CN101804971A - 一种铜铟硒纳米晶材料的制备方法 - Google Patents
一种铜铟硒纳米晶材料的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101804971A CN101804971A CN 201010150023 CN201010150023A CN101804971A CN 101804971 A CN101804971 A CN 101804971A CN 201010150023 CN201010150023 CN 201010150023 CN 201010150023 A CN201010150023 A CN 201010150023A CN 101804971 A CN101804971 A CN 101804971A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- milliliters
- copper indium
- copper
- add
- precipitation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims abstract 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 14
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 14
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 14
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 9
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 8
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 claims description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 abstract 1
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 abstract 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 abstract 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 abstract 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 49
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 18
- UIPVMGDJUWUZEI-UHFFFAOYSA-N copper;selanylideneindium Chemical compound [Cu].[In]=[Se] UIPVMGDJUWUZEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 241000784732 Lycaena phlaeas Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000928 Yellow copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N copper gallium Chemical compound [Cu].[Ga] CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N indium(3+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[In+3].[In+3] AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
一种铜铟硒纳米晶材料的制备方法，采用溶剂热法在高温下反应，制备具有形状规则、大小均匀、颗粒尺寸在20纳米左右且结晶性能非常好的铜铟硒纳米颗粒。铜铟硒纳米晶的制备相对于以往的铜铟硒薄膜的制备具有可重复性好、方法相对简单、对环境的污染小及容易控制各原子的化学计量比等优点。由于铜铟硒的禁带宽度约为1.04eV，该纳米晶材料既可以通过滴铸或甩膜的方法制备成薄膜作为太阳能电池的吸收层，也可以用来敏化宽禁带的氧化钛或氧化锌等材料，以提高太阳能电池的能量转化效率。
Description
技术领域
本发明涉及一类三元化合物半导体纳米晶的合成方法，具体涉及一种铜铟硒纳米晶材料的制备方法。
背景技术
太阳能电池是典型的绿色能源，它是解决21世纪能源与环境两个问题的最佳选择，太阳能产业将是全球21世界最具发展潜力的产业之一。在太阳能电池材料中占有重要位置的是硅材料和化合物半导体材料，高成本是目前硅晶体和化合物半导体太阳能电池发展和应用的主要障碍。解决太阳能电池成本的问题，一方面要降低材料以及制作成本，另一方面必须努力提高光电转换效率。但在实现这些目标过程中，必须探索一些特殊的材料及特殊制备工艺。
在光伏技术发展新的高潮中，由于I-III-VI族化合物半导体铜铟硒材料具有优良的光电吸收与转换效率(在实验室中铜铟硒薄膜太阳能电池的光电转换效率可达约为20％)，具有承受标准配比(I，III和VI族成分的比例)变化的能力，具有可改变合金成分所带来的设计上的灵活性，而且其性能长期稳定，抗辐射能力强，制备的电池不存在光致衰退，最近几年，引起人们的广泛关注与研究，被一致认为是硅材料的最佳替代者及下一代空间电源的后选者。大量的研究发现，高质量的铜铟硒薄膜应具有较好的致密性及较大的晶粒以减少晶界缺陷，且材料的元素化学计量比偏离越小，薄膜的结晶程度、元素组分均匀性以及光学和电学特性就越好，对电池转换效率的提高也就越有利。目前虽然铜铟镓硒薄膜太阳能电池的实验室光电转换效率已达到19.8％。然而铜铟硒纳米晶的研究还处于起步阶段，目前国际上已有科研人员合成该材料，但器件没有很好的优化，导致能量转化效率较低(已报道的最高为3.2％)。考虑到铜铟硒纳米晶比铜铟硒薄膜的可控性和可重复性都强，而且理论上前者的能量转化效率要比后者要高，铜铟硒纳米晶太阳能电池更适合产业化，无疑将拥有更加广阔的市场和应用前景。
发明内容
本发明的内容在于提供一种操作简单，成本低廉、微纳尺寸、化学成分比可控且适合产业化的铜铟硒纳米晶材料的制备方法。
为达到上述目的，本发明采用的合成方法如下：1)首先，将0.5～1.5毫摩尔的氯化铜或氯化亚铜、0.5～1.5毫摩尔的氯化铟、1～3毫摩尔的硒粉加入到8～12毫升的油胺中得混合溶液，其中铜∶铟∶硒的元素量之比为1∶1∶2，然后将该混合溶液加热到60～80℃保温2～3小时，同时通入氮气剧烈搅拌；2)其次，将步骤1)得到的混合溶液加热到210～240℃，同时通入氮气，并冷凝回流，剧烈搅拌，反应2～4小时；3)然后，向步骤2)中的溶液中加入10～20毫升乙醇并以5000～8000rpm的速度离心3～5分钟，去掉上清液得到沉淀；4)向沉淀中加入5～10毫升氯仿和10～20毫升乙醇，并超声使沉淀全部溶解混合均匀，以5000～8000rpm的速度离心3～5分钟，去掉上清液得到沉淀，再向沉淀中加入5～10毫升氯仿和10～20毫升乙醇重复3遍，其中氯仿∶乙醇为1∶2的体积比；5)最后，向步骤4)的沉淀中加入5～10毫升氯仿，超声使沉淀全部溶解，以5000～8000rpm的速度离心3～5分钟，得到悬浮液，去掉沉淀，该悬浮液即为所需的铜铟硒纳米晶。
本发明在较低温度下加热搅拌除去反应溶液中的氧气和水分并使反应物均匀充分的溶解在溶剂中；然后加热到高温，避免从低温到高温这一升温过程太慢而导致副产物的生成，如硒化铟和硒化铜等。清洗过程用到乙醇和氯仿，乙醇作为沉淀剂，氯仿作为分散剂。这种合成方法不仅适应于铜铟硒纳米晶的合成，同样也适应于铜镓硒、铜铟镓硒纳米晶等三元和四元化合物的合成。
附图说明
图1是合成的铜铟硒纳米晶的XRD图；图2是合成的铜铟硒纳米晶的TEM图；图3是合成的铜铟硒纳米晶的UV吸收光谱图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
实施例1：1)首先，将0.5毫摩尔的氯化铜、0.5毫摩尔的氯化铟、1毫摩尔的硒粉加入到10毫升的油胺中得混合溶液，然后将该混合溶液加热到60℃保温3小时，同时通入氮气剧烈搅拌；2)其次，将步骤1)得到的混合溶液加热到240℃，同时通入氮气，并冷凝回流，剧烈搅拌，反应4小时；3)然后，向步骤2)中的溶液中加入10毫升乙醇并以5000rpm的速度离心5分钟，去掉上清液得到沉淀；4)向沉淀中加入5毫升氯仿和10毫升乙醇，并超声使沉淀全部溶解混合均匀，以5000rpm的速度离心5分钟，去掉上清液得到沉淀，再向沉淀中加入5毫升氯仿和10毫升乙醇重复3遍；5)最后，向步骤4)的沉淀中加入5毫升氯仿，超声使沉淀全部溶解，以5000rpm的速度离心5分钟，得到悬浮液，去掉沉淀，该悬浮液即为所需的铜铟硒纳米晶。
实施例2：1)首先，将1毫摩尔的氯化亚铜、1毫摩尔的氯化铟、2毫摩尔的硒粉加入到12毫升的油胺中得混合溶液，然后将该混合溶液加热到80℃保温2小时，同时通入氮气剧烈搅拌；2)其次，将步骤1)得到的混合溶液加热到210℃，同时通入氮气，并冷凝回流，剧烈搅拌，反应4小时；3)然后，向步骤2)中的溶液中加入15毫升乙醇并以6000rpm的速度离心4分钟，去掉上清液得到沉淀；4)向沉淀中加入10毫升氯仿和20毫升乙醇，并超声使沉淀全部溶解混合均匀，以6000rpm的速度离心4分钟，去掉上清液得到沉淀，再向沉淀中加入10毫升氯仿和20毫升乙醇重复3遍；5)最后，向步骤4)的沉淀中加入10毫升氯仿，超声使沉淀全部溶解，以6000rpm的速度离心4分钟，得到悬浮液，去掉沉淀，该悬浮液即为所需的铜铟硒纳米晶。
实施例3：1)首先，将1.5毫摩尔的氯化铜、1.5毫摩尔的氯化铟、3毫摩尔的硒粉加入到8毫升的油胺中得混合溶液，然后将该混合溶液加热到65℃保温2.5小时，同时通入氮气剧烈搅拌；2)其次，将步骤1)得到的混合溶液加热到230℃，同时通入氮气，并冷凝回流，剧烈搅拌，反应2小时；3)然后，向步骤2)中的溶液中加入20毫升乙醇并以8000rpm的速度离心3分钟，去掉上清液得到沉淀；4)向沉淀中加入8毫升氯仿和16毫升乙醇，并超声使沉淀全部溶解混合均匀，以8000rpm的速度离心3分钟，去掉上清液得到沉淀，再向沉淀中加入8毫升氯仿和16毫升乙醇重复3遍；5)最后，向步骤4)的沉淀中加入8毫升氯仿，超声使沉淀全部溶解，以8000rpm的速度离心3分钟，得到悬浮液，去掉沉淀，该悬浮液即为所需的铜铟硒纳米晶。
实施例4：1)首先，将1.2毫摩尔的氯化铜、1.2毫摩尔的氯化铟、2.4毫摩尔的硒粉加入到11毫升的油胺中得混合溶液，然后将该混合溶液加热到70℃保温3小时，同时通入氮气剧烈搅拌；2)其次，将步骤1)得到的混合溶液加热到220℃，同时通入氮气，并冷凝回流，剧烈搅拌，反应4小时；3)然后，向步骤2)中的溶液中加入12毫升乙醇并以7500rpm的速度离心4分钟，去掉上清液得到沉淀；4)向沉淀中加入6毫升氯仿和12毫升乙醇，并超声使沉淀全部溶解混合均匀，以7500rpm的速度离心4分钟，去掉上清液得到沉淀，再向沉淀中加入6毫升氯仿和12毫升乙醇重复3遍；5)最后，向步骤4)的沉淀中加入6毫升氯仿，超声使沉淀全部溶解，以7500rpm的速度离心4分钟，得到悬浮液，去掉沉淀，该悬浮液即为所需的铜铟硒纳米晶。
实施例5：1)首先，将0.8毫摩尔的氯化亚铜、0.8毫摩尔的氯化铟、1.6毫摩尔的硒粉加入到9毫升的油胺中得混合溶液，然后将该混合溶液加热到75℃保温2小时，同时通入氮气剧烈搅拌；2)其次，将步骤1)得到的混合溶液加热到215℃，同时通入氮气，并冷凝回流，剧烈搅拌，反应3小时；3)然后，向步骤2)中的溶液中加入18毫升乙醇并以7000rpm的速度离心5分钟，去掉上清液得到沉淀；4)向沉淀中加入9毫升氯仿和18毫升乙醇，并超声使沉淀全部溶解混合均匀，以7000rpm的速度离心5分钟，去掉上清液得到沉淀，再向沉淀中加入9毫升氯仿和18毫升乙醇重复3遍；5)最后，向步骤4)的沉淀中加入9毫升氯仿，超声使沉淀全部溶解，以7000rpm的速度离心5分钟，得到悬浮液，去掉沉淀，该悬浮液即为所需的铜铟硒纳米晶。
图1是实例1中以氯化铜、氯化铟、硒粉和油胺作为反应物，先在60℃时保持3小时，再加热到240℃反应4小时，所得产物的XRD图。反应物中的铜、铟、硒三种元素的原子比刚好为1∶1∶2。从图中可以看出，主峰的衍射角为26.56度，与标准卡片记录的基本一致，该物质为黄铜矿结构。这些结果表明该物质是黄铜矿铜铟硒。
图2是在相同条件下合成的铜铟硒纳米晶的TEM图。从图中可以发现颗粒的大小在20纳米左右，颗粒较均匀。
图3是相同条件下产物在乙醇溶液中的UV吸收光谱。从图中可以看出，在450纳米附近有一个很强的吸收峰。
综上所述，该发明的材料结晶性能好，颗粒大小在20纳米左右且大小均匀，形成的薄膜表面比较平整，可以大大提高电子的迁移率，而且由于表面平整与太阳能电池的其它层结合无疑更好，作为吸收层的效率也更高。理论上铜铟硒纳米晶太阳能电池的能量转化效率要比普通铜铟硒薄膜太阳能电池的转化效率高。
Claims (1)
1.一种铜铟硒纳米晶材料的制备方法，其特征在于：
1)首先，将0.5～1.5毫摩尔的氯化铜或氯化亚铜、0.5～1.5毫摩尔的氯化铟、1～3毫摩尔的硒粉加入到8～12毫升的油胺中得混合溶液，其中铜∶铟∶硒的元素量之比为1∶1∶2，然后将该混合溶液加热到60～80℃保温2～3小时，同时通入氮气剧烈搅拌；
2)其次，将步骤1)得到的混合溶液加热到210～240℃，同时通入氮气，并冷凝回流，剧烈搅拌，反应2～4小时；
3)然后，向步骤2)中的溶液中加入10～20毫升乙醇并以5000～8000rpm的速度离心3～5分钟，去掉上清液得到沉淀；
4)向沉淀中加入5～10毫升氯仿和10～20毫升乙醇，并超声使沉淀全部溶解混合均匀，以5000～8000rpm的速度离心3～5分钟，去掉上清液得到沉淀，再向沉淀中加入5～10毫升氯仿和10～20毫升乙醇重复3遍，其中氯仿∶乙醇为1∶2的体积比；
5)最后，向步骤4)的沉淀中加入5～10毫升氯仿，超声使沉淀全部溶解，以5000～8000rpm的速度离心3～5分钟，得到悬浮液，去掉沉淀，该悬浮液即为所需的铜铟硒纳米晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010150023 CN101804971A (zh) | 2010-04-19 | 2010-04-19 | 一种铜铟硒纳米晶材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010150023 CN101804971A (zh) | 2010-04-19 | 2010-04-19 | 一种铜铟硒纳米晶材料的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101804971A true CN101804971A (zh) | 2010-08-18 |
Family
ID=42606954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201010150023 Pending CN101804971A (zh) | 2010-04-19 | 2010-04-19 | 一种铜铟硒纳米晶材料的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101804971A (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102030360A (zh) * | 2010-12-15 | 2011-04-27 | 西安交通大学 | 一种用油胺合成硫化锌量子点的方法 |
| CN102139862A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-08-03 | 上海交通大学 | 铜铟硒纳米片的制备方法 |
| CN102208487A (zh) * | 2011-04-22 | 2011-10-05 | 西安交通大学 | 铜铟硒纳米晶/硫化镉量子点/氧化锌纳米线阵列纳米结构异质结的制备方法 |
| CN102476791A (zh) * | 2010-11-25 | 2012-05-30 | 马瑞新 | 一种铜铟硒纳米粉体的制备方法 |
| CN102874771A (zh) * | 2012-08-17 | 2013-01-16 | 电子科技大学 | 用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法 |
| CN103879973A (zh) * | 2014-02-27 | 2014-06-25 | 湖南大学 | 中空球体硒铟铜纳米材料的制备方法 |
| CN105417503A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-03-23 | 上海应用技术学院 | 一种水相法制备CuGaSe2纳米晶的方法 |
| CN106191986A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-12-07 | 中国科学技术大学 | 液相回流一步法可控制备正交相银镓硒及银铟镓硒单晶纳米颗粒的方法 |
| CN114014277A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-02-08 | 广东省科学院半导体研究所 | 一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007137637A1 (de) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Electrolux Home Products Corporation N.V. | Haushaltsgerät, insbesondere haushaltsofen |
| CN101234779A (zh) * | 2008-03-06 | 2008-08-06 | 中国科学院化学研究所 | 铜铟硫半导体纳米粒子的制备方法 |
-
2010
- 2010-04-19 CN CN 201010150023 patent/CN101804971A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007137637A1 (de) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Electrolux Home Products Corporation N.V. | Haushaltsgerät, insbesondere haushaltsofen |
| CN101234779A (zh) * | 2008-03-06 | 2008-08-06 | 中国科学院化学研究所 | 铜铟硫半导体纳米粒子的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 《Journal of the American Chemical Society》 20081117 Matthew G. Panthani, et al Synthesis of CuInS2, CuInSe2, and Cu(InxGa1-x)Se2 (CIGS) Nanocrystal "Inks" for Printable Photovoltaics 16770-16777 1 第130卷, 2 * |
| 《Nano Letters》 20080802 Qijie Guo, et al Development of CuInSe2 Nanocrystal and Nanoring Inks for Low-Cost Solar Cells 2982-2987 1 第8卷, 第9期 2 * |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102476791A (zh) * | 2010-11-25 | 2012-05-30 | 马瑞新 | 一种铜铟硒纳米粉体的制备方法 |
| CN102030360B (zh) * | 2010-12-15 | 2012-07-25 | 西安交通大学 | 一种用油胺合成硫化锌量子点的方法 |
| CN102030360A (zh) * | 2010-12-15 | 2011-04-27 | 西安交通大学 | 一种用油胺合成硫化锌量子点的方法 |
| CN102208487A (zh) * | 2011-04-22 | 2011-10-05 | 西安交通大学 | 铜铟硒纳米晶/硫化镉量子点/氧化锌纳米线阵列纳米结构异质结的制备方法 |
| CN102208487B (zh) * | 2011-04-22 | 2012-07-04 | 西安交通大学 | 铜铟硒纳米晶/硫化镉量子点/氧化锌纳米线阵列纳米结构异质结的制备方法 |
| CN102139862B (zh) * | 2011-04-29 | 2012-10-03 | 上海交通大学 | 铜铟硒纳米片的制备方法 |
| CN102139862A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-08-03 | 上海交通大学 | 铜铟硒纳米片的制备方法 |
| CN102874771A (zh) * | 2012-08-17 | 2013-01-16 | 电子科技大学 | 用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法 |
| CN102874771B (zh) * | 2012-08-17 | 2014-10-15 | 电子科技大学 | 用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法 |
| CN103879973A (zh) * | 2014-02-27 | 2014-06-25 | 湖南大学 | 中空球体硒铟铜纳米材料的制备方法 |
| CN103879973B (zh) * | 2014-02-27 | 2015-10-28 | 湖南大学 | 中空球体硒铟铜纳米材料的制备方法 |
| CN105417503A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-03-23 | 上海应用技术学院 | 一种水相法制备CuGaSe2纳米晶的方法 |
| CN106191986A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-12-07 | 中国科学技术大学 | 液相回流一步法可控制备正交相银镓硒及银铟镓硒单晶纳米颗粒的方法 |
| CN106191986B (zh) * | 2016-07-13 | 2018-09-07 | 中国科学技术大学 | 液相回流一步法可控制备正交相AgIn1-xGaxSe2单晶纳米颗粒的方法 |
| CN114014277A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-02-08 | 广东省科学院半导体研究所 | 一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101804971A (zh) | 一种铜铟硒纳米晶材料的制备方法 | |
| CN101958369B (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜材料的制备方法 | |
| CN101723336B (zh) | Cu2ZnSnSxSe4-x纳米晶的制备方法 | |
| CN103213956B (zh) | 一种具有黄铜矿结构的CuInSe2以及CuIn1-xGaxSe2纳米颗粒的制备方法 | |
| CN102826594A (zh) | 一种微波合成铜锌锡硫纳米颗粒的方法 | |
| CN103346201B (zh) | 掺锗的铜锌锡硫硒薄膜制备方法、薄膜及太阳能电池 | |
| Hsu et al. | Formation Mechanisms of Cu (In0. 7Ga0. 3) Se2 Nanocrystallites Synthesized Using Hot‐Injection and Heating‐Up Processes | |
| US8815123B2 (en) | Fabrication method for ibiiiavia-group amorphous compound and ibiiiavia-group amorphous precursor for thin-film solar cells | |
| CN102476791A (zh) | 一种铜铟硒纳米粉体的制备方法 | |
| CN103426971A (zh) | 铜锌锡硫太阳电池薄膜的溶胶-凝胶制备方法 | |
| CN102503161A (zh) | 一种SnS纳米晶薄膜的制备方法 | |
| Ali et al. | Investigating the thermoelectric power generation performance of ZnCuO: A p-type mixed-metal oxide system | |
| CN103318851B (zh) | 铜铟镓硫硒太阳能电池、薄膜吸收层及其制备方法 | |
| CN102897722B (zh) | 一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法 | |
| CN103681934B (zh) | 一种铜锌锡硫、硒粉体的制备方法 | |
| CN102815676B (zh) | 制备非化学计量Cu-In-Se系化合物纳米晶的多元醇溶液化学合成方法 | |
| CN107134507B (zh) | 具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法 | |
| CN106057973A (zh) | 一种氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层cts薄膜的方法 | |
| CN103803655A (zh) | Cu2FeSnS4微米级空心球的溶剂热制备方法 | |
| CN106098814A (zh) | 一种氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层CTSSe薄膜的方法 | |
| CN103896326A (zh) | 一种铜锌锡硫半导体材料的制备方法 | |
| CN101734712A (zh) | 采用单源分子前驱体制备高品质硫化铟铜的方法 | |
| CN103601157B (zh) | 一种乙二胺辅助多元醇基溶液合成铜铟铝硒纳米晶的方法 | |
| CN102249292A (zh) | Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶的水热制备方法 | |
| CN102054899B (zh) | 一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe2薄膜的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20100818 |