CN101687651A - 催化氢化 - Google Patents
催化氢化 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101687651A CN101687651A CN200880018321A CN200880018321A CN101687651A CN 101687651 A CN101687651 A CN 101687651A CN 200880018321 A CN200880018321 A CN 200880018321A CN 200880018321 A CN200880018321 A CN 200880018321A CN 101687651 A CN101687651 A CN 101687651A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- halide
- hydrogenation
- germanium
- bases
- reactor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009903 catalytic hydrogenation reaction Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 claims abstract description 22
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 claims description 48
- -1 silicon halide Chemical class 0.000 claims description 36
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 claims description 21
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 claims description 21
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 10
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 9
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 claims description 3
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000001149 thermolysis Methods 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical class [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical class [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 125000001475 halogen functional group Chemical class 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000004992 fission Effects 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000091 aluminium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 1
- SIAPCJWMELPYOE-UHFFFAOYSA-N lithium hydride Chemical compound [LiH] SIAPCJWMELPYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000103 lithium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 229910000048 titanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B6/00—Hydrides of metals including fully or partially hydrided metals, alloys or intermetallic compounds ; Compounds containing at least one metal-hydrogen bond, e.g. (GeH3)2S, SiH GeH; Monoborane or diborane; Addition complexes thereof
- C01B6/06—Hydrides of aluminium, gallium, indium, thallium, germanium, tin, lead, arsenic, antimony, bismuth or polonium; Monoborane; Diborane; Addition complexes thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G17/00—Compounds of germanium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
本发明涉及一种催化氢化卤代硅烷或卤代锗烷的方法，其中将卤代的单硅烷、低聚硅烷或聚硅烷或者卤代的单锗烷、低聚锗烷或聚锗烷用氢化的路易斯酸碱对氢化或者部分氢化，且所述部分卤化的路易斯酸碱对在排出卤化氢和特别是在随后添加H2及其在所述路易斯酸碱对上异裂的情况下再次被氢化。
Description
本发明涉及一种用于催化氢化卤代硅烷或卤代锗烷的方法，其中将卤化的单硅烷、低聚硅烷或聚硅烷或者卤化的单锗烷、低聚锗烷或聚锗烷用氢化的路易斯酸碱对氢化或者部分氢化，且所述部分卤化的路易斯酸碱对在放出卤化氢和特别是在随后添加H2及其在所述路易斯酸碱对上异裂的情况下再次被氢化。
在现有技术中已知各种用于氢化硅烷和锗烷的方法。卤硅烷可以利用金属氢化物来氢化，如根据例如SU 1766925 A1或JP 50017035利用氢化钛，根据例如JP 2003313190 A2利用氢化钠，根据例如JP1234316或EP 102293 A2利用氢化锂，根据例如RU 2266293 C1或US 5965762 A利用氢化锂铝或根据例如JP 2003119200 A2利用氢化钠硼。金属氢化物可以是有机取代的，例如在JP 61063515 A2中描述了氢化二乙基铝。卤化的低聚硅烷可以利用卤化氢在各种催化剂存在下通过Si-Si-键分裂而被部分氢化，例如在EP 737687 A1或EP 574912A1中公开的。SiCl4可以例如根据US 5716590利用氢催化反应生成HSiCl3。在卤化物受体例如Al-、Mg-或Zn金属存在下，卤硅烷也可以与氢反应，例如在US 2406605、US 5329038 A或DE 4119578 A1中所述。SiH4可以例如根据JP 11156199 AA或JP 59121110 AA通过取代基交换由HSiCl3获得，其中同时产生SiCl4。
已知方法的缺点一方面是低产率和大量副产物，另一方面是需要用于使氢化剂再生的电化学步骤。
由现有技术，根据1)G.C.Welch，R.R.S.Juan，J.D.Masuda，D.W.Stephan，“Reversible，metal-free hydrogen activation”，Science 2006，314，1124和2)G.C.Welch，D.W.Stephan，“Facileheterolytic cleavage of dihydrogen by phoshines and boranes”，J.Am.Chem.Soc.2007，129，1880已知，适合的膦PR3与硼烷BR′3的组合异裂出氢。
本发明的目的在于，提供一种氢化卤化硅或卤化锗的方法，利用所述方法可以在低份额的副产物的情况下达到特别高的产率。
所述目的根据本发明通过根据权利要求1的方法来实现。
本发明的有利的改进方案在从属权利要求中描述。
优选地，使用R 3E作为路易斯碱，其中E＝N、P或As，R＝烷基、芳基、O-烷基、O-芳基或卤素，且使用R′3E′作为路易斯酸，其中E′＝B、Al或Ga，R′＝烷基、芳基、卤代烷基取代基和卤代芳基取代基或卤素。
利用氯或氟来卤化优选的第四主族元素。
所述路易斯酸碱对的氢化优选利用在-80℃和200℃之间的温度进行。另外，所述路易斯酸碱对的氢化优选在0.1MPa和10.0MPa之间的压力下进行。
所述卤代硅烷/锗烷的氢化优选利用在-20℃和200℃之间的温度来实施。此外，所述卤代硅烷/锗烷的氢化优选利用在0.05MPa和0.5MPa之间的压力来实施。
在根据本发明的方法的改进方案中，在氢化反应器中作为固体沉淀出来的第四主族元素-氢-化合物通过在所述反应器底部的排出装置排出。在氢化反应器中作为气体移除(ausgasenden)的第四主族元素-氢-化合物经由排出装置获得。
在再生反应器(Reaktionsreaktor)中产生的卤化氢优选被热排出并且经由阀门从过程中除去。所述卤化氢的分裂优选在100℃和300℃之间的温度下进行。
在根据本发明的方法的特殊实施方式中，所述第二步骤在第一反应器中实施且所述第三步骤在第二反应器中实施。在此过程中，所述再生的路易斯酸碱对优选被再次导入到第一反应器中。
符合本发明目的的是，所述含卤素的路易斯酸碱对在第三步骤中通过重新添加H2而被重新氢化。
本发明的方法的基础是实现了催化剂体系，该催化体系用于将单体的、低聚的或聚合的卤代硅烷借助H2催化转化成相应的氢化聚硅烷SinHn+2和[SiH2]n。同样适用于使用锗烷的情况。
相应地还适用于由不同的卤代硅烷或卤代锗烷组成的混合物。
这种催化转化可以如下表达：
所述新方法除了卤化的低聚硅烷或聚硅烷的氢化之外，还包括相应的四氯硅烷或卤代单硅烷向SiH4的转化。
所述催化氢化的新方法可以实现例如从SiCl4向HSiCl3的部分氢化，其中这种部分氢化产物自身可以用于其它用途或者可以导回过程中用于完全氢化。
由现有技术已知的是，由于其空间位阻结构不可以直接形成加合物的路易斯酸碱对可以用作异裂H2的催化剂。路易斯酸和路易斯碱可以作为分开的化合物存在，还可以包含于一个分子化合物内。另外，催化活性的化合物可以固定存在于载体上。
元素E＝N、P或As的化合物可以用作路易斯碱，元素E′＝B、Al和Ga的化合物可以用作路易斯酸。
为了氢化卤代硅烷，新型催化循环例如经过如下循环
其中R＝烷基、芳基、O-烷基、O-芳基或卤素，R′＝烷基、芳基、卤代烷基取代基和卤代芳基取代基或卤素，R*＝H、卤素、烷基、芳基、甲硅烷基、O-烷基或O-芳基，且X＝F、Cl、Br、I。
根据本发明的方法基本上以三个步骤来运行：
-H2的异裂(步骤1)通过催化剂优选在-80℃至200℃的温度范围内在0.1MPa-10.0MPa的压力下进行，
-卤素化合物(R* 3SiX)的氢化和氢化产物的分离在步骤2中优选在-20℃至200℃和0.05-0.5MPa的压力下进行，
-在第三步骤中，HX的分裂以热的方式或任选地借助于空间上非常符合要求的和/或非亲核的碱来实施。所述热分裂优选在100℃至300℃的下发生。
本发明的方法在图1中以第一实施方式说明。在所述实施方式中，催化剂的氢化、硅烷/锗烷的反应和催化剂的再生在同一溶剂或溶剂混合物中进行。
本发明的方法在图2中以第二实施方式说明。在所述实施方式中，催化剂的氢化可以在与硅烷/锗烷的反应不同的另外的溶剂或溶剂混合物中进行，且在再生之前通过蒸馏将催化剂分离。
附图标记
1.到氢化反应器4的输送装置
2.卤代硅烷或卤代锗烷的进料装置
3.气态的氢化硅烷和部分氢化的卤代硅烷或卤代锗烷的导出装置
4.氢化反应器
5.以气态存在的氢化硅烷和部分氢化的卤代硅烷或者相应的锗烷
6.卤代硅烷或卤代锗烷的进料管
7.氢化反应器中的反应混合物
8.氢化的聚硅烷或部分氢化的卤化聚硅烷或相应的锗烷的沉淀
9.排出管
10.循环泵
11.所用的路易斯酸碱对再生用的进料装置
12.排出HX的再生反应器
13.加热蛇形管
14.再生反应器中的液位
15.气态HX的排出管
16.排出阀门
17.气态HX
18.冷却器
19.H2的进料管
20.用于H2异裂的反应混合物
21.用于再次氢化路易斯酸碱对的反应器
22.H2的进料阀门
23.H2的进料装置
24.用于除去气体的催化剂的排出管
25.加热套
26.再生反应器的填充水平
27.用于溶剂蒸气和气态HCl的导出管
28.排出阀门
29.气态溶剂和/或HCl
30.用于氢化的催化剂的排出管
31.用于溶剂和除去气体的催化剂的进料装置
32.溶剂的进料装置
33.氢化的催化剂的进料装置
Claims (14)
1、氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于，在第一步骤中，在添加H2的情况下将路易斯酸碱对氢化，和在第二步骤中，将单体的、低聚的或聚合的卤化硅或卤化锗利用包含H-的路易斯酸碱对来氢化，且在第三步骤中，在分离出卤化氢的情况下将含卤素的路易斯酸碱对再生。
2、根据权利要求1的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于，使用R3E作为路易斯碱，其中E＝N、P或As，且R＝烷基、芳基、O-烷基、O-芳基或卤素；且使用R′3E′作为路易斯酸，其中E′＝B、Al或Ga，且R′＝烷基、芳基、卤代烷基取代基和卤代芳基取代基或卤素。
3、根据权利要求1或2的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于，利用氯或氟来卤化优选的第四主族元素。
4、根据权利要求1-3中任一项的氢化卤化硅和卤化锗的方法，其特征在于，所述路易斯酸碱对的氢化在-80℃和200℃之间的温度下实施。
5、根据权利要求1-4中任一项的氢化卤化硅和卤化锗的方法，其特征在于，所述路易斯酸碱对的氢化在0.1MPa和10.0MPa之间的压力下实施。
6、根据权利要求1-5中任一项的氢化卤化硅和卤化锗的方法，其特征在于，所述卤代硅烷/锗烷的氢化利用在-20℃和200℃之间的温度来实施。
7、根据权利要求1-6中任一项的氢化卤化硅和卤化锗的方法，其特征在于，所述卤代硅烷/锗烷的氢化利用在0.05MPa和0.5MPa之间的压力来实施。
8、根据权利要求1-7中任一项的氢化卤化硅和卤化锗的方法，其特征在于，在氢化反应器(4)中作为固体沉淀出来的第四主族元素-氢-化合物通过在所述反应器底部的排出装置排出。
9、根据权利要求1-8中任一项的氢化卤化硅和卤化锗的方法，其特征在于，在氢化反应器(4)中作为气体选出的第四主族元素-氢-化合物经由排出装置获得。
10、根据权利要求1-9中任一项的氢化卤化硅和卤化锗的方法，其特征在于，在再生反应器(12)中产生的卤化氢被热排出并且经由阀门(16)从过程中除去。
11、根据权利要求1-10中任一项的氢化卤化硅和卤化锗的方法，其特征在于，所述卤化氢的热分解在100℃和300℃之间的温度下进行。
12、根据前述权利要求中任一项的氢化卤化硅或卤化锗的方法，其特征在于，在第一反应器中实施所述第二步骤且在第二反应器中实施所述第三步骤。
13、根据权利要求12的氢化卤化硅和卤化锗的方法，其特征在于，所述再生的路易斯酸碱对被再次输送到第一反应器中。
14、根据前述权利要求中任一项的氢化卤化硅和卤化锗的方法，其特征在于，在第三步骤中在重新添加H2的条件下将所述含卤素的路易斯酸碱对重新氢化。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007015750 | 2007-03-30 | ||
| DE102007015750.0 | 2007-03-30 | ||
| PCT/EP2008/002452 WO2008119505A1 (de) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | Katalytische hydrierung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101687651A true CN101687651A (zh) | 2010-03-31 |
| CN101687651B CN101687651B (zh) | 2013-04-24 |
Family
ID=39683793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008800183217A Expired - Fee Related CN101687651B (zh) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | 催化氢化 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8372370B2 (zh) |
| EP (1) | EP2132137B1 (zh) |
| KR (1) | KR20100022454A (zh) |
| CN (1) | CN101687651B (zh) |
| AT (1) | ATE508985T1 (zh) |
| DE (1) | DE102008016386A1 (zh) |
| ES (1) | ES2366597T3 (zh) |
| WO (1) | WO2008119505A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104619644A (zh) * | 2012-08-20 | 2015-05-13 | 奥瑟亚新材料股份有限公司 | 锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法 |
| CN104903231A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-09-09 | 赢创德固赛有限公司 | 氢化高级含卤素硅烷化合物的方法 |
| CN116041129A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-05-02 | 吉林大学 | 一种卤化物脱卤氢/氘化的方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009056731A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogenierte Polysilane und Polygermane |
| CN105080914B (zh) * | 2014-04-15 | 2017-05-10 | 新特能源股份有限公司 | 一种冷氢化工艺中的汽化再沸器排渣防堵塞装置和方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2406605A (en) * | 1945-03-15 | 1946-08-27 | Gen Electric | Hydrogenation of halogenosilanes |
| US3043857A (en) * | 1956-11-03 | 1962-07-10 | Kali Chemie Ag | Preparation of hydrides of the fourth and fifth group elements |
| JPS4822918B1 (zh) * | 1967-10-31 | 1973-07-10 | ||
| JPS5017035A (zh) | 1973-06-18 | 1975-02-22 | ||
| GB1499385A (en) * | 1975-08-29 | 1978-02-01 | Ici Ltd | Organosilicon compounds |
| FR2342981A1 (fr) * | 1976-03-05 | 1977-09-30 | Rhone Poulenc Ind | Procede de preparation d'hydrogenosilanes |
| FR2532293A1 (fr) | 1982-08-31 | 1984-03-02 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede continu de preparation de silane |
| JPS59121110A (ja) | 1982-12-24 | 1984-07-13 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製法 |
| JPS6163515A (ja) | 1984-09-03 | 1986-04-01 | Mitsui Toatsu Chem Inc | モノシランの製造方法 |
| US4824657A (en) * | 1985-11-27 | 1989-04-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for reducing silicon, germanium and tin halides |
| JP2536027B2 (ja) | 1988-03-16 | 1996-09-18 | 東亞合成株式会社 | ジシランの製造方法 |
| SU1766925A1 (ru) | 1990-06-26 | 1992-10-07 | Государственный научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений | Способ получени водородсодержащих хлор- и органохлорсиланов |
| DE4119578A1 (de) | 1991-06-14 | 1992-12-17 | Degussa | Verfahren zur hydrierung halogensubstituierter verbindungen |
| DE4220151A1 (de) | 1992-06-19 | 1993-12-23 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Gewinnung von Methylchlorsilanen aus hochsiedenden Rückständen der Methylchlorsilansynthese |
| DE4343169A1 (de) * | 1993-12-17 | 1995-06-22 | Solvay Deutschland | Katalytische Hydrodehalogenierung halogenhaltiger Verbindungen von Elementen der vierten Hauptgruppe |
| US5329038A (en) * | 1993-12-29 | 1994-07-12 | Dow Corning Corporation | Process for hydrogenation of chlorosilane |
| FR2732683B1 (fr) | 1995-04-10 | 1997-06-20 | Rhone Poulenc Chimie | Procede de scission des sous-produits de la synthese directe des alkylchlorosilanes |
| KR100236609B1 (ko) * | 1997-08-01 | 2000-02-01 | 박호군 | 클로로하이드로실란 유도체 및 이의 제조방법 |
| JP3865904B2 (ja) | 1997-11-25 | 2007-01-10 | 株式会社トクヤマ | シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 |
| JP2003119200A (ja) | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Jsr Corp | シラン類の製造方法 |
| JP2003313190A (ja) | 2002-04-19 | 2003-11-06 | Jsr Corp | シラン類の製造方法 |
| RU2230830C1 (ru) * | 2003-07-08 | 2004-06-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Фирма "ХОРСТ" | Способ получения высокочистого гидрида германия (варианты) |
| DE102004039911A1 (de) * | 2004-08-18 | 2006-02-23 | Goldschmidt Gmbh | Katalytisches System für die dehydrogenative Kondensation von Polyorganosiloxanen mit Alkoholen und ein Verfahren zur Herstellung von organisch modifizierten Polyorganosiloxanen |
| RU2266293C1 (ru) | 2004-08-25 | 2005-12-20 | Общество с ограниченной ответственностью "НИЦ Экологическая и медицинская химия" (НИЦ Медхим) | Способ получения метилсиланов |
| EP2085358A4 (en) * | 2006-09-27 | 2015-06-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | PROCESS FOR THE CONTINUOUS PRODUCTION OF MONOSILANE |
| JP5032161B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2012-09-26 | 日本化学工業株式会社 | 光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタンーボラン誘導体及びその製造方法 |
| CN101786629A (zh) * | 2009-01-22 | 2010-07-28 | 陶氏康宁公司 | 回收高沸点废料的方法 |
-
2008
- 2008-03-28 KR KR1020097022832A patent/KR20100022454A/ko active IP Right Grant
- 2008-03-28 AT AT08734828T patent/ATE508985T1/de active
- 2008-03-28 US US12/681,691 patent/US8372370B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-28 EP EP08734828A patent/EP2132137B1/de not_active Not-in-force
- 2008-03-28 CN CN2008800183217A patent/CN101687651B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-28 WO PCT/EP2008/002452 patent/WO2008119505A1/de active Application Filing
- 2008-03-28 ES ES08734828T patent/ES2366597T3/es active Active
- 2008-03-29 DE DE102008016386A patent/DE102008016386A1/de not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104619644A (zh) * | 2012-08-20 | 2015-05-13 | 奥瑟亚新材料股份有限公司 | 锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法 |
| CN104619644B (zh) * | 2012-08-20 | 2016-12-14 | 爱思开新材料有限公司 | 锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法 |
| CN104903231A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-09-09 | 赢创德固赛有限公司 | 氢化高级含卤素硅烷化合物的方法 |
| CN116041129A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-05-02 | 吉林大学 | 一种卤化物脱卤氢/氘化的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102008016386A1 (de) | 2008-10-16 |
| US20110158883A1 (en) | 2011-06-30 |
| ES2366597T3 (es) | 2011-10-21 |
| WO2008119505A1 (de) | 2008-10-09 |
| US8372370B2 (en) | 2013-02-12 |
| ATE508985T1 (de) | 2011-05-15 |
| KR20100022454A (ko) | 2010-03-02 |
| EP2132137A1 (de) | 2009-12-16 |
| EP2132137B1 (de) | 2011-05-11 |
| CN101687651B (zh) | 2013-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9745200B2 (en) | Process for preparing higher halosilanes and hydridosilanes | |
| TWI602780B (zh) | 受碳化合物污染的氯矽烷或氯矽烷混合物的後處理方法 | |
| JP5832441B2 (ja) | ヒドリドシランの製造方法 | |
| CN101687651B (zh) | 催化氢化 | |
| CN102844322B (zh) | 制备二有机二卤代硅烷的方法 | |
| CN112203972A (zh) | 制备和再生氢载体化合物的方法 | |
| KR20130133794A (ko) | 히드리도실란의 제조 방법 | |
| JP2012515704A (ja) | 高沸点廃棄物の再生プロセス | |
| CN108129510A (zh) | 一种氯烷基氢硅烷的制备方法 | |
| JP6261609B2 (ja) | ハロゲン含有の高級シラン化合物の水素化方法 | |
| US20220388840A1 (en) | Hydrogen carrier compounds | |
| JP5914240B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
| KR101435926B1 (ko) | 클로로실란의 하이드로젠 실란으로의 탈염소수소화를 위한 촉매 및 그 촉매를 사용한 하이드로젠실란의 제조 방법 | |
| CN108285467A (zh) | 一种氢化钙还原氯硅烷制备氢硅烷的方法 | |
| CN112839904B (zh) | 由四氯硅烷和氢硅烷合成三氯硅烷 | |
| JPS6060915A (ja) | 低ハロゲン化シランまたはモノシランの製造方法 | |
| CN103204507B (zh) | 一种制取太阳能级硅的无卤硅烷法 | |
| JP2000218166A (ja) | シラン化合物の不均化反応用触媒 | |
| JPH0339005B2 (zh) | ||
| JPH0480847B2 (zh) | ||
| JPS6246914A (ja) | シラン類の不均化方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SIBO ENTE PRIVATE LIMITED COMPANY Free format text: FORMER OWNER: REV RENEWABLE ENERGY VENTURES Effective date: 20101008 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: ZUG, SWITZERLAND TO: LUXEMBOURG, LUXEMBOURG |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20101008 Address after: Luxemburg Luxemburg Applicant after: SPAWNT PRIVATE S.A.R.L. Address before: Swiss Swiss Applicant before: REV RENEWABLE ENERGY VENTURES Inc. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160929 Address after: Hyderabad Patentee after: Nagarjuna Fertilizers and Chemicals Ltd. Address before: Mauritius Port Louis Patentee before: Dragon tree Industrial Services & Investment Pte. Ltd. Effective date of registration: 20160929 Address after: Mauritius Port Louis Patentee after: Dragon tree Industrial Services & Investment Pte. Ltd. Address before: Luxemburg Luxemburg Patentee before: SPAWNT PRIVATE S.A.R.L. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130424 Termination date: 20180328 |