CN101795514A - 温度补偿电流源及其方法 - Google Patents

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T·基纳
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Abstract

本发明涉及温度补偿电流源及其方法。在一个实施方式中，温度补偿电流源包括与有源半导体器件串联连接的耗尽型晶体管，所述有源半导体器件调节所述耗尽型晶体管以最小化归因于温度变化的电流的变化。

Description

温度补偿电流源及其方法
技术领域
本发明一般涉及电子学，尤其是涉及半导体及其结构以及形成半导体器件的方法。
背景技术
发光二极管(LED)在以前使用白炽光源的各种应用中作为光源获得公认。在过去，复杂电路例如串通(series-pass)电压调节器或开关电压调节器或开关电流调节器用于提供用来操作LED的电源。在美国专利号6,285,139和美国专利公开号2007/0024259中公开了这样的电源的一些例子。这些以前的电源包括很多元件，这导致将LED用作光源的高成本。此外，当周围环境温度的值变化时，这些电源中的很多不向LED提供稳定的电流，从而引起发出的光的强度的不希望有的变化。
因此，期望有一种控制电流的较低成本的电路和方法以及由于温度变化而提供更稳定的电流的电路和方法。
附图说明
图1简要示出包括根据本发明的温度补偿电流源LED照明系统的一部分的实施方式；
图2简要示出LED照明系统的实施方式；
图3简要示出另一发光系统的一部分的实施方式，该发光系统包括根据本发明的图1的温度补偿电流源的可选实施方式；
图4简要示出另一温度补偿电流源的一部分的实施方式，其是根据本发明的图1的温度补偿电流源的可选实施方式；
图5简要示出另一温度补偿电流源的一部分的实施方式，其是根据本发明的图1的温度补偿电流源的可选实施方式；
图6简要示出另一温度补偿电流源的一部分的实施方式，其是根据本发明的图1的温度补偿电流源的又一可选实施方式；以及
图7示出包括根据本发明的图1的温度补偿电流源的半导体器件的一部分的放大横截面视图。
为了说明的简洁和清楚，附图中的元件不一定按比例绘制，且不同图中相同的参考数字表示相同的元件。此外，为了描述的简单而省略了公知的步骤和元件的说明与细节。如这里所使用的载流电极(current carrying electrode)表示器件的一个元件，如MOS晶体管的源极或漏极、或双极晶体管的集电极或发射极、或二极管的阴极或阳极，其承载通过该器件的电流；而控制电极表示器件的一个元件，如MOS晶体管的栅极或双极晶体管的基极，其控制通过该器件的电流。虽然这些器件在这里被解释为某个N沟道或P沟道器件、或某个N型或P型掺杂区，但本领域中的普通技术人员应该认识到，依照本发明，互补器件也是可能的。本领域中的技术人员应认识到，这里使用的关于电路操作的词语“在...的期间”、“在...同时”、“当...的时候”不是表示一旦开始操作马上就会出现反应的准确术语，而是在被初始操作激起的反应之间可能有一些微小但合理的延迟，例如传播延迟。词语“大约”或“实质上”的使用意指元件的值具有被预期非常接近于规定值或位置的参数。然而，如在本领域中所公知的，总是存在阻止值或位置确切地如规定的微小变化。本领域中完全确认，直到约百分之十(10％)(且对于半导体掺杂浓度，直到百分之二十(20％))的变化是偏离确切地如所述的理想目标的合理变化。为了附图的清楚，器件结构的掺杂区被示为一般具有直线边缘和精确角度的角。
具体实施方式
图1简要示出包括温度补偿电流源20的LED照明系统10的一部分的实施方式。系统10包括为操作系统10提供DC电压的电压源。电压源可以是包括电池、开关电压调节器、串通电压调节器或其它公知类型的DC电压源的各种DC电压源。在一些实施方式中，DC电压源可以是从全波或半波整流AC电压产生的电压。为了解释系统10和源20的目的，DC电压源被示为电池11。系统10的示例性实施方式还包括配置为LED光源12的负载，LED光源12用于发射光。通常，源12包括被示为LED13-15的多个LED。然而，光源12可包括单个LED或多于3个的LED，如图1所示。本领域技术人员应认识到，负载可以是需要以电流源例如源20操作的另一类型的负载。对于所示实施方式，温度补偿电流源20是包括第一端子21和第二端子22的2端子半导体器件。如图1所示，端子21是输入端子，而端子22是输出端子。源20还包括耗尽型晶体管24和与晶体管24串联的有源半导体器件。晶体管24优选地是通常在大约零伏的栅极到源极电压(Vgs)处开启的N沟道耗尽型器件，例如N沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管(N沟道耗尽型MOSFET)或N沟道结型场效应晶体管(N沟道JFET)。在优选实施方式中，晶体管24是N沟道JFET。通过晶体管24的电流随着增加的漏极到源极电压而增加，直到电流达到饱和。饱和电流电平也由Vgs控制。特征电压-电流(V-I)曲线的常见的晶体管系列通过将Vgs从零降低到负值来产生。例如，N沟道JFET的阈值电压通常在负2伏到负6伏(-2V到-6V)的范围内的某处。当为负值的Vgs比阈值电压在绝对值上更小时，JFET在饱和区操作，当Vgs达到阈值电压时，JFET的沟道变成夹断，且JFET从饱和区回到夹断或关闭状态。
如在下文中进一步看到的，晶体管24和有源半导体器件配置成使得晶体管24可接收并传导也通过有源晶体管流到源20的公共节点27的电流。此外，源20配置成利用有源半导体器件两端的电压的值中的由温度引起的变化来调节晶体管24的Vgs。对于图1所示的实施方式，有源半导体器件是P-N结二极管26。本领域技术人员将理解，二极管26也可为肖特基(金属半导体结)二极管或齐纳二极管。晶体管24的栅极连接到公共节点27，公共节点27也连接到端子22。二极管26的阳极连接到晶体管24的源极，而二极管26的阴极连接到公共节点27。晶体管24的漏极连接到端子21，而栅极连接到节点27。在一个实施方式中，源极20在半导体基底上形成为具有两个外部引线或端子21和22的集成电路。
电池11提供用于操作LED 13-15和源20的功率。来自电池11的电压形成通过LED 13-15流到源20的电流17。电流17通过晶体管24和二极管26流到公共节点27，接着通过端子22流回电池11。流经二极管26的电流17在二极管26两端引起等于二极管26的正向电压的电压降。在优选实施方式中，电流17的值被选择成在二极管26的电压-电流(V-I)特征曲线中不小于V-I特征曲线的膝点(knee)电压的一点处操作二极管26。此外，电流17的值被选择成使得晶体管24在晶体管24的V-I特征曲线的饱和区中操作。
对于来自电池11的给定恒定电压和电流的给定值，重要的是，当温度变化时保持电流17的值实质上恒定，以便保持LED 13-15所发出的光的强度实质上恒定。温度增加可从周围环境例如被暴露给加热系统10的直接阳光的汽车尾灯中的变化产生，或它可从来自LED或源20的操作的热产生。源20的增加的温度增加了晶体管24的内部电阻，从而引起被晶体管24传导的电流的减小。二极管26的温度的增加降低了二极管26两端的电压降的值，从而降低了施加到晶体管24的源极的电压的值(使源极更接近于节点27的电压)。降低施加到源极的电压使Vgs增加(使为负值的Vgs在绝对值上更小并更接近于零)与二极管26两端正向电压降的变化的绝对值相同的绝对值。增加的Vgs使晶体管24传导更多的电流，从而最小化了归因于增加的温度变化的电流17的值的变化。本领域技术人员应理解，晶体管24的阈值电压可响应于温度变化而变化一些，但阈值变化比二极管26两端的电压的变化小得多，因此，阈值电压可被认为是实质上恒定的。对于作为JFET的晶体管24的优选实施方式，为负值的、在绝对值上更小的Vgs或增加的Vgs也降低了夹断，从而减小了JFET的电阻，并允许更多的电流流经JFET的沟道。作为结果，当温度增加时，流经晶体管24和源20的电流保持实质上恒定。对于作为N沟道耗尽型MOSFET的晶体管24的实施方式，增加的Vgs使晶体管24的沟道传导更多的电流。例如，在一个实施方式中，二极管26具有50伏(50V)的反向击穿电压，且晶体管24是JFET，其中电流17的值被设定成在二十五(25)摄氏度大约为30毫安(30mA)。当温度从二十五(25)摄氏度增加到一百二十五(125)摄氏度时，正向电压降低了大约0.1到0.2伏，这引起JFET晶体管的Vgs的相应的0.1到0.2伏的增加。Vgs增加也使电流17的值增加大约1到3毫安，这表示大约3％到10％的电流补偿。
本领域技术人员应认识到，温度的降低将降低晶体管24的内部电阻，从而引起可由晶体管24传导的电流的数量的增加(对于恒定的Vgs)。二极管26的降低的温度增加了二极管26两端的电压降，从而增加了晶体管24的源极上的电压。增加晶体管24的源极上的电压的值降低了Vgs(使为负值的Vgs在绝对值上更大)，这使晶体管24传导更少的电流。作为结果，当温度降低时，流经晶体管24和源20的电流保持实质上恒定。作为结果，当温度降低时，流经晶体管24和源20的电流保持实质上恒定。
因此，可看到，当温度增加和降低时，流经晶体管24和源20的电流保持实质上恒定。一般，对于大约负四十到正一百二十五(-40到+125)摄氏度的温度，对于大约30毫安(30mA)的电流17，电流17的值以仅仅大约0.03到0.08mA/摄氏度的速率变化，这取决于二极管26的尺寸和设计。为了比较，一般现有技术器件具有高于0.17mA/摄氏度的变化率，其通常比源20的变化大几倍。
形成源20的可选实施方式形成了晶体管23和二极管26，以阻止电流从端子22流到端子21，从而限制电流17仅在一个方向上流经源20和光源12。这可提供阻止反向电流流经系统10的额外优点。该可选实施方式类似于图7的实施方式，只是基底70改变为N型传导性。接着P型掺杂区(常常称为槽区或阱)形成，以包围区71。其后，区71和区77、78和79形成，与在图7的描述中解释的相同。在该可选实施方式中，区72可省略或可用于提供相同的传导类型但与基底70不同的掺杂浓度。
如果来自电池11的电压的值增加(在给定的温度)，例如如果电池11被充电，则电流17的值将开始增加。由于二极管26的尖锐膝点，本领域技术人员通常预期电压的变化将使电流17的值增加。然而，已经发现，当来自电池11的电压增加和减小时，源20也最小化了电流17的值的变化。因为二极管26具有尖锐膝点，输入电压的变化实质上对二极管26两端的电压降没有影响。因此，晶体管24的Vgs保持实质上恒定。因此，对于设定的温度值，当输入电压变化时，源20提供控制通过源20的电流保持实质上恒定的意外的结果。
在一个示例性实施方式中，系统10包括3个串联LED 13-15，每个LED具有大约1.5伏(V)到4.0伏的标称正向电压，此外，晶体管24具有大约负3伏(-3V)的夹断电压，源20在室温传导大约500毫安(500mA)的电流，且二极管26的膝点电压在大约0.75伏的正向电压处出现。系统10的操作与使用连接到电阻器而不是例如图2所示的二极管26的晶体管24的系统比较。电阻器的选定值是24欧姆，然而，可使用其它电阻器值。下面的表1示出对于电池11的大约8伏(8V)和大约18伏(18V)的两个电压，在实质上恒定的温度处的电流17的变化：
  电池电压   源20的电流值   图2系统的电流值
  8伏   17.9mA   29.2mA
  18伏   17.0mA   26.0mA
  电流变化   4.52％   10.96％
表1：比较表
如可从表1中看到的，源20具有同样最小化电流17的变化的意外结果，电流17的变化归因于用于操作源20和系统10(在给定的温度值处)的电压的值的变化。此外，源20也具有导致较低的功率耗散的较低的总电流消耗。表1指示，在给定的温度，当电压加倍时，源20控制电流17的变化不大于大约百分之五(5％)。本领域技术人员应理解，如果来自电池11的电压的值降低，则电流17的值也以与对电流的增加描述的方式类似的方式降低。
可以认为，归因于温度变化的LED 13-15所发出的光强度的变化大于归因于工作电压的变化的光强度变化，因此，可以认为，对于来自电池11的电压的给定值，在温度范围内最小化电流17的变化很重要。
图3简要示出另一发光系统29的一部分的实施方式，其为在图1的描述中解释的发光系统10的可选实施方式。系统10包括类似于源20的温度补偿电流源30，只是源20的二极管26由LED 31代替。在一些实施方式中，LED 31也可以是用于单独地通过LED 31或与其它LED例如LED 13或14结合来发射光的多个LED之一。在图3中，晶体管24被示为N沟道耗尽型MOSFET。在优选实施方式中，来自电池11的电压和电流17的值被选择成以类似于二极管26的方式操作LED 31。因为在可见光谱中操作的LED具有比硅P-N结二极管或金属半导体结型二极管更高的正向电压降，所以LED两端的电压变化对温度变化而言较大。因此，与源20相比，源30具有归因于温度变化的更小的电流变化。已经发现，源30将电流17的变化限制为在大约负40到正一百二十五(-40到+125)摄氏度的温度范围内(在电池11的恒定值处)小于大约0.03mA/摄氏度，并且对于在表1的描述中解释的电压变化小于电流17的大约百分之五(5％)。
图4简要示出作为源20的可选实施方式的温度补偿电流源50的一部分的实施方式。源50类似于源20，只是源50包括二极管连接的双极晶体管51而不是二极管26。源50与源20类似地操作。
图5简要示出作为源20的另一可选实施方式的温度补偿电流源35的一部分的实施方式。源35包括在电流镜配置中与晶体管24连接的耗尽型晶体管36。晶体管36类似于晶体管24。由于电流镜配置，电流17的一部分作为电流37流经晶体管24，而电流17的另一部分作为电流38流经晶体管36。流经晶体管24和36的电流17的百分比由晶体管24和36的尺寸之比确定，假定晶体管36是具有相同或相似的阈值电压并优选地整体地在同一半导体基底上形成的24的电流镜。当温度变化时，二极管26两端的电压降调节晶体管24的Vgs以最小化电流17的变化，类似于对与电流17有关的源20描述的操作。由于共同的连接，晶体管24和36的栅极在相同的电位。晶体管36和二极管26形成温度补偿电流源，类似于对在图1的描述的源20解释的操作。当温度增加时，晶体管24和36的栅极到源极电压(Vgs)增加，这增加了电流17的值。该配置提供了恒定的电流源，同时将补偿二极管反馈放置成远离主要电流流动的路径。如本领域技术人员将看到的，晶体管24和36的尺寸比可变化，以便电流37的值小于电流38。这样的配置可降低源35的功率耗散。在优选实施方式中，晶体管36的漏极连接到晶体管24的漏极，而晶体管36的源极连接到节点27。因为电流37一般小于电流37，功率耗散和在晶体管24和二极管28中产生的相关的热减少了。本领域技术人员应认识到，晶体管36的配置可用于源20、30或50中的任何一个。
图6简要示出温度补偿电流源45的一部分的实施方式，其为在图5的描述中解释的源35的另一可选实施方式。然而，源45包括帮助控制电流17的反馈控制回路。晶体管24和36的栅极配置成由反馈控制回路控制。反馈控制回路包括产生参考电压的参考发生器或参考47，以及配置成监控晶体管24的Vgs并控制Vgs的放大器46。在所示实施方式中，控制回路控制晶体管24的Vgs大约等于来自参考47的参考电压的值减去二极管26两端的电压降。当二极管26两端的电压的值随着温度变化而变化时，放大器46的输出调节晶体管24的Vgs，使得从晶体管24的栅极到二极管26的阴极的电压实质上等于来自参考47的电压，以便维持电流37和38的值实质上恒定。源45的输出是端子22，因为电流17通过端子22从源20流出。源45通常包括另一端子48，其用于提供用于操作放大器46和参考47的功率。在一些实施方式中，端子48可省略，且端子21也可连接成向放大器46提供操作功率。本领域技术人员应认识到，源45的控制回路也可用于源20、30或50中的任何一个的配置。
图7示出源20的一部分的放大横截面图。源20在具有第一表面和第二表面的半导体基底70上形成。具有与基底70相反的传导类型的区71在基底70的第一表面上形成。有与基底70相反的传导类型的区72也在基底70的第一表面上形成并与区71间隔开。有基底70的传导类型的区74设置成将区72从区71隔离，从而从二极管26隔离晶体管24。在优选实施方式中，区74以多连通域的拓扑围绕区72。术语“多连通”意指其内具有一个或多个孔的连通域(例如环状物)。晶体管24在区71中形成，且二极管26在区72中形成。区74可为基底70的一部分，其在基底70的表面被掺杂例如通过注入区71和72以形成区71和72之后保留。可选地，外延层可在基底70上形成，且外延层的一部分可被掺杂以形成区74。在作为N沟道耗尽型晶体管的晶体管24的优选实施方式中，基底70和区74具有P型传导性，而区71和72具有N型传导性。区71和72可在一个或多个相同的处理步骤期间同时形成。晶体管24的漏极和源极区在区71内的基底70的表面上形成为相应的掺杂区77和79。区77和79可在一个或多个相同的处理步骤期间同时形成。具有与基底70相同的传导性的掺杂区78在区71内的基底70的表面上形成并位于区77和79之间。具有与基底70相同的传导性的掺杂区82在区72内的基底70的表面上形成。具有与区82相反的传导类型的掺杂区83在区82内形成。区78和82可在一个或多个相同的处理步骤期间同时形成。区83可与区77和79同时形成。区82和83形成二极管26的相应阳极和阴极。导体87产生与区77的电接触，以形成晶体管24的漏极导体。导体87一般连接到端子21。导体88的一端产生与区79的电接触，以形成晶体管24的源极导体。导体88的另一端产生与区72和82的电接触，以形成二极管26的阳极导体。根据区72的掺杂浓度，与区72相同的掺杂类型和较重的掺杂浓度的另一掺杂区73可能需要形成与区72的良好的欧姆接触。根据区82的掺杂浓度，与区82相同的掺杂类型和较重的掺杂浓度的另一掺杂区(未示出)可能需要形成与区82的良好的欧姆接触。导体88将晶体管24的源极电连接到二极管26的阳极。导体89的一端产生与区83的电接触，以形成二极管26的阴极导体。导体89的另一端产生与区74的一部分的电接触，以通过区74和基底70形成二极管26的阴极和端子22之间的电连接。区74的电连接到导体89的该部分通常不是在区71和72之间的部分。电介质86将导体88和89的部分与基底70的其它部分隔离。导体90产生与区78的电接触，以形成晶体管24的栅极导体。导体90一般在基底70的表面周围定路线以电接触导体89。该电连接形成如图8中虚线所示的节点27。导体93通常应用于基底70的第二表面并随后连接到端子22。
基底70还可包括在图8中为制图简单而没有示出的其它电路。源20通过半导体制造技术在基底70上形成，这些技术对本领域的技术人员来讲是公知的。连同或代替源20，源30、35或50中的任何一个或其组合可在基底70上形成。源40或45也可在基底70上形成为具有三个引线或端子的器件。
本领域技术人员应认识到，源20或源30、35、45、50中的任何一个可在包括各种其它半导体元件的集成电路上形成。在这样的实施方式中，端子22可在基底70的第一表面上形成。例如，端子22可由与导体89的连接形成，以形成与二极管26的阴极的电连接，其中导体89不一定连接到区74。
鉴于上述全部内容，显然公开的是一种新的器件和方法。连同其它特征包括的是形成耗尽型FET和有源半导体器件，以当温度增加时控制电流。对于温度变化，该配置比现有器件更准确地控制电流的值。该配置也不需要为了形成电流而施加正栅极偏压的额外的电路，从而消除了额外的栅极偏压电路的成本。现有器件的正栅极偏压还需要较高的工作电压以便产生正栅极偏压，因此，本新器件可从较低的电压操作，从而提供了功率节约优点。此外，额外的栅极偏压电路还消耗功率，因此，本新器件提供了另一功率节约优点。还发现，该配置具有当所施加的电压变化时比现有器件更准确地控制电流的意外结果。
从上面的描述中，本领域技术人员应理解，前面描述的优点是从源20、30、35和50的实施方式中获得的，该实施方式包括：第一和第二端子；第一耗尽型晶体管，其具有连接到第二端子的控制电极、连接到第一端子的第一载流电极、和第二载流电极；以及二极管，其具有连接到第一耗尽型晶体管的第二载流电极的阳极和连接到第二端子的阴极。
从前面的解释中本领域技术人员应理解，前面描述的优点是从形成源20、30、35和50的方法中获得的，该方法包括：耦合第一FET以将电流从第一FET的第一载流电极传导通过第一FET；以及耦合作为与第一FET的第二载流电极串联的二极管或耗尽型MOSFET之一的半导体器件，其中电流流经连接到第一FET的栅极并耦合到有源半导体器件的公共节点，且其中栅极不连接到任何其它节点。
从前面的解释中本领域技术人员应理解，前面描述的优点是从形成源20、30、35、45和50的方法中获得的，该方法包括：耦合第一FET的第一载流电极以接收电流来传导通过第一FET；耦合有源半导体器件，其为在第一FET的第二载流电极与电流源的公共节点之间的二极管或耗尽型MOSFET之一，其中有源半导体器件两端的电压由于温度的变化而变化；以及配置电流源以使用有源半导体器件两端的电压的变化来调节第一FET的栅极到源极电压。
本领域技术人员应理解，形成源20、30、35、45和50的方法包括：提供第一传导类型的并具有第一和第二表面的基底；在基底的第一表面上形成具有第二传导类型的第一掺杂区；在基底的第一表面上形成具有第二传导类型并与第一掺杂区间隔开的第二掺杂区；在第一和第二掺杂区之间形成第一传导类型的区；在第一表面上和第一掺杂区内形成第二传导类型的第三和第四掺杂区作为耗尽型晶体管的相应的源极和漏极区；在第一表面上和第一掺杂区内形成具有第一传导类型的第五掺杂区，其中第五掺杂区与第三和第四掺杂区间隔开并在第三和第四掺杂区之间；在第一表面上和第二掺杂区内形成具有第一传导类型的第六掺杂区；在第一表面上和第六掺杂区内形成具有第二传导类型的第七掺杂区；以及形成将第三掺杂区电耦合到第六掺杂区的第一导体。
虽然用特定的优选实施方式描述了本发明的主题，但显然对半导体领域的技术人员来说许多替换和变化是明显的。更具体地，本发明的主题是对N沟道JFET描述的，但本领域技术人员认识到，也可使用包括P沟道JFET、N沟道耗尽型MOSFET或P沟道耗尽型MOSFET的其它场效应晶体管(FET)来代替N沟道JFET。此外，可插入与有源半导体器件串联的电阻器，以对所施加的电压的变化提供电流的额外控制。虽然温度补偿电流源被描述为通过LED控制电流，本领域技术人员应认识到，温度补偿电流源还可用于需要温度补偿电流的应用。此外，为描述清楚而始终使用“连接(connect)”这个词，但是，其意指与词“耦合(couple)”具有相同的含义。相应地，“连接”应被解释为包括直接连接或间接连接。

Claims (11)

1.一种温度补偿电流源，包括：
第一端子和第二端子；
第一耗尽型晶体管，其具有连接到所述第二端子的控制电极、连接到所述第一端子的第一载流电极、和第二载流电极；以及
二极管，其具有连接到所述第一耗尽型晶体管的所述第二载流电极的阳极和连接到所述第二端子的阴极。
2.如权利要求1所述的温度补偿电流源，还包括第二耗尽型晶体管，所述第二耗尽型晶体管具有连接到所述第一耗尽型晶体管的所述控制电极的控制电极、连接到所述第一端子的第一载流电极，并具有第二载流电极。
3.如权利要求1所述的温度补偿电流源，其中所述温度补偿电流源在具有不多于两个端子的半导体封装中形成。
4.一种形成电流源的方法，所述方法包括如下步骤：
耦合第一FET以将电流从所述第一FET的第一载流电极传导通过所述第一FET；以及
耦合作为与所述第一FET的第二载流电极串联的二极管或耗尽型MOSFET之一的半导体器件，其中所述电流流经连接到所述第一FET的栅极并耦合到有源半导体器件的公共节点，且其中所述栅极不连接到任何其它节点。
5.如权利要求4所述的方法，其中耦合作为二极管或耗尽型MOSFET之一的半导体器件的步骤包括：耦合P-N二极管、二极管耦合的双极晶体管或LED之一作为所述半导体器件。
6.如权利要求4所述的方法，其中耦合半导体器件的步骤包括：将所述半导体器件耦合到所述第一FET的栅极和源极，其中所述半导体器件和所述第一FET当温度增加时减少所述电流，而当温度降低时增加所述电流。
7.一种形成电流源的方法，所述方法包括如下步骤：
耦合第一FET的第一载流电极以接收电流来传导通过所述第一FET；
耦合有源半导体器件，所述有源半导体器件为在所述第一FET的第二载流电极与所述电流源的公共节点之间的二极管或耗尽型MOSFET之一，其中所述有源半导体器件两端的电压由于温度的变化而变化；以及
配置所述电流源以使用所述有源半导体器件两端的电压的变化来调节所述第一FET的栅极到源极电压。
8.如权利要求7所述的方法，其中配置所述电流源以使用所述电压的变化的步骤包括：配置所述电流源以监控所述有源半导体器件两端的电压并响应性地调节所述第一FET的栅极到源极电压。
9.如权利要求7所述的方法，还包括如下步骤：耦合与所述第一FET和所述有源半导体器件的组合并联的第二FET，其中所述第二FET具有耦合到所述第一FET的所述第一载流电极的第一载流电极和耦合到所述第一FET的所述栅极的栅极。
10.如权利要求7所述的方法，其中耦合有源半导体器件的步骤包括：耦合P-N二极管、二极管耦合的双极晶体管、或LED之一作为所述有源半导体器件。
11.一种形成电流源的方法，所述方法包括以下步骤：
提供第一传导类型的并具有第一表面和第二表面的基底；
在所述基底的所述第一表面上形成具有第二传导类型的第一掺杂区；
在所述基底的所述第一表面上形成具有所述第二传导类型并与所述第一掺杂区间隔开的第二掺杂区；
在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间形成所述第一传导类型的区；
在所述第一表面上和所述第一掺杂区内形成所述第二传导类型的第三掺杂区和第四掺杂区作为耗尽型晶体管的相应的源极区和漏极区；
在所述第一表面上和所述第一掺杂区内形成具有所述第一传导类型的第五掺杂区，其中所述第五掺杂区与所述第三掺杂区和所述第四掺杂区间隔开并在所述第三掺杂区和所述第四掺杂区之间；
在所述第一表面上和所述第二掺杂区内形成具有所述第一传导类型的第六掺杂区；
在所述第一表面上和所述第六掺杂区内形成具有所述第二传导类型的第七掺杂区；以及
形成第一导体以将所述第三掺杂区电耦合到所述第六掺杂区。
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