CN101651447B - 放大电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种放大器，其具有输出级，该输出级具有一对互补的第一和第二晶体管(106，108)，每个晶体管耦合到该放大器的输出节点(104)；控制电路(110，114，116，118)，布置以基于该放大器的输入节点(102)处的电压在该第一晶体管的控制节点处提供控制信号；和调节电路(210)，布置以调节该控制信号，以保持通过该第一晶体管的电流在最小值(IMIN)以上。

Description

放大电路
技术领域
本发明涉及一种放大电路，更具体地涉及一种包括一对互补输出晶体管的AB类型的放大电路。
背景技术
图1示出了AB类型的放大电路100，并且再现了在IEEE，SergioPernici等人的出版物“ACMOSLow_DistortionFullyDifferentialPowerAmplifierwithDoubleNestedMillerCompensation”中描述的放大电路的一部分。
放大器100包括输入节点102和输出节点104。输出节点104与形成AB类型的输出级的一对互补输出功率晶体管106和108耦合。晶体管106和108串联耦合在地和正电源轨(supplyrail)之间。晶体管106是P沟道MOS晶体管，而晶体管108是N沟道MOS晶体管。晶体管108的栅极节点耦合到输入节点102。输入节点102还耦合到用于控制PMOS晶体管106的控制级。具体地，输入节点102耦合到N沟道MOS晶体管110的栅极节点。晶体管110的源极端耦合到地电压轨，漏极端经由N沟道MOS晶体管112耦合到节点111。节点111经由P沟道MOS晶体管114进一步耦合到正电源轨，P沟道MOS晶体管114的栅极节点耦合到节点111。PMOS114与P沟道MOS晶体管116形成电流镜结构，P沟道MOS晶体管116的栅极节点也耦合到节点111。PMOS116耦合在正电源轨和节点117之间，节点117还耦合到P沟道MOS晶体管106的栅极节点。节点117还经由N沟道MOS晶体管113和电流源118耦合到地电源轨。晶体管112和113的栅极节点连接到固定电压VB。
工作时，AB类型的输出晶体管106和108能使放大器驱动来自正或地电源轨的输出负载。已发现，在相对高频率的输入信号和例如约2k欧姆以下的相对低的负载，放大器100的输出节点104的信号容易失真。因此需要一种不会受到上述失真的改良的放大电路。
发明内容
本发明的目的在于至少部分解决现有技术的一个或多个问题。
根据本发明的一个方面，提供一种放大器，包括输出级，该输出级包括一对互补的第一和第二晶体管，每个晶体管耦合到该放大器的输出节点；控制电路，布置以基于该放大器的输入节点处的电压在该第一晶体管的控制节点处提供控制信号；和调节电路，布置以调节该控制信号，使得如果通过第一晶体管的电流落在最小值以下，则增加该电流。
根据本发明的另一实施例，该调节电路包括耦合在控制节点和第一电源电压电平之间的第三晶体管。
根据本发明的另一实施例，该放大器进一步包括检测电路，该检测电路适于检测通过所述第一晶体管的电流落在最小值以下和基于所述检测控制所述第三晶体管。
根据本发明的实施例，该放大器进一步包括检测电路，该检测电路包括由控制信号控制的第一可变电流源；和与第一可变电流源串联耦合的第一固定电流源，其中所述第三晶体管由第一可变电流源和第一固定电流源之间的中间节点处的电压电平控制。
根据本发明的另一实施例，布置第一固定电流源以传导等于IMIN/P的电流，其中IMIN是最小值，P是流过第一晶体管的电流与流过第一可变电流源的电流之间的比率。
根据本发明的另一实施例，选择最小值等于IQ/N，其中IQ是流过第一和第二晶体管的静态电流，N是1和4之间的值。
根据本发明的另一实施例，N在2和3之间。
根据本发明的另一实施例，该放大器的输入节点耦合到第二晶体管的控制节点，且控制电路包括由在该放大器的输入节点处的电压控制的第二可变电流源，包括耦合到第二可变电流源的第一分支和耦合到第二固定电流源的第二分支的电流镜，其中第一晶体管的控制节点由在电流镜的第二分支和第二固定电流源之间的节点处的电压控制。
根据本发明的另一实施例，该放大器进一步包括耦合在该第二可变电流源和该电流镜的第一分支之间的电阻。
根据本发明的另一实施例，该放大器进一步包括耦合到电流镜的各个分支且布置以传导固定电流的第三和第四固定电流源，使得该电流镜的第一和第二分支至少传导固定电流。
根据本发明的另一实施例，第一晶体管是P沟道MOS晶体管。
根据本发明的另一实施例，该放大器进一步包括耦合在输出节点和该第一晶体管的控制节点之间的第一补偿电容，和耦合在输出节点和该第二晶体管的控制节点之间的第二补偿电容。
根据本发明的一个方面，提供一种包括上述放大器的装置。
根据本发明的另一实施例，该装置进一步包括耦合到该放大器的输入节点且布置以基于放大器的输出比较输入电压信号与反馈电压信号的前置放大级。
根据本发明的另一实施例，该装置是便携式电子装置。
附图说明
参考附图，从借助示例给出的而非限制性的实施例的以下详细说明，本发明的上述和其它目的、特征、方面和优点将变得显而易见，其中：
图1(以上描述的)示出了放大电路；
图2示出了根据本发明的实施例的放大电路；
图3示出了根据本发明的另一实施例的放大电路；和
图4示出了根据本发明的实施例包括图2或3的放大器的电子装置。
具体实施方式
再次参考图1的放大电路，发明人发现，电路中输出节点104的失真至少在某种程度上是由于以下事实造成的：当输出电压小于电源电压的一半时晶体管106彻底断开。当输出电压需要升高时，失真是由晶体管106所需要的额外延时再次出现造成的。
图2示出了放大电路200。与图1所示的相同的放大电路200的特征用相同的附图标记表示，且将不再详细地描述。
在图2的放大电路200中，正电源轨标记为Vcc，而负电源轨标记为-Vcc。对于本领域技术人员显而易见的是，在可选的实施例中，对于电源轨电压可以是任何值，并且还可使用图1的单个电源，-Vcc由地电压代替。然而当使用正和负电源电压时，耦合到图2的输出节点104的负载通常被接地，当提供单个电源轨时，负载通常被耦合到Vcc/2。耦合到输出节点104的负载未示于图2中，但例如是大约2k欧姆的负载。单个电源轨例如可以提供5V，而正和负电源轨可以提供+2.5和-2.5V，但可以是其它值。
在图2的电路中，晶体管112被耦合在晶体管110和节点111之间的电阻212代替，而晶体管113被移除且节点117被直接耦合到电流源118。
此外，如所示的，在该实施例中PMOS晶体管106的栅极节点耦合到另一PMOS晶体管204的栅极节点，该PMOS晶体管204例如是与PMOS106相同的尺寸和类型，或者是不同于PMOS106的固定比率，使得流过晶体管204的电流与通过晶体管106的电流相匹配，或是它的固定比率。晶体管204与固定电流源206串联耦合在正电源电压Vcc和负电源电压-Vcc之间。固定电流源206传导的电流为ITH。晶体管204和固定电流源206之间的节点208耦合到PMOS晶体管210的栅极节点，PMOS晶体管210耦合在节点117和负电源轨之间。
工作时，通过固定电流源的电流ITH提供了阈值电流并且基于将要保持通过晶体管106的最小电流IMIN来选择。具体地，例如选择ITH等于IMIN/P，其中P是流过晶体管106的电流和流过晶体管204的电流之间的固定比率。P可以等于1和几百之间的任何比率，但优选低于50，且例如为大约10。如果通过晶体管106的电流落在IMIN以下，这意味着通过晶体管204的电流同样落在阈值ITH以下，且节点208处的电压下降。反之会增加节点117和节点208之间的电压差，由此使晶体管210导通。这具有减小晶体管106的栅极节点的电压的效果，并由此使晶体管206导通更多，直至电流达到最小值IMIN。由此该电路提供了内反馈环，发明人发现它是稳定的。
例如基于PMOS106的静态电流的一小部分选择最小电流IMIN的值，将PMOS106的静态电流定义为当电源轨电压以大约零伏为中心时在放大器的输入处于静态例如零伏时，流过PMOS106和NMOS108的电流，且没有电流通过耦合到节点104的负载。例如选择IMIN的值为导致可接收失真水平的最小值。具体地，ITH例如等于IMIN/P，其中IMIN等于通过晶体管106和108的静态电流IQ的一小部分IQ/N，N是除以静态电流的值，优选在1和4之间。发明人已发现，N在2和3之间的值工作得特别好。作为实例，静态电流IQ例如等于36μA，P等于10，N等于2，以及电流源106的电流ITH等于1.8μA。因此当通过PMOS106的电流落在18μA以下时，晶体管210会导通以减小节点117处的电压，由此使通过PMOS106的电流增加到18μA。
图3示出了放大电路300。与图2一样的部件已用相同的附图标记标记，且将不再详细描述。
在电路300中，提供了补偿电容302和304。电容302耦合在输出节点104和节点117之间。电容304耦合在输出节点104和输入节点102之间。上述电容也可提供在图2的电路中的这些节点之间。
该电路进一步包括另外的固定电流源306和308。电流源306耦合在节点111和负电源轨-Vcc之间。固定电流源308耦合在节点117和负电源轨-Vcc之间。选择这些固定电流源来提供彼此相同的电流，且优选传导低的电流值，例如等于接近1μA。
在没有提供电流源306和308且输出电压具有驱动例如大约2k欧姆负载的正斜率的情况下，当输出电压超过0V时，负载通常不会给补偿电容304提供适当的充电。晶体管110和108断开，是因为节点102处的电压下降。反之会导致没有电流流过电流镜的晶体管114和116。因此节点117处的电压急速降落，增加了晶体管106的VGS电压和漏电流。该结构使节点117处的电压恢复和达到正确值所花费的延迟会导致输出的一定程度的失真。
然而，当提供电流源306和308时，甚至在晶体管110断开时，至少一些电流流过晶体管114和116，因此它们不会彻底断开。这会缩减输出电压在放大器的节点104处的失真。
图4示出了包括图2或3的放大器的电子装置400。具体地，该放大器包括输入节点402、输出节点404、以及耦合在这些输入和输出节点之间的多个放大级。具体地，方块406代表图2或3的放大器，而方块408代表其它放大电路，例如前置放大器，并且包括用于从输出404接收线410上的反馈信号的输入，允许放大器调节以确保输出电压匹配到所需的水平。
电子装置例如是具有AB类放大器的任何装置，诸如便携式电子装置，例如移动电话、MP3播放器、便携式游戏机、膝上型电脑等，或者大型装置，例如机顶盒、个人电脑、数字电视机、DVD播放机等。
这里描述的实施例的优点是，对于宽范围的频率和比较低的负载电阻，可以在放大器输出端获得低失真。具体地，已发现总的谐波失真可以从图1的电路的情况下的2.5％改进到图3的电路的情况下的小于1％。
这里描述的实施例的另一优点是，上述电路可用很低的电源电压工作，例如对于Vcc低至0.75V和对于-Vcc低至-0.75V，或者在提供单个电源电压且其它轨接地的情况下，电源电压低至1.5V。
这里描述的实施例的另一优点是，具有低消耗。具体地，虽然用于降低节点117的电压的解决方案会增加通过晶体管116的电流，但这会导致更大的功耗。通过有利地使用上述解决方案，能耗费非常少的额外电流。
提供耦合在电流镜的一个分支和晶体管110之间的电阻212的优点是，尤其是当电流处于开环结构而没有反馈环时，可以减小电流镜的电流还有它的消耗。此外，使用电阻来限制电流能允许大的工作电源电压范围。
图3的电路的优点是，通过确保电流镜的晶体管114和116绝不彻底断开，可以进一步减小失真。
由此描述了本发明的至少一个示例性实施例，但对于本领域技术人员来说各种改变、修改和改进将是很容易的。
例如，虽然已示出了用于放大单个信号和提供单端输出的电路，但对于本领域技术人员显而易见的是，可复制电路来提供差分输入和差分输出。换句话说，图4的电子装置400中所示的放大器的输入402和输出404可以是差分信号。
此外，虽然在图2和3的实施例中晶体管106、204和210是PMOS晶体管以及晶体管108是NMOS晶体管，但对于本领域技术人员显而易见的是，在可选的实施例中可以重新布置电路使得PMOS晶体管106、204和210被NMOS晶体管代替，以及NMOS晶体管108被PMOS晶体管代替。
此外，虽然在上述实施例中晶体管是MOS，但本领域技术人员显而易见的是，在一些实施例中可使用其它类型的晶体管，包括具有由金属硅化物形成的栅极、和由不同于氧化物的其它材料形成的绝缘层的晶体管。
此外，对于本领域技术人员显而易见的是，在可选实施例中电阻212可以由图1的在电流镜每侧的晶体管112和113代替且由固定电压控制。

Claims (15)

1.一种放大器，包括：
输出级，包括一对互补的第一和第二晶体管(106，108)，每个晶体管耦合到所述放大器的输出节点(104)；
控制电路(110，114，116，118)，布置以基于所述放大器的输入节点(102)处的电压在所述第一晶体管的控制节点处提供控制信号；和
调节电路(210)，布置以调节所述控制信号，使得如果通过所述第一晶体管的电流落在最小值(IMIN)以下，则增加所述电流。
2.根据权利要求1所述的放大器，其中所述调节电路包括耦合在所述控制节点和第一电源电压电平之间的第三晶体管(210)。
3.根据权利要求2所述的放大器，进一步包括检测电路，所述检测电路适于检测通过所述第一晶体管的电流落在最小值以下和基于所述检测控制所述第三晶体管。
4.根据权利要求3所述的放大器，其中所述检测电路包括：
由所述控制信号控制的第一可变电流源(204)；和
与所述第一可变电流源串联耦合的第一固定电流源(206)，其中所述第三晶体管由所述第一可变电流源(204)和所述第一固定电流源(206)之间的中间节点(208)处的电压电平控制。
5.根据权利要求4所述的放大器，其中布置所述第一固定电流源以传导等于IMIN/P的电流(ITH)，其中IMIN是最小值，P是流过第一晶体管的电流与流过第一可变电流源的电流之间的比率。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的放大器，其中选择最小值等于IQ/N，其中IQ是流过第一和第二晶体管的静态电流，N是1和4之间的值。
7.根据权利要求6所述的放大器，其中N在2和3之间。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的放大器，其中所述放大器的所述输入节点(102)耦合到所述第二晶体管的控制节点，且所述控制电路包括由在所述放大器的所述输入节点处的电压控制的第二可变电流源(110)，包括耦合到所述第二可变电流源(106)的第一分支和耦合到第二固定电流源(118)的第二分支的电流镜，其中所述第一晶体管的所述控制节点由在所述电流镜的所述第二分支和所述第二固定电流源之间的节点(117)处的电压控制。
9.根据权利要求8所述的放大器，进一步包括耦合在所述第二可变电流源(110)和所述电流镜的所述第一分支之间的电阻(212)。
10.根据权利要求8所述的放大器，进一步包括耦合到所述电流镜的各个分支且布置以传导固定电流的第三和第四固定电流源(306，308)，使得所述电流镜的第一和第二分支至少传导所述固定电流。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的放大器，其中所述第一晶体管是P沟道MOS晶体管。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的放大器，进一步包括耦合在所述输出节点和所述第一晶体管的所述控制节点之间的第一补偿电容，和耦合在所述输出节点和所述第二晶体管的控制节点之间的第二补偿电容。
13.一种装置，包括根据权利要求1至12中任一项所述的放大器。
14.根据权利要求13所述的装置，进一步包括耦合到所述放大器的输入节点且布置以基于所述放大器的输出比较输入电压信号与反馈电压信号的前置放大级。
15.根据权利要求13或14所述的装置，其中所述装置是便携式电子装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101944886B (zh) * 2010-09-10 2013-03-27 重庆大学 自适应微电流放大器
US8829883B2 (en) * 2011-09-09 2014-09-09 Atmel Corporation Leakage-current compensation for a voltage regulator
US9035699B2 (en) 2012-12-19 2015-05-19 Qualcomm Incorporated Multi-stage amplifier
US9342085B2 (en) * 2014-10-13 2016-05-17 Stmicroelectronics International N.V. Circuit for regulating startup and operation voltage of an electronic device
CN109412541B (zh) * 2017-08-17 2022-05-31 博通集成电路（上海）股份有限公司 运算放大器的输出级和运算放大器中的方法
CN113050737B (zh) * 2019-12-27 2022-08-26 立锜科技股份有限公司 快速瞬态响应线性稳压电路及信号放大电路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6163217A (en) * 1998-11-12 2000-12-19 Fujitsu Limited Operational amplifier
JP2001177352A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Toko Inc 半導体集積回路
JP3920427B2 (ja) * 1997-11-19 2007-05-30 富士通株式会社 差動増幅回路及びオペアンプ回路

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6053924B2 (ja) * 1978-04-05 1985-11-28 株式会社東芝 リミツタ回路
JP2793891B2 (ja) * 1990-07-16 1998-09-03 三菱電機株式会社 Ａｂ級プッシュプルドライブ回路
JP3688413B2 (ja) * 1995-12-21 2005-08-31 株式会社東芝 出力回路
JP3338771B2 (ja) * 1997-09-04 2002-10-28 山形日本電気株式会社 演算増幅器
US6384685B1 (en) * 2001-06-28 2002-05-07 Sunplus Technology Co., Ltd. Complementary metal oxide semiconductor class AB amplifier
US6657495B2 (en) * 2002-04-01 2003-12-02 Texas Instruments Incorporated Operational amplifier output stage and method
JP4564285B2 (ja) * 2003-06-20 2010-10-20 株式会社東芝 半導体集積回路
US6930551B2 (en) * 2003-08-08 2005-08-16 Texas Instruments Incorporated Zero voltage class AB minimal delay output stage and method
US7042290B2 (en) * 2003-09-16 2006-05-09 Texas Instruments Incorporated Output stage circuit for an operational amplifier
US7501894B2 (en) * 2007-01-15 2009-03-10 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Method of forming an operational amplifier and structure therefor
US7466201B1 (en) * 2007-05-21 2008-12-16 Texas Instruments Incorporated Class AB output stage and method for providing wide supply voltage range
TWI350647B (en) * 2007-11-06 2011-10-11 Realtek Semiconductor Corp Output stage circuit and operational amplifier thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3920427B2 (ja) * 1997-11-19 2007-05-30 富士通株式会社 差動増幅回路及びオペアンプ回路
US6163217A (en) * 1998-11-12 2000-12-19 Fujitsu Limited Operational amplifier
JP2001177352A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Toko Inc 半導体集積回路

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