子量都是通过凝胶渗透色谱[由TOSOH公司制造的HLC-8120GPC型，柱子(3根柱子)：TSKgelMultipore HXL-M，溶剂：四氢呋喃]，使用聚苯乙烯作为标准参考物质而测得的值。
在下面实施例中使用的所得化合物的结构由NMR分析[由JEOL LTD制造的EX-270型或GX-270型]和/或质谱[液相色谱：1100型，由AgilentTechnologies，Inc.制造，质谱：LC/MSD型，由Agilent Technologies，Inc.制造]确定。
参考合成实施例1
将50份的蒽-9-羧酸溶解于150份的N，N-二甲基甲酰胺中。将得到的溶液在50℃加热。向溶液中，滴加通过将36.5份的1，1’-羰基二咪唑溶解于150份的N，N-二甲基甲酰胺而得到溶液，然后将得到的溶液于50℃搅拌2小时。将所得溶液冷却至室温，以得到溶液(A)。将11.8份的氢化钠和141份的N，N-二甲基甲酰胺的混合物在50℃加热。向该混合物中，滴加通过将28.1份的2-甲基-丁烷-2，4-二醇溶解于28份的N，N-二甲基甲酰胺而得到溶液，然后，将所得混合物在50℃搅拌2小时。将所得混合物冷却至室温。向得到的混合物中，于室温滴加溶液(A)，得到混合物。在低于30℃，将得到的混合物滴加到595份的5％草酸水溶液中。向所得混合物中，加入298份的乙酸乙酯并且搅拌，然后，过滤所得到的混合物。将滤液分离成有机层和水层。水层用298份的乙酸乙酯萃取，并且将得到的有机层与前面得到的有机层混合。将混合的有机层用离子交换水洗涤5次，然后用22.1份的硫酸镁干燥。过滤混合物，并且将得到的滤液浓缩，得到55.6份的3-甲基-3-羟基丁基蒽-9-羧酸酯，为棕色油状物。此化合物称作化合物(C)。
1H-NMR(二甲亚砜-d6，内标：四甲基硅烷)δ(ppm)1.17(s，6H)，1.94(t，2H，J＝7.58Hz)，4，50(s，1H)，4.70(t，2H，J＝6.60Hz)，7.54-7.66(m，4H)，7.97(d，2H，J＝9.54Hz)，8.16(d，2H，J＝9.57Hz)，8.76(s，1H)
参考合成实施例2
Figure GSA00000037320800431
将18.2份的蒽-9-羰基氯溶解于182份的氯仿中，然后，向其中加入41.5份的吡啶。向得到的混合物中，滴加通过将42.1份的2-甲基-丁烷-2，4-二醇溶解于42份的氯仿而得到溶液，然后将所得混合物于室温搅拌过夜，并且进一步于50℃搅拌9小时。将所得混合物用冰浴冷却，并且在低于30℃，向其中加入163份的离子交换水。得到的混合物分离成有机层和水层。有机层用163份的2％草酸水溶液洗涤两次，然后，用离子交换水洗涤5次。向得到的有机层中，加入4.3份的活性炭和21.7份的硫酸镁，搅拌，然后，过滤所得到的混合物。将得到滤液浓缩，并且残留物用硅胶柱色谱纯化，得到11.3份的化合物(C)，为橙色油状物。
实施例1
将44.2份的化合物(C)溶解于133份的甲基异丁基酮，并且将1.8份的活性炭加入到所得到的溶液中，于室温搅拌1小时。将混合物过滤，并且将滤液浓缩。向残留物中，加入160份的甲基异丁基酮和25份的1-甲基吡咯烷，并且将所得混合物于50℃加热。向混合物中，滴加18.4份的甲基丙烯酰氯，并且将所得混合物于50℃搅拌6小时。向混合物中，加入8.3份的1-甲基吡咯烷，然后加入6.1份的甲基丙烯酰氯，并且将所得混合物于50℃搅拌4小时。将反应混合物用冰浴冷却，并且向其中滴加441份的2％草酸水溶液，然后，所得混合物被分离成有机层和水层。水层用92份的甲基异丁基酮萃取2次，并且将得到有机层与前面得到的有机层混合。混合的有机层用离子交换水洗涤7次。向所得到的有机层中，加入4.2份的活性炭，搅拌，然后，将得到的混合物过滤。将所得到的滤液浓缩，并且将残留物用硅胶柱色谱纯化，以得到39份的3-甲基-3-甲基丙烯酰氧基丁基蒽-9-羧酸酯，为黄色油状物。此化合物称作化合物(E)。
1H-NMR(二甲亚砜-d6，内标：四甲基硅烷)δ(ppm)1.51(s，6H)，1.68(s，3H)，2.34(t，2H，J＝6.19Hz)，4.70(t，2H，J＝7.24Hz)，5.40(t，1H，J＝1.65Hz)，5.58(t，1H，J＝0.97Hz)，7.54-7.65(m，4H)，7.97(d，2H，J＝9.56Hz)，8.15(d，2H，J＝8.88Hz)，8.76(s，1H)
参考合成实施例3
Figure GSA00000037320800441
将3份的苯甲酸与2.6份的2-甲基-丁烷-2，4-二醇、0.6份的4-二甲基氨基吡啶和45份的脱水四氢呋喃混合。向得到的混合物中，加入5.6份的N，N’-二环己基碳二亚胺，然后将得到的混合物于室温搅拌24小时。将所得混合物过滤，并且将滤液浓缩。向残留物中，加入33份的甲基叔-丁基醚，然后加入17份的2％草酸水溶液。将所得混合物搅拌并且过滤。将滤液分离成有机层和水层。将有机层用离子交换水洗涤5次，然后用3.1份的硫酸镁干燥。将混合物过滤，并且将得到滤液浓缩。将得到的残留物与6份的甲基叔-丁基醚混合，并且将所得混合物过滤。将滤液浓缩，得到4.8份的苯甲酸3-甲基-3-羟基丁基酯，为无色油状物。此化合物称作化合物(G)。
1H-NMR(二甲亚砜-d6，内标：四甲基硅烷)δ(ppm)1.16(s，6H)，1.82(t，2H，J＝7.08Hz)，4，37(s，2H，J＝6.94Hz)，4.41(s，1H)，7.48-7.53(m，2H)，7.60-7，67(m，1H)，7.93-7.96(m，2H)
实施例2
Figure GSA00000037320800451
将38.9份的化合物(G)和39.8份的1-甲基吡咯烷溶解于脱水四氢呋喃中。将得到的溶液于50℃加热。向溶液中，滴加29.3份的甲基丙烯酰氯，并且将所得混合物于50℃搅拌7小时。将反应混合物用冰浴冷却，并且向其中加入101份的离子交换水和101份的乙酸乙酯，然后，所得混合物被分离成有机层和水层。水层用101份的乙酸乙酯萃取2次，并且将得到的有机层与前面得到的有机层混合。将混合的有机层用2％草酸水溶液洗涤3次，然后用离子交换水洗涤8次。向得到的有机层中，加入3.9份的活性炭，搅拌，然后，将得到的混合物过滤。将得到的滤液浓缩，并且将残留物用硅胶柱色谱纯化，得到43.8份的苯甲酸3-甲基-3-甲基丙烯酰氧基丁基酯。此化合物称作化合物(H)。
1H-NMR(二甲亚砜-d6，内标：四甲基硅烷)δ(ppm)1.51(s，6H)，1.77-1，78(m，3H)，2.26(t，2H，J＝6.62Hz)，4.39(t，2H，J＝6.59Hz)，5.54-5.55(m，1H)，5.92-5.93(m，1H)，7.47-7.53(m，2H)，7.61-7.67(m，1H)，7.91-7.95(m，2H)
MS(ESI(+)谱)：[M+Na]+＝299.1(C16H20O4Na+＝299.32)
实施例3
将配备有搅拌器、冷凝器和温度计的四颈烧瓶的内部气体用氮气置换。向烧瓶中，加入3.6份的甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯，11.8份的4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯，1.6份的化合物(E)和23.2份的甲基异丁基酮，并且将得到的混合物在80℃加热。向混合物中，在10分钟内，滴加通过将0.8份的2，2’-偶氮二(2-甲基丙酸)二甲酯溶解于2.2份的甲基异丁基酮中而得到的溶液。将所得混合物于80℃保持15小时。将得到的反应混合物滴加到含有350份甲醇与43份水的溶液中。通过过滤得到沉淀的聚合物。将聚合物溶解于51份的甲基异丁基酮，并且向其中加入0.3份对-甲苯磺酸和34份的水。将所得混合物于室温搅拌5小时。将混合物进行分离和洗涤程序，并且重复此程序。将得到的有机层浓缩，并且将得到的残留物与丙二醇甲基醚乙酸酯混合。得到的溶液浓缩，以得到含有聚合物的溶液。此聚合物称作聚合物(J1)。聚合物(J1)的重均分子量(Mw)为6,000，并且聚合物(J1)的分散度(Mw/Mn)为1.60。相对于每100摩尔的在聚合物(J1)中的所有结构单元，聚合物(J1)中衍生自化合物(E)的结构单元的含量为5摩尔。
聚合物(J1)包含下列结构单元。
Figure GSA00000037320800461
实施例4
将配备有搅拌器、冷凝器和温度计的四颈烧瓶的内部气体用氮气置换。向烧瓶中，加入3.1份的甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯，9.7份的4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯，2.8份的化合物(E)和21.2份的甲基异丁基酮，并且得到的混合物于80℃加热。向混合物中，在10分钟内，滴加通过将0.7份的2，2’-偶氮二(2-甲基丙酸)二甲酯溶解于1.9份的甲基异丁基酮中而得到的溶液。将所得混合物于80℃保持15小时。将得到的反应混合物滴加到具有320份甲醇和40份水的溶液中。通过过滤得到沉淀的聚合物。将聚合物溶解于46份的甲基异丁基酮，并且向其中加入0.3份对-甲苯磺酸和31份的水。将所得混合物于室温搅拌5小时。将混合物进行分离和洗涤程序，并且重复此程序。将得到的有机层浓缩，并且将得到的剩余物与丙二醇甲基醚乙酸酯混合。得到的溶液浓缩，以得到含有聚合物的溶液。此聚合物称作聚合物(J2)。聚合物(J2)的重均分子量(Mw)为8,200，并且聚合物(J2)的分散度(Mw/Mn)为1.78。相对于每100摩尔的在聚合物(J2)中的所有结构单元，聚合物(J2)中衍生自化合物(E)的结构单元的含量为10摩尔。
聚合物(J2)包含下列结构单元。
Figure GSA00000037320800471
实施例5
将配备有搅拌器、冷凝器和温度计的四颈烧瓶的内部气体用氮气置换。向烧瓶中，加入3.7份的甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯，14.4份的4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯，2.8份的化合物(H)和28.6份的甲基异丁基酮，并且得到的混合物于80℃加热。向混合物中，在10分钟内，滴加通过将1.0份的2，2’-偶氮二(2-甲基丙酸)二甲酯溶解于2.8份的甲基异丁基酮中而得到的溶液。将所得混合物于80℃保持15小时。将得到的反应混合物滴加到含有430份甲醇和53份水的溶液中。通过过滤得到沉淀的聚合物。将聚合物溶解于63份的甲基异丁基酮，并且向其中加入0.4份对-甲苯磺酸和42份的水。将所得混合物于室温搅拌1小时。将混合物进行分离和洗涤程序，并且重复此程序。将得到的有机层浓缩，并且将得到的残留物与丙二醇甲基醚乙酸酯混合。将得到的溶液浓缩，以得到含有聚合物的溶液。此聚合物称作聚合物(J5)。聚合物(J5)的重均分子量(Mw)为6,900，并且聚合物(J5)的分散度(Mw/Mn)为1.62。相对于每100摩尔的在聚合物(J5)中的所有结构单元，聚合物(J5)中衍生自化合物(H)的结构单元的含量为10摩尔。
聚合物(J5)包含下列结构单元。
参考合成实施例4
向烧瓶中，装入103.8份的4-乙酰氧基苯乙烯、39.7份的甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯和265份的异丙醇。在氮气气氛下，将所得溶液加热至75℃，然后，将通过将11.05份的2，2’-偶氮二(2-甲基丙酸)二甲酯溶解于22.11份的异丙醇中而得到的溶液滴加到混合物中。将所得混合物回流12小时。将得到的反应混合物冷却，并且倾倒入到大量的甲醇中。通过过滤收集沉淀的聚合物，得到250份的聚合物。所得到的聚合物含有甲醇。
向烧瓶中，装入250份所得到的聚合物，202份的甲醇和10.3份的4-二甲基氨基吡啶，并且将所得混合物回流20小时。将得到的混合物冷却，然后与7.6份的冰醋酸混合。将得到的混合物倾倒入大量的水中，并且通过过滤收集沉淀的聚合物。将聚合物溶解于丙酮中，并且将得到的溶液倾倒入大量的水中，以沉淀树脂。将此操作重复三次，以得到95.9份的聚合物。此聚合物称作聚合物(J3)。聚合物(J3)的重均分子量(Mw)为约8,600。聚合物(J3)包含下列结构单元，并且来自13C-NMR分析的结果，衍生自甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯的结构单元与衍生自4-羟基苯乙烯的结构单元的比率(衍生自甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯的结构单元/衍生自4-羟基苯乙烯的结构单元)为约20/80。
Figure GSA00000037320800491
参考合成实施例5
根据与参考合成实施例4相同的方式进行反应，不同之处在于使用59.6份的甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯代替39.7份的甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯，并且使用90.8份的4-乙酰氧基苯乙烯代替103.8份的4-乙酰氧基苯乙烯。结果，得到102.8份的聚合物。此聚合物称作聚合物(J4)。聚合物(J4)的重均分子量(Mw)为8,200。聚合物(J4)包含下列结构单元，并且来自13C-NMR分析的结果，衍生自甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯的结构单元与衍生自4-羟基苯乙烯的结构单元的比率(衍生自甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯的结构单元/衍生自4-羟基苯乙烯的结构单元)为约30/70。
Figure GSA00000037320800501
实施例6至10和比较例1
<酸生成剂>
酸生成剂K1：三苯基锍2，4，6-三异丙基苯磺酸盐
酸生成剂K2：二(环己基磺酰基)重氮甲烷
<猝灭剂>
猝灭剂L1：2，6-二异丙基苯胺
<添加剂>
添加剂M1：聚丙二醇(分子量：2000)
<溶剂>
溶剂S1：丙二醇单甲基醚乙酸酯/丙二醇单甲基醚(重量比＝4/1)
将下列组分混合得到溶液，并且将溶液通过孔径为0.2μm的氟树脂过滤器过滤，以制备出抗蚀剂液体。
聚合物(种类和量描述于表1中)
酸生成剂(种类和量描述于表1中)
猝灭剂(种类和量描述于表1中)
添加剂(种类和量描述于表1中)
溶剂(种类和量描述于表1中)
表1
  实施例号   聚合物(种类/量(份))   酸生成剂(种类/量(份))   猝灭剂(种类/量(份))   溶剂(种类/量(份))   添加剂(种类/量(份))
实施例6 J1/90.6   K1/3.0K2/6.0 L1/0.4 S1/1207 M1/9.0
实施例7   J1/45.3J2/45.3   K1/3.0K2/6.0 L1/0.4 S1/1207 M1/9.0
实施例8 J2/45.3   K1/3.0K2/6.0 L1/0.4 S1/1207 M1/9.0
实施例9   J2/54.4J3/36.2   K1/3.0K2/6.0 L1/0.4 S1/1207 M1/9.0
实施例10 J5/90.6   K1/3.0K2/6.0 L1/0.4 S1/1207 M1/9.0
比较例1   J3/45.3J4/45.3   K1/3.0K2/3.0 L1/0.37 S1/1207 M1/9.0
将如上制备的每种抗蚀剂液体旋涂在其上形成100nm厚度的二氧化硅膜的硅晶片上。在涂布每种抗蚀剂液体后，将如此涂布有相应抗蚀剂液体的硅晶片各自都在90℃温度的直接电热板(proximity hotplate)上预烘焙60秒，以形成厚度为200nm的抗蚀剂膜。使用KrF受激准分子激光分档器(由Nikon Corporation制造的“NSR-2205EX12B”，NA＝0.55，σ＝0.80)，对每个其上如此形成有相应抗蚀剂膜的晶片经由具有不同形状和大小的数个掩模曝光。
曝光后，将每个晶片都在电热板上于110℃的温度进行曝光后烘焙60秒，然后用2.38％的氢氧化四甲铵水溶液进行踏板显影(paddledevelopment)60秒。
用扫描电子显微镜观察显影后显影在基材上的每一个图案，并且其结果示于表2中。
有效灵敏度(ES)：它表示为在通过250nm的线和空间图案掩模曝光并且显影后，线图案和空间图案变为1∶1时的曝光量。
分辨率：它表示为空间图案的最小尺寸，其在有效灵敏度的曝光量下产生由线图案分开的空间图案。
轮廓：用扫描电子显微镜观察在显影后在有机抗反射涂层基材上出现的图案的每个壁表面。当壁表面是波状图案时，其评价由“×”标记，当壁表面为平坦或近似平坦的图案时，其评价由“○”标记。
表2
  实施例号 轮廓   分辨率(nm)
  实施例6   ○   190
  实施例7   ○   190
  实施例8   ○   200
  实施例9   ○   190
  实施例10   ○   200
  比较例1   ×   220
本发明的化学放大型正性抗蚀剂组合物产生具有高分辨和良好轮廓的图案，并且适宜于KrF光刻法、ArF光刻法、EUV(远紫外)光刻法和EB(电子束)光刻法。

Claims (14)

1.一种由式(I)表示的化合物：
Figure FSA00000037320700011
其中R1表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基，R2和R3各自独立地表示氢原子或C1-C4直链或支链烷基，R4表示C1-C8二价烃基，R5表示单键，C1-C4二价烃基或羰基，并且R6表示未取代或取代的C6-C20芳族烃基。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中R6中的所述未取代或取代的C6-C20芳族烃基是苯基、萘基、蒽基或菲基，并且所述苯基、所述萘基、所述蒽基和所述菲基可以含有C1-C6直链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基。
3.根据权利要求1所述的化合物，其中R6中的所述未取代或取代的C6-C20芳族烃基是可以含有C1-C6直链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基的蒽基。
4.根据权利要求3所述的化合物，其中所述蒽基是9-蒽基。
5.一种聚合物，所述聚合物包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元：
Figure FSA00000037320700012
其中R1表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基，R2和R3各自独立地表示氢原子或C1-C4直链或支链烷基，R4表示C1-C8二价烃基，R5表示单键，C1-C4二价烃基或羰基，并且R6表示未取代或取代的C6-C20芳族烃基。
6.根据权利要求5所述的聚合物，其中R6中的所述未取代或取代的C6-C20芳族烃基是苯基、萘基、蒽基或菲基，并且所述苯基、所述萘基、所述蒽基和所述菲基可以含有C1-C6直链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基。
7.根据权利要求5所述的聚合物，其中所述聚合物还包含衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元。
8.根据权利要求7所述的聚合物，其中所述衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯的结构单元是由式(II)表示的结构单元：
其中R41表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基，R42，R43，R44，R45和R46各自独立地表示氢原子，羟基或C1-C4直链或支链烷基，条件是R42至R46中的1至3个基团是羟基，并且R42至R46中的0至2个基团是C1-C4直链或支链烷基。
9.根据权利要求5或7中任何一项所述的聚合物，其中所述聚合物还包含：在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元。
10.根据权利要求9所述的聚合物，其中所述在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元是由式(III)表示的结构单元：
Figure FSA00000037320700031
其中R47表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基，并且R48表示由下式表示的基团：
Figure FSA00000037320700032
R50，R51和R52各自独立地表示C1-C6烷基或C3-C12脂环族烃基，并且R51和R52可以结合以形成可以被取代的C3-C20环状烃基。
11.根据权利要求7或9所述的聚合物，其中所述由式(I)表示的结构单元的含量是0.1至50摩尔/100摩尔的所有结构单元。
12.一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物包含根据权利要求5至11中任何一项的聚合物、至少一种酸生成剂和至少一种溶剂。
13.根据权利要求12所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中至少一种酸生成剂包含含有磺酰基的重氮甲烷化合物。
14.根据权利要求12所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中所述化学放大型正性抗蚀剂组合物还包含碱性含氮有机化合物。
CN2010101276449A 2009-03-11 2010-03-09 化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物 Pending CN101891612A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-057784 2009-03-11
JP2009057784 2009-03-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101891612A true CN101891612A (zh) 2010-11-24

Family

ID=42731000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101276449A Pending CN101891612A (zh) 2009-03-11 2010-03-09 化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8808960B2 (zh)
JP (1) JP5557559B2 (zh)
KR (1) KR101786877B1 (zh)
CN (1) CN101891612A (zh)
TW (1) TWI490199B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104541203A (zh) * 2012-07-10 2015-04-22 株式会社微处理 感光性树脂组合物、感光性干膜、图案形成方法、印刷布线板及其制造方法
CN108003290A (zh) * 2016-10-31 2018-05-08 固安鼎材科技有限公司 一种碱溶性树脂聚合物、其制备方法和感光性树脂组合物及它们的应用

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5337576B2 (ja) * 2008-10-07 2013-11-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR20140131609A (ko) 2013-05-02 2014-11-14 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치
TWI662370B (zh) * 2015-11-30 2019-06-11 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用之塗料組合物
US10189188B2 (en) * 2016-05-20 2019-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Nanoimprint lithography adhesion layer
JP7377848B2 (ja) * 2020-12-31 2023-11-10 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー フォトレジスト組成物及びパターン形成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5587274A (en) * 1992-06-19 1996-12-24 Nippon Paint Co., Ltd. Resist composition
US5759739A (en) * 1993-04-15 1998-06-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition with polymeric dissolution inhibitor and alkali soluble resin

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5919599A (en) * 1997-09-30 1999-07-06 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet
JP2001154359A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト積層物
JP4034538B2 (ja) * 2000-10-31 2008-01-16 株式会社東芝 フォトレジスト用高分子化合物、単量体化合物、感光性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法
TW538316B (en) * 2001-01-19 2003-06-21 Sumitomo Chemical Co Chemical amplifying type positive resist composition
DE60234409D1 (de) * 2001-06-29 2009-12-31 Jsr Corp Säuregenerator, Sulfonsäure, Sulfonsäurederivate und strahlungsempfindliche Zusammensetzung
JP4881566B2 (ja) * 2005-03-10 2012-02-22 丸善石油化学株式会社 ポジ型感光性樹脂、その製造方法及びポジ型感光性樹脂を含むレジスト組成物
JP4205078B2 (ja) 2005-05-26 2009-01-07 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR101298940B1 (ko) * 2005-08-23 2013-08-22 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조방법
JP4590332B2 (ja) * 2005-09-22 2010-12-01 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2007256786A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Kyocera Corp カメラモジュールとそのカメラモジュールを備えた携帯端末
JP5028937B2 (ja) * 2006-10-04 2012-09-19 川崎化成工業株式会社 新規なアントラセン化合物、その製造方法およびその用途
US7592118B2 (en) * 2007-03-27 2009-09-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP5046965B2 (ja) 2007-03-27 2012-10-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5039424B2 (ja) 2007-04-24 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4905250B2 (ja) * 2007-05-18 2012-03-28 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4856032B2 (ja) 2007-09-21 2012-01-18 株式会社東芝 酸エッチング耐性材料、およびこれを用いた発光素子の製造方法
JP5046834B2 (ja) 2007-09-28 2012-10-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5587274A (en) * 1992-06-19 1996-12-24 Nippon Paint Co., Ltd. Resist composition
US5759739A (en) * 1993-04-15 1998-06-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition with polymeric dissolution inhibitor and alkali soluble resin

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104541203A (zh) * 2012-07-10 2015-04-22 株式会社微处理 感光性树脂组合物、感光性干膜、图案形成方法、印刷布线板及其制造方法
CN104541203B (zh) * 2012-07-10 2021-06-08 株式会社微处理 感光性树脂组合物、感光性干膜、图案形成方法、印刷布线板及其制造方法
CN108003290A (zh) * 2016-10-31 2018-05-08 固安鼎材科技有限公司 一种碱溶性树脂聚合物、其制备方法和感光性树脂组合物及它们的应用
CN108003290B (zh) * 2016-10-31 2021-03-05 固安鼎材科技有限公司 一种碱溶性树脂聚合物、其制备方法和感光性树脂组合物及它们的应用

Also Published As

Publication number Publication date
TW201035042A (en) 2010-10-01
JP5557559B2 (ja) 2014-07-23
US20100233628A1 (en) 2010-09-16
US8808960B2 (en) 2014-08-19
TWI490199B (zh) 2015-07-01
KR20100102544A (ko) 2010-09-24
JP2010235925A (ja) 2010-10-21
KR101786877B1 (ko) 2017-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101125823B (zh) 适合于酸生成剂的盐以及含有该盐的化学放大型正性抗蚀剂组合物
CN101086620B (zh) 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型正性抗蚀剂组合物
CN1821875B (zh) 一种适合于酸产生剂的盐及含有它的化学放大型抗蚀剂组合物
CN101121679A (zh) 适合于酸生成剂的盐以及含有该盐的化学放大型正性抗蚀剂组合物
TWI381246B (zh) 適用於酸產生劑的鹽及含有該鹽之化學增幅型阻劑組成物
CN1955844B (zh) 适合于酸生成剂的盐和含有其的化学放大型抗蚀剂组合物
CN101891612A (zh) 化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物
CN101206405B (zh) 化学放大型抗蚀剂组合物
CN1971421B (zh) 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物
CN1955845B (zh) 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物
CN101585896A (zh) 聚合物和含有该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物
KR100960252B1 (ko) 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 그 제조 방법, 그리고 산발생제
CN101898987A (zh) 盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物
CN101196687A (zh) 化学放大型抗蚀剂组合物
CN101130510A (zh) 适合于酸生成剂的盐以及含有该盐的化学放大型正性抗蚀剂组合物
CN101955476A (zh) 盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物
CN102146064A (zh) 盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物
CN102167677A (zh) 盐和含有该盐的光致抗蚀剂组合物
CN101967116A (zh) 化学增幅型抗蚀剂组合物及其所使用的盐
CN101928369A (zh) 树脂和抗蚀剂组合物
CN101899027A (zh) 盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物
JP2008074843A (ja) 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
CN101921219A (zh) 盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物
CN102167676A (zh) 盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物
CN101955453A (zh) 盐及包含该盐的光致抗蚀剂组合物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20101124