CN101772835B - 工件输送方法以及具有工件交接机构的装置 - Google Patents

工件输送方法以及具有工件交接机构的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101772835B
CN101772835B CN2008801009148A CN200880100914A CN101772835B CN 101772835 B CN101772835 B CN 101772835B CN 2008801009148 A CN2008801009148 A CN 2008801009148A CN 200880100914 A CN200880100914 A CN 200880100914A CN 101772835 B CN101772835 B CN 101772835B
Authority
CN
China
Prior art keywords
stationary fixture
wafer
airtight
main body
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008801009148A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101772835A (zh
Inventor
濑川丈士
田中清文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Lintec Corp
Original Assignee
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Polymer Co Ltd, Lintec Corp filed Critical Shin Etsu Polymer Co Ltd
Publication of CN101772835A publication Critical patent/CN101772835A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101772835B publication Critical patent/CN101772835B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095Manipulators transporting wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00Programme-controlled manipulators
    • B25J9/02Programme-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type
    • B25J9/04Programme-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type by rotating at least one arm, excluding the head movement itself, e.g. cylindrical coordinate type or polar coordinate type
    • B25J9/041Cylindrical coordinate type
    • B25J9/042Cylindrical coordinate type comprising an articulated arm
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Abstract

在依次处理工件的两面的情况下,能够可靠地保持晶片并进行规定的处理或输送的工件输送方法以及具有工件交接机构的装置。在将第一固定夹具(3a)密接固定于晶片的一面,并对另一面进行规定的处理之后,将第二固定夹具(3b)密接固定于晶片的另一面,并使第一固定夹具(3a)脱离从而将工件交接到第二固定夹具(3b)。两个固定夹具由夹具主体(31)和设于其单面的密接层(32)构成。夹具主体具有支承密接层的多个支承突起(33)和侧壁(34),密接层粘接于侧壁的端面从而在密接层和夹具主体之间划分由侧壁包围的划分空间(35),形成有与划分空间连通的通气孔(36),通过抽吸划分空间内的空气,密接层变形。脱离时,使第一固定夹具的密接层变形,并使两个固定夹具朝相互离开的方向相对移动。

Description

工件输送方法以及具有工件交接机构的装置
技术领域
本发明涉及使用密接固定半导体晶片等薄板状的工件的固定夹具的工件输送方法以及具有工件交接机构的装置。 
背景技术
在半导体制造工序中存在如下的各种工序:为了使半导体芯片(以下称为“芯片”)小型化而对半导体晶片(以下称为“晶片”)的背面进行磨削而使其变薄的背面磨光(back grind)工序;将形成有电路的晶片切断成单独的半导体芯片的切割工序;以及将芯片化后的半导体芯片粘接于具有配线图案的安装基板的电极部位的固晶(die bonding)工序等。 
此处,通过背面磨光工序而极薄化了的晶片会由于细微的冲击而破损。因此,提出有由板状的夹具主体和设置于夹具主体的单面并将工件密接保持为能够自由装卸的密接层构成的用于支承固定晶片的固定夹具,以免当输送极薄化后的晶片时或者对该晶片进行加工时,该晶片由于自重、加速度或者加工应力而变形并破损(例如参照专利文献1)。该夹具主体在单面具有支承密接层的多个支承突起,并且,在单面的外周部具有与支承突起同等高度的侧壁,密接层粘接于该侧壁的端面,在密接层和夹具主体之间形成由侧壁包围的划分空间,并且在夹具主体上形成有与划分空间连通的通气孔。 
进而,在晶片密接固定于该固定夹具的期间内,晶片以不会出现位置偏移或破损的方式被保持。另一方面,当通过从上述通气孔抽真空而经由通气孔抽吸划分空间内的空气时,密接层在支承突起间以凹陷的方式变形,从而晶片与密接层的接触面积减少。因此,不用施加过强的力就能够将晶片从固定夹具脱离。 
从上述的固定夹具的优点出发,提出有如下的方案:通过将晶片密接固定于固定夹具来制作晶片和固定夹具合体的晶片的保护构造体,在 该保护构造体的状态下进行背面磨光工序等、或者为了进行下一工序而进行输送。 
专利文献1:日本特开2006-216775号公报 
然而,在上述半导体制造工序中,在对晶片的一面(即与密接于固定夹具的面相反侧的面)进行规定的处理之后,在下一工序对晶片的另一面(即密接于固定夹具的面)进行规定的处理。在这种情况下,需要使晶片暂时从保持构造体状态脱离,将晶片的上下反转并再次使固定夹具和晶片进行密接固定,由此,不仅作业性差,而且当使晶片上下反转时存在极薄的晶片破损的可能性。 
另一方面,以往公知有如下的交接方法:将粘接带粘接在晶片的处理完毕的面上并经由粘接带将晶片固定于环形框架(ring frame),然后使固定夹具脱离从而将晶片交接到该环形框架上,但是,在该方法中,粘接带部分处的晶片的支承性欠缺,并且,只能应用于具有环形框架的尺寸的处理工作台。进一步,粘接带是一次性的,存在导致高成本的问题。 
发明内容
因此,本发明的课题在于,鉴于上述各点,提供一种当依次处理薄板状的工件的两面时能够在可靠地保持工件的状态下对工件进行规定的处理或者输送该工件的低成本的工件输送方法以及具有工件交接机构的装置。 
为了解决上述课题,第一方面所记载的工件输送方法包含以下工序:在将第一固定夹具密接固定于薄板状的工件的一面,并对另一面进行规定的处理之后,或者,在使第一固定夹具密接于对一面进行了规定的处理的薄板状的工件的该一面之后,将第二固定夹具密接固定于该工件的另一面的工序;以及使第一固定夹具从该工件脱离从而将工件交接到第二固定夹具的工序,其特征在于,所述第一固定夹具和第二固定夹具这两个固定夹具由板状的夹具主体和设于该夹具主体的单面并将该工件密接保持为装卸自如的密接层构成,所述夹具主体在单面具有支承所述密接层的多个支承突起,并且,在单面的外周部具有与所述支承突 起同等高度的侧壁,所述密接层粘接于该侧壁的端面,在所述密接层和所述夹具主体之间划分出由所述侧壁包围的划分空间,在所述夹具主体上形成有与所述划分空间连通的通气孔,通过经由该通气孔抽吸所述划分空间内的空气,所述密接层变形,所述脱离通过以下方法进行:在使所述第一固定夹具的密接层变形之后,使所述两个固定夹具朝相互离开的方向相对移动。 
并且,为了解决上述课题,本发明的具有工件交接机构的装置具有将密接固定有第一固定夹具的薄板状的工件交接到第二固定夹具的工件交接机构,其特征在于,所述第一固定夹具和第二固定夹具这两个固定夹具由板状的夹具主体和设于该夹具主体的单面并将该工件密接保持为装卸自如的密接层构成,所述夹具主体在单面具有支承所述密接层的多个支承突起,并且,在单面的外周部具有与所述支承突起同等高度的侧壁,所述密接层粘接于该侧壁的端面,在所述密接层和所述夹具主体之间划分出由所述侧壁包围的划分空间,在所述夹具主体上形成有与所述划分空间连通的通气孔,通过经由该通气孔抽吸所述划分空间内的空气,所述密接层变形,所述工件交接机构具备:装卸部,其具有与第一固定夹具的通气孔连通、并与抽吸单元连接的贯通孔;以及输送单元,其具有指状部,该指状部形成为能够支承工件或者固定夹具并且能够上下反转,还设有临时保管交接所述工件后的固定夹具的夹具待机部。 
根据本发明,由于使用两个固定夹具并在两个固定夹具之间交接工件,因此仅通过改变这两个固定夹具中的密接固定工件的固定夹具,就能够使工件的待处理的面敞开。因此,为了进行下一工序,与没有支承体的状态下使工件自身反转的作业相比能够显著提高使工件的待处理面反转并进行输送时的作业性。进而,不仅在对工件进行规定的处理的期间内以及输送工件的期间内,即便是在两个固定夹具之间交接工件的期间内,由于形成为利用固定夹具可靠地保持工件的保护构造体,因此即便工件极薄也能够防止破损等。 
这样,根据本发明,由于不用使用用于保护工件表面的片等,能够使用可循环利用的固定夹具依次输送工件并对其两面进行规定的处理,因此能够有效地消除伴随着保护片的利用的高成本或废弃物的增加等各种问题。 
附图说明
图1是本发明的实施方式的晶片输送装置的示意俯视图。 
图2中,(a)是在本发明的晶片输送装置中使用的固定夹具的示意剖视图。(b)是该固定夹具的夹具主体的俯视图。 
图3是输送臂的示意立体图。 
图4中,(a)至(d)是对固定夹具之间的晶片的交接进行说明的示意剖视图。 
图5是示出将本发明的晶片输送装置组装在磨削装置中的变形例的俯视图。 
标号说明 
1:晶片输送装置(工件输送装置);3:固定夹具;31:夹具主体;32:密接层;33:支承突起;34:侧壁;35:划分区间;36:通气孔;4:输送单元(工件交接机构);41:指状部;43:马达(反转机构);5:装卸部(工件交接机构);W:晶片;S1、S2:保护构造体收纳部;S3:夹具待机部。 
具体实施方式
参照图1,1表示本发明的输送薄板状的工件即晶片W的晶片输送装置。晶片输送装置1具有俯视呈长方形的基座2,且设置于进行上游的工序的规定的装置(以下称为“上游装置”)10a和进行下游的工序的规定的装置(以下称为“下游装置”)10b之间。进而,在利用上游装置10a对晶片W的一面进行规定的处理之后,为了对晶片W的另一面进行规定的处理,敞开该晶片W的应处理的另一面并将该晶片W输送到下游装置10b。 
在上游装置10a和下游装置10b中具备保护构造体收纳部S1、S2,该保护构造体收纳部S1、S2以开口面与晶片输送装置1对置的方式配置。在上游装置10a的保护构造体收纳部S1中,在上下方向隔开规定的间隔收纳有多个处于被后述的固定夹具3a支承固定的状态的晶片W (以下称为“保护构造体30a”)。另外,也可以将晶片W和固定夹具3收纳在公知构造的盒中,并通过装卸(handling)装置设置于上游装置10a的规定位置。并且,保护构造体收纳部S2能够在上下方向隔开规定的间隔收纳多个处于被后述的固定夹具3b支承固定的状态的晶片W(以下称为“保护构造体30b”)。 
此处,支承固定晶片W的固定夹具3由板状的夹具主体31和设于夹具主体31的单面的密接层32构成(参照图2(a)和图2(b))。夹具主体31形成为直径比晶片W稍大的圆板状。夹具主体31的材料只要是机械强度优异的材料即可,并无特殊限定,例如可以举出铝合金、镁合金、不锈钢等金属材料,聚酰胺、聚碳酸酯、聚丙烯、丙烯、聚氯乙烯等树脂成形材料,玻璃等无机材料,以及玻璃纤维强化环氧树脂等有机无机复合材料等。 
在夹具主体31的单面上,以0.2~2.0mm的程度的间距形成有多个高度为0.05~0.5mm的程度、直径为0.05~1.0mm的程度的圆柱状的支承突起33。进一步,在夹具主体31的单面的外周部形成有与支承突起33同等高度的圆筒状的侧壁34。另外,支承突起33也可以形成为圆柱状以外的形状、例如形成为圆锥台形状。另一方面,优选预先对夹具主体31的另一面进行平滑加工以使其具有规定的表面粗糙度。 
密接层32由厚度为20~200μm的薄膜形成,该薄膜由挠性、柔软性、耐热性、弹性、粘接性等优异的聚氨酯类、丙烯类、氟类、聚硅氧烷类等的弹性体形成。进而,利用粘接剂、热封等将密接层32的外周部粘接于夹具主体31的侧壁34的端面。由此,在密接层32和夹具主体31之间形成由侧壁34包围的划分空间35。并且,密接层32与各支承突起33的平坦的端面抵接并由该端面支承。在夹具主体31上形成有至少一个沿厚度方向贯通夹具主体31并与划分空间35连通的通气孔36。 
在基座2的作业面2a的中央部设有具有公知的构造的多关节式的输送臂(输送单元)4(参照图1和图3)。输送臂4的前端部形成为俯视大致呈U字状的指状部41,在指状部41的至少单面上开设有吸附孔42,从而能够利用指状部41以吸附保持晶片W以及/或者固定夹具3的状态进行输送。另外,该吸附孔42以与固定夹具3的通气孔36不一 致的方式配置,从而当吸附固定固定夹具3时不会对划分空间35进行减压。 
并且,该指状部41能够通过作为反转机构的马达43上下反转,并且,输送臂4相对于作业面2a的安装轴44与泵体(cylinder)等驱动单元连结,从而能够沿与作业面2a正交的方向上下移动。另外,也可以在基座2的作业面2a上设置两台后述的第一固定夹具3a和第二固定夹具3b分别专用的输送臂4。 
在基座2的作业面2a的长度方向的一端(在图1中为右侧)设有装卸部5,该装卸部5用于进行晶片W相对于固定夹具3的装卸。在该情况下,输送臂(输送单元)4和装卸部5构成晶片交接机构。装卸部5具备与固定夹具3的外形大致一致并形成于基座的作业面2a的凹部6和组装于基座2的多根升程销(lift pin)7(参照图1和图4)。为了从输送臂4进行固定夹具3的交接,升程销7通过未图示的气缸在从基座2的作业面2a突出到上方的上升位置和收纳在基座2内的下降位置之间往复移动。 
并且,装卸部5具有贯通孔8,当将固定夹具3放置于凹部6时,该贯通孔8与该固定夹具3的通气孔36连通,真空泵(抽吸单元)V经由未图示的波纹管与该贯通孔8连接。在该情况下,也可以在凹部6的底面上以围绕贯通孔8的周围的方式设置O型圈。 
进而,通过升程销7的下降,固定夹具3落入凹部6中,由此将该固定夹具3设置于凹部6,此时,该固定夹具3的通气孔36与贯通孔8连通,当通过利用真空泵V抽真空而经由贯通孔8和通气孔36抽吸划分空间35内的空气时,密接层32在支承突起33之间以凹陷的方式变形,从而晶片W相对于密接层32的接触面积减少。因此,不用施加过强的力就能够使晶片W从固定夹具3脱离。 
进一步,在基座2的作业面2a的长度方向的另一端(在图1中为左侧)设有夹具待机部S3,在该夹具待机部S3,沿上下方向隔开规定的间隔临时保管有至少一个固定夹具3。另外,在图1中,将固定夹具3收纳在公知构造的盒中,并通过装卸装置设置于作业面2a的规定位置,但是,也可以仅有仅能临时放置一枚固定夹具3的空间。 
下面,对本发明的晶片输送装置1的动作进行说明。首先,通过输送臂4从保护构造体收纳部S1取出一个保护构造体30a,并朝装卸部5输送。此时,利用指状部41吸附固定夹具3的夹具主体31侧,并使指状部41适当地上下反转,以保持构造体30a的晶片W位于上侧的方式进行输送。 
在保护构造体30a通过输送臂4到达装卸部5之前,使升程销7上升,将保护构造体30a交接到升程销7。当保护构造体30a由升程销7支承时,在解除输送臂4的吸附之后使输送臂4后退。进而,当使升程销7返回下降位置时,第一固定夹具3a被放置于装卸部5的凹部6中,从而保护构造体30a被固定于晶片输送装置1(参照图4(a)和图4(b))。 
接着,利用输送臂4吸附保持一枚固定夹具3、即第二固定夹具3b的夹具主体31侧以将其从夹具待机部S3取出,并朝装卸部5输送。此时,固定夹具3b的密接层32位于下侧。进而,遍及整面使第二固定夹具3b的密接层32与保护构造体30a的晶片W的表面接触,使输送臂4稍稍朝下方移动并施加按压力从而使晶片W密接固定于第二固定夹具3b(参照图4(c))。 
接着,使真空泵V工作而通过贯通孔8和通气孔36抽真空,由此经由通气孔36抽吸划分空间35内的空气,这样第一固定夹具3a的密接层32在支承突起33之间以凹陷的方式变形,晶片W与密接层32接触的接触面积减少,从而晶片W成为能够从第一固定夹具3a脱离的状态。进而,当以两个固定夹具3a、3b相互离开的方式通过输送臂4使第二固定夹具3b朝正上移动时,第一固定夹具3a从晶片W完全脱离,从而晶片被交接到第二固定夹具3b,形成保护构造体30b(参照图4(d))。 
接着,通过输送臂4将第二固定夹具3b和晶片W的保护构造体30b输送到下游侧的装置10b的保护构造体收纳部S2并进行收纳。并且,留在装卸部5的凹部6的第一固定夹具3a通过输送臂4被移送到夹具待机部S3,并作为处理接下来的晶片W的第二固定夹具3b临时保管。最后,通过未图示的下游装置10b的处理机构以保护构造体30b的状态对晶片W的敞开面、即原本由第一固定夹具3a覆盖侧的面进行处理。 
这样,在本实施方式中,由于使用两个固定夹具3a、3b来交接晶片W,因此仅通过改变两个固定夹具3a、3b中的晶片W所密接固定的固定夹具,就能够使晶片W的待处理的面敞开。因此,为了下面的工序而使晶片W的应处理的面反转并进行输送时的作业性比使晶片W自身反转的作业性显著提高。进而,在晶片W暂时密接固定于固定夹具3之后,不仅在对晶片W进行规定的处理的期间内以及输送晶片W的期间内,即便是在两个固定夹具3a、3b之间交接晶片W的情况下,通过形成为利用固定夹具3可靠地保持晶片W的保护构造体30a、30b,即便晶片W极薄也不会破损等。 
这样,根据本实施方式,由于不用使用一次性的粘接片等,能够使用可循环使用的两个固定夹具3a、3b依次输送晶片W并对该晶片W的两面进行规定的处理,因此能够有效地消除伴随着粘接片的利用而产生的高成本或废弃物的增加等各种问题。 
另外,在本实施方式中对晶片输送装置1构成为独立的装置的情况进行了说明,但是,例如也可以将本发明的工件输送装置组装在具有公知的构造的晶片磨削用的磨削装置20中。 
即,如图5所示,磨削装置20具有基座21,在该基座21的作业面22上设有具备步进马达的旋转工作台23,从而使该旋转工作台23每隔规定的旋转角就间歇停止。在旋转工作台23上,在周方向隔开规定的间隔设有四个吸盘工作台24。吸盘工作台24例如由多孔工作台构成,能够通过负压吸附固定晶片而使其装卸自如。 
并且,在作业面22的上方,与吸盘工作台24的停止位置对应地从其旋转方向的上游侧悬挂设有具有公知的构造的粗磨削装置25和精磨削装置26。进而,在基座21的作业面22上,输送臂4a和用于进行晶片W相对于固定夹具3的装卸的装卸部5以与上述实施方式相同的方式配置。 
在本磨削装置20中,在作业面22上的规定的位置配置有:晶片收纳部SA,多枚晶片W沿上下方向隔开规定的间隔收纳在该晶片收纳部SA中;夹具收纳部SB,多枚固定夹具3沿上下方向隔开规定的间隔收纳在该夹具收纳部SB中;以及保护构造体收纳部SC,在晶片W由固 定夹具3支承固定的状态下,能够沿上下方向隔开规定的间隔收纳多个。除此之外,为了改变晶片W与固定夹具3之间的密接面以变更晶片W的待处理的面,还设有夹具待机部SD和构造与输送臂4a相同的另一输送臂4b。 
进而,利用输送臂4a吸附保持一枚晶片W的进行磨削处理的一侧的面并将该晶片从晶片收纳部SA取出,并将其输送到旋转工作台23上的吸盘工作台24所处于输入位置A时之上。此时,根据晶片收纳部SA的收纳状态使输送臂4a适当地上下反转,以使晶片W的待处理的面(吸附面侧)位于上侧。 
接着,使旋转工作台23旋转,使晶片W移动到粗磨削装置25下方的粗磨削位置B,对晶片W的背面进行粗磨削,磨削至规定的厚度。然后,使旋转工作台进一步旋转以使晶片移动到精磨削装置下方的精加工位置C,对磨削成规定厚度的晶片W的背面进行精磨削,并进行清洗。 
接着,使旋转工作台23进一步旋转,将磨削结束后的晶片W移动到排出位置D。当磨削结束后的晶片W到达排出位置D时,利用输送臂4a从夹具收纳部SB取出一枚固定夹具3、即第一固定夹具3a,并朝排出位置D输送。此时,利用指状部41吸附固定夹具3a的夹具主体31侧,使指状部41适当地上下反转,以使固定夹具3的密接层32位于下侧。 
接着,遍及整面使第一固定夹具3a的密接层32与位于排出位置的晶片W的上表面(进行了磨削的面)接触,并使输送臂4稍稍朝下方移动以施加按压力。由此,晶片W密接固定于第一固定夹具3a,利用晶片W和固定夹具3a的合体制作保护构造体30a。 
接着,利用输送臂4a将该保护构造体30a输送到装卸部5。此时,使指状部41上下反转,以晶片W的被处理面位于上侧的方式进行输送,并且,使升程销7移动到上升位置,将保护构造体30a交接到升程销7,并通过升程销7的下降将保护构造体30a放置于装卸部5。 
接着,利用输送臂4a吸附保持一枚固定夹具3、即第二固定夹具 3b的夹具主体31侧并将其从夹具待机部SD取出,并朝装卸部5输送。此时,固定夹具3b的密接层32位于下侧。在该情况下,第二固定夹具3b是在前面的处理中使用且留在装卸部5的第一固定夹具3a,使用由输送臂4a移送到夹具待机部SD并临时保管的固定夹具。另外,在作业面22上,也可以利用输送臂4b将留在装卸部5的第一固定夹具3a再次收纳到原来的夹具收纳部SB。 
进而,遍及整面使第二固定夹具3b的密接层32与位于装卸部5的保护构造体30a的晶片W表面接触,并使输送臂4稍稍朝下方移动以施加按压力,从而使晶片W密接固定于第二固定夹具3b。 
接着,当通过使真空泵工作而通过贯通孔8和通气孔36的抽真空经由通气孔36抽吸划分空间35内的空气时,第一固定夹具3a的密接层32在支承突起32之间以凹陷的方式变形,从而晶片W相对于密接层32的接触面积减少,从而成为晶片W能够从第一固定夹具3a脱离的状态。进而,当以两个固定夹具3a、3b相互离开的方式通过输送臂4使第二固定夹具3b朝正上移动时,第一固定夹具3a从晶片W完全脱离,从而晶片W被交接到第二固定夹具3b,形成保护构造体30b。保护构造体30b通过输送臂4b被收纳到放置于保护构造体收纳部SC的盒中,盒被移载到下一工序的加工装置。 
接着,为了在下一工序、例如切割工序中对晶片W的电路面(与磨削面相反侧的面)进行规定的处理,利用未图示的其他的输送臂将晶片W以保护构造体30b的状态输送到进行切割工序的切割装置。另一方面,留在装卸部5的第一固定夹具3a通过输送臂4a返回夹具待机部SD。 
下面,进一步对在晶片W的其他的处理工序中使用的本发明的输送方法进行说明。 
作为第一例举出如下的处理工序:上游装置10a为晶片磨削装置的背面磨光工序、下游装置10b为固晶薄膜(die bond film)(也称为粘片膜(DAF)的粘贴装置的DAF粘贴工序。 
首先,在前工序中在表面形成有电路图案的未磨削晶片W的电路面上粘贴表面保护片,并将其搭载在上游装置10a即晶片磨削装置上,对晶片W进行磨削。由于磨削为极薄的晶片W极脆,因此,在该晶片设置于晶片磨削装置的载物台上的状态下,固定夹具3a被密接固定于磨削面。所得到的保护构造体30a是以固定夹具3a、晶片W(固定夹具侧为磨削面)以及表面保护片的顺序形成的构造。
接着,使用本发明的晶片输送装置1将保护构造体30a从固定夹具3a交接到固定夹具3b,从而形成保护构造体30b。交接的方法是上面所说明的方法,得到的保护构造体30b是以固定夹具3b、表面保护片以及晶片W(磨削面露出)的顺序形成的构造。 
接着,保护构造体30b被输送到下游装置10b即固晶薄膜的粘贴装置,并在晶片W的磨削面侧粘贴固晶薄膜。粘贴有固晶薄膜的晶片W被实施表面保护片的剥离工序、切割工序、固晶工序等规定的处理。另外,表面保护片的剥离工序也可以在DAF粘贴工序之前进行。在这些工序中,优选在晶片支承固定于固定夹具3的状态下进行处理。 
作为第二例举出如下的处理工序:上游装置10a为切割装置的切割工序,下游装置10b为拾取装置的芯片拣选(chip sort)工序。 
首先,在前工序中在表面形成有电路图案的未磨削晶片W的电路面上粘贴表面保护片,进一步,第一固定夹具3a密接固定于表面保护片上。接着,设置于上游装置10a即晶片磨削装置,从晶片W的背面侧开始进行磨削直到成为规定的厚度。得到的保护构造体30a是以固定夹具3a、表面保护片以及晶片W(磨削面露出)的顺序形成的构造。 
接着,晶片W以保护构造体30a的状态被输送到第一例中的上游装置即切割装置中。在切割装置中,以切入到表面保护片的一部分的厚度的方式进行晶片W的切割,从而晶片W被芯片化。这样,得到固定夹具3a、表面保护片以及芯片(工件)的结构的保护构造体30a。 
接着,使用本发明的晶片输送装置1将保护构造体30a从固定夹具3a交接到固定夹具3b,从而形成保护构造体30b。交接的方法是上面所说明的方法,得到的保护构造体30b是以固定夹具3b、芯片(磨削面位于固定夹具侧)以及表面保护片的顺序形成的构造。 
接着,保护构造体30b被输送到下游装置10b即片剥离装置,表面保护片被从芯片剥离。进一步,保护构造体30b被输送到拾取装置,从而针对每一芯片或者固晶在规定的基板上、或者移载到芯片托盘(chiptray)上。另外,拾取装置能够使用具有经由固定夹具3b的通气孔36使划分空间35减压的功能的装置。通过使划分空间35减压,能够使固定夹具3b的密接层32变形,从而弱化固定于固定夹具3b的整个芯片的密接。由此,由于不用使针顶起就能够进行拾取工序,因此不会对芯片造成损伤。 
并且,在本发明的实施方式中,并不限定于上述说明了的工序,在其他的工序之间的输送中也能够应用本发明。并且,在上述说明的工序的顺序或组合不同的工序之间的输送中也能够应用本发明。 
进一步,在本实施方式中,对改变晶片W的待处理面进行输送的情况进行了说明,但是,在由石英玻璃等形成的精密基板之类的晶片W以外的薄板状工件的处理中使用的固定夹具中也同样能够应用本发明。 

Claims (2)

1.一种工件输送方法,其包含以下工序:
在将第一固定夹具密接固定于薄板状的工件的一面,并对另一面进行规定的处理之后,或者,在使第一固定夹具密接于对一面进行了规定的处理的薄板状的工件的该一面之后,将第二固定夹具密接固定于该工件的另一面的工序;以及
使第一固定夹具从该工件脱离并将工件交接到第二固定夹具的工序,
所述工件输送方法的特征在于,
所述第一固定夹具和第二固定夹具这两个固定夹具由板状的夹具主体和设于该夹具主体的单面并将该工件密接保持为装卸自如的密接层构成,所述夹具主体在单面具有支承所述密接层的多个支承突起,并且,在单面的外周部具有与所述支承突起同等高度的侧壁,所述密接层粘接于该侧壁的端面,在所述密接层和所述夹具主体之间划分出由所述侧壁包围的划分空间,在所述夹具主体上形成有与所述划分空间连通的通气孔,通过经由该通气孔抽吸所述划分空间内的空气,而使所述密接层变形,
所述脱离通过以下方法进行:在使所述第一固定夹具的密接层变形之后,使所述两个固定夹具朝相互离开的方向相对移动。
2.一种具有工件交接机构的装置,其具有将密接固定有第一固定夹具的薄板状的工件交接到第二固定夹具的工件交接机构,具有工件交接机构的装置的特征在于,
所述第一固定夹具和第二固定夹具这两个固定夹具由板状的夹具主体和设于该夹具主体的单面并将该工件密接保持为装卸自如的密接层构成,所述夹具主体在单面具有支承所述密接层的多个支承突起,并且,在单面的外周部具有与所述支承突起同等高度的侧壁,所述密接层粘接于该侧壁的端面,在所述密接层和所述夹具主体之间划分出由所述侧壁包围的划分空间,在所述夹具主体上形成有与所述划分空间连通的通气孔,通过经由该通气孔抽吸所述划分空间内的空气,而使所述密接层变形,
所述工件交接机构具备:装卸部,其具有与第一固定夹具的通气孔连通、并与抽吸单元连接的贯通孔;以及输送单元,其具有指状部,该指状部形成为能够支承工件或者固定夹具并且能够上下反转,
还设有临时保管交接所述工件后的固定夹具的夹具待机部。
CN2008801009148A 2007-08-09 2008-07-31 工件输送方法以及具有工件交接机构的装置 Expired - Fee Related CN101772835B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007208263A JP5663126B2 (ja) 2007-08-09 2007-08-09 ワーク搬送方法及びワーク受渡し機構を有する装置
JP2007-208263 2007-08-09
PCT/JP2008/063796 WO2009020050A1 (ja) 2007-08-09 2008-07-31 ワーク搬送方法及びワーク受渡し機構を有する装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101772835A CN101772835A (zh) 2010-07-07
CN101772835B true CN101772835B (zh) 2011-12-07

Family

ID=40341284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801009148A Expired - Fee Related CN101772835B (zh) 2007-08-09 2008-07-31 工件输送方法以及具有工件交接机构的装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8529314B2 (zh)
JP (1) JP5663126B2 (zh)
KR (1) KR101486104B1 (zh)
CN (1) CN101772835B (zh)
TW (1) TWI446478B (zh)
WO (1) WO2009020050A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8489222B2 (en) * 2010-05-20 2013-07-16 Korea Nuclear Fuel Co., Ltd. Machine and method for grinding spacer grid of nuclear fuel assembly
JP2012243335A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Sony Corp ディスク搬送装置及びディスクストレージシステム
JP5547147B2 (ja) * 2011-09-13 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN104904003B (zh) * 2012-11-02 2018-02-02 恩特格里斯公司 具有可光图案化的软性突出接触表面的静电夹盘
US9597766B2 (en) 2013-02-05 2017-03-21 Sintokogio, Ltd. Brush unit, a device for brush-polishing that uses the brush unit, a system for brush-polishing, and a method for brush-polishing
US9987747B2 (en) * 2016-05-24 2018-06-05 Semes Co., Ltd. Stocker for receiving cassettes and method of teaching a stocker robot disposed therein
CN109661697A (zh) * 2016-09-05 2019-04-19 夏普株式会社 输送工具和使用该输送工具的有机el显示装置的制造方法
JP6866171B2 (ja) * 2017-01-30 2021-04-28 コマツ産機株式会社 ワーク搬送装置
JP6865828B2 (ja) * 2017-07-12 2021-04-28 東京エレクトロン株式会社 搬送装置、基板処理システム、搬送方法、および基板処理方法
KR20210141698A (ko) 2019-03-27 2021-11-23 야스카와 유럽 테크놀로지 엘티디. 반도체 플리퍼

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1771592A (zh) * 2004-05-07 2006-05-10 信越工程株式会社 工件除静电方法及其装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6413145B1 (en) * 2000-04-05 2002-07-02 Applied Materials, Inc. System for polishing and cleaning substrates
JP4641781B2 (ja) * 2003-11-04 2011-03-02 三星電子株式会社 不均一強度を有する研磨面を使用した化学的機械的研磨装置および方法
JP2006027795A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Toshiba Corp 吸着装置、ならびに板状部材の搬送方法、液晶表示装置の製造方法
JP4587828B2 (ja) 2005-02-03 2010-11-24 信越ポリマー株式会社 精密基板用の固定治具
JP4484760B2 (ja) * 2005-05-10 2010-06-16 信越ポリマー株式会社 固定キャリア及びその製造方法
JP2007096085A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Shin Etsu Polymer Co Ltd 固定キャリア及びその使用方法
JP4573763B2 (ja) * 2005-12-01 2010-11-04 信越ポリマー株式会社 吸着装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1771592A (zh) * 2004-05-07 2006-05-10 信越工程株式会社 工件除静电方法及其装置

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2006-216775A 2006.08.17
JP特开2006-318984A 2006.11.24
JP特开2007-157847A 2007.06.21
JP特开2007-96085A 2007.04.12

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100052471A (ko) 2010-05-19
JP5663126B2 (ja) 2015-02-04
US20100189533A1 (en) 2010-07-29
US8529314B2 (en) 2013-09-10
WO2009020050A1 (ja) 2009-02-12
JP2009043995A (ja) 2009-02-26
TWI446478B (zh) 2014-07-21
TW200929422A (en) 2009-07-01
CN101772835A (zh) 2010-07-07
KR101486104B1 (ko) 2015-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101772835B (zh) 工件输送方法以及具有工件交接机构的装置
KR100468748B1 (ko) 프리컷 다이싱 테이프와 범용 다이싱 테이프를 웨이퍼에 마운팅할 수 있는 다이싱 테이프 부착 장비 및 이를포함하는 인라인 시스템
JP4841412B2 (ja) 基板貼合せ装置
CN102117758B (zh) 搬送机构
CN101802999A (zh) 固定夹具以及工件的处理方法
US7520309B2 (en) Method for adhering protecting tape of wafer and adhering apparatus
JP4895671B2 (ja) 加工装置
JP7224508B2 (ja) 搬送装置、および基板処理システム
JP2012216606A (ja) 基板転写方法および基板転写装置
JP2008016658A (ja) ウエーハの保持機構
JP3618080B2 (ja) ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法
KR200438569Y1 (ko) 편광필름 부착장치
JP2001024050A (ja) ワーク保持装置
JP6044986B2 (ja) 切削装置
JP6616029B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体の製造方法
JP2002353170A (ja) 半導体ウェーハの分離システム、分離方法及びダイシング装置
KR101391706B1 (ko) 진공흡착 테이블 및 그 제조방법
JP5373008B2 (ja) 基板貼合せ方法
JP4798441B2 (ja) ウェーハ搬送方法及びウェーハ搬送ユニット
TW561542B (en) Process and apparatus for grinding a wafer backside
WO2023199545A1 (ja) 切断装置、及び、切断品の製造方法
JP2012039039A (ja) 加工方法
JP5773372B2 (ja) ワーク受渡し機構を有する装置
JP7002260B2 (ja) 分離装置および分離方法
JP2003197710A (ja) 板状物の薄層加工装置及び板状物の薄層加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20111207

Termination date: 20180731