CN101677370A - 固体摄像器件及其制造方法和电子装置 - Google Patents

固体摄像器件及其制造方法和电子装置 Download PDF

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Abstract

固体摄像器件包括：有多个光接收传感器的像素部；水平间隔开并设有垂直传输沟道区域和在该垂直传输沟道区域上方的垂直传输电极的多个垂直传输寄存器；垂直间隔开并设有水平传输沟道区域和多个水平传输电极的多个水平传输寄存器，这些水平传输电极在水平方向上并排形成于水平传输沟道区域上方且与垂直传输电极在同一层；以及形成于相邻两个水平传输寄存器之间并且设有水平至水平传输沟道区域和水平至水平传输电极的水平至水平传输部，该水平至水平传输沟道区域将位于被施加了不同相位的传输驱动脉冲的水平传输电极下方的水平传输沟道区域的各部分互连，该水平至水平传输电极在水平至水平传输沟道区域上方且与垂直传输电极和水平传输电极在同一层。

Description

固体摄像器件及其制造方法和电子装置
相关申请的交叉参考
本申请包含与2008年9月18日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2008-239902的公开内容相关的主题，在此将该日本在先专利申请的全部内容并入本文作为参考。
技术领域
本发明涉及例如电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)型的固体摄像器件，该固体摄像器件的制造方法和包括该固体摄像器件的电子装置。
背景技术
固体摄像器件的一个示例是采用了电荷耦合器件(CCD)的器件。在CCD固体摄像器件中，多个光接收传感器以二维矩阵的形式排列着并且各自由光电二极管(photodiode，PD)构成，光电二极管即是用于产生并累积信号电荷的光电转换器，该信号电荷与该光电转换器所接收的光的量相对应。信号电荷是基于从物体(即拍摄对象)接收的且进入多个光接收传感器的光电二极管中的光信号而产生并被累积的。信号电荷在垂直方向上通过与光接收传感器的各列一一对应地布置的垂直传输寄存器进行传输，并且还在水平方向上通过具有CCD结构的水平传输寄存器进行传输。在水平方向上传输的信号电荷被作为物体的图像信息从包括电荷电压转换器的输出部输出。
作为上述类型的固体摄像器件的改进，具有多个水平传输寄存器的固体摄像器件近年来已发展为适用于诸如数字高清TV(高分辨率数字电视)等具有较高分辨率的电子装置。
图8是日本专利申请公开公报No.2006-319184中所披露的具有两个水平传输寄存器的固体摄像器件的主要部分的示意图。更具体地，图8示出了固体摄像器件的像素部101、第一水平传输寄存器102和第二水平传输寄存器104的一部分，像素部101包括末级的各个垂直传输寄存器。
垂直传输寄存器包括形成于基板100中并且每列通过沟道阻挡区域106分隔开的垂直传输沟道区域105A和105B，以及形成于垂直传输沟道区域105A和105B上方并在水平方向上延伸的垂直传输电极112。如图8所示，垂直传输沟道区域105A和105B在水平方向上交替形成。
第一水平传输寄存器102形成于末级的各个垂直传输寄存器的传输末端位置处。第二水平传输寄存器104被设置为平行于第一水平传输寄存器102延伸。另外，水平至水平传输部103形成于第一水平传输寄存器102与第二水平传输寄存器104之间。
如图8所示，第一水平传输寄存器102以及各个水平传输沟道区域114和115各自形成于基板100中并在水平方向上延伸，并且传输电极107A和107B以及存储电极108A和108B交替形成于水平传输沟道区域114和115上方并在垂直方向上延伸。在存储电极108A和108B下方的水平传输沟道区域114和115的部分中形成有存储区域。此外，在传输电极107A和107B下方的水平传输沟道区域114和115的部分中形成有传输区域。传输电极107A与垂直传输沟道区域105A相连，并且传输电极107B与垂直传输沟道区域105B相连。另外，存储电极108A和108B各自以交替的顺序形成于传输电极107A与传输电极107B之间。时钟信号φ1被施加到传输电极107A和存储电极108A，并且时钟信号φ2被施加到传输电极107B和存储电极108B。
传输电极107A和107B以及存储电极108A和108B被形成为共用于第一水平传输寄存器102和第二水平传输寄存器104，同时这些电极在位于水平至水平传输部103上方的部分中倾斜地延伸。
水平至水平传输部103包括水平至水平沟道区域110、沟道阻挡区域109以及形成于这些区域110和109上方的水平至水平传输电极111。水平至水平沟道区域110被形成为在位于传输电极107A下方的第一水平传输寄存器102的部分中的传输区域与位于传输电极107B下方的第二水平传输寄存器104的部分中的传输区域之间延伸。除了这些传输区域之外的水平至水平沟道区域110的其它部分被形成为沟道阻挡区域109。时钟信号φHHG被施加到水平至水平传输电极111。
在具有上述结构的固体摄像器件中，当施加传输驱动脉冲(时钟信号)φ1时，在末级的垂直传输寄存器的垂直传输沟道区域105A中所保持的信号电荷首先被传输到第一水平传输寄存器102的传输区域107A。
然后，当施加传输驱动脉冲(时钟信号)φHGG时，已从垂直传输沟道区域105A传输来的信号电荷被传输到水平至水平传输部103的水平至水平沟道区域110。
之后，当施加传输驱动脉冲(时钟信号)φ2时，在水平至水平沟道区域110中所保持的信号电荷被传输到传输电极107B下方的第二水平传输寄存器104的传输区域。同时，在垂直传输沟道区域105B中所保持的信号电荷被传输到传输电极107B下方的第一水平传输寄存器102的传输区域。
换言之，只有已经过垂直传输沟道区域105A传输的信号电荷被传输到第二水平传输寄存器104，而已经过垂直传输沟道区域105B传输的信号电荷留在第一水平传输寄存器102中。
因此，在连续各列的垂直传输寄存器中的信号电荷被交替地分配到第一水平传输寄存器102和第二水平传输寄存器104。已传输到第一水平传输寄存器102和第二水平传输寄存器104的信号电荷作为视频信号在水平方向上被进一步传输。
如上所述，在具有两个水平传输寄存器的固体摄像器件中，因为必需在多个水平传输寄存器之间传输信号电荷，所以在这两个水平传输寄存器之间采用传输部。这增加了要在固体摄像器件中形成的传输电极的层数。
图9示出了在图8所示相关技术的固体摄像器件中，水平至水平传输电极111的沿X-X线的剖面结构。从图9可以看出，传输电极107A、存储电极108B和水平至水平传输电极111彼此重叠起来的结构具有至少三层。因此，形成三层电极的缺点在于：必须使用三个步骤来形成这些电极并且延长了制造过程。
另外，这些电极各自由多晶硅形成，并且相邻的多晶硅电极利用由氧化物膜113形成的层间绝缘膜实现彼此绝缘。然而，在形成氧化物膜113的步骤中，用于形成多晶硅电极的硅自身被消耗，因而多晶硅电极的线宽变窄。另外，因为在形成三层多晶硅电极的步骤中进行三次氧化处理以形成三层氧化物膜113，所以多晶硅电极的变窄现象会更明显。通常，通过减小各个多晶硅电极的尺寸来实现器件元件的进一步小型化。但是，当尺寸已减小的多晶硅电极的宽度在制造过程中进一步变窄时，就可能会出现例如布线电阻增大和导致线断裂等方面的问题。因此，不能保证固体摄像器件的可靠性。由于此原因，包括三层多晶硅电极的固体摄像器件的缺点在于难以实现器件元件的进一步小型化。
此外，当形成三层的多晶硅电极时，第一层多晶硅电极与第三层多晶硅电极之间的氧化物膜113必须花费比形成第一层多晶硅电极与第二层多晶硅电极之间的氧化物膜113或者第二层多晶硅电极与第三层多晶硅电极之间的氧化物膜113更长的氧化时间来形成。于是，第一层多晶硅电极与第三层多晶硅电极之间的氧化物膜113具有更大的厚度。从在CCD固体摄像器件中实现低电压驱动的观点考虑，减小由氧化物膜113构成的层间绝缘膜的厚度是有效的。具有较大厚度的层间绝缘膜会削弱信号电荷的传输。
发明内容
鉴于上述相关技术的情况，本发明的目的是提供一种固体摄像器件，该固体摄像器件能够减少制造步骤的数目，适用于器件元件的进一步小型化，并且能够确保低电压驱动。本发明的另一目的是提供该固体摄像器件的制造方法以及包括该固体摄像器件的电子装置。
本发明的实施例提供了一种固体摄像器件，其包括像素部、垂直传输寄存器、水平传输寄存器、水平至水平传输部和分流线。这些部件按如下所述的形式构成。
所述像素部包括多个光接收传感器。
所述垂直传输寄存器包括垂直传输沟道区域和形成于所述垂直传输沟道区域上方的垂直传输电极，所述垂直传输沟道区域形成于水平相邻的两个所述光接收传感器之间。所述垂直传输寄存器被形成为在水平方向上间隔开的多个垂直传输寄存器。
所述水平传输寄存器包括水平传输沟道区域和多个水平传输电极，所述多个水平传输电极在水平方向上并排地形成于所述水平传输沟道区域上方，并且所述多个水平传输电极被布置成使得不同相位的传输驱动脉冲被施加到相邻的两个所述水平传输电极上。所述水平传输电极与所述垂直传输电极形成于同一层中。所述水平传输寄存器被形成为在垂直方向上间隔开的多个水平传输寄存器。
所述水平至水平传输部形成于相邻的两个所述水平传输寄存器之间并且包括水平至水平传输沟道区域，该水平至水平传输沟道区域将位于被施加了不同相位的传输驱动脉冲的所述水平传输电极下方的所述水平传输沟道区域的各个部分互连。另外，所述水平至水平传输部包括水平至水平传输电极，该水平至水平传输电极形成于所述水平至水平传输沟道区域上方且与所述垂直传输电极和所述水平传输电极形成于同一层中。
所述分流线被形成为多个分流线，并且这些分流线将相邻两个所述水平传输寄存器之间的被提供有相同相位的传输驱动脉冲的所述水平传输电极互连。
因而，在本发明实施例的固体摄像器件中，所述垂直传输电极、所述水平传输电极和所述水平至水平传输电极形成于同一层中。因此，在所述垂直传输电极、所述水平传输电极和所述水平至水平传输电极中的两两之间没有层间绝缘膜。此外，所述水平传输电极在垂直相邻的两个所述水平传输寄存器之间彼此间隔开，并且被提供有相同相位的传输驱动脉冲的那些水平传输电极通过所述水平传输寄存器之间的分流线彼此相连。
本发明的另一个实施例提供了一种固体摄像器件的制造方法，其包括以下步骤。首先，在基板中形成多个垂直传输沟道区域，使得所述垂直传输沟道区域在水平方向上彼此相邻且间隔开。然后，在所述基板中形成多个水平传输沟道区域，使得所述水平传输沟道区域在垂直方向上彼此相邻且间隔开。之后，在相邻的两个所述水平传输沟道区域之间形成水平至水平传输沟道区域。然后，在所述基板上形成第一电极材料层。然后，图形化所述第一电极材料层，从而在所述垂直传输沟道区域上方形成垂直传输电极、在各个所述水平传输沟道区域上方形成在水平方向上并排排列的多个水平传输电极，并且在所述水平至水平传输沟道区域上方形成水平至水平传输电极。之后，在所述垂直传输沟道区域、所述多个水平传输电极和所述水平至水平传输电极上形成第二电极材料层。然后，图形化所述第二电极材料层，从而形成多个分流线，所述多个分流线各自将形成于相邻的两个所述水平传输沟道区域上方的所述多个水平传输电极中的被提供有相同相位的传输驱动脉冲的那些水平传输电极互连。
因而，在本发明另一实施例的固体摄像器件的制造方法中，在同一步骤中并且利用第一电极材料层形成垂直传输电极、水平传输电极和水平至水平传输电极。另外，利用第二电极材料层形成多个分流线。
本发明的又一个实施例提供了一种电子装置，其包括光学透镜、固体摄像器件和信号处理电路。所述固体摄像器件包括像素部、垂直传输寄存器、水平传输寄存器、水平至水平传输部和分流线。
所述像素部包括多个光接收传感器。
所述垂直传输寄存器包括垂直传输沟道区域和形成于所述垂直传输沟道区域上方的垂直传输电极，所述垂直传输沟道区域形成于水平相邻的两个所述光接收传感器之间。所述垂直传输寄存器被形成为在水平方向上间隔开的多个垂直传输寄存器。
所述水平传输寄存器包括水平传输沟道区域和多个水平传输电极，所述多个水平传输电极在水平方向上并排地形成于所述水平传输沟道区域上方，并且被布置为使得不同相位的传输驱动脉冲被施加到相邻的两个所述水平传输电极上。所述水平传输电极与所述垂直传输电极形成于同一层中。所述水平传输寄存器被形成为在垂直方向上间隔开的多个水平传输寄存器。
所述水平至水平传输部形成于相邻的两个所述水平传输寄存器之间并且包括水平至水平传输沟道区域，该水平至水平传输沟道区域将位于被施加了不同相位的传输驱动脉冲的所述水平传输电极下方的所述水平传输沟道区域的各个部分互连。另外，所述水平至水平传输部包括水平至水平传输电极，该水平至水平传输电极形成于所述水平至水平传输沟道区域上方且与所述垂直传输电极和所述水平传输电极形成于同一层中。
所述分流线被形成为多个分流线，并且这些分流线将相邻的两个所述水平传输寄存器之间的被提供有相同相位的传输驱动脉冲的所述水平传输电极互连。
因而，在本发明又一个实施例的电子装置中，在所述垂直传输电极、所述水平传输电极和所述水平至水平传输电极中的两两之间没有层间绝缘膜。
在本发明实施例的固体摄像器件中，能够实现较小的像素尺寸并且能够确保较低电压驱动。此外，在本发明另一个实施例的固体摄像器件的制造方法中，能够减少制造步骤的数目。另外，在本发明又一个实施例的电子装置中，通过利用确保较低电压驱动的固体摄像器件，能够以较低电压驱动该电子装置。
附图说明
图1是本发明实施例的固体摄像器件的框图；
图2是本发明实施例固体摄像器件的主要部分的示意图；
图3A、图3B和图3C分别是沿图2中的IIIA-IIIA线、IIIB-IIIB线和IIIC-IIIC线的示意性剖面图；
图4A、图4B和图4C示出了本发明实施例固体摄像器件的第一系列的连续制造步骤；
图4D、图4E和图4F示出了本发明实施例固体摄像器件的第二系列的连续制造步骤；
图5是末级的垂直传输寄存器和各水平传输寄存器的时序图；
图6示出了本发明实施例固体摄像器件中的主要区域中的电位；
图7示出了本发明又一实施例的电子装置；
图8是相关技术的固体摄像器件的主要部分的示意图；以及
图9是沿图8中的X-X线的剖面图。
具体实施方式
以下参照图1～图7说明本发明的各实施例。
本发明实施例的固体摄像器件
固体摄像器件的整体结构
图1是表示本发明实施例的CCD固体摄像器件的整体结构的框图。
如图1所示，本实施例的CCD固体摄像器件1包括多个光接收传感器4、多个各自具有CCD结构的垂直传输寄存器5以及各自具有CCD结构的第一水平传输寄存器6a和第二水平传输寄存器6b，这些部件形成于基板2中和基板2上。像素部3由光接收传感器4和垂直传输寄存器5构成。CCD固体摄像器件1还包括形成于第一水平传输寄存器6a与第二水平传输寄存器6b之间的水平至水平传输部(以下称为“H-H传输部”)7以及分别与第一水平传输寄存器6a和第二水平传输寄存器6b相连的输出电路8a和8b。于是，本实施例的固体摄像器件1包括两个水平传输寄存器。
各个光接收传感器4由光电转换器即光电二极管构成，并且用于产生并累积信号电荷。如图1所示，在图示的实施例中，多个光接收传感器4在基板2的水平方向和垂直方向上以二维矩阵的形式排列着。
与在垂直方向上排列的光接收传感器4的多列相对应，有多个垂直传输寄存器5在沿水平方向彼此相邻的光接收传感器4的各列之间沿垂直方向延伸。各个垂直传输寄存器5用于读取光接收传感器4中所累积的信号电荷并且用于在垂直方向上传输信号电荷。在本实施例中，包括形成于其中的垂直传输寄存器5的传输级由从传输驱动脉冲电路(未图示)施加的传输驱动脉冲Vφ1～Vφ4进行四相驱动。另外，在垂直传输寄存器5的末级中，当施加传输驱动脉冲VOG时，该末级中所保持的信号电荷被传输至第一水平传输寄存器6a。
第一水平传输寄存器6a被形成为沿着末级的各个垂直传输寄存器5的相应一端延伸。包括形成于其中的第一水平传输寄存器6a的传输级用于在每条水平线的水平方向上传输通过各个垂直传输寄存器5进行垂直传输的信号电荷的一部分。
第二水平传输寄存器6b被形成为在第一水平传输寄存器6a的远离垂直传输寄存器5的那一侧的位置处平行于第一水平传输寄存器6a延伸。包括形成于其中的第二水平传输寄存器6b的传输级用于在每条水平线的水平方向上传输上述信号电荷的剩余部分，该信号电荷的剩余部分是已经通过H-H传输部7传输而没有被第一水平传输寄存器6a水平传输的部分。
在本实施例中，第一水平传输寄存器6a和第二水平传输寄存器6b由从传输驱动脉冲电路(未图示)施加的传输驱动脉冲Hφ1和Hφ2进行二相驱动。
H-H传输部7形成于第一水平传输寄存器6a与第二水平传输寄存器6b之间。包括形成于其中的H-H传输部7的传输级用于传输已从各个垂直传输寄存器5传输至第一水平传输寄存器6a的信号电荷的一部分。H-H传输部7由传输驱动脉冲φHHG驱动。
输出电路8a用于将已通过第一水平传输寄存器6a水平传输的信号电荷经过电荷电压转换之后作为视频信号输出。
输出电路8b用于将已通过第二水平传输寄存器6b水平传输的信号电荷经过电荷电压转换之后作为视频信号输出。
在如上所述构造的固体摄像器件1中，在各个光接收传感器4中所累积的信号电荷通过垂直传输寄存器5进行垂直传输，然后被传输至第一水平传输寄存器6a。已传输至第一水平传输寄存器6a的信号电荷的一部分通过H-H传输部7被进一步传输至第二水平传输寄存器6b。第一水平传输寄存器6a和第二水平传输寄存器6b中的信号电荷在水平方向上被传输，并且通过输出电路8a和8b被作为视频信号输出。
固体摄像器件的主要部分的结构
图2示出了本实施例固体摄像器件1中的像素部3、第一水平传输寄存器6a、第二水平传输寄存器6b和H-H传输部7的结构，该像素部3包括末级的各垂直传输寄存器5。图3A是沿图2中IIIA-IIIA线的示意性剖面图，图3B是沿图2中IIIB-IIIB线的示意性剖面，图3C是沿图2中IIIC-IIIC线的示意性剖面图。以下参照图2和图3来详细说明本实施例的固体摄像器件1的主要部分。
首先，说明垂直传输寄存器5。如图2、图3A和图3B所示，垂直传输寄存器5包括由n型杂质区域构成的垂直传输沟道区域16a和16b，还包括垂直传输电极9(10)，这些n型杂质区域形成于由p型半导体制成的基板2的表面中。垂直传输沟道区域16a和16b各自以多列的形式形成，并在沿水平方向彼此相邻的光接收传感器4的各列之间在垂直方向上延伸。垂直传输沟道区域16a和16b交替形成为被沟道阻挡区域17分隔开的各列形式，该沟道阻挡区域17由用于形成基板2的p型半导体制成。垂直传输电极9(10)形成于基板2上并在水平方向上延伸，在该垂直传输电极9(10)中形成有光接收传感器4、垂直传输沟道区域16a和16b以及沟道阻挡区域17。图2示出的垂直传输寄存器5包括末级的垂直传输电极10和位于垂直传输电极10前面的垂直传输电极9。图2中没有示出光接收传感器4。
以下说明第一水平传输寄存器6a。
第一水平传输寄存器6a包括形成于基板2中和基板2上的第一水平传输沟道区域25、第一水平传输电极11、第二水平传输电极12、第一分流线15a以及第二分流线15b。
如图3C所示，第一水平传输沟道区域25包括n-型杂质区域和n型杂质区域，该n-型杂质区域和该n型杂质区域在水平方向上交替形成于由p型半导体制成的基板2的表面中。该n-型杂质区域形成了第一水平传输沟道区域25中的传输区域25a，该n型杂质区域形成了第一水平传输沟道区域25中的存储区域25b。传输区域25a具有相对较浅的静电电位，存储区域25b具有相对较深的静电电位。因而，已被传输到第一水平传输沟道区域25的信号电荷被保持在存储区域25b中。
一组传输区域25a和存储区域25b连接至与该对应组相邻的一个垂直传输沟道区域16a(或16b)。
第一水平传输电极11和第二水平传输电极12交替形成且隔着栅极绝缘膜27位于基板2的表面上，第一水平传输电极11和第二水平传输电极12各自与第一水平传输沟道区域25中在传输方向上彼此相邻的一组传输区域25a和存储区域25b一一对应。另外，都位于第一水平传输电极11下方的传输区域25a和存储区域25b与垂直传输沟道区域16b相连，并且都位于第二水平传输电极12下方的传输区域25a和存储区域25b与垂直传输沟道区域16a相连。
第一水平传输电极11和第二水平传输电极12都由多晶硅层形成。
如图3A所示，第一分流线15a形成于在第一水平传输电极11上形成的绝缘膜28上，并且通过形成于绝缘膜28中的接触部24与第一水平传输电极11电连接。第一分流线15a通过接触部30与第一金属线22相连。第一金属线22作为用于提供传输驱动脉冲Hφ1的线。利用这种布置，传输驱动脉冲Hφ1通过第一分流线15a被提供给第一水平传输电极11。
如图3B所示，第二分流线15b形成于在第二水平传输电极12上形成的绝缘膜28上，并且通过形成于绝缘膜28中的接触部29与第二水平传输电极12电连接。第二分流线15b通过接触部30与第二金属线23相连。第二金属线23作为用于提供传输驱动脉冲Hφ2的线。利用这种布置，传输驱动脉冲Hφ2通过第二分流线15b被提供给第二水平传输电极12。
此外，如图3B所示，第一分流线15a和第二分流线15b由同一多晶硅层的不同部分构成。
以下说明第二水平传输寄存器6b。
第二水平传输寄存器6b被形成为与第一水平传输寄存器6a隔着H-H传输部7且平行于第一水平传输寄存器6a延伸。第二水平传输寄存器6b包括形成于基板2中和形成于基板2上的第二水平传输沟道区域26、第三水平传输电极13、第四水平传输电极14、第一分流线15a和第二分流线15b。
与第一水平传输沟道区域25一样，第二水平传输沟道区域26包括n-型杂质区域和n型杂质区域，该n-型杂质区域和该n型杂质区域在水平方向上交替形成于由p型半导体制成的基板2的表面中。该n-型杂质区域形成了第二水平传输沟道区域26中的传输区域26a，该n型杂质区域形成了第二水平传输沟道区域26中的存储区域26b。传输区域26a和存储区域26b被形成为在垂直方向上分别与第一水平传输沟道区域25的传输区域25a和存储区域25b相邻。
第三水平传输电极13和第四水平传输电极14交替形成且隔着栅极绝缘膜27位于基板2的表面上，第三水平传输电极13和第四水平传输电极14各自与第二水平传输沟道区域26中的在传输方向上彼此相邻的一组传输区域26a和存储区域26b一一对应。另外，如图2所示，第三水平传输电极13被形成为与第二水平传输电极12在垂直方向上间隔开。此外，如图2所示，第四水平传输电极14被形成为与第一水平传输电极11在垂直方向上间隔开。
从图3A和图3B可以看出，第三水平传输电极13和第四水平传输电极14与第一水平传输电极11和第二水平传输电极12形成在同一多晶硅层中。
如图3A所示，第一分流线15a形成于覆盖第四水平传输电极14的绝缘膜28上，如图2所示，该第四水平传输电极14在垂直方向上与第一水平传输电极11相邻且间隔开地布置着。第一分流线15a通过形成于绝缘膜28中的接触部24与第四水平传输电极14电连接。更具体地，如图2所示，第一分流线15a被形成为以与第一水平传输电极11上方的第一分流线15a一体的形式在垂直方向上延伸，从而覆盖第一水平传输电极11以及如图2所示在垂直方向上与第一水平传输电极11相邻且间隔开地布置着的第四水平传输电极14。
也就是说，第一分流线15a用于向第一水平传输电极11施加传输驱动脉冲Hφ1，并且也向第四水平传输电极14施加传输驱动脉冲Hφ1。
从图2和图3B可见，第二分流线15b形成于覆盖第三水平传输电极13的绝缘膜28上，如图2所示，该第三水平传输电极13在垂直方向上与第二水平传输电极12相邻且间隔开地布置着。第二分流线15b通过形成于绝缘膜28中的接触部29与第三水平传输电极13电连接。更具体地，如图2所示，第二分流线15b被形成为以与第二水平传输电极12上方的第二分流线15b一体的形式在垂直方向上延伸，从而覆盖第二水平传输电极12以及如图2所示在垂直方向上与第二水平传输电极12相邻且间隔开地布置着的第三水平传输电极13。
也就是说，第二分流线15b用于向第二水平传输电极12施加传输驱动脉冲Hφ2，并且也向第三水平传输电极13施加传输驱动脉冲Hφ2。
如上所述，第一分流线15a被形成为以覆盖如图2所示在垂直方向上彼此相邻且间隔开地布置的第一水平传输电极11和第四水平传输电极14的方式延伸，第二分流线15b被形成为以覆盖如图2所示在垂直方向上彼此相邻且隔开地布置的第二水平传输电极12和第三水平传输电极13的方式延伸。利用这种布置，第一分流线15a和第二分流线15b各自形成为如下状态，即不是在被施加了不同相位的传输驱动脉冲的水平传输电极上延伸。
以下说明H-H传输部7。
H-H传输部7形成于第一水平传输寄存器6a与第二水平传输寄存器6b之间。如图2、图3A和图3B所示，H-H传输部7包括形成于基板2中的水平至水平沟道区域(以下称为“H-H沟道区域”)20和沟道阻挡区域19以及形成于基板2表面上的水平至水平传输电极(以下称为“H-H传输电极”)18。
H-H沟道区域20形成于第一水平传输寄存器6a与第二水平传输寄存器6b之间，从而使位于第二水平传输电极12下方的第一水平传输沟道区域25的部分和位于第四水平传输电极14下方的第二水平传输沟道区域26的部分互连。因为第二水平传输电极12和第四水平传输电极14在倾斜方向上彼此相邻且间隔开，所以H-H沟道区域20也被形成为倾斜地延伸。
另外，在本实施例中，不同相位的传输驱动脉冲被施加到第二水平传输电极12和第四水平传输电极14上。因而，在电极12和14被施加了不同相位的传输驱动脉冲的情况下，H-H沟道区域20被形成为使得位于第二水平传输电极12下方的第一水平传输沟道区域25的部分和位于第四水平传输电极14下方的第二水平传输沟道区域26的部分互连。
另外，如图3B所示，H-H沟道区域20包括由n-型杂质区域构成的传输区域20a和由n型杂质区域构成的存储区域20b，该传输区域20a和存储区域20b在从第一水平传输寄存器6a向第二水平传输寄存器6b的方向上被连续形成。利用这种布置，H-H沟道区域20具有被形成为在从第一水平传输寄存器6a向第二水平传输寄存器6b的方向上变深的静电电位。除了位于H-H传输电极18下方的那部分H-H沟道区域20之外的其他部分H-H沟道区域20被形成为由p型半导体构成的沟道阻挡区域19。
H-H传输电极18形成于在基板2中形成的H-H沟道区域20上，在基板2表面上形成的栅极绝缘膜27位于H-H传输电极18与H-H沟道区域20之间，使得单个部件的H-H传输电极18在沿水平方向并排形成的多个H-H沟道区域20上延伸。另外，如图3A和图3B所示，H-H传输电极18与第一传输电极11～第四传输电极14形成于同一多晶硅层中。H-H传输电极18通过接触部31与金属线21相连。金属线21用于向H-H传输电极18提供传输驱动脉冲φHHG。
因而，在本实施例中，垂直传输电极9(10)、第一水平传输电极11～第四水平传输电极14和H-H传输电极18由同一多晶硅层的不同部分形成。此外，第一分流线15a和第二分流线15b由同一多晶硅层的不同部分形成于这些电极上方。另外，在本实施例的固体摄像器件1中，各个第一水平传输寄存器6a和第二水平传输寄存器6b具有被形成为两个多晶硅层的电极层。
固体摄像器件的制造方法
以下参照图4A、图4B和图4C说明本实施例的固体摄像器件1的制造方法。图4A、图4B和图4C示出了用于沿图2中的IIIA-IIIA线的剖面区域的连续制造步骤。
首先，如图4A所示，在基板2中，即在由硅制成的p型半导体中中，形成垂直传输沟道区域16b(16a)、第一水平传输沟道区域25、第二水平传输沟道区域26、H-H沟道区域20和沟道阻挡区域(未图示)。垂直传输沟道区域16b(16a)、第一水平传输沟道区域25、第二水平传输沟道区域26和H-H沟道区域20可以通过在各自的预定位置处注入n型杂质离子而形成。然后，在基板2表面上形成由氧化硅构成的栅极绝缘膜27。
之后，如图4B所示，在栅极绝缘膜27上形成用作电极材料层的第一多晶硅层32。
然后，如图4C所示，通过图形化多晶硅层32，形成垂直传输电极10(9)、第一水平传输电极11～第四水平传输电极14和H-H传输电极18。换言之，垂直传输电极9(10)、第一水平传输电极11～第四水平传输电极14和H-H传输电极18被形成在第一多晶硅层32中。
之后，如图4D所示，通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)方法在垂直传输电极10(9)、第一水平传输电极11～第四水平传输电极14和H-H传输电极18上以及在这些电极之间的间隙区域上形成绝缘膜28。绝缘膜28不但可以被形成为氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)或氧氮化硅(SiON)的单层膜，也可以是这些单层膜组合形成的多层膜。
然后，如图4E所示，在覆盖在第一水平传输电极11～第四水平传输电极14上的绝缘膜28的期望位置处形成接触孔33。接触孔33用于构成图3A和图3B中的接触部24和29。
之后，如图4F所示，在接触孔33中及绝缘膜28上形成用作电极材料层的第二多晶硅层34。
然后，如图3A和图3B所示，通过图形化第二多晶硅层34，形成第一分流线15a和第二分流线15b。换言之，第一分流线15a和第二分流线15b由第二多晶硅层34的相应部分形成。
接下来的制造过程与普通CCD固体摄像器件的制造过程相同，并且包括形成层间绝缘膜的过程和形成遮光电极的过程。接下来的制造过程还包括形成源极区域和漏极区域的过程和形成金属线的过程。在形成金属线的过程中，形成用于使各金属线与第一分流线15a、与第二分流线15b以及与连接至H-H传输电极18的线互连的接触部，从而提供金属线与其它线之间的电接触。之后，如果必要的话，形成彩色滤光器层和片上透镜，由此制成固体摄像器件1。
利用本实施例的固体摄像器件1的制造方法，由于第一多晶硅层32被用来形成垂直传输电极10(9)、第一水平传输电极11～第四水平传输电极14和H-H传输电极18，因而多层多晶硅电极结构以及形成该结构的各步骤不再是必需的。因此，能够减少制造方法中所必需的步骤数目。
固体摄像器件的驱动方法
以下说明本实施例的固体摄像器件1的驱动方法。图5是施加到末级的垂直传输电极10、第一水平传输电极11～第四水平传输电极14和H-H传输电极18上的传输驱动脉冲的时序图。图6示出了与所施加的传输驱动脉冲对应，沿IIIB-IIIB线的各区域中的电位。图6还示出了沿IIIA-IIIA线的各区域中以及在末级前面一级的垂直传输电极9下方的垂直传输沟道区域16a中的电位。
在图6的电位图中，实线表示当施加传输驱动脉冲时处于高电平(“高”)的电位，虚线表示当未施加传输驱动脉冲时处于低电平(“低”)的电位。另外，由于传输区域25a和26a以及存储区域25b和26b分别在水平方向上交替形成于第一水平传输沟道区域25和第二水平传输沟道区域26中，因此传输区域和存储区域中的电位也被表示为高(Tr，St)和低(Tr，St)。
首先，如图5所示，在向末级的垂直传输寄存器5的垂直传输电极10施加传输驱动脉冲VOG的状态下，施加传输驱动脉冲Hφ2。在施加这些传输驱动脉冲时，在位于末级的垂直传输电极10下方的垂直传输沟道区域16a的部分中的电位保持在高电平的状态下，位于第二水平传输电极12下方的第一水平传输沟道区域25的部分中的电位变为高电平。因此，如图6所示，位于第二水平传输电极12下方的第一水平传输沟道区域25的部分中的电位变得比垂直传输沟道区域16a中的电位深。结果，在末级的垂直传输沟道区域16a中所保持的信号电荷e被传输到位于第二水平传输电极12下方的第一水平传输沟道区域25的部分。于是，在该时序下，信号电荷e如图2所示从t1到t2进行传输。
然后，向H-H传输电极18施加传输驱动脉冲φHHG，而停止传输驱动脉冲Hφ2的施加。利用传输驱动脉冲的施加的这种变换，H-H沟道区域20中的电位从低电平变为高电平，而位于第二水平传输电极12下方的第一水平传输沟道区域25的部分中的电位变为低电平。因此，如图6所示，H-H沟道区域20的电位变得比位于第二水平传输电极12下方的第一水平传输沟道区域25的部分中的电位深。因此，在位于第二水平传输电极12下方的第一水平传输沟道区域25的部分中所保持的信号电荷e被传输到H-H沟道区域20。于是，在该时序下，信号电荷e如图2所示从t2到t3进行传输。
这时，因为H-H沟道区域20具有在传输方向上并排形成的传输区域和存储区域，所以如图6所示，在H-H沟道区域20中形成了在传输方向上具有不同的电平的阶梯状电位，从而防止信号电荷向后流动。
然后，停止向H-H传输电极18施加传输驱动脉冲φHHG，而施加传输驱动脉冲Hφ1。利用传输驱动脉冲的施加的这种变换，H-H沟道区域20中的电位变为低电平，并且位于第四水平传输电极14下方的第二水平传输沟道区域26的部分中的电位变为高电平。因此，如图6所示，位于第四水平传输电极14下方的第二水平传输沟道区域26的部分中的电位变得高于沟道区域20中的电位。因此，在H-H沟道区域20中所保持的信号电荷e被传输到位于第四水平传输电极14下方的第二水平传输沟道区域26的部分。于是，在该时序下，信号电荷e如图2所示从t3到t4进行传输。
另外，这时，在位于末级的垂直传输电极10下方的垂直传输沟道区域16b的部分中的电位保持在高电平的状态下，位于第一水平传输电极11下方的第一水平传输沟道区域25的部分中的电位变为高电平。因此，如图6所示，位于第一水平传输电极11下方的第一水平传输沟道区域25的部分中的电位变得比垂直传输沟道区域16b的电位深。因此，在末级的垂直传输沟道区域16b中所保持的信号电荷e被传输到位于第一水平传输电极11下方的第一水平传输沟道区域25的部分。于是，在信号电荷e从t3到t4进行传输时的时序下，垂直传输沟道区域16b中所保持的信号电荷e如图2所示从t1到t4进行传输。
随后，停止向末级的垂直传输电极10施加传输驱动脉冲VOG，并且交替施加传输驱动脉冲Hφ1和Hφ2。在交替施加传输驱动脉冲Hφ1和Hφ2的情况下，位于第四水平传输电极14下方的第二水平传输沟道区域26的部分中所保持的信号电荷e在第二水平传输寄存器6b中在水平方向上被连续传输。
这时，由于位于第二水平传输电极12下方的第一水平传输沟道区域25的部分中所保持的信号电荷已通过H-H传输部7传输到位于第四水平传输电极14下方的第二水平传输沟道区域26的部分，因而在第二水平传输电极12下方没有信号电荷。但是，位于与第二水平传输电极12相邻的第一水平传输电极11下方的第一水平传输沟道区域25的部分处于保持有从垂直传输沟道区域16b传输来的信号电荷的状态。因而，在第一水平传输寄存器6a中，在位于第一水平传输电极11下方的第一水平传输沟道区域25的部分中所保持的信号电荷e被连续地传输。
如上所述，已通过垂直传输沟道区域16a和16b传输的信号电荷在水平方向上通过第一水平传输寄存器6a和第二水平传输寄存器6b进行传输，并且分别通过输出电路8a和8b作为视频信号输出。
在本实施例的固体摄像器件1中，位于第一水平传输电极11～第四水平传输电极14下方的第一水平传输沟道区域25的部分和第二水平传输沟道区域26的部分分别包括传输区域25a和26a以及存储区域25b和26b。因而，可以利用传输驱动脉冲Hφ1和Hφ2对第一水平传输寄存器6a和第二水平传输寄存器6b进行两相驱动。另外，由于一组传输区域和存储区域是形成在被施加了相同相位的传输驱动脉冲的一个水平传输电极下方，因而增强了在同一相位内在水平方向上传输的电场。
在相关技术的多层多晶硅电极结构中，在由第一多晶硅层形成的H-H传输电极与由第三多晶硅层形成的水平传输电极之间必须增加层间绝缘膜的厚度。因此，在普通固体摄像器件中，在利用第一多晶硅层的传输级与利用第三多晶硅层的传输级之间的传输在低电压驱动期间容易出现故障。
相比之下，在本实施例的固体摄像器件1中，因为垂直传输电极9(10)、水平传输电极和H-H传输电极由同一多晶硅层32的各个部分形成，所以不存在厚的层间绝缘膜并且适用于低电压驱动。
此外，在相关技术的具有三层的多层多晶硅电极结构中，例如，因为必须采用MONOS(金属氧化氮氧化硅)结构以使每个传输级的栅极绝缘膜的厚度保持不变，所以栅极结构复杂。
相比之下，在本实施例的固体摄像器件1中，因为可以在同一多晶硅层32中形成垂直传输电极9(10)、第一水平传输电极11～第四水平传输电极14和H-H传输电极18，所以可以利用单个栅极绝缘膜27来形成本实施例的固体摄像器件1。
另外，对于相关技术的具有三层的多层多晶硅电极结构，例如，为了使每个传输级的栅极绝缘膜的厚度保持不变，很有必要使用通过使多晶硅氧化来形成层间绝缘膜的方法。这样的方法必然导致由于多晶硅电极的氧化而引起的多晶硅电极变窄。从减小像素尺寸的角度考虑，不期望出现由于多晶硅电极的氧化而引起的多晶硅电极变窄。特别地，为了避免光刻精度的降低，不期望出现由第一多晶硅层形成的多晶硅电极的变窄。
相比之下，在本实施例的固体摄像器件的制造方法中，由于在单个多晶硅层32中形成了垂直传输电极10(9)、第一水平传输电极11～第四水平传输电极14和H-H传输电极18，所以可以使在这些电极上产生的氧化基本上为零。因而，本实施例的固体摄像器件1的结构和该固体摄像器件1的制造方法适合于器件的进一步小型化。
另外，在相关技术的具有三层的多层多晶硅电极结构中，例如，水平传输电极互相重叠地形成，因而在水平传输电极之间产生寄生电容。此外，因为水平传输电极和H-H传输电极也互相重叠地形成，所以在水平传输电极与H-H传输电极之间也产生寄生电容。
相比之下，在本实施例的固体摄像器件1中，由于第一水平传输电极11～第四水平传输电极14和H-H传输电极18全部都是间隔开地形成在同一多晶硅层中，所以这些电极彼此不相互重叠。因此，能够降低第一水平传输电极11～第四水平传输电极14与H-H传输电极18之间的寄生电容，并且能够提高第一水平传输寄存器6a和第二水平传输寄存器6b的操作驱动性能。
此外，在本实施例的固体摄像器件1中，将第一分流线15a和第二分流线15b布置成使得它们不位于第一水平传输电极11～第四水平传输电极14中的被施加了不同相位的传输驱动脉冲的那些水平传输电极的上方。这种布置能够降低施加了不同相位的传输驱动脉冲的水平传输电极之间的耦合电容，因此能够以较低的能耗实现驱动。
尽管以第一水平传输寄存器和第二水平传输寄存器的两相驱动作为示例说明了本实施例的固体摄像器件，但也可以三相或四相地驱动这些寄存器。另外，尽管以包括两个水平传输寄存器即第一水平传输寄存器和第二水平传输寄存器作为示例说明了本实施例的固体摄像器件，但也可以使用三个以上的水平传输寄存器。然而，通过与本实施例一样采用第一水平传输寄存器和第二水平传输寄存器的两相驱动，能够防止固体摄像器件在输入到各寄存器中的传输驱动脉冲、电极布线、沟道区域等方面变得复杂，并且这样的固体摄像器件相对易于控制。因此，从使固体摄像器件的结构更简单和更加易于控制的观点考虑，更期望采用第一水平传输寄存器和第二水平传输寄存器的两相驱动。
本实施例可以应用于行间传输(interline，IT)型、帧间传输(frametransfer，FT)型和帧行间传输(frame interline transfer，FIT)型的CCD固体摄像器件。
电子装置
作为本发明的又一个实施例，以下说明将上述实施例的固体摄像器件应用于电子装置的情况。在以下说明中，本实施例的固体摄像器件1例如应用于照相机。
图7以部件简化布局的形式示出了本发明又一个实施例的照相机(电子装置)。该又一实施例的照相机例如是能够拍摄静态图像和/或动态图像的摄像机。
本实施例的照相机包括固体摄像器件1、光学系统210、快门装置211、驱动电路212和信号处理电路213。
光学系统210将来自物体的图像光(入射光)聚集在固体摄像器件1的摄像区域表面上。因而，在一定的期间内将信号电荷累积在固体摄像器件1中。
快门装置211控制光照射到固体摄像器件1上的期间以及光被遮住的期间。
驱动电路212提供用于控制固体摄像器件1中的传输操作和快门装置211的快门操作的驱动信号。根据从驱动电路212提供的驱动信号(时序信号)进行固体摄像器件1中的信号传输。信号处理电路213执行各种类型的信号处理。经过信号处理的视频信号被存储在诸如存储器等存储介质中或者被输出到监视器。
由于在固体摄像器件1中以较小的厚度形成了电极之间的层间绝缘膜，所以可以将本发明又一实施例的电子装置构造为以低能耗驱动的电子装置。
本领域技术人员应当理解，在随附的权利要求或其等同物的范围内，可根据设计需要和其它因素进行各种修改、组合、次组合和改变。

Claims (15)

1.一种固体摄像器件，其包括：
像素部，所述像素部包括多个光接收传感器；
多个垂直传输寄存器，所述多个垂直传输寄存器被形成为在水平方向上间隔开，并且包括垂直传输沟道区域和形成于所述垂直传输沟道区域上方的垂直传输电极，各个所述垂直传输沟道区域形成于水平相邻的两个所述光接收传感器之间；
多个水平传输寄存器，所述多个水平传输寄存器被形成为在垂直方向上间隔开，各个所述水平传输寄存器包括水平传输沟道区域和多个水平传输电极，所述多个水平传输电极在水平方向上并排地形成于所述水平传输沟道区域上方并且与所述垂直传输电极形成于同一层中，所述水平传输电极被布置成使得不同相位的传输驱动脉冲被施加到水平相邻的两个所述水平传输电极上；以及
水平至水平传输部，所述水平至水平传输部形成于相邻的两个所述水平传输寄存器之间，并且包括水平至水平传输沟道区域和水平至水平传输电极，所述水平至水平传输沟道区域将位于被施加了不同相位的传输驱动脉冲的所述水平传输电极下方的所述水平传输沟道区域的各个部分互连，所述水平至水平传输电极形成于所述水平至水平传输沟道区域上方且与所述垂直传输电极和所述水平传输电极形成于同一层中。
2.如权利要求1所述的固体摄像器件，所述固体摄像器件还包括多个分流线，所述多个分流线将相邻的两个所述水平传输寄存器之间的被提供有相同相位的传输驱动脉冲的所述水平传输电极互连。
3.一种固体摄像器件，其包括：
像素部，所述像素部包括多个光接收传感器；
多个垂直传输寄存器，所述多个垂直传输寄存器被形成为在水平方向上间隔开，并且包括垂直传输沟道区域和形成于所述垂直传输沟道区域上方的垂直传输电极，各个所述垂直传输沟道区域形成于水平相邻的两个所述光接收传感器之间；
第一水平传输寄存器，所述第一水平传输寄存器包括第一水平传输沟道区域并且包括第一水平传输电极和第二水平传输电极，所述第一水平传输电极和所述第二水平传输电极在水平方向上交替形成于所述第一水平传输沟道区域上方并且被提供有不同相位的传输驱动脉冲；
第二水平传输寄存器，所述第二水平传输寄存器包括第二水平传输沟道区域并且包括第三水平传输电极和第四水平传输电极，所述第三水平传输电极和所述第四水平传输电极在水平方向上交替形成于所述第二水平传输沟道区域上方，所述第三水平传输电极和所述第四水平传输电极与所述第一水平传输电极和所述第二水平传输电极形成于同一层中，并且所述第三水平传输电极和所述第四水平传输电极被提供有不同相位的传输驱动脉冲；以及
水平至水平传输部，所述水平至水平传输部形成于所述第一水平传输寄存器与所述第二水平传输寄存器之间，并且包括水平至水平传输沟道区域和水平至水平传输电极，所述水平至水平传输沟道区域将位于所述第二水平传输电极下方的所述第一水平传输沟道区域的部分与位于所述第四水平传输电极下方的所述第二水平传输沟道区域的部分互连，所述第四水平传输电极被提供有与施加到所述第二水平传输电极的传输驱动脉冲不同的传输驱动脉冲，所述水平至水平传输电极形成于所述水平至水平传输沟道区域上方且与所述第一水平传输电极～所述第四水平传输电极形成于同一层中。
4.如权利要求3所述的固体摄像器件，所述固体摄像器件还包括：
第一分流线，所述第一分流线与所述第一水平传输电极和所述第四水平传输电极相连，并且将相同相位的传输驱动脉冲施加到所述第一水平传输电极和所述第四水平传输电极上；以及
第二分流线，所述第二分流线与所述第一分流线形成于同一层中，与所述第二水平传输电极和所述第三水平传输电极相连，并且将相同相位的传输驱动脉冲施加到所述第二水平传输电极和所述第三水平传输电极。
5.如权利要求4所述的固体摄像器件，其中，所述垂直传输电极、所述第一水平传输电极～所述第四水平传输电极和所述水平至水平传输电极由第一多晶硅层形成，并且所述第一分流线和所述第二分流线由第二多晶硅层形成。
6.如权利要求5所述的固体摄像器件，其中，所述第一水平传输电极和所述第二水平传输电极被布置成在垂直方向上分别与所述第四水平传输电极和所述第三水平传输电极相邻，并且所述水平至水平传输电极倾斜地形成于位于所述第二水平传输电极下方的所述第一水平传输沟道区域的部分与位于所述第四水平传输电极下方的所述第二水平传输沟道区域的部分之间，所述第四水平传输电极与所述第二水平传输电极在倾斜方向上相邻。
7.如权利要求6所述的固体摄像器件，其中，所述第一分流线和所述第二分流线各自被布置为不在所述第一水平传输电极～所述第四水平传输电极中的被提供有不同传输驱动脉冲的那些水平传输电极上延伸。
8.如权利要求7所述的固体摄像器件，其中，各个所述第一水平传输沟道区域和所述第二水平传输沟道区域包括传输区域和存储区域，所述传输区域和所述存储区域在信号电荷的传输方向上并排地形成。
9.如权利要求8所述的固体摄像器件，其中，所述第一水平传输电极～所述第四水平传输电极各自与一组所述传输区域和所述存储区域一一对应地形成。
10.如权利要求9所述的固体摄像器件，其中，所述水平至水平传输沟道区域包括传输区域和存储区域，所述传输区域和所述存储区域在传输方向上并排地形成。
11.一种固体摄像器件的制造方法，该方法包括以下步骤：
在基板中形成多个垂直传输沟道区域，所述垂直传输沟道区域在水平方向上彼此相邻且间隔开；
在所述基板中形成多个水平传输沟道区域，所述水平传输沟道区域在垂直方向上彼此相邻且间隔开；
在相邻的两个所述水平传输沟道区域之间形成水平至水平传输沟道区域；
在所述基板上形成第一电极材料层；
图形化所述第一电极材料层，从而在所述垂直传输沟道区域上方形成垂直传输电极，在各个所述水平传输沟道区域上方形成在水平方向上并排排列的多个水平传输电极，并且在所述水平至水平传输沟道区域上方形成水平至水平传输电极；
在所述垂直传输沟道区域、所述多个水平传输电极和所述水平至水平传输电极上形成第二电极材料层；以及
图形化所述第二电极材料层，从而形成多个分流线，所述多个分流线各自将形成于相邻的两个所述水平传输沟道区域上方的所述多个水平传输电极中的被提供有相同相位的传输驱动脉冲的那些水平传输电极互连。
12.一种固体摄像器件的制造方法，该方法包括以下步骤：
在基板中形成垂直传输沟道区域、第一水平传输沟道区域、第二水平传输沟道区域和水平至水平传输沟道区域；
在所述基板上形成第一电极材料层；以及
图形化所述第一电极材料层，从而在所述垂直传输沟道区域上方形成垂直传输电极，在所述第一水平传输沟道区域上方形成在水平方向上交替排列的第一水平传输电极和第二水平传输电极，在所述第二水平传输沟道区域上方形成在水平方向上交替排列的第三水平传输电极和第四水平传输电极，并且在所述水平至水平传输沟道区域上方形成水平至水平传输电极。
13.如权利要求12所述的固体摄像器件的制造方法，该方法还包括以下步骤：
在绝缘膜上形成第二电极材料层；以及
图形化所述第二电极材料层，从而形成将所述第一水平传输电极和所述第三水平传输电极互连的第一分流线以及将所述第二水平传输电极和所述第四水平传输电极互连的第二分流线。
14.如权利要求13所述的固体摄像器件的制造方法，其中，所述第一分流线和所述第二分流线被提供有不同相位的传输驱动脉冲。
15.一种电子装置，其包括光学透镜、固体摄像器件和被配置为处理所述固体摄像器件的输出信号的信号处理电路，所述固体摄像器件包括：
像素部，所述像素部包括多个光接收传感器，
多个垂直传输寄存器，所述多个垂直传输寄存器被形成为在水平方向上间隔开，并且包括垂直传输沟道区域和形成于所述垂直传输沟道区域上方的垂直传输电极，各个所述垂直传输沟道区域形成于水平相邻的两个所述光接收传感器之间，
多个水平传输寄存器，所述多个水平传输寄存器被形成为在垂直方向上间隔开，各个所述水平传输寄存器包括水平传输沟道区域和多个水平传输电极，所述多个水平传输电极在水平方向上并排地形成于所述水平传输沟道区域上方并且与所述垂直传输电极形成于同一层中，
水平至水平传输部，所述水平至水平传输部形成于相邻的两个所述水平传输寄存器之间，并且包括水平至水平传输沟道区域和水平至水平传输电极，所述水平至水平传输沟道区域将位于被施加了不同相位的传输驱动脉冲的所述水平传输电极下方的所述水平传输沟道区域的各个部分互连，所述水平至水平传输电极形成于所述水平至水平传输沟道区域上方且与所述垂直传输电极和所述水平传输电极形成于同一层中，以及
多个分流线，所述多个分流线将相邻的两个所述水平传输寄存器之间的被提供有相同相位的传输驱动脉冲的所述水平传输电极互连。
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