CN101641767B - 硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂、半导体装置的制造方法以及半导体装置 - Google Patents

硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂、半导体装置的制造方法以及半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101641767B
CN101641767B CN2007800521878A CN200780052187A CN101641767B CN 101641767 B CN101641767 B CN 101641767B CN 2007800521878 A CN2007800521878 A CN 2007800521878A CN 200780052187 A CN200780052187 A CN 200780052187A CN 101641767 B CN101641767 B CN 101641767B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silane
propyl
etching
ethyl
butyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800521878A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101641767A (zh
Inventor
小林靖志
吉川浩太
中田义弘
今田忠纮
尾崎史朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of CN101641767A publication Critical patent/CN101641767A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101641767B publication Critical patent/CN101641767B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D9/00—Compositions of detergents based essentially on soap
    • C11D9/04—Compositions of detergents based essentially on soap containing compounding ingredients other than soaps
    • C11D9/22—Organic compounds, e.g. vitamins
    • C11D9/36—Organic compounds, e.g. vitamins containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04—Water-soluble compounds
    • C11D3/042—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D9/00—Chemical paint or ink removers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04—Water-soluble compounds
    • C11D3/044—Hydroxides or bases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/162—Organic compounds containing Si
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3703—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/373—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds containing silicones
    • C11D3/3742—Nitrogen containing silicones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76814—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics post-treatment or after-treatment, e.g. cleaning or removal of oxides on underlying conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76826—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by contacting the layer with gases, liquids or plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
    • H01L2224/02165—Reinforcing structures
    • H01L2224/02166—Collar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明使用硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，该蚀刻后处理剂含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及，任意的表面活性剂。根据本发明，能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数的增加。

Description

硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂、半导体装置的制造方法以及半导体装置
技术领域
本发明涉及半导体装置等绝缘膜的蚀刻后处理。
背景技术
随着半导体装置集成电路的集成度的增加以及元件密度的提高，特别是对半导体装置元件的多层化要求越来越高。随着该高集成化，布线间隔变窄，因布线之间的容量增加引起的布线延迟成为问题(参照专利文献1)。
更具体地讲，早知道绝缘膜的寄生容量会降低信号传播速度，但当半导体装置的布线间隔超过1μm时，布线延迟对装置整体的影响小。然而，当布线间隔为1μm以下时，对装置速度的影响变大，特别是，今后以0.1μm以下的布线间隔形成电路时，布线之间的寄生容量对装置速度的影响很大。
布线延迟(T)受布线电阻(R)和布线之间容量(C)的影响，能够以下式(4)表示。
TμCR        (4)
式(4)中，将ε(介电常数)和C关系示于式(5)中。
C＝εoεrS/d            (5)
式(5)中，S为电极面积，εo为真空介电常数，εr为绝缘膜的介电常数，d为布线间隔。
因此，实现绝缘膜的低介电常数化是降低布线延迟的有效方法。
目前，作为半导体装置集成电路的低介电常数绝缘膜，主要使用硅化合物系的材料。然而，硅化合物系材料因多层布线形成过程中的蚀刻，其表面被亲水化，由于该吸水的影响会产生介电常数的增大(蚀刻损伤)，因蚀残渣引起介电常数的增加以及与上层之间的粘接性变差。这些在半导体装置集成电路中成为高速动作和高可靠性的障碍(参照专利文献2)。
专利文献1：专利第3585384号公报(0002段落)
专利文献2：特开2001-33988号公報(0004-0010段落)
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，提供能够解决上述问题，且能够抑制硅系绝缘膜介电常数的增加的硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂。本发明的其他目的以及优点，可通过以下说明会更加明确。
解决课题的方法
根据本发明的一技术方案，提供一种硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，其含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及任意的表面活性剂。
根据本发明的技术方案，得到能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数增加的技术。另外，能够得到蚀刻后的表面形成有膜时，抑制膜的剥离、不均匀的成膜的技术。从另一观点看，得到能够恢复因蚀刻引起的损伤的技术、有效洗净蚀刻残渣的技术。由此，能够提高具有蚀刻硅系绝缘膜工序的半导体装置等产品的质量，能够实现高速且可靠性高的半导体装置，能够提高其制造成品率。
另外，在上述技术方案中，pH值在超过7且10以下的范围；上述硅系绝缘膜是用于对半导体装置的布线层和通孔中的至少任意一者进行绝缘的绝缘膜；上述硅系绝缘膜的相对介电常数为2.7以下；上述蚀刻后处理剂是为了恢复因蚀刻引起的损伤而使用的蚀刻后处理剂；上述蚀刻后处理剂是为了洗净蚀刻残渣而使用的蚀刻后处理剂；上述含硅化合物含有由式(1)～(3)组成的组中选出的化合物，
Figure G2007800521878D00021
Figure G2007800521878D00031
式(1)～(3)中，R1、R2以及R3相互独立地表示氢、碳原子数1～4的脂肪族烃或可具有取代基的碳原子数6～8的芳香族烃；X1及X2相互独立地表示氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基；关于Y，其中的一个相互独立地且也与X1及X2相互独立地表示氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基，当为2个以上时，其他的相互独立地且也与R1及R2相互独立地表示氢、碳原子数1～4的脂肪族烃或可具有取代基的碳原子数6～8的芳香族烃；n相互独立地表示1～3的整数。
优选上述含硅化合物为去掉由上式(1)～(3)组成的组中选出的化合物的X1、X2及Y中的氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基中的至少一个，并通过氮相互结合而得到的化合物；上述含氮物质的含量在0.01～10重量％的范围；上述酸的含量在0.01～10重量％的范围；上述含氮物质的总量对酸总量的当量比为1∶0.001～1000的范围；上述含硅化合物的含量为20～60重量％的范围；上述表面活性剂为非离子表面活性剂；上述表面活性剂为由醇-氧化乙烯型表面活性剂、烷基苯酚-氧化乙烯型表面活性剂及丙烯-氧化乙烯嵌段共聚物型表面活性剂组成的组中选出的至少一种表面活性剂；以及，上述表面活性剂的含量在1～10000重量ppm的范围。
根据本发明的另一技术方案，提供一种半导体装置的制造方法，其包括在半导体装置的硅系绝缘膜上实施蚀刻，然后利用上述任意一种蚀刻后处理剂对该蚀刻面进行处理后，在50℃～400℃的温度下实施热处理。
根据本发明的技术方案，能够提高具有蚀刻硅系绝缘膜工序的半导体装置等产品的质量，能够实现高速且可靠性高的半导体装置，能够提高其制造成品率。
优选上述硅系绝缘膜是用于对半导体装置的布线层和通孔中的至少任意一者进行绝缘的绝缘膜；上述硅系绝缘膜的相对介电常数为2.7以下；上述处理是用于恢复因蚀刻引起的损伤的处理；以及，上述处理是用于洗净蚀刻残渣的处理。
根据本发明的又一技术方案，提供一种半导体装置，该半导体装置是通过上述半导体装置的制造方法而制造。
发明的效果
根据本发明，得到能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数增加的技术。另外，能够得到在蚀刻后的表面形成膜时，能够抑制膜的剥离和不均匀成膜的技术。从另一个观点看，能够得到恢复因蚀刻引起的损伤的技术、能够有效地洗净蚀刻残渣的技术。由此，能够提高具有蚀刻硅系绝缘膜工序的半导体装置等产品的质量，能够实现高速且可靠性高的半导体装置，且能够提高其制造成品率。
附图说明
图1为表示多层布线制作工序的图。
图2为表示多层布线制作工序的图。
图3为表示多层布线制作工序的图。
图4为表示多层布线制作工序的图。
图5为表示多层布线制作工序的图。
图6为表示具有硅氮键的化合物具体例的图。
図7为表示多层布线制作工序的图。
附图标记的说明
1     硅片
2     元件之间分离膜
3     侧壁硅系绝缘膜
4     栅电极
5a    源扩散层
5b    漏极(drain)扩散层
6     层间硅系绝缘膜
7     阻挡膜(stopper film)
8     TiO
9     导体柱(W)
10    S iC膜
11    多孔质绝缘膜
12    SiC膜
13    TaN
14    Cu
15    S iN膜
16    多孔质绝缘膜
17    S iC膜
18    多孔质绝缘膜
19    SiC膜
20    TaN
21    Cu
22    SiN膜
31    绝缘膜
32    TiN阻挡金属层
33    接触孔
34    钝化膜
35    电极凸块
具体实施方式
下面，通过图、表、式、实施例等，说明本发明的实施方式。另外，这些图、表、式、实施例等以及说明只是例示本发明，并不能限定本发明的范围。只要符合本发明的宗旨，其他的实施方式当然也属于本发明的范畴。
[硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂]
本发明硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂含有：(1)由氨系碱及胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；(2)酸；(3)至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及，(4)任意的表面活性剂。
根据本发明，能够抑制蚀刻中的硅系绝缘膜介电常数的增加。另外，当蚀刻后的表面上形成阻挡金属膜等时，能够抑制膜的剥离和不均匀的成膜，能够形成均匀且粘接性良好的膜。
从另一种观点出发，根据本发明，能够得到可恢复因蚀刻引起的损伤的技术和有效地洗净蚀刻残渣的技术。
本发明硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，可优选作为半导体装置制造中的各种硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂使用。如此得到的半导体装置能够实现低介电常数，而且，成为硅系绝缘膜与其上层之间的粘接性良好的半导体装置。为此，能够提高具有蚀刻硅系绝缘膜工序的半导体装置等产品的质量，能够得到高速且可靠性高的半导体装置，能够提高其制造成品率。
另外，在本发明中，“因蚀刻引起的损伤”是指蚀刻的结果，认为因被蚀刻的表面亲水化而引起的介电常数的劣化(上升)现象。另外，“恢复”该损伤是指使已经上升的介电常数降低。
若通过含有上述含氮物质和上述含硅化合物的水溶液处理蚀刻后的(例如布线层的)硅系绝缘膜时，发现能够恢复蚀刻的损伤，进而能够通过洗涤而去除蚀刻残渣。其原因认为是，含氮物质具有洗净蚀刻残渣的功能的同时，能够使由含硅化合物生成的硅烷醇键稳定，该硅烷醇键与因蚀刻受到损伤的硅系绝缘膜表面硅烷醇基的亲水性基团进行脱水缩合的结果，能够抑制硅系绝缘膜表面的因亲水性基团产生的吸水的缘故。
蚀刻中硅系绝缘膜介电常数的增加，被认为是由于蚀刻硅系绝缘膜受到一些损伤，使其表面被亲水化以及蚀刻残留的存在而引起，本发明的蚀刻后处理剂可用于消除其中的任意现象。蚀刻残渣的存在会引起阻挡金属的阻挡功能的不足产生的布线金属的移动等缺陷，该阻挡金属的阻挡功能不足的起因认为是，因硅系绝缘膜与其上层之间粘接性的劣化、膜的剥离、或因硅系绝缘膜上的层的不均匀膜厚导致，本发明的蚀刻后处理剂也用于这些缺陷的消除中。即，本发明的蚀刻后处理剂既可以为了恢复因蚀刻引起的损伤而使用，也可以为了洗净蚀刻残渣而使用。
本发明的蚀刻后处理剂中的“处理”，是指将本发明的蚀刻后处理剂与经过蚀刻处理的硅系绝缘膜表面接触。本发明的蚀刻既可以包括干蚀刻，也可以包括湿蚀刻，当采用干蚀刻时，多数情况下还伴随抛光工序或洗涤工序。因此，本发明蚀刻后处理剂中的“处理”，在采用干蚀刻时，可在抛光工序后进行，或者还可以同时具有洗涤工序。另外，不管是在干蚀刻中，还是在湿蚀刻中，也可以在其他阶段适当地进行。
对本发明的半导体装置没有特别的制限，可在公知的半导体装置中利用本发明的蚀刻后处理剂。
虽然本发明的硅系绝缘膜是典型的半导体装置的绝缘膜，但并不限定于此。在此所说的“半导体装置的绝缘膜”，是指半导体装置制造中处于中间品阶段的绝缘膜。这样的绝缘膜虽然是典型的作为布线层基体的绝缘膜，但只要是用于半导体装置中，且接受蚀刻处理，则可用于别的任意用途中。当该绝缘膜为布线层基体时，蚀刻是指形成布线用槽等的沟槽或导通孔(viahole)等的孔。该绝缘膜还可以含有上述以外的要素。另外，以下为了便于说明，在表示“沟槽、孔或沟槽和孔的两者”时，有时简单地记载以“沟槽等”。
本发明的硅系绝缘膜可用于任意的用途中，特别是，从对应LSI(LargeScale Integration：大规模集成电路)中的收发信号高速化的意义出发，优选应用在用于埋设布线或通孔的绝缘膜的用途中。
本发明的硅系绝缘膜是指，由以硅和氧作为主成分的材料(也称作“含SiO材料”)、以硅和氧和碳作为主成分的材料(也称作“含SiOC材料”)、以硅和氧和碳和氢作为主成分的材料(也称作“含SiOCH材料”)、以硅和氧和碳和氮作为主成分的材料(也称作“含SiOCN材料”)或以硅和氧和碳和氮和氢作为主成分的材料(也称作“含SiOCHN材料”)构成的绝缘膜。这些构成本发明硅系绝缘膜的硅系绝缘材料，可从公知的含SiO材料、含SiOC材料、含SiOCH材料、含SiOCN材料或含SiOCHN材料中适当地选择使用。另外，上述记载中的“作为主成分”，是指在不损害作为绝缘膜的功能的范围内，可以使其他成分共存。将由这些材料，例如将由含SiOCH材料构成的膜有时称作“SiOCH膜”。
由含SiO材料构成的硅系绝缘膜也可称作SiO2系硅系绝缘膜，可以例示具有接近SiO2的原子组成比例的物质。具体地讲，作为该组成例如已知有：由旋涂法形成的纳米二氧化矽(NCS：Nano Clustering Silica，相对介电常数为2.25)、在由CVD法(化学气相生长法)形成的Carbon Doped SiO2膜中添加热分解性化合物而形成多孔的Porous Carbon Doped SiO2膜(相对介电常数约为2.5～3.0左右)。
作为含SiOC材料或含SiOCH材料，例如，已知有作为原料使用主链上含有硅和碳的聚碳硅烷或使用主链上还含有氧的聚羧基硅烷制造的物质，但也可以是使用其他任意的原料制造的材料。进而，例如还有由上述CVD法形成的Carbon Doped SiO2(相对介电常数约为3.3～3.5左右)、由旋涂法形成的有机SOG、无机SOG(相对介电常数约为2.7～3.3左右)等的含SiOC材料、由CVD法形成的SiOCH膜(相对介电常数约为4.2-4.～4.5左右)等的含SiOCH材料。
另外，作为含SiOCN材料或含SiOCHN材料，例如，已知有通过CVD法形成的含SiOCHN材料。
从低介电常数的观点考虑，由这些硅系绝缘膜形成用材料形成的硅系绝缘膜的比介电常数优选为2.7以下。另外，从低介电常数的观点考虑，这些材料多数具有几nm～10nm左右直径的多孔。
从与水分相互作用的观点考虑，由于使用含SiOC材料、含SiOCH材料或含SiOCHN材料时容易生成SiOH基，因此更优选在本发明中使用。本发明特别优选适用于硅系绝缘膜包括含SiOCH材料而成的情况。
本发明的含氮物质选自由氨系碱和胺化合物组成的组中。本发明的含氮物质既可以是单一物质，也可以是多个单一物质的混合物，还可以是多个多种物质的混合物。而且，既可以是仅含有氨系碱，也可以是仅含有胺化合物，还可以是氨系碱和胺化合物的混合物。
本发明的氨系碱，除了氨以外，也包括以铵离子的形式存在的物质。即，可以是NH4+、或NH4+中的氢的一部分或全部可以具有取代基，被由可以为脂环基的脂肪族基及可具有取代基的芳香族基组成的组中选出的任意基团取代的物质。典型的还包括季铵。
作为这种物质，例如可以举出氨、四丙基氢氧化铵、四正丁基氢氧化铵四甲基氢氧化铵等。
本发明的胺化合物包括伯胺～叔胺，与氮结合的基团除了氢以外，还可以是具有取代基，可适当地由可为脂環基的脂肪族基及可具有取代基芳香族基组成的组中选出。具体地讲，可从公知种类的胺化合物中适当地进行选择。氨基在一个化合物中可存在多个。作为这样的胺化合物，可以举出甲胺、三甲胺、苯胺、乙二胺，胍，三乙胺、二乙胺、N，N-二异丙基乙胺、三甲胺、六亚甲基二胺、四甲基乙二胺。
本发明的酸与本发明的含氮物质互相作用，从而对本发明的蚀刻后处理剂给予缓冲作用。作为该酸，可从公知的酸中适当地选择。作为本发明酸的实例，可以举出盐酸、硫酸、硝酸、次氯酸、氯酸、高锰酸、醋酸、氟酸、磷酸、柠檬酸、氨基磺酸、草酸、甲酸、酒石酸、羟基乙酸等。如果这些酸与本发明的氨系碱反应，则生成氯化铵、硫酸铵、硝酸铵、碳酸铵、次氯酸铵、氯酸铵、高锰酸铵、醋酸铵、氟化铵、磷酸氢二铵、柠檬酸氢二铵、柠檬酸三铵、氨基磺酸铵、草酸铵、甲酸铵、酒石酸铵、酒石酸氢铵、羟基乙酸铵等。
从本发明含氮物质的水溶性的观点考虑，优选与本发明含氮物质反应的结果成为中性或弱碱性基，优选成为弱碱性基。作为弱碱性基，也可以是pH值几乎接近于7的物质。更优选pH值成为超过7且10以下的范围。具体地讲，从离子电离的观点考虑，优选氟酸、磷酸、甲酸等的强酸。另外，从不容易腐蚀布线金属的方面考虑，也可以是有机酸或添加任意的防腐剂的酸。但是，给予缓冲作用的本身并不是本发明的要件。
从缓冲作用的观点出发，使含氮物质和酸共存时，盐与酸的不反应而残留的含氮物质与通过反应生成的盐的当量比优选在1∶0.001～1000的范围。
本发明的含氮物质和酸，并不一定必须是添加含氮物质和酸而成的物质，只要是蚀刻后处理剂的组成最终成为与添加含氮物质和酸时所生成的组成相同的组成即可。因此，例如可以使用氨水和氯化铵。
本发明的含硅化合物至少含有一种硅、碳和氢。硅、碳和氢以外，还可以含有氯和氮。如果能够得到本发明的抑制介电常数上升的效果，则还可以含有其他的元素。
本发明含硅化合物可从满足上述条件的公知的化合物中适当地选出，但优选含有由式(1)～(3)组成的组中选出的化合物，
Figure G2007800521878D00101
式(1)～(3)中，R1、R2及R3相互独立地表示氢、碳原子数1～4的脂肪族烃或可具有取代基的碳原子数6～8的芳香族烃；X1及X2相互独立地表示氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基；关于Y，其中的一个相互独立地且也与X1及X2相互独立地表示氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基，当为2个以上时，其他的相互独立地且也与R1及R2相互独立地表示氢、碳原子数1～4的脂肪族烃或可具有取代基的碳原子数6～8的芳香族烃；n相互独立地表示1～3的整数。上述脂肪族烃还包括脂环族基。
作为这些的具体例，可以举出氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、三甲基氯硅烷、二甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、甲基氯硅烷、甲基三氯硅烷、三乙基氯硅烷、二乙基氯硅烷、二乙基二氯硅烷、乙基氯硅烷、乙基三氯硅烷、乙基甲基氯硅烷、乙基甲基二氯硅烷、乙基二甲基氯硅烷、甲基二乙基氯硅烷、苯基氯硅烷、二苯基氯硅烷、三苯基氯硅烷、苯基二氯硅烷、苯基三氯硅烷、二苯基二氯硅烷、苯基甲基氯硅烷、苯基甲基二氯硅烷、苯基二甲基氯硅烷、苯基二乙基氯硅烷、二苯基甲基氯硅烷、二苯基乙基氯硅烷、苯基乙基甲基氯硅烷、乙烯基氯硅烷、乙烯基二氯硅烷、乙烯基三氯硅烷、二乙烯基氯硅烷、二乙烯基二氯硅烷、三乙烯基氯硅烷、乙烯基甲基氯硅烷、乙烯基乙基氯硅烷、乙烯基甲基二氯硅烷、乙烯基乙基二氯硅烷、丙基氯硅烷、丙基二氯硅烷、丙基三氯硅烷、二丙基氯硅烷、二丙基氯硅烷、二丙基二氯硅烷、三丙基氯硅烷、丙基甲基氯硅烷、丙基乙基氯硅烷、丙基苯基氯硅烷、丙基乙烯基氯硅烷、丙基甲基二氯硅烷、丙基乙基二氯硅烷、丙基苯基二氯硅烷、丙基乙烯基二氯硅烷、丙基二甲基氯硅烷、丙基二乙基氯硅烷、丙基二苯基氯硅烷、丙基二乙烯基氯硅烷、二丙基甲基氯硅烷、二丙基乙基氯硅烷、二丙基苯基氯硅烷、二丙基乙烯基氯硅烷、丙基甲基乙基氯硅烷、丙基乙基苯基氯硅烷、丙基甲基苯基氯硅烷、丙基甲基乙烯基氯硅烷、丙基乙基乙烯基氯硅烷、丙基苯基乙烯基氯硅烷、丁基氯硅烷、二丁基氯硅烷、二丁基二氯硅烷、三丁基氯硅烷、丁基三氯硅烷、丁基甲基氯硅烷、丁基乙基氯硅烷、丁基苯基氯硅烷、丁基乙烯基氯硅烷、丁基丙基氯硅烷、丁基甲基二氯硅烷、丁基乙基二氯硅烷、丁基苯基二氯硅烷、丁基乙烯基二氯硅烷、丁基丙基二氯硅烷、丁基二甲基氯硅烷、丁基二乙基氯硅烷、丁基二苯基氯硅烷、丁基二乙烯基氯硅烷、丁基二丙基氯硅烷、二丁基甲基氯硅烷、二丁基乙基氯硅烷、二丁基苯基氯硅烷、二丁基乙烯基氯硅烷、二丁基丙基氯硅烷、丁基甲基乙基氯硅烷、丁基甲基苯基氯硅烷、丁基乙基苯基氯硅烷、丁基甲基乙烯基氯硅烷、丁基乙基乙烯基氯硅烷、丁基苯基乙烯基氯硅烷、丁基甲基丙基氯硅烷、丁基乙基丙基氯硅烷、丁基苯基丙基氯硅烷、丁基乙烯基丙基氯硅烷、对甲苯基氯硅烷、对甲苯基二氯硅烷、对甲苯基三氯硅烷、对甲苯基二甲基氯硅烷、对甲苯基甲基二氯硅烷、对甲苯基苯基氯硅烷、对甲苯基二苯基氯硅烷、对甲苯基苯基二氯硅烷、1-乙基-4-氯甲硅烷基苯、1-乙基-4-二甲基氯甲硅烷基苯、1-乙基-4-甲基二氯甲硅烷基苯、1-乙基-4-三氯甲硅烷基苯、1-乙基-4-苯基氯甲硅烷基苯、1-乙基-4-二苯基氯甲硅烷基苯、1-乙基-4-苯基二氯甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-氯甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二氯甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-三氯甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲基氯甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲基二氯甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二甲基氯甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-苯基氯甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-苯基二氯甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二苯基氯甲硅烷基苯、三苄基氯硅烷、二苄基氯硅烷、二苄基二氯硅烷、苄基三氯硅烷、五氟苯基二甲基氯硅烷、五氟苯基甲基二氯硅烷、3-吗啉基丙基三氯硅烷、3-吗啉基丙基二甲基氯硅烷、对甲氧基苯基三氯硅烷、对甲氧基苯基二甲基氯硅烷、异丙基二甲基氯硅烷、异丙基甲基二氯硅烷、异丁基三氯硅烷、异丁基二甲基氯硅烷、异丁基甲基二氯硅烷、三氯甲硅烷基酰苯胺(トリクロロシリルァニリド)、4-[2-(三氯甲硅烷基)乙基]吡啶、2-[2-(三氯甲硅烷基)乙基]吡啶、N-(3-三氯甲硅烷基丙基)-4，5-二氢咪唑、3-(三氯甲硅烷基)环戊烯、硅烷醇、二硅烷醇、三硅烷醇、三甲基硅烷醇、二甲基硅烷醇、二甲基二硅烷醇、甲基硅烷醇、甲基三硅烷醇、三乙基硅烷醇、二乙基硅烷醇、二乙基二硅烷醇、乙基硅烷醇、乙基三硅烷醇、乙基甲基硅烷醇、乙基甲基二硅烷醇、乙基二甲基硅烷醇、甲基二乙基硅烷醇、苯基硅烷醇、二苯基硅烷醇、三苯基硅烷醇、苯基二硅烷醇、苯基三硅烷醇、二苯基二硅烷醇、苯基甲基硅烷醇、苯基甲基二硅烷醇、苯基二甲基硅烷醇、苯基二乙基硅烷醇、二苯基甲基硅烷醇、二苯基乙基硅烷醇、苯基乙基甲基硅烷醇、乙烯基硅烷醇、乙烯基二硅烷醇、乙烯基三硅烷醇、二乙烯基硅烷醇、二乙烯基二硅烷醇、三乙烯基硅烷醇、乙烯基甲基硅烷醇、乙烯基乙基硅烷醇、乙烯基甲基二硅烷醇、乙烯基乙基二硅烷醇、丙基硅烷醇、丙基二硅烷醇、丙基三硅烷醇、二丙基硅烷醇、二丙基硅烷醇、二丙基二硅烷醇、三丙基硅烷醇、丙基甲基硅烷醇、丙基乙基硅烷醇、丙基苯基硅烷醇、丙基乙烯基硅烷醇、丙基甲基二硅烷醇、丙基乙基二硅烷醇、丙基苯基二硅烷醇、丙基乙烯基二硅烷醇、丙基二甲基硅烷醇、丙基二乙基硅烷醇、丙基二苯基硅烷醇、丙基二乙烯基硅烷醇、二丙基甲基硅烷醇、二丙基乙基硅烷醇、二丙基苯基硅烷醇、二丙基乙烯基硅烷醇、丙基甲基乙基硅烷醇、丙基乙基苯基硅烷醇、丙基甲基苯基硅烷醇、丙基甲基乙烯基硅烷醇、丙基乙基乙烯基硅烷醇、丙基苯基乙烯基硅烷醇、丁基硅烷醇、二丁基硅烷醇、二丁基二硅烷醇、三丁基硅烷醇、丁基三硅烷醇、丁基甲基硅烷醇、丁基乙基硅烷醇、丁基苯基硅烷醇、丁基乙烯基硅烷醇、丁基丙基硅烷醇、丁基甲基二硅烷醇、丁基乙基二硅烷醇、丁基苯基二硅烷醇、丁基乙烯基二硅烷醇、丁基丙基二硅烷醇、丁基二甲基硅烷醇、丁基二乙基硅烷醇、丁基二苯基硅烷醇、丁基二乙烯基硅烷醇、丁基二丙基硅烷醇、二丁基甲基硅烷醇、二丁基乙基硅烷醇、二丁基苯基硅烷醇、二丁基乙烯基硅烷醇、二丁基丙基硅烷醇、丁基甲基乙基硅烷醇、丁基甲基苯基硅烷醇、丁基乙基苯基硅烷醇、丁基甲基乙烯基硅烷醇、丁基乙基乙烯基硅烷醇、丁基苯基乙烯基硅烷醇、丁基甲基丙基硅烷醇、丁基乙基丙基硅烷醇、丁基苯基丙基硅烷醇、丁基乙烯基丙基硅烷醇、对甲苯基硅烷醇、对甲苯基二硅烷醇、对甲苯基三硅烷醇、对甲苯基二甲基硅烷醇、对甲苯基甲基二硅烷醇、对甲苯基苯基硅烷醇、对甲苯基二苯基硅烷醇、对甲苯基苯基二硅烷醇、1-乙基-4-羟基甲硅烷基苯、1-乙基-4-二甲基羟基甲硅烷基苯、1-乙基-4-甲基二羟基甲硅烷基苯、1-乙基-4-三羟基甲硅烷基苯、1-乙基-4-苯基羟基甲硅烷基苯、1-乙基-4-二苯基羟基甲硅烷基苯、1-乙基-4-苯基二羟基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-羟基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二羟基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-三羟基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲基羟基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲基二羟基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二甲基羟基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-苯基羟基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-苯基二羟基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二苯基羟基甲硅烷基苯、三苄基硅烷醇、二苄基硅烷醇、二苄基二硅烷醇、苄基三硅烷醇、五氟苯基二甲基硅烷醇、五氟苯基甲基二硅烷醇、3-吗啉基丙基三硅烷醇、3-吗啉基丙基二甲基硅烷醇、对甲氧基苯基三硅烷醇、对甲氧基苯基二甲基硅烷醇、异丙基二甲基硅烷醇、异丙基甲基二硅烷醇、异丁基三硅烷醇、异丁基二甲基硅烷醇、异丁基甲基二硅烷醇、三羟基甲硅烷基酰苯胺、4-[2-(三羟基甲硅烷基)乙基]吡啶、2-[2-(三羟基甲硅烷基)乙基]吡啶、N-(3-三羟基甲硅烷基丙基)-4，5-二氢咪唑、3-(三羟基甲硅烷基)环戊烯、甲氧基硅烷、二甲氧基硅烷、三甲氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、二甲基甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、三乙基甲氧基硅烷、二乙基甲氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、乙基甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基甲基甲氧基硅烷、乙基甲基二甲氧基硅烷、乙基二甲基甲氧基硅烷、甲基二乙基甲氧基硅烷、苯基甲氧基硅烷、二苯基甲氧基硅烷、三苯基甲氧基硅烷、苯基二甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、苯基甲基甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、苯基二甲基甲氧基硅烷、苯基二乙基甲氧基硅烷、二苯基甲基甲氧基硅烷、二苯基乙基甲氧基硅烷、苯基乙基甲基甲氧基硅烷、乙烯基甲氧基硅烷、乙烯基二甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、二乙烯基甲氧基硅烷、二乙烯基二甲氧基硅烷、三乙烯基甲氧基硅烷、乙烯基甲基甲氧基硅烷、乙烯基乙基甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基乙基二甲氧基硅烷、丙基甲氧基硅烷、丙基二甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、二丙基甲氧基硅烷、二丙基甲氧基硅烷、二丙基二甲氧基硅烷、三丙基甲氧基硅烷、丙基甲基甲氧基硅烷、丙基乙基甲氧基硅烷、丙基苯基甲氧基硅烷、丙基乙烯基甲氧基硅烷、丙基甲基二甲氧基硅烷、丙基乙基二甲氧基硅烷、丙基苯基二甲氧基硅烷、丙基乙烯基二甲氧基硅烷、丙基二甲基甲氧基硅烷、丙基二乙基甲氧基硅烷、丙基二苯基甲氧基硅烷、丙基二乙烯基甲氧基硅烷、二丙基甲基甲氧基硅烷、二丙基乙基甲氧基硅烷、二丙基苯基甲氧基硅烷、二丙基乙烯基甲氧基硅烷、丙基甲基乙基甲氧基硅烷、丙基乙基苯基甲氧基硅烷、丙基甲基苯基甲氧基硅烷、丙基甲基乙烯基甲氧基硅烷、丙基乙基乙烯基甲氧基硅烷、丙基苯基乙烯基甲氧基硅烷、丁基甲氧基硅烷、二丁基甲氧基硅烷、二丁基二甲氧基硅烷、三丁基甲氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基甲基甲氧基硅烷、丁基乙基甲氧基硅烷、丁基苯基甲氧基硅烷、丁基乙烯基甲氧基硅烷、丁基丙基甲氧基硅烷、丁基甲基二甲氧基硅烷、丁基乙基二甲氧基硅烷、丁基苯基二甲氧基硅烷、丁基乙烯基二甲氧基硅烷、丁基丙基二甲氧基硅烷、丁基二甲基甲氧基硅烷、丁基二乙基甲氧基硅烷、丁基二苯基甲氧基硅烷、丁基二乙烯基甲氧基硅烷、丁基二丙基甲氧基硅烷、二丁基甲基甲氧基硅烷、二丁基乙基甲氧基硅烷、二丁基苯基甲氧基硅烷、二丁基乙烯基甲氧基硅烷、二丁基丙基甲氧基硅烷、丁基甲基乙基甲氧基硅烷、丁基甲基苯基甲氧基硅烷、丁基乙基苯基甲氧基硅烷、丁基甲基乙烯基甲氧基硅烷、丁基乙基乙烯基甲氧基硅烷、丁基苯基乙烯基甲氧基硅烷、丁基甲基丙基甲氧基硅烷、丁基乙基丙基甲氧基硅烷、丁基苯基丙基甲氧基硅烷、丁基乙烯基丙基甲氧基硅烷、对甲苯基甲氧基硅烷、对甲苯基二甲氧基硅烷、对甲苯基三甲氧基硅烷、对甲苯基二甲基甲氧基硅烷、对甲苯基甲基二甲氧基硅烷、对甲苯基苯基甲氧基硅烷、对甲苯基二苯基甲氧基硅烷、对甲苯基苯基二甲氧基硅烷、1-乙基-4-甲氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-二甲基甲氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-甲基二甲氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-三甲氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-苯基甲氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-二苯基甲氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-苯基二甲氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二甲氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-三甲氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲基甲氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲基二甲氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二甲基甲氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-苯基甲氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-苯基二甲氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二苯基甲氧基甲硅烷基苯、三苄基甲氧基硅烷、二苄基甲氧基硅烷、二苄基二甲氧基硅烷、苄基三甲氧基硅烷、五氟苯基二甲基甲氧基硅烷、五氟苯基甲基二甲氧基硅烷、3-吗啉基丙基三甲氧基硅烷、3-吗啉基丙基二甲基甲氧基硅烷、对甲氧基苯基三甲氧基硅烷、对甲氧基苯基二甲基甲氧基硅烷、异丙基二甲基甲氧基硅烷、异丙基甲基二甲氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、异丁基二甲基甲氧基硅烷、异丁基甲基二甲氧基硅烷、三甲氧基甲硅烷基酰苯胺、4-[2-(三甲氧基甲硅烷基)乙基]吡啶、2-[2-(三甲氧基甲硅烷基)乙基]吡啶、N-(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)-4，5-二氢咪唑、3-(三甲氧基甲硅烷基)环戊烯、乙氧基硅烷、二乙氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、二甲基乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、三乙基乙氧基硅烷、二乙基乙氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、乙基乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙基甲基乙氧基硅烷、乙基甲基二乙氧基硅烷、乙基二甲基乙氧基硅烷、甲基二乙基乙氧基硅烷、苯基乙氧基硅烷、二苯基乙氧基硅烷、三苯基乙氧基硅烷、苯基二乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、苯基甲基乙氧基硅烷、苯基甲基二乙氧基硅烷、苯基二甲基乙氧基硅烷、苯基二乙基乙氧基硅烷、二苯基甲基乙氧基硅烷、二苯基乙基乙氧基硅烷、苯基乙基甲基乙氧基硅烷、乙烯基乙氧基硅烷、乙烯基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、二乙烯基乙氧基硅烷、二乙烯基二乙氧基硅烷、三乙烯基乙氧基硅烷、乙烯基甲基乙氧基硅烷、乙烯基乙基乙氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基乙基二乙氧基硅烷、丙基乙氧基硅烷、丙基二乙氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、二丙基乙氧基硅烷、二丙基乙氧基硅烷、二丙基二乙氧基硅烷、三丙基乙氧基硅烷、丙基甲基乙氧基硅烷、丙基乙基乙氧基硅烷、丙基苯基乙氧基硅烷、丙基乙烯基乙氧基硅烷、丙基甲基二乙氧基硅烷、丙基乙基二乙氧基硅烷、丙基苯基二乙氧基硅烷、丙基乙烯基二乙氧基硅烷、丙基二甲基乙氧基硅烷、丙基二乙基乙氧基硅烷、丙基二苯基乙氧基硅烷、丙基二乙烯基乙氧基硅烷、二丙基甲基乙氧基硅烷、二丙基乙基乙氧基硅烷、二丙基苯基乙氧基硅烷、二丙基乙烯基乙氧基硅烷、丙基甲基乙基乙氧基硅烷、丙基乙基苯基乙氧基硅烷、丙基甲基苯基乙氧基硅烷、丙基甲基乙烯基乙氧基硅烷、丙基乙基乙烯基乙氧基硅烷、丙基苯基乙烯基乙氧基硅烷、丁基乙氧基硅烷、二丁基乙氧基硅烷、二丁基二乙氧基硅烷、三丁基乙氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、丁基甲基乙氧基硅烷、丁基乙基乙氧基硅烷、丁基苯基乙氧基硅烷、丁基乙烯基乙氧基硅烷、丁基丙基乙氧基硅烷、丁基甲基二乙氧基硅烷、丁基乙基二乙氧基硅烷、丁基苯基二乙氧基硅烷、丁基乙烯基二乙氧基硅烷、丁基丙基二乙氧基硅烷、丁基二甲基乙氧基硅烷、丁基二乙基乙氧基硅烷、丁基二苯基乙氧基硅烷、丁基二乙烯基乙氧基硅烷、丁基二丙基乙氧基硅烷、二丁基甲基乙氧基硅烷、二丁基乙基乙氧基硅烷、二丁基苯基乙氧基硅烷、二丁基乙烯基乙氧基硅烷、二丁基丙基乙氧基硅烷、丁基甲基乙基乙氧基硅烷、丁基甲基苯基乙氧基硅烷、丁基乙基苯基乙氧基硅烷、丁基甲基乙烯基乙氧基硅烷、丁基乙基乙烯基乙氧基硅烷、丁基苯基乙烯基乙氧基硅烷、丁基甲基丙基乙氧基硅烷、丁基乙基丙基乙氧基硅烷、丁基苯基丙基乙氧基硅烷、丁基乙烯基丙基乙氧基硅烷、对甲苯基乙氧基硅烷、对甲苯基二乙氧基硅烷、对甲苯基三乙氧基硅烷、对甲苯基二甲基乙氧基硅烷、对甲苯基甲基二乙氧基硅烷、对甲苯基苯基乙氧基硅烷、对甲苯基二苯基乙氧基硅烷、对甲苯基苯基二乙氧基硅烷、1-乙基-4-乙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-二甲基乙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-甲基二乙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-三乙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-苯基乙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-二苯基乙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-苯基二乙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-乙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二乙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-三乙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲基乙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲基二乙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二甲基乙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-苯基乙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-苯基二乙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二苯基乙氧基甲硅烷基苯、三苄基乙氧基硅烷、二苄基乙氧基硅烷、二苄基二乙氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷、五氟苯基二甲基乙氧基硅烷、五氟苯基甲基二乙氧基硅烷、3-吗啉基丙基三乙氧基硅烷、3-吗啉基丙基二甲基乙氧基、对甲氧基苯基三乙氧基硅烷、对甲氧基苯基二甲基乙氧基硅烷、异丙基二甲基乙氧基硅烷、异丙基甲基二乙氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、异丁基二甲基乙氧基硅烷、异丁基甲基二乙氧基硅烷、三氯二乙氧基酰苯胺、4-[2-(三氯甲硅烷基)乙基]吡啶、2-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]吡啶、N-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)-4，5-二氢咪唑、3-(三氯甲硅烷基)二乙氧基戊烯、丙氧基硅烷、二丙氧基硅烷、三丙氧基硅烷、三甲基丙氧基硅烷、二甲基丙氧基硅烷、二甲基二丙氧基硅烷、甲基丙氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、三乙基丙氧基硅烷、二乙基丙氧基硅烷、二乙基二丙氧基硅烷、乙基丙氧基硅烷、乙基三丙氧基硅烷、乙基甲基丙氧基硅烷、乙基甲基二丙氧基硅烷、乙基二甲基丙氧基硅烷、甲基二乙基丙氧基硅烷、苯基丙氧基硅烷、二苯基丙氧基硅烷、三苯基丙氧基硅烷、苯基二丙氧基硅烷、苯基三丙氧基硅烷、二苯基二丙氧基硅烷、苯基甲基丙氧基硅烷、苯基甲基二丙氧基硅烷、苯基二甲基丙氧基硅烷、苯基二乙基丙氧基硅烷、二苯基甲基丙氧基硅烷、二苯基乙基丙氧基硅烷、苯基乙基甲基丙氧基硅烷、乙烯基丙氧基硅烷、乙烯基二丙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷、二乙烯基丙氧基硅烷、二乙烯基二丙氧基硅烷、三乙烯基丙氧基硅烷、乙烯基甲基丙氧基硅烷、乙烯基乙基丙氧基硅烷、乙烯基甲基二丙氧基硅烷、乙烯基乙基二丙氧基硅烷、丙基丙氧基硅烷、丙基二丙氧基硅烷、丙基三丙氧基硅烷、二丙基丙氧基硅烷、二丙基丙氧基硅烷、二丙基二丙氧基硅烷、三丙基丙氧基硅烷、丙基甲基丙氧基硅烷、丙基乙基丙氧基硅烷、丙基苯基丙氧基硅烷、丙基乙烯基丙氧基硅烷、丙基甲基二丙氧基硅烷、丙基乙基二丙氧基硅烷、丙基苯基二丙氧基硅烷、丙基乙烯基二丙氧基硅烷、丙基二甲基丙氧基硅烷、丙基二乙基丙氧基硅烷、丙基二苯基丙氧基硅烷、丙基二乙烯基丙氧基硅烷、二丙基甲基丙氧基硅烷、二丙基乙基丙氧基硅烷、二丙基苯基丙氧基硅烷、二丙基乙烯基丙氧基硅烷、丙基甲基乙基丙氧基硅烷、丙基乙基丙基丙氧基硅烷、丙基甲基苯基丙氧基硅烷、丙基甲基乙烯基丙氧基硅烷、丙基乙基乙烯基丙氧基硅烷、丙基苯基乙烯基丙氧基硅烷、丁基丙氧基硅烷、二丁基丙氧基硅烷、二丁基二丙氧基硅烷、三丁基丙氧基硅烷、丁基三丙氧基硅烷、丁基甲基丙氧基硅烷、丁基乙基丙氧基硅烷、丁基苯基丙氧基硅烷、丁基乙烯基丙氧基硅烷、丁基丙基丙氧基硅烷、丁基甲基二丙氧基硅烷、丁基乙基二丙氧基硅烷、丁基苯基二丙氧基硅烷、丁基乙烯基二丙氧基硅烷、丁基丙基二丙氧基硅烷、丁基二甲基丙氧基硅烷、丁基二乙基丙氧基硅烷、丁基二苯基丙氧基硅烷、丁基二乙烯基丙氧基硅烷、丁基二丙基丙氧基硅烷、二丁基甲基丙氧基硅烷、二丁基乙基丙氧基硅烷、二丁基苯基丙氧基硅烷、二丁基乙烯基丙氧基硅烷、二丁基丙基丙氧基硅烷、丁基甲基乙基丙氧基硅烷、丁基甲基苯基丙氧基硅烷、丁基乙基苯基丙氧基硅烷、丁基甲基乙烯基丙氧基硅烷、丁基乙基乙烯基丙氧基硅烷、丁基苯基乙烯基丙氧基硅烷、丁基甲基丙基丙氧基硅烷、丁基乙基丙基丙氧基硅烷、丁基苯基丙基丙氧基硅烷、丁基乙烯基丙基丙氧基硅烷、对甲苯基丙氧基硅烷、对甲苯基二丙氧基硅烷、对甲苯基三丙氧基硅烷、对甲苯基二甲基丙氧基硅烷、对甲苯基甲基二丙氧基硅烷、对甲苯基苯基丙氧基硅烷、对甲苯基二苯基丙氧基硅烷、对甲苯基苯基二丙氧基硅烷、1-乙基-4-丙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-二甲基丙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-甲基二丙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-三丙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-苯基丙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-二苯基丙氧基甲硅烷基苯、1-乙基-4-苯基二丙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-丙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二丙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-三丙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲基丙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-甲基二丙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二甲基丙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-苯基丙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-苯基二丙氧基甲硅烷基苯、2，6-二甲基-4-二苯基丙氧基甲硅烷基苯、三苄基丙氧基硅烷、二苄基丙氧基硅烷、二苄基二丙氧基硅烷、苄基三丙氧基硅烷、五氟苯基二甲基丙氧基硅烷、五氟苯基甲基二丙氧基硅烷、3-吗啉基丙基三丙氧基硅烷、3-吗啉基丙基二甲基丙氧基硅烷、对甲氧基苯基三丙氧基硅烷、对甲氧基苯基二甲基丙氧基硅烷、异丙基二甲基丙氧基硅烷、异丙基甲基二丙氧基硅烷、异丁基三丙氧基硅烷、异丁基二甲基丙氧基硅烷、异丁基甲基二丙氧基硅烷、三丙氧基甲硅烷基酰苯胺、4-[2-(三丙氧基甲硅烷基)乙基]吡啶、2-[2-(三丙氧基甲硅烷基)乙基]吡啶、N-(3-三丙氧基甲硅烷基丙基)-4，5-二氢咪唑、3-(三丙氧基甲硅烷基)环戊烯。
或者，优选本发明的含硅化合物含有以下化合物，即，去掉由式(1)-(3)组成的组中选出的化合物的X1、X2及Y中的氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基中的至少任意的一个，并通过氮相互结合而得到的化合物。将如此的通过氮的结合称作硅氮键。
具有该硅氮键的化合物，除了包括去掉由式(1)-(3)组成的组中选出的化合物的X1、X2及Y中的氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基中的至少任意的一个，并通过氮相互结合而得到的、将1～3个Si群具有两个的化合物以外，还包括下述化合物，即，(A)去掉由式(1)-(3)组成的组中选出的化合物的X1、X2及Y中的氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基中的至少任意的一个，(B)去掉由式(1)-(3)组成的组中选出的化合物的X1、X2及Y中的氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基中的任意一个或两个以上，通过氮使(A)和(B)相互结合而得到的、将1～3个Si群具有三个以上的化合物等。将其具体例示于图6中。
本发明含硅化合物的功能是，恢复因蚀刻引起的损伤，从而抑制介电常数的劣化；本发明含氮物质的功能是機能是，在有效地洗净蚀刻残渣的同时，还具有pH缓冲功能，该pH缓冲功能能够使本发明含硅化合物恢复损伤功能(或抑制介电常数劣化功能)最佳化。从pH缓冲功能的观点出发，优选本发明蚀刻后处理剂的pH值在超过7且10以下的范围。但是，本发明并不限定于这些功能，本发明的本质在于，通过本发明含硅化合物和本发明含氮物质的组合，实现上述效果。另外，本发明的含氮物质能够有效地洗净蚀刻残渣的理由，认为是含氮物质能够使蚀刻时产生的残渣(例如含氟烃化合物)进行化学分解的缘故。但是，该机理与本发明的本质没有关系。
只要不违反本发明的宗旨，本发明硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂还可以含有其他的物质。作为这样的物质，可以举出表面活性剂。
本发明的表面活性剂是为了提高溶液的涂布性，即为了提高能够均匀平滑地涂布的性质而使用，可适当地选择公知的表面活性剂。作为该表面活性剂，例如，可以举出阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、两性表面活性剂等。其中，优选非离子表面活性剂。作为非离子表面活性剂，例如可以举出烷基苯酚-氧化乙烯型、醇-氧化乙烯型、丙烯-氧化乙烯嵌段共聚物型、脂肪酸酯型、酰胺型、聚乙二醇等。在非离子表面活性剂中，更优选醇-氧化乙烯型、烷基苯酚-氧化乙烯型或丙烯-氧化乙烯嵌段共聚物型。这是因为，在制造半导体装置上已经实际应用过，并能够赋予可靠性的缘故。
本发明的蚀刻后处理剂是添加在溶剂中而使用。该溶剂只要能够溶解上述蚀刻后处理剂即可，没有特别的限定，例如，可以举出水、甲醇、乙醇、丙醇、环己酮、丙酮、甲基异丁基酮、甲乙酮、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、辛烷、癸烷、己烷、丙二醇、丙二醇单甲醚醋酸酯、二噁烷、二乙醚、二乙二醇、硫酸二甲酯、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、四氢呋喃及它们的混合物等。特别是，由于水或水与醇类的混合物容易操作，因此优选。
本发明的蚀刻后处理剂中，还可以分别含有两种以上本发明的含氮物质、酸、含硅化合物、及任意共存的表面活性剂。
对本发明蚀刻后处理剂中这些材料各自的浓度未作特别的限定，可根据实际情况适当地决定，但通常，优选含氮物质含量为0.01～10重量％、酸含量为0.01～10重量％、含硅化合物含量为20～60重量％、表面活性剂含量为1～10000重量ppm。但是，关于含氮物质和酸，由于他们的相互作用，多数情况下最优先考虑本发明蚀刻后处理剂的pH值。
另外，当在上述浓度范围内时，使本发明的效果最佳化的观点考虑，本发明蚀刻后处理剂中的含氮物质总量对酸总量的当量比优选在1∶0.001～1000的范围。在此所述的当量，是指酸、碱及盐中的化学当量。例如，当氨(本发明的含氮物质)为1摩尔、盐酸为1摩尔时，上述当量比成为1∶1，但当氨为1摩尔，柠檬酸为1摩尔时，上述当量比成为1∶3。
另外，若蚀刻的结果布线等的金属部分被露出时，本发明的蚀刻后处理剂还具有容易腐蚀该金属部分的优点。从该观点出发，特别优选将pH值如上所述地保持在超过7且10以下的范围。
[半导体装置的制造方法]
通过采用在半导体装置的硅系绝缘膜上实施蚀刻，然后，用本发明的蚀刻后处理剂处理蚀刻面，或者，包括其后在50℃-400℃的温度下进行热处理过程的制造方法来制造半导体装置，能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数的增加，另外，在蚀刻后的表面成膜时能够抑制膜的剥离、不均匀成膜。为此，能够提高半导体装置的质量，能够实现高速且可靠性高的半导体装置，能够提高其制造成品率。当所使用的硅系绝缘膜的相对介电常数为2.7以下时，其效果特别大，因而优选。
本制造方法中的硅系绝缘膜，优选为用于对半导体装置的布线屠和通孔中的至少任意一者进行绝缘的绝缘膜。这样的绝缘膜多数情况下被称作层间绝缘膜，当为布线层时，多数情况下是在通过蚀刻形成的沟槽上形成阻挡金属层，在其上埋入铜等导电性物质。此时，能够抑制介电常数的增加，能够使阻挡金属层均匀地粘接在绝缘膜上，能够防止因膜的剥离或阻挡金属层的功能不全引起的布线金属的移动。
本发明的蚀刻后处理剂可以是事先按照最终组成配制好，并在使用时采用，也可以在临近使用之前将原料或中间组合物加以组合而配制成最终组成。除非本发明的含硅化合物聚合而变质的情况外，本发明的蚀刻后处理剂多数情况下可以长期保存。
关于用本发明蚀刻后处理剂处理蚀刻面的方法没有特别的限定，可适当地选择公知的方法。例如，可以举出浸渍在蚀刻后处理剂中的方法(浸渍法)、旋涂法、喷雾法等。也可以组合超声波振动。
从功能的角度看，该处理可为了恢复因蚀刻引起的损伤而采用，也可以为了洗净蚀刻残渣而采用，另外，还可以为了同时得到上述两者效果而采用。在半导体装置的制造中，只要能够得到本发明的效果，用本发明的蚀刻后处理剂处理蚀刻面的工序可设置在制造中的任意阶段中，但是，当恢复因蚀刻引起的损伤的工序、或洗净蚀刻残渣的工序作为以往的工序已经存在时，合理的是插入在以往工序中，或者用本工序来代替以往的工序。
在用蚀刻后处理剂处理蚀刻面后，通过在50℃～400℃的温度下进行热处理，可在短时间内恢复损伤。具体地讲，在蒸发去除溶剂等的同时，促进因蚀刻受损伤的硅系绝缘膜表面硅烷醇基的亲水性基团的脱水缩合。
热处理可以采用任意的方法。具体地讲，可以举出加热板、炉、红外灯等。
若热处理温度低于50℃，则效果小，若超过400℃，有可能引起硅系绝缘膜的变质。热处理是在用蚀刻后处理剂处理蚀刻面后进行，但为了防止因蚀刻后处理剂引起腐食等的可能性，在用蚀刻后处理剂处理蚀刻面后进行洗涤的情况下，则最好在其之前实施。这是因为，残留有蚀刻后处理剂，能够更有效地进行脱水缩合的可能性大的缘故。
另外，有时也可以在用蚀刻后处理剂处理蚀刻面的过程中实施加热。此时，在恢复损伤的同时还可以促进蚀刻残渣的洗净。此时的温度优选为50～150℃的范围。既可以将该加热与蚀刻后处理剂处理蚀刻面后的加热的两者加以组合，也可以仅使用其中的一者。
实施例
下面，详细说明本发明的实施例及比较例。另外，关于所采用的评价方法，则记载在实施例的处理剂及比较例的处理剂说明之后。将评价条件的一部分和结果示于表1中。表中记载的“整面膜”，是指没有形成沟槽或孔，在膜的整面实施蚀刻的膜。在表1的下部记载了所使用试剂的一部分。
实施例1
将三甲基乙氧基硅烷118g(1.0mol)、异丙醇100g(1.66mol)加入反应容器中，并在10℃的恒温下，用滴液漏斗，将表1所述的1.0重量％的氨水17g(0.01mol)和1.0重量％的氟化铵水溶液37g(0.01mol)的混合溶液，以2mL/分钟的条件滴落，滴落结束后搅拌2小时。用pH计测定所得溶液(蚀刻后处理剂)的pH值，结果溶液的pH值为9.45。
实施例2
将三甲基氯硅烷108g(1.0mol)、异丙醇100g(1.66mol)加入反应容器中，并在10℃的恒温下，利用滴液漏斗，将表1所述的1.0重量％的氨水17g(0.01mol)和1.0重量％的氟化铵水溶液37g(0.01mol)的混合溶液，以2mL/分钟的条件滴落，滴落结束后搅拌2小时。用pH计测定所得溶液的pH值，结果溶液(蚀刻后处理剂)的pH值为9.50。
实施例3
将三乙基硅烷醇132g(1.0mol)、异丙醇150g(2.50mol)加入反应容器中，并在10℃的恒温下，利用滴液漏斗，将表1所述的1.0重量％的氨水17g(0.01mol)和1.0重量％的氟化铵水溶液37g(0.01mol)的混合溶液，以2mL/分钟的条件滴落，滴落结束后搅拌2小时。用pH计测定所得溶液的pH值，结果溶液(蚀刻后处理剂)的pH值为9.45。
实施例4
将二甲基二甲氧基硅烷120g(1.0mol)、异丙醇150g(2.50mol)加入反应容器中，并在10℃恒温下，利用滴液漏斗，将表1所述的1.0重量％的氨水17g(0.01mol)和1.0重量％的氟化铵水溶液37g(0.01mol)的混合溶液，以2mL/分钟的条件滴落，滴落结束后搅拌2小时。用pH计测定所得溶液的pH值，结果溶液(蚀刻后处理剂)的pH值为9.23。
实施例5
将苯基三乙氧基硅烷240g(1.0mol)、异丙醇200g(3.33mol)及TN-80(旭电化，醇-氧化乙烯型非离子表面活性剂；伯醇乙醇盐)0.05g(对完成溶液为100重量ppm)加入反应容器中，并在10℃恒温下，利用滴液漏斗，将表1所示的1.0重量％的氨水17g(0.01mol)和1.0重量％的氟化铵水溶液37g(0.01mol)的混合溶液，以2mL/分钟的条件滴落，滴落结束后搅拌2小时。用pH计测定所得溶液的pH值，结果溶液(蚀刻后处理剂)的pH值为9.13。
实施例6
将六甲基二硅氮烷161g(1.0mol)、异丙醇150g(2.50mol)加入反应容器中，并在10℃恒温下，利用滴液漏斗，将表1所述的1.0重量％的氨水17g(0.01mol)和1.0重量％的氟化铵水溶液37g(0.01mol)的混合溶液，以2mL/分钟的条件滴落，滴落结束后搅拌2小时。用pH计测定所得溶液的pH值，结果溶液(蚀刻后处理剂)的pH值为9.55。
实施例7～12
在实施例1中，如表1所述地，将所混合的氨系碱和氟化铵的当量比再1∶0.002～600的范围内进行改变，从而制作蚀刻后処理剂。
实施例13～17
如表1所述地，将实施例5中的溶液制备中使用的TN-80添加量在3～8000重量ppm范围内进行改变，从而制作溶液(蚀刻后处理剂)。
实施例18
将三甲基乙氧基硅烷118g(1.0mol)、二噁烷100g(1.13mol)加入反应容器中，并在10℃的恒温下，利用滴液漏斗，将表1所述的1.0重量％的四正丁基氢氧化铵水溶液258g(0.01mol)和1.0重量％的磷酸氢二铵水溶液66g(0.005mol)的混合溶液，以2mL/分种的条件滴落，滴落结束后搅拌2小时。用pH计测定所得溶液的pH值，结果溶液(蚀刻后处理剂)的pH值为9.67。
实施例19
将三甲基乙氧基硅烷118g(1.0mol)、甲基异丁基酮100g(1.00mol)加入反应容器中，并在10℃的恒温下，利用滴液漏斗，将表1所述的1.0重量％的四甲基氢氧化铵水溶液91g(0.01mol)和1.0重量％的甲酸铵水溶液63g(0.01mol)的混合溶液，以2mL/分钟的条件滴落，滴落结束后搅拌2小时。用pH计测定所得溶液的pH值，结果溶液(蚀刻后处理剂)的pH值为9.52。
实施例20
将三甲基乙氧基硅烷118g(1.0mol)、丙二醇单甲醚100g(0.85mol)加入反应容器中，并在10℃恒温下，利用滴液漏斗，将表1所示的1.0重量％的四丙基氢氧化铵水溶液203g(0.01mol)和1.0重量％的醋酸铵水溶液77g(0.01mol)的混合溶液，以2mL/分钟的条件滴落，滴落结束后搅拌2小时。用pH计测定所得溶液的pH值，结果溶液(蚀刻后处理剂)的pH值为9.60。
实施例21
将三甲基乙氧基硅烷118g(1.0mol)、丙二醇单丙醚100g(0.85mol)加入反应容器，并在10℃的恒温下，利用滴液漏斗，将表1所示的1.0重量％的乙二胺水溶液120g(0.02mol)和1.0重量％的草酸水溶液90g(0.01mol)的混合溶液，以2mL/分钟的条件滴落，滴落结束后搅拌2小时。用pH计测定所得溶液的pH值，结果溶液(蚀刻后处理剂)的pH值为9.31。
比较例1
将以往作为蚀刻后洗涤剂使用的氟化铵水溶液调整为1.0重量％。用pH计测定所得溶液的pH值，结果溶液的pH值为7.7。
比较例2
将以往作为蚀刻后的硅系绝缘膜恢复处理剂使用的六甲基二硅氮烷161g(1.0mol)与异丙醇161g(2.7mol)混合，调整为溶液。
利用上述实施例1～21的处理剂及比较例1～2的处理剂的溶液，分别依次进行以下的处理。
<整面膜评价>
(处理方法)
将160nm形成于Si片上的由含SiOCH材料构成的多孔质绝缘膜(“セラメ-トNCS”，触媒化成工业制)(以下，有时将其简称为“多孔质绝缘膜”)，通过以CF4/CHF3作为原料的F等离子体蚀刻20nm，在其上，将实施例的处理剂及比较例的处理剂，以旋转数500rpm、时间为60秒的条件，进行旋转涂布处理后，置于将温度设定在200℃的加热板上，以60秒的条件进行干燥。
(相对介电常数)
在评价对象的膜上制造直径1mm的金属电极，利用连接了1MHz、1V的交流电的探测器测定容量，从该容量和通过分光椭圆对称法测定的膜厚，算出相对介电常数。进而，从该相对介电常数和蚀刻后多孔质绝缘膜的相对介电常数之差，算出恢复量。蚀刻前多孔质绝缘膜的相对介电常数为2.25，蚀刻后多孔质绝缘膜的相对介电常数为3.23。
(表面粗糙状况)
在50000倍的表面SEM照片中，利用加速电压5kV，通过评价对象的膜表面粗糙程度，肉眼确认蚀刻残渣的有无。
(蚀刻残渣CFx的比例)
通过X线光电子分光，进行表面分析、从F 1s峰值的积分值，算出膜表面的CFx比例。
(布线金属Cu的腐蚀)
利用段差计测定Cu膜的膜厚减少率。表中的Cu膜厚减少率表示相对于原来厚度的腐食后厚度的比例。
(药液涂布的均匀性)
利用光学显微镜，以100倍的倍率，肉眼确认涂布均匀性。
<安装试验评价>
参照图1～5，在由元件之间分离膜2分离，并形成有源扩散层5a和漏极扩散层5b、形成了具有侧壁硅系绝缘膜3的栅电极的晶体管层的Si片1(工序1)上，形成层间硅系绝缘膜6、阻挡膜7，形成引出电极用接触孔(工序2)。
在该接触孔上，通过溅射法形成50nm厚TiO(氧化钛)8后，通过将WF6与氢混合并进行还原，埋入导体柱W(钨)9，利用化学的机械研磨法(CMP)，去除通孔以外的部分(工序3)。
接着，通过CVD法(化学气相生长法)，形成30nm厚的O、H少而Si、C多的SiOCH膜(以下，有时将该膜称作“SiC膜”)10、160nm厚与上述(评价)中使用的相同的多孔质绝缘膜11(以下，简称为“多孔质绝缘膜”)、30nm厚的SiC膜12(工序4)。进而，在该层叠膜上，以实施有布线宽度100nm、布线间隔100nm的第一层布线图案的抗蚀剂层作为掩膜，通过以CF4/CHF3气体作为原料的F等离子体，加工布线槽(工序5)。SiC膜10、多孔质绝缘膜11、SiC膜12相当于本发明的硅系绝缘膜。
在此，在完成布线槽加工的层叠膜上，将实施例处理剂及比较例处理剂中的任意一种，通过上述使用的方法，进行旋转涂布处理，并进行干燥。
在该布线槽上，通过溅射法形成10nm的作为Cu对绝缘膜的扩散阻挡层作用的TaN 13和10nm的电解电镀时作为电极作用的晶种层Cu。进而，通过电解电镀层叠600nm厚Cu 14后，通过CMP去除布线图案部以外的金属，通过气相生长法形成30nm厚的SiN膜15，由此形成第一层布线层(工序6)。接着，在该布线层上，形成180nm厚多孔质绝缘膜16、30nm厚SiC膜17、160nm厚多孔质绝缘膜18、30nm厚S iC膜19(工序7)。
在该绝缘膜上，以形成有通孔图案的抗蚀剂层作为掩膜，利用以CF4/CHF3气体作为原料的F等离子体，通过改变气体组成、压力，依次加工SiC膜19/多孔质绝缘膜18/SiC膜17/多孔质绝缘膜16/SiN膜15。接着，以形成有第二层布线图案的抗蚀剂层作为掩膜，通过以CF4/CHF3气体作为原料的F等离子体进行加工。然后，在结束了布线槽加工的层叠膜上，将与上述使用的相同的处理剂，利用与上述相同的方法，进行旋转涂布处理，并进行干燥(工序8)。SiC膜19、多孔质绝缘膜18、SiC膜17、多孔质绝缘膜16全部相当于本发明的“硅系绝缘膜”。
在通孔和布线槽上，通过溅射法形成10nm厚作为Cu对绝缘膜的扩散阻挡层作用的TaN 20和10nm厚电解电镀时作为电极作用的晶种层Cu。进而，通过电解电镀层叠1400nm厚Cu 21后，通过CMP去除布线图案部以外的金属(工序9)，通过气相生长法形成30nm厚的SiN膜22，由此形成第二层布线层(工序10)。
以下，重复上述工序，形成第三层布线。利用实施例1～21、比较例1，2的蚀刻后处理剂制作的多层布线，通过层间容量算出100万个连续通孔的成品率及有效相对介电常数。
将上述结果示于表1中。
Figure G2007800521878D00281
Figure G2007800521878D00291
如以上说明，根据本发明，能够得到低介电常数且可靠性高的层叠硅系绝缘膜结构体以及多层布线。另外，通过该多层布线，特别有助于半导体装置应答速度的高速化。
另外，在上述结构体上，进一步层叠同样的结构，制作共计6层的多层布线结构，在最上部上载置由图7的工序11所示的电极凸块接触层用的绝缘膜(SiO2、500nm、用等离子体CVD成膜)31，TiN阻挡层32、埋入了W的接触孔33、钝化膜34、电极凸块35构成的结构体，制作半导体装置。

Claims (16)

1.一种硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，其含有：
由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质，并且该含氮物质的含量为0.01～10重量％；
酸；以及，
至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物。
2.如权利要求1所述的蚀刻后处理剂，其中，pH值在超过7且10以下的范围。
3.如权利要求1或2所述的蚀刻后处理剂，其中，上述含硅化合物含有由式(1)～(3)组成的组中选出的化合物，
Figure FFW00000074278100011
式(1)～(3)中，R1、R2及R3相互独立地表示氢、碳原子数1～4的脂肪族烃、或者具有取代基或未具有取代基的碳原子数6～8的芳香族烃；X1及X2相互独立地表示氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基；关于Y，其中的一个相互独立地且也与X1和X2相互独立地表示氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基，当为2个以上时，其他的相互独立地且也与R1和R2相互独立地表示氢、碳原子数1～4的脂肪族烃、或者具有取代基或未具有取代基的碳原子数6～8的芳香族烃；n相互独立地表示1～3的整数。
4.如权利要求1所述的蚀刻后处理剂，其中，上述含硅化合物为去掉由式(1)～(3)组成的组中选出的化合物的X1、X2和Y中的氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基中的至少一个，并通过氮相互结合而得到的化合物，
Figure FFW00000074278100021
式(1)～(3)中，R1、R2及R3相互独立地表示氢、碳原子数1～4的脂肪族烃、或者具有取代基或未具有取代基的碳原子数6～8的芳香族烃；X1及X2相互独立地表示氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基；关于Y，其中的一个相互独立地且也与X1和X2相互独立地表示氯基、羟基或碳原子数1～3的烷氧基，当为2个以上时，其他的相互独立地且也与R1和R2相互独立地表示氢、碳原子数1～4的脂肪族烃、或者具有取代基或未具有取代基的碳原子数6～8的芳香族烃；n相互独立地表示1～3的整数。
5.如权利要求1所述蚀刻后处理剂，其中，上述酸的含量为0.01～10重量％。
6.如权利要求5所述的蚀刻后处理剂，其中，上述含氮物质的总量对酸总量的当量比为1∶0.001～1000。
7.如权利要求1所述的蚀刻后处理剂，其中，上述含硅化合物的含量为20～60重量％。
8.如权利要求1所述的蚀刻后处理剂，其中，含有非离子表面活性剂。
9.如权利要求8所述的蚀刻后处理剂，其中，上述表面活性剂为由醇-氧化乙烯型表面活性剂、烷基苯酚-氧化乙烯型表面活性剂和丙烯氧化乙烯嵌段共聚物型表面活性剂组成的组中选出的至少一种表面活性剂。
10.如权利要求1所述的蚀刻后处理剂，其中，含有1～10000重量ppm的表面活性剂。
11.一种半导体装置的制造方法，其包括：
在半导体装置的硅系绝缘膜上实施蚀刻；
然后，用权利要求1～10中任一项所述的蚀刻后处理剂处理该蚀刻面；
然后，在50℃-400℃的温度下实施热处理。
12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，上述硅系绝缘膜为用于对半导体装置的布线层和通孔中的至少一者进行绝缘的绝缘膜。
13.如权利要求11或12所述的半导体装置的制造方法，其中，上述硅系绝缘膜的相对介电常数为2.7以下。
14.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，上述处理为用于恢复因蚀刻引起的损伤的处理。
15.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，上述处理为用于洗净蚀刻残渣的处理。
16.一种半导体装置，通过权利要求11～15中任一项所述的半导体装置的制造方法所制造。
CN2007800521878A 2007-03-16 2007-03-16 硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂、半导体装置的制造方法以及半导体装置 Expired - Fee Related CN101641767B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2007/000237 WO2008114309A1 (ja) 2007-03-16 2007-03-16 シリコン系絶縁膜のエッチング後処理剤、半導体装置の製造方法および半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101641767A CN101641767A (zh) 2010-02-03
CN101641767B true CN101641767B (zh) 2013-10-30

Family

ID=39765430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800521878A Expired - Fee Related CN101641767B (zh) 2007-03-16 2007-03-16 硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂、半导体装置的制造方法以及半导体装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8716209B2 (zh)
EP (1) EP2128897B1 (zh)
JP (1) JP5029686B2 (zh)
KR (1) KR101032093B1 (zh)
CN (1) CN101641767B (zh)
WO (1) WO2008114309A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013520841A (ja) * 2010-02-25 2013-06-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマ化学気相堆積による、有機官能基と共にシリコンを含有するハイブリッド前駆体を使用する超低誘電材料
US10678602B2 (en) * 2011-02-09 2020-06-09 Cisco Technology, Inc. Apparatus, systems and methods for dynamic adaptive metrics based application deployment on distributed infrastructures
CN103468052B (zh) * 2013-09-27 2014-11-05 国家电网公司 一种电瓷绝缘子表面失效涂料的剥离剂
TWI642763B (zh) * 2014-01-27 2018-12-01 三菱瓦斯化學股份有限公司 氮化鈦除去用液體組成物、利用該液體組成物之半導體元件之洗滌方法、及半導體元件之製造方法
US20150380296A1 (en) * 2014-06-25 2015-12-31 Lam Research Corporation Cleaning of carbon-based contaminants in metal interconnects for interconnect capping applications
KR102347656B1 (ko) * 2014-12-11 2022-01-07 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 애싱 후 잔류물 제거를 위한 세정제 조성물
US10167425B2 (en) 2016-05-04 2019-01-01 Oci Company Ltd. Etching solution capable of suppressing particle appearance
KR102507051B1 (ko) * 2016-05-04 2023-03-07 오씨아이 주식회사 실리콘 질화막 식각 용액
KR102599378B1 (ko) * 2017-09-29 2023-11-08 솔브레인 주식회사 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US20190103282A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 Versum Materials Us, Llc Etching Solution for Simultaneously Removing Silicon and Silicon-Germanium Alloy From a Silicon-Germanium/Silicon Stack During Manufacture of a Semiconductor Device
CN109734735B (zh) * 2019-01-18 2022-01-11 武汉海斯普林科技发展有限公司 一种二氟草酸硼酸锂的纯化方法
CN109994371B (zh) * 2019-03-26 2021-10-15 上海华力集成电路制造有限公司 一种改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法
CN114667332A (zh) * 2019-10-09 2022-06-24 恩特格里斯公司 湿式蚀刻组合物及方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1926227A (zh) * 2004-03-03 2007-03-07 3M创新有限公司 用于水性清洗溶液的氟化磺酰胺表面活性剂

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1035093A1 (ru) * 1982-03-01 1983-08-15 Предприятие П/Я В-8657 Раствор дл травлени стали
US6740626B2 (en) * 1996-04-02 2004-05-25 S.C. Johnson & Son, Inc. Acidic cleaning formulation containing a surface modification agent and method of applying the same
JP3585384B2 (ja) 1998-12-22 2004-11-04 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2001033988A (ja) 1999-07-15 2001-02-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトリソグラフィー用リンス液およびこれを用いた基板の処理方法
US6410150B1 (en) * 1999-09-29 2002-06-25 Jsr Corporation Composition for film formation, method of film formation, and insulating film
KR20020095103A (ko) * 2001-06-11 2002-12-20 제이에스알 가부시끼가이샤 실리카막의 형성 방법, 실리카막, 절연막 및 반도체 장치
US7709371B2 (en) * 2003-01-25 2010-05-04 Honeywell International Inc. Repairing damage to low-k dielectric materials using silylating agents
US7345000B2 (en) 2003-10-10 2008-03-18 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a dielectric film
GB2407581A (en) * 2003-11-01 2005-05-04 Reckitt Benckiser Inc Hard surface cleaning and disinfecting compositions
US8053159B2 (en) * 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
WO2005068538A1 (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Jsr Corporation ポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜
JP5110239B2 (ja) * 2004-05-11 2012-12-26 Ｊｓｒ株式会社 有機シリカ系膜の形成方法、膜形成用組成物
JP4355939B2 (ja) * 2004-07-23 2009-11-04 Ｊｓｒ株式会社 半導体装置の絶縁膜形成用組成物およびシリカ系膜の形成方法
US20060130966A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-22 Darko Babic Method and system for flowing a supercritical fluid in a high pressure processing system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1926227A (zh) * 2004-03-03 2007-03-07 3M创新有限公司 用于水性清洗溶液的氟化磺酰胺表面活性剂

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2006-179913A 2006.07.06

Also Published As

Publication number Publication date
CN101641767A (zh) 2010-02-03
US8716209B2 (en) 2014-05-06
EP2128897B1 (en) 2015-05-06
EP2128897A4 (en) 2012-07-18
KR101032093B1 (ko) 2011-05-02
WO2008114309A1 (ja) 2008-09-25
EP2128897A1 (en) 2009-12-02
JPWO2008114309A1 (ja) 2010-06-24
KR20100005026A (ko) 2010-01-13
JP5029686B2 (ja) 2012-09-19
US20100007031A1 (en) 2010-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101641767B (zh) 硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂、半导体装置的制造方法以及半导体装置
KR102406467B1 (ko) 등급화된 실리콘 카바이드 막 또는 다층 실리콘 카바이드 막의 리모트 플라즈마 기반 증착
CN1279588C (zh) 恢复电介质膜及电介质材料中疏水性的方法
CN100535054C (zh) 二氧化硅膜、该膜的形成材料和相关产品、及其制造方法
CN101048857B (zh) 用作金属间电介质的低k和超低k有机硅酸盐膜的疏水性的恢复
US20080283972A1 (en) Silicon Compounds for Producing Sio2-Containing Insulating Layers on Chips
KR100671850B1 (ko) 다공질 필름의 개질 방법 및 개질된 다공질 필름 및 그 용도
US9029273B2 (en) Method for forming silicon oxide film of semiconductor device
CN1313371C (zh) 含有中孔二氧化硅层的电子器件及制备该中孔二氧化硅层的组合物
EP1661960B1 (en) Coating composition and low dielectric siliceous material produced by using same
CN1823406A (zh) 低介电常数膜及其制造方法、以及使用它的电子器件
KR101825546B1 (ko) 실리카계 막 형성용 조성물, 및 실리카계 막의 제조방법
CN101647106B (zh) 表面疏水化膜、表面疏水化膜形成材料、布线层、半导体装置及其制造方法
US6287477B1 (en) Solvents for processing silsesquioxane and siloxane resins
Xie et al. Repair and capping of porous MSQ films using chlorosilanes and supercritical CO2
US20060217487A1 (en) Phosphorus-containing silazane composition, phosphorus-containing siliceous film, phosphorus-containing siliceous filler, method for producing phosphorus-containing siliceous film, and semiconductor device
JPH0758100A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0697163A (ja) 薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法
KR101064336B1 (ko) 실릴화제를 이용한 저-ｋ 유전물질로의 손상 보수
TW202403834A (zh) 無縫及無裂痕沉積
JPH06283507A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0758097A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20140087978A (ko) 갭필용 충전제의 제조 방법, 상기 제조 방법에 따라 제조되는 갭필용 충전제, 및 상기 충전제를 사용한 반도체 커패시터의 제조 방법
JP2004204061A (ja) 低誘電率膜用組成物、低誘電率膜及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131030

Termination date: 20180316