CN107134507B - 具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法 - Google Patents
具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107134507B CN107134507B CN201710331491.1A CN201710331491A CN107134507B CN 107134507 B CN107134507 B CN 107134507B CN 201710331491 A CN201710331491 A CN 201710331491A CN 107134507 B CN107134507 B CN 107134507B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- copper
- indium
- annealing
- precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- QXKUQUSBOISHGH-UHFFFAOYSA-N [Se].[S].[In].[Cu] Chemical compound [Se].[S].[In].[Cu] QXKUQUSBOISHGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 7
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 52
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 claims abstract description 7
- RLWNPPOLRLYUAH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[In+3].[Cu+2] Chemical compound [O-2].[In+3].[Cu+2] RLWNPPOLRLYUAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 117
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 22
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims description 12
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 10
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 claims description 8
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 6
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyindiganyl acetate Chemical compound [In+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 2
- 239000000376 reactant Chemical class 0.000 claims description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 4
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical class [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 2
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N copper;sulfanylideneindium Chemical compound [Cu].[In]=S LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜梯度成分的制备方法。首先通过低温固相反应合成含有铜和铟的氧化物纳米颗粒粉体形成前驱体浆料;将前驱体浆料在衬底上进行沉积形成铜铟氧化物前驱体薄膜,干燥后保存;将的前驱薄膜先后在硫气氛和硒气氛下进行退火,得到本发明所述的吸收层CISSe薄膜;将退火处理得到的CISSe,在硫气氛下进行表面快速硫化处理得到S/Se成分梯度结构的太阳能电池吸收层CuIn(S,Se)2薄膜。本发明具有合成工艺简单、制备设备不复杂、原料成本低廉、材料利用率高、可大面积均匀指标、薄膜成分以及厚度易控等优点,适用于大规模的工业生产。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池材料与器件技术领域,具体涉及一种氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层铜铟硫硒(CuIn(S,Se)2)薄膜梯度成分的制备方法。
背景技术
随着世界人口增长和环境污染对能源的压力越来越大,能源问题越来越引起人们的关注。因此寻找一种清洁可再生的新型能源来替代传统的化石能源显得尤为重要。相比于其他可再生能源,太阳能具有来源普遍、安全无污染、长期可再生等优点,自然而然的成为了一种较为合适的替代性能源。而太阳能电池是一种将太阳能直接转化成电能的有效方式。
其中,化合物薄膜太阳能电池作为一种低成本的太阳能电池近年得到广大的发展。铜铟镓硒系列薄膜太阳能电池作为其中一种较为成功的化合物薄膜太阳能电池,已被商业化生产了。铜铟镓硒系列太阳能电池中最为核心的是其吸收层,其性质如结晶性、形貌、电学性能、光学性、成分梯度等都会对太阳能电池效率产生重大的影响。铜铟镓硒系列中研究最多的是四元铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2, CIGS)材料,采用这种材料制备的太阳能电池已经取得了较高的光电转换效率。为了获得高效率的CIGS太阳能电池,通常需要对CIGS薄膜进行能带调控。对于CIGS材料,主要对In/Ga的组分比例进行调控从而实现CIGS薄膜能带、晶粒结构、表面粗糙度等性质的调节。其中对其能带进行调节形成“V”字型能带梯度,有助于同时提高CIGS薄膜太阳能电池的开路电压(Voc)和短路电流(Jsc),从而获得高效率的太阳能电池。然而,CIGS在合成过程通常需要经过高温退火处理,这使Ga元素易向Mo背电极聚集。因此,较难精确控制Ga在CIGS纵向分布,而In/Ga的分布将直接影响着CIGS的能带分布,这使得可控的“V”字型能带CIGS材料的构造成为一个难题。
铜铟镓硒系列材料中的另外两种材料CuInS2(CIS)和CuInSe2(CISe)薄膜均为简单的三元化合物,组分简单,可以有效的避免其他杂相的生成。CuInS2是一种直接带隙半导体且具有与太阳光谱较为匹配的带隙宽度(1.5eV),吸收系数(105cm-1)较大;CuInSe2同样也是一种直接带隙半导体,其带隙宽度为1.04eV,吸收系数为106cm-1。这两种太阳能电池薄膜材料均具有较优异的光电性能,适合制备高效率薄膜太阳能电池。目前基于真空蒸发法制备的CuInS2薄膜为吸收层的太阳能电池,已取得了12.8% 的效率;CuInSe2的效率也超过了17.8%。若将这两种材料进行合金化,形成具有S/Se成分梯度的CuIn(S,Se)2(CISSe)薄膜,将有助于进一步提高CISSe薄膜太阳能电池的效率。经对现有技术文献专利检索发现,在制备CISSe薄膜的方法中,已经有利用铜铟硫化合物纳米颗粒为前驱体,在硒气氛下退火,制备出吸收层CISSe薄膜的专利(申请号201210166794.X )。但是一步硒化退火所获得的CISSe薄膜,表面通常为富Se成分,不利于高的开路电压的获得。而文献中,CISSe薄膜的制备通常是硒化退火硫化物前驱体,或硫化退火硒化物前驱体,或同时硒硫化退火前驱体。这些方法均无法获得V字型的能带结构,因此不能同时提高太阳能电池的开路电压和短路电流。因此本专利专注该问题,采用三步退火法,即硫化氧化物前驱体生成CIS薄膜,再通过部分硒化取代薄膜中间和表层的S形成CISSe,最后表面快速硫化处理形成表面富S的CISSe薄膜,通过控制热处理的时间参数来获得具有V字型的S/Se成分梯度的CISSe薄膜。
发明内容
本发明的目的是提出以低成本氧化物纳米颗粒为前驱体,通过三步退火法制备太阳能电池吸收层铜铟硫硒(CISSe)薄膜梯度成分的制备方法。本发明所使用的是空气中合成氧化物纳米颗粒为前驱体,经过后期硫(S)气氛和硒(Se)气氛热处理的方法,具有合成工艺简单、制备设备不复杂、原料成本低廉、材料利用率高、可大面积均匀指标、薄膜成分以及厚度易控等优点,适用于大规模的工业生产。
为实现本发明的目的所采用的技术方案是:
步骤一:通过一步低温固相反应合成含有铜和铟的氧化物纳米颗粒粉体,并将氧化物纳米颗粒分散于有机溶剂中形成固含量为285~300mg/ml稳定的前驱体浆料;
步骤二:对衬底表面进行清洗,将步骤一所述前驱体浆料在衬底上进行沉积形成铜铟氧化物前驱体薄膜,干燥后保存;
步骤三:将在步骤二得到的含有铜和铟氧化物的前驱薄膜,先后在硫(S)气氛和硒(Se)气氛下,使用密闭或者流通的管式炉内进行退火,得到所述的吸收层CISSe薄膜;
步骤四:将在步骤三退火处理得到的CISSe,在硫(S)气氛下进行表面快速硫化处理得到S/Se成分梯度结构的太阳能电池吸收层铜铟硫硒(CuIn(S,Se)2)薄膜。
本发明步骤一所述的低温固相反应合成氧化物纳米颗粒法是指:将铜的无机盐和铟的无机盐,与反应剂碳酸氢铵于研钵内进行研磨混合,而后在中低温下烧结,获得氧化物纳米颗粒。
所述的铜的无机盐和铟的无机盐,铜和铟两者之间的摩尔比为1:1;
本发明所述的碳酸氢铵,其使用量为铜和铟摩尔总量的1.1~2.0倍。
所述的研磨,采用普通球磨机、超能球磨机或研钵,研磨时间为15 min~60 min。
所述的浆料,固含量控制在200~400 mg/ml。
所述的中低温下烧结,其温度范围在300~400℃之间,烧结时间10min~180min。
本发明步骤二中所述的衬底为镀钼薄膜、钠钙玻璃、石英玻璃以及金属箔中的一种。
本发明所述铜的无机盐是指硝酸铜、乙酸铜中的一种或两种任意比例的混合物;
本发明所述铟的无机盐是指硝酸铟、醋酸铟中的一种或两种任意比例的混合物;
本发明所述的有机溶剂是指乙醇、乙二醇或者松油醇中的一种或者几种的任意比例混合;
本发明所述的沉积,是指刀刮、旋涂、丝网印刷中的一种;
本发明所述的氧化物前驱薄膜,其厚度控制在1~3μm之间。
本发明步骤三中所述的硫(S)气氛下进行退火,是指将前驱薄膜与固态硫源或硫化氢气体置于密闭空间退火,或者是将前驱体薄膜处于流动的硫蒸汽或者硫化氢气体中退火;
当上述步骤中的退火采用固态硫源时,保持固态硫源温度450~600℃,硫化时间20~60 min。本发明步骤三中所述的硒(Se)气氛下进行退火,是指将前驱薄膜与固态硒源或硒化氢气体置于密闭空间退火,或者是将前驱体薄膜处于流动的硒蒸汽或者硒化氢气体中退火;
当上述步骤中的退火采用固态硒源时,保持固态硒源温度450~600℃,硒化时间20~60 min。
本发明步骤四中所述的硫(S)气氛下进行表面快速硫化处理,是指将CISSe薄膜与固态硫源或硫化氢气体瞬间置于具有特定温度的密闭空间进行退火,或者是将前驱体薄膜置于具有特定温度并处于流动的硫蒸汽或者硫化氢气体中退火。
当步骤四中表面硫化的退火采用固态硫源时,保持固态硫源温度450~600℃,硫化时间1~60 min。
上述技术方案中所涉及到的化学试剂均采购于国药集团化学试剂公司,硫粉、硒粉均采购于Aladdin Chemistry co.ltd,衬底所涉及到的镀钼玻璃和钠钙玻璃分别采购于生阳新材料科技(宁波)有限公司和洛阳龙耀玻璃有限公司。
本发明的原理是:
1)使用低温固相反应合成氧化物纳米颗粒后再在衬底上沉积出含铜和铟的氧化物的前驱体薄膜。
2)将上述氧化物前驱体薄膜先后经过硫和硒的气氛下退火,得到相应的表面富硒的CISSe吸收层薄膜。
3)将获得的CISSe薄膜在硫气氛下退火,得到相应的V字型S/Se成分梯度的CISSe薄膜。
本发明具有以下突出有益效果:本发明提出了一种利用低成本、制备过程简单的低温固相反应法制备含铜和铟的氧化物纳米颗粒前驱体,经过球磨、搅拌分散于有机溶剂,通过刀刮、旋涂或丝网印刷成膜,并利用后续退火工艺得到吸收层薄膜。根据前面相关专利报道,其他制备CISSe薄膜的方法通常表面富Se,不利于高的开路电压的获得。因此本专利采用了简单的三步退火法成功合成具有V字型S/Se成分梯度的CISSe薄膜。具体有益如下几点:
1) 专利检索发现,本专利首次利用低成本的氧化物前驱体和三步退火法制备具有V字型S/Se成分梯度的CISSe薄膜;
2) 氧化物纳米颗粒法制备铜基(铜铟镓硒、铜锌锡硫)薄膜有文献报道有两个大的方面的益处:其一,在于薄膜成分可以很容易的通过控制反应金属盐的比例来实现;其二,在于低温固相反应法合成氧化物纳米颗粒可以做到大面积的沉积,适合工业化大规模制备要求。
附图说明
下面结合附图,对本发明作进一步说明。
图1为本发明所述实施例一制备的CIS薄膜的Raman图。
图2为本发明所述实施例一制备的CISSe薄膜的Raman图。
图3为本发明所述实施例一制备的CISSe薄膜表面硫化处理1min的Raman图。
图4为本发明所述实施例一制备的CISSe薄膜表面硫化处理5min的Raman图。
图5为本发明所述实施例一制备的CISSe薄膜表面硫化处理10min的Raman图。
图6为本发明所述实施例一制备的CISSe薄膜表面硫化处理15min的Raman图。
图7为本发明所述实施例一制备的CISSe薄膜表面硫化处理三阶段退火的Raman图。
具体实施方式
为了对本发明有更好的理解,现以实施例的方式对本发明做进一步的说明。实施例1
1、将钠钙玻璃衬底依次浸入普通洗涤剂、去离子水、乙醇,丙酮溶液中,然后去离子水超声并冲洗干净,氮气吹干备用;
2、将硝酸铜Cu(NO3)2•3H2O和硝酸铟In(NO3)3(In的质量分数为33.8%)原料,按照铜元素、铟元素的摩尔比为1:1分别称取12.08克与16.98克,另称取摩尔量为(Cu+In)摩尔量的1.5倍的碳酸氢铵NH4HCO311.859克。将上述三种原料放入研钵,进行混合研磨30min。反应过程中伴随着二氧化碳、氨气气体的溢出,整个反应体系出现大量的气泡。当研磨反应结束后,最后获得蓝色固体混合物。随后将所得混合物放入小坩埚置于大气环境中的马弗炉380oC烧结30min得到CuO和In2O3混合粉末。
3、将CuO和In2O3粉末混合物分散于乙醇溶液中,控制固含量为300mg/ml,在球磨机中湿磨48h,得到均匀的前驱体浆料。然后将所得前驱体浆料通过刀刮法沉积于钠钙玻璃衬底上形成薄膜,将涂覆后的薄膜在100℃的烘箱下干燥2小时后,得到3μm厚度的Cu-In-O前驱体薄膜。
4、利用步骤3)得到的Cu-In-O前驱体薄膜在硫气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硫粉作为硫源,将0.02g硫粉与Cu-In-O前驱体薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10- 2pa。使硫粉与Cu-In-O前驱体薄膜同时从室温开始升温,升温速率40℃/min,最终保持在580℃,保温30min,随后缓慢冷却到室温后,得到CuInS2薄膜。
5、利用步骤4)得到的CuInS2薄膜在硒气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硒粉作为硒源,将0.02g硒粉与CuInS2薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10-2pa。使硒粉与CuInS2薄膜同时从室温开始升温,升温速率40℃/min,最终保持在580℃,保温30min,随后缓慢冷却到室温后,得到表面富Se的CISSe薄膜。
6、利用步骤5)得到的CISSe薄膜在硫气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硫粉作为硫源,将0.02g硫粉与CISSe薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10-2pa。使硫粉与CISSe薄膜同时进入升到580℃的温区中,保温1min,5min, 10min, 15min。随后缓慢冷却到室温后,得到具有V字型S/Se成分梯度的CISSe薄膜。
利用拉曼光谱对本实施例制备的各阶段薄膜进行测试,CuInS2薄膜、CISSe薄膜和分别快速硫化处理1min, 5min, 10min, 15min的CISSe薄膜的拉曼图谱分别如图1-6所示。从图1-6可以看出,V字型S/Se成分梯度的结构基本形成。
实施例2
1、将钠钙玻璃衬底依次浸入普通洗涤剂、去离子水、乙醇,丙酮溶液中,然后去离子水超声并冲洗干净,氮气吹干备用;
2、将硝酸铜Cu(NO3)2•3H2O和硝酸铟In(NO3)3(In的质量分数为33.8%)原料,按照铜元素、铟元素的摩尔比为1:1分别称取12.08克与16.98克,另称取摩尔量为(Cu+In)摩尔量的1.5倍的碳酸氢铵NH4HCO311.859克。将上述三种原料放入研钵,进行混合研磨30min。反应过程中伴随着二氧化碳、氨气气体的溢出,整个反应体系出现大量的气泡。当研磨反应结束后,最后获得蓝色固体混合物。随后将所得混合物放入小坩埚置于大气环境中的马弗炉380oC烧结30min得到CuO和In2O3混合粉末。
3、将CuO和In2O3粉末混合物分散于乙醇溶液中,控制固含量为300mg/ml,在球磨机中湿磨48h,得到均匀的前驱体浆料。然后将所得前驱体浆料通过刀刮法沉积于钠钙玻璃衬底上形成薄膜,将涂覆后的薄膜在100℃的烘箱下干燥2小时后,得到3μm厚度的Cu-In-O前驱体薄膜。
4、利用步骤3)得到的Cu-In-O前驱体薄膜在硫气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硫粉作为硫源,将0.02g硫粉与Cu-In-O前驱体薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10- 2pa。使硫粉与Cu-In-O前驱体薄膜同时从室温开始升温,升温速率40℃/min,最终保持在550℃,保温30min,随后缓慢冷却到室温后,得到CuInS2薄膜。
5、利用步骤4)得到的CuInS2薄膜在硒气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硒粉作为硒源,将0.02g硒粉与CuInS2薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10-2pa。使硒粉与CuInS2薄膜同时从室温开始升温,升温速率40℃/min,最终保持在550℃,保温30min,随后缓慢冷却到室温后,得到表面富Se的CISSe薄膜。
6、利用步骤5)得到的CISSe薄膜在硫气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硫粉作为硫源,将0.02g硫粉与CISSe薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10-2pa。使硫粉与CISSe薄膜同时进入升到550℃的温区中,保温1min,5min, 10min, 15min。随后缓慢冷却到室温后,得到具有V字型S/Se成分梯度的CISSe薄膜。
本实施例测试结果与实施例1类似。
实施例3
1、将钠钙玻璃衬底依次浸入普通洗涤剂、去离子水、乙醇,丙酮溶液中,然后去离子水超声并冲洗干净,氮气吹干备用;
2、将硝酸铜Cu(NO3)2•3H2O和硝酸铟In(NO3)3(In的质量分数为33.8%)原料,按照铜元素、铟元素的摩尔比为1:1分别称取12.08克与16.98克,另称取摩尔量为(Cu+In)摩尔量的1.5倍的碳酸氢铵NH4HCO311.859克。将上述三种原料放入研钵,进行混合研磨30min。反应过程中伴随着二氧化碳、氨气气体的溢出,整个反应体系出现大量的气泡。当研磨反应结束后,最后获得蓝色固体混合物。随后将所得混合物放入小坩埚置于大气环境中的马弗炉380oC烧结30min得到CuO和In2O3混合粉末。
3、将CuO和In2O3粉末混合物分散于乙醇溶液中,控制固含量为300mg/ml,在球磨机中湿磨48h,得到均匀的前驱体浆料。然后将所得前驱体浆料通过刀刮法沉积于钠钙玻璃衬底上形成薄膜,将涂覆后的薄膜在100℃的烘箱下干燥2小时后,得到3μm厚度的Cu-In-O前驱体薄膜。
4、利用步骤3)得到的Cu-In-O前驱体薄膜在硫气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硫粉作为硫源,将0.02g硫粉与Cu-In-O前驱体薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10- 2pa。使硫粉与Cu-In-O前驱体薄膜同时从室温开始升温,升温速率40℃/min,最终保持在580℃,保温40min,随后缓慢冷却到室温后,得到CuInS2薄膜。
5、利用步骤4)得到的CuInS2薄膜在硒气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硒粉作为硒源,将0.02g硒粉与CuInS2薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10-2pa。使硒粉与CuInS2薄膜同时从室温开始升温,升温速率40℃/min,最终保持在580℃,保温40min,随后缓慢冷却到室温后,得到表面富Se的CISSe薄膜。
6、利用步骤5)得到的CISSe薄膜在硫气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硫粉作为硫源,将0.02g硫粉与CISSe薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10-2pa。使硫粉与CISSe薄膜同时进入升到580℃的温区中,保温1min,5min, 10min, 15min。随后缓慢冷却到室温后,得到具有V字型S/Se成分梯度的CISSe薄膜。
本实施例测试结果与实施例1类似。
实施例4
1、将钠钙玻璃衬底依次浸入普通洗涤剂、去离子水、乙醇,丙酮溶液中,然后去离子水超声并冲洗干净,氮气吹干备用;
2、将硝酸铜Cu(NO3)2•3H2O和硝酸铟In(NO3)3(In的质量分数为33.8%)原料,按照铜元素、铟元素的摩尔比为1:1分别称取12.08克与16.98克,另称取摩尔量为(Cu+In)摩尔量的1.5倍的碳酸氢铵NH4HCO311.859克。将上述三种原料放入研钵,进行混合研磨30min。反应过程中伴随着二氧化碳、氨气气体的溢出,整个反应体系出现大量的气泡。当研磨反应结束后,最后获得蓝色固体混合物。随后将所得混合物放入小坩埚置于大气环境中的马弗炉380oC烧结30min得到CuO和In2O3混合粉末。
3、将CuO和In2O3粉末混合物分散于乙醇溶液中,控制固含量为300mg/ml,在球磨机中湿磨48h,得到均匀的前驱体浆料。然后将所得前驱体浆料通过刀刮法沉积于钠钙玻璃衬底上形成薄膜,将涂覆后的薄膜在100℃的烘箱下干燥2小时后,得到3μm厚度的Cu-In-O前驱体薄膜。
4、利用步骤3)得到的Cu-In-O前驱体薄膜在硫气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硫粉作为硫源,将0.02g硫粉与Cu-In-O前驱体薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10- 2pa。使硫粉与Cu-In-O前驱体薄膜同时从室温开始升温,升温速率40℃/min,最终保持在550℃,保温60min,随后缓慢冷却到室温后,得到CuInS2薄膜。
5、利用步骤4)得到的CuInS2薄膜在硒气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硒粉作为硒源,将0.02g硒粉与CuInS2薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10-2pa。使硒粉与CuInS2薄膜同时从室温开始升温,升温速率40℃/min,最终保持在550℃,保温60min,随后缓慢冷却到室温后,得到CISSe薄膜。
6、利用步骤5)得到的CISSe薄膜在硫气氛中热处理。选择密闭管式炉,使用硫粉作为硫源,将0.02g硫粉与CISSe薄膜置于密闭管式炉内,抽背景真空至10-2pa。使硫粉与CISSe薄膜同时进入升到550℃的温区中,保温1min,5min, 10min, 15min。随后缓慢冷却到室温后,得到具有V字型S/Se成分梯度的CISSe薄膜。
本实施例测试结果与实施例1类似。
上述实施例中,制备所涉及到的化学试剂:硝酸铜、硝酸铟、碳酸氢铵、无水乙醇等均采购于国药集团化学试剂公司,硫粉、硒粉均采购于Aladdin Chemistry co.ltd,衬底所涉及到的镀钼玻璃和钠钙玻璃分别采购于生阳新材料科技(宁波)有限公司和洛阳龙耀玻璃有限公司。
以上所述实施例仅表达了本发明的具体实施方式,是对本发明做了进一步说明,描述较为详细和具体,但并不能因此理解为对本发明专利的限制。应当指出的是,在不脱离本发明构思的前提下,做出若干改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (11)
1.一种具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法,其特征在于:
步骤一:通过一步低温固相反应合成含有铜和铟的氧化物纳米颗粒粉体,并将氧化物纳米颗粒分散于有机溶剂中形成固相含量为285~300mg/ml稳定的前驱体浆料;
步骤二:对衬底表面进行清洗,将步骤一所述前驱体浆料在衬底上进行沉积形成铜铟氧化物前驱体薄膜,其厚度控制在1~3μm之间,干燥后保存;
步骤三:将在步骤二得到的含有铜和铟氧化物的前驱薄膜,先后在硫(S)气氛和硒(Se)气氛下,使用密闭或者流通的管式炉内进行退火,得到所述吸收层CISSe薄膜;
步骤四:将在步骤三退火处理得到的CISSe薄膜,在硫(S)气氛下进行表面快速硫化处理得到S/Se梯度成分结构的太阳能电池吸收层CuIn(S,Se)2薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤一的低温固相反应合成氧化物纳米颗粒是指:将铜的无机盐和铟的无机盐,与反应剂碳酸氢铵于研钵内进行研磨混合,而后在中低温下烧结,获得铜和铟的氧化物纳米颗粒。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述铜的无机盐是指硝酸铜、乙酸铜中的一种或两种任意比例的混合物;所述铟的无机盐是指硝酸铟、醋酸铟中的一种或两种任意比例的混合物;所述铜的无机盐和铟的无机盐中,铜和铟两者之间的摩尔比为1︰1。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述碳酸氢铵,其使用量为铜和铟摩尔总量的1.1~2.0倍。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述研磨,采用普通球磨机、超能球磨机或研钵,研磨时间为15 min~60 min。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述中低温下烧结,其温度范围在300~400℃之间,烧结时间10min~180min。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤二中所述衬底为镀钼薄膜、钠钙玻璃、石英玻璃以及金属箔中的一种。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述有机溶剂是指乙醇、乙二醇或者松油醇中的一种或者几种的任意比例混合。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述沉积,是指刀刮、旋涂、丝网印刷中的一种。
10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤三中所述的硫(S)气氛下进行退火,是指将前驱薄膜与固态硫源或硫化氢气体置于密闭空间退火,或者是将前驱体薄膜处于流动的硫蒸汽或者硫化氢气体中退火;当上述步骤中的退火采用固态硫源时,保持固态硫源温度450~600℃,硫化时间20~60 min。
11.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤三中所述的硒(Se)气氛下进行退火,是指将前驱薄膜与固态硒源或硒化氢气体置于密闭空间退火,或者是将前驱体薄膜处于流动的硒蒸汽或者硒化氢气体中退火;当上述步骤中的退火采用固态硒源时,保持固态硒源温度450~600℃,硒化时间20~60 min。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2016111198481 | 2016-12-08 | ||
CN201611119848 | 2016-12-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107134507A CN107134507A (zh) | 2017-09-05 |
CN107134507B true CN107134507B (zh) | 2021-04-09 |
Family
ID=59731659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710331491.1A Active CN107134507B (zh) | 2016-12-08 | 2017-05-11 | 具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107134507B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110255603B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-09-07 | 福建师范大学 | 一种CuInS2薄膜均匀掺钠的方法 |
CN112225244A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-15 | 江曙 | 一种太阳能电池用单分散纳米铜锌锡硫的制备方法 |
CN112481593B (zh) * | 2020-11-24 | 2024-01-26 | 福建师范大学 | 一种气固反应制备太阳能电池吸收层四硫化锑三铜薄膜的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103999229A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-08-20 | 韩国Energy技术硏究院 | 具有双重带隙倾斜度的czts系薄膜的制造方法、具有双重带隙倾斜度的czts系太阳能电池的制造方法及czts系太阳能电池 |
CN104701138A (zh) * | 2015-03-08 | 2015-06-10 | 北京工业大学 | 一种CZTS(Se)纳米晶薄膜的制备方法 |
CN106057973A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-10-26 | 福建师范大学 | 一种氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层cts薄膜的方法 |
CN106098814A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-11-09 | 福建师范大学 | 一种氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层CTSSe薄膜的方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110023007A (ko) * | 2009-08-28 | 2011-03-08 | 삼성전자주식회사 | 박막 태양 전지 및 이의 제조방법 |
-
2017
- 2017-05-11 CN CN201710331491.1A patent/CN107134507B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103999229A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-08-20 | 韩国Energy技术硏究院 | 具有双重带隙倾斜度的czts系薄膜的制造方法、具有双重带隙倾斜度的czts系太阳能电池的制造方法及czts系太阳能电池 |
CN104701138A (zh) * | 2015-03-08 | 2015-06-10 | 北京工业大学 | 一种CZTS(Se)纳米晶薄膜的制备方法 |
CN106057973A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-10-26 | 福建师范大学 | 一种氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层cts薄膜的方法 |
CN106098814A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-11-09 | 福建师范大学 | 一种氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层CTSSe薄膜的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107134507A (zh) | 2017-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104795456B (zh) | 电沉积法制备三带隙铁掺杂铜镓硫太阳能电池材料的方法 | |
US8815123B2 (en) | Fabrication method for ibiiiavia-group amorphous compound and ibiiiavia-group amorphous precursor for thin-film solar cells | |
CN105793365B (zh) | 具有高无裂纹极限的cigs纳米粒子墨水制剂 | |
CN107134507B (zh) | 具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法 | |
CN103346215A (zh) | 一种均相溶液法制备铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜的方法 | |
CN102306685B (zh) | 一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层的低成本制备方法 | |
CN108461556A (zh) | 制备高效czts太阳能电池的前驱体溶液及其电池制备与应用 | |
Yussuf et al. | Photovoltaic efficiencies of microwave and Cu2ZnSnS4 (CZTS) superstrate solar cells | |
Patel et al. | Effect of type of solvent on the sol-gel spin coated CZTS thin films | |
US20170207362A1 (en) | Method for forming thin film having sulfide single-crystal nanoparticles | |
CN102694077A (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法 | |
Chander et al. | Nontoxic and earth-abundant Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film solar cells: a review on high throughput processed methods | |
CN103318851A (zh) | 铜铟镓硫硒太阳能电池、薄膜吸收层及其制备方法 | |
CN105161572A (zh) | 一种铜锌锡硫太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法 | |
Sajid et al. | Optimizing antimony trisulfide thin films: enhanced structural and optoelectronic properties via post-annealing in sulfur atmosphere | |
Wu et al. | Characterization of Cu (In, Ga) Se2 thin films prepared via a sputtering route with a following selenization process | |
KR101653184B1 (ko) | 태양전지 광흡수층 제조방법 및 이에 따라 제조되는 태양전지 광흡수층 | |
CN105932081A (zh) | 一种由氯化铜制备铜铟硫光电薄膜的方法 | |
KR101137434B1 (ko) | 급속열처리 공정을 사용한 cis계 화합물 박막의 제조방법 및 상기 cis계 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지의 제조방법 | |
CN105529243A (zh) | 一种硫酸盐体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法 | |
Kumar et al. | Growth and characterization of spray-deposited Cu2ZnSnS4 thin films by using two different carrier gases | |
El Kissani et al. | Earth Abundant Cu 2 FeSnS 4 Thin Film Solar Cells | |
Punathil et al. | Annealing Temperature and Post Sulphurizaton/Seleniation Effects on Solution-Based CZTS Devices | |
CN110752272B (zh) | 一种提高柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池效率的方法 | |
Chiou et al. | Copper-indium-gallium-diselenide nanoparticles synthesized by a solvothermal method for solar cell application |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |