CN101641765A - 具有电绝缘的托板和阳极组件的沉积系统 - Google Patents

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Abstract

一种基片沉积系统。该沉积系统包括基片托板和阳极。所述基片托板具有底部和顶部。所述基片托板的顶部成形为用于保持基片。所述阳极具有相对于所述基片托板基本固定的位置，并配置为与所述基片托板一起移动通过沉积室。所述阳极与所述基片电绝缘。

Description

具有电绝缘的托板和阳极组件的沉积系统
技术领域
本发明涉及基片沉积领域，更具体地，涉及一种具有与基片(substratewafer)电绝缘的阳极的通过式沉积系统(pass-through deposition system)。
背景技术
沉积系统用于将物质沉积在基片上。目前，使用的是一些传统类型的沉积系统。其中，一种传统类型的沉积系统进行磁控管溅镀。一般而言，溅镀是一种从固体靶材(靶或阴极)溅射出原子以在基片上沉积出薄膜的工艺。磁控管通过形成强电磁场捕捉电子，并促进氩气之类的中性气体形成离子，从而增强溅镀操作。这些离子撞击所述靶并且使得靶材溅射并沉积在所述基片上。在操作过程中，电流可以在沉积系统中从溅镀阴极流到阳极组件。
一些溅镀沉积系统使用具有固定阳极(即相对于阴极处在固定位置)的阴极，而其它一些溅镀沉积系统则使用相对于阴极移动的阳极。应当注意的是，尽管沉积系统可以具有多个作为阳极的部件，但仍然可以具有基于沉积系统的相关区域、并邻近于阴极的主阳极。因此，除另有说明外，文中所述及的阳极通常是指这种主阳极。作为移动式主阳极的例子，一些沉积系统使用移动托板(pallet)来保持基片，在操作过程中该托板也用作主阳极。因此，当作为阳极的基片托板移动进出沉积室时，由于阴极在沉积室内是固定的，所以该主阳极相对于所述阴极移动。在这种阳极相对于阴极移动的沉积系统中会产生一些问题。
在基片以及支撑该基片的托板用作主阳极的情形下会产生一个问题。该问题源于不能在沉积室内提供稳定的阳极，这种阳极的不稳定会使基片受损，并导致阴极工作不稳定。在基片托板和基片形成主阳极、并且基片托板与基片之间具有间歇电接触(通常通过所述基片的边缘形成该电接触)的情形下，阳极的不稳定是明显的。在该技术方案中，所述托板典型地连接于接地，并且间歇的电流可以以电弧的形式从所述基片流动到所述托板，从而会产生热量。这种放电现象会损坏基片、损坏基片上的元器件、熔化沉积层或者使得所述基片上的多个沉积层形成金属合金。由此导致的结果是，改变的材料不能以与原始材料相同的方式发挥作用。例如，该改变的材料不能进行化学加工(即，该改变的材料不能进行蚀刻)，从而会使得后续的图案加工工艺失败。图案加工工艺的失败会导致元器件失效，例如因元器件内的电短路而失效。
附图说明
下面通过非限制性的实施例描述本发明，在附图中：
图1显示沉积系统的一种实施方式；
图2显示具有绝缘的基片托板的沉积系统的一种实施方式的横截面；
图3显示用于与绝缘的阳极一起使用的基片托板的一种实施方式的俯视图；
图4显示图3中的基片托板沿图3中所示的线剖切的横截面；
图5显示图3的基片托板的俯视图，其中基片和阳极棒处于适当的位置；
图6显示具有图3的基片托板的沉积系统的一种实施方式的横截面；
图7显示用于与阳极柱一起使用的基片托板的另一实施方式的俯视图；
图8显示图7的基片托板沿图7中所示的线剖切的横截面；
图9显示图7的基片托板的俯视图，其中基片和阳极柱处于适当的位置；
图10显示具有图7的基片托板的沉积系统的一种实施方式的横截面；
图11显示具有基片开口的基片托板的另一实施方式的俯视图；
图12显示图11的基片托板沿图11中所示的线剖切的横截面；
图13显示具有图11的基片托板的沉积系统的一种实施方式的横截面；
图14显示图13的沉积系统的横截面，该沉积系统包括具有进入开口的输送载具；
图15显示具有一体的阳极的输送载具的一种实施方式的俯视图；
图16显示图15的输送载具沿图15中所示的线剖切的横截面；
图17显示具有图15的输送载具的沉积系统的一种实施方式的横截面；
图18显示图15的输送载具和基片托板的更详细的实施方式的横截面；
图19显示基片托板中的基片安装结构的一种实施方式；
图20显示基片托板中的基片安装结构的另一种实施方式；
图21显示接地系统的一种实施方式；
图22显示接地系统的另一种实施方式。
具体实施方式
为充分理解本发明的几种实施方式，下面的说明给出了大量的具体细节，例如具体的系统、部件、方法等的实施例。但是，对本领域技术人员显而易见的是，本发明的至少一些实施方式在不具有这些具体细节的情形下仍然可以实施。在其它一些情形下，为避免不必要地掩盖本发明，对一些公知部件或方法未进行详细说明或者仅在结构简图中进行了标示。因此，所给出的具体细节仅是示例性的。具体的实施方式可以与这些示例性的细节不同，并且这些实施方式仍然属于本发明的构思和范围之内。
本发明公开了一种基片沉积系统。该沉积系统包括基片托板和阳极。所述基片托板具有底部和顶部。该基片托板的顶部成形为用于保持基片。所述阳极具有相对于所述基片托板基本固定的位置，并与所述基片电绝缘。在一种实施方式中，所述阳极与保持基片托板的输送载具形成为一体或者与该输送载具相连接，从而能够使得所述阳极、输送载具以及基片托板一起移动通过所述沉积系统。在一些实施方式中，所述输送载具沿着基本为线性的输送路径运载基片托板通过沉积室。另外，在一些实施方式中，所述沉积系统是一种基片托板一次或多次通过所述沉积室的通过式沉积系统。所述基片托板每通过所述沉积室一次，该基片托板就经过沉积源一次。与此相反，行星式沉积系统使得基片托板在所述沉积室内连续旋转，从而使得基片在所述沉积室内反复地经过所述沉积源。
文中所描述的方法、装置以及系统的某些实施方式克服了传统沉积工艺的缺点。其中，一些实施方式解决了电弧形成问题。一些实施方式排除了沉积层之间金属合金的形成。一些实施方式能够在移动式或固定式托板沉积系统内与任何平面式磁控管一起使用。一些实施方式能够使得基片的电位偏置。一些实施方式考虑到易于维护阳极表面而未将阳极永久性地安装在所述阴极的前面(否则所述阳极将受重的沉积累积物的影响)。但是，应当注意的是，文中描述的这些实施方式并不限于解决这些特定的问题。
图1显示沉积系统10的一种实施方式。例如，沉积系统10可以是通过式沉积系统。图示的沉积系统10包括沉积室100。位于该沉积室100内部的阴极102包括靶材之类的沉积材料(以“M”表示)，该沉积材料将会通过溅镀气体离子(以“+”表示)沉积到一个或多个基片106上。在一种实施方式中，阴极102连接到磁控管溅镀源(未显示)上，该磁控管溅镀源用于在阴极102周围产生强电磁场，以形成碰撞，从而产生溅镀气体离子。这些溅镀气体离子撞击阴极，并使得靶材溅射并沉积在基片106的表面上。因为沉积室100内的真空状态，沉积材料也会沉积到整个沉积室100的其它表面上。用于靶的典型沉积材料包括铝(Al)、钛钨合金(TiW)以及铜(Cu)，虽然其它沉积材料也可以使用。溅镀气体离子104典型地为氩离子或其它惰性气体离子。但是，沉积系统10的一些实施方式也可以执行反应操作，例如为获得氧化物和氮化物而进行的O2和N2反应过程。基片106可以是沉积材料能够沉积在其上的任何材料。
沉积系统10的不同实施方式采用不同类型的阴极102。采用磁控管溅镀源的实施方式可以包括或者不包括对应的固定阳极(即相对于阴极102固定)、以及能够作为阳极的沉积系统10的一个或多个其它部件。也就是说，在不包括位置相对于阴极102固定的主阳极的实施方式中，可以通过沉积系统10的其它部件形成一个或多个阳极。
在一种实施方式中，基片106由基片托板108输送通过沉积室100。沉积室100成形为允许基片托板108经由基片入口110进入沉积室100，并通过基片出口112离开沉积室100。例如，基片托板108可以沿着轨道(未显示)移动，所述轨道自动输送基片托板108通过沉积室100。可选择地，也可以采用手动方式将基片106插入和移出沉积室100。另外，沉积室100还包括气体入口114和气体出口116，以允许溅镀气体(如氩气)进入和离开沉积室100。沉积系统10的其它实施方式可以包括本领域公知的其它部件或特征。
图2显示具有绝缘的基片托板108的沉积系统120的一种实施方式的横截面。但是，如下文所述，所示的沉积系统120的实施方式可能不能充分地解决上述问题。所示的沉积系统120包括阴极102，该阴极102相对于基片托板108上的一个或多个基片106定位。该沉积系统120还包括输送载具122，该输送载具122用于将基片托板108和基片106输送通过沉积室100。输送载具122设置在载具框架126上，进而，该框架126设置在滚轮轨道(roller track)上，该滚轮轨道例如包括滚轮(roller)128和轴130。可选择地，也可以使用其它类型的滚轮、输送带、线性轨道或其它轨道。出于方便，仅使用滚轮128或滚轮轨道作为示例性的语言，但并不排除沉积系统120的使用其它类型的输送机构的实施方式。
在图示的实施方式中，输送载具122通过滚轮轨道组件电连接于接地参考132。基片托板108通过一个或多个绝缘体124与输送载具122电绝缘，因此，这些绝缘体124使得基片托板108和基片106与接地参考132电绝缘。例如，绝缘体124可以是陶瓷绝缘体，当然，也可以使用其它类型的绝缘材料。
在一种实施方式中，使基片托板108和基片106与接地参考132电绝缘减轻了沿着基片106的边缘形成金属合金的问题。因为基片托板108和基片106保持在相同的电位上，所以在基片托板108和基片106的边缘之间没有放电现象。这样，由于在基片托板108和基片106之间没有电流流动，因此也就不存在电弧、热量，并且沉积在基片106上的分离的层也不会形成金属合金。
但是，所示沉积系统120的结构可能存在一些困难。因为基片托板108是电绝缘的(即浮接的)，并且不再连接于接地参考132，所以图2所示的实施方式可以被称为“浮接式托板”实施方式。浮接式托板实施方式可能产生沉积均匀性问题。也就是说，阴极102的工作可能变得不稳定，并且沉积材料可能会不均匀地沉积在基片106上。更具体地，因为接地的输送载具122与浮接的(即未接地的)基片托板108电绝缘，所以基片托板108不能再作为阴极102的主阳极，从而电路是不充足的。因此，在操作过程中由于接地的输送载具122的电屏蔽作用，所示的沉积系统120可能会表现出阴极不稳定性。阴极不稳定性给沉积系统120带来一些问题。
图3显示用于与绝缘的阳极一起使用的基片托板140的一种实施方式的俯视图。图4显示图3的基片托板140沿图3中所示的线剖切的横截面。所示的基片托板140包括多个基片凹槽142。每个基片凹槽142为位于基片托板140顶面上的凹坑或凹腔。但是，在其它实施方式中，基片托板140可以构造为不带有基片凹槽142，在不带有基片凹槽142的情形下，基片托板140可以包括平面和多个销或夹子，从而能够以预定的布置结构保持基片106。
在所示的实施方式中，基片凹槽142的尺寸形成为允许基片106插入相应的基片凹槽142内。基片凹槽142还设计为允许基片106与基片托板140保持直接接触。在一种实施方式中，基片凹槽142的尺寸略大于基片106的尺寸，以使得基片106的顶部略低于基片托板140的顶部。可选择地，基片凹槽142的深度可以与基片106的深度相同或略小于基片106的深度，以使得基片106的顶部与基片托板140的顶部平齐或高于基片托板140的顶部。在另一种实施方式中，基片托板108可以包括用于保持基片106的其它机构。例如，可以采用与基片凹槽142一起使用的垂直销或独立于基片凹槽142的垂直销。
所示的基片托板140还包括一个或多个阳极通道146。每个阳极通道146为位于基片托板140顶面上的凹坑或凹腔。但是，如下文所述，基片托板140的其它实施方式可以省去阳极通道146。在图示的实施方式中，阳极通道146与基片凹槽142是不重叠的。在一种实施方式中，阳极通道146沿着基片托板140的长度(或宽度)彼此平行地延伸。每个阳极通道146还包括至少一个阳极开口144。在一种实施方式中，阳极开口144是贯穿基片托板140(例如，从上表面到下表面)的孔或空腔。尽管阳极开口144和阳极通道146显示为具有特定的形状(例如圆形和矩形)，但其它实施方式也可以采用阳极开口144和阳极通道146的其它形状。下面参照图5和图6更详细地描述阳极开口144和阳极通道146的用途。
图5显示图3的基片托板140的俯视图，其中，基片106和阳极棒154处于适当的位置。更具体地，在图5显示的实施方式中，基片106定位在基片凹槽142内，并且基片凹槽142的尺寸略大于基片106的尺寸。类似地，阳极通道146的尺寸大于阳极棒154的尺寸，以能够使得阳极棒154与基片托板140保持电绝缘。阳极棒154用作溅镀阴极102的阳极。尽管阳极棒154在平面图和剖视图中均显示为具有矩形形状，但在一些实施方式中可以采用具有非矩形形状(例如在平面图或剖视图中呈三角形、圆形或不规则的形状)的阳极棒154。阳极棒154和阳极通道146的尺寸和形状形成为容纳基片106，而不会对基片106的沉积造成遮蔽，该遮蔽会导致在基片106上的沉积不均匀。
在一种实施方式中，每个阳极棒154通过一个或多个阳极柱152(显示为阳极棒154下方的虚线)连接到输送载具122上。这些阳极柱152和阳极棒154可以由相同或不同的导电材料制成。例如，阳极柱152和阳极棒154可以使用钢制造，当然也可以采用其它导电材料制造。通过将阳极柱152和阳极棒154电连接到输送载具122上并由此电连接到接地参考132上，而使得阳极棒154作为阴极102的阳极。位于基片106的行(或列)之间的阳极棒154的位置可能有助于将沉积材料基本均匀地沉积在多种基片106上。
图6显示具有图3的基片托板140的沉积系统150的一种实施方式的横截面。具体地，所示的沉积系统150包括基片托板140、阴极102以及输送载具122。该横截面显示，阳极棒154与阳极柱152物理连接并且电连接，进而，该阳极柱152与输送载具122物理连接并且电连接。在一种实施方式中，阳极棒154安装为略高于基片托板140的上表面延伸。该结构可能会影响阳极的性能。可选择地，阳极棒154可以安装为使得阳极棒154的顶部与基片托板140的上表面平齐或低于基片托板140的上表面。
在一种实施方式中，阳极柱152可以刚性地固定到阳极棒154上。另外，阳极柱152可以临时地或永久地连接到阳极棒154上。用于将阳极柱152连接到阳极棒154上的一些典型的紧固件包括螺钉、粘合剂(例如，导电粘合剂)、锁定机构或其它类型的紧固件。类似地，阳极柱152可以通过使用类似的紧固件刚性固定并且永久性或临时性地连接到输送载具122上。使用临时性的紧固件将阳极柱152连接到阳极棒154和输送载具122上可以便于将阳极柱152从阳极棒154和输送载具122上拆卸下来，从而例如在必要时可以对阳极棒154和阳极柱152进行清洁。
在一种实施方式中，在基片托板140和输送载具122之间可以使用电绝缘体124，以使得基片托板140和输送载具122之间电绝缘。类似地，沉积系统150可以包括位于阳极通道146内的绝缘体124。阳极通道146内的绝缘体124可以有助于在基片托板140与阳极柱152之间和/或在基片托板140与阳极棒154之间保持电绝缘。
在一种实施方式中，阳极通道146内的绝缘体124的尺寸可以形成为使得这些绝缘体124被阳极棒154或基片托板140基本覆盖。在该方式中，阳极棒154或基片托板140能够一定程度地保护绝缘体124，以使得只有相对少量的沉积材料沉积在绝缘体124上。在一段时间之后，这可能有助于清洁绝缘体124以去除沉积在这些绝缘体124上的任何沉积材料，从而使得该沉积材料不会在阳极棒154和基片托板140之间形成短路。
图7显示用于与阳极柱152一起使用的基片托板160的另一种实施方式的俯视图。图8显示图7的基片托板160沿图7所示的线剖切的横截面。除了图7的基片托板160不包括阳极通道146之外，所示的基片托板160与图4的基片托板140基本类似。替代地，阳极开口144从基片托板160的顶部延伸到基片托板160的底部。
图9显示图7的基片托板160的俯视图，其中基片106和阳极柱152处于适当的位置。图10显示具有图7的基片托板160的沉积系统170的一种实施方式的横截面。如图9和图10所示，阳极开口144从基片托板160的顶部延伸到基片托板160的底部。阳极柱152也延伸穿过基片托板160的厚度。在一种实施方式中，阳极柱152延伸越过基片托板160的顶部。可选择地，阳极柱152的顶部可以与基片托板160的上表面平齐或低于基片托板160的上表面。在另一种实施方式中，阳极棒154可以安装在阳极柱152的顶部上，并且高于基片托板160的上表面。在另一种实施方式中，在阳极柱152上可以连接有导线162或其它导电体。导线162提供与阳极棒154相似的功能，但导线162的尺寸能够对沉积材料沉积在基片106上形成更少的阻碍。尽管在该实施方式中仅是在部分阳极柱152上设置有导线162，但其它实施方式可以包括位于全部阳极柱152上、位于交替行的阳极柱152上或者具有其它布置形式的导线。如上所述，阳极柱152可以固定到输送载具122上。
图10还显示位于基片托板160和输送载具122之间的多个绝缘体124。如上所述，这些绝缘体124使得基片托板160与输送载具122电绝缘，从而使得基片托板160的电位能够被独立于输送载具122和阳极柱152的电位以及任何阳极棒154或导线162的电位进行维持或控制。在一种实施方式中，绝缘体124的位置可以设计为能够为任何沉积材料提供到达绝缘体124的相对长的路径(例如，穿过阳极开口144以及基片托板160和输送载具122之间的空间)。
图10还显示了连接于阳极柱152的导线162的一种实施方式。具体地，一些阳极柱152在基片托板160上方延伸足够的距离，从而使得导线162可以穿过阳极柱152的顶端。在另一种实施方式中，导线162可以在例如上述的阳极通道146内的基片托板160的顶面之下的一定位置处穿过阳极柱152。
图11显示了具有基片开口182的基片托板180的另一种实施方式的俯视图。图12显示了图11的基片托板180沿图11所示的线剖切的横截面。除了图11的基片托板180包括基片开口182之外，图示的基片托板180与图4的基片托板140基本类似。每个基片开口182是与对应的基片凹槽142对准的孔或空腔。在一种实施方式中，基片开口182的尺寸比基片凹槽142的尺寸小，从而在基片凹槽142内存在用于支撑相应的基片106的周界表面。此外，通过允许装载机构延伸穿过基片托板180并使得基片106下降到基片凹槽142内，基片开口182可以有助于将基片106装载进基片凹槽142内。也就是说，装载机构可以穿过基片开口182延伸到基片托板180的表面之上的位置，用户或另外的装载机构可以将基片106放置在装载机构上，然后，当所述装载机构从基片开口182撤回时，该装载机构使得基片106下降进入基片凹槽142内。此外，基片开口182可以有助于沉积室100内的气体的通风。
图13显示具有图11的基片托板180的沉积系统190的一种实施方式的横截面。具体地，图示的沉积系统190包括基片托板180、阴极102以及输送载具122。该横截面显示，阳极棒154连接于阳极柱152，这些阳极柱152进而连接到输送载具122上。在一种实施方式中，阳极棒154安装为略高于基片托板180的上表面延伸。该结构可能会影响阳极的性能。可选择地，阳极棒154可以安装为使得阳极棒154的顶部与基片托板180的上表面平齐或低于基片托板180的上表面。
图14显示图13的沉积系统190的横截面，其中，该沉积系统190包括具有载具开口192的输送载具122。具体地，输送载具122包括载具开口192，这些载具开口192与基片托板180中的基片开口182对准。在一种实施方式中，载具开口192具有与基片开口182的尺寸相同的尺寸。可选择地，载具开口192也可以大于或小于基片开口182。
图15显示具有一体的阳极216的输送载具210的一种实施方式的俯视图。图16显示图15的输送载具210沿图15所示的线剖切的横截面。图示的输送载具210包括一个或多个托板通道214，该一个或多个托板通道214沿着输送载具210的长度(或宽度)定位为基本相互平行。每个托板通道214的尺寸形成为允许将单个的基片托板212设置在相应的托板通道214内。在该方式中，“托板”可以具有一块以上(即，单个的基片托板212)。在一种实施方式中，托板通道214的尺寸略大于基片托板212的尺寸。但是，一些实施方式可以包括具有一定深度的托板通道214，以允许基片托板212与输送载具210的上表面平齐或高于输送载具210的上表面。与上述的一些实施方式类似，绝缘体124可以位于输送载具210和各个基片托板212之间。
一体的阳极216与输送载具210的暴露的上表面部分相对应。也就是说，阳极216由输送载具210的一部分形成，并且是输送载具210的一部分。因为输送载具210的阳极126在沉积过程中是暴露的，所以一些沉积材料可能会沉积在输送载具210上。
图17显示具有图15的输送载具210的沉积系统220的一种实施方式的横截面。图示的沉积系统220包括阴极102、输送载具220以及载具托盘222。在一种实施方式中，载具托盘222是一种附加的部件，以有助于基片106通过沉积系统220的移动。如果将输送载具210拆下以进行清洁，则使用载具托盘222可以方便沉积系统220的继续使用。例如，载具托盘222可以继续与各种输送载具210一起使用。
图18显示图15的输送载具210和基片托板212的一种更详细的实施方式的横截面。具体地，图18显示在图17中基片托板212是如何连接到输送载具210上的放大的实施方式。尽管这里显示并描述了特定的连接实施方式，但基片托板212在其它实施方式中可以以不同的方式连接到输送载具210上，并与输送载具210电绝缘。
在一种实施方式中，基片托板212通过一个或多个紧固件连接到输送载具210上。一个典型类型的紧固件为不导电螺钉232，当然也可以使用其它类型的紧固件。此外，在基片托板212和输送载具210之间可以使用绝缘体124作为隔离物。绝缘体124还可以保护不导电螺钉232，以避免在不导电螺钉232上积聚沉积材料。
限制可能沉积在不导电螺钉232或绝缘体124上的沉积材料的量的另一种方法是，在输送载具210上形成载具凸台234或在基片托板212上形成托板凸缘236，或者在输送载具210上形成载具凸台234并在基片托板212上形成托板凸缘236。在一种实施方式中，载具凸台234从输送载具210向外朝着基片托板212延伸。类似地，托板凸缘236远离基片托板212并朝着输送载具210延伸。在一种实施方式中，托板凸缘236略微偏离载具凸台234，以增加从基片托板212的边缘到不导电螺钉232和绝缘体124的相对路径程度。
在一些实施方式中，绝缘体124包括用于限制沉积材料覆盖的保护特征。可以用于防止或减少在绝缘体124上的沉积材料的积聚的典型结构包括挡板和凹槽。具体地，挡板在例如上挡板和下挡板之间限定有狭窄的间隙(例如，气隙)。挡板结构使得等离子到绝缘体124的路径增加或最大化(通过限制路径的直线度或者使得路径的直线度最小化)。可选择地，绝缘体124可以放置在凹槽内。使用这些或类似的结构减少了可能会以其它方式使绝缘体124电接通的沉积积聚。
图19显示基片托板242中的基片106的安装结构240的一种实施方式。图示的基片托板242包括斜边244，这些斜边244位于基片托板242与基片106接触的一个侧面或多个侧面上。在一些实施方式中，形成斜边244有助于保持基片106与基片托板242之间的物理接触，以维持基片106与基片托板242之间的稳定的电位。
图20显示基片托板252中的基片106的安装结构250的另一种实施方式。图示的基片托板252包括非对称的或不平坦的安装表面254，256。通过将基片106放置在由非对称的安装表面254，256形成的具有角度的位置上，下表面承载的基片106的重量可以有助于保持基片106和基片托板252之间的物理接触。如上所述，保持基片106和基片托板252之间的物理接触会将基片106保持在与基片托板252的电位相同的电位上，从而不会有电弧、热量或形成金属合金。
图21显示接地系统260的一种实施方式。图示的接地系统260可以用于将输送载具210连接到接地参考132上，而不将接地参考132直接连接到输送部件(例如，滚轮或线性轨道)上。在一种实施方式中，接地参考132连接到诸如金属丝刷之类的导电刷262上，该导电刷262沿着输送载具210的上表面(例如，一体的阳极216)刷拭。例如，导电刷262可以相对于沉积室100处于固定位置，以使得在输送载具210移动通过沉积室100时，导电刷262与输送载具210保持物理接触。在另一种实施方式中，阳极棒154与固定轮或滑动式导向件之类的间歇式电位源电接触。
图22显示接地系统270的另一种实施方式。除了图22的接地系统270使用导电滚轮272而不是导电刷262之外，该接地系统270与图21的接地系统260基本类似。在一种实施方式中，当输送载具210移动通过沉积室100时，导电滚轮272沿着输送载具210的上表面(例如，一体的阳极126)滚动。可选择地，也可以使用其它类型的导电装置将输送载具210连接到接地参考132。
尽管文中以特定的次序显示并描述了方法的操作，但每个方法的操作次序可以改变，从而使得某些操作可以以相反的顺序进行，或者使得某一操作可以至少部分地与其它操作同时进行。在另一种实施方式中，不同操作的指令或者子操作可以以间歇的方式和/或交替的方式进行。
此外，应当注意的是，尽管上述说明描述了使用溅镀磁控管源的沉积系统10，但其它实施方式也可以应用其它类型的沉积源，这些沉积源产生流向所述基片托板的电流，并使得所述基片托板作为沉积源的一部分工作。例如，在多种实施方式中可以采用远程电源、离子源、离子辅助式沉积(LAD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和其它类型的沉积源和沉积工艺。
在上述说明中，已经参照具体的典型实施方式描述了本发明。但是，显而易见的是，在不脱离附带的权利要求所给出的本发明的宽广精神和范围的前提下，可以对这些具体的典型实施方式作出各种改变和变化。因此，这些说明和附图应当被认为是说明性的，而非限制性的。

Claims (21)

1.一种通过式沉积系统，该沉积系统包括：
基片托板，该基片托板具有底部和顶部，该基片托板的顶部用于保持基片；以及
阳极，该阳极相对于所述基片托板具有基本固定的位置，以使得所述阳极配置为与所述基片托板一起移动，其中，所述阳极与所述基片电绝缘。
2.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述沉积系统还包括输送载具，该输送载具用于运载所述基片托板通过具有沉积源的沉积室。
3.根据权利要求2所述的沉积系统，其中，所述输送载具沿着基本为线性的输送路径运载所述基片托板通过所述沉积室。
4.根据权利要求2所述的沉积系统，其中，所述沉积系统还包括连接在所述基片托板与所述输送载具之间的绝缘体，其中所述阳极与所述输送载具电连接，并与所述基片托板电绝缘。
5.根据权利要求4所述的沉积系统，其中，所述阳极包括所述输送载具的凸台部分，所述阳极位于与所述基片托板基本相邻的位置。
6.根据权利要求2所述的沉积系统，其中，所述输送载具包括载具开口，该载具开口大致位于与所述基片托板的基片开口相对应的位置。
7.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述基片托板包括阳极开口，该阳极开口从所述基片托板的底部贯通到所述基片托板的顶部，其中所述阳极开口的尺寸形成为允许所述阳极通过该阳极开口，而不会碰触到所述基片托板。
8.根据权利要求7所述的沉积系统，其中，所述阳极包括导电柱。
9.根据权利要求8所述的沉积系统，其中，所述阳极还包括导电棒，该导电棒连接于所述导电柱，其中所述阳极的导电棒相对于所述沉积源未被屏蔽。
10.根据权利要求9所述的沉积系统，其中，所述基片托板还包括阳极通道，该阳极通道的尺寸形成为允许所述导电棒至少部分地凹入所述基片托板的顶部，其中所述阳极通道包括侧壁，以在所述阳极的导电棒和导电柱与所述阳极通道的侧壁之间保持基本一致的气隙。
11.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述基片托板还包括：
基片凹槽，该基片凹槽位于所述基片托板的顶部，用于保持所述基片；以及
基片开口，该基片开口基本上在所述基片凹槽的位置从所述基片托板的底部贯通到所述基片托板的顶部。
12.根据权利要求11所述的沉积系统，其中，所述基片凹槽包括至少一个斜边，所述基片的相应侧安装在该至少一个斜边上。
13.根据权利要求11所述的沉积系统，其中，所述基片凹槽包括不平坦的安装结构，以相对于所述基片托板的顶部以非零角度保持所述基片。
14.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述沉积系统还包括接地装置，该接地装置电连接于所述阳极和接地参考，其中该接地装置包括导电滚轮、导电刷或载具轨道。
15.一种方法，该方法包括以下步骤：
将基片放置在基片托板上；
将所述基片托板连接于输送载具和阳极，其中所述基片与所述阳极电绝缘；
使所述基片、基片托板、输送载具以及阳极一起移动通过沉积室；以及
将沉积材料沉积在所述基片上。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述方法还包括在所述基片托板与所述输送载具之间安装绝缘体，其中所述输送载具电连接于所述阳极。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述方法还包括通过所述基片托板上的阳极开口安装所述阳极的阳极柱。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述方法还包括将导线连接到所述阳极柱上，其中所述导线基本上穿过所述基片托板的顶部延伸。
19.一种设备，该设备包括：
用于在沉积过程中使基片与阳极保持电绝缘的部件，其中所述阳极与所述基片一起移动通过沉积室；以及
用于在所述沉积过程中使所述基片与基片托板保持基本相同的电位的部件。
20.根据权利要求19所述的设备，其中，该设备还包括用于将所述阳极连接于接地参考的部件。
21.根据权利要求21所述的设备，其中，所述阳极包括至少一个竖直的导电件。
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