CN109052407A - 一种硅切割废料的回收与提纯方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 159
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 157
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 157
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000002699 waste material Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000746 purification Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004064 recycling Methods 0.000 title claims abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 239000002893 slag Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007670 refining Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000011017 operating method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 101100136092 Drosophila melanogaster peng gene Proteins 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 239000004484 Briquette Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003837 high-temperature calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005453 pelletization Methods 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
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Abstract
本发明涉及一种硅切割废料的回收与提纯方法,属于硅材料的二次资源循环利用的技术领域。本发明将硅锭切割过程产生的硅废浆料进行固液分离并烘干得到固态硅废料;将CaO、SiO2、助熔剂混合均匀得到造渣剂;将造渣剂与固态硅废料混合均匀,并置于中频感应炉中,抽真空然后通入氩气,在氩气氛围条件下加热至温度为1450~1700℃,恒温熔炼0.5~4h,随炉冷却得到熔块;采用金刚石线切割法将熔块的硅渣分离即得高纯硅。本发明利用全火法流程对硅切割废料进行感应炉造渣精炼处理,将分离与提纯放在同一个操作步骤中,实现了硅锭切割过程中含硅废料的综合回收与提纯处理,具有生产能力大、综合回收率高的特点,变废为宝,可降低太阳能发电成本,有利于太阳能技术的推广。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅切割废料的回收与提纯方法,属于硅材料的二次资源循环利用的技术领域。
背景技术
进入21世纪以来,能源短缺与环境恶化已日趋成为各国需要面对的问题。太阳能作为一种可再生能源,由于其清洁、高效、可靠,得到了人们的青睐,成为解决上述问题的利器,发展前景良好。但是就目前来看,光伏产业中的太阳能发电成本还是很高的,究其原因是因为多晶硅作为光伏产业的基础原料,不仅价格昂贵而且在短期内具有不可替代性。
晶体硅太阳能电池的制备步骤中最主要的是硅片的制备,硅片制备中很重要的一点是使用多线切割机对巨型的硅块进行砂浆切割。但是我们需要注意到的是,由于切割丝的直径和硅片的厚度相差不大,所以会使40%甚至50%的高纯硅以粉末的形式进入到切割废料浆中而损失。这些废浆料大量堆积,不仅容易引起一定的安全和环境问题,并且对土壤、空气和水资源造成污染,而且还是间接造成太阳能发电成本高昂的原因之一,不利于太阳能技术的推广。
造渣精炼来源于炼钢工艺中的一种使钢液杂质降低的方法。通过向待提纯金属液中加入造渣剂,在一定的搅拌条件下让杂质在渣相中富集,从而提高金属液的纯度。使用中频感应炉时,当螺旋线圈通入交流电后,螺旋线圈所包围的面积内的导电物体会产生感应电势进而产生感应电流,会使导电物体的自由电子在运动时克服导体的电阻而做功,使一部分电能转换成热能。由于硅在常温下是半导体,不能直接进行感应加热,因此首先感应加热石墨坩埚,由石墨坩埚将产生的热量通过热辐射传递给坩埚内部以硅为主体的切割废料。当切割废料被加热至600℃时,切割废料由半导体转变为导体,此时感应线圈可以直接对切割废料进行加热。同时,回路内产生的磁场对熔化后的切割废料有很好的搅拌作用,促进硅渣分离,改善物化反应的动力学条件。
对于硅切割废料的回收,已经有人做过了大量的工作。杨振国等人利用多种熔剂对硅切削废料进行清洗,再使用电炉在非氧化性气氛下高温煅烧3~5小时,可以得到硅中杂质小于1ppm的高纯硅(公开号CN102815704A);刘瑞鸿等人利用磁选法除铁后,用水或乙醇为降粘剂处理切割废料,固液分离后将固体进行提纯,可以得到高纯硅(公开号CN106744979A);邢鹏飞等人先对切割废料进行酸洗净化除杂,净化后得到切割废料粉体。然后,将上述粉体中配入适量的水与粘结剂并压块成型,烘干后得到干燥的块体。最后,将上述块体进行定向凝固处理,待硅锭冷却后,切去两端,剩余的中间部分即为符合纯度要求的晶体硅铸锭(公开号CN107747119A);邢鹏飞等人稍早前还提出,对切割废料进行酸洗除杂后再进行高温真空处理,配入二氧化硅粉料,加入粘结剂,混合均匀后压制成球团并烘干,放入矿热炉或电弧炉内,进行高温冶炼制备出纯度≥99.9wt%的高纯硅,对高纯硅再进行定向凝固,可以得到太阳能级的多晶硅产品(公开号CN103086378A);刘苏宁等人借助于硅和碳化硅两种微粒的差异,结合表面电位与pH值的关系,通过超重力分级装置使混合溶液中的硅微粉大多能处于悬浮状态,而粒度偏大的碳化硅颗粒则会快速沉淀在底层,从而实现碳化硅与硅的分离,实现硅粉的回收再利用(公开号CN107758672A);郭菁等人通过萃取分离富集的方法,可以使精制粉料中的硅纯度达到93%(公开号CN101941699A);
目前所提出来的硅切割废料的回收方法大多为半湿法半火法或者全湿法工艺。若使用全湿法工艺,在生产实践上具有生产能力低、反应速度慢、流程长、对设备腐蚀大等问题,有的方法得到的硅纯度也不高,以至于推广极慢。而若使用半湿法半火法工艺,亦会存在工艺繁琐等问题,与人们对硅切割废料有效回收的迫切需求相左。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提供一种硅切割废料的回收与提纯方法,本发明利用全火法流程对硅切割废料进行感应炉造渣精炼处理,将分离与提纯放在同一个操作步骤中,具有生产能力大、综合回收率高的特点,变废为宝,有利用降低太阳能发电成本,有利于太阳能技术的推广。
一种硅切割废料的回收与提纯方法,具体步骤为:
(1)将硅锭切割过程产生的硅废浆料进行固液分离并烘干得到固态硅废料;
(2)将CaO、SiO2、助熔剂混合均匀得到造渣剂;
(3)将步骤(2)的造渣剂与步骤(1)的固态硅废料混合均匀,并置于中频感应炉中,抽真空然后通入氩气,在氩气氛围条件下加热至温度为1450~1700℃,恒温熔炼0.5~4h,随炉冷却得到熔块;
(4)采用金刚石线切割法将步骤(3)熔块的硅渣分离即得高纯硅;
所述步骤(1)固液分离的方法为先重力沉降法进行硅废浆料的初步分离,去除上层液,再将下层浆料进行抽滤脱水处理;
所述步骤(2)CaO、SiO2、助熔剂的质量比为2:1.33:(0.5~1),CaO、SiO2、助熔剂均为分析纯,SiO2为颗粒状且粒径为10~20目;
所述步骤(2)助熔剂为氧化物、氟化物、氯化物和/或复合氟化物;
所述步骤(3)固态硅废料与造渣剂的质量比为1:(0.5~1.2);
进一步地,所述步骤(3)固态硅废料与造渣剂混合均匀后装在石墨坩埚中,再置于中频感应炉中。
本发明的有益效果:
(1)本发明利用全火法流程对硅切割废料进行感应炉造渣精炼处理,将分离与提纯放在同一个操作步骤中,实现了硅锭切割过程中含硅废料的综合回收与提纯处理,具有生产能力大、综合回收率高的特点,变废为宝,有利用降低太阳能发电成本,有利于太阳能技术的推广;
(2)本发明方法对硅切割废料的要求小,对环境无污染;
(3)本发明方法能有效地缓解硅材料短缺的问题;
(4)本发明方法回收的硅的纯度可达99.6%以上。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图;
图2为实施例1熔炼后的硅渣分布情况图;
图3为实施例1高纯硅的XRD图谱。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细说明,但本发明的保护范围并不限于所述内容。
实施例1:本实施例的硅切割废料为云南某硅厂的硅切割废料;
如图1所示,一种硅切割废料的回收与提纯方法,具体步骤为:
(1)将硅锭切割过程产生的硅废浆料进行固液分离并烘干得到固态硅废料;固态硅废料中Si的含量为88.01%,杂质的主要化学成分如表1所示;
表1 固态硅废料中杂质的主要化学成分表
(2)将16.2g CaO、10.7g SiO2、8.1g助熔剂(助熔剂为CaF2)混合均匀得到造渣剂;其中CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为CaF2)均为分析纯,SiO2为颗粒状且粒径为10~20目,CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为CaF2)的质量比为2:1.33:1;
(3)将步骤(2)的造渣剂与步骤(1)的35g固态硅废料混合均匀装入石墨坩埚中,其中固态硅废料与造渣剂的质量比为1:1,将石墨坩埚置于中频感应炉中,抽真空然后通入氩气,在氩气氛围条件下加热至温度为1450℃,恒温熔炼30min,随炉冷却得到熔块;本实施例熔炼后的硅渣分布情况图如图2所示,从图2可知,硅相集中在坩埚中部,四周被渣相包围,渣硅分离明显,非常易于分离。
(4)采用金刚石线切割法将步骤(3)熔块的硅渣分离即得高纯硅;本实施例高纯硅的纯度为99.6057%;
本实施例所得高纯硅的XRD图谱如图3所示,从图3可知,所得高纯硅纯度高,以至于无法通过X射线衍射分析探测到杂质的存在。
实施例2:本实施例的硅切割废料为云南某硅厂的硅切割废料;
如图1所示,一种硅切割废料的回收与提纯方法,具体步骤为:
(1)将硅锭切割过程产生的硅废浆料进行固液分离并烘干得到固态硅废料;固态硅废料中Si的含量为88.01%,杂质的主要化学成分如表2所示;
表2 固态硅废料中杂质的主要化学成分表
(2)将16.2g CaO、10.7g SiO2、8.1g助熔剂(助熔剂为Na2CO3)混合均匀得到造渣剂;其中CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为Na2CO3)均为分析纯,SiO2为颗粒状且粒径为10~20目,CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为Na2CO3)的质量比为2:1.33:1;
(3)将步骤(2)的造渣剂与步骤(1)的35g固态硅废料混合均匀装入石墨坩埚中,其中固态硅废料与造渣剂的质量比为1:1,将石墨坩埚置于中频感应炉中,抽真空然后通入氩气,在氩气氛围条件下加热至温度为1500℃,恒温熔炼45min,随炉冷却得到熔块;
(4)采用金刚石线切割法将步骤(3)熔块的硅渣分离即得高纯硅;本实施例高纯硅的纯度为99.7408%。
实施例3:本实施例的硅切割废料为云南某硅厂的硅切割废料;
如图1所示,一种硅切割废料的回收与提纯方法,具体步骤为:
(1)将硅锭切割过程产生的硅废浆料进行固液分离并烘干得到固态硅废料;固态硅废料中Si的含量为88.01%,杂质的主要化学成分如表3所示;
表3 固态硅废料中杂质的主要化学成分表
(2)将16.2g CaO、10.7g SiO2、8.1g助熔剂(助熔剂为Al2O3)混合均匀得到造渣剂;其中CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为Al2O3)均为分析纯,SiO2为颗粒状且粒径为10~20目,CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为Al2O3)的质量比为2:1.33:1;
(3)将步骤(2)的造渣剂与步骤(1)的35g固态硅废料混合均匀装入石墨坩埚中,其中固态硅废料与造渣剂的质量比为1:0.5,将石墨坩埚置于中频感应炉中,抽真空然后通入氩气,在氩气氛围条件下加热至温度为1550℃,恒温熔炼60min,随炉冷却得到熔块;
(4)采用金刚石线切割法将步骤(3)熔块的硅渣分离即得高纯硅;本实施例高纯硅的纯度为99.8572%。
实施例4:本实施例的硅切割废料为云南某硅厂的硅切割废料;
如图1所示,一种硅切割废料的回收与提纯方法,具体步骤为:
(1)将硅锭切割过程产生的硅废浆料进行固液分离并烘干得到固态硅废料;固态硅废料中Si的含量为88.01%,杂质的主要化学成分如表4所示;
表4 固态硅废料中杂质的主要化学成分表
(2)将16.2g CaO、10.7g SiO2、8.1g助熔剂(助熔剂为Na3AlF6)混合均匀得到造渣剂;其中CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为Na3AlF6)均为分析纯,SiO2为颗粒状且粒径为10~20目,CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为Na3AlF6)的质量比为2:1.33:1;
(3)将步骤(2)的造渣剂与步骤(1)的35g固态硅废料混合均匀装入石墨坩埚中,其中固态硅废料与造渣剂的质量比为1:1.2,将石墨坩埚置于中频感应炉中,抽真空然后通入氩气,在氩气氛围条件下加热至温度为1700℃,恒温熔炼240min,随炉冷却得到熔块;
(4)采用金刚石线切割法将步骤(3)熔块的硅渣分离即得高纯硅;本实施例高纯硅的纯度为99.6708%。
实施例5:本实施例的硅切割废料为云南某硅厂的硅切割废料;
如图1所示,一种硅切割废料的回收与提纯方法,具体步骤为:
(1)将硅锭切割过程产生的硅废浆料进行固液分离并烘干得到固态硅废料;固态硅废料中Si的含量为88.01%,杂质的主要化学成分如表5所示;
表5 固态硅废料中杂质的主要化学成分表
(2)将18.3g CaO、12.1g SiO2、4.6g助熔剂(助熔剂为Na3AlF6)混合均匀得到造渣剂;其中CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为Na3AlF6)均为分析纯,SiO2为颗粒状且粒径为10~20目,CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为Na3AlF6)的质量比为2:1.33:0.5;
(3)将步骤(2)的造渣剂与步骤(1)的35g固态硅废料混合均匀装入石墨坩埚中,其中固态硅废料与造渣剂的质量比为1:1.2,将石墨坩埚置于中频感应炉中,抽真空然后通入氩气,在氩气氛围条件下加热至温度为1700℃,恒温熔炼100min,随炉冷却得到熔块;
(4)采用金刚石线切割法将步骤(3)熔块的硅渣分离即得高纯硅;本实施例高纯硅的纯度为99.2539%。
实施例6:本实施例的硅切割废料为云南某硅厂的硅切割废料;
如图1所示,一种硅切割废料的回收与提纯方法,具体步骤为:
(1)将硅锭切割过程产生的硅废浆料进行固液分离并烘干得到固态硅废料;固态硅废料中Si的含量为88.01%,杂质的主要化学成分如表6所示;
表6 固态硅废料中杂质的主要化学成分表
(2)将16.9g CaO、11.3g SiO2、6.8g助熔剂(助熔剂为Na3AlF6)混合均匀得到造渣剂;其中CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为Na3AlF6)均为分析纯,SiO2为颗粒状且粒径为10~20目,CaO、SiO2、助熔剂(助熔剂为Na3AlF6)的质量比为2:1.33:0.8;
(3)将步骤(2)的造渣剂与步骤(1)的35g固态硅废料混合均匀装入石墨坩埚中,其中固态硅废料与造渣剂的质量比为1:1.2,将石墨坩埚置于中频感应炉中,抽真空然后通入氩气,在氩气氛围条件下加热至温度为1700℃,恒温熔炼100min,随炉冷却得到熔块;
(4)采用金刚石线切割法将步骤(3)熔块的硅渣分离即得高纯硅;本实施例高纯硅的纯度为99.5960%。
Claims (6)
1.一种硅切割废料的回收与提纯方法,其特征在于,具体步骤为:
(1)将硅锭切割过程产生的硅废浆料进行固液分离并烘干得到固态硅废料;
(2)将CaO、SiO2、助熔剂混合均匀得到造渣剂;
(3)将步骤(2)的造渣剂与步骤(1)的固态硅废料混合均匀,并置于中频感应炉中,抽真空然后通入氩气,在氩气氛围条件下加热至温度为1450~1700℃,恒温熔炼0.5~4h,随炉冷却得到熔块;
(4)采用金刚石线切割法将步骤(3)熔块的硅渣分离即得高纯硅。
2.根据权利要求1所述硅切割废料的回收与提纯方法,其特征在于:步骤(1)固液分离的方法为先重力沉降法进行硅废浆料的初步分离,去除上层液,再将下层浆料进行抽滤脱水处理。
3.根据权利要求1所述硅切割废料的回收与提纯方法,其特征在于:步骤(2)CaO、SiO2、助熔剂的质量比为2:1.33:(0.5~1),CaO、SiO2、助熔剂均为分析纯,SiO2为颗粒状且粒径为10~20目。
4.根据权利要求1所述硅切割废料的回收与提纯方法,其特征在于:步骤(2)助熔剂为氧化物、氟化物、氯化物和/或复合氟化物。
5.根据权利要求1所述硅切割废料的回收与提纯方法,其特征在于:步骤(3)固态硅废料与造渣剂的质量比为1:(0.5~1.2)。
6.根据权利要求1所述硅切割废料的回收与提纯方法,其特征在于:步骤(3)固态硅废料与造渣剂混合均匀后装在石墨坩埚中,再置于中频感应炉中。
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---|---|
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Family
ID=64686857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN201810958782.8A Pending CN109052407A (zh) | 2018-08-22 | 2018-08-22 | 一种硅切割废料的回收与提纯方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109052407A (zh) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110194456A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-03 | 宝兴易达光伏刃料有限公司 | 一种利用废弃硅泥冶炼金属硅的方法 |
CN110218874A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-09-10 | 昆明理工大学 | 一种利用金属铝同时回收硅废料中硅和含钛渣中钛的方法 |
CN110273075A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-24 | 昆明理工大学 | 利用金属铝回收晶体硅切割废料制备高硅铝硅合金的方法 |
CN110846513A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-02-28 | 刘旭 | 一种过滤及离心分离含铝硅铁等混合物并除杂提纯的方法 |
CN110963493A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-07 | 中国科学院过程工程研究所 | 晶体硅切割废料制备超冶金级硅的方法 |
WO2020192913A1 (de) | 2019-03-27 | 2020-10-01 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von technischem silicium |
WO2020192870A1 (de) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von technischem silicium |
CN111777070A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-10-16 | 昆明理工大学 | 一种金刚石线硅片切割废料高值化再生利用的方法 |
CN111807372A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-10-23 | 昆明理工大学 | 一种硅片切割废料顶吹精炼的方法 |
CN112760502A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-05-07 | 昆明理工大学 | 一种利用硅废料和锰矿制备Si-Mn合金的方法 |
CN112938983A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-06-11 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种基于晶体硅切割废料制备的再生硅及其制备方法 |
CN113603094A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-11-05 | 江苏美科太阳能科技有限公司 | 一种多晶硅边角料提纯至高纯硅的方法 |
CN114212795A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-03-22 | 湖南立新硅材料科技有限公司 | 一种精炼硅泥的装置及方法 |
CN114561700A (zh) * | 2022-02-22 | 2022-05-31 | 东北大学 | 一种基于晶体硅刚线废料制备太阳能级单晶硅的方法 |
CN114715899A (zh) * | 2022-04-28 | 2022-07-08 | 包头市迪耀废弃资源综合利用科技有限公司 | 一种利用固废硅泥与工业硅废粉生产工业硅的设备与方法 |
CN114772602A (zh) * | 2022-04-27 | 2022-07-22 | 中国科学院赣江创新研究院 | 一种提高金刚线切割硅泥熔炼制备金属硅收率的方法 |
CN115676835A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-02-03 | 云南铝业股份有限公司 | 一种硅泥熔炼用造渣剂及其制备方法 |
CN116143135A (zh) * | 2023-02-28 | 2023-05-23 | 昆明理工大学 | 一种基于表面重构硅切割废料制备高比容量、高抗氧化性纳米硅负极的方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62292613A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-19 | Kawasaki Steel Corp | 高純度けい素の精製方法 |
CN101092741A (zh) * | 2007-07-17 | 2007-12-26 | 佳科太阳能硅(厦门)有限公司 | 太阳能级多晶硅大锭的制备方法 |
CN101293653A (zh) * | 2008-06-23 | 2008-10-29 | 昆明理工大学 | 一种提纯硅废料制备高纯硅的方法 |
CN101481112A (zh) * | 2009-02-04 | 2009-07-15 | 昆明理工大学 | 一种工业硅熔体直接氧化精炼提纯的方法 |
JP2010052960A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 高純度シリコンの製造方法及び製造装置並びに高純度シリコン |
CN101724902A (zh) * | 2009-12-16 | 2010-06-09 | 东北大学 | 一种高温冶金法制备太阳能级多晶硅的工艺 |
CN101837348A (zh) * | 2010-04-28 | 2010-09-22 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种将硅与杂质进行分离的方法 |
CN105523557A (zh) * | 2016-02-14 | 2016-04-27 | 东北大学 | 一种晶体硅金刚石线切割废料浆回收再利用的方法 |
-
2018
- 2018-08-22 CN CN201810958782.8A patent/CN109052407A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62292613A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-19 | Kawasaki Steel Corp | 高純度けい素の精製方法 |
CN101092741A (zh) * | 2007-07-17 | 2007-12-26 | 佳科太阳能硅(厦门)有限公司 | 太阳能级多晶硅大锭的制备方法 |
CN101293653A (zh) * | 2008-06-23 | 2008-10-29 | 昆明理工大学 | 一种提纯硅废料制备高纯硅的方法 |
JP2010052960A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 高純度シリコンの製造方法及び製造装置並びに高純度シリコン |
CN101481112A (zh) * | 2009-02-04 | 2009-07-15 | 昆明理工大学 | 一种工业硅熔体直接氧化精炼提纯的方法 |
CN101724902A (zh) * | 2009-12-16 | 2010-06-09 | 东北大学 | 一种高温冶金法制备太阳能级多晶硅的工艺 |
CN101837348A (zh) * | 2010-04-28 | 2010-09-22 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种将硅与杂质进行分离的方法 |
CN105523557A (zh) * | 2016-02-14 | 2016-04-27 | 东北大学 | 一种晶体硅金刚石线切割废料浆回收再利用的方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
YV METELEVA-FISCHER ET AL: ""Slag Treatment Followed by Acid Leaching as a Route to Solar-Grade Silicon"", 《SPRINGERLINK》 * |
伍继君: ""冶金法制备太阳能级硅过程中氧化精炼除硼应用基础研究"", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 * |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020192870A1 (de) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von technischem silicium |
CN112236392B (zh) * | 2019-03-22 | 2024-02-02 | 瓦克化学股份公司 | 用于生产工业硅的方法 |
AU2019437369B2 (en) * | 2019-03-22 | 2021-12-02 | Wacker Chemie Ag | Method for producing technical silicon |
CN112236392A (zh) * | 2019-03-22 | 2021-01-15 | 瓦克化学股份公司 | 用于生产工业硅的方法 |
WO2020192913A1 (de) | 2019-03-27 | 2020-10-01 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von technischem silicium |
US12110232B2 (en) * | 2019-03-27 | 2024-10-08 | Wacker Chemie Ag | Method for producing technical silicon |
CN113508090B (zh) * | 2019-03-27 | 2024-01-12 | 瓦克化学股份公司 | 生产工业硅的方法 |
US20220162078A1 (en) * | 2019-03-27 | 2022-05-26 | Wacker Chemie Ag | Method for producing technical silicon |
AU2019437422B2 (en) * | 2019-03-27 | 2022-02-03 | Wacker Chemie Ag | Method for producing technical silicon |
CN113508090A (zh) * | 2019-03-27 | 2021-10-15 | 瓦克化学股份公司 | 生产工业硅的方法 |
CN110194456A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-03 | 宝兴易达光伏刃料有限公司 | 一种利用废弃硅泥冶炼金属硅的方法 |
CN110194456B (zh) * | 2019-06-14 | 2022-10-21 | 宝兴易达光伏刃料有限公司 | 一种利用废弃硅泥冶炼金属硅的方法 |
CN110273075A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-24 | 昆明理工大学 | 利用金属铝回收晶体硅切割废料制备高硅铝硅合金的方法 |
CN110218874A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-09-10 | 昆明理工大学 | 一种利用金属铝同时回收硅废料中硅和含钛渣中钛的方法 |
CN110846513A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-02-28 | 刘旭 | 一种过滤及离心分离含铝硅铁等混合物并除杂提纯的方法 |
CN110963493B (zh) * | 2019-12-25 | 2021-06-11 | 中国科学院过程工程研究所 | 晶体硅切割废料制备超冶金级硅的方法 |
CN110963493A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-07 | 中国科学院过程工程研究所 | 晶体硅切割废料制备超冶金级硅的方法 |
CN111807372A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-10-23 | 昆明理工大学 | 一种硅片切割废料顶吹精炼的方法 |
CN111777070A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-10-16 | 昆明理工大学 | 一种金刚石线硅片切割废料高值化再生利用的方法 |
CN112760502A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-05-07 | 昆明理工大学 | 一种利用硅废料和锰矿制备Si-Mn合金的方法 |
CN112938983A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-06-11 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种基于晶体硅切割废料制备的再生硅及其制备方法 |
CN113603094A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-11-05 | 江苏美科太阳能科技有限公司 | 一种多晶硅边角料提纯至高纯硅的方法 |
CN113603094B (zh) * | 2021-08-19 | 2023-03-03 | 江苏美科太阳能科技股份有限公司 | 一种多晶硅边角料提纯至高纯硅的方法 |
CN114212795A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-03-22 | 湖南立新硅材料科技有限公司 | 一种精炼硅泥的装置及方法 |
CN114561700A (zh) * | 2022-02-22 | 2022-05-31 | 东北大学 | 一种基于晶体硅刚线废料制备太阳能级单晶硅的方法 |
CN114772602A (zh) * | 2022-04-27 | 2022-07-22 | 中国科学院赣江创新研究院 | 一种提高金刚线切割硅泥熔炼制备金属硅收率的方法 |
CN114772602B (zh) * | 2022-04-27 | 2023-08-15 | 中国科学院赣江创新研究院 | 一种提高金刚线切割硅泥熔炼制备金属硅收率的方法 |
CN114715899A (zh) * | 2022-04-28 | 2022-07-08 | 包头市迪耀废弃资源综合利用科技有限公司 | 一种利用固废硅泥与工业硅废粉生产工业硅的设备与方法 |
CN115676835A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-02-03 | 云南铝业股份有限公司 | 一种硅泥熔炼用造渣剂及其制备方法 |
CN116143135A (zh) * | 2023-02-28 | 2023-05-23 | 昆明理工大学 | 一种基于表面重构硅切割废料制备高比容量、高抗氧化性纳米硅负极的方法 |
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