CN105161572A - 一种铜锌锡硫太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title abstract description 3
- 229910002475 Cu2ZnSnS4 Inorganic materials 0.000 title abstract 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 12
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 114
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 11
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 11
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 8
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 claims description 8
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 8
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 claims description 4
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims description 4
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 28
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 abstract description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 60
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 2
- 206010011376 Crepitations Diseases 0.000 description 1
- 239000012901 Milli-Q water Substances 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本发明涉及一种铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法，其包括如下步骤：(a)采用化学溶液法制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒并制成Cu2ZnSnS4纳米墨水；(b)具有良好环境相容性的前驱体分子溶液墨水(含有Cu2+、Zn2+、Sn2+、S2-的混合溶液)的制备；(c)采用旋涂法或喷涂法或刮涂法分别将Cu2ZnSnS4纳米墨水和前驱体分子溶液墨水涂敷在衬底上，从而制备出Cu2ZnSnS4预制薄膜；(d)在惰性气氛或硫气氛或硒气氛下退火制备高质量Cu2ZnSnS4薄膜。本发明所提供的低成本的化学法制备Cu2ZnSnS4薄膜不需要昂贵的设备与原材料，且工艺稳定性好，控制好各工艺可以制备出具有优异光电性能的Cu2ZnSnS4薄膜。本发明通过低成本且易于大规模生产的方法成功制备出高质量的Cu2ZnSnS4光电薄膜，为制备低成本且高效的Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池奠定基础。
Description
技术领域
本发明涉及的是一种铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法，具体涉及光电功能材料领域。
背景技术
能源是人类社会发展进步的基本保障，经济社会的快速发展对能源提出越来越高的要求。目前，传统的化石能源在使用过程中带来严重的环境污染，而且化石能源不可再生，正日益枯竭。因此，急需寻找一种可再生的替代能源。可再生替代能源包括风能、潮汐能、太阳能和生物能等。与其他可再生能源相比，太阳能是人类最理想的可替代能源。通过光伏发电技术可以直接将太阳能转化为电能，以满足人类对能源的需求。
经过多年的发展，太阳电池的研究已取得了许多成果。然而，目前太阳电池的造价成本还是高居不下，极大地限制了它的广泛应用。因此，人们一直在寻找一种低成本且环保的太阳电池材料和制备方法。目前，硫化物太阳电池材料受到的关注最多。其中最具代表性的是Cu(Ga，In)(S，Se)2(CIGS)薄膜太阳电池，其最高转化效率已经达到21.7％(Phys.StatusSolidiRRL，2015，9：28～31)。但是，In和Ga是稀缺元素，价格高昂，而且Se是有毒的，不环保，这在很大程度上限制了其应用。Cu2ZnSnS4(CZTS)作为CIGS的同类材料，其带隙约为1.48eV，十分接近理想太阳电池吸收层的带隙1.5eV，且具有高的吸收系数(＞104cm-1)。Cu2ZnSnS4中的各元素在地壳中含量都较高，而且是无毒、廉价的，同时Cu2ZnSnS4太阳电池理论效率高达32.4％，因此CZTS是一种非常理想的太阳电池材料。目前以CZTS为吸收层的太阳电池转换效率达到8.4％(Prog.Photovolt：Res.Appl.2013，21(1)：72～76)，而用一部分Se取代Cu2ZnSnS4中的S的Cu2ZnSn(S，Se)4(CZTSSe)电池效率可达到12.6％(Adv.EnergyMater.2014，4(7)：1301465)。因此这种新型太阳电池有着很好的应用前景和巨大的商业价值。
目前，Cu2ZnSnS4薄膜的制备方法主要是磁控溅射硫化法和热蒸发法，这两种方法都需要大型真空设备，对制备条件要求较为苛刻，不能从根本上降低材料的制备成本。然而，改用墨水法制备Cu2ZnSnS4薄膜可以大大降低制备成本。墨水法可以分为分子溶液墨水法和纳米颗粒墨水法，这两种方法各具优缺点。纳米颗粒墨水法就是首先制备出Cu2ZnSnS4纳米颗粒，然后将其配制成墨水的方法。制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒是纳米颗粒墨水法的关键，本课题组采用微波液相合成法可控制备出不同形状及尺寸的Cu2ZnSnS4纳米颗粒(JournalofNanoparticleResearch，2014，16：2437)。本发明采用纳米颗粒墨水法与分子溶液墨水法相结合多层涂敷的方法制备出具有优异光电性能的Cu2ZnSnS4薄膜。
发明内容
本发明提出一种Cu2ZnSnS4太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法，该方法无需真空设备，降低生产成本，制备周期短，适合工业化大规模生产，制备Cu2ZnSnS4薄膜所用的材料都是无毒、无污染且廉价的，这极大降低了太阳电池的生产成本，具有良好的应用前景。
本发明所涉及的Cu2ZnSnS4薄膜的制备方法是通过以下技术方案实现的，具体包括以下几个步骤：
(1).衬底的清洗：采用肥皂水、去离子水、乙醇、去离子水依次超声清洗衬底；
(2).Cu2ZnSnS4纳米墨水的制备：采用微波液相合成法制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒；将所制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒分散到有机溶剂中制成Cu2ZnSnS4纳米墨水，其浓度为50-500mg/mL；
(3).分子溶液墨水的制备：将含Cu、Zn、Sn的化合物及含硫化合物，按照摩尔比Cu/(Zn+Sn)＝0.7-1.2，Sn/Zn＝0.8-1.5，S/(Cu+Zn+Sn)＝1-5，将含有Cu、Zn、Sn和S的化合物添加到有机溶剂中，从而制得分子溶液墨水；
(4).Cu2ZnSnS4预制薄膜的制备：采用旋涂法、喷涂法或刮涂法将所制备的Cu2ZnSnS4纳米墨水涂敷到衬底上，在100-400℃下烘干1-10min，重复多次上述步骤制成具有一定厚度的Cu2ZnSnS4预制薄膜；然后再将分子溶液墨水涂敷到Cu2ZnSnS4预制薄膜之上，再在100-400℃下烘干1-10min，重复上述步骤制成具有一定厚度的Cu2ZnSnS4预制薄膜；或先将分子溶液墨水涂敷到衬底上，然后再将Cu2ZnSnS4纳米墨水涂敷到已涂敷分子墨水薄膜之上。
(5).退火处理：将步骤(4)中所制备的Cu2ZnSnS4预制薄膜进行退火处理，气氛为惰性气体(氩气或氮气)或硫气氛或硒气氛，退火温度为300-600℃，时间为10-120min，气压为2-200kPa。
其中步骤(1)所述的衬底为钠钙玻璃、涂有钼薄膜的玻璃、康宁玻璃等。
其中步骤(2)所述的有机溶剂为乙醇、正丙醇、乙二醇甲醚、三乙醇胺、乙二醇中的一种或其组合。
其中步骤(3)所述的Cu的化合物为氯化铜或乙酸铜，锡的化合物为氯化亚锡或氯化锡，锌的化合物为氯化锌或乙酸锌，含硫化合物为硫脲、硫代乙酰胺、L-半胱氨酸中的一种或其组合，有机溶剂为乙二醇、乙二醇甲醚中的一种或其组合。
本发明原理：
将Cu2ZnSnS4纳米颗粒作为籽晶作用引导薄膜结晶从而提高所制备薄膜的结晶性；同时利用分子溶液墨水元素比例控制方便的优点制备出具有能带梯度变化的Cu2ZnSnS4薄膜；而且利用Cu2ZnSnS4纳米墨水所制备薄膜与Mo薄膜具有较好接触的优点制备出的薄膜与底层的Mo具有较佳的欧姆接触，最终制备出高性能的Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池。
有益效果
本发明采用的原材料都是环境相容性的，不会对环境造成破坏，避免使用难以降解或者对环境污染的化学药品或试剂。
本发明结合了纳米墨水与分子溶液墨水的优点，制备薄膜的元素可控可以制备出带隙在一定范围内可控的Cu2ZnSnS4薄膜。
本发明结合纳米墨水与分子溶液墨水可以有效减少薄膜在退火过程中产生的微裂纹，并有效地提高了所制备薄膜的结晶性，大大提高了薄膜的光电性能。
本发明所采用的墨水法属于非真空法，避免了采用真空设备昂贵的问题，而且这种方法适合大规模生产，具有广阔的应用前景。
附图说明
图1为对比例中所制备的Cu2ZnSnS4薄膜的表面扫描电子显微镜(SEM)图片
图2为实施例1中制备Cu2ZnSnS4薄膜过程示意图：从下到上，依次为玻璃基底1，背电极Mo薄膜2，旋涂多层Cu2ZnSnS4纳米墨水3，旋涂多层分子溶液墨水4，以及退火后得到Cu2ZnSnS4薄膜5。
图3为实施例1中所制备的Cu2ZnSnS4薄膜的X射线衍射(XRD)图谱。
图4为实施例1中所制备的Cu2ZnSnS4纳米颗粒的拉曼(Raman)光谱。
图5为实施例1中所制备的Cu2ZnSnS4薄膜的表面扫描电子显微镜(SEM)图片。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述，但不应以此限制本发明的保护范围。
对比例
采用微波液相合成法制取Cu2ZnSnS4纳米颗粒，具体工艺参数如下：称取0.02M氯化锌、0.02M氯化亚锡、0.04M氯化铜、0.12M硫代乙酰胺以及0.6g聚乙烯吡咯烷酮溶于50mL的乙二醇中，搅拌均匀之后放入到微波炉中加热，微波功率为800W。反应温度为130℃，反应时间为30min，离心分离，超纯水洗涤，即得到Cu2ZnSnS4纳米颗粒。将清洗干净的纳米颗粒按照100mg/mL的浓度分散到正丙醇中制成Cu2ZnSnS4纳米墨水。
将所配制的Cu2ZnSnS4纳米墨水旋涂到涂有Mo薄膜的玻璃衬底上，在300℃下烘干2min，重复此工艺20次。将所制备的Cu2ZnSnS4预制薄膜放入到双温区真空管式退火炉中的高温区，在低温区加入500mg硫粉，在氮气保护下进行退火处理，按照20℃/min升温至600℃，保温30min，硫化气压为20kPa，然后随炉冷却至室温。图1为对比例中所制备Cu2ZnSnS4薄膜的SEM图片，从图上可以明显看出薄膜表面存在一些裂纹。
实施例1
采用微波液相合成法制取Cu2ZnSnS4纳米颗粒的参数与对比例相同。然后采去离子水和乙醇对所制备纳米颗粒多次清洗，将清洗干净的纳米颗粒按照100mg/mL的浓度分散到正丙醇中制成Cu2ZnSnS4纳米墨水。
称取1M氯化锌、0.8M氯化亚锡、1.6M氯化铜和6M硫脲溶于20mL的乙二醇甲醚中，搅拌均匀使其完全溶解于乙二醇甲醚中，配制成分子溶液墨水。
将所配制的Cu2ZnSnS4纳米墨水旋涂到涂有Mo薄膜的玻璃衬底上，在300℃下烘干2min，重复此工艺10次；然后将所配制的分子溶液墨水旋涂到Cu2ZnSnS4纳米薄膜上，同样在300℃下烘干2min，重复此工艺5次，制得Cu2ZnSnS4预制薄膜。
最后，将所制备的Cu2ZnSnS4预制薄膜放入到双温区真空管式退火炉中的高温区，在低温区加入500mg硫粉，在氮气保护下进行退火处理，按照20℃/min升温至600℃，保温30min，硫化气压为20kPa，然后随炉冷却至室温。图3为实施例1所制备Cu2ZnSnS4薄膜的XRD图谱，所制备的薄膜具有明显的衍射峰，衍射峰较为尖锐说明具有很好的结晶性，衍射峰对应于锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4。图4为所制备Cu2ZnSnS4薄膜的Raman光谱，在286cm-1、335cm-1和372cm-1处存在三个Raman峰，也对应于锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4。图5为Cu2ZnSnS4薄膜的SEM图片，薄膜不存在裂纹和孔洞，与对比例相比，所制备薄膜的致密性明显提高，表面裂纹消失。将所制备Cu2ZnSnS4薄膜制作成Cu2ZnSnS4/CdS异质结太阳电池，电池的具体参数如表1所示。相比于对比例，实施例1所制备的电池有明显的提高。
表1Cu2ZnSnS4/CdS异质结太阳电池的性能参数
实施例2
采用微波液相合成法制取Cu2ZnSnS4纳米颗粒的参数与对比例相同。然后采去离子水和乙醇对所制备纳米颗粒多次清洗，将清洗干净的纳米颗粒按照500mg/mL的浓度分散到乙二醇中制成Cu2ZnSnS4纳米墨水。
称取1M乙酸锌、0.8M氯化亚锡、1.26M乙酸铜和12M硫脲溶于20mL的乙二醇中，搅拌均匀使其完全溶解于乙二醇中，配制成分子溶液墨水。
将所配制的Cu2ZnSnS4纳米墨水刮涂到涂有Mo薄膜的玻璃衬底上，在100℃下烘干10min，重复此工艺2次；然后将所配制的分子溶液墨水旋涂到Cu2ZnSnS4纳米薄膜上，同样在400℃下烘干1min，重复此工艺10次，制得Cu2ZnSnS4预制薄膜。
最后，将所制备的Cu2ZnSnS4预制薄膜放入到真空管式退火炉中，在氩气保护下进行退火处理，按照30℃/min升温至500℃，保温120min，退火气压为200kPa，然后随炉冷却至室温。
实施例3
采用微波液相合成法制取Cu2ZnSnS4纳米颗粒的参数与实施例1相同。然后采去离子水和乙醇对所制备纳米颗粒多次清洗，将清洗干净的纳米颗粒按照50mg/mL分散到乙醇中制成Cu2ZnSnS4纳米墨水。
称取1M乙酸锌、1M氯化锡、2M乙酸铜和4M硫代乙酰胺溶于20mL的乙二醇中，搅拌均匀使其完全溶解于乙二醇中，配制成分子溶液墨水。
将所配制的Cu2ZnSnS4纳米墨水喷涂到康宁玻璃衬底上，在400℃下烘干，重复此工艺10次；然后将所配制的分子溶液墨水旋涂到Cu2ZnSnS4纳米薄膜上，在200℃下烘干10min，重复此工艺5次，制得Cu2ZnSnS4预制薄膜。
最后，将所制备的Cu2ZnSnS4预制薄膜放入到真空管式退火炉中，在硒气氛保护下进行退火处理，按照50℃/min升温至500℃，保温30min，退火气压为100kPa，然后随炉冷却至室温。
实施例4
采用微波液相合成法制取Cu2ZnSnS4纳米颗粒的参数与实施例1相同。然后采去离子水和乙醇对所制备纳米颗粒多次清洗，将清洗干净的纳米颗粒按照200mg/mL分散到乙二醇甲醚中制成Cu2ZnSnS4纳米墨水。
称取1M乙酸锌、0.8M氯化亚锡、1.26M乙酸铜和15.3M的L-半胱氨酸，溶于20mL的乙二醇甲醚中，搅拌均匀使其完全溶解于混合溶液中，配制成分子溶液墨水。
将所配制的Cu2ZnSnS4纳米墨水采用旋涂法沉积到钠钙玻璃衬底上，在300℃下烘干2min，重复此工艺10次；然后将所配制的分子溶液墨水旋涂到Cu2ZnSnS4纳米薄膜上，同样在300℃下烘干2min，重复此工艺5次，制得Cu2ZnSnS4预制薄膜。
最后，将所制备的Cu2ZnSnS4预制薄膜放入到双温区真空管式退火炉中的高温区，在低温区加入500mg硫粉，在氮气保护下进行退火处理，按照50℃/min升温至550℃，保温60min，硫化气压为2kPa，然后随炉冷却至室温。
实施例5
采用微波液相合成法制取Cu2ZnSnS4纳米颗粒的参数与实施例1相同。然后采去离子水和乙醇对所制备纳米颗粒多次清洗，将清洗干净的纳米颗粒按照200mg/mL分散到三乙醇胺中制成Cu2ZnSnS4纳米墨水。
称取1M乙酸锌、0.8M氯化锡、2.16M乙酸铜和11.88M硫脲，溶于20mL的乙二醇中，搅拌均匀使其完全溶解于混合溶液中，配制成分子溶液墨水。
将所配制的Cu2ZnSnS4纳米墨水采用刮涂法刮涂到钠钙玻璃衬底上，在400℃下烘干2min；然后将所配制的分子溶液墨水旋涂到Cu2ZnSnS4纳米薄膜上，同样在400℃下烘干2min，重复此工艺5次，制得Cu2ZnSnS4预制薄膜。
最后，将所制备的Cu2ZnSnS4预制薄膜放入到真空管式退火炉中，在硫化氢气氛保护下进行退火处理，按照50℃/min升温至400℃，保温60min，退火气压为100kPa，然后随炉冷却至室温。
实施例6
采用微波液相合成法制取Cu2ZnSnS4纳米颗粒的参数与实施例1相同。然后采去离子水和乙醇对所制备纳米颗粒多次清洗，将清洗干净的纳米颗粒按照200mg/mL分散到正丙醇中制成Cu2ZnSnS4纳米墨水。
称取1M乙酸锌、1.5M氯化亚锡、2M乙酸铜和13.5M硫脲，溶于20mL的乙二醇中，搅拌均匀使其完全溶解于混合溶液中，配制成分子溶液墨水。
将所配制的Cu2ZnSnS4纳米墨水采用旋涂到钠钙玻璃衬底上，在300℃下烘干2min，重复此工艺10次；然后将所配制的分子溶液墨水旋涂到Cu2ZnSnS4纳米薄膜上，在300℃下烘干2min，重复此工艺5次，制得Cu2ZnSnS4预制薄膜。
最后，将所制备的Cu2ZnSnS4预制薄膜放入到真空管式退火炉中，在氮气气氛下进行退火处理，按照50℃/min升温至550℃，保温30min，退火气压为100kPa，然后随炉冷却至室温。
实施例7
采用微波液相合成法制取Cu2ZnSnS4纳米颗粒的参数与实施例1相同。然后采去离子水和乙醇对所制备纳米颗粒多次清洗，将清洗干净的纳米颗粒按照200mg/mL分散到三乙醇胺中制成Cu2ZnSnS4纳米墨水。
称取1M乙酸锌、0.8M氯化亚锡、1.6M乙酸铜和6M硫脲，溶于20mL的乙二醇中，搅拌均匀使其完全溶解于混合溶液中，配制成分子溶液墨水。
将所配制的Cu2ZnSnS4纳米墨水采用刮涂法刮涂到钠钙玻璃衬底上，在氮气气氛下400℃下烘干2min；然后将所配制的分子溶液墨水旋涂到Cu2ZnSnS4纳米薄膜上，同样在400℃下烘干2min，重复此工艺5次，制得Cu2ZnSnS4预制薄膜。
最后，将所制备的Cu2ZnSnS4预制薄膜放入到真空管式退火炉中，在硫化氢气氛保护下进行退火处理，按照20℃/min升温至300℃，保温40min，退火气压为100kPa，然后随炉冷却至室温。
Claims (4)
1.一种铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1).衬底的清洗：采用肥皂水、去离子水、乙醇、去离子水依次超声清洗衬底；
(2).Cu2ZnSnS4纳米墨水的制备：采用微波液相合成法制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒；将所制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒分散到有机溶剂中制成Cu2ZnSnS4纳米墨水，其浓度为50-500mg/mL；
(3).分子溶液墨水的制备：将含Cu、Zn、Sn的化合物及含硫化合物，按照摩尔比Cu/(Zn+Sn)＝0.7-1.2，Sn/Zn＝0.8-1.2，S/(Cu+Zn+Sn)＝1-5，将含有Cu、Zn、Sn和S的化合物添加到有机溶剂中，从而制得分子溶液墨水；
(4).Cu2ZnSnS4预制薄膜的制备：采用旋涂法、喷涂法或刮涂法将所制备的Cu2ZnSnS4纳米墨水涂敷到衬底上，在100-400℃下烘干1-10min，重复多次上述步骤制成具有一定厚度的Cu2ZnSnS4预制薄膜；然后再将分子溶液墨水涂敷到Cu2ZnSnS4预制薄膜之上，再在100-400℃下烘干1-10min，重复上述步骤制成具有一定厚度的Cu2ZnSnS4预制薄膜；或先将分子溶液墨水涂敷到衬底上，然后再将Cu2ZnSnS4纳米墨水涂敷到已涂敷分子墨水薄膜之上。
(5).退火处理：将步骤(4)中所制备的Cu2ZnSnS4预制薄膜进行退火处理，气氛为惰性气体(氩气或氮气)或硫气氛或硒气氛，退火温度为300-600℃，时间为10-120min，气压为2-200kPa。
2.根据权利要求1所述的一种Cu2ZnSnS4太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的衬底为钠钙玻璃、涂有钼薄膜的玻璃、康宁玻璃等。
3.根据权利要求1所述的一种Cu2ZnSnS4太阳电池吸收层的墨水多层制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的有机溶剂为乙醇、正丙醇、乙二醇甲醚、三乙醇胺、乙二醇中的一种或其组合。
4.根据权利要求1所述的一种Cu2ZnSnS4太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的Cu的化合物为氯化铜或乙酸铜，锡的化合物为氯化亚锡或氯化锡，锌的化合物为氯化锌或乙酸锌，含硫化合物为硫脲、硫代乙酰胺、L-半胱氨酸中的一种或其组合，有机溶剂为乙二醇、乙二醇甲醚中的一种或其组合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510551031.0A CN105161572B (zh) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | 一种铜锌锡硫太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510551031.0A CN105161572B (zh) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | 一种铜锌锡硫太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105161572A true CN105161572A (zh) | 2015-12-16 |
| CN105161572B CN105161572B (zh) | 2017-11-14 |
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ID=54802383
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| CN201510551031.0A Expired - Fee Related CN105161572B (zh) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | 一种铜锌锡硫太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105161572B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449862A (zh) * | 2016-07-20 | 2017-02-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种铜锌锡硫薄膜的制备方法 |
| CN107195697A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-09-22 | 中南大学 | 一种铜钡(锶/钙)锡硫(硒)薄膜的制备方法 |
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| CN112531075A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-19 | 中山大学 | 一种基于分子式墨水刮涂制备柔性铜锌锡硫硒薄膜及其器件的方法 |
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| US20140220728A1 (en) * | 2011-02-18 | 2014-08-07 | Hugh Hillhouse | Methods of forming semiconductor films including i2-ii-iv-vi4 and i2-(ii,iv)-iv-vi4 semiconductor films and electronic devices including the semiconductor films |
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