CN101675504A - 采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属基底的方法以及采用该方法制备印刷版的方法 - Google Patents

采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属基底的方法以及采用该方法制备印刷版的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法以及采用该方法制备印刷版的方法。在根据本发明的刻蚀玻璃或金属的方法中,由于负性光刻胶与金属或金属氧化物之间的粘合强度优异,光刻胶层不会被金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀,所以不必制备反型光掩膜,制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源,从而确保了经济效益。

Description

采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属基底的方法以及采用该方法制备印刷版的方法
技术领域
本发明涉及一种采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法以及采用该方法制备印刷版(cliche)的方法。
本申请要求享有于2007年9月21日在KIPO递交的第10-2007-0096589号韩国专利申请的优先权,其公开的内容以参考的方式全部引入本文。
背景技术
胶印法是使特殊电子材料(例如导电胶、具有优异的光学性能的墨汁等)图形化的一种方法,并且在进行胶印工艺的同时制备用于显示器的电子记录/成像/电路器件的基本部件,例如电路材料或彩色滤光片,而印刷版是实现以上方法所必需的。
此处,根据字典的含义,印刷版是被制成一种形状以使预定的实体容易地插入其中,而在相关技术领域中,其通常指一种包括不平坦部分的工具,其用于转移电子材料的图形。
已知的印刷版是通过以下方式制备的:在其上沉积有铬的玻璃上涂敷正性光刻胶,并使其图形化以刻蚀玻璃的表面,从而得到所需的形状。但是,由于正性光刻胶和铬表面的粘附问题,存在的问题是,正性光刻胶被铬刻蚀溶液腐蚀,或者当用玻璃制作印刷版时,对于用于刻蚀玻璃的氢氟酸的耐久性差。
另外,要求使用正性光刻胶时要形成的光掩膜为玻璃刻蚀部分的反型(inverse type)。因此,存在的问题是,当在其它工艺中需要通常的光掩膜时,应另外制作昂贵的光掩膜。
此外,如图2所示,印刷版通过包括多个步骤的复杂工艺来制备。另外,由于通过使用单一波长的激光来对正性光刻胶进行曝光,对于曝光波长,通常使用例如157nm、193nm、248nm等的深紫外或在短波长处的单一激光束,例如I-线(365nm)或G-线(436nm),从而有成本高的缺点。
发明内容
技术问题
因此,为了解决上述问题,本发明的目的是提供一种刻蚀方法和用该方法制备印刷版的方法,在所述刻蚀方法中,由于对金属或金属氧化物表面的粘附强度优异,使用不会被在玻璃或金属的刻蚀过程中使用的金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀的负性光刻胶,所以不必制备反型光掩膜(inversephotomask),制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源而不使用单一激光束,从而确保了经济效益。
技术方案
为了实现上述目的,本发明提供了一种刻蚀玻璃的方法,该方法包括以下步骤:a)在设置于玻璃表面上的金属层或金属氧化物层上形成负性光刻胶层;b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;d)刻蚀金属层或金属氧化物层,该部分金属层或金属氧化物层上没有涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层;和e)刻蚀玻璃,该部分玻璃上没有涂敷步骤d)中被图形化的金属层或金属氧化物层。
此外,本发明提供一种刻蚀金属的方法,该方法包括以下步骤:a)在金属上形成负性光刻胶层;b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;和d)刻蚀金属,该部分金属上未涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层。
另外,本发明提供了一种使用所述刻蚀玻璃或金属的方法制备印刷版的方法。
再有,本发明提供了采用所述制备印刷版的方法制备的印刷版。
还有,本发明提供了一种在电子材料图形化中使用所述印刷版的方法。
有益效果
在采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法及使用该方法制备印刷版的方法中,由于金属或金属氧化物表面与负性光刻胶之间的粘附强度优异,负性光刻胶不会被金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀,所以不必制备反型光掩膜,制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源而不使用单一激光束,从而确保了经济效益。
附图说明
图1为说明根据本发明的采用负性光刻胶刻蚀玻璃的方法的流程图;
图2为说明采用已知的正性光刻胶制备印刷版的方法的流程图;
图3为采用扫描电镜(Hitach S-4800)拍摄的根据本发明的采用负性光刻胶制备的印刷版的正面图片(比例:2200∶1);
图4为显示图3中由左边的圈所指的部分的放大图片(比例:9000∶1);
图5为在比较例中采用正性光刻胶制备的印刷版的图片(比例:1000∶1);以及
图6为显示在实施例2中制备的印刷版的图片。
具体实施方式
在下文中将详细描述本发明。
本发明涉及在刻蚀金属层或金属氧化物层时用作掩膜的光刻胶,并且优选使用负性光刻胶。
所述负性光刻胶为广泛用于制备在目前LCD彩色滤光片中使用的BM(黑矩阵)的光刻胶。因此,如果使用所述负性光刻胶刻蚀玻璃或金属,由于能够使用采用针对负性光刻胶的显影溶液的已知的彩色滤光片的生产线,所以能够经济有效地制备印刷版。通常,需要印刷版的胶印法是在LCD彩色滤光片和TFT电路中所用的下一代方法,其可降低成本和生产节拍时间(tacttime),并且考虑到LCD面板成本的降低,其可作为针对较低生产率的有效替代方案。
因此,本发明提出了一种制备能够用在胶印法中的印刷版的新方法。也就是说,作为在已知彩色滤光片工艺中使用的光掩膜,使用负性光刻胶来有效地制备具有所需压纹图形的印刷版。
首先,将描述根据本发明的刻蚀玻璃的方法。
在根据本发明的刻蚀玻璃的方法中,在步骤a)中,优选玻璃的厚度在0.2~10mm的范围内。原因是,在玻璃具有上述厚度范围的情况下,在通常的LCD彩色滤光片制备方法中容易地进行光刻胶的刻蚀和图形化之后,其可提供能够承受覆盖层的压力的机械强度。
金属可包括选自铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)中的一种或多种金属,但并不限于此。金属氧化物可包括选自氧化铬、氧化钼和氧化钨中的一种或多种,但不限于此。在本发明中,在上述实例中,最优选使用铬或氧化铬。
作为负性光刻胶,可以使用用于黑矩阵的黑色光刻胶、用于彩色滤光片的彩色光刻胶等。在此,作为黑色光刻胶和彩色光刻胶,可以使用包括颜料、碱溶性树脂粘合剂、具有烯键式不饱和双键的多官能单体、光敏引发剂、溶剂和添加剂且在本领域中已知的混合物。优选地,设计一种负性光刻胶,以使对由通常汞灯发射的所有波长的混合波束均发生光反应,例如,可以使用由LG化学株式会社(LG Chemicals,Co.,Ltd.)生产的化学产品,例如HCR3410R、HCR3 310G、HCR3 210B、BK73D1等,但不限于此。
所述负性光刻胶层可以通过在金属层或金属氧化物层上旋涂、狭缝与旋转式涂布(slit and spin coating)、狭缝涂布、毛细管涂布等来形成,但不限于此。
在步骤b)中,可以通过本领域中已知的方法进行负性光刻胶层的选择性曝光,例如,可以使用光掩膜来进行选择性曝光,但不限于此。
当对负性光刻胶层进行选择性曝光时,可以使用例如包括I-线(365nm)、H-线(405nm)和G-线(436nm)波长的混合波长的低分辨率光源。曝光可以在高压汞灯下实施,其中,以10~300mJ/cm2的曝光量、在1~100mW/cm2的强度下、在包括上述波长范围的200~800nm的波长范围下进行曝光2~15秒。在此,曝光量根据光刻胶的敏感性而不同且优选200mJ/cm2
如果象已知技术一样使用在200~300nm范围内的波长,由于上述波长范围不是单一波长而是通过使用滤光片等人工地使曝光机器的波长范围变窄而形成的波长,所以可在负性光刻胶中含有的光敏引发剂的种类受到限制,并且在曝光机器中需要特殊设备,例如滤光器(photofilter)。因此,存在工艺复杂及需要额外成本的问题。
在步骤c)中,作为使负性光刻胶显影时使用的显影溶液,优选使用KOH、NaOH、TMAH(氢氧化四甲铵)等。
根据本发明,负性光刻胶通过光敏引发剂组分仅在其接收到UV的部分开始交联,预烘后完成固化而形成坚硬的聚合物,并且当其在碱性水溶液中显影时,由于溶解性的差异,负性光刻胶未接收到UV的部分溶解。因此,仅仅是接收到UV光线的部分可以保留而形成精细的图形。
另一方面,如果使用酸性水溶液作为显影溶液,则其溶解负性光刻胶的未曝光部分及其下面的金属膜。从而,除去了负性光刻胶对其下面绝缘基底的粘附强度降低的部分而仅保留了接收光线的部分。但是,这种去除不能完全进行,因而不能得到精细的图形。
在步骤d)中,当金属层或金属氧化物层例如为铬层或氧化铬层时,可以使用硝酸、硝酸铈铵((NH4)2Ce(NO3)6)等作为刻蚀溶液来刻蚀它们,但不限于此。
另外,当金属层或金属氧化物层例如为钼层或氧化钼层时,可以使用含有根据刻蚀速率以不同比例彼此混合的HF和H2O2的混合物作为刻蚀溶液,但不限于此。
此外,当金属层或金属氧化物层例如为钨或氧化钨时,可以使用含有以不同浓度彼此混合的氢氟酸(HF)和去离子水的氢氟酸水溶液作为刻蚀溶液,但不限于此。
在步骤e)中,可以使用氢氟酸(HF)等作为刻蚀溶液来刻蚀玻璃,但不限于此。
在根据本发明的刻蚀玻璃的方法中,在步骤a)中,可以使用在其表面上设有金属层或金属氧化物层的商品玻璃,例如铬BM玻璃,但是该方法可在步骤a)之前进一步包括在玻璃表面上形成金属层或金属氧化物层的步骤。该金属层或金属氧化物层可通过沉积来形成。
此时,为了以不超过几纳米的薄膜的形式形成金属层或金属氧化物层,可以使用等离子体沉积、电子束沉积和热沉积,为了防止灯丝产生热,除了可在常压下进行的等离子体沉积之外,优选在10-4~10-12毫巴范围内的真空下进行沉积操作。所述沉积通过用氮离子或氧离子轰击金属靶来进行,所述氮离子或氧离子被高能电子或由聚焦金属靶的电子束产生的热量而等离子化。
在步骤e)之后,用再加工制剂(rework chemical)可除去保留在玻璃上的光刻胶,所述再加工制剂为用于除去光刻胶的碱性溶剂,其通常在LCD彩色滤光片工艺中用于提高产率。例如,优选使用一种再加工制剂,其中通过将基于胺的添加剂、硫氧化物、表面活性剂等加入NaOH等中来提高刻蚀效果。
此外,在根据本发明的刻蚀玻璃的方法中,在步骤e)之后,可以通过使用在步骤d)中应用的金属刻蚀剂来除去保留在玻璃图形突起上的金属和金属氧化物。光刻胶和图形突起上的金属和金属氧化物的去除(在最后步骤中露出)不是制备印刷版必须实施的步骤,而且,即使存在有机和无机物质层,印刷版的功能也可以保持。
接着,在下文中将描述根据本发明的刻蚀金属的方法。
刻蚀金属的方法包括以下步骤:a)在金属上形成负性光刻胶层;b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;c)使负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;和d)刻蚀金属,该部分金属上未涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层。
几乎可以使用具有用于图形化的刻蚀溶液的所有金属,例如铬、钼和钨等来作为所述金属,但不限于此。另外,除了不使用玻璃之外,使用与刻蚀玻璃的方法相同的方法和材料。
在本发明中,当基底不是玻璃而是金属时,刻蚀金属的方法可变得更简单。在使负性光刻胶图形化之后,如果将其暴露于金属刻蚀溶液中预定的时间,则在金属上形成不平坦的部分并且可通过使用再加工制剂除去残留的负性光刻胶。
另外,本发明提供了一种采用刻蚀玻璃或金属的方法制备印刷版的方法。
此外,本发明提供了采用所述制备印刷版的方法制备的印刷版。
用刻蚀玻璃的方法制备的印刷版可包括:玻璃,其具有由刻蚀而形成的不平坦的部分;金属层或金属氧化物层,其设置于所述玻璃的突起上;和负性光刻胶层,其设置于所述金属层或金属氧化物层上,它们顺序成层。另外,通过进一步除去所述光刻胶层,印刷版可包括具有不平坦部分的玻璃和金属层或金属氧化物层,或者,通过再除去所述金属层或金属氧化物层,印刷版可仅包括具有不平坦部分的玻璃。
另外,用刻蚀金属的方法制备的印刷版可包括:金属,其具有由刻蚀而形成的不平坦的部分;和负性光刻胶层,其设置于所述金属上,它们顺序成层。另外,通过进一步除去所述光刻胶层,印刷版可仅包括具有不平坦部分的金属。
此外,本发明提供了在使电子材料图形化中使用所述印刷版的方法。具体地,所述方法可包括以下步骤:将电子材料涂敷到基底上;使印刷版的图形化的面与基底上涂敷有电子材料的面接触,从而将电子材料转移到所述印刷版上;和将涂敷在所述印刷版上的电子材料转移到要印刷的物体上。
此处,所述基底可以为平板或辊子,并且所述印刷版可以为平板或辊子。
另外,本发明可包括以下步骤:用电子材料填充具有凹槽的印刷版的凹槽;将基底压在填充了电子材料的印刷版上,从而将填充在凹槽中的电子材料转移到基底上;和使基底上转移有电子材料的面与要印刷的面接触,从而将基底上的电子材料转移到要印刷的物体上。
所述电子材料包括光学墨汁、用于配线的金属溶液、导电胶、光刻胶、附着剂和粘合剂等。
另外,通过转移根据本发明的印刷版上的电子材料并对其印刷而获得的印刷物体可用在TFT-LCD的彩色滤光片、电子电路等中。
由于采用已知的正性光刻胶制备的印刷版具有良好的图形准确性(pattern straight property),所以和采用负性光刻胶制备的印刷版相比,可以获得更精确的分辨率。通常,由于通过采用单一波长的激光来使正性光刻胶曝光,所以在涂敷面上几乎不发生漫反射,并且对于曝光波长,通常采用例如157nm、193nm和248nm等的深紫外或者短波长的单一激光束,例如i-线(365nm)或g-线(436nm),从而能够获得尺寸不超过几百纳米(nm)的超精细图形。基于相同的原因,由于图形准确性确保了在±0.5%内的可靠性,所以采用正性光刻胶的印刷版的图形准确性与之对应。但是,在正性光刻胶的情况下,由于需要使用仅用特殊光的曝光机器,所以与负性光刻胶的情况相比,其具有设备昂贵且原材料成本更高的缺点。因此,在应用已知的LCD彩色滤光片的生产线制备印刷版的情况中,具有许多局限。相反,在负性光刻胶的情况下,与采用正性光刻胶制备的印刷版相比,当其用于制备要求几十微米或不小于100μm水平的用于LCD彩色滤光片的印刷版时,可以使用基于KOH的已知彩色滤光片的显影线并且具有相当优异的准确性。
实施例
在下文中,将参照实施例详细地描述本发明。但是,本发明可以多种不同的形式实施,而不应被解释为局限于本文举出的实施例。相反,提供这些实施例是为了充分地向本领域的技术人员传递本发明的构思。
实施例1
通过采用旋涂在厚度为0.5mm的铬BM玻璃(Avatec,lot#1-060916)上形成厚度为2μm的用于黑矩阵的负性光刻胶(LG Chemicals,LGBK73D1)。将形成的光刻胶以200mJ/cm2的曝光量在光强为20mW/cm2的高压汞灯下曝光10秒,并用KOH显影溶液使曝光的负性光刻胶显影。在显影之后,仅有曝光了的图形部分保留在铬BM上,而由于被光掩膜遮蔽而未曝光的部分被显影溶液洗去,从而露出铬层。为了刻蚀该铬层以便露出玻璃部分,采用通过以16∶10∶74的混合比混合硝酸、硝酸铈铵((NH4)2Ce(NO3)6)和H2O来制备的刻蚀溶液来刻蚀所述铬层。接着,用含有以9∶1的混合比彼此混合的去离子水和氢氟酸的氢氟酸水溶液刻蚀玻璃部分,以制备其上形成有图形的印刷版。制备的印刷版在图3和图4中示出。
比较例
通过采用旋涂在厚度为0.5mm的铬BM玻璃(Avatec,lot#1-060916)上形成厚度为2μm的正性光刻胶(Clariant,AZ1512)。将形成的光刻胶以200mJ/cm2的曝光量在光强为20mW/cm2的高压汞灯下曝光10秒,并用2.38%的TMAH(氢氧化四甲铵)显影溶液使曝光的光刻胶显影。在显影之后,仅有被光掩膜遮蔽的图形部分保留在铬BM上,而曝光了的部分被显影溶液洗去,从而露出铬层。为了刻蚀该铬层以便露出玻璃部分,采用通过以16∶10∶74的混合比混合硝酸、硝酸铈铵((NH4)2Ce(NO3)6)和H2O制备的刻蚀溶液来刻蚀所述铬层。接着,用含有以9∶1的混合比彼此混合的去离子水和氢氟酸的氢氟酸水溶液刻蚀玻璃部分,以制备其上形成有图形的印刷版。制备的印刷版在图5中示出。
实施例2
通过采用旋涂在厚度为0.5mm的铬BM玻璃(Avatec,lot#1-060916)上形成厚度为1.5μm的用于黑矩阵的蓝色负性光刻胶(LG Chemicals,HCR3210B)之后,使形成的光刻胶以100mJ/cm2的曝光量在光强为20mW/cm2的高压汞灯下曝光5秒,并用TMAH(氢氧化四甲铵)显影溶液使曝光的负性光刻胶显影。在显影之后,仅有曝光了的图形部分保留在铬BM上,而由于被光掩膜遮蔽而未曝光的部分被显影溶液洗去,从而露出铬层。为了刻蚀该铬层以便露出玻璃部分,采用通过以16∶10∶74的混合比混合硝酸、硝酸铈铵((NH4)2Ce(NO3)6)和H2O制备的刻蚀溶液来刻蚀所述铬层。接着,用含有以9∶1的混合比彼此混合的去离子水和氢氟酸的氢氟酸水溶液刻蚀玻璃部分,以制备其上形成有图形的印刷版。制备的印刷版在图6中示出。如图6所示,根据本发明能够制备具有清晰图形的印刷版。

Claims (24)

1、一种刻蚀玻璃的方法,其包括以下步骤:
a)在设置于玻璃表面上的金属层或金属氧化物层上形成负性光刻胶层;
b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;
c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;
d)刻蚀金属层或金属氧化物层,该部分金属层或金属氧化物层上没有涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层;和
e)刻蚀玻璃,该部分玻璃上没有涂敷步骤d)中被图形化的金属层或金属氧化物层。
2、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其进一步包括:
在步骤a)之前,在所述玻璃表面上形成金属层或金属氧化物层。
3、根据权利要求2所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤a)之前,所述金属层或金属氧化物层通过使用选自等离子体沉积、电子束沉积和热沉积中的任意一种方法而被沉积到玻璃表面上。
4、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其进一步包括:
在步骤e)之后,除去所述负性光刻胶层。
5、根据权利要求4所述的刻蚀玻璃的方法,其进一步包括:
在除去所述负性光刻胶层的步骤之后,除去所述金属层或金属氧化物层。
6、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述玻璃的厚度在0.2~10mm的范围内。
7、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述金属包括选自铬、钼和钨中的一种或多种。
8、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述金属氧化物包括选自氧化铬、氧化钼和氧化钨中的一种或多种。
9、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述负性光刻胶为选自黑色光刻胶和彩色光刻胶中的任意一种。
10、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在所述金属层或金属氧化物层上,采用选自旋涂法、狭缝与旋转式涂布法、狭缝涂布法和毛细管涂布法中的任意一种方法来形成所述负性光刻胶层。
11、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤b)中,所述曝光在200~800nm的波长范围内进行2~15秒。
12、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤b)中,所述曝光在选自为I-线的356nm、为H-线的405nm和为G-线的436nm中的一种或多种波长处进行2~15秒。
13、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤c)中,使用选自KOH和NaOH中的一种或多种显影溶液来进行所述显影。
14、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤d)中,使用选自硝酸、硝酸铈铵、氢氟酸和H2O2的溶液混合物以及氢氟酸和去离子水的溶液混合物中的一种或多种刻蚀溶液来刻蚀所述金属层或金属氧化物层。
15、根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤e)中,使用氢氟酸来刻蚀所述玻璃。
16、一种采用权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法制备印刷版的方法。
17、一种采用权利要求16所述的制备印刷版的方法制备的印刷版。
18、根据权利要求17所述的印刷版,其中,所述印刷版包括:玻璃,其具有由刻蚀而形成的不平坦的部分;金属层或金属氧化物层,其设置于所述玻璃的突起上;和负性光刻胶层,其设置于所述金属层或金属氧化物层上,它们顺序成层。
19、一种在使电子材料图形化中使用权利要求17所述的印刷版的方法。
20、一种刻蚀金属的方法,其包括以下步骤:
a)在金属上形成负性光刻胶层;
b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;
c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;和
d)刻蚀金属,该部分金属上没有涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层。
21、根据权利要求20所述的刻蚀金属的方法,其中,所述金属包括选自铬、钼和钨中的一种或多种。
22、一种采用权利要求20所述的刻蚀金属的方法制备印刷版的方法。
23、一种采用权利要求22所述的制备印刷版的方法制备的印刷版。
24、根据权利要求23所述的印刷版,其中,所述印刷版包括:金属,其具有由刻蚀而形成的不平坦的部分;和负性光刻胶层,其设置于所述金属上,它们顺序成层。
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