SU1035093A1 - Раствор дл травлени стали - Google Patents
Раствор дл травлени стали Download PDFInfo
- Publication number
- SU1035093A1 SU1035093A1 SU823404504A SU3404504A SU1035093A1 SU 1035093 A1 SU1035093 A1 SU 1035093A1 SU 823404504 A SU823404504 A SU 823404504A SU 3404504 A SU3404504 A SU 3404504A SU 1035093 A1 SU1035093 A1 SU 1035093A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- etching
- solution
- hydrogen peroxide
- oxalic acid
- tetraethoxysilane
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ СТАЛИ , содержащий щавелевую кислоту. перекись водорода, органические добавки и воду, отличающийс тем, что, с целью увеличени фактора травлени при избирательном травлении, раствор в качестве органических добавок содержит тетраэток .сисилан и алкилбензилдиметиламмон ) хлорид катамин АЁ} при следующем . соотношении компонентов, мас.%: Щавелева кислота 7,5-18,0 Перекись водорода 3-6 Тетраэтоксисилан 0,5-2,0 Алкилбен3илдиметиламмоний хлорид (катамин АБ)0,05-0,60 Валаостальное А
Description
со :л
о со
CAD Изобретение предназначено дл химического фрезеровани и относитс к водным растворам на основе щавелевой кислоты и перекиси водорода может быть использовано при производстве прецизионных деталей, примен емых при изготовлении оборудовани дл электронной техники и в частности, пластин статоров с периодическими стгруктурами дл линейНых шаговых двигателей (ЛШД). Известен раствор на основе щавелевой кислоты и перекиси водорода, который позвол ет примен ть копировальные слои с пониженной кислотостойкостью и обеспечить бесшламное .травление tilОднако использование известного раствора требует специальных усло .вий и, кроме того, он имеет значительную величину бркового растрав .лени . Известен также раствор.на основе щавелевой кислоты и перекиси водорода 2,. Известный раствор имеет недоста . точный фактор травлени (F), т.е отношение величины глубинного травлени (в) к величине бокового травлени ,(С) , Наиболее близким к изобретению по технической сущности вл етс рартвор, содержащий щавелевую кислоту , перекись водорода, органические добавки, в качестве которых вз ты олеинова кислота и триэтаноламин , и воду. Этот раствор благодар добавкам приобретает смазывающие и ингибирующие свойства Гз. . Однако использование такого раствора ограничено областью химико-механиче I кой обработки и при увеличении концентра ций основных составл ющих, он по СВОИМ; свойствам становитс аналогичным известному раствору. Труд ,ность при изготовлении плиты ЗПДЦ фотохимическим фрезерованием заключаетс в выполнении определенного с отношени глубины и ширины паза, ра : ного 0,7. Дл обеспечени такого со отношени и требуемого профил необходимо , чтобы фактор травлени F -г- был не менее 2. Существующа , те }нологи фотохимического фрезёров нй и примен емые при этом травител позвол ют получать F не более 1,5. ПрИ таком факторе травлени требуема ширина паза получаетс , когда гл бина достига:ет 160-170 мкм. Даль . нейшее травление ho глубины 200 мкм и выше (что диктуетс необходимость финишной механической обработки по . верхностн пластины до требуемой, плоскостности) вызывает недопустимое растравливание пазов. Цель .изобретени - увеличение фактора травлени при избирательном травлении, а также повышение стабильности раствора. Поставленна цель достигаетс тем,что раствор, содержащий щавелевую кислоту ) I перекись водорода , органические добавки и воду, в качестве органических добавок содержит тетраэтоксисилан и алкилбензилдимётиламмоний хлорид {ката мин АБ) при следующем соотношении компонентов, мас.%: Щавелева кислота 7,5-18,0 Перекись водорода 3-6 Тетраэтоксисилан - 0,5-2,0 Алкилбензолдиметиламмоний хлорид 0,05-0,60 Вода , . Остальное . Тетраэтоксисилан - полный этиловый эфир ортокремниевой кислоты (С-2.Н50)д S i . Он вл етс простейшим из группы этилсиликатОв.Внешне это прозрачна подвижна жидкость с легким эфирным запахом, структурна формула ... HgCjO-$t-oCjits Выпускаетс по ТУ 6-02-708-76, Этилсиликаты обладают способностью при воздействии воды подвергатьс гидролитической поликонденсации, превраща сь , в полимерную двуокись кремни (SiOQ)x. В промыишенности этилсиликаты примен ют в качестве св зующего при изготовлении оболочковых форм дл точного лить по выплавл емьм модел м. Ка-тамин АБ представл ет собой четвертичную аммониевую соль - алкилбензилдиметила ммоний хлорид, соотвествующую формуле |(-1Г,„,Х(СНз1гйН, Л 10-18 I гйе Добавление только тетраэтоксисилана краствору, состо щему из щаве-; левой кислоты, перекиси водорода и J воды, практически не вли ет на скорость растворени стали. Однако в присутствии алкилбензолпиметиламмони хлорида ( катамина АБ) наблюдаетс торможение коррозионного процесса в несколько раз, т.е. про вл етс синергетический эффект. При этом добавка в определенном количесвенном соотношении тетраэтокрисилана и катамина АБ обеспечивает тормоз щий коррозию эффект по профилю рельефа вытравливаемого рисунка. Во ковые стенки пблучаемых пазов защищаютс от коррозии .в большей сте пени, чем донные участки, в результате достигаетс фактор травлени 2 и более, обеспечива необходимое соотношение ширины и глубины пазов пластин ЛЩЦ. . Кроме тйго, смесь тетраэтоксисилана и катг1мина АВ способствует . улучшению качества травленой поверх /ности (79) и повйшает выравнивание .кромок рельефа; В результате добав лени тетраэтоксисилана и катами на повышаетс также в 2-3 раза. стабильность травильного раствора, его рабоча активность сохран етс в -течение 7 дней вместо 2-3 дней у известных травителей на основе щавелевой кислоты и перекиси водорода , . Травильный раствор готов т путем растворени щавелевой кислоты в нагретой до 40-50 С воде, охлаждени полученного раствора до , добавлени 35%-ного раствора перекиси водорода, гел тетраэтоксисилана и раствора катамина АБ. Гель пригЬтавливают следук цим Образом; тетраэтоксисилан в расчетном количестве развод т водой в .два раза, раствор подкисл ют щавеле вой кислотой до рН 1 и выдерживают не менее 24 ч, после чего фильтруют и добавл ют в раствор дл травлени Травитель (рабоча температура 30-35 с) подают через форсунки нормально к обрабатываемой поверхности под давлением 1,2-1,5 атм. Средн Скорость травлени стали: норалальна (в глубину) 10-18 мкм/мин, тангенциальна (.бокова :) 6-15 мкм/мин. Травитель индифферентен по отношению к негативному фоторезисту ФН-11 Приведены примеры использовани предлагаемого раствора при избирательном травлении системы пазов на поверхности стальной пластины (примеры 1-5 - сталь 20895, примеры б и 7 - кинескопна сталь 08КП). Ц р и м а р 1. .Раствор, содержащий , Mac.it Щавелева кислота 7,5 Перекись водорода 3 Тетраэтоксисилан 0,5 Катамин АБ0,1 ВодаДо 100, .используют дл травлени . Глубина травлени 220 мкм, боко/вое травление (на сторону) 100 мкм, ФТ-2,2, скорость нормального травлени ( средн ) 11 мкм/мин, качество поверхноститравлени 9, маска фоторезиста ФН-11 не разрушена. Пример 2. Раствор , содержащий , мас.%: Щавелева кислота 7,5 Перекись водорода 3,0 Тетраэтоксисилан 1,0 , Катамин АБ , 0,4 Вода До 100, используют дл травлени . Глубина травлени 200 мкм, боковое травление 75 мкм, ФТ-2,6, скорость нормального травлени 9 мкм/мин, .качество поверхности травлени V9, маска фоторезиста ФН-11 не разрушена . - . .Пример 3. Раствор,, содержащий , мае.%: Щавелева кислота 12,0 Перекись водорода 5,0 Тетраэтоксисилан 1,0 Катамин АБ0,4 ВодаДо 100, используют дл травлени . -j Глубина травлени 230 мкм, боко-j iBoe травление 81 мкм, ФТ - 2,8 скорость нормального, трйвлени 10 мкм/мин, качество поверхности травлени V9, маска ФН-11 не разрушена . Пример 4. Раствор, содержа щий, мае. %:, Щавелева кислота 18,О Перекись водорода 6,0 Тетраэтоксисилан 0,5 Катамин АВ0,1 Вода , До 100, используют дл травлени . Глубина травлени 250 мкм, боковое травление 80 мкм, ФТ-2,9, скорость нормального травлени 13 мкм/мин/ качество поверхностиХГ9, маска фН-11 не разрушена. Пример 5. Раствор, содержащий , лас.%: . - Щавелева , кислота 9 Перекись водорода .5 Тетраэтоксисилан 1,0 Катамин АБ0,2 Вода :До 100, используют дл травлени . Глубина травлени 230 мкм, боковое травление 85 мкм, ФТ-2,7, скорость нормального травлени i 12 мкм/мин, качество поверхности травлени у 10. - , пример 6. Раствор, содержаий , мае.%: Щавелева кислота12 Перекись водорода5 Тетраэтоксисилан , 0,5 Катамин АБ0,05 Вода. До 100, спользуют дл травлени . Избирательному травлению подверают образцы из стали кинескопна 8КП толщиной 150 мкм. Глубина травени 130 мкм, боковое травление2 мкм, ФТ-3,1, скорость нормальноо травлени 15 мкм/мин, качество
поверхности V9, маска ФН-11 не разрушена .
Пример 7. Раствор, содержащий , мае.%;
Щавелева кислота 18.
Перекись водорода б
Тетраэтоксисилан 2
Катамин АБ0,6
: Вода . До 100,
используют дл травлени .
Фотохимическому фрезерованию подвергают образцы из стали СМКР, фоторезист позитивный ФП-27 0 .
Глубина травлени 120 мкм, боко . вое травление 40 мкм, ФР - 3,0, скорость нормального травлени 15 мkм/мин . качество поверхности .79, маска фоторезиста ФП-27 0 не разрушена.
.
Оптимальное количество щавелевой кислоты находитс в пределах 7,518 мае.%, так как содержание ее меньше 7,5% приводит к уменьшению скорое ти травлени и ухудшению качества травленой поверхности, а с .увеличением концентрации до 16-18 мае.% .скорость нормального травлени возрастает , практически не измен сь е дальнейшим повышением концентрации кислоты. Повышение концентрации
30
щавелевой киелоты более 22 мас.% при рабочей температуре травлени (30-35 С) приводит к кристаллизации раствора. Оптимальное содержание перекиси водорода находитс в интер35 вале З-б мае,%, меньшее еодержание ее приводит к снижению скорости трав леци , большее - сопровождаетс самопроизвольным разложением перекиси в растворе. Оптимальное содержание тетраэтоксисилана находитс 40 . в пределах 0,5-2,0 мас.%. В этом интервале его содержани в растворе при добавлении 0,05-0,6 мае.% алкилбензилдиметиламмони хлорида обеспечиваетс минимальное боковое под- 45 травливание (фактор травлени более ..2). Скорость нормального травлени Удовлетворительна и качество травленой поверхности лвысокое (чистота обработка уэ).. что гарантирует 50 требуемую ровность кромки рельефа.
. В таблице приведены данные сравнительных испытаний известных ипредлагаемого растворов дл избирательного Травлени стали.
Раствор 1, содержащий хлорное железо, не может быть использован дл избирательного травлени етали с целью получений узких глубоких пазов по причине большого бокового растравливани (низкого F) и грубой поверхноети травлени .
Раствор 2, содержащий сол йую и серную кислоты, разрушает фото .. резист .при глубоком травлении и вы вл ет глубококрйеталлическую г структуру, стали.
Раствор 3, содержащий щавелевую кислоту и перекись водорода, обеспечивает получение необходимой глубины травлени и качество травленой поверхности, однако не позвол ет подучить требуеглый профиль рисунка в св зи с большим подтравливанием.
Известный раствор-прототип 4 может быть использован дл глубин пор дка 70 мкм, но с низким фактором травлени (1,5), етабйле.н не , более двух,сут.
. Предлагаемый раствор - составы 5 (а-е) на основе щавелевой киелоты и перекиси водорода с добавками тетраэтоксисилана и катамина АБ, обеспечивает качественное глубинное травление сталей (до 150 мкм ст.СМК и до 230 мкм ст. 20895) с высоким фактором травлени (2,7-3,0). Рает . вор от.личаетс высокой стабильностью в работе: обеспечивает высокое качество травлени без изменени скорости Ё течение 7 сут с момента приготовлени .
Предлагаемь.й раствор дл избирательного травлени стали при фотохимическом фрезеровании обеспечивает удовлетворительную скорость травлени , высокий фактор травлени (малую величину бокового подтравлива .ни ), высокую чиртоту обработки .поверхноети, сохранность пленки фоторезиста при длительном контакте с раствором, стабильность по сравнению с раствором-прототипом на основе щавелевой кислоты и перекиси водорода в 2-3 раза. Использованйв предлагаемого раствора при изготовлении пластин статоров ЛШД позвол ет повысить производительность труда и еократить затраты на инструмен дл механического изготовлени пластин . Ожидаемый экономический эффект составл ет около 90 тыс. руб, в год
10 1,7
15 1,2
,
12 1/5
2-3 1,5
12 2,7
Не стоек при глубине травлени 150 мкм
Не стоек при глубине травлени 80 мкм
-В - iif9 Стоек
Стабильность раствора 2 сут
9
Негативный,
Максимальна глубина стоек травлени 70 мкм Травитель годен 2 сут
Сталь 20895,
Стоек глубина травлени 230 мкм стальность раствора 7 сут
Claims (1)
- РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ СТАЛИ, содержащий щавелевую кислоту, перекись водорода, органические добавки и воду, отлич а ющ и йс я тем, что, с целью увеличения фактора травления при избирательном травлении, раствор в качестве органических добавок содержит тетраэток.сисилай и алкилбензилдиметиламмоний
хлорид {катамин АВ) при следующем . соотношении компонентов, мае. %: Щавелевая кислота 7,5-18,0 Перекись водорода 3-6 Тетраэтоксисилан Алкилбензилдиметиламмоний хлорид (ката- 0,5-2,0 мин АВ) 0,05-0,60 Вода Остальное 8 ω с ч·*
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823404504A SU1035093A1 (ru) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | Раствор дл травлени стали |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823404504A SU1035093A1 (ru) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | Раствор дл травлени стали |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1035093A1 true SU1035093A1 (ru) | 1983-08-15 |
Family
ID=21000139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823404504A SU1035093A1 (ru) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | Раствор дл травлени стали |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1035093A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2128897A4 (en) * | 2007-03-16 | 2012-07-18 | Fujitsu Ltd | SILICON DIELECTRIC PROCESSING AGENT FOR USE AFTER ENGRAVING, PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
RU2709558C1 (ru) * | 2018-12-19 | 2019-12-18 | Сергей Геннадьевич Каплунов | Способ избирательного травления стали |
-
1982
- 1982-03-01 SU SU823404504A patent/SU1035093A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Авторское рв1идетельство СССР 239755, кл. С 23 G 1/02, 1969. 2. ОСТ 11.054.146-75. Ч 3. Авторское свидетельство СССР №295475, кл. С 23 F 1/00, 1976. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2128897A4 (en) * | 2007-03-16 | 2012-07-18 | Fujitsu Ltd | SILICON DIELECTRIC PROCESSING AGENT FOR USE AFTER ENGRAVING, PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
US8716209B2 (en) | 2007-03-16 | 2014-05-06 | Fujitsu Limited | Agent for post-etch treatment of silicon dielectric film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
RU2709558C1 (ru) * | 2018-12-19 | 2019-12-18 | Сергей Геннадьевич Каплунов | Способ избирательного травления стали |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1298383B (de) | Verfahren und Mittel zum chemischen Aufloesen von Kupfer | |
US4141850A (en) | Dissolution of metals | |
SU1035093A1 (ru) | Раствор дл травлени стали | |
US4784785A (en) | Copper etchant compositions | |
DE3020012C2 (de) | Verfahren zum Freilegen der Siliciumkristalle an der Oberfläche eines Körpers aus einer Aluminiumlegierung mit hohem Siliciumgehalt | |
US4919752A (en) | Bath solution and process for the removal of lead/tim, lead or tin coatings from copper or nickel surfaces | |
DE1232984B (de) | AEtzmittel und Verfahren zum AEtzen von Kupfertiefdruckformen | |
US4437931A (en) | Dissolution of metals | |
DE3106717C2 (ru) | ||
EP0884772A2 (de) | Verfahren zum Ätzen von Halbleiterscheiben | |
US3410802A (en) | Process and composition for etching of copper metal | |
US4233113A (en) | Dissolution of metals utilizing an aqueous H2 O2 -H2 SO4 -thioamide etchant | |
US2846294A (en) | Etching bath | |
CN109536961A (zh) | 蚀刻液及蚀刻液的制备方法 | |
US3458371A (en) | Composition and process for powderless etching | |
US2640767A (en) | Etching | |
US4522683A (en) | Dissolution of metals utilizing tungsten-diol combinations | |
CA1194393A (en) | Dissolution of metals utilizing epsilon-caprolactam | |
SU905262A1 (ru) | Раствор дл размерного травлени сплава серебра | |
EP0221327B1 (en) | A process for etching via holes in an alumina layer | |
US3281293A (en) | Method of etching aluminum | |
JPH11140669A (ja) | エッチング液 | |
US2940836A (en) | Etching | |
SU761605A1 (ru) | Водный раствор для размерного травления металлической поверхности 1 | |
DE3430346A1 (de) | Verfahren zum loesen von metallen unter verwendung von pyrrolidon |