CN101837348A - 一种将硅与杂质进行分离的方法 - Google Patents

一种将硅与杂质进行分离的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101837348A
CN101837348A CN201010158893A CN201010158893A CN101837348A CN 101837348 A CN101837348 A CN 101837348A CN 201010158893 A CN201010158893 A CN 201010158893A CN 201010158893 A CN201010158893 A CN 201010158893A CN 101837348 A CN101837348 A CN 101837348A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
impurity
separated
slag former
slag
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201010158893A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101837348B (zh
Inventor
丁俊
尚召华
何亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Sunways LDK Solar Polysilicon Co., Ltd.
Original Assignee
LDK Solar Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LDK Solar Co Ltd filed Critical LDK Solar Co Ltd
Priority to CN2010101588934A priority Critical patent/CN101837348B/zh
Publication of CN101837348A publication Critical patent/CN101837348A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101837348B publication Critical patent/CN101837348B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明涉及光伏或半导体领域中一种将硅和杂质进行分离的方法,采用造渣、扒渣的方法来分离硅中的碳化硅或氮化硅杂质,其操作步骤为:将混有杂质的硅料加热至硅液状态;向混有杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂与杂质反应;造渣剂与杂质反应后形成的反应物和残留的各种杂质分布在上层形成渣层,硅液分布在下层,对位于硅液上层的渣层进行扒渣,使得渣层与硅液分开,完成硅与杂质的分离;本发明能够实现硅与碳化硅或氮化硅杂质的分离,分离得到的硅料可以作为光伏电池的原材料进行再利用,同时本发明适用于批量处理,降低了分离硅中的杂质所需的处理周期。

Description

一种将硅与杂质进行分离的方法
技术领域
[0001] 本发明涉及光伏或半导体领域中的一种将硅和杂质进行分离的方法,分离后得到的硅料可以作为光伏电池的原材料进行再利用。
背景技术
[0002] 在半导体及光伏加工中会产生大量含有碳化硅或氮化硅杂质的硅料,将硅料与碳 化硅或氮化硅杂质分离开来,使其可作为光伏电池的原材料。由于现有处理技术的原因,导 致大量含有碳化硅或氮化硅杂质的硅料难以应用,造成了极大的浪费。
[0003] 现有技术已有较多采用泡沫浮选、重力浮选、离心分离等方法来分离硅料与碳化 硅的报道,分离后得到的硅料由于除杂不够彻底一般难以直接作为光伏电池的原材料再次 利用,且较多报道的方法污染隐患较严重,环保后续处理工作量巨大,且硅粉回收率较低。
[0004] 也有现有技术去除硅中的碳化硅和氮化硅杂质的报道,例如:第310卷第15期 2008 年 7 月的晶体生长学ί艮ί艮道的 “A novel approach for recycling of kerf loss silicon fromcutting slurry waste for solar cell applications ^^M^C^WWllM 浆料中的硅锯屑作为制作太阳能电池的应用”文章中就涉及采用高温熔融过滤法来去除硅 中的碳化硅和氮化硅,虽然在一定程度上能够去除硅中的碳化硅和氮化硅杂质,但颗粒小 于10 μ m的碳化硅仍然难以去除,且该方法由于操作条件较苛刻,分离成本高,不易于进行 批量处理。
[0005] 造渣是炼钢领域中常规的一种处理过程,具体如下:由造渣剂与杂质反应后形成 的反应物和残留的各种杂质分布在上层进入渣层,熔化的钢液分布在下层,对位于钢液上 层的渣层进行扒渣,完成钢液与杂质的分离。
[0006] 但在太阳能光伏领域对硅与杂质的分离很少采用类似炼钢领域中的造渣工序。 发明内容
[0007] 本发明所要解决的技术问题是提供一种将硅和杂质进行分离的方法,采用造渣、 扒渣的方法来分离硅中的碳化硅或氮化硅杂质,分离后得到的硅料可以作为光伏电池的原 材料进行再利用。
[0008] 本发明的技术方案为:
[0009] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:
[0010] (1)将混有杂质的硅料加热至硅液状态;
[0011] (2)向混有杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂与杂质反应;
[0012] (3)硅液扒渣,完成硅与杂质的分离。
[0013] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:
[0014] (1)将混有杂质的硅料加热至硅液状态;
[0015] (2)向混有杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂与杂质反应;
[0016] (3)造渣剂与杂质反应后形成的反应物和残留的各种杂质分布在上层形成渣层,硅液分布在下层,对位于硅液上层的渣层进行扒渣,使得渣层与硅液分开,完成硅与杂质的 分离。
[0017] 通常渣层的熔化温度高于硅的熔化温度,当渣层和硅液共同形成的整个体系的温度维系在1410-2000°C,渣层通常主要以固体形式存在,硅液以液体形式存在,这样的状态 便于用扒渣工具对渣层进行扒渣,使得渣层与硅液容易分开,同时完成硅与杂质的分离的。
[0018] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:
[0019] (1)将混有杂质的硅料置于加热设备中;
[0020] (2)将混有杂质的硅料加热至硅液状态;
[0021] (3)向混有杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂与杂质反应;
[0022] (4)硅液扒渣,完成硅与杂质的分离。
[0023] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:扒渣后增加定向凝固、去硅锭头部步骤。
[0024] 增加定向凝固、去硅锭头部步骤是为了去除硅料中的金属杂质,因为由于造渣剂 中引入了金属元素的原因,有可能会导致分离后得到的硅料中的金属杂质含量偏高,由于 金属杂质与硅的分凝系数不同,在经过定向凝固后,硅料凝固成硅锭,金属杂质会向硅锭头 部聚集,经过去除硅锭头部后,可以得到降低了金属杂质含量的硅料。
[0025] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的杂质是碳化硅。
[0026] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的杂质是氮化硅。
[0027] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:加热的温度范围在1410-2000°C。
[0028] 本发明的加热方式是不受限制的,可以是电阻加热、微波加热、红外加热、感应加 热或其他具有加热功能性质方式中的任意一种。
[0029] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂是碱性造渣剂。
[0030] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质反应的时间为 2-300分钟。
[0031] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的混有杂质的硅料来源于太阳能领 域或半导体领域的硅片加工中产生的废弃物。
[0032] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的碱性造渣剂可以是SiO2与碱金属 氧化物的混合物。
[0033] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的碱金属氧化物可以是Ca0、Mg0、 Ba0、Na20、K20的任意一种或几种的混合物。碱金属氧化物与碳化硅或氮化硅杂质反应生成 硅酸盐,生成的硅酸盐都聚集在硅液上层的渣中;同时没有反应完全的碳化硅或氮化硅也 与熔渣具有良好的润湿性,都被包覆在熔渣中。
[0034] 一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:还可以加入助熔剂,所述的助熔剂为 Al2O3^CaF2, CaCl2, NaCl中的任意一种或几种的混合。助熔剂可以在加热时起助熔作用。
[0035] 造渣剂按重量百分比为:10% -40% SiO2 : 40% -80%碱金属氧化物,0% -30% 助熔剂。
[0036] 本发明与现有技术的实施效果比较
[0037]
[0038] 造渣剂选用重量百分比例为30% SiO2 : 50% CaO : 20% Al2O3为本发明的优选 方案,采用该配比的造渣剂进行分离可以得到除碳化硅或氮化硅较完全的硅料,完全观察 不到碳化硅或氮化硅的存在,分离效果佳。
[0039] 本发明的工作原理:碳化硅与氮化硅十分稳定,常温下很难与各种酸、碱及混合酸 反应,所以在常温下很难实现硅与碳化硅或氮化硅的分离,但碳化硅与氮化硅在硅熔融状 态下能够与碱迅速反应生成硅酸盐,本发明利用这一原理,将混有碳化硅或氮化硅杂质的 硅料加热至硅液状态,加入碱性造渣剂与碳化硅与氮化硅进行反应,生成的硅酸盐都聚集 在硅液上层的渣中;同时没有反应完全的碳化硅或氮化硅也与熔渣具有良好的润湿性,都 被包覆在熔渣中,扒出熔渣,实现硅与碳化硅或氮化硅的完全分离。
[0040] 本发明的优点:本发明能够实现硅与碳化硅或氮化硅杂质的分离,分离得到的硅 料可以作为光伏电池的原材料进行再利用,同时本发明适用于批量处理,降低了分离硅中 的杂质所需的处理周期。具体实施方式
[0041] 实施例1、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:
[0042] (1)将混有杂质的硅料加热至硅液状态;
[0043] (2)向混有杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂与杂质反应;
[0044] (3)硅液扒渣,完成硅与杂质的分离。
[0045] 实施例2、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:
[0046] (1)将混有杂质的硅料加热至硅液状态;
[0047] (2)向混有杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂与杂质反应;
[0048] (3)造渣剂与杂质反应后形成的反应物和残留的各种杂质分布在上层形成渣层, 硅液分布在下层,对位于硅液上层的渣层进行扒渣,使得渣层与硅液分开,完成硅与杂质的 分离。
[0049] 实施例3、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:扒渣后增加定向凝固、去硅锭 头部步骤。其余同实施例1或实施例2。
[0050] 实施例4、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的杂质是碳化硅。其余同 实施例1、实施例2或实施例3。
[0051] 实施例5、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的杂质是氮化硅。其余同 实施例1、实施例2或实施例3。
[0052] 实施例6、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:加热的温度为1410°C。其余同 实施例1-实施例5中的任意一个实施例。
[0053] 实施例7、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:加热的温度为1450°C。其余同 实施例1-实施例5中的任意一个实施例。
[0054] 实施例8、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:加热的温度为1500°C。其余同 实施例1-实施例5中的任意一个实施例。
[0055] 实施例9、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:加热的温度为1600°C。其余同 实施例1-实施例5中的任意一个实施例。
[0056] 实施例10、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:加热的温度为1700°C。其余同 实施例1-实施例5中的任意一个实施例。
[0057] 实施例11、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:加热的温度为1800°C。其余同 实施例1-实施例5中的任意一个实施例。
[0058] 实施例12、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:加热的温度为1900°C。其余同 实施例1-实施例5中的任意一个实施例。
[0059] 实施例13、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:加热的温度为2000°C。其余同 实施例1-实施例5中的任意一个实施例。
[0060] 实施例14、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂是碱性造渣剂。 其余同实施例1、实施例2或实施例3。
[0061] 实施例15、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为2分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0062] 实施例16、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应时间为5分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0063] 实施例17、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为8分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0064] 实施例18、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为10分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0065] 实施例19、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为20分钟 。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0066] 实施例20、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为40分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0067] 实施例21、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为60分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0068] 实施例22、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为80分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0069] 实施例23、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为100分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0070] 实施例24、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为150分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0071] 实施例25、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为200分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0072] 实施例26、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为250分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0073] 实施例27、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂与杂质的反应 时间为300分钟。其余同实施例1-实施例14中的任意一种实施例。
[0074] 实施例28、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的混有杂质的硅料来源 于太阳能领域或半导体领域的硅片加工中产生的废弃物。其余同实施例1、实施例2或实施 例3。
[0075] 实施例29、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的造渣剂是SiO2与碱金 属氧化物的混合物。其余同实施例1-实施例28中的任意一种实施例。
[0076] 实施例30、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的碱金属氧化物是CaO。 其余同实施例1-实施例28中的任意一种实施例。
[0077] 实施例31、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的碱金属氧化物是MgO。 其余同实施例1-实施例28中的任意一种实施例。
[0078] 实施例32、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的碱金属氧化物是BaO。 其余同实施例1-实施例28中的任意一种实施例。
[0079] 实施例33、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:所述的碱金属氧化物是Na20。 其余同实施例1-实施例28中的任意一种实施例。
[0080] 实施例34、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:造渣剂按重量百分比为 10% -40% SiO2 : 40%-80%碱金属氧化物。其余同实施例1-实施例33中的任意一种实 施例。[0081] 实施例35、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:还可以在造渣剂中加入重量百分比为0%-30% Al2O315其余同实施例34。
[0082] 实施例36、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:还可以在造渣剂中加入重量 百分比为0%-30% CaF2。其余同实施例34。
[0083] 实施例37、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:还可以在造渣剂中加入重量 百分比为0%-30% CaCl2。其余同实施例34。
[0084] 实施例38、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:还可以在造渣剂中加入重量 百分比为0%-30% NaCl。其余同实施例34。
[0085] 实施例39、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:还可以在造渣剂中加入重量 百分比为20% Al203+NaCl。其余同实施例34。
[0086] 实施例40、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:
[0087] (1)将混有碳化硅杂质的硅料置于加热设备中;
[0088] (2)将混有碳化硅杂质的硅料加热至1450°C ;
[0089] (3)向混有碳化硅杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂的成分为20% SiO2 : 70% CaO, 20% CaF2,造渣剂与碳化硅杂质反应;
[0090] (4)硅液扒渣,完成硅与碳化硅杂质的分离。
[0091] 实施例41、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:
[0092] (1)将混有碳化硅杂质的硅料置于加热设备中;
[0093] (2)将混有碳化硅杂质的硅料加热至1500°C ;
[0094] (3)向混有碳化硅杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂的成分为25% SiO2 : 50% CaO : 25% Al2O3,造渣剂与碳化硅杂质反应;
[0095] (4)造渣剂与碳化硅杂质反应后形成的反应物和残留的碳化硅杂质分布在上层形 成渣层,硅液分布在下层,对位于硅液上层的渣层进行扒渣,使得渣层与硅液分开,完成硅 与碳化硅杂质的分离。
[0096] 实施例42、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:
[0097] (1)将混有氮化硅杂质的硅料置于加热设备中;
[0098] (2)将混有氮化硅杂质的硅料加热至1700°C ;
[0099] (3)向混有氮化硅杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂的成分为30% SiO2 : 50% CaO : 20% Al2O3,造渣剂与氮化硅杂质反应;
[0100] (4)硅液扒渣,完成硅与氮化硅杂质的分离。
[0101] 实施例43、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:
[0102] (1)将混有氮化硅杂质的硅料置于加热设备中;
[0103] (2)将混有氮化硅杂质的硅料加热至1800°C ;
[0104] (3)向混有氮化硅杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂的成分为30% SiO2 : 70% MgO,造渣剂与氮化硅杂质反应;
[0105] (4)造渣剂与氮化硅杂质反应后形成的反应物和残留的氮化硅杂质分布在上层形 成渣层,硅液分布在下层,对位于硅液上层的渣层进行扒渣,使得渣层与硅液分开,完成硅 与氮化硅杂质的分离。
[0106] 实施例44、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:[0107] (1)将混有碳化硅、氮化硅杂质的硅料置于加热设备中;
[0108] (2)将混有碳化硅、氮化硅杂质的硅料加热至1900°C ;
[0109] (3)向混有碳化硅、氮化硅杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂的成分为25% SiO2 : 65% BaO,10% CaF2,造渣剂与碳化硅、氮化硅杂质反应;
[0110] (4)造渣剂与碳化硅、氮化硅杂质反应后形成的反应物和残留的碳化硅、氮化硅杂 质分布在上层形成渣层,硅液分布在下层,对位于硅液上层的渣层进行扒渣,使得渣层与硅 液分开,完成硅与碳化硅、氮化硅杂质的分离。
[0111] 实施例45、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:其操作步骤为:
[0112] (1)将混有碳化硅、氮化硅杂质的硅料置于加热设备中;
[0113] (2)将混有碳化硅、氮化硅杂质的硅料加热至2000°C ;
[0114] (3)向混有碳化硅、氮化硅杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂的成分为10% SiO2 : 80% Na2O : 10% Al2O3,造渣剂与碳化硅、氮化硅杂质反应;
[0115] (4)造渣剂与碳化硅、氮化硅杂质反应后形成的反应物和残留的碳化硅、氮化硅杂 质分布在上层形成渣层,硅液分布在下层,对位于硅液上层的渣层进行扒渣,使得渣层与硅 液分开,完成硅与碳化硅、氮化硅杂质的分离。
[0116] 实施例46、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:造渣剂的成分为25% SiO2 : 50% CaO : 25% CaF20其余同实施例40-45中的任意一种实施例。
[0117] 实施例47、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:造渣剂的成分为25% SiO2 : 60% Na2O : 15% CaF20其余同实施例40-45中的任意一种实施例。
[0118] 实施例48、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:造渣剂的成分为10% SiO2 : 70% BaO : 20% CaCl20其余同实施例40-45中的任意一种实施例。
[0119] 实施例49、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:造渣剂的成分为40% SiO2 : 55% MgO : 5% NaCl0其余同实施例40-45中的任意一种实施例。
[0120] 实施例50、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:造渣剂的成分为35% SiO2 : 60% K2O : 5% NaClo其余同实施例40-45中的任意一种实施例。
[0121] 实施例51、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:扒渣后增加定向凝固、去硅锭 头部步骤。其余同实施例40-50中的任意一种实施例。
[0122] 实施例52、一种将硅与杂质进行分离的方法,其中:将经过扒渣后得到的硅料置 于定向凝固设备中进行定向凝固得到硅锭,去除硅锭头部即得到高纯度硅料。其余同实施 例40-50中的任意一种实施例。

Claims (12)

  1. 一种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:其操作步骤为:(1)将混有杂质的硅料加热至硅液状态;(2)向混有杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂与杂质反应;(3)硅液扒渣,完成硅与杂质的分离。
  2. 2. —种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:其操作步骤为:(1)将混有杂质的硅料加热至硅液状态;(2)向混有杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂与杂质反应;(3)造渣剂与杂质反应后形成的反应物和残留的各种杂质分布在上层形成渣层,硅液 分布在下层,对位于硅液上层的渣层进行扒渣,使得渣层与硅液分开,完成硅与杂质的分罔。
  3. 3. —种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:其操作步骤为:(1)将混有杂质的硅料置于加热设备中;(2)将混有杂质的硅料加热至硅液状态;(3)向混有杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂与杂质反应;(4)硅液扒渣,完成硅与杂质的分离。
  4. 4.如权利要求1或2或3所述的一种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:扒渣 后增加定向凝固、去硅锭头部步骤。
  5. 5.如权利要求1或2或3所述的一种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:所述 的杂质是碳化硅。
  6. 6.如权利要求1或2或3所述的一种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:所述 的杂质是氮化硅。
  7. 7.如权利要求1或2或3所述的一种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:加热 的温度范围在1410-2000°C。
  8. 8.如权利要求1或2或3所述的一种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:所述 的造渣剂是碱性造渣剂。
  9. 9.如权利要求1或2或3所述的一种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:所述 的造渣剂与杂质反应的时间为2-300分钟。
  10. 10.如权利要求1或2或3所述的一种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:所述 的混有杂质的硅料来源于太阳能领域或半导体领域的硅片加工中产生的废弃物。
  11. 11.如权利要求8所述的一种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:所述的碱性造 渣剂可以是SiO2与碱金属氧化物的混合物。
  12. 12.如权利要求11所述的一种将硅与杂质进行分离的方法,其特征在于:所述的碱金 属氧化物可以是CaO、MgO、BaO, Na2O, K2O的任意一种或几种的混合物。
CN2010101588934A 2010-04-28 2010-04-28 一种将硅与杂质进行分离的方法 Expired - Fee Related CN101837348B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101588934A CN101837348B (zh) 2010-04-28 2010-04-28 一种将硅与杂质进行分离的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101588934A CN101837348B (zh) 2010-04-28 2010-04-28 一种将硅与杂质进行分离的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101837348A true CN101837348A (zh) 2010-09-22
CN101837348B CN101837348B (zh) 2013-01-09

Family

ID=42741159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101588934A Expired - Fee Related CN101837348B (zh) 2010-04-28 2010-04-28 一种将硅与杂质进行分离的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101837348B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102267699A (zh) * 2011-06-17 2011-12-07 福建省上杭县九洲硅业有限公司 一种基于氧化物高温固相反应的金属硅提纯方法
CN104445113A (zh) * 2014-12-08 2015-03-25 四川有峰环保科技有限公司 一种基于电炉的黄磷或磷酸的生产方法及原料
CN105926037A (zh) * 2016-06-08 2016-09-07 大工(青岛)新能源材料技术研究院有限公司 去除多晶硅中硬质点不溶物的方法
CN107523861A (zh) * 2017-08-10 2017-12-29 镇江仁德新能源科技有限公司 一种在定向凝固过程中抓取杂质的方法
CN107574478A (zh) * 2017-09-15 2018-01-12 晶科能源有限公司 一种硅料小料的处理方法
CN109052409A (zh) * 2018-10-19 2018-12-21 东北大学 一种感应熔炼高硅废料制备高纯硅/硅合金的方法
CN109052407A (zh) * 2018-08-22 2018-12-21 昆明理工大学 一种硅切割废料的回收与提纯方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007112592A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-11 6N Silicon Inc. Method for purifying silicon
JP2008290897A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Nippon Steel Corp シリコン回収方法及びシリコン回収装置
CN101532091A (zh) * 2009-04-17 2009-09-16 深圳市中金岭南有色金属股份有限公司韶关冶炼厂 从铅冶炼转炉渣中提取分离铅铟锑铜锡有价金属的工艺
CN101671025A (zh) * 2009-09-30 2010-03-17 靳瑞敏 一种生产p型太阳能电池用多晶硅的工艺

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007112592A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-11 6N Silicon Inc. Method for purifying silicon
JP2008290897A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Nippon Steel Corp シリコン回収方法及びシリコン回収装置
CN101532091A (zh) * 2009-04-17 2009-09-16 深圳市中金岭南有色金属股份有限公司韶关冶炼厂 从铅冶炼转炉渣中提取分离铅铟锑铜锡有价金属的工艺
CN101671025A (zh) * 2009-09-30 2010-03-17 靳瑞敏 一种生产p型太阳能电池用多晶硅的工艺

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102267699A (zh) * 2011-06-17 2011-12-07 福建省上杭县九洲硅业有限公司 一种基于氧化物高温固相反应的金属硅提纯方法
CN102267699B (zh) * 2011-06-17 2014-07-23 福建省上杭县九洲硅业有限公司 一种基于氧化物高温固相反应的金属硅提纯方法
CN104445113A (zh) * 2014-12-08 2015-03-25 四川有峰环保科技有限公司 一种基于电炉的黄磷或磷酸的生产方法及原料
CN105926037A (zh) * 2016-06-08 2016-09-07 大工(青岛)新能源材料技术研究院有限公司 去除多晶硅中硬质点不溶物的方法
CN107523861A (zh) * 2017-08-10 2017-12-29 镇江仁德新能源科技有限公司 一种在定向凝固过程中抓取杂质的方法
CN107574478A (zh) * 2017-09-15 2018-01-12 晶科能源有限公司 一种硅料小料的处理方法
CN109052407A (zh) * 2018-08-22 2018-12-21 昆明理工大学 一种硅切割废料的回收与提纯方法
CN109052409A (zh) * 2018-10-19 2018-12-21 东北大学 一种感应熔炼高硅废料制备高纯硅/硅合金的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101837348B (zh) 2013-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101837348B (zh) 一种将硅与杂质进行分离的方法
CN105523557B (zh) 一种晶体硅金刚石线切割废料浆回收再利用的方法
CN1926062B (zh) 从硅中除去硼的方法
CN101792142A (zh) 从切割废砂浆中回收多晶硅锭、碳化硅粉和聚乙二醇的方法
CN101555013A (zh) 一种工业硅的精炼提纯方法
CN102229430B (zh) 一种冶金法制备太阳能多晶硅的技术方法
CN102442826B (zh) 一种以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷及其制造方法
CN101920960B (zh) 冶金法制备太阳能级多晶硅的方法及该方法制备的多晶硅
CN106185948B (zh) 一种工业硅造渣除磷工艺
CN102351184A (zh) 从硅料线切割废砂浆中回收碳化硅、高纯硅和分散液的方法
CN102807220B (zh) 一种硅的提纯方法
CN102795772A (zh) 一种利用高岭土型煤矸石或粉煤灰及电石渣制备微晶玻璃的方法
Guo et al. An overview of the comprehensive utilization of silicon-based solid waste related to PV industry
CN108059167A (zh) 切割硅粉渣制备高纯硅的方法及装置
CN109704343A (zh) 一种混合料、熔化方法、金属硅及其回收方法
CN109292779A (zh) 一种用高硅废料造渣精炼生产高纯硅/硅合金的方法
US20130001816A1 (en) Method for recovering silicon and method for producing silicon
CN102219220B (zh) 一种合金法从废浆料中回收Si和SiC的方法
CN110963493B (zh) 晶体硅切割废料制备超冶金级硅的方法
CN102746936A (zh) 硅片切割废液中碳化硅粉体回收提纯方法
CN101712474A (zh) 采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法
CN103526049A (zh) 一种火法冶炼锑除砷的方法
CN103570023B (zh) 一种工业硅造渣除硼的方法
CN103342363A (zh) 多晶硅介质熔炼时便于硅渣分离的造渣剂及其使用方法
CN111961874A (zh) 一种用于火法铝灰提铝的分离剂及其制备和使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JIANGXI SAIWEI LDK SOLAR POLYSILICON CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: LDK SOLAR CO., LTD.

Effective date: 20110510

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 338000 PATENT OFFICE OF SAIWEI INDUSTRIAL PARK, HIGH-TECH. ECONOMIC DEVELOPMENT ZONE, XINYU CITY, JIANGXI PROVINCE TO: 338000 JIANGXI SAIWEI LDK SOLAR POLYSILICON CO., LTD. (MAHONG BASE), XINYU CITY, JIANGXI PROVINCE

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20110510

Address after: 338000 Jiangxi Xinyu LDK LDK solar polysilicon Co., Ltd. (Ma Hong base), Jiangxi, China

Applicant after: Jiangxi Sunways LDK Solar Polysilicon Co., Ltd.

Address before: 338000 Xinyu high tech Economic Development Zone, LDK Industrial Park, patent office, Jiangxi

Applicant before: LDK Solar Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130109

Termination date: 20190428

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee