CN101646975B - 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机、液晶面板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机、液晶面板的制造方法。扫描信号线(16)在其与数据信号线(15)的交叉部附近具有开口部(29)，第一晶体管(12a)包括夹着漏极电极(8a)的两个源极电极(9ax、9ay)，源极电极(9ax)通过开口部(29)上的源极延伸电极(10ax)与数据信号线(15)连接，源极电极(9ay)通过扫描信号线(16)的外部区域上的源极延伸电极(10ay)与数据信号线(15)连接，第二晶体管(12b)包括夹着漏极电极(8b)的两个源极电极(9bx、9by)，源极电极(9bx)通过开口部(29)上的源极延伸电极(10bx)与数据信号线(15)连接，源极电极(9by)通过扫描信号线的外部区域上的源极延伸电极(10by)与数据信号线(15)连接。根据该结构，能够在尽可能地维持各晶体管的功能的同时修正SG泄漏。

Description

有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机、液晶面板的制造方法

技术领域

本发明涉及能够进行短路修正的有源矩阵基板和液晶面板。

背景技术

液晶显示装置具有高精细、薄、低电耗等优异的特征，近年来，其市场规模迅速扩大。例如在专利文献1中，公开了在一个像素中具有多个像素电极的像素分割(多像素驱动)方式的液晶显示装置。根据该像素分割方式的液晶显示装置，能够在一个像素中形成不同的亮度区域，能够改善γ特性的视角依赖性(从正面观测液晶显示装置时的γ特性和从倾斜方向观察时的γ特性的差异)。

此处，在专利文献2中，公开了在像素分割方式的液晶显示装置中能够进行配线缺陷的修正的结构。在图35中表示此结构。如该图所示，在该液晶显示装置具有的有源矩阵基板700中，设置有相互正交的扫描信号线702和数据信号线703，在各像素中，具有第一晶体管707a、第二晶体管707b、第一像素电极705a、第二像素电极705b、第一保持电容配线712a、第二保持电容配线712b、第一漏极引出配线711a、第二漏极引出配线711b、第一漏极引出电极713a、和第二漏极引出电极713b。第一晶体管707a具有源极电极709a、漏极电极710a、和从扫描信号线702引出的栅极电极708a，第二晶体管707b具有源极电极709b、漏极电极710b和从扫描信号线702引出的栅极电极708b。

另外，第一晶体管的源极电极709a和第二晶体管的源极电极709b与数据信号线703连接，第一晶体管的漏极电极710a通过第一漏极引出配线711a与第一漏极引出电极713a连接，该第一漏极引出电极713a和第一像素电极705a通过接触孔连接。进一步，利用第一漏极引出电极713a和第一保持电容配线712a的伸出部714a形成保持电容。同样地，第二晶体管的漏极电极710b通过第二漏极引出配线711b与第二漏极引出电极713b连接，该第二漏极引出电极713b和第二像素电极705b通过接触孔连接。进一步，利用第二漏极引出电极713b和第二保持电容配线712b的伸出部714b形成保持电容。

根据上述结构，对第一像素电极705a和第二像素电极705b供给相同的信号电信，但通过个别地控制第一保持电容配线和第二保持电容配线712a、712b的电位，能够使第一像素电极705a和第二像素电极705b为不同的电位，从而能够在一个像素中形成不同的亮度区域。

在有源矩阵基板700中，在扫描信号线702形成有位于第一晶体管的栅极电极708a与第二晶体管的栅极电极708b之间的开口部715。从而，例如，在扫描信号线702和数据信号线703在它们的交叉部720处短路，发生SG泄漏(源极-栅极间泄漏)的情况下，在开口部715上的区域722和与第一像素电极705a相邻的部分723切断数据信号线703，并且通过备用配线等从数据信号线703的相反侧发送信号电位，从而能够修正SG泄漏。在该情况下，第一晶体管707a丧失其功能，第二晶体管707b维持其功能。而且，在扫描信号线702与源极电极709a短路，发生SG泄漏的情况下，也能够在上述两个位置切断数据信号线703，并且通过备用配线等从数据信号线703的相反侧发送信号电位，从而修正SG泄漏。

专利文献1：日本国公开专利公报“日本特开2004-78157号公报(公开日：2004年3月11日)”

专利文献2：国际公开专利公报“WO2006/064789(公开日：2006年6月22日)”

发明内容

但是，在该液晶显示装置中，是以一个晶体管的功能丧失为前提进行SG泄漏的修正。即，存在即使是在SG泄漏由源极电极与扫描信号线的短路引起的情况下，也必须以使一个晶体管的功能丧失为前提进行修正，而且需要利用备用配线等的问题。另外，关于备用配线的利用，存在该连接耗费时间、增大负荷的缺点。特别是在大型的液晶显示装置中该缺点尤为显著。

本发明鉴于上述问题提出，其目的在于，在一个像素区域中设置有多个晶体管的像素分割方式的有源矩阵基板和具有其的液晶显示装置中，在尽可能地维持各晶体管的功能的同时修正SG泄漏。

本发明的有源矩阵基板包括：在行方向延伸(例如以横切各像素区域的方式在行方向延伸)的扫描信号线；在列方向延伸(例如沿着各像素区域在列方向延伸)的数据信号线；和形成在扫描信号线和数据信号线的交叉部附近，以该扫描信号线作为栅极电极，并且与该数据信号线连接的第一晶体管和第二晶体管，在各像素区域，设置有与第一晶体管连接的第一像素电极、和与该第二晶体管连接的第二像素电极，该有源矩阵基板的特征在于：上述扫描信号线，在上述交叉部附近具有开口部和作为该开口部的两侧部分的隔着开口部在列方向上相对的第一扫描电极部和第二扫描电极部，上述第一晶体管包括设置在第一扫描电极部上的漏极电极、和以夹着该漏极电极的方式设置的两个源极电极，其中一个源极电极通过形成在开口部上的源极延伸电极(第一内侧源极延伸电极)与数据信号线连接，另一个源极电极通过形成在扫描信号线的外部区域上的源极延伸电极(第一外侧源极延伸电极)与数据信号线连接，上述第二晶体管包括设置在第二扫描电极部上的漏极电极、和以夹着该漏极电极的方式设置的两个源极电极，其中一个源极电极通过形成在开口部上的源极延伸电极(第二内侧源极延伸电极)与数据信号线连接，另一个源极电极通过形成在扫描信号线的外部区域上的源极延伸电极(第二外侧源极延伸电极)与数据信号线连接。

在本有源矩阵基板中，与各源极电极连接的源极延伸电极与扫描信号线(第一扫描电极部和第二扫描电极部)不重合，因此能够切断它。此外，因为第一晶体管具有两个源极电极，所以即使其中一个不能够起作用，第一晶体管自身也能够发挥功能。同样地，因为第二晶体管也具有两个源极电极，所以即使其中一个不能够起作用，第二晶体管自身也能够发挥功能。

于是，在由数据信号线或与其相连的源极电极与扫描信号线的短路引起的异常被认为是在该数据信号线和该扫描信号线的交差部附近的像素区域中的情况下，进行包括下述工序中的至少一个的修正工序，能够在尽可能地维持各晶体管的功能的同时修正SG泄漏(源极-栅极间泄漏)：切断该像素区域的第一内侧源极延伸电极和第二内侧源极延伸电极以及该像素区域的第一外侧源极延伸电极和第二外侧源极延伸电极中的任一个的工序；将该数据信号线在其与第一外侧源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将该数据信号线在其与第一内侧源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将该数据信号线在其与第二内侧源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将该数据信号线在其与第二外侧源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将该扫描信号线的第一扫描电极部在位于第一外侧源极延伸电极和第一内侧源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序；和将该扫描信号线的第二扫描电极部在位于第二内侧源极延伸电极和第二外侧源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序。

本发明的有源矩阵基板包括：在行方向延伸(例如以横切各像素区域的方式在行方向延伸)的扫描信号线；在列方向延伸(例如，沿着各像素区域在列方向延伸)的数据信号线；和形成在扫描信号线和数据信号线的交叉部附近，以该扫描信号线作为栅极电极，并且与该数据信号线连接的第一晶体管和第二晶体管，在各像素区域，设置有与第一晶体管连接的第一像素电极、和与该第二晶体管连接的第二像素电极，该有源矩阵基板的特征在于：上述扫描信号线，在上述交叉部附近具有开口部和作为该开口部的两侧部分的隔着开口部在列方向上相对的第一扫描电极部和第二扫描电极部，第一晶体管和第二晶体管具有共用的源极电极，该共用的源极电极以与第一扫描电极部和第二扫描电极部以及开口部重合的方式配置，并且通过形成在开口部上的源极延伸电极(共用的源极延伸电极)与数据信号线连接，上述第一晶体管包括设置在第一扫描电极部上的漏极电极、和与上述共用的源极电极一同夹着该漏极电极的源极电极，该源极电极通过形成在扫描信号线的外部区域上的源极延伸电极(第一外侧源极延伸电极)与数据信号线连接，上述第二晶体管包括设置在第二扫描电极部上的漏极电极、和与上述共用的源极电极一同夹着该漏极电极的源极电极，该源极电极通过形成在扫描信号线的外部区域上的源极延伸电极(第二外侧源极延伸电极)与数据信号线连接。

根据上述结构，与上述各源极电极连接的源极延伸电极与扫描信号线(第一扫描电极部和第二扫描电极部)不重合，因此能够切断它。此外，因为第一晶体管具有两个源极电极(一个是共用的源极电极)，所以即使其中任一个不能够起作用，第一晶体管自身也能够发挥功能。同样地，因为第二晶体管也具有两个源极电极(一个是共用的源极电极)，所以即使其中任一个不能够起作用，第二晶体管自身也能够发挥功能。

于是，在由数据信号线或与其相连的源极电极与扫描信号线的短路引起的异常被认为是在该数据信号线和该扫描信号线的交差部附近的像素区域中的情况下，进行包括下述工序中的至少一个的修正工序，能够在尽可能地维持各晶体管的功能的同时修正SG泄漏：切断该像素区域的共用的源极延伸电极以及该像素区域的第一外侧源极延伸电极和第二外侧源极延伸电极中的任一个的工序；将该数据信号线在其与第一外侧源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将该数据信号线在其与共用的源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将该数据信号线在其与共用的源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将该数据信号线在其与第二外侧源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将该扫描信号线的第一扫描电极部在位于第一外侧源极延伸电极和共用的源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序；和将该扫描信号线的第二扫描电极部在位于第二外侧源极延伸电极和共用的源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序。

在本有源矩阵基板中，能够采用下述结构，第一扫描电极部中，位于与第一晶体管所具有的两个源极电极中的一个连接的源极延伸电极和与另一个连接的源极延伸电极的间隙下的部分的至少一部分变细，第二扫描电极部中，位于与第二晶体管所具有的两个源极电极中的一个连接的源极延伸电极和与另一个连接的源极延伸电极的间隙下的部分的至少一部分变细。这样，使源极延伸电极与扫描电极部的距离局部变大，在该部分进行源极延伸电极的切断，能够容易地进行切断工序。而且，也能够将该变细的部分用于扫描信号线的切断用。例如，在数据信号线下发生短路时，将该短路的扫描电极部在该变细的部分和夹着数据信号线的相反侧的部分进行切断，能够将该扫描电极部从扫描信号线主体切离。

在本有源矩阵基板中，能够采用下述结构，第一扫描电极部中，位于与第一晶体管的源极电极连接的源极延伸电极和与上述共用的源极电极连接的源极延伸电极的间隙下的部分的至少一部分变细，第二扫描电极部中，位于与第二晶体管的源极电极连接的源极延伸电极和与上述共用的源极电极连接的源极延伸电极的间隙下的部分的至少一部分变细。这样，使源极延伸电极与扫描电极部的距离局部变大，在该部分进行源极延伸电极的切断，能够容易地进行切断工序。而且，也能够将该变细的部分用于扫描信号线的切断用。例如，在数据信号线下发生短路时，将该短路的扫描电极部，在该变细的部分和夹着数据信号线的相反侧的部分进行切断，能够将该扫描电极部从扫描信号线主体切离。

在本有源矩阵基板中，能够采用下述结构，上述源极延伸电极，其行方向的宽度比列方向的宽度大。这样，通过将源极延伸电极形成为细长形状，能够容易地进行其切断。

在本有源矩阵基板中，能够采用上述开口部从像素区域外通过数据信号线之下到达像素区域内的结构。这样，在扫描电极部和数据信号线短路时，能够将扫描电极部的短路位置从扫描信号线主体切离。在该情况下，优选以第一扫描电极部的位于行方向的两个端部中位于像素区域外的一方作为第一端部，以第二扫描电极部的位于行方向的两个端部中位于像素区域外的一方作为第二端部，第一端部和第二端部分别形成有切入部。

在本有源矩阵基板中，能够采用上述开口部是在行方向延伸的形状的结构。

在本有源矩阵基板中，能够采用下述结构，沿着上述数据信号线，设置有与该数据信号线电连接的副配线，该副配线通过开口部上。根据该结构，在修正工序中切断数据信号线时也不需要连接备用配线。另外，因为副配线通过开口部上，所以能够减少副配线自身与扫描信号线短路的可能性，此外，能够减少在副配线与扫描信号线之间产生的寄生电容。在该情况下，优选上述副配线和数据信号线在开口部上连接。

在本有源矩阵基板中，能够采用下述结构，设置有与数据信号线的上述交叉部的前后连接的旁通配线，该旁通配线通过开口部上。根据该结构，在修正工序中切断数据信号线时也不需要连接备用配线。另外，因为副配线通过开口部上，所以能够减少副配线自身与扫描信号线短路的可能性，此外，能够减少在副配线与扫描信号线之间产生的寄生电容。在该情况下，优选上述旁通配线和数据信号线在开口部上连接。

在本有源矩阵基板中，优选在第一晶体管和第二晶体管的上层，形成有无机层间绝缘膜、和比该无机层间绝缘膜厚的有机层间绝缘膜。这样，例如在从有源矩阵基板的背面对源极延伸部、扫描电极部进行激光切断时，能够以厚层间绝缘膜防止金属断片的卷起。

在本有源矩阵基板中，能够采用下述结构，在第一扫描电极部的变细的部分和第二扫描电极部的变细的部分各自的上层，形成有无机栅极绝缘膜、和比其厚的栅极绝缘膜(例如有机栅极绝缘膜)。这样，在将第一或第二扫描电极部在该变细的部分切断时，能够以厚栅极绝缘膜抑制金属的卷起。

本液晶面板的特征在于包括上述有源矩阵基板。

在本液晶面板中，能够采用下述结构，在与有源矩阵基板对置的基板上形成的黑矩阵与上述开口部重合。

本液晶显示单元的特征在于包括上述液晶面板和驱动器。

本液晶显示装置的特征在于包括上述液晶显示单元和照明装置。

本电视接收机的特征在于包括上述液晶显示装置、和接收电视广播的调谐部。

本发明的液晶面板的制造方法，其用于制造包括有源矩阵基板的液晶面板，该有源矩阵基板包括：在行方向延伸(例如，以横切各像素区域的方式在行方向延伸)的扫描信号线；在列方向延伸(例如，沿着各像素区域在列方向延伸)的数据信号线；和形成在扫描信号线和数据信号线的交叉部附近，以该扫描信号线作为栅极电极，并且与该数据信号线连接的第一晶体管和第二晶体管，在各像素区域，设置有与第一晶体管连接的第一像素电极、和与该第二晶体管连接的第二像素电极，该液晶面板的制造方法的特征在于，包括：形成扫描信号线的第一工序，该扫描信号线具有位于上述交叉部附近的开口部、和作为该开口部的两侧部分的隔着开口部在列方向上相对的第一扫描电极部和第二扫描电极部；和第二工序，在该第二工序中形成：位于第一扫描电极部上的第一晶体管的漏极电极；位于夹着该漏极电极的位置的第一晶体管的两个源极电极；连接其中一个源极电极和数据信号线，且位于开口部上的第一内侧源极延伸电极；连接另一个源极电极和数据信号线，且位于扫描信号线的外部区域上的第一外侧源极延伸电极；位于第二扫描电极部上的第二晶体管的漏极电极；位于夹着该漏极电极的位置的第二晶体管的两个源极电极；连接其中一个源极电极和数据信号线，且位于开口部上的第二内侧源极延伸电极；和连接另一个源极电极和数据信号线，且位于扫描信号线的外部区域上的第二外侧源极延伸电极，而且，作为修正工序，包括下述工序中的至少一个：切断第一内侧源极延伸电极和第二内侧源极延伸电极以及第一外侧源极延伸电极和第二外侧源极延伸电极中的任一个的工序；将数据信号线在其与第一外侧源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与第一内侧源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与第二内侧源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与第二外侧源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将第一扫描电极部在位于第一外侧源极延伸电极和第一内侧源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序；和将第二扫描电极部在位于第二内侧源极延伸电极和第二外侧源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序。

在本发明的液晶面板的制造方法中，在上述修正工序中包括：检测由数据信号线或与其相连的源极电极与扫描信号线的短路引起的异常，并且将该数据信号线在其与位于该数据信号线和该扫描信号线的交叉部附近的像素区域的第一内侧源极延伸电极的连结部分和其与该像素区域的第二内侧源极延伸电极的连结部分之间进行切断，从而判定上述短路是位于该扫描信号线的第一扫描电极部还是位于第二扫描电极部的工序；和在上述短路位于第一扫描电极部的情况下，将第一扫描电极部在位于其行方向的两个端部中位于像素区域外的一方切断，并且将其位于第一外侧源极延伸电极和第一内侧源极延伸电极的间隙下的部分切断，在这样仍无法消除上述异常的情况下，切断第一外侧源极延伸电极或第一内侧源极延伸电极，在上述短路位于上述第二扫描电极部的情况下，将第二扫描电极部在位于其行方向的两个端部中位于像素区域外的一方切断，并且将其位于第二外侧源极延伸电极和第二内侧源极延伸电极的间隙下的部分切断，在这样仍无法消除上述异常的情况下，切断第二外侧源极延伸电极或第二内侧源极延伸电极的工序。

本发明的液晶面板的制造方法，其用于制造包括有源矩阵基板的液晶面板，该有源矩阵基板包括：在行方向延伸(例如，以横切各像素区域的方式在行方向延伸)的扫描信号线；在列方向延伸(例如，沿着各像素区域在列方向延伸)的数据信号线；和形成在扫描信号线和数据信号线的交叉部附近，以该扫描信号线作为栅极电极，并且与该数据信号线连接的第一晶体管和第二晶体管，在各像素区域，设置有与第一晶体管连接的第一像素电极、和与该第二晶体管连接的第二像素电极，该液晶面板的制造方法的特征在于，包括：形成扫描信号线的第一工序，该扫描信号线具有位于上述交叉部附近的开口部、和作为该开口部的两侧部分的隔着开口部在列方向上相对的第一扫描电极部和第二扫描电极部；和第二工序，在该第二工序中形成：作为第一晶体管和第二晶体管的共用的源极电极起作用，与第一扫描电极部和第二扫描电极部以及开口部重合的共用的源极电极；连接该共用的源极电极和数据信号线，且位于开口部上的共用的源极延伸电极；位于第一扫描电极部上的第一晶体管的漏极电极；与上述共用的源极电极一同夹着该漏极电极的第一晶体管的源极电极；连接该源极电极和数据信号线，且位于扫描信号线的外部区域上的第一外侧源极延伸电极；位于第二扫描电极部上的第二晶体管的漏极电极；与上述共用的源极电极一同夹着该漏极电极的第二晶体管的源极电极；和连接该源极电极和数据信号线，且位于扫描信号线的外部区域上的第二外侧源极延伸电极，而且，作为修正工序，包括下述工序中的至少一个：切断上述共用的源极延伸电极以及第一外侧源极延伸电极和第二外侧源极延伸电极中的任一个的工序；将数据信号线在其与第一外侧源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与共用的源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与共用的源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与第二外侧源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将第一扫描电极部在位于第一外侧源极延伸电极和共用的源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序；和将第二扫描电极部在位于第二外侧源极延伸电极和共用的源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序。

这样，根据本发明，在像素分割方式的有源矩阵基板中，能够在尽可能地维持各晶体管的功能的同时修正SG泄漏。

附图说明

图1是表示实施方式1的有源矩阵基板的结构的平面图。

图2是表示具有图1的有源矩阵基板的液晶面板的结构的平面图。

图3是表示图1的有源矩阵基板中的半导体层的位置的平面图。

图4是沿图3所示的虚线P的截面图。

图5是沿图3所示的虚线Q的截面图。

图6是沿图3所示的虚线R的截面图。

图7是表示修正图1的有源矩阵基板时的切断位置和发生短路位置的平面图。

图8是说明图1所示的有源矩阵基板的修正方法的截面图。

图9是表示具有图1的有源矩阵基板的液晶面板的结构的截面图。

图10是说明图9所示的液晶面板的修正方法的截面图。

图11是说明图1所示的有源矩阵基板的黑点化处理的截面图。

图12是表示SG泄漏引起的十字线缺陷的示意图。

图13是表示实施方式2的有源矩阵基板的结构的平面图。

图14是表示修正图13的有源矩阵基板时的切断位置和发生短路位置的平面图。

图15是表示实施方式3的有源矩阵基板的结构的平面图。

图16是表示修正图15的有源矩阵基板时的切断位置和发生短路位置的平面图。

图17是表示实施方式4的有源矩阵基板的结构的平面图。

图18是表示修正图17的有源矩阵基板时的切断位置和发生短路位置的平面图。

图19是表示实施方式5的有源矩阵基板的结构的平面图。

图20是表示修正图19的有源矩阵基板时的切断位置和发生短路位置的平面图。

图21是表示实施方式5的有源矩阵基板的另一结构的平面图。

图22是表示实施方式6的有源矩阵基板的结构的截面图。

图23是表示具有图22的有源矩阵基板的液晶面板的结构的截面图。

图24是表示实施方式6的有源矩阵基板的另一结构的平面图。

图25是表示实施方式6的有源矩阵基板的另一结构的截面图。

图26是表示实施方式7的有源矩阵基板的结构的平面图。

图27是表示修正图26的有源矩阵基板时的切断位置和发生短路位置的平面图。

图28(a)是表示本液晶显示单元的结构的示意图，(b)是表示本液晶显示装置的结构的示意图。

图29是表示对本液晶面板的偏光板安装方法的示意图。

图30是表示本液晶显示装置的驱动方法的时序图。

图31是表示本液晶显示装置的另一驱动方法的时序图。

图32是说明本液晶显示装置的功能的框图。

图33是说明本电视接收机的功能的框图。

图34是表示本电视接收机的结构的分解立体图。

图35是表示现有的有源矩阵基板的结构及其修正方法的平面图。

符号说明

3a～3d 3x有源矩阵基板

5像素区域

8a、8b漏极电极

9ax、9ay源极电极

9bx、9by源极电极

9z共用源极电极

10ax、10ay源极延伸电极

10bx、10by源极延伸电极

12a第一晶体管

12b第二晶体管

15数据信号线

16扫描信号线

16a第一扫描电极部

16b第二扫描电极部

17a第一像素电极

17b第二像素电极

18a第一保持电容配线

18b第二保持电容配线

18ax第一保持电容配线延伸部

18bx第二保持电容配线延伸部

23栅极绝缘膜

25层间绝缘膜

29开口部

35彩色滤光片基板

100液晶显示单元

110液晶显示装置

601电视接收机

EP1、EP2第一、第二端部

Wa、Wb(扫描电极部的)变细部

具体实施方式

使用图1～34说明本发明的实施方式的例子，如下所述。

[实施方式1]

图1是表示本实施方式1的有源矩阵基板的一部分的(透视)平面图。如该图所示，有源矩阵基板3a具有：相互正交的数据信号线15和扫描信号线16；第一保持电容配线和第二保持电容配线18a、18b；和配置为矩阵状的像素区域5。其中，数据信号线15配置在扫描信号线16的上层。扫描信号线16以横穿各像素区域5的方式在行方向(图中左右方向)上延伸，数据信号线15沿着各像素区域在列方向(图中上下方向)上延伸，第一保持电容配线和第二保持电容配线18a、18b分别以与在列方向上相邻的2个像素区域各自的端部重合的方式在行方向(图中左右方向)上延伸。

在各像素区域5中，形成有第一晶体管12a、第二晶体管12b、第一像素电极17a、第二像素电极17b、第一保持电容配线18a的一部分、第二保持电容配线18b的一部分、第一漏极引出配线27a、第二漏极引出配线27b、第一接触孔11a、和第二接触孔11b。

在横穿像素区域5的中央部的扫描信号线16，形成有从像素区域外通过数据信号线15之下到达像素区域内的长方形形状的开口部29，在扫描信号线16中，开口部29的两侧部分，即隔着开口部29在列方向上相对的部分成为第一扫描电极部和第二扫描电极部16a、16b。该第一扫描电极部16a的一部分作为第一晶体管12a的栅极电极起作用，第二扫描电极部16b的一部分作为第二晶体管12b的栅极电极起作用。此外，令第一扫描电极部16a的位于行方向的两个端部中位于像素区域外的一方为第一端部EP1，令第二扫描电极部16b的位于行方向的两个端部中位于像素区域外的一方为第二端部EP2。

第一像素电极17a配置在扫描信号线16的一侧(图中上侧)，第二像素电极17b配置在扫描信号线16的另一侧(图中下侧)，在使用本有源矩阵基板3a构成液晶面板的情况下，利用第一像素电极17a、形成在彩色滤光片基板上的对置电极(共用电极)、和两电极间的液晶材料形成第一像素电容，利用第二像素电极17b、上述对置电极、和两电极间的液晶材料形成第二像素电容。此外，在以本有源矩阵基板3a作为液晶面板的情况下，扫描信号线16的开口部29如图2所示与黑矩阵BM重合，因此不会有光泄漏等的担忧。

此处，第一晶体管12a包括设置在第一扫描电极部16a上的漏极电极8a、和以在列方向上夹着漏极电极8a的方式设置的两个源极电极9ax、9ay，源极电极9ax通过形成在开口部29上的漏极延伸电极10ax(第一内侧源极延伸电极)与数据信号线15连接，源极电极9ay跨过第一扫描电极部16a通过形成在源极延伸电极10ax的相反侧(扫描信号线16的外部区域上)的源极延伸电极10ay(第一外侧源极延伸电极)与数据信号线15连接。此外，第二晶体管12b包括设置在第二扫描电极部16b上的漏极电极8b、和以在列方向上夹着漏极电极8b的方式设置的两个源极电极9bx、9by，源极电极9bx通过形成在开口部29上的漏极延伸电极10bx(第二内侧源极延伸电极)与数据信号线15连接，源极电极9by跨过第二扫描电极部16b通过形成在源极延伸电极10bx的相反侧(扫描信号线16的外部区域上)的源极延伸电极10by(第二外侧源极延伸电极)与数据信号线15连接。

此外，第一扫描电极部16a，在俯视图中，在被源极延伸电极10ax与源极延伸电极10ay夹着的部分的至少一部分中具有变细部Wa，此外，第二扫描电极部16b，在俯视图中，在被源极延伸电极10bx与源极延伸电极10by夹着的部分的至少一部分中具有变细部Wb。该变细部Wa使得在SG泄漏修正时(后述)容易切断源极延伸电极10ay、10ax，变细部Wb使得在SG泄漏修正时(后述)容易切断源极延伸电极10bx、10by。通过设置变细部Wa，使得能够切断位于扫描信号线16的外部区域上的源极延伸电极10ay，并且能够使其接近扫描信号线16(第一扫描电极部16a)，由此能够提高开口率。同样地，通过设置变细部Wb，使得能够切断位于扫描信号线16的外部区域上的源极延伸电极10by，并且能够使其接近扫描信号线16(第一扫描电极部16b)，由此能够提高开口率。

而且，第一晶体管的漏极电极8a通过第一漏极引出配线27a和接触孔11a与第一像素电极17a连接。此外，在第一像素电极17a和第一保持电容配线18a的重叠部形成第一保持电容。同样地，第二晶体管的漏极电极8b通过第二漏极引出配线27b和接触孔11b与第二像素电极17b连接。此外，在第二像素电极17b和第二保持电容配线18b的重叠部形成第二保持电容。此外，第一保持电容配线延伸部18ax从第一保持电容配线18a被引出，其前端部与漏极引出配线27a的前端部重叠。此外，第二保持电容配线延伸部18bx从第二保持电容配线18b被引出，其前端部与漏极引出配线27b的前端部重叠。

根据上述结构，从数据信号线15向第一像素电极17a和第二像素电极17b供给相同的信号电位，但通过个别地控制第一第二保持电容配线18a、18b的电位，能够通过第一保持电容和第二保持电容使第一像素电极17a和第二像素电极17b为不同的电位。即，在具有本有源矩阵基板3a的液晶显示装置中，能够在一个像素中形成不同的亮度区域，表现基于面积灰度等级的中间灰度，能够改善画面的泛白。

图3是表示图1中的半导体层的位置的图，图4是沿图3的虚线P的向视截面图。如图3、4所示，在本有源矩阵基板3a中，在基板30上形成有第一扫描电极部16a(扫描信号线16)，在其上层形成有栅极绝缘膜23。在栅极绝缘膜23的上层，隔着半导体层24，形成有两个源极电极9ax、9ay和被它们夹着的漏极电极8a。在源极电极9ax、9ay和漏极电极8a的上层形成有层间绝缘膜(无机层间绝缘膜)25，在层间绝缘膜25上形成有第一像素电极17a。而且，第一像素电极17a被取向膜79覆盖。

图5是沿图3的虚线Q的向视截面图。如图3、5所示，在本有源矩阵基板3a中，在基板30上形成有从保持电容配线18a引出的保持电容延伸部18ax，在其上层形成有栅极绝缘膜23。在栅极绝缘膜23的上层形成有漏极引出配线27a。此处，第一保持电容配线延伸部18ax的前端部和漏极引出配线27a的前端部重叠。进而，在漏极引出配线27a的上层形成有层间绝缘膜(无机层间绝缘膜)25，在层间绝缘膜25上形成有第一像素电极17a。该第一像素电极17a被取向膜79覆盖。另外，以与第一保持电容配线延伸部18ax和漏极引出配线27a的重叠部重合的方式形成有接触孔11a。在该接触孔11a中除去层间绝缘膜25，从而达到漏极引出配线27a和第一像素电极17a的连接。

图6是沿图3的虚线R的向视截面图。如图3、6所示，在本有源矩阵基板3a中，在基板30上形成有第一扫描电极部16a(扫描信号线16)，在其上层形成有栅极绝缘膜23。在栅极绝缘膜23的上层形成有源极延伸电极10ay和源极延伸电极10ax。在源极延伸电极10ay、10ax的上层形成有层间绝缘膜(无机层间绝缘膜)25，在层间绝缘膜25上形成有取向膜79。

以下说明本有源矩阵基板3a中的SG泄漏修正方法。图7是图1中第一晶体管和第二晶体管12a、12b附近的放大图。而且，使供给至数据信号线15的信号电位的朝向为图中从上向下(箭头的朝向)。SG泄漏是由于在一个像素电极中，图中×标记(α1、α2、β1、β2、γ、δ这六个位置)中的至少一个的短路所引起的。即，α1处的第一扫描电极部16a与源极电极9ay的短路、α2处的第一扫描电极部16a与源极电极9ax的短路、β1处的第二扫描电极部16b与源极电极9bx的短路、β2处的第二扫描电极部16b与源极电极9by的短路、γ处的第一扫描电极部16a与数据信号线15的短路、以及δ处的第二扫描电极部16b与数据信号线15的短路。

另一方面，修正工序中的配线或电极的切断，在图7的A、C、D、F、G、H、J、K、L、M和N中的至少一个位置进行。其中，A是源极延伸电极10ay中在俯视图中与第一扫描电极部16a的变细部Wa相对的部分，C是源极延伸电极10ax中在俯视图中与第一扫描电极部16a的变细部Wa相对的部分，D是源极延伸电极10bx中在俯视图中与第二扫描电极部16b的变细部Wb相对的部分，F是源极延伸电极10by中在俯视图中与第二扫描电极部16b的变细部Wb相对的部分，G是数据信号线15中比源极延伸电极10ay的根部更靠上游侧的部分，H是数据信号线15中被源极延伸电极10ay的根部和上侧的交叉部(数据信号线15和第一扫描电极部16a的交叉部)夹着的部分，J是数据信号线15中被源极延伸电极10ax的根部和上侧的交叉部夹着的部分，K是数据信号线15中被源极延伸电极10ax的根部和源极延伸电极10bx的根部夹着的部分，L是数据信号线15中被源极延伸电极10bx的根部和下侧的交叉部(数据信号线15和第二扫描电极部16b的交叉部)夹着的部分，M是数据信号线15中被源极延伸电极10by的根部和下侧的交叉部夹着的部分，N是数据信号线15中比源极延伸电极10by的根部更靠下游侧的部分。

此处，在通过检查工序能够确定短路位置为α1、α2、β1、β2、γ、δ中的哪一个的情况下，进行以下的修正工序即可。即，如果在α1发生短路则进行A处的切断，如果在α2发生短路则进行C处的切断，如果在β1发生短路则进行D处的切断，如果在β2发生短路则进行F处的切断，如果在γ发生短路，则进行H和J处的切断，并且使备用配线与数据信号线15中比J更靠下游侧的部分连接，如果在δ发生短路，则进行L和M处的切断，并且使备用配线与数据信号线15中比M更靠下游侧的部分连接。此时，在α1、α2、β1、β2中的某一个发生短路的情况下，在修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b也分别能够发挥功能(在发生短路的晶体管中起作用的源极电极成为1个)，且在修正工序中不需要备用配线的连接。此外，在γ、δ中的某一个发生短路的情况下，需要备用配线的连接，但修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b分别能够发挥功能(在各晶体管中两个源极电极起作用)。

另外，在γ短路的情况下，也可以进行G和J处的切断或H和K处的切断。在该情况下，也需要备用配线的连接，但修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b分别能够发挥功能(在第一晶体管12a中一个源极电极起作用，在第二晶体管12a中两个源极电极起作用)。同样，在δ短路的情况下，也可以进行L和N处的切断或K和M处的切断。在该情况下，也需要备用配线的连接，但修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b分别能够发挥功能(在第一晶体管12a中两个源极电极起作用，在第二晶体管12b中一个源极电极起作用)。

此外，在包括K处的切断的通过检查工序能够确定短路位置位于第一扫描电极部侧(α1、α2、γ中的任一个)、或短路位置位于第二扫描电极部侧(β1、β2、δ中的任一个)的情况下，进行以下的修正工序即可。例如，如果在第一扫描电极部侧发生短路，则首先进行H处的切断，如果这样还不能够消除SG泄漏则进行A处的切断。另外，无论是在哪个阶段(H、A的切断)被消除，均需要使备用配线与数据信号线15中比K更靠下游侧的部分连接。

在该情况下，如果通过H处的切断能够消除SG泄漏(如果是在γ或α2短路)，则修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b能够发挥功能(在晶体管12a中一个源极电极起作用)。如果通过H处的切断不能够消除(如果是在α1短路)，则因为进行A处的切断，第一晶体管12a不起作用(第二晶体管12b起作用)。于是，如图3、图11所示，进行漏极引出配线27a与第一保持电容配线延伸部18ax的连接(黑点化处理)。具体地说，对漏极引出配线27a的前端部和第一保持电容配线延伸部18ax的前端部进行熔融连接，从而使第一像素电极17a与第一保持电容配线18a连接。由此，在具有本有源矩阵基板的液晶显示装置中，能够使包括与缺陷晶体管(12a)连接的第一像素电极17a的子像素黑点化。

此外，在完全无法确定短路位置为α1、α2、β1、β2、γ、δ中的哪一个的情况下，进行以下的修正工序即可。首先，进行A处的切断，如果仍无法消除SG泄漏则进行D处的切断，如果仍无法消除则进行C处的切断，如果还无法消除则进行F处的切断，如果还无法消除则进行G和N的切断，并且使备用配线与数据信号线15中比N更靠下游侧的部分连接。

在该情况下，如果通过A处的切断能够消除SG泄漏(如果是在α1短路)，则修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b分别能够发挥功能(在晶体管12a中一个源极电极起作用，在晶体管12b中两个源极电极起作用)。如果通过D处的切断能够消除(如果是在β1短路)，则修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b分别能够发挥功能(在晶体管12a中一个源极电极起作用，在晶体管12b中也是一个源极电极起作用)。如果通过C处的切断能够消除(如果是在α2短路)，则修正后，虽然第二晶体管12b能够发挥功能，但第一晶体管12a变得不起作用，因此，进行漏极引出配线27a与第一保持电容配线延伸部18ax的连接(黑点化处理)。如果通过F处的切断能够消除(如果是在β2短路)，则修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b均变得不起作用，因此，进行漏极引出配线27a与第一保持电容配线延伸部18ax的连接(黑点化处理)，而且进行漏极引出配线27b与第二保持电容配线延伸部18bx的连接(黑点化处理)(参照图1)。另外，如果在以上的任一阶段能够消除，则不需要备用配线的连接。在通过F处的切断不能够消除(在γ或δ短路)的情况下，进行G和N处的切断，因此需要如上所述进行备用配线的连接。而且，因为第一晶体管和第二晶体管12a、12b均变得不起作用，所以进行漏极引出配线27a与第一保持电容配线延伸部18ax的连接(黑点化处理)，而且进行漏极引出配线27b与第二保持电容配线延伸部18bx的连接(黑点化处理)(参照图1)。

图8是以截面图说明在图7的A处切断的状态。如该图所示，修正工序中的切断(破坏分离)通过从有源矩阵基板的表面照射激光而进行。使用的激光并无特别限定，例如能够使用YAG(钇铝石榴石)激光，作为使用的波长能够举出YAG激光的第四高频波(波长266nm)等。

另外，作为检测有源矩阵基板的SG泄漏的方法，例如能够使用根据电场强度使光透过率变化的调制器。在该调制器的一个面上形成有透明电极，在另一个面上形成有光反射面。此处，在调制器的光反射面侧设置有源矩阵基板，在有源矩阵基板与调制器的透明电极之间产生电场，从调制器的透明电极侧向调制器内部照射光。于是，透过调制器内部并被其反射面反射的光被CCD(电荷耦合元件)摄像机接受，基于该反射光的强度，确定短路位置(SG泄漏位置)。在发生SG泄漏的情况下，将短路的扫描信号线上的像素区域、和包括与短路的数据信号线连接的晶体管的像素区域识别为十字线缺陷，因此，通过在显微镜下确认十字线的交点，能够检测出短路坐标位置(SG泄漏位置)(参照图12)。

此外，也可以通过利用图案识别的外观检查检测出SG泄漏。即，在相邻的像素区域间比较反射光的图案，基于其比较结果检测出SG泄漏位置。

另外，有源矩阵基板3a为下述结构，在第一扫描电极部16a上形成漏极电极8a，夹着它的两个源极电极9ax、9ay分别以跨第一扫描电极的边缘的方式配置。即，源极电极9ax与开口部29和第一扫描电极部16a重合，源极电极9ay与第一扫描电极部16a和第一扫描电极部16a的外部区域重合。由此，即使漏极电极8a和源极电极9ax、9ay的排列相对于扫描信号线16在列方向上存在偏移，第一扫描电极部16a与源极电极9ax、9ay的重合面积的和也不会变。例如，如果由于排列错位使得第一扫描电极部16a和源极电极9ax的重合增加，则第一扫描电极部16a与第一源极电极9ay的重合减少。即，能够大幅抑制由于排列错位引起的第一扫描电极部16a和源极电极9ax、9ay间的寄生电容的变动。第二扫描电极部16b和源极电极9bx、9by的关系也是同样。这样，根据有源矩阵基板3a，能够抑制由于在光刻工序的每个曝光区域中上述寄生电容产生偏差而导致的显示品质的下降。

以下，说明有源矩阵基板的制造方法的一个例子。

首先，在玻璃、塑料等透明绝缘性基板上，例如通过溅射法等方法以的膜厚形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属膜或它们的合金膜或它们的叠层膜，将其通过光蚀刻法图案化为需要的形状，从而形成扫描信号线(作为各晶体管的栅极电极起作用)、各保持电容配线、保持电容配线延伸部。另外，在本有源矩阵基板中，在扫描信号线形成开口部(从而在开口部的两侧形成两个扫描电极部)，在各扫描电极部形成变细部。

接着，通过等离子体CVD(化学气相生长)法等连接形成作为栅极绝缘膜的氮化硅膜(SiNx)、由非晶硅、多晶硅等构成的高电阻半导体层、和n+非晶硅等的低电阻半导体层，通过光蚀刻法进行图案化。另外，作为栅极绝缘膜的氮化硅膜例如膜厚为

左右，作为高电阻半导体层的非晶硅膜例如膜厚为

左右，作为低电阻半导体层的n+非晶硅膜例如膜厚为

左右。

接着，通过溅射法等方法以的膜厚形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属膜或它们的合金膜或它们的叠层膜，通过光蚀刻法图案化为需要的形状，从而形成数据信号线、源极电极、漏极电极、源极延伸电极和漏极引出配线。在本有源矩阵基板中，将夹着扫描电极部的两个源极延伸电极以使其一方位于(扫描信号线的)开口部上，使另一方位于扫描信号线的外部区域上的方式形成。

接着，对非晶硅膜等的高电阻半导体层(i层)、n+非晶硅膜等的低电阻半导体层(n+层)，以数据信号线、源极电极、漏极电极、源极延伸电极和漏极引出电极的图案为掩模，通过干蚀刻进行沟道蚀刻。通过该工艺使i层的膜厚最佳化，形成各晶体管(沟道区域)。此处，没有被数据信号线、源极电极、漏极电极、和漏极引出电极覆盖的半导体层被蚀刻除去，保留实现各晶体管的能力所必需的i层膜厚。

接着，作为层间绝缘膜，将感光性丙烯酸树脂膜或氮化硅、氧化硅等无机绝缘膜，或它们的叠层膜等，以覆盖各晶体管(沟道区域)、扫描信号线、数据信号线、源极电极、漏极电极、和漏极引出配线的方式形成。此处，能够使用通过等离子体CVD法等成膜的膜厚为左右的氮化硅膜、通过旋涂法形成的膜厚为

的感光性丙烯酸树脂膜或它们的叠层膜。在本有源矩阵基板中，作为层间绝缘膜(图4～6的层间绝缘膜25、钝化膜)形成氮化硅膜。另外，作为层间绝缘膜，能够使用聚酰亚胺树脂膜、不具有感光性的树脂膜、或旋涂玻璃(SOG)膜等。

接着，基于接触孔的位置，蚀刻层间绝缘膜形成孔。此处，例如通过光刻法(曝光和显影)使感光性抗蚀剂图案化，进行蚀刻。接着，在层间绝缘膜上，通过溅射法等以

左右的膜厚形成例如ITO(铟锡氧化物)、IZO、氧化锌、氧化锡等具有透明性的导电膜，将其通过光蚀刻法等图案化为需要的形状，从而形成各像素电极。另外，在使用于MVA方式的液晶面板中的有源矩阵基板中，各像素电极形成为包括狭缝等的形状。

然后，通过喷墨法等涂敷取向膜。通过以上过程形成有源矩阵基板。

进一步，短路位置(SG泄漏)的检测及其修正工序，在该检测中使用上述调制器的情况下，至少在形成各像素电极之后进行，但在该检测中使用图案识别的情况下，能够在数据信号线形成后、沟道蚀刻后进行。

接着，说明在有源矩阵基板与作为对置基板的彩色滤光片基板之间封入液晶的方法等。

关于液晶的封入方法，能够使用在热固化型密封树脂中设置用于液晶注入的注入口，在真空下将注入口浸入液晶中，通过进行大气开放而注入液晶，之后由UV固化树脂等封住注入口的方法(真空注入法)。此外，也可以如以下所述以液晶滴下贴合法进行。

在有源矩阵基板侧的周围，涂敷含有玻璃纤维等的间隔物的UV固化型密封树脂，使用液晶滴下法在彩色滤光片基板侧进行液晶的滴下。通过液晶滴下法能够将最佳的液晶量规则地滴下至密封的内侧部分。该滴下量根据单元间隙值和单元内应该填充液晶的容积值而决定。

接着，为了使如上所述进行了密封描绘和液晶滴下的彩色滤光片基板和有源矩阵基板贴合，使贴合装置内的气氛减压至1Pa，在该减压状态下进行两基板的贴合。这样，通过使气氛为大气压，密封部分被压溃。

接着，通过UV固化装置进行UV照射，进行密封树脂的临时固化。然后，为了进行密封树脂的最终固化而进行烘培。在该时刻液晶遍布密封树脂的内侧，成为液晶填充在单元内的状态。

另外，在彩色滤光片基板上，形成有与有源矩阵基板的各像素对应配置为矩阵状的着色层(R、G、B)、设置在各着色层的间隙的黑矩阵、对置电极(共用电极)等，通过将这样的彩色滤光片基板与本有源矩阵基板贴合，如上所述进行液晶的注入、密封，形成本液晶面板。

图9是表示具有图1(图3)的有源矩阵基板的本液晶面板的一个例子的截面图(包括图3的虚线R的截面图)。其中，有源矩阵基板3a如图6所说明的那样。如图9所示，在本液晶面板的彩色滤光片基板35中，在基板31上形成有黑矩阵(BM)13，在其上层形成有共用电极(对置电极)28，共用电极28被取向膜19覆盖。而且，在该彩色滤光片基板35与有源矩阵基板3a之间形成有液晶层40。

SG泄漏的检测和修正工序，可以如上所述在有源矩阵基板的制造工序中进行，但也能够在成为液晶面板之后进行。在该情况下，在液晶面板两面均配置偏光板，并且对液晶面板供给规定的电信号，通过从液晶面板背面的光照射而显示规定图像。在发生SG泄漏的情况下，短路的扫描信号线上的像素区域、和包含与短路的数据信号线连接的晶体管的像素区域被识别为十字线缺陷，因此在如上所述使液晶面板进行显示的状态下，利用显微镜能够从有源矩阵基板侧确认十字线的交点，从而能够检测出短路坐标位置(SG泄漏位置)(参照图12)。检测后的修正内容与上述的有源矩阵基板的修正工序相同。

图10以截面图说明图9所示的液晶面板中的源极延伸电极10ay的切断。如该图所示，电极切断(破坏分离)通过从液晶面板的背面照射激光而进行。

如上所述，SG泄漏(短路)的检测和短路修正工序在有源矩阵基板的阶段或液晶面板的阶段进行即可，但也可以在有源矩阵基板的阶段和液晶面板的阶段这两者中均进行。这样，能够以更高的准确率防止含有缺陷的不良品被送至后面工序(例如后述的液晶显示单元、电视接收机的制造工序等)的情况。

[实施方式2]

也可以使图1的有源矩阵基板3a如下所述地进行变形。即，对第一扫描电极部16a的像素区域外的端部EP1和第二扫描电极部16b的像素区域外的端部EP2分别进行切入，使该部分变细，容易切断。具有该结构的有源矩阵基板3b表示于图13，以下说明本有源矩阵基板3b中的SG泄漏修正方法。图14是图13中第一晶体管和第二晶体管12a、12b附近的放大图。而且，使供给至数据信号线15的信号电位的朝向为图中从上向下(箭头的朝向)。能够发生SG泄漏的位置(α1、α2、β1、β2、γ、δ)如图7所说明的那样。

修正工序中的配线或电极的切断，在图14的A、C、D、F、G、K、N、B和S、E和T中的至少一个位置进行。其中，B是第一扫描电极部16a的变细部Wa的部分，E是第二扫描电极部16b的变细部Wb的部分，S是第一扫描电极部16a的端部EP1的部分，T是第二扫描电极部16b的端部EP2的部分。其它位置(A、C、D、F、G、K、N)如图7所述。

此处，在通过检查工序能够确定短路位置为α1、α2、β1、β2、γ、δ中的哪一个的情况下，进行以下的修正工序即可。即，如果在α1发生短路则进行A处的切断，如果在α2发生短路则进行C处的切断，如果在β1发生短路则进行D处的切断，如果在β2发生短路则进行F处的切断，如果在γ发生短路，则进行S和B处的切断，如果在δ发生短路，则进行T和E处的切断。根据该结构，在α1、α2、β1、β2中的某一个发生短路的情况下，在修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b也分别能够发挥功能(在发生短路的晶体管中起作用的源极电极成为1个)，且在修正工序中不需要备用配线的连接。此外，在γ、δ中的某一个发生短路的情况下，在修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b也分别能够发挥功能(在晶体管12a、12b中分别是两个源极电极起作用)，且在修正工序中不需要备用配线的连接。

此外，在包括K处的切断的通过检查工序能够确定短路位置位于第一扫描电极部侧(α1、α2、γ中的任一个)、或短路位置位于第二扫描电极部侧(β1、β2、δ中的任一个)的情况下，进行以下的修正工序即可。

例如，如果在第一扫描电极部侧发生短路，则首先进行S和B处的切断，如果这样还不能够消除SG泄漏则进行A处的切断，如果这样还不能够消除则进行C处的切断。另外，无论是在哪个阶段(S和B、A、C处的切断)被消除，均需要备用配线的连接。在该情况下，如果通过S和B处的切断能够消除(如果是在γ短路)，则修正后，第一晶体管和第二晶体管12a能够发挥功能(在晶体管12a中两个源极电极起作用)。如果通过A处的切断能够消除(如果是在α1短路)，则修正后，第一晶体管和第二晶体管12a能够发挥功能(在晶体管12a中一个源极电极起作用)。另一方面，在通过A处的切断不能够消除(在α2短路)的情况下，因为进行C处的切断，所以第一晶体管12a变得不起作用(第二晶体管12b起作用)。由此，进行漏极引出配线27a与第一保持电容配线延伸部18ax的连接(黑点化处理)(参照图13)。

此外，在完全无法确定短路位置为α1、α2、β1、β2、γ、δ中的哪一个的情况下，进行以下的修正工序即可。首先，进行S和B处的切断，如果仍无法消除SG泄漏则进行A处的切断，如果仍无法消除则进行D处的切断，如果还无法消除则进行C处的切断，如果还无法消除则进行F处的切断，如果还无法消除则进行G和N(或K和N)处的切断，并且使备用配线与数据信号线15中比N更靠下游侧的部分连接。

在该情况下，如果通过S和B处的切断能够消除SG泄漏(如果是在γ短路)，则修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b分别能够发挥功能(在晶体管12a、12b中分别是两个源极电极起作用)。如果通过A处的切断能够消除(如果是在α1短路)，则修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b分别能够发挥功能(在晶体管12a中一个源极电极起作用，在晶体管12b中两个源极电极起作用)。如果通过D处的切断能够消除(如果是在β1短路)，则修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b分别能够发挥功能(在晶体管12a中一个源极电极起作用，在晶体管12b中也是一个源极电极起作用)。如果通过C处的切断能够消除(如果是在α2短路)，则修正后，虽然第二晶体管12b能够发挥功能，但第一晶体管12a变得不起作用，因此，进行漏极引出配线27a与第一保持电容配线延伸部18ax的连接(黑点化处理)(参照图13)。如果通过F处的切断能够消除(如果是在β2短路)，则修正后，第一晶体管和第二晶体管12a、12b均变得不起作用，因此，进行漏极引出配线27a与第一保持电容配线延伸部18ax的连接(黑点化处理)，而且进行漏极引出配线27b与第二保持电容配线延伸部18bx的连接(黑点化处理)(参照图13)。另外，如果在以上的任一阶段能够消除，则不需要备用配线的连接。另一方面，在通过F处的切断不能够消除(在δ短路)的情况下，进行G和N(或K和N)处的切断，因此需要如上所述进行备用配线的连接。而且，因为第一晶体管和第二晶体管12a、12b均变得不起作用，所以需要进行漏极引出配线27a与第一保持电容配线延伸部18ax的连接(黑点化处理)，而且进行漏极引出配线27b与第二保持电容配线延伸部18bx的连接(黑点化处理)。另外，也可以进行T和E处的切断以代替S和B处的切断。

在本有源矩阵基板3b中，在数据信号线15下发生短路的情况下，能够将已短路的扫描电极部从扫描信号线16主体切离，具有能够使不连接备用配线即可完成修正的情况增加的效果。此外，在本有源矩阵基板3b中，能够将用于使源极延伸电极的切断容易进行的变细部Wa、Wb用于扫描信号线16(扫描电极部16a、16b)的切断用，因此能够不用另外形成扫描信号线的切断用的变细部，对于扫描信号线的低电阻化、开口率的提高是有利的。

[实施方式3]

也可以使图1的有源矩阵基板3a如下所述地进行变形。即，使位于第一晶体管的开口部29侧的源极电极9ax、和位于第二晶体管的开口部29侧的源极电极9bx一体化，使其为共用源极电极9z。

具有该结构的有源矩阵基板3c表示于图15。如该图所示，第一晶体管和第二晶体管12a、12b具有共用源极电极9z，共用源极电极9z以与第一扫描电极部和第二扫描电极部16a、16b以及开口部29重合的方式配置，并且通过形成在开口部29上的源极延伸电极10z(共用的源极延伸电极)与数据信号线15连接。另外，漏极电极8a设置在第一扫描电极部16a上，源极电极9ay以与共用源极电极9z一同夹着漏极电极8a的方式设置，源极电极9ay通过夹着第一扫描电极部16a形成在源极延伸电极10z的相反侧的源极延伸电极10ay与数据信号线15连接。此外，漏极电极8b设置在第二扫描电极部16b上，源极电极9by以与共用源极电极9z一同夹着漏极电极8b的方式设置，源极电极9by通过夹着第二扫描电极部16b形成在源极延伸电极10z的相反侧的源极延伸电极10ay与数据信号线15连接。

以下说明本有源矩阵基板3c中的SG泄漏修正方法。图16是图15中第一晶体管和第二晶体管12a、12b附近的放大图。而且，使供给至数据信号线15的信号电位的朝向为图中从上向下(箭头的朝向)。SG泄漏是由于该图的×标记的六个位置(α1、α2’、β1’、β2、γ、δ)中的至少一个的短路所引起的。其中，在α2’处发生第一扫描电极部16a与源极电极9z的短路，在β1’处发生第二扫描电极部16b与源极电极9z的短路。其它如图7所说明的那样。另一方面，修正工序中的配线或电极的切断，在图16的A、I、F、G、H、J’、L’、M和N中的至少一个位置进行。其中，I是源极延伸电极10z中被变细部Wa和变细部Wb夹着的部分，J’是数据信号线15中被源极延伸电极10z的根部和上侧的交叉部(数据信号线15和第一扫描电极部16a的交叉部)夹着的部分，L’是数据信号线15中被源极延伸电极10z的根部和下侧的交叉部(数据信号线15和第二扫描电极部16b的交叉部)夹着的部分。其它的位置(A、F、G、H、M、N)如图7所说明的那样。

此外，在通过检查工序能够确定短路位置为α1、α2’、β1’、β2、γ、δ中的哪一个的情况下，进行以下的修正工序即可。即，如果在α1发生短路则进行A处的切断，如果在α2’发生短路则进行I处的切断，如果在β1’发生短路则进行I处的切断，如果在β2发生短路则进行F处的切断，如果在γ发生短路，则进行H和J’处的切断，并且使备用配线与数据信号线15中比J’更靠下游侧的部分连接，如果在δ发生短路，则进行L’和M处的切断，并且使备用配线与数据信号线15中比M更靠下游侧的部分连接。

此外，在完全无法确定短路位置为α1、α2’、β1’、β2、γ、δ中的哪一个的情况下，进行以下的修正工序即可。首先，进行A处的切断，如果仍无法消除SG泄漏则进行F处的切断，如果仍无法消除则进行I处的切断。如果在以上的任一阶段中能够消除则不需要备用配线的连接。如果通过I处的切断还无法消除则进行G和N处的切断，并且使备用配线与数据信号线15中比N更靠下游侧的部分连接。

另外，在有源矩阵基板3c中，能够使得在开口部29上不用分离源极电极，因此能够缩小开口部29的列方向(图中上下方向)的长度。因此，能够缩小扫描信号线16的宽度，能够提高像素开口率。对于这点进行补充说明。源极电极的形成通常是通过以下方式进行，即，通过光刻工序涂敷抗蚀剂，曝光、显影而进行图案化，并以该图案作为掩模进行蚀刻，但在开口部29的列方向(图中上下方向)的长度较小的情况下，开口部上的抗蚀剂的表面位置跟随(开口部两侧的)各扫描电极部上的抗蚀剂的表面位置，开口部上的抗蚀剂膜厚形成得比各扫描电极部上的抗蚀剂膜厚更厚。由此，如果为分离各晶体管的源极电极而与开口部上的抗蚀剂深度相配合地设定曝光量，则各电极的边缘后退，沟道长度变大。这样，在开口部上使从数据信号线引出的电极分离的结构中，为了使开口部上的抗蚀剂的表面位置不跟随各扫描电极部上的抗蚀剂的表面位置，而不得不使开口部29的列方向(图中上下方向)的长度变大，像素区域内的扫描信号线16的宽度变大。但是，在有源矩阵基板3c中，在开口部上不分离从数据信号线引出的源极电极(设置共用源极电极)，因此能够消除这样的问题。

进一步，在有源矩阵基板3c中，在第一扫描电极部16a上形成有漏极电极8a，夹着它的源极电极9z、9ay(9z是共用的源极电极)分别以跨第一扫描电极的边缘的方式配置。即，共用的源极电极9z与开口部29和第一扫描电极部16a重合，源极电极9ay与第一扫描电极部16a和第一扫描电极部16a的外部区域重合。由此，即使漏极电极8a和源极电极9z、9ay的排列相对于扫描信号线16在列方向上存在偏移，第一扫描电极部16a与源极电极9z、9ay的重合面积的和也不会变。即，能够大幅抑制由于排列错位引起的第一扫描电极部16a和源极电极9z、9ay间的寄生电容的变动。第二扫描电极部16b和源极电极9z、9by的关系也是同样。这样，根据有源矩阵基板3c，也能够抑制由于在光刻工序的每个曝光区域中上述寄生电容产生偏差而导致的显示品质的下降。

此外，在有源矩阵基板3c中，因为在第一扫描电极部16a形成变细部Wa，所以开口部29的与位于源极延伸电极10z的两侧的区域的一方(图中上侧)重合的部分的至少一部分在列方向上凸出，因为在第二扫描电极部16b形成变细部Wb，所以开口部29的与上述区域的另一方(图中上侧)重合的部分的至少一部分在列方向上凸出，但是，例如也可以采用下述结构：如果开口部29的列方向的宽度为能够切断源极延伸电极10z的大小，则也能够不在开口部29形成凸出，而相应地使第一扫描电极部和第二扫描电极部16a、16b的列方向的宽度变大。

[实施方式4]

此外，在图15的有源矩阵基板3c中，也可以对第一扫描电极部16a的像素区域外的端部EP1和第二扫描电极部16b的像素区域外的端部EP2分别进行切入，使该部分变细，容易切断。具有该结构的有源矩阵基板3d表示于图17，以下说明该结构中的SG泄漏修正方法。图18是图17中第一晶体管和第二晶体管12a、12b附近的放大图。而且，使供给至数据信号线15的信号电位的朝向为图中从上向下(箭头的朝向)。发生SG泄漏的位置(α1、α2’、β1’、β2、γ、δ)如图16所说明的那样。此外，修正工序中的配线或电极的切断，在图18的A、I、F、G、L’、N、B和S、E和T中的至少一个位置进行。各位置的说明如图16、图14所说明的那样。

此外，在通过检查工序能够确定短路位置为α1、α2’、β1’、β2、γ、δ中的哪一个的情况下，进行以下的修正工序即可。即，如果在α1发生短路则进行A处的切断，如果在α2’发生短路则进行I处的切断，如果在β1’发生短路则进行I处的切断，如果在β2发生短路则进行F处的切断，如果在γ发生短路，则进行S和B处的切断，如果在δ发生短路，则进行T和E处的切断。在任一情况下，在修正工序中均不需要备用配线的连接。

此外，在完全无法确定短路位置为α1、α2’、β1’、β2、γ、δ中的哪一个的情况下，进行以下的修正工序即可。首先，进行S和B处的切断，如果仍无法消除SG泄漏则进行A处的切断，如果仍无法消除则进行F处的切断，如果还无法消除则进行I处的切断。如果在以上的任一阶段能够消除则不需要备用配线的连接。如果通过I处的切断还无法消除则进行G和N(或L’和N)处的切断，并且使备用配线与数据信号线15中比N更靠下游侧的部分连接。

在本有源矩阵基板3d中，在数据信号线15下发生短路的情况下，能够将已短路的扫描电极部从扫描信号线16主体切离，具有能够使不连接备用配线即可完成修正的情况增加的效果。此外，在本有源矩阵基板3d中，能够将用于使源极延伸电极的切断容易进行的变细部用于扫描信号线16(扫描电极部16a、16b)的切断用，因此能够不用另外形成扫描信号线的切断用的变细部，对于扫描信号线的低电阻化、开口率的提高是有利的。

[实施方式5]

此外，在图1的有源矩阵基板3a中，也可以沿着数据信号线15设置副配线15x，使数据信号线15和副配线在开口部29上连接。在图19中表示该结构，以下说明该结构中的SG泄漏修正方法。图20是图19中第一晶体管和第二晶体管12a、12b附近的放大图。而且，使供给至数据信号线15的信号电位的朝向为图中从上向下(箭头的朝向)。发生SG泄漏的位置(α1、α2、β1、β2、γ、δ)如图7所说明的那样。此外，修正工序中的配线或电极的切断，在图20的A、C、D、F、G、H、J、L、M和N中的至少一个位置进行。各位置的说明如图7所说明的那样。

此处，在通过检查工序能够确定短路位置为α1、α2、β1、β2、γ、δ中的哪一个的情况下，进行以下的修正工序即可。即，如果在α1发生短路则进行A处的切断，如果在α2发生短路则进行C处的切断，如果在β1发生短路则进行D处的切断，如果在β2发生短路则进行F处的切断，如果在γ发生短路，则进行H和J处的切断，如果在δ发生短路，则进行L和M处的切断。在任一情况下均不需要备用配线的连接。另外，在γ短路的情况下也可以进行G和J处的切断。同样地，在δ短路的情况下也可以进行L和N的切断。

此外，在完全无法确定短路位置为α1、α2、β1、β2、γ、δ中的哪一个的情况下，进行以下的修正工序即可。首先，进行H和J处的切断，如果仍无法消除SG泄漏则进行L和M处的切断，如果仍无法消除则进行A处的切断，如果还无法消除则进行D处的切断，如果还无法消除则进行C处的切断，如果还无法消除则进行F处的切断。在任一阶段(H和J、L和M、A、D、C、F处的切断)消除均不需要备用配线的连接。

另外，能够如图21所示使图20的有源矩阵基板变形。即，代替图20的副配线15s，以跨第一、二扫描电极部16a、16b以及开口部29的方式设置旁通配线15v，使该旁通配线15v与源极延伸电极10ay和数据信号线15的连结部附近、数据信号线15的开口部29上的部分、源极延伸电极10ay和数据信号线15的连结部附近连接。另外，该结构的修正方法与图20的结构相同。

[实施方式6]

在上述各有源矩阵基板中，也可以使形成在第一晶体管和第二晶体管的上层的层间绝缘膜为多层构造。例如，由无机层间绝缘膜和比该无机层间绝缘膜厚的有机层间绝缘膜构成该层间绝缘膜。这样，在液晶面板阶段从背面照射激光切断源极延伸电极、扫描信号线时，能够由厚层间绝缘膜防止金属(源极金属、栅极金属)的卷起。特别是在为了实现低电阻化而将扫描信号线16形成得较厚但还能够切断扫描信号线的结构中非常有效，能够降低修正时产生G-C短路(扫描信号线和CF共用电极的短路)的可能性。

图22是表示在有源矩阵基板3b中使形成在第一晶体管和第二晶体管的上层的层间绝缘膜为多层构造的结构的截面图(包含扫描信号线16的各变细部Wa、Wb和第一像素电极17a的截面图)。如该图所示，在基板30上形成第一扫描电极部16a(扫描信号线16)，在其上层形成栅极绝缘膜23。在栅极绝缘膜23的上层形成源极延伸电极10ay和源极延伸电极10ax。在源极延伸电极10ay、10ax的上层形成无机层间绝缘膜25，在层间绝缘膜25上形成膜厚比它厚的有机层间绝缘膜26，在该有机层间绝缘膜26上形成第一电极17a。图23是说明在具有该有源矩阵基板的液晶面板中，切断扫描信号线16的状态的截面图。根据该图可知，修正时难以产生G-C短路(扫描电极部16a和共用电极28的短路)。另外，在彩色滤光片基板上，以与第一像素电极17a重合的方式设置有着色层14(R、G、B)。

另外，在图22这样形成有厚层间绝缘膜26(有机层间绝缘膜)的有源矩阵基板中，各像素电极与各种配线、电极的寄生电容变小。于是，如图24所示，能够扩展第一像素电极和第二像素电极17a、17b，使其与数据信号线15、扫描信号线16重合。由此能够实现高开口率的液晶面板。

此外，在图13、图17所示的有源矩阵基板中，也可以使扫描信号线的切断位置上的栅极绝缘膜厚于其它位置。例如，使扫描信号线的切断位置上的栅极绝缘膜为无机栅极绝缘膜和比其厚的栅极绝缘膜(例如由有机绝缘膜、玻璃基硅材料构成的平坦化膜)的多层构造。这样，在液晶面板阶段从背面照射激光切断源极延伸电极、扫描信号线的情况下，能够以厚栅极绝缘膜防止金属(源极金属、栅极金属)的卷起。特别是在为了实现低电阻化而将扫描信号线16形成得较厚但还能够切断扫描信号线的结构中非常有效，能够降低修正时产生G-C短路(扫描信号线和CF共用电极的短路)的可能性。图25是表示在有源矩阵基板3b中使扫描信号线16的切断位置上的栅极绝缘膜为无机栅极绝缘膜和比其厚的栅极绝缘膜的多层构造的结构的截面图(包含扫描信号线16的各变细部Wa、Wb和第一像素电极17a的截面图)。如该图所示，在基板30上形成第一扫描电极部16a(扫描信号线16)，在其上层形成无机栅极绝缘膜21和比其厚的栅极绝缘膜22(例如由SOG材料构成的平坦化膜)。在该栅极绝缘膜22的上层形成源极延伸电极10ay和源极延伸电极10ax。

[实施方式7]

另外，在上述各实施方式中，为了容易切断源极延伸电极，在各扫描电极部设置变细部，为了容易切断各扫描电极部，在其端部设置切入部，但本有源矩阵基板并不限定于这样的结构。例如，也可以采用在各扫描电极部既不设置变细部也不设置切入部的结构。在图26中表示具有该结构的有源矩阵基板3x，在图27中表示图26的第一晶体管和第二晶体管12a、12b附近的放大图。在有源矩阵基板3x和具有它的液晶面板的修正中，根据各种条件(例如有源矩阵基板、液晶面板的具体的构造、激光的精度、要求的品质、成本等)，以适当的顺序切断图27的A～H、J～N、S～T中的适当位置即可。

此外，上述各实施方式所示的切断位置及其顺序均只是一个例子。如上所述，能够根据有源矩阵基板或液晶面板的具体的构造、要求的品质、激光的精度、成本等进行适当变更。

此外，在上述有源矩阵基板中，各保持电容并不限于由像素电极、保持电容配线、和它们间的绝缘膜形成。例如，也可以在保持电容配线上设置与各晶体管的漏极电极和像素电极连接的保持电容上电极，由该保持电容上电极、保持电容配线和它们之间的绝缘膜形成各保持电容。

另外，在以上的说明中，令扫描信号线16的延伸方向为行方向，令数据信号线15的延伸方向为列方向，但这只是为了方便说明。可以认为，扫描信号线16在横方向上延伸的有源矩阵基板中，横方向＝行方向，扫描信号线16在纵方向上延伸的有源矩阵基板中，纵方向＝行方向。例如，在能够使画面旋转90°的液晶显示装置中，在旋转角为0°的情况和90°的情况下，也能够与上述情况同样地进行考虑。

在本实施方式中，如以下所述，构成本液晶显示单元和液晶显示装置。

即，如图29所示，在液晶面板的两面，将两块偏光板A、B，以偏光板A的偏光轴和偏光板B的偏光轴相互正交的方式粘贴。另外，根据需要，也可以在偏光板上叠层光学补偿片等。另外，根据需要，也可以在偏光板上叠层光学补偿片等。接着，如图28(a)所示，连接驱动器(栅极驱动器102、源极驱动器101)。此处，作为一个例子，说明以TCP(TapeCareerPackage：载带封装)方式连接驱动器的情况。首先，将ACF(AnisotoropiConduktiveFilm：各向异性导电膜)临时压接在液晶面板的端子部。接着，从载带冲压出载置有驱动器的TCP，与面板端子电极对准，进行加热、正式压接。之后，以ACF连接用于连结驱动器TCP彼此之间的电路基板103(PWB：Printed wiring board)和TCP的输入端子，由此，完成液晶显示单元100。

之后，如图28(b)所示，在液晶显示单元的各驱动器(101、102)上，通过电路基板103连接显示控制电路113，与照明装置(背光源单元)104一体化，从而成为液晶显示装置110。

图30是表示本液晶显示装置的各部的动作的时序图。此处，Vg是扫描信号线16的电压、Vs是数据信号线15的电压(源极电极)、Vcs1是第一保持电容配线18a的电压、Vcs2是第二保持电容配线18b的电压，Vlc1是第一像素电极17a的电压、Vlc2是第二像素电极17b的电压。在液晶显示装置中，为了使得液晶不分极，一般进行帧反转、线反转、点反转这样的交流驱动。即，在第n帧对源极电压的中央值Vsc施加正极性的源极电压(Vsp)，在接着的第(n+1)帧对Vsc施加负极性的源极电压(Vsn)，并且每帧进行点反转。此外，使第一保持电容配线18a的电压和第二保持电容配线18b的电压分别以振幅电压Vad振荡，并且使两者的相位相差180度。即，控制两者，使得在T2当Vg成为“L”(各TFT12a、12b断开)之后，紧接着Vcs1成为“H”、Vcs2成为“L”。

此外，如图31所示，能够使Vcs1为在T2当Vg成为“L”(各TFT12a、12b断开)之后紧接着在T3成为并保持“High”状态(或者成为并保持“Low”状态)的波形，使Vcs2为在T3一个水平期间(1H)后的T4成为并保持“Low”状态(或者成为并保持“High”状态)的波形。即，进行电位控制，使得在各晶体管断开之后，使Vcs1上升，在该帧中维持该上升后的状态，并且，在距Vcs1的上升1H期间后使Vcs2下降，并在该帧中维持该下降后的状态，或者，进行电位控制，使得在各晶体管断开之后，使Vcs1下降，在该帧中维持该下降后的状态，并且，在距Vcs1的下降1H期间后使Vcs2上升，并在该帧中维持该上升后的状态。这样，Vcs1和Vcs2的波形的钝化(なまり)对漏极有效电位造成的影响变小，对于亮度不均的减少是有效的。

接着，说明将本液晶显示装置应用于电视接收机时的一个结构例。图32是表示电视接收机用的液晶显示装置110的结构的框图。液晶显示装置110包括液晶显示单元100、Y/C分离电路80、视频色度电路81、A/D转换器82、液晶控制器83、背光源驱动电路85、背光源86、微机(微型计算机)87、和灰度等级电路98。

上述液晶显示单元100包括在上述各实施方式中所示的液晶面板、和用于驱动它的源极驱动器和栅极驱动器。

在上述结构的液晶显示装置110中，首先，作为电视信号的复合彩色视频信号Scv从外部被输入至Y/C分离电路80，在此被分离为亮度信号与色信号。这些亮度信号和色信号通过视频色度电路81变换为与光的三原色对应的模拟RGB信号，进而，该模拟RGB信号通过A/D转换器82变换为数字RGB信号。该数字RGB信号被输入至液晶控制器83。此外，在Y/C分离电路80中，在从外部输入的复合彩色视频信号Scv中取出水平和垂直同步信号，这些同步信号也通过微机87输入液晶控制器83。

数字RGB信号从液晶控制器83与基于上述同步信号的定时信号一同以规定的定时输入液晶显示单元100。此外，在灰度等级电路98中，生成彩色显示的三原色R、G、B各自的灰度等级电压，这些灰度等级电压也被供给至液晶显示单元100。在液晶显示单元100中，基于这些RGB信号、定时信号和灰度等级电压，通过内部的源极驱动器、栅极驱动器等生成驱动用信号(数据信号、扫描信号等)，基于这些驱动用信号在内部的显示部显示彩色图像。另外，为了利用该液晶显示单元100显示图像，需要从液晶显示单元100的后方照射光，在该液晶显示装置110中，在微机87的控制下背光源驱动电路85驱动背光源86，向本液晶面板的背面照射光。

包括上述处理，系统整体的控制由微机87进行。另外，作为从外部输入的视频信号(复合彩色视频信号)，不仅能够使用基于电视广播的视频信号，也能够使用由摄像机摄取的视频信号，通过因特网线路供给的视频信号等，在该液晶显示装置110中，能够基于各种视频信号进行图像显示。

在由液晶显示装置110基于电视广播显示图像的情况下，如图33所示，调谐部90与液晶显示装置110连接，从而构成本电视接收机601。该调谐器90从由天线(未图示)接收的接收波(高频信号)中挑出应该接收的频道的信号，变换为中频信号，通过对该中频信号进行检波，取出作为电视信号的复合彩色视频信号Sc。该复合彩色视频信号Scv如上所述输入液晶显示装置110，基于该复合彩色视频信号Scv的图像通过液晶显示装置110显示。

图34是表示本电视接收机的一个结构例的分解立体图。如该图所示，本电视接收机601，作为其构成要素，在液晶显示装置110之外还具有第一框体801和第二框体806，以由第一框体801和第二框体806包围液晶显示装置110的方式形成为夹持的结构。在第一框体801形成有使在显示装置800中显示的图像透过的开口部801a。此外，第二框体806覆盖显示装置800的背面侧，设置有用于操作该显示装置800的操作用电路805，并且在下方安装有支承用部件808。

本发明并不限定于上述的各实施方式，适当地组合在不同的实施方式中分别公开的技术方法而得到时的实施方式也包括在本发明的技术范围中。

产业上的可利用性

本发明的液晶面板和液晶显示装置，例如适用于液晶电视。

Claims (22)

1.一种有源矩阵基板，其包括：在行方向延伸的扫描信号线；在列方向延伸的数据信号线；和形成在扫描信号线和数据信号线的交叉部附近，以该扫描信号线作为栅极电极，并且与该数据信号线连接的第一晶体管和第二晶体管，在各像素区域，设置有与第一晶体管连接的第一像素电极、和与该第二晶体管连接的第二像素电极，该有源矩阵基板的特征在于：

所述扫描信号线，在所述交叉部附近具有开口部和作为该开口部的两侧部分的隔着开口部在列方向上相对的第一扫描电极部和第二扫描电极部，

所述第一晶体管包括设置在第一扫描电极部上的漏极电极、和以夹着该漏极电极的方式设置的两个源极电极，其中一个源极电极通过形成在开口部上的源极延伸电极与数据信号线连接，另一个源极电极通过形成在扫描信号线的外部区域上的源极延伸电极与数据信号线连接，

所述第二晶体管包括设置在第二扫描电极部上的漏极电极、和以夹着该漏极电极的方式设置的两个源极电极，其中一个源极电极通过形成在开口部上的源极延伸电极与数据信号线连接，另一个源极电极通过形成在扫描信号线的外部区域上的源极延伸电极与数据信号线连接。

2.一种有源矩阵基板，其包括：在行方向延伸的扫描信号线；在列方向延伸的数据信号线；和形成在扫描信号线和数据信号线的交叉部附近，以该扫描信号线作为栅极电极，并且与该数据信号线连接的第一晶体管和第二晶体管，在各像素区域，设置有与第一晶体管连接的第一像素电极、和与该第二晶体管连接的第二像素电极，该有源矩阵基板的特征在于：

所述扫描信号线，在所述交叉部附近具有开口部和作为该开口部的两侧部分的隔着开口部在列方向上相对的第一扫描电极部和第二扫描电极部，

第一晶体管和第二晶体管具有共用的源极电极，该共用的源极电极以与第一扫描电极部和第二扫描电极部以及开口部重合的方式配置，并且通过形成在开口部上的源极延伸电极与数据信号线连接，

所述第一晶体管包括设置在第一扫描电极部上的漏极电极、和与所述共用的源极电极一同夹着该漏极电极的源极电极，该源极电极通过形成在扫描信号线的外部区域上的源极延伸电极与数据信号线连接，

所述第二晶体管包括设置在第二扫描电极部上的漏极电极、和与所述共用的源极电极一同夹着该漏极电极的源极电极，该源极电极通过形成在扫描信号线的外部区域上的源极延伸电极与数据信号线连接。

3.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

第一扫描电极部中，在俯视时由与第一晶体管所具有的两个源极电极中的一个连接的源极延伸电极和与另一个连接的源极延伸电极夹着的部分的至少一部分变细，

第二扫描电极部中，在俯视时由与第二晶体管所具有的两个源极电极中的一个连接的源极延伸电极和与另一个连接的源极延伸电极夹着的部分的至少一部分变细。

4.如权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于：

第一扫描电极部中，在俯视时由与第一晶体管的源极电极连接的源极延伸电极和与所述共用的源极电极连接的源极延伸电极夹着的部分的至少一部分变细，

第二扫描电极部中，在俯视时由与第二晶体管的源极电极连接的源极延伸电极和与所述共用的源极电极连接的源极延伸电极夹着的部分的至少一部分变细。

5.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述源极延伸电极，其行方向的宽度比列方向的宽度大。

6.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述开口部从像素区域外通过数据信号线之下到达像素区域内。

7.如权利要求6所述的有源矩阵基板，其特征在于：

以第一扫描电极部的位于行方向的两个端部中位于像素区域外的一方作为第一端部，以第二扫描电极部的位于行方向的两个端部中位于像素区域外的一方作为第二端部，第一端部和第二端部分别形成有切入部。

8.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述开口部为在行方向延伸的形状。

9.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

沿着数据信号线，设置有与该数据信号线电连接的副配线，该副配线通过开口部上。

10.如权利要求9所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述副配线和数据信号线在开口部上连接。

11.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

设置有与数据信号线的所述交叉部的前后连接的旁通配线，该旁通配线通过开口部上。

12.如权利要求11所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述旁通配线和数据信号线在开口部上连接。

13.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

在第一晶体管和第二晶体管的上层，形成有无机层间绝缘膜、和比该无机层间绝缘膜厚的有机层间绝缘膜。

14.如权利要求3或4所述的有源矩阵基板，其特征在于：

分别在第一扫描电极部的变细的部分和第二扫描电极部的变细的部分的上层，形成有无机栅极绝缘膜、和比其厚的栅极绝缘膜。

15.一种液晶面板，其特征在于：

其包括权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板。

16.如权利要求15所述的液晶面板，其特征在于：

在与有源矩阵基板对置的基板上形成的黑矩阵与所述开口部重合。

17.一种液晶显示单元，其特征在于：

其包括权利要求15所述的液晶面板及其驱动器。

18.一种液晶显示装置，其特征在于：

其包括权利要求17所述的液晶显示单元和照明装置。

19.一种电视接收机，其特征在于：

其包括权利要求18所述的液晶显示装置、和接收电视广播的调谐部。

20.一种液晶面板的制造方法，其用于制造包括有源矩阵基板的液晶面板，该有源矩阵基板包括：在行方向延伸的扫描信号线；在列方向延伸的数据信号线；和形成在扫描信号线和数据信号线的交叉部附近，以该扫描信号线作为栅极电极，并且与该数据信号线连接的第一晶体管和第二晶体管，在各像素区域，设置有与第一晶体管连接的第一像素电极、和与该第二晶体管连接的第二像素电极，该制造方法的特征在于，包括：

形成扫描信号线的第一工序，该扫描信号线具有位于所述交叉部附近的开口部、和作为该开口部的两侧部分的隔着开口部在列方向上相对的第一扫描电极部和第二扫描电极部；和

第二工序，在该第二工序中形成：位于第一扫描电极部上的第一晶体管的漏极电极；位于夹着该漏极电极的位置的第一晶体管的两个源极电极；连接其中一个源极电极和数据信号线，且位于开口部上的第一内侧源极延伸电极；连接另一个源极电极和数据信号线，且位于扫描信号线的外部区域上的第一外侧源极延伸电极；位于第二扫描电极部上的第二晶体管的漏极电极；位于夹着该漏极电极的位置的第二晶体管的两个源极电极；连接其中一个源极电极和数据信号线，且位于开口部上的第二内侧源极延伸电极；和连接另一个源极电极和数据信号线，且位于扫描信号线的外部区域上的第二外侧源极延伸电极，

而且，作为修正工序，包括下述工序中的至少一个：切断第一内侧源极延伸电极和第二内侧源极延伸电极以及第一外侧源极延伸电极和第二外侧源极延伸电极中的任一个的工序；将数据信号线在其与第一外侧源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与第一内侧源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与第二内侧源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与第二外侧源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将第一扫描电极部在位于第一外侧源极延伸电极和第一内侧源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序；和将第二扫描电极部在位于第二内侧源极延伸电极和第二外侧源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序。

21.如权利要求20所述的液晶面板的制造方法，其特征在于：

在第一工序中，所述开口部以从像素区域外通过数据信号线之下到达像素区域内的方式形成，

在所述修正工序中包括：

检测由数据信号线或与其相连的源极电极与扫描信号线的短路引起的异常，并且将该数据信号线在其与位于该数据信号线和该扫描信号线的交叉部附近的像素区域的第一内侧源极延伸电极的连结部分和其与该像素区域的第二内侧源极延伸电极的连结部分之间进行切断，从而判定所述短路是位于该扫描信号线的第一扫描电极部还是位于第二扫描电极部的工序；和

在所述短路位于第一扫描电极部的情况下，将第一扫描电极部在其位于行方向的两个端部中位于像素区域外的一方切断，并且将其位于第一外侧源极延伸电极和第一内侧源极延伸电极的间隙下的部分切断，在这样仍无法消除所述异常的情况下，切断第一外侧源极延伸电极或第一内侧源极延伸电极，在所述短路位于第二扫描电极部的情况下，将第二扫描电极部在其位于行方向的两个端部中位于像素区域外的一方切断，并且将其位于第二外侧源极延伸电极和第二内侧源极延伸电极的间隙下的部分切断，在这样仍无法消除所述异常的情况下，切断第二外侧源极延伸电极或第二内侧源极延伸电极的工序。

22.一种液晶面板的制造方法，其用于制造包括有源矩阵基板的液晶面板，该有源矩阵基板包括：在行方向延伸的扫描信号线；在列方向延伸的数据信号线；和形成在扫描信号线和数据信号线的交叉部附近，以该扫描信号线作为栅极电极，并且与该数据信号线连接的第一晶体管和第二晶体管，在各像素区域，设置有与第一晶体管连接的第一像素电极、和与该第二晶体管连接的第二像素电极，该制造方法的特征在于，包括：

形成扫描信号线的第一工序，该扫描信号线具有位于所述交叉部附近的开口部、和作为该开口部的两侧部分的隔着开口部在列方向上相对的第一扫描电极部和第二扫描电极部；和

第二工序，在该第二工序中形成：作为第一晶体管和第二晶体管的共用的源极电极起作用，与第一扫描电极部和第二扫描电极部以及开口部重合的共用的源极电极；连接该共用的源极电极和数据信号线，且位于开口部上的共用的源极延伸电极；位于第一扫描电极部上的第一晶体管的漏极电极；与所述共用的源极电极一同夹着该漏极电极的第一晶体管的源极电极；连接该源极电极和数据信号线，且位于扫描信号线的外部区域上的第一外侧源极延伸电极；位于第二扫描电极部上的第二晶体管的漏极电极；与所述共用的源极电极一同夹着该漏极电极的第二晶体管的源极电极；和连接该源极电极和数据信号线，且位于扫描信号线的外部区域上的第二外侧源极延伸电极，

而且，作为修正工序，包括下述工序中的至少一个：切断所述共用的源极延伸电极以及第一外侧源极延伸电极和第二外侧源极延伸电极中的任一个的工序；将数据信号线在其与第一外侧源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与共用的源极延伸电极的连结部分和其与第一扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与共用的源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将数据信号线在其与第二外侧源极延伸电极的连结部分和其与第二扫描电极部的交叉部分之间切断的工序；将第一扫描电极部在位于第一外侧源极延伸电极和共用的源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序；和将第二扫描电极部在位于第二外侧源极延伸电极和共用的源极延伸电极的间隙下的部分切断的工序。

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