JP2715922B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JP2715922B2 JP2715922B2 JP6176387A JP17638794A JP2715922B2 JP 2715922 B2 JP2715922 B2 JP 2715922B2 JP 6176387 A JP6176387 A JP 6176387A JP 17638794 A JP17638794 A JP 17638794A JP 2715922 B2 JP2715922 B2 JP 2715922B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特に水平ＣＣＤレジスタの転送電極に駆動パルスを伝達
するためのバスラインの構成に関する。
特に水平ＣＣＤレジスタの転送電極に駆動パルスを伝達
するためのバスラインの構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の固体撮像装置における水
平ＣＣＤレジスタの構成を示す平面図である。この種の
水平ＣＣＤレジスタを有する固体撮像装置として、例え
ば国際固体回路会議（ＩＳＳＣＣ）のダイジェスト・オ
ブ・テクニカル・ペーパーズ（Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔ
ｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ）誌、１９９２年、第
１７２頁−第１７３頁に記載されたものがある。
平ＣＣＤレジスタの構成を示す平面図である。この種の
水平ＣＣＤレジスタを有する固体撮像装置として、例え
ば国際固体回路会議（ＩＳＳＣＣ）のダイジェスト・オ
ブ・テクニカル・ペーパーズ（Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔ
ｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ）誌、１９９２年、第
１７２頁−第１７３頁に記載されたものがある。
【０００３】これはフレーム・インタライン・トランス
ファ型固体撮像装置であるが、蓄積部の垂直ＣＣＤレジ
スタのチャネル１（例えばＰウェル表面部に形成された
Ｎ型拡散層）は、第１のポリシリコン膜で形成される垂
直−水平間転送ゲート電極２下部のチャネルを介して、
水平ＣＣＤレジスタの第１のチャネル３−１に接続され
ている。水平ＣＣＤレジスタの第１のチャネル３−１
は、第１のポリシリコン膜で形成される水平−水平間転
送ゲート電極４下部のチャネル（Ｎ型拡散層）を介し
て、水平ＣＣＤレジスタの第２のチャネル３−２に接続
されている。水平ＣＣＤレジスタの第２のチャネル３−
２は、第１のポリシリコン膜で形成されるスミア掃き出
しゲート電極５下部のチャネルを介してドレイン６に接
続されている。各垂直ＣＣＤレジスタのチャネル１の間
にはチャネルストップ７（Ｐ+ 型拡散層）が設けられて
おり、水平−水平間転送ゲート電極４下部の一部にはチ
ャネルを規定するチャネルストップ８（Ｐ+ 型拡散層）
が設けられている。水平転送電極は、第２のポリシリコ
ン膜で形成されるストレージ電極９（下部にはＮ型拡散
層がある。）と、第３のポリシリコン膜で形成されるバ
リア電極１０（下部には、ストレージ電極下部と同じＮ
型拡散層の表面部にＰ型不純物イオンをカウンタドープ
して形成されたＮ- 型バリア層がある。）からなる。な
お、第１のポリシリコン膜、第２のポリシリコン膜、第
３のポリシリコン膜の間には、それぞれ絶縁膜が形成さ
れている。各水平転送電極は、水平ＣＣＤレジスタの第
１のチャネル３−１および第２のチャネル３−２の上部
の領域にそれぞれゲート絶縁膜を介して独立に形成され
ている。各水平転送電極に水平駆動パルスを伝達するた
めに、第１バスライン１４−１、第２バスライン１４−
２、第３バスライン１４−３、および第４バスライン１
４−４が、水平転送電極の上部の領域に形成されてい
る。ここでは、水平駆動パルスが２相の場合について示
されており、第１バスライン１４−１と第３バスライン
１４−３は図３に示す第１の位相の水平駆動パルスφＨ
１を伝達し、また、第２バスライン１４−２と第４バス
ライン１４−４は第２の位相の水平駆動パルスφＨ２を
伝達する。なお、第１〜第４バスラインはいずれもアル
ミニウム膜で形成されており、各水平転送電極との間に
は層間絶縁膜が形成されている。各水平転送電極と第１
〜４バスラインは、図に示すような周期でコンタクトＣ
１およびコンタクトＣ２によりそれぞれ接続されてい
る。また１２はアルミニウム膜からなる蓄積部の遮光
膜、１３−１，１３−２，１３−３はいずれもタングス
テン膜からなり、それぞれ層間絶縁膜に設けられたコン
タクトＣ３を介して垂直−水平間転送ゲート電極２、水
平−水平間転送ゲート電極４、スミア掃き出しゲート電
極５に接続され、駆動パルスφＴＧ１，φＴＧ２，φＯ
ＦＧ（図示しない。オーバフローゲート・パルス。）を
伝達するバスラインである。なお、蓄積部の垂直ＣＣＤ
レジスタの最終段ゲート電極１１（第２または第３のポ
リシリコン膜からできている。）にも同様にタングステ
ン膜からなる図示しないバスラインが接続されてしかる
べき駆動パルスを伝達する。１３−４は、アルミニウム
膜からなり、層間絶縁膜に設けられたコンタクトＣ４を
介してドレイン６に接続され直流電圧ＶOFD を伝達する
バスラインである。タングステン膜は、第３のポリシリ
コン膜上に厚さ２００ｎｍ程度の図示しない層間絶縁膜
を介して被着され、アルミニウム膜はタングステン膜上
に厚さ３００ｎｍ程度の図示しない層間絶縁膜を介して
被着されている。垂直ＣＣＤレジスタの最終段ゲート電
極１１下の電荷（奇数列のチャネルにあるものをＱ１，
偶数列のチャネルにあるものをＱ２とする）は、水平ブ
ランキング期間内の図３に示すタイミングＴ１で水平レ
ジスタの第１のチャネル３−１（ストレージ電極下）に
転送され、タイミングＴ２でＱ２は水平−水平間転送ゲ
ート電極４下部に転送されタイミングＴ３でＱ２は水平
レジスタの第２のチャネル３−２（ストレージ電極下）
に転送される。
ファ型固体撮像装置であるが、蓄積部の垂直ＣＣＤレジ
スタのチャネル１（例えばＰウェル表面部に形成された
Ｎ型拡散層）は、第１のポリシリコン膜で形成される垂
直−水平間転送ゲート電極２下部のチャネルを介して、
水平ＣＣＤレジスタの第１のチャネル３−１に接続され
ている。水平ＣＣＤレジスタの第１のチャネル３−１
は、第１のポリシリコン膜で形成される水平−水平間転
送ゲート電極４下部のチャネル（Ｎ型拡散層）を介し
て、水平ＣＣＤレジスタの第２のチャネル３−２に接続
されている。水平ＣＣＤレジスタの第２のチャネル３−
２は、第１のポリシリコン膜で形成されるスミア掃き出
しゲート電極５下部のチャネルを介してドレイン６に接
続されている。各垂直ＣＣＤレジスタのチャネル１の間
にはチャネルストップ７（Ｐ+ 型拡散層）が設けられて
おり、水平−水平間転送ゲート電極４下部の一部にはチ
ャネルを規定するチャネルストップ８（Ｐ+ 型拡散層）
が設けられている。水平転送電極は、第２のポリシリコ
ン膜で形成されるストレージ電極９（下部にはＮ型拡散
層がある。）と、第３のポリシリコン膜で形成されるバ
リア電極１０（下部には、ストレージ電極下部と同じＮ
型拡散層の表面部にＰ型不純物イオンをカウンタドープ
して形成されたＮ- 型バリア層がある。）からなる。な
お、第１のポリシリコン膜、第２のポリシリコン膜、第
３のポリシリコン膜の間には、それぞれ絶縁膜が形成さ
れている。各水平転送電極は、水平ＣＣＤレジスタの第
１のチャネル３−１および第２のチャネル３−２の上部
の領域にそれぞれゲート絶縁膜を介して独立に形成され
ている。各水平転送電極に水平駆動パルスを伝達するた
めに、第１バスライン１４−１、第２バスライン１４−
２、第３バスライン１４−３、および第４バスライン１
４−４が、水平転送電極の上部の領域に形成されてい
る。ここでは、水平駆動パルスが２相の場合について示
されており、第１バスライン１４−１と第３バスライン
１４−３は図３に示す第１の位相の水平駆動パルスφＨ
１を伝達し、また、第２バスライン１４−２と第４バス
ライン１４−４は第２の位相の水平駆動パルスφＨ２を
伝達する。なお、第１〜第４バスラインはいずれもアル
ミニウム膜で形成されており、各水平転送電極との間に
は層間絶縁膜が形成されている。各水平転送電極と第１
〜４バスラインは、図に示すような周期でコンタクトＣ
１およびコンタクトＣ２によりそれぞれ接続されてい
る。また１２はアルミニウム膜からなる蓄積部の遮光
膜、１３−１，１３−２，１３−３はいずれもタングス
テン膜からなり、それぞれ層間絶縁膜に設けられたコン
タクトＣ３を介して垂直−水平間転送ゲート電極２、水
平−水平間転送ゲート電極４、スミア掃き出しゲート電
極５に接続され、駆動パルスφＴＧ１，φＴＧ２，φＯ
ＦＧ（図示しない。オーバフローゲート・パルス。）を
伝達するバスラインである。なお、蓄積部の垂直ＣＣＤ
レジスタの最終段ゲート電極１１（第２または第３のポ
リシリコン膜からできている。）にも同様にタングステ
ン膜からなる図示しないバスラインが接続されてしかる
べき駆動パルスを伝達する。１３−４は、アルミニウム
膜からなり、層間絶縁膜に設けられたコンタクトＣ４を
介してドレイン６に接続され直流電圧ＶOFD を伝達する
バスラインである。タングステン膜は、第３のポリシリ
コン膜上に厚さ２００ｎｍ程度の図示しない層間絶縁膜
を介して被着され、アルミニウム膜はタングステン膜上
に厚さ３００ｎｍ程度の図示しない層間絶縁膜を介して
被着されている。垂直ＣＣＤレジスタの最終段ゲート電
極１１下の電荷（奇数列のチャネルにあるものをＱ１，
偶数列のチャネルにあるものをＱ２とする）は、水平ブ
ランキング期間内の図３に示すタイミングＴ１で水平レ
ジスタの第１のチャネル３−１（ストレージ電極下）に
転送され、タイミングＴ２でＱ２は水平−水平間転送ゲ
ート電極４下部に転送されタイミングＴ３でＱ２は水平
レジスタの第２のチャネル３−２（ストレージ電極下）
に転送される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
の固体撮像装置においては、各水平転送電極に水平駆動
パルスを伝達するためのバスラインは、水平レジスタの
各チャネルの上部の領域にそれぞれ水平駆動パルスの位
相数と同一の本数形成されているため、１本当たりの配
線幅が制限され、バスラインの抵抗による水平駆動パル
スのなまりのため、電荷の水平転送の高速化もしくは水
平駆動回路の低消費電力化に限界があるという問題点が
ある。なお、前述の従来例では、撮像部の遮光膜はタン
グステン膜で形成されているが、固体撮像装置の種類に
よっては、撮像部の遮光膜と水平駆動パルスを伝達する
ためのバスラインとをアルミニウム膜で形成することも
あるが、そのような場合アルミニウム膜を厚くして配線
抵抗を下げようとすると、撮像部の垂直ＣＣＤレジスタ
のゲート電極側面における遮光膜のカバレッジが悪化
し、スミアと呼ばれる偽信号が増加するという問題点も
ある。
の固体撮像装置においては、各水平転送電極に水平駆動
パルスを伝達するためのバスラインは、水平レジスタの
各チャネルの上部の領域にそれぞれ水平駆動パルスの位
相数と同一の本数形成されているため、１本当たりの配
線幅が制限され、バスラインの抵抗による水平駆動パル
スのなまりのため、電荷の水平転送の高速化もしくは水
平駆動回路の低消費電力化に限界があるという問題点が
ある。なお、前述の従来例では、撮像部の遮光膜はタン
グステン膜で形成されているが、固体撮像装置の種類に
よっては、撮像部の遮光膜と水平駆動パルスを伝達する
ためのバスラインとをアルミニウム膜で形成することも
あるが、そのような場合アルミニウム膜を厚くして配線
抵抗を下げようとすると、撮像部の垂直ＣＣＤレジスタ
のゲート電極側面における遮光膜のカバレッジが悪化
し、スミアと呼ばれる偽信号が増加するという問題点も
ある。
【０００５】本発明の目的は複数チャネル構成の水平シ
フトレジスタへのバスラインの配線幅の制限を緩和し、
水平転送の一層の高速化もしくは水平駆動回路の一層の
低消費電力化が可能な固体撮像装置を提供することにあ
る。
フトレジスタへのバスラインの配線幅の制限を緩和し、
水平転送の一層の高速化もしくは水平駆動回路の一層の
低消費電力化が可能な固体撮像装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、複数のチャネルと、前記各チャネルとそれぞれ交差
する複数の水平転送電極からなる複数の組と、前記各チ
ャネル上をこれと平行に走行して設けられ前記各チャネ
ル上の前記水平転送電極の組に互いに位相の異なる多相
駆動パルスをそれぞれ供給する複数のバスラインとを有
する水平ＣＣＤレジスタを備え、前記バスラインのうち
少なくとも１本が隣接する２つの前記チャネル間に跨っ
て設けられているというものである。
は、複数のチャネルと、前記各チャネルとそれぞれ交差
する複数の水平転送電極からなる複数の組と、前記各チ
ャネル上をこれと平行に走行して設けられ前記各チャネ
ル上の前記水平転送電極の組に互いに位相の異なる多相
駆動パルスをそれぞれ供給する複数のバスラインとを有
する水平ＣＣＤレジスタを備え、前記バスラインのうち
少なくとも１本が隣接する２つの前記チャネル間に跨っ
て設けられているというものである。
【０００７】この場合、隣接する２つのチャネル間に跨
って設けられるバスラインの配線幅を単一のチャネル上
を走行するバスラインの配線幅の少なくとも２倍にして
各バスラインのＲＣ時定数が同一になるよう設計する。
って設けられるバスラインの配線幅を単一のチャネル上
を走行するバスラインの配線幅の少なくとも２倍にして
各バスラインのＲＣ時定数が同一になるよう設計する。
【０００８】
【作用】水平レジスタの隣接するチャネル間に跨ってバ
スラインを設けるので各チャネル上に限定してバスライ
ンを配置する従来例に比べるとバスラインの配線幅を大
きくできバスラインの寄生抵抗を小さくできる。
スラインを設けるので各チャネル上に限定してバスライ
ンを配置する従来例に比べるとバスラインの配線幅を大
きくできバスラインの寄生抵抗を小さくできる。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は、本発明の一実施例の固体撮像装
置における水平ＣＣＤレジスタの構成を示す平面図であ
る。
して説明する。図１は、本発明の一実施例の固体撮像装
置における水平ＣＣＤレジスタの構成を示す平面図であ
る。
【００１０】垂直ＣＣＤレジスタのチャネル１（例えば
Ｐウェル表面部に形成されたＮ型拡散層）は、第１のポ
リシリコン膜で形成される垂直−水平間転送ゲート電極
２下部のチャネルを介して、水平ＣＣＤレジスタの第１
のチャネル３−１に接続されている。水平ＣＣＤレジス
タの第１のチャネル３−１は、第１のポリシリコン膜で
形成される水平−水平間転送ゲート４下部のチャネル
（Ｎ型拡散層）を介して、水平ＣＣＤレジスタの第２の
チャネル３−２に接続されている。水平ＣＣＤレジスタ
の第２のチャネル３−２は、第１のポリシリコン膜で形
成されるスミア掃除き出しゲート電極５下部のチャネル
を介してドレイン６に接続されている。各垂直ＣＣＤレ
ジスタのチャネル１の間にはチャネルストップ７（Ｐ+
型拡散層）が設けられており、水平−水平間転送ゲート
電極４下部の一部にはチャネルを規定するチャネルスト
ップ８（Ｐ+ 型拡散層）が設けられている。水平転送電
極は、第２のポリシリコン膜で形成されるストレージ電
極９（下部にはＮ型拡散層がある。）と、第３のポリシ
リコン膜で形成されるバリア電極１０（下部には、スト
レージ電極下部と同じＮ型拡散層の表面部にＰ型不純物
イオンをカウンタドープして形成されたＮ- 型バリア層
がある。）からなる。なお、第１のポリシリコン膜、第
２のポリシリコン膜、第３のポリシリコン膜の間には、
それぞれ絶縁膜が形成されている。各水平転送電極は、
水平ＣＣＤレジスタの第１のチャネル３−１および第２
のチャネル３−２領域の上部それぞれ独立に形成されて
いる。各水平転送電極に水平駆動パルスを伝達するため
に、第１バスライン１５−１および第２バスライン１５
−２が水平転送電極の上部の領域に形成されており、ま
た、第３バスライン１５−３が水平−水平間転送ゲート
電極４および水平転送電極の上部の領域に形成されてい
る。ここでは、水平駆動パルスが２相の場合について示
されており、第１バスライン１５−１と第２バスライン
１５−２は第１の位相の図３に示す水平駆動パルスφＨ
１を伝達する。第３バスライン１５−３は、第２の位相
の水平駆動パルスφＨ２を伝達する。第３バスライン１
５−３は、水平ＣＣＤレジスタの第１のチャネル３−１
および第２のチャネル３−２上の一部の水平転送電極に
対する共通のバスラインとして機能する。なお、第１〜
３バスラインはアルミニウム膜で形成されており、各水
平転送電極との間には絶縁膜が形成されている。各水平
転送電極と第１〜３バスラインは、図に示すような周期
でコンタクトＣ１およびコンタクトＣ２によりそれぞれ
接続されている。
Ｐウェル表面部に形成されたＮ型拡散層）は、第１のポ
リシリコン膜で形成される垂直−水平間転送ゲート電極
２下部のチャネルを介して、水平ＣＣＤレジスタの第１
のチャネル３−１に接続されている。水平ＣＣＤレジス
タの第１のチャネル３−１は、第１のポリシリコン膜で
形成される水平−水平間転送ゲート４下部のチャネル
（Ｎ型拡散層）を介して、水平ＣＣＤレジスタの第２の
チャネル３−２に接続されている。水平ＣＣＤレジスタ
の第２のチャネル３−２は、第１のポリシリコン膜で形
成されるスミア掃除き出しゲート電極５下部のチャネル
を介してドレイン６に接続されている。各垂直ＣＣＤレ
ジスタのチャネル１の間にはチャネルストップ７（Ｐ+
型拡散層）が設けられており、水平−水平間転送ゲート
電極４下部の一部にはチャネルを規定するチャネルスト
ップ８（Ｐ+ 型拡散層）が設けられている。水平転送電
極は、第２のポリシリコン膜で形成されるストレージ電
極９（下部にはＮ型拡散層がある。）と、第３のポリシ
リコン膜で形成されるバリア電極１０（下部には、スト
レージ電極下部と同じＮ型拡散層の表面部にＰ型不純物
イオンをカウンタドープして形成されたＮ- 型バリア層
がある。）からなる。なお、第１のポリシリコン膜、第
２のポリシリコン膜、第３のポリシリコン膜の間には、
それぞれ絶縁膜が形成されている。各水平転送電極は、
水平ＣＣＤレジスタの第１のチャネル３−１および第２
のチャネル３−２領域の上部それぞれ独立に形成されて
いる。各水平転送電極に水平駆動パルスを伝達するため
に、第１バスライン１５−１および第２バスライン１５
−２が水平転送電極の上部の領域に形成されており、ま
た、第３バスライン１５−３が水平−水平間転送ゲート
電極４および水平転送電極の上部の領域に形成されてい
る。ここでは、水平駆動パルスが２相の場合について示
されており、第１バスライン１５−１と第２バスライン
１５−２は第１の位相の図３に示す水平駆動パルスφＨ
１を伝達する。第３バスライン１５−３は、第２の位相
の水平駆動パルスφＨ２を伝達する。第３バスライン１
５−３は、水平ＣＣＤレジスタの第１のチャネル３−１
および第２のチャネル３−２上の一部の水平転送電極に
対する共通のバスラインとして機能する。なお、第１〜
３バスラインはアルミニウム膜で形成されており、各水
平転送電極との間には絶縁膜が形成されている。各水平
転送電極と第１〜３バスラインは、図に示すような周期
でコンタクトＣ１およびコンタクトＣ２によりそれぞれ
接続されている。
【００１１】本実施例は、図２に示す従来例において、
第３バスライン１４−３と第４バスライン１４−４の位
置を入れ替え、第２バスライン１４−２と第４バスライ
ン１４−４とを同一配線にして第２の位相の水平駆動パ
ルスφＨ２を伝達するようにしたものである。
第３バスライン１４−３と第４バスライン１４−４の位
置を入れ替え、第２バスライン１４−２と第４バスライ
ン１４−４とを同一配線にして第２の位相の水平駆動パ
ルスφＨ２を伝達するようにしたものである。
【００１２】本構成から明らかなように、水平レジスタ
のバスラインの本数が従来例よりも１本少ないので、配
線間の間隙の数が１つ減少し、かつ、水平−水平間転送
ゲート電極上部の領域も有効に利用できる。そのため、
バスライン１本当たりの配線幅を従来よりも広く形成す
ることができるので配線抵抗が低減される。第１バスラ
イン１５−１，第２バスライン１５−２の寄生容量は、
それぞれこれらに接続される水平転送電極の数により決
定されるので、それぞれ従来例の第１バスライン１４−
１，第３バスライン１４−３と同じである。第３バスラ
イン１５−３には２倍の数の水平転送電極が接続されて
いること、バスライン１３−２が下部にあることから、
寄生容量は２倍以上、例えば２．５倍になる。従って、
第３バスライン１５−３の配線幅を第１バスライン１５
−１，第２バスライン１５−２の配線幅の２．５倍に決
定すれば、第１〜第３バスラインのＲＣ時定数を同じに
することができる。こうして、水平レジスタのバスライ
ンのＲＣ時定数を従来例より小さくでき、電荷の水平転
送の高速化もしくは水平駆動回路の低消費電力化（波形
になまりがあると同じ速さで転送するためには電源電圧
を高くしなければならない。消費電力はＣＶ2 ｆで定ま
る。Ｃはバスラインの寄生容量、Ｖおよびｆはそれぞれ
駆動パルスのピーク電圧および周波数である。）が可能
となる。
のバスラインの本数が従来例よりも１本少ないので、配
線間の間隙の数が１つ減少し、かつ、水平−水平間転送
ゲート電極上部の領域も有効に利用できる。そのため、
バスライン１本当たりの配線幅を従来よりも広く形成す
ることができるので配線抵抗が低減される。第１バスラ
イン１５−１，第２バスライン１５−２の寄生容量は、
それぞれこれらに接続される水平転送電極の数により決
定されるので、それぞれ従来例の第１バスライン１４−
１，第３バスライン１４−３と同じである。第３バスラ
イン１５−３には２倍の数の水平転送電極が接続されて
いること、バスライン１３−２が下部にあることから、
寄生容量は２倍以上、例えば２．５倍になる。従って、
第３バスライン１５−３の配線幅を第１バスライン１５
−１，第２バスライン１５−２の配線幅の２．５倍に決
定すれば、第１〜第３バスラインのＲＣ時定数を同じに
することができる。こうして、水平レジスタのバスライ
ンのＲＣ時定数を従来例より小さくでき、電荷の水平転
送の高速化もしくは水平駆動回路の低消費電力化（波形
になまりがあると同じ速さで転送するためには電源電圧
を高くしなければならない。消費電力はＣＶ2 ｆで定ま
る。Ｃはバスラインの寄生容量、Ｖおよびｆはそれぞれ
駆動パルスのピーク電圧および周波数である。）が可能
となる。
【００１３】また、水平レジスタの上側に位置する蓄積
部や撮像部の遮光膜をアルミニウム膜で形成するとき
は、前述したようにスミアを抑制するため厚さに制限を
うけるので、高速化が難しいが、本発明によれば水平レ
ジスタのバスラインの配線幅を広くできるのでこの難点
は緩和される。
部や撮像部の遮光膜をアルミニウム膜で形成するとき
は、前述したようにスミアを抑制するため厚さに制限を
うけるので、高速化が難しいが、本発明によれば水平レ
ジスタのバスラインの配線幅を広くできるのでこの難点
は緩和される。
【００１４】ここでは２チャネル構成の水平レジスタに
ついて説明したが、３チャネル構成や４チャネル構成の
場合でも本発明を適用することにより同様の効果が得ら
れることは言うまでもない。また、フレーム・インタラ
イン・トランスファ型固体撮像装置について説明した
が、インタライン・トランスファ型固体撮像装置にも本
発明を適用し得る。さらに、１次元固体撮像装置におい
ても、奇数番目のフォトダイオードの信号電荷を転送す
るＣＣＤレジスタと、偶数番目のフォトダイオードの信
号電荷を転送するＣＣＤレジスタとが隣り合って形成さ
れている場合には、本発明を適用することにより同様の
効果が得られる。
ついて説明したが、３チャネル構成や４チャネル構成の
場合でも本発明を適用することにより同様の効果が得ら
れることは言うまでもない。また、フレーム・インタラ
イン・トランスファ型固体撮像装置について説明した
が、インタライン・トランスファ型固体撮像装置にも本
発明を適用し得る。さらに、１次元固体撮像装置におい
ても、奇数番目のフォトダイオードの信号電荷を転送す
るＣＣＤレジスタと、偶数番目のフォトダイオードの信
号電荷を転送するＣＣＤレジスタとが隣り合って形成さ
れている場合には、本発明を適用することにより同様の
効果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、隣接するチャネル間に跨って
１つのバスラインを設けることにより水平ＣＣＤレジス
タの各バスラインの幅をより広くできるので配線抵抗が
低減され、それにより転送パルスなまりが軽減されるた
め電荷の水平転送の高速化もしくは水平駆動回路の低消
費電力化が可能となる。
１つのバスラインを設けることにより水平ＣＣＤレジス
タの各バスラインの幅をより広くできるので配線抵抗が
低減され、それにより転送パルスなまりが軽減されるた
め電荷の水平転送の高速化もしくは水平駆動回路の低消
費電力化が可能となる。
【図１】本発明の一実施例の主要部を示す半導体チップ
の平面図である。
の平面図である。
【図２】従来例の一実施例の主要部を示す半導体チップ
の平面図である。
の平面図である。
【図３】２チャネル構成の水平ＣＣＤレジスタへの電荷
の振分けを説明するための信号波形図である。
の振分けを説明するための信号波形図である。
１ 垂直ＣＣＤレジスタのチャネル ２ 垂直−水平間転送ゲート電極 ３−１ 水平レジスタの第１のチャネル ３−２ 水平レジスタの第１のチャネル ４ 水平−水平間転送ゲート電極 ５ スミア掃き出しゲート電極 ６ ドレイン ７，８ チャネルストップ ９ ストレージ電極 １０ バリア電極 １１ 垂直ＣＣＤレジスタの最終段転送電極 １２ 遮光膜 １３−１ 垂直−水平間転送ゲート電極のバスライン １３−２ 水平−水平間転送ゲート電極のバスライン １３−３ スイア掃き出しゲート電極のバスライン １３−４ ドレインのバスライン １４−１ 従来例の第１のバスライン（φＨ１） １４−２ 従来例の第２のバスライン（φＨ２） １４−３ 従来例の第３のバスライン（φＨ１） １４−４ 従来例の第４のバスライン（φＨ２） １５−１ 一実施例の第１のバスライン（φＨ１） １５−２ 一実施例の第２のバスライン（φＨ１） １５−３ 一実施例の第３のバスライン（φＨ２） Ｃ１ コンタクト（アルミニウム膜−第２のポリシリ
コン膜間） Ｃ２ コンタクト（アルミニウム膜−第３のポリシリ
コン膜間） Ｃ３ コンタクト（タングステン膜−第１のポリシリ
コン膜間） Ｃ４ コンタクト（タングステン膜−ドレイン間）
コン膜間） Ｃ２ コンタクト（アルミニウム膜−第３のポリシリ
コン膜間） Ｃ３ コンタクト（タングステン膜−第１のポリシリ
コン膜間） Ｃ４ コンタクト（タングステン膜−ドレイン間）
Claims (3)
- 【請求項１】複数のチャネルと、前記各チャネルとそれ
ぞれ交差する複数の水平転送電極からなる複数の組と、
前記各チャネル上をこれと平行に走行して設けられ前記
各チャネル上の前記水平転送電極の組に互いに位相の異
なる多相駆動パルスをそれぞれ供給する複数のバスライ
ンとを有する水平ＣＣＤレジスタとを備え、前記バスラ
インのうち少なくとも１本が隣接する２つの前記チャネ
ル間に跨って設けられていることを特徴とする固体撮像
装置。 - 【請求項２】 隣接する２つのチャネル間に跨って設け
られるバスラインの配線幅を単一のチャネル上を走行す
るバスラインの配線幅の少なくとも２倍にして各バスラ
インのＲＣ時定数が同一に設計されている請求項１記載
の固体撮像装置。 - 【請求項３】 水平ＣＣＤレジスタが２チャネル構成で
あり、水平転送電極の組が２つのストレージ電極−バリ
ア電極対であり、２相駆動パルスで駆動される請求項１
または２記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176387A JP2715922B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176387A JP2715922B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846179A JPH0846179A (ja) | 1996-02-16 |
| JP2715922B2 true JP2715922B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=16012765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6176387A Expired - Lifetime JP2715922B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715922B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03174067A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-29 | Kao Corp | 高速用紡績油剤 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP6176387A patent/JP2715922B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0846179A (ja) | 1996-02-16 |
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