JPS63287056A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS63287056A JPS63287056A JP62121114A JP12111487A JPS63287056A JP S63287056 A JPS63287056 A JP S63287056A JP 62121114 A JP62121114 A JP 62121114A JP 12111487 A JP12111487 A JP 12111487A JP S63287056 A JPS63287056 A JP S63287056A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明はＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅｄ
ｃｌｅｖｌｃｅ電荷結合素子）１−有する固体撮像装置
に関する。
ｃｌｅｖｌｃｅ電荷結合素子）１−有する固体撮像装置
に関する。
（従来の技術）
固体撮＠装置の多画素化および高密度化は、撮潅題質の
向上、チップ縮少による低コスト化などのため、強く望
まれている。ＣＣＤ型固体撮鍬装置における多画素化お
よび高密度化に対してｆ：ｃ。
向上、チップ縮少による低コスト化などのため、強く望
まれている。ＣＣＤ型固体撮鍬装置における多画素化お
よび高密度化に対してｆ：ｃ。
多線読み出しＣＣＤレジスター構造が次の２点の理由
■続み出しレジスターの駆動周波数が低減できるため［
＃が与易になる。
＃が与易になる。
■読み出しレジスターのゲート電極ピッチが大きくなる
ため、パターンルールが緩和される。
ため、パターンルールが緩和される。
から、■効である。
しかしながら、多線ａみ出しレジスター構造を有するＣ
ＣＤ固本撮＠装置では、レジスター間の信号電荷転送不
良に起因する固定パターン雑音が発生しやすいという問
題がある。以下、これにっいて説明する。
ＣＤ固本撮＠装置では、レジスター間の信号電荷転送不
良に起因する固定パターン雑音が発生しやすいという問
題がある。以下、これにっいて説明する。
第５■は２線構造の水平読み出しＣＣＤレジ゛スターを
有する２次元のインターライン耘送型ＣＣＤ固体撮は装
置の構成図である。この装置では、多数の光電変換部Ｐ
と、複数本の垂直ＣＣＤレジスター１８と、２線構造水
平読み出しＣ，ＣＤレジスター１９と、２つの信号検出
部２３および２４が形成される。２線構造水平ＣＣＤレ
ジスター１９は第１水平〇ＣＤ２０と、第２水平〇ＣＤ
２１と。
有する２次元のインターライン耘送型ＣＣＤ固体撮は装
置の構成図である。この装置では、多数の光電変換部Ｐ
と、複数本の垂直ＣＣＤレジスター１８と、２線構造水
平読み出しＣ，ＣＤレジスター１９と、２つの信号検出
部２３および２４が形成される。２線構造水平ＣＣＤレ
ジスター１９は第１水平〇ＣＤ２０と、第２水平〇ＣＤ
２１と。
水平ＣＣＤＣＤ間転−ゲートからなる。
第６図は、従来例である２線構造水平ＣＣＤレジスター
の構造図である。奇数本目の垂直ＣＣＤチャネルｌ１−
１．１１−３・・・・・・で転送される信号電荷Ｑｌ
、Ｑｓ・・・はそれぞれ第１水平〇ＣＤ４に転送され、
偶数木目の垂直ＣＣＤ １１−２ ｅ １１−４・・・
・・・で転送される信号電荷Ｑ！−Ｑ４・・・・・・は
第１水平〇ＣＤ４から水平ＣＣＤ間転送ゲート７１１ｃ
進り第２水平ＣＣＤ５に転送される。その後、これら信
号電荷Ｑ＝−Ｑａ・・・・・・およびＱ！ ｔ Ｑ４
＊・・・はそ・ れぞれ第１水平ＣＣＤ４および＠２水
平ＣＣＤ５内を転送し、読み出される。
の構造図である。奇数本目の垂直ＣＣＤチャネルｌ１−
１．１１−３・・・・・・で転送される信号電荷Ｑｌ
、Ｑｓ・・・はそれぞれ第１水平〇ＣＤ４に転送され、
偶数木目の垂直ＣＣＤ １１−２ ｅ １１−４・・・
・・・で転送される信号電荷Ｑ！−Ｑ４・・・・・・は
第１水平〇ＣＤ４から水平ＣＣＤ間転送ゲート７１１ｃ
進り第２水平ＣＣＤ５に転送される。その後、これら信
号電荷Ｑ＝−Ｑａ・・・・・・およびＱ！ ｔ Ｑ４
＊・・・はそ・ れぞれ第１水平ＣＣＤ４および＠２水
平ＣＣＤ５内を転送し、読み出される。
しかし、従来の２線、溝遣水平ＣＣＤレジスターでは、
信号電荷Ｑ！ ＊ Ｑ４ ＊・・・が第１水平ＣＣＤ４
と第２水平〇ＣＤ５の間を転送する時に、転送不良が発
生しやすい。この転送不良の原因は、チャネル領域９−
１．９−２．・・・で、素子分雅領−２５−１−２５−
２＊２５−３・・・による狭チ４Ｐ床ル効果の影響が発
生するからである。
信号電荷Ｑ！ ＊ Ｑ４ ＊・・・が第１水平ＣＣＤ４
と第２水平〇ＣＤ５の間を転送する時に、転送不良が発
生しやすい。この転送不良の原因は、チャネル領域９−
１．９−２．・・・で、素子分雅領−２５−１−２５−
２＊２５−３・・・による狭チ４Ｐ床ル効果の影響が発
生するからである。
第７図は＠６図のｘ−ｘ’における断面構造図である。
Ｐ型シリコン基板１４上には、前記素子分離領域２５−
１．２５−２．２５−３１・・・に帽子 当するＰ、截不純物層２６−１．２６−２．２６−３．
・・・と、前記チャネル領域９−１．９−２゜・・・に
相当するｎ型不純物ｌ＋！１５−１ ＊ １５−２・・
・が形成される。Ｐ中型不純＊１１２６−１１２６−２
．２６−３・・・はシリコン基板１４の：４位に固定さ
れる。この固定された電位は、ｎＪｆｌｌ不純物＋１１
５−１＊１５−２ｔ・・・円のチャネル電位に影響を与
える。
１．２５−２．２５−３１・・・に帽子 当するＰ、截不純物層２６−１．２６−２．２６−３．
・・・と、前記チャネル領域９−１．９−２゜・・・に
相当するｎ型不純物ｌ＋！１５−１ ＊ １５−２・・
・が形成される。Ｐ中型不純＊１１２６−１１２６−２
．２６−３・・・はシリコン基板１４の：４位に固定さ
れる。この固定された電位は、ｎＪｆｌｌ不純物＋１１
５−１＊１５−２ｔ・・・円のチャネル電位に影響を与
える。
第８図は＄６図０Ｙ−Ｙ’断面での仮想的なチャネル電
位図である。前述した狭チャネル効果により、チャネル
電位の１くぼみ”２７が形成され。
位図である。前述した狭チャネル効果により、チャネル
電位の１くぼみ”２７が形成され。
そこに信号電荷Ｑ、０１部ｑｔが取り残される。
この場合、固定パターン雑音として、撮慮画面上に多数
の白黒対の垂直線が現われる。この固定パターン雑音は
１画質を著じるしく損なうものである。
の白黒対の垂直線が現われる。この固定パターン雑音は
１画質を著じるしく損なうものである。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明が解決しようとする問題点は、（従来の技術）の
項で述べた水ＸＦＣＣＤ間の転送不良に起因する固定パ
ターン雑音を除去することである。
項で述べた水ＸＦＣＣＤ間の転送不良に起因する固定パ
ターン雑音を除去することである。
（問題点を解決するための手段）
前記間問題点を解決するために、前述の素子分離領域に
は、チャネル領域に注入するＨ１導電性不純物とは反対
の第２導電性不純物を全く注入しないか、あるいは第１
導電性不純物と同じ導電性不純物をチャネル領域に注入
する場合よりも低い濃度で注入する。
は、チャネル領域に注入するＨ１導電性不純物とは反対
の第２導電性不純物を全く注入しないか、あるいは第１
導電性不純物と同じ導電性不純物をチャネル領域に注入
する場合よりも低い濃度で注入する。
（作用）
前述の手段により％素子分離領域による侠チャネル効果
の影響が緩和され、°水平ＣＣＤ間転送における信号電
荷の取り残し量が少なくできる。したがって、水平ＣＣ
ＤＣＤ間転良不良因する固定パターン雑音が低減し画質
が向上する。
の影響が緩和され、°水平ＣＣＤ間転送における信号電
荷の取り残し量が少なくできる。したがって、水平ＣＣ
ＤＣＤ間転良不良因する固定パターン雑音が低減し画質
が向上する。
（実施例）
第１図は本発明例の２線構造水平ＣＣＤレジスターの構
造図であり、従来例を示した第６因に対応する図である
。このレジスターはφＨ３とφＨ８のクロックパルスで
駆瞼される２相駆＠ＣＣＤである。谷水平を極は、第２
１！＃目多結晶シリコンで形成されるストレージ転送電
極（２）と第３１目多結晶シリコンで形成されるバリヤ
ー転送電極３０対からなふ、第１水平Ｃ０Ｄ４および第
２水平Ｃ０Ｄ５のチャネル領域６には、Ｎ型不純物（リ
ンまたはヒ素）が注入され、さらにバリヤー転送ゲート
下のチャネル領域には、Ｐ型不純物が追加注入される。
造図であり、従来例を示した第６因に対応する図である
。このレジスターはφＨ３とφＨ８のクロックパルスで
駆瞼される２相駆＠ＣＣＤである。谷水平を極は、第２
１！＃目多結晶シリコンで形成されるストレージ転送電
極（２）と第３１目多結晶シリコンで形成されるバリヤ
ー転送電極３０対からなふ、第１水平Ｃ０Ｄ４および第
２水平Ｃ０Ｄ５のチャネル領域６には、Ｎ型不純物（リ
ンまたはヒ素）が注入され、さらにバリヤー転送ゲート
下のチャネル領域には、Ｐ型不純物が追加注入される。
その結呆、ストレージ転送ゲート部のチャネルとバリヤ
ー転送ゲート部のチャネルとで、チャネル電位の段差が
形成され、２相駆勧が可能となる。
ー転送ゲート部のチャネルとで、チャネル電位の段差が
形成され、２相駆勧が可能となる。
また、＠１水千〇ＣＤ４と第２水平ＣＣＤ５の間には、
１ｌｒｆ１目多結晶シリコンで形成される水平開転送ゲ
ート電極７が形成される。水平開転送ゲート電極７下に
は素子分離能力８−１ｔ８−２＊８−３が形成される。
１ｌｒｆ１目多結晶シリコンで形成される水平開転送ゲ
ート電極７が形成される。水平開転送ゲート電極７下に
は素子分離能力８−１ｔ８−２＊８−３が形成される。
第２図は、８１図のｘ−ｘ’での断面構造図である。ボ
ロンが注入されたＰ型シリコン基板（ボロン濃度Ｉ Ｘ
ｉ Ｏ’ ｃｍ−”） １４に、チャネル領域９−１ｔ
’９−２に相当するリン（またはヒｇＡ）が注入された
ｎｆＪｌ不純物＠ １５−１ｔ１５−２（表面濃度Ｉ
Ｘ １０”ｃｉｎ鵞）および素子分離領域８−１．８−
２ｓ８−３に相当するリン（またはヒ素）が注入された
ｎ″″型不純物１−１６−１．１６−２１１６−３（表
面濃度３Ｘ１０”ＣＩＩＴ冨 〕が形成される。
ロンが注入されたＰ型シリコン基板（ボロン濃度Ｉ Ｘ
ｉ Ｏ’ ｃｍ−”） １４に、チャネル領域９−１ｔ
’９−２に相当するリン（またはヒｇＡ）が注入された
ｎｆＪｌ不純物＠ １５−１ｔ１５−２（表面濃度Ｉ
Ｘ １０”ｃｉｎ鵞）および素子分離領域８−１．８−
２ｓ８−３に相当するリン（またはヒ素）が注入された
ｎ″″型不純物１−１６−１．１６−２１１６−３（表
面濃度３Ｘ１０”ＣＩＩＴ冨 〕が形成される。
本活明は、このように素子分離領域８−１９８−２８８
−：ＩＰ認全不純物１ではなく、チャネル領域１５−１
．ｔ５−２よりも低濃度のＮ型不純物’ｖＢ ｌ ６−
１ ｓ １６−２ ＊ １６−３で形成することｔ特徴
とする。
−：ＩＰ認全不純物１ではなく、チャネル領域１５−１
．ｔ５−２よりも低濃度のＮ型不純物’ｖＢ ｌ ６−
１ ｓ １６−２ ＊ １６−３で形成することｔ特徴
とする。
第３図（ａ）は、垂［ＣＣＤから本発明の２線水平ＣＣ
Ｄレジスタ一部への信号電荷転送の様子を示した図であ
り、＠３図（ｂ）はその時各転送゛′峨極に印加される
クロックパルス波形図である。画直ＣＣＤ転送電甑１２
下に蓄積されていた信号電荷Ｑｔ ｅＱ＊ −Ｑｌ−Ｑ
４・・・・・・のうち、奇数本目の垂直ＣＣＤ１ｌ−１
１１１−３・・・にある信号電荷ＱｔｓＱｍ＋・・・は
１期間■において最終垂直ＣＣＤ転送電駕ｌ３下に転送
され、期間■および■の間そこにＳ墳された侵、期間■
で第１水平〇ＣＤ４へ伝送される。
Ｄレジスタ一部への信号電荷転送の様子を示した図であ
り、＠３図（ｂ）はその時各転送゛′峨極に印加される
クロックパルス波形図である。画直ＣＣＤ転送電甑１２
下に蓄積されていた信号電荷Ｑｔ ｅＱ＊ −Ｑｌ−Ｑ
４・・・・・・のうち、奇数本目の垂直ＣＣＤ１ｌ−１
１１１−３・・・にある信号電荷ＱｔｓＱｍ＋・・・は
１期間■において最終垂直ＣＣＤ転送電駕ｌ３下に転送
され、期間■および■の間そこにＳ墳された侵、期間■
で第１水平〇ＣＤ４へ伝送される。
一方、偶数木目の垂直ＣＣＤｌｌ−２１１１−４・・・
にある信号電荷Ｑ！−Ｑ４・・・は期間■で最終垂直Ｃ
ＣＤ転送電極１３下に、期間■で導ｌ水平ＣＣＤ４に１
期間■で水平間＆送ゲートｔ１７下に、そして期間■で
渠２水平ＣＣＤ５に転送される。信号電荷Ｑｘ−Ｑｓ・
・・忙信号電荷Ｑ＊−Ｑ＊・・・と同じく、期間■で第
１水平〇ＣＤ４に転送させない理由は。
にある信号電荷Ｑ！−Ｑ４・・・は期間■で最終垂直Ｃ
ＣＤ転送電極１３下に、期間■で導ｌ水平ＣＣＤ４に１
期間■で水平間＆送ゲートｔ１７下に、そして期間■で
渠２水平ＣＣＤ５に転送される。信号電荷Ｑｘ−Ｑｓ・
・・忙信号電荷Ｑ＊−Ｑ＊・・・と同じく、期間■で第
１水平〇ＣＤ４に転送させない理由は。
素子外ｌ１ＩＩｉ誠域８−１ｓ８−２ｔ８−３が低濃度
のＮ型不純物嗜１６−１ｔ１６−２１１６−３で形成さ
れて、素子分離能力が十分でないため、水平開転送ゲー
ト７がオン状態の時において、信号電荷Ｑｘ−Ｑｓ・・
・が＠２水平ＣＣＤ５へ転送してしまう恐れがあるから
である。このように１本箔明の２線水平ＣＣＤレジスタ
ー構造では％素子分＃ｌ領域８−１．８−２．８−３の
分離能力が従来構造のものより小さいため、第３図で示
したような転送が必讐になる場合があろう。
のＮ型不純物嗜１６−１ｔ１６−２１１６−３で形成さ
れて、素子分離能力が十分でないため、水平開転送ゲー
ト７がオン状態の時において、信号電荷Ｑｘ−Ｑｓ・・
・が＠２水平ＣＣＤ５へ転送してしまう恐れがあるから
である。このように１本箔明の２線水平ＣＣＤレジスタ
ー構造では％素子分＃ｌ領域８−１．８−２．８−３の
分離能力が従来構造のものより小さいため、第３図で示
したような転送が必讐になる場合があろう。
（発明の他の実施例）
ＪＸ ４図は沼明の他の実施例を示す図で、第２図に対
応する図である。図かられかるように、水平開転送ゲー
ト７０素子分燻幀域１７−１ｔ１７−２＠１７−３には
、前述の発明例とは異なり、低濃度のＮ型不純物ば形成
されていない。この場合でも、素子分礁頭峨七高濃度の
Ｐ諷不純物で形成する従来構造よりも、侠チャネル効果
の影響を低減でき、しにがって、水３ＰＣＣＤ間の信号
電荷転送不良に起因する固定パターｙａｉ金低減できる
。
応する図である。図かられかるように、水平開転送ゲー
ト７０素子分燻幀域１７−１ｔ１７−２＠１７−３には
、前述の発明例とは異なり、低濃度のＮ型不純物ば形成
されていない。この場合でも、素子分礁頭峨七高濃度の
Ｐ諷不純物で形成する従来構造よりも、侠チャネル効果
の影響を低減でき、しにがって、水３ＰＣＣＤ間の信号
電荷転送不良に起因する固定パターｙａｉ金低減できる
。
″また。この構造は前述の鎗明例よりも素子分離能力が
大きいという利点茫持つ。
大きいという利点茫持つ。
多線構造の水平ＣＣＤレジスターを有ｔ ルＣＣＤ型固
体撮嫁装置において、水平ＣＣＤ間の信号電荷＠送不良
に起因する固定パターン雑音の錯生が抑えられる。
体撮嫁装置において、水平ＣＣＤ間の信号電荷＠送不良
に起因する固定パターン雑音の錯生が抑えられる。
第１図は本発明例の２ ｍ＋１１ｉｌ＆水平ＣＣＤレジ
スターの構造図、第２図は、箒１図のｘ−ｘ’での断面
構造図、第３因は本発明の２線水子ＣＣＤレジスターに
おける信号電荷転送およびその転送時に各転送電匝に印
加されるクロックパルス波形を示す図、第４図は発明の
他の実施例？示す図、＠５図は２線構造水平ＣＣＤレジ
スターを持つ２次元ＣＣＤ固体撮Ｉ＃！装置の構成図、
第６図は従来例の２線構造水平ＣＣＤレジスターの碑造
図、第７図は嬉６図のｘ−ｘ’における断面構造図であ
る。 ｌ・・・水平転送電極、２・・・ストレージ転送電極。 ３・・・バリヤー転送電極、４・・・第１水５ＰＣＣＤ
、５・・・第、２水平ＣＣＤ、６・・・２線水平ＣＣＤ
のチャネル領域、７・・・水平開転送ゲー）’Ｊ、極、
８−１．８−２ ＊ ８ ”’−３・・・ｎ型不純物１
（ｌからなる素子分離領域、９−１ ＊９−２・・・水
平開転送ゲート部のチャネル領域％１０・・°・垂直Ｃ
ＣＤ部の素子分離領域。 １１．１１−１０１−２１１１−３．１１−４・・・暑
ｔｉｅ ＣＤ部のチャネル頭載、１２１１３・・・垂直
ＣＣＤ転送電極、１４・・・Ｐ型シリコン基板、 １５
−１ ＊ １５−２・・・ロ聾不純物１１ （チャネル
領域９−１ｔ９−２に相当）、１６−１ ｓ １６−２
＊１６−３・・・ｎ″″型不純物−（素子外ｍ領域８−
１＊８−２ ｔ ８−３に相当〕％ １７−１ ｓ １
７−２ ＊ １７−３・・・ロー型不純物−が形成され
ない素子分離領域、１８・・・垂直ＣＣＤレジスター、
１９・・・２線構造水平ＣＣＤレジスター、２０・・・
第１水平ＣＣＤ。 ２１・・・ｉ４２水平ＣＣＤ、２２・・・水平ＣＣＤ間
転送ゲー）、２３．２４・・・信号検出部、２５−１１
２５−２う２５−３・・・素子外１ｉｌＫ頭域（従来例
〕％２６−１１２６−２・・・Ｐ＋型不純物１１ｍ、２
７・・・チャネル′ＩｊＬ位の“くぼみ”、ｑ、・・・
残留信号電荷。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光速 第１図 ！４ 第２図 （ａ） （ｂ） 第８図 ｆ４ 第４図 第５図 第６図 第７図
スターの構造図、第２図は、箒１図のｘ−ｘ’での断面
構造図、第３因は本発明の２線水子ＣＣＤレジスターに
おける信号電荷転送およびその転送時に各転送電匝に印
加されるクロックパルス波形を示す図、第４図は発明の
他の実施例？示す図、＠５図は２線構造水平ＣＣＤレジ
スターを持つ２次元ＣＣＤ固体撮Ｉ＃！装置の構成図、
第６図は従来例の２線構造水平ＣＣＤレジスターの碑造
図、第７図は嬉６図のｘ−ｘ’における断面構造図であ
る。 ｌ・・・水平転送電極、２・・・ストレージ転送電極。 ３・・・バリヤー転送電極、４・・・第１水５ＰＣＣＤ
、５・・・第、２水平ＣＣＤ、６・・・２線水平ＣＣＤ
のチャネル領域、７・・・水平開転送ゲー）’Ｊ、極、
８−１．８−２ ＊ ８ ”’−３・・・ｎ型不純物１
（ｌからなる素子分離領域、９−１ ＊９−２・・・水
平開転送ゲート部のチャネル領域％１０・・°・垂直Ｃ
ＣＤ部の素子分離領域。 １１．１１−１０１−２１１１−３．１１−４・・・暑
ｔｉｅ ＣＤ部のチャネル頭載、１２１１３・・・垂直
ＣＣＤ転送電極、１４・・・Ｐ型シリコン基板、 １５
−１ ＊ １５−２・・・ロ聾不純物１１ （チャネル
領域９−１ｔ９−２に相当）、１６−１ ｓ １６−２
＊１６−３・・・ｎ″″型不純物−（素子外ｍ領域８−
１＊８−２ ｔ ８−３に相当〕％ １７−１ ｓ １
７−２ ＊ １７−３・・・ロー型不純物−が形成され
ない素子分離領域、１８・・・垂直ＣＣＤレジスター、
１９・・・２線構造水平ＣＣＤレジスター、２０・・・
第１水平ＣＣＤ。 ２１・・・ｉ４２水平ＣＣＤ、２２・・・水平ＣＣＤ間
転送ゲー）、２３．２４・・・信号検出部、２５−１１
２５−２う２５−３・・・素子外１ｉｌＫ頭域（従来例
〕％２６−１１２６−２・・・Ｐ＋型不純物１１ｍ、２
７・・・チャネル′ＩｊＬ位の“くぼみ”、ｑ、・・・
残留信号電荷。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光速 第１図 ！４ 第２図 （ａ） （ｂ） 第８図 ｆ４ 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (2)
- （１）半導体基板上に、複数本のＣＣＤレジスターと、
これらＣＣＤレジスター間で信号電荷の転送を行なわせ
しめるＣＣＤ間転送ゲートからなる多線構造ＣＣＤレジ
スターが形成され、前記ＣＣＤ間転送ゲート内に信号電
荷の混合を防止するための素子分離領域が形成された固
体撮像装置において、前記素子分離領域には、前記ＣＣ
Ｄ間転送ゲートのチャネル領域に形成される第一導電性
不純物層と同じ導電性の第二導電性不純物層が形成され
、かつ第二導電性不純物層の不純物濃度は第一導電性不
純物層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする固体撮
像装置。 - （２）前記素子分離領域には、前記第一導電性不純物層
と反対導電性の不純物層が形成されない特許請求の範囲
第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62121114A JPS63287056A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62121114A JPS63287056A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63287056A true JPS63287056A (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=14803230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62121114A Pending JPS63287056A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63287056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073901A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62121114A patent/JPS63287056A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073901A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 |
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