KR20150105485A - 전기적으로 분리된 팔레트 및 애노드 어셈블리들을 구비하는 성막 시스템 - Google Patents

전기적으로 분리된 팔레트 및 애노드 어셈블리들을 구비하는 성막 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20150105485A
KR20150105485A KR1020157023618A KR20157023618A KR20150105485A KR 20150105485 A KR20150105485 A KR 20150105485A KR 1020157023618 A KR1020157023618 A KR 1020157023618A KR 20157023618 A KR20157023618 A KR 20157023618A KR 20150105485 A KR20150105485 A KR 20150105485A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
anode
pallet
wafer pallet
substrate
Prior art date
Application number
KR1020157023618A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101714424B1 (ko
Inventor
피터 코우신스
신-치아오 루안
토마스 패스
존 페레르
렉스 갈라르도
스티븐 에프. 메이어
Original Assignee
선파워 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 선파워 코포레이션 filed Critical 선파워 코포레이션
Publication of KR20150105485A publication Critical patent/KR20150105485A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101714424B1 publication Critical patent/KR101714424B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
    • C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • H01L21/203—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 성막을 위한 시스템. 시스템은 웨이퍼 팔레트 및 애노드를 포함한다. 웨이퍼 팔레트는 기저부 및 상부를 구비하고 있다. 웨이퍼 팔레트의 상부는 기판 웨이퍼를 보유하도록 구성된다. 애노드는 웨이퍼 팔레트에 대해 실질적으로 고정된 위치를 가지며, 성막 챔버를 통해 웨이퍼 팔레트와 함께 이동하도록 구성된다. 애노드는 기판 웨이퍼로부터 전기적으로 분리된다.

Description

전기적으로 분리된 팔레트 및 애노드 어셈블리들을 구비하는 성막 시스템{DEPOSITION SYSTEM WITH ELECTRICALLY ISOLATED PALLET AND ANODE ASSEMBLIES}
본 발명은 기판 성막 분야에 관한 것으로, 특히 기판 웨이퍼로부터 전기적으로 분리된 애노드를 구비하는 패스-스루(pass-through) 성막 시스템에 관한 것이다.
성막 시스템들은 기판 상에 물질을 성막하는데 이용된다. 종래의 성막 시스템들의 여러 유형들이 현재 구현된다. 종래의 성막 시스템의 하나의 유형은 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)을 구현한다. 스퍼터링은, 일반적으로, 고체 타겟 재료, 타겟 또는 캐소드로부터 원자들을 방출시켜 기판 상에 박막을 성막하는 프로세스이다. 마그네트론은 강한 전계 및 자계들을 생성하여 전자들을 트랩시킴으로써 이러한 동작을 향상시키고, 아르곤과 같은 기체 상태의 중성자들로부터의 이온들의 형성을 개선시킨다. 이온들은 타겟에 충격을 가하고 타겟 재료가 방출하여 기판 상에 성막하도록 유발한다. 동작 동안에, 전류는 성막 시스템 내에서 스퍼터링 캐소드로부터 애노드 어셈블리들로 흐를 수 있다.
일부 스퍼터링 성막 시스템들이 고정된 (즉, 캐소드에 대해 고정된 위치에 있는) 애노드를 갖는 캐소드를 이용하지만, 그외의 스퍼터링 성막 시스템들은 캐소드에 대해 이동하는 애노드를 구현한다. 애노드들로서 작용하는 성막 시스템의 다수의 컴포넌트들이 있으나, 캐소드에 대한 그 상대적 면적 및 근접도에 기초한 하나의 주 애노드(primary anode)가 존재할 수도 있음을 유의해야 한다. 그러므로, 본 명세서에서 애노드에 대한 참조는 일반적으로 달리 표시하지 않는 한, 이러한 유형의 주 애노드를 지칭한다. 이동하는 주 애노드의 예로서, 일부 성막 시스템들은 기판들을 보유하는 이동 팔레트를 이용하고, 이러한 팔레트는 또한 동작 동안에 주 애노드로서 작용한다. 이런 방식으로, 애노드로서 작용하는 웨이퍼 팔레트가 성막 챔버 내외로 이동함에 따라, 캐소드가 성막 챔버 내에 고정되어 있기 때문에 주 애노드가 캐소드에 대해 이동한다. 애노드가 캐소드에 대해 이동하는 이러한 유형의 시스템에서, 여러 문제들이 발생할 수 있다.
기판과, 기판을 운반하는 팔레트가 주 애노드로서 작용하는 경우에 한가지 문제가 발생한다. 이러한 문제는 성막 챔버 내에 일치하는(consistent) 애노드를 제공하지 못하고, 이것이 손상된 기판 및 불안정한 캐소드 동작을 만들어내는 것으로부터 도출된다. 웨이퍼 팔레트와 기판이 주 애노드를 형성하는 경우 및 통상 기판의 에지를 통해 웨이퍼 팔레트와 기판 사이에 간헐적인 전기적 접촉이 있는 경우에 불일치는 명백하다. 이러한 시나리오에서, 팔레트는 통상 그라운드에 결합되고, 간헐적인 전류가 전기적 아크의 형태로 기판으로부터 팔레트에 흐를 수 있고, 열을 만들어 낸다. 이러한 방전은 기판을 손상시키고, 기판 상의 디바이스를 손상시키며, 성막된 층을 녹이고, 또는 기판 상의 다수의 성막층들로부터 금속 합금을 생성시킬 수 있다. 결과적으로, 원래의 재료가 변경된 재료와 동일한 방식으로 기능하지 않는다. 예로서, 변경된 재료가 화학적으로 처리될 수 없으므로(즉, 에칭 제거되지 않으므로), 후속하는 패터닝 기술들은 실패하게 된다. 이러한 패터닝 기술들의 실패는 결과적으로 디바이스내에서 전기적 단락(shorts)에 의해 예시되는 디바이스의 오동작으로 나타나게 된다.
본 발명은 첨부된 도면들의 그림들에서 제한하는 방식이 아니라, 예로서 예시되어 있다.
도 1은 성막 시스템의 일 실시예를 예시한다.
도 2는 분리된 웨이퍼 팔레트를 구비하는 성막 시스템의 일 실시예의 단면을 예시한다.
도 3은 분리된 애노드로의 이용을 위한 웨이퍼 팔레트의 일 실시예의 상면도를 예시한다.
도 4는 도 3에 표시된 라인을 따라 취해진, 도 3의 웨이퍼 팔레트의 단면을 예시한다.
도 5는 기판 웨이퍼들과 애노드 바들이 적소에 있는, 도 3의 웨이퍼 팔레트의 상면도를 예시한다.
도 6은 도 3의 웨이퍼 팔레트를 구비하는 성막 시스템의 실시예의 단면을 예시한다.
도 7은 애노드 포스트들(anode posts)로의 이용을 위한 웨이퍼 팔레트의 또 다른 실시예의 상면도를 예시한다.
도 8은 도 7에 표시된 라인을 따라 취해진, 도 7의 웨이퍼 팔레트의 단면을 예시한다.
도 9는 기판 웨이퍼들과 애노드 포스트들이 적소에 있는, 도 7의 웨이퍼 팔레트의 상면도를 예시한다.
도 10은 도 7의 웨이퍼 팔레트를 구비하는 성막 시스템의 실시예의 단면을 예시한다.
도 11은 웨이퍼 개구들을 구비하는 웨이퍼 팔레트의 또 다른 실시예의 상면도를 예시한다.
도 12는 도 11에 표시된 라인을 따라 취해진, 도 11의 웨이퍼 팔레트의 단면을 예시한다.
도 13은 도 11의 웨이퍼 팔레트를 구비하는 성막 시스템의 실시예의 단면을 예시한다.
도 14는 액세스 개구들을 구비하는 트랜스포트 캐리어를 포함하는, 도 13의 성막 시스템의 단면을 예시한다.
도 15는 집적된 애노드들을 구비하는 트랜스포트 캐리어의 일 실시예의 상면도를 예시한다.
도 16은 도 15에 표시된 라인을 따라 취해진, 도 15의 트랜스포트 캐리어의 단면을 예시한다.
도 17은 도 15의 트랜스포트 캐리어를 구비하는 성막 시스템의 실시예의 단면을 예시한다.
도 18은 도 15의 트랜스포트 캐리어와 웨이퍼 팔레트의 보다 상세한 실시예의 단면을 예시한다.
도 19는 웨이퍼 팔레트에서 기판 웨이퍼에 대한 마운팅 구성의 일 실시예를 예시하고 있다.
도 20은 웨이퍼 팔레트에서 기판 웨이퍼에 대한 마운팅 구성의 또 다른 실시예를 예시하고 있다.
도 21은 그라운딩 시스템의 일 실시예를 예시하고 있다.
도 22는 그라운딩 시스템의 또 다른 실시예를 예시하고 있다.
이하의 설명은 본 발명의 여러 실시예들의 양호한 이해를 제공하기 위해 특정 시스템들, 컴포넌트들, 방법들 등의 예들과 같은 다수의 특정 세부사항들을 개시하고 있다. 그러나, 본 발명의 적어도 일부 실시예들이 이들 특정 세부사항들 없이도 실시될 수 있다는 것은 본 기술분야의 숙련자에게 명백할 것이다. 다른 예들에서, 공지된 컴포넌트들 또는 방법들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하기 위해 상세하게 설명되지 않거나, 단순한 블록도로 제공된다. 그러므로, 제시된 특정 세부사항들은 단지 예시적인 것이다. 특정 구현들은 이들 예시적인 세부사항들에 따라 변화할 수 있고, 여전히 본 발명의 사상 및 범주 내에 있다고 사료된다.
기판 성막을 위한 시스템이 설명된다. 시스템은 웨이퍼 팔레트 및 애노드를 포함한다. 웨이퍼 팔레트는 기저부 및 상부를 갖는다. 웨이퍼 팔레트의 상부는 기판 웨이퍼를 보유하도록 구성된다. 애노드는 웨이퍼 팔레트에 대해 실질적으로 고정된 위치를 가지고 있고 기판 웨이퍼로부터 전기적으로 분리된다. 일 실시예에서, 애노드는 웨이퍼 팔레트를 보유하는 트랜스포트 캐리어(transport carrier)와 통합되거나, 그렇지 않은 경우 연결되어, 애노드, 트랜스포트 캐리어, 및 웨이퍼 팔레트 모두가 성막 시스템을 통해 함께 이동한다. 일부 실시예들에서, 트랜스포트 캐리어는 성막 챔버를 통해 실질적으로 선형인 트랜스포트 경로를 따라 웨이퍼 팔레트를 운반한다. 추가적으로, 일부 실시예들에서, 시스템은 웨이퍼 팔레트가 성막 챔버를 한번 이상씩 통과하는 패스-스루 성막 시스템이다. 웨이퍼 팔레트가 성막 챔버를 통과할 때마다, 웨이퍼 팔레트는 성막 소스를 한번 지나가게 된다(pass by). 이에 비해, 플래너터리(planetary) 성막 시스템은 성막 챔버 내에서 기판 웨이퍼를 연속적으로 회전시켜, 기판 웨이퍼들이 성막 챔버 내에서 성막 소스를 반복적으로 지나간다.
본 명세서에서 설명된 방법, 장치 및 시스템의 특정 실시예들은 종래 성막 기술들의 단점들에 대처한다. 일부 실시예들은 아크발생 문제에 대처한다. 일부 실시예들은 성막된 층들 사이의 금속 합금들의 형성을 제거한다. 일부 실시예들은 이동하거나 고정된 팔레트 시스템 내에서 임의의 평탄형 마그네트론과 함께 이용될 수 있다. 일부 실시예들은 기판 웨이퍼들의 포텐셜 바이어싱(potential biasing)을 가능하게 한다. 일부 실시예들은 캐소드 전방에 애노드를 영구적으로 마운팅(이 경우에, 애노드는 과도한 성막 빌드업을 받을 것이다)하지 않고서도 애노드 표면의 용이한 유지관리를 허용한다. 그러나, 본 명세서에서 설명된 실시예들이 이들 특정한 문제들에 대처하는 것으로 한정되지 않는다는 것을 유의한다.
도 1은 성막 시스템(10)의 일 실시예를 예시한다. 예로서, 성막 시스템(10)은 패스-스루 성막 시스템일 수 있다. 예시된 성막 시스템(10)은 성막 챔버(100)를 포함한다. 성막 챔버(100) 내부의 캐소드(102)는 스퍼터 기체 이온들("+"로 표시됨)을 통해 하나 이상의 기판 웨이퍼들(106) 상에 성막될 타겟과 같은 성막 재료("M"으로 표시됨)를 포함한다. 일 실시예에서, 캐소드(102)는 스퍼터 기체 이온들을 만들어내는 충돌들을 발생시키기 위해 캐소드(102) 주위에 강한 전자계들을 생성하도록 이용되는 마그네트론 스퍼터 소스(도시되지 않음)에 결합된다. 스퍼터 기체 이온들은 캐소드에 충돌하고 타겟 재료가 방출되어 기판 웨이퍼(106)의 표면상에 성막하도록 유발한다. 성막 재료는 또한 성막 챔버(100) 내의 진공으로 인해 성막 챔버(100) 전체에 걸친 그외의 표면들 상에도 성막된다. 타겟에 대한 예시적인 성막 재료들은 알루미늄(Al), 티타늄 텅스텐(TiW), 및 구리(Cu)를 포함하지만, 그외의 성막 재료들이 이용될 수도 있다. 스퍼터 기체 이온들(104)은 통상적으로 아르곤 이온들이거나, 또 다른 비활성 기체로부터의 이온들이다. 그러나, 성막 시스템(10)의 일부 실시예들은 산화물들 및 질화물들에 대한 O2 및 N2 프로세스들과 같은 반응성 동작들을 구현할 수 있다. 기판 웨이퍼들(106)은 성막 재료가 성막될 수 있는 임의의 재료일 수 있다.
성막 시스템(10)의 실시예들은 상이한 유형들의 캐소드들(102)을 구현한다. 마그네트론 스퍼터 소스를 이용하는 실시예들은 대응하는 고정된 애노드(즉, 캐소드(102)에 대해 고정됨), 및 애노드들로서 작용할 수 있는 성막 시스템(10)의 하나 이상의 다른 컴포넌트들을 포함할 수도 있거나 그렇지 않을 수도 있다. 다시 말해서, 캐소드(102)에 대해 고정된 위치에 있는 주 애노드를 포함하지 않는 구현들에서, 하나 이상의 애노드들은 성막 시스템(10)의 다른 컴포넌트들에 의해 형성된다.
일 실시예에서, 기판 웨이퍼들(106)은 웨이퍼 팔레트(108)에 의해 성막 챔버(100)를 통해 이송된다. 성막 챔버(100)는 웨이퍼 팔레트(108)가 기판 인렛(inlet)(110)를 통해 성막 챔버(100)에 들어가고 기판 아웃렛(outlet)(112)를 통해 성막 챔버(100)를 나갈 수 있도록 구성된다. 예를 들면, 웨이퍼 팔레트(108)는 성막 챔버(100)를 통해 웨이퍼 팔레트(108)를 자동으로 이송하는 트랙(도시되지 않음)을 따라 이동할 수 있다. 대안적으로, 기판 웨이퍼들(106)은 성막 챔버(100)에 수동으로 삽입되고 이로부터 제거될 수 있다. 추가적으로, 성막 챔버(100)는 스퍼터 기체(예를 들면, 아르곤)가 성막 챔버(100)에 들어가고 나가도록 허용하는 기체 인렛(114) 및 기체 아웃렛(116)를 포함한다. 성막 시스템(100)의 그외의 실시예들은 본 기술분야에 주지된 추가 컴포넌트들 또는 특징들을 포함할 수 있다.
도 2는 분리된 웨이퍼 팔레트(108)를 갖는 성막 시스템(120)의 일 실시예의 단면을 예시하고 있다. 그러나, 이하에 설명되는 바와 같이, 예시된 성막 시스템(120)의 실시예들은 전술한 문제들에 대처하기에 충분치 않을 수 있다. 예시된 성막 시스템(120)은 웨이퍼 팔레트(108) 상의 하나 이상의 기판 웨이퍼들(106)에 대해 배치되는 캐소드(102)를 포함한다. 성막 시스템(120)은 성막 챔버(100)를 통해 웨이퍼 팔레트(108) 및 기판 웨이퍼들(106)을 이송하는 트랜스포트 캐리어(122)를 또한 포함한다. 트랜스포트 캐리어(122)는 예를 들면 롤러들(128) 및 축(axle)(130)을 포함하는 롤러 트랙 상에 차례로 놓여있는 캐리어 프레임들(126) 상에 배치된다. 대안적으로, 그외의 유형들의 롤러들, 벨트들, 선형 레일들, 또는 그외의 트랙들이 이용될 수 있다. 편의상, 롤러들(128) 또는 롤러 트랙에 대한 참조들은 단지 예시적 언어로서 이용되며, 그외의 유형들의 이송 메커니즘들을 이용하는 성막 시스템(120)의 실시예들을 배제하는 것은 아니다.
도시된 실시예에서, 트랜스포트 캐리어(122)는 롤러 트랙 어셈블리를 통해 접지 기준(ground reference)(132)에 전기적으로 접속된다. 웨이퍼 팔레트(108)는 하나 이상의 절연체들(124)에 의해 트랜스포트 캐리어(122)로부터 분리되므로, 이들 절연체들(124)은 웨이퍼 팔레트(108) 및 기판 웨이퍼들(106)을 접지된 기준(132)로부터 분리시킨다. 예로서, 그외의 유형들의 절연성 재료들이 구현될 수 있으나, 절연체들(124)은 세라믹 절연체들일 수 있다.
일 실시예에서, 접지 기준(132)으로부터 웨이퍼 팔레트(108) 및 기판 웨이퍼들(106)을 전기적으로 분리시키는 것은 기판 웨이퍼들(106)의 에지들을 따르는, 금속 합금들의 형성을 완화시킨다. 웨이퍼 팔레트(108) 및 기판 웨이퍼들(106)은 동일한 전위로 유지되므로, 웨이퍼 팔레트(108)와 기판 웨이퍼들(106)의 에지들 사이에는 전류 방전이 존재하지 않는다. 그러므로, 웨이퍼 팔레트(108)와 기판 웨이퍼들(106)의 사이에 흐르는 전류가 존재하지 않기 때문에, 전기적 아크, 발열이 없으며, 기판 웨이퍼(106) 상에 성막된 각각의 층들로부터 금속 합금의 생성도 없다.
그러나, 예시된 성막 시스템(120)의 구성은 일부 어려움들을 나타낼 수 있다. 도 2에 도시된 실시예는 웨이퍼 팔레트(108)가 전기적으로 분리되어 있고(즉, 플로팅), 더 이상 접지 기준(132)에 연결되지 않으므로 "플로팅 팔레트"구현으로서 지칭될 수 있다. 플로팅 팔레트 구현은 성막 균일성 문제들을 만들어 낼 수 있다. 다시 말해서, 캐소드(102)의 동작은 불안정할 수 있고, 성막 재료는 기판 웨이퍼들(106) 상에 불균일하게 성막될 수 있다. 더욱 구체적으로는, 접지된 트랜스포트 캐리어(122)가 플로팅(즉, 접지되지 않은) 웨이퍼 팔레트(108)로부터 전기적으로 분리되기 때문에, 웨이퍼 팔레트(108)는 캐소드(102)에 대한 주 애노드로서 더 이상 작용하지 않을 수 있고 전기 회로가 충분치 않다. 그러므로, 예시된 성막 시스템(120)은 접지된 트랜스포트 캐리어(122)의 전기적 차폐로 인하여 동작 동안에 캐소드 불안정성을 나타낼 수 있다. 이러한 캐소드 불안정성은 성막 시스템(120)에 문제들을 제공한다.
도 3은 분리된 애노드로 이용하기 위한 웨이퍼 팔레트(140)의 일 실시예의 상면도를 예시하고 있다. 도 4는 도 3에 표시된 라인을 따라 취해진, 도 3의 웨이퍼 팔레트(140)의 단면을 예시한다. 예시된 웨이퍼 팔레트(140)는 복수의 웨이퍼 포켓들(142)을 포함한다. 각 웨이퍼 포켓(142)은 웨이퍼 팔레트(140)의 상부 표면에서의 오목부(depression) 또는 공동(cavity)이다. 그러나, 그외의 실시예들에서는, 웨이퍼 팔레트(140)가 웨이퍼 포켓들(142)없이 구성될 수 있고, 이 경우에 웨이퍼 팔레트(140)는 기판 웨이퍼들(106)을 미리결정된 배열로 보유하는 평탄한 표면 및 다수의 핀들 또는 클립들을 포함할 수 있다.
예시된 실시예에서, 웨이퍼 포켓들(142)은 대응하는 웨이퍼 포켓들(142) 내로 기판 웨이퍼들(106)이 삽입되도록 크기가 정해진다. 웨이퍼 포켓들(142)은 또한 기판 웨이퍼들(106)이 웨이퍼 팔레트(140)와 직접적인 접촉을 유지하도록 설계된다. 일 실시예에서, 웨이퍼 포켓들(142)의 치수들은, 기판 웨이퍼들(106)의 상부들이 웨이퍼 팔레트(140)의 상부 약간 아래에 있도록 기판 웨이퍼들(106)의 치수들보다 약간 크다. 대안적으로, 웨이퍼 포켓들(142)의 깊이는, 기판 웨이퍼들(106)의 상부들이 웨이퍼 팔레트(140)의 상부에 또는 그 위에 있도록 기판 웨이퍼들(106)의 깊이와 동일하거나 약간 작을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 웨이퍼 팔레트(108)는 기판 웨이퍼들(106)을 보유하는 또 다른 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들면, 수직 핀들은 웨이퍼 포켓들(142)과 함께 또는 독립적으로 이용될 수 있다.
예시된 웨이퍼 팔레트(140)는 또한 하나 이상의 애노드 채널들(146)을 포함한다. 각 애노드 채널(146)은 웨이퍼 팔레트(140)의 상부 표면에서의 오목부(depression) 또는 공동이다. 그러나, 웨이퍼 팔레트(140)의 그외의 실시예들은 후술하는 바와 같이, 애노드 채널들(146)을 생략할 수도 있다. 도시된 실시예에서, 애노드 채널들(146)은 웨이퍼 포켓들(142)을 중첩하지 않는다. 일 실시예에서, 애노드 채널들(146)은 웨이퍼 팔레트(140)의 길이(또는 폭)를 가로질러 서로 평행하게 진행한다. 애노드 채널들(146)의 각각은 적어도 하나의 애노드 개구(144)를 또한 포함한다. 일 실시예에서, 애노드 개구(144)는 웨이퍼 팔레트(140)를 관통하는(예를 들면, 상부 표면으로부터 기저 표면까지) 홀(hole) 또는 보이드(void)이다. 애노드 개구들(144) 및 애노드 채널들(146)이 특정 형태들(예를 들면, 원들 및 직사각형들)로 도시되어 있지만, 그외의 구현은 애노드 개구들(144) 및 애노드 채널들(146)에 대해 그외의 형태들을 채용할 수도 있다. 애노드 개구들(144) 및 애노드 채널들(146)의 목적은 도 5 및 6을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다.
도 5는 기판 웨이퍼들(106) 및 애노드 바들(154)이 적소에 있는, 도 3의 웨이퍼 팔레트(140)의 상면도를 예시하고 있다. 특히, 도 5는 기판 웨이퍼들(106)이 웨이퍼 포켓들(142) 내에 배치되고, 웨이퍼 포켓들(142)의 치수들이 기판 웨이퍼들(106)의 치수들보다 약간 더 큰 실시예를 도시한다. 마찬가지로, 애노드 채널들(146)의 치수들은 애노드 바들(154)의 치수들보다 약간 크므로 애노드 바들(154)이 웨이퍼 팔레트(140)로부터 전기적으로 분리되어 유지된다. 애노드 바들(154)은 스퍼터링 캐소드(102)에 대한 애노드들로서 기능한다. 평면도 및 단면도 양쪽 모두에서, 애노드 바들(154)이 직사각형 형태를 가지는 것으로 도시되어 있지만, 일부 실시예들은 평면도 또는 단면도 중 어느 하나에서 삼각형, 원형, 또는 비-표준 형태와 같은 비-직사각형 형태들을 갖는 애노드 바들(154)을 활용할 수도 있다. 애노드 바들(154) 및 애노드 채널들(146)은 기판 웨이퍼들(106) 상에서 불균일한 성막을 유발할 수 있는 기판 웨이퍼들(106)의 성막 새도우잉(shadowing)을 유발시키지 않고 기판 웨이퍼들(106)을 수용하도록 크기가 정해지고 형태가 결정된다.
일 실시예에서, 각 애노드 바(154)는 하나 이상의 애노드 포스트들(152)(애노드 바들(154) 아래에 점선으로 표시됨)에 의해 트랜스포트 캐리어(122)에 결합된다. 이들 애노드 포스트들(152) 및 애노드 바들(154)은 동일하거나 상이한 도전성 재료일 수 있다. 예로서, 애노드 포스트들(152) 및 애노드 바들(154)은 강철을 이용하여 제조될 수 있지만, 그외의 도전성 재료들이 이용될 수 있다. 애노드 포스트들(152) 및 애노드 바들(154)을 트랜스포트 캐리어(122)에 전기적으로 결합시킴으로써, 그라운드 레퍼런스(132), 애노드 바들(154)은 캐소드(102)에 대한 애노드들로서 기능한다. 기판 웨이퍼들(106)의 행들(rows)(또는 열들(columns)) 사이의 애노드 바들(154)의 위치는 다양한 기판 웨이퍼들(106) 상에서 성막 재료의 실질적으로 균일한 성막을 용이하게 할 수 있다.
도 6은 도 3의 웨이퍼 팔레트(140)를 갖는 성막 시스템(150)의 실시예의 단면을 예시한다. 특히, 예시된 성막 시스템(150)은 웨이퍼 팔레트(140), 캐소드(102), 및 트랜스포트 캐리어(122)를 포함한다. 단면은 트랜스포트 캐리어(122)에 물리적으로 그리고 전기적으로 결합되는 애노드 포스트들(152)에 물리적 및 전기적으로 결합된 애노드 바들(154)을 도시한다. 일 실시예에서, 애노드 바들(154)은 웨이퍼 팔레트(140)의 상부 표면 위로 약간 연장되도록 마운팅된다. 이러한 구성은 애노드 성능에 영향을 줄 수 있다. 대안적으로, 애노드 바들(154)은 애노드 바들(154)의 상부들이 웨이퍼 팔레트(140)의 상부 표면과 동일하거나 그 아래에 있도록 마운팅될 수 있다.
일 실시예에서, 애노드 포스트들(152)은 애노드 바들(154)에 단단하게 고정될 수 있다. 추가적으로, 애노드 포스트들(152)은 애노드 바들(154)에 일시적으로 또는 영구적으로 결합될 수 있다. 애노드 포스트들(152)을 애노드 바들(154)에게 결합하기 위한 일부 예시적인 패스너들(fasteners)은 스크류, 접착제(예를 들면, 도전성 접착제), 록킹 메커니즘들(locking mechanisms) 또는 그외의 유형들의 패스너들을 포함한다. 마찬가지로, 애노드 포스트들(152)은 유사한 패스너들을 이용하여 트랜스포트 캐리어(122)에 단단하게 고정되고, 영구적으로 또는 일시적으로 결합될 수도 있다. 일시적인 패스너들을 이용하여 애노드 포스트들(152)을 애노드 바들(154) 및 트랜스포트 캐리어(122)에 결합시키는 것은 애노드 바들(154) 및 트랜스포트 캐리어(122)로부터 애노드 포스트들(152)의 디스어셈블리(disassembly)를 용이하게 하여, 예를 들면 애노드 바들(154) 및 애노드 포스트들(152)이 종종 세척될 수 있다.
일 실시예에서, 전기적 절연체들(124)은, 웨이퍼 팔레트(140)와 트랜스포트 캐리어(122) 사이의 전기적 분리를 제공하기 위해 웨이퍼 팔레트(140)와 트랜스포트 캐리어(122) 사이에 이용될 수도 있다. 마찬가지로, 성막 시스템(150)은 애노드 채널들(146) 내에 절연체들(124)을 포함할 수 있다. 애노드 채널들(146) 내의 절연체들(124)은, 웨이퍼 팔레트(140)와 애노드 포스트들(152) 사이에서 및/또는 웨이퍼 팔레트(140)와 애노드 바들(154) 사이에서 전기적 분리를 유지하는데 도움을 줄 수 있다.
일 실시예에서, 애노드 채널들(146) 내의 절연체들(124)은 애노드 바들(154) 또는 웨이퍼 팔레트(140)에 의해 실질적으로 덮이도록 크기가 정해질 수 있다. 이런 방식으로, 애노드 바들(154) 또는 웨이퍼 팔레트(140)는 비교적 작은 량의 성막 재료가 절연체들(124) 상에 성막되도록 절연체들(124)을 어느 정도 보호할 수 있다. 시간이 지남에 따라, 성막 재료가 애노드 바들(154)과 웨이퍼 팔레트(140) 사이에 단락 회로를 생성하지 않도록 하기 위해, 절연체들(124) 상에 성막된 임의의 성막 재료를 제거하도록 절연체들(124)을 세척하는데 유용할 수 있다.
도 7은 애노드 포스트들(152)로 이용하기 위한 웨이퍼 팔레트(160)의 또 다른 실시예의 상면도를 예시한다. 도 8은 도 7에 표시된 라인을 따라 취해진, 도 7의 웨이퍼 팔레트(160)의 단면을 예시한다. 도시된 웨이퍼 팔레트(160)는 도 7의 웨이퍼 팔레트(160)가 애노드 채널들(146)을 포함하지 않는다는 점을 제외하고는, 도 4의 웨이퍼 팔레트(140)와 실질적으로 마찬가지이다. 대신에, 애노드 개구들(144)이 웨이퍼 팔레트(160)의 상부로부터 웨이퍼 팔레트(160)의 기저부까지 연장된다.
도 9는 기판 웨이퍼들(106) 및 애노드 포스트들(152)이 적소에 있는, 도 7의 웨이퍼 팔레트(160)의 상면도를 예시하고 있다. 도 10은 도 7의 웨이퍼 팔레트(160)를 갖는 성막 시스템(170)의 실시예의 단면을 예시한다. 도 9 및 10에 도시된 바와 같이, 애노드 개구들(144)은 웨이퍼 팔레트(160)의 상부로부터 웨이퍼 팔레트(160)의 기저부까지 연장된다. 애노드 포스트들(152)은 또한 웨이퍼 팔레트(160)의 두께를 관통하여 연장된다. 일 실시예에서, 애노드 포스트들(152)은 웨이퍼 팔레트(160)의 상부 위로 연장된다. 대안적으로, 애노드 포스트들(152)의 상부들은 웨이퍼 팔레트(160)의 상부 표면과 동일하거나 그 아래에 있을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 애노드 바들(154)은 웨이퍼 팔레트(160)의 상부 표면 위에, 애노드 포스트들(152)의 최상부들 상에 마운팅될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 와이어(162) 또는 그외의 도전성 물체가 포스트들(152)에게 부착될 수 있다. 와이어(162)는 애노드 바들(154)과 마찬가지의 기능을 제공하지만, 와이어(162)의 치수들은 기판 웨이퍼들(106) 상에 성막하는 성막 재료에 대한 더 적은 장벽을 제공할 수 있다. 와이어들(162)이 애노드 포스트들(152)의 일부 상에만 도시되어 있지만, 그외의 실시예들은 애노드 포스트들(152)의 전체 상에, 애노드 포스트들(152)의 교번하는 행들 상에 와이어를 포함하거나, 또 다른 구성에서 와이어들을 포함할 수도 있다. 애노드 포스트들(152)은 전술한 바와 같이 트랜스포트 캐리어(122)에 패스닝될 수 있다.
도 10은 또한 웨이퍼 팔레트(160)와 트랜스포트 캐리어(122)의 사이에 배치된 복수의 절연체들(124)을 도시하고 있다. 전술한 바와 같이, 절연체들(124)은, 트랜스포트 캐리어(122)로부터 웨이퍼 팔레트(160)를 전기적으로 분리시킴으로써, 웨이퍼 팔레트(160)의 전위가 임의의 애노드 바들(154) 또는 와이어들(162)뿐만 아니라 트랜스포트 캐리어(122) 및 애노드 포스트들(152)의 전위로부터 분리되어 유지되거나 제어될 수 있다. 일 실시예에서, 절연체들(124)의 위치들은 절연체들(124)에 도달하는 임의의 성막 재료에 대한 상대적으로 긴 경로를 제공하도록 설계될 수 있다(예를 들면, 애노드 개구들(142)을 통해, 그리고 웨이퍼 팔레트(160)와 트랜스포트 캐리어(122)의 사이에서).
도 10은 또한 애노드 포스트들(152)에 부착된 와이어(162)의 일 실시예를 도시하고 있다. 특히, 애노드 포스트들(152)의 일부는 와이어(162)가 애노드 포스트들(152)의 상부 종단들(top ends)을 통해 스레딩될 수 있도록 웨이퍼 팔레트(160) 위에 충분한 거리만큼 연장된다. 또 다른 실시예에서, 와이어(162)는 전술한 바와 같이, 예를 들면 애노드 채널(146) 내에서 웨이퍼 팔레트(160)의 상부 표면 아래의 레벨에서 애노드 포스트들(152)을 통해 스레딩될 수도 있다.
도 11은 웨이퍼 개구들(182)을 갖는 웨이퍼 팔레트(180)의 또 다른 실시예의 상면도를 예시한다. 도 12는 도 11에 표시된 라인을 따라 취해진, 도 11의 웨이퍼 팔레트(180)의 단면을 예시하고 있다. 도시된 웨이퍼 팔레트(180)는 도 11의 웨이퍼 팔레트(180)가 웨이퍼 개구들(182)을 포함한다는 점을 제외하고는 도 4의 웨이퍼 팔레트(140)와 실질적으로 마찬가지이다. 웨이퍼 개구들(182)의 각각은, 대응하는 웨이퍼 포켓(142)과 정렬된 홀 또는 보이드이다. 일 실시예에서, 웨이퍼 개구(182)의 치수들은 웨이퍼 포켓(142)의 치수들보다 더 작으므로, 주변부 표면은 대응하는 기판 웨이퍼(106)를 지지하도록 웨이퍼 포켓(142) 내에 제공된다. 추가적으로, 웨이퍼 개구들(182)은, 로딩 메커니즘이 웨이퍼 팔레트(180)를 통해 연장되고 기판 웨이퍼들(106)을 웨이퍼 포켓들(142) 내로 하향시킬 수 있도록 함으로써 기판 웨이퍼들(106)을 웨이퍼 포켓들(142)로 로딩하는 것을 용이하게 할 수 있다. 다시 말해서, 로딩 메커니즘은 웨이퍼 개구(182)를 통해 웨이퍼 팔레트(180)의 표면 위의 포인트까지 연장할 수 있고, 사용자 또는 또 다른 로딩 메커니즘은 기판 웨이퍼(106)를 로딩 메커니즘 상에 배치할 수 있으며, 그리고나서 로딩 메커니즘은 웨이퍼 개구(182)로부터 수축됨에 따라 기판 웨이퍼(106)를 웨이퍼 포켓(142) 내로 하향시킨다. 추가적으로, 웨이퍼 개구들(182)은 성막 챔버(100) 내에서 기체들의 배출을 용이하게 할 수 있다.
도 13은 도 11의 웨이퍼 팔레트(180)를 갖는 성막 시스템(190)의 실시예의 단면을 예시한다. 특히, 도시된 성막 시스템(190)은 웨이퍼 팔레트(180), 캐소드(102), 및 트랜스포트 캐리어(122)를 포함한다. 단면은, 차례로, 트랜스포트 캐리어(122)에 결합되는 애노드 포스트들(152)에 결합되는 애노드 바들(154)을 도시한다. 일 실시예에서, 애노드 바들(154)은 웨이퍼 팔레트(180)의 상부 표면 약간 위에 연장하도록 마운팅된다. 이러한 구성은 애노드 성능에 영향을 미칠 수 있다. 대안적으로, 애노드 바들(154)의 상부들이 웨이퍼 팔레트(180)의 상부 표면과 동일하거나 그 아래에 있도록 애노드 바들(154)이 마운팅될 수도 있다.
도 14는 캐리어 개구들(192)을 갖는 트랜스포트 캐리어(122)를 포함하는, 도 13의 성막 시스템(190)의 단면을 예시하고 있다. 특히, 트랜스포트 캐리어(122)는 웨이퍼 팔레트(180)의 웨이퍼 개구들(182)과 정렬되는 캐리어 개구들(192)을 포함한다. 일 실시예에서, 캐리어 개구들(192)은 웨이퍼 개구들(182)과 동일한 치수들을 가진다. 대안적으로, 캐리어 개구들(192)은 웨이퍼 개구들(182)보다 크거나 작을 수도 있다.
도 15는 집적된 애노드들(216)을 갖는 트랜스포트 캐리어(210)의 일 실시예의 상면도를 예시하고 있다. 도 16은 도 15에 표시된 라인을 따다 취해진, 도 15의 트랜스포트 캐리어(210)의 단면을 예시하고 있다. 도시된 트랜스포트 캐리어(210)는 트랜스포트 캐리어(210)의 길이(또는 폭)를 따라 서로에게 실질적으로 평행하게 배치되는 하나 이상의 팔레트 채널들(214)을 포함한다. 각 팔레트 채널(214)은 대응하는 팔레트 채널들(214) 내에 개별적인 웨이퍼 팔레트들(212)이 배치되는 것을 허용하도록 크기가 정해진다. 이런 방식으로, "팔레트"는 하나보다 많은 조각(즉, 개별적인 웨이퍼 팔레트들(212))을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 팔레트 채널들(214)의 치수들은 웨이퍼 팔레트들(212)의 치수들보다 약간 더 크다. 그러나, 일부 실시예들은 웨이퍼 팔레트들(212)이 트랜스포트 캐리어(210)의 상부 표면과 동일하거나 그 위에 있도록 허용하는 깊이를 갖는 팔레트 채널들(214)을 포함할 수도 있다. 위의 실시예들 중 일부와 마찬가지로, 절연체들(124)은 트랜스포트 캐리어(210)와, 각 웨이퍼 팔레트(212)의 사이에 배치될 수도 있다.
집적된 애노드들(216)은 트랜스포트 캐리어(210)의 노출된, 상부 표면 부분들에 대응한다. 다시 말하면, 애노드들(216)은 트랜스포트 캐리어(210)에 의해 형성되며, 그 일부이다. 트랜스포트 캐리어(210)의 애노드들(216)이 성막 프로세스 동안에 노출되므로, 성막 재료의 일부가 트랜스포트 캐리어(210) 상에 성막될 수 있다.
도 17은 도 15의 트랜스포트 캐리어(210)를 갖는 성막 시스템(220)의 실시예의 단면을 예시한다. 도시된 성막 시스템(220)은 캐소드(102), 트랜스포트 캐리어(220) 및 캐리어 트레이(222)를 포함한다. 일 실시예에서, 캐리어 트레이(222)는 성막 시스템(220)을 통한 기판 웨이퍼들(106)의 이동을 용이하게 하는 추가적인 컴포넌트이다. 캐리어 트레이(222)를 이용하는 것은 트랜스포트 캐리어(210)가 세척되도록 제거되는 경우에 성막 시스템(220)의 계속되는 이용을 용이하게 할 수 있다. 예를 들면, 캐리어 트레이(222)는 다양한 트랜스포트 캐리어들(210)과 연속적으로 이용될 수도 있다.
도 18은 도 15의 트랜스포트 캐리어(210) 및 웨이퍼 팔레트(212)의 보다 상세한 실시예의 단면을 예시한다. 특히, 도 18은 웨이퍼 팔레트(212)가 도 17에서 트랜스포트 캐리어(210)에게 결합되는 방법의 확대된 실시예를 도시한다. 특정 결합 구현이 본 명세서에서 도시되고 설명되었으나, 그외의 실시예들에서 웨이퍼 팔레트(212)는 상이하게 트랜스포트 캐리어(210)에 결합되고 이로부터 전기적으로 분리될 수도 있다.
일 실시예에서, 웨이퍼 팔레트(212)는 하나 이상의 패스너들에 의해 트랜스포트 캐리어(210)에 결합된다. 하나의 예시적인 유형의 패스너는 비-도전성 스크류(232)이지만, 그외의 유형들의 패스너들이 이용될 수 있다. 추가적으로, 절연체(124)는 웨이퍼 팔레트(212)와 트랜스포트 캐리어(210) 사이의 스페이서로서 이용될 수도 있다. 절연체(124)는 또한 성막 재료를 누적시키는 것으로부터 비-도전성 스크류(232)를 보호할 수도 있다.
비-도전성 스크류(232) 또는 절연체(124) 상에 성막될 수 있는 성막 재료의 양을 제한하는 또 다른 방식은 트랜스포트 캐리어(210) 상에 캐리어 돌출부(234)를 구현하거나, 웨이퍼 팔레트(212) 상에 팔레트 플랜지들(236)을 구현하거나, 양쪽 모두를 구현하는 것이다. 일 실시예에서, 캐리어 돌출부들(234)은 트랜스포트 캐리어(210)로부터 외부로 연장되며, 그리고 웨이퍼 팔레트(212)를 향해 연장된다. 마찬가지로, 팔레트 플랜지들(236)은 웨이퍼 팔레트(212)로부터 연장되어 멀어지고 트랜스포트 캐리어(210)를 향하여 연장된다. 일 실시예에서, 팔레트 플랜지들(236)은 웨이퍼 팔레트(212)의 에지들로부터 비-도전성 스크류(232) 및 절연체(124)까지의 상대 경로 길이를 증가시키기 위해 캐리어 돌출부들(234)로부터 약간 오프셋된다.
일부 실시예들에서, 절연체들(124)은 성막 재료에 의한 코팅을 제한시키는 보호 특징들을 포함한다. 절연체들(124) 상에 성막 재료의 축적을 방지하거나 감소시키는데 이용될 수 있는 예시적인 구조들은 배플들(baffles) 및 포켓들을 포함한다. 특히, 배플들은 예를 들면 상부 배플과 하부 배플 사이의 좁은 갭들(예를 들면, 공기 갭들)을 정의한다. 배플 구조는 절연체들(124)로의 플라즈마의 경로를 (경로의 직접성을 제한하거나 최소화시킴으로써) 증가시키거나 최대화시킨다. 대안적으로, 절연체들(124)은 포켓들에서 리세스(recess) 될 수 있다. 이들 또는 유사한 구조들을 이용하는 것은, 그렇지 않은 경우에 절연체들(124)을 전기적으로 브리지할 수 있는 성막 빌드업을 감소시킨다.
도 19는 웨이퍼 팔레트(242)에서 기판 웨이퍼(106)에 대한 마운팅 구성(240)의 하나의 실시예를 예시하고 있다. 도시된 웨이퍼 팔레트(242)는 기판 웨이퍼(106)가 웨이퍼 팔레트(242)를 접촉하는 하나 이상의 사이드들에서 경사진 에지들(244)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 비스듬하게 된 에지들(244)을 구현하는 것은 기판 웨이퍼(106)와 웨이퍼 팔레트(106) 사이에 일정한 전위를 유지하기 위해, 기판 웨이퍼(106)와 웨이퍼 팔레트(242) 사이의 물리적 접촉을 유지하는데 도움을 준다.
도 20은 웨이퍼 팔레트(252)에서 기판 웨이퍼(106)에 대한 마운팅 구성(250)의 또 다른 실시예를 예시하고 있다. 도시된 웨이퍼 팔레트(252)는 비대칭의, 또는 불균일한 마운팅 표면들(254 및 256)을 포함한다. 기판 웨이퍼(106)를 비대칭 마운팅 표면들(254 및 256)에 의해 확립된 비스듬한(angled) 위치에 배치함으로써, 하부 표면 상에서의 기판 웨이퍼(106)의 무게는 기판 웨이퍼(106)와 웨이퍼 팔레트(252)간의 물리적 접촉을 유지하는데 도움을 줄 수 있다. 전술한 바와 같이, 기판 웨이퍼(106)와 웨이퍼 팔레트(252) 사이의 물리적 접촉을 유지하는 것은 기판 웨이퍼(106)를 웨이퍼 팔레트(252)와 동일한 전위로 유지하므로, 어떠한 전기적 아크, 발열, 또는 금속 합금들의 형성은 없다.
도 21은 접지 시스템(260)의 일 실시예를 예시한다. 도시된 접지 시스템(260)은 접지 기준(132)을 트랜스포트 어셈블리(예를 들면, 롤러들 또는 선형 레일들)에 직접 결합하지 않고 트랜스포트 캐리어(210)를 접지 기준(132)에 결합하도록 구현될 수도 있다. 일 실시예에서, 접지 기준(132)은 트랜스포트 캐리어(210)의 상부 표면(예를 들면, 집적된 애노드(216))를 따라 브러싱하는 금속 와이어 브러시와 같은 도전성 브러시(262)에 결합된다. 예를 들면, 도전성 브러시(262)는 성막 챔버(100)에 대해 고정된 위치에 있으므로, 트랜스포트 캐리어(210)가 성막 챔버(100)를 통해 이동함에 따라 도전성 브러시(262)가 트랜스포트 캐리어(210)와의 물리적 접촉을 유지할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 애노드 바들(154)은 고정된 휠들 또는 슬라이딩 가이드들과 같은 간헐적인 전위 소스들을 전기적으로 접촉한다.
도 22는 접지 시스템(270)의 또 다른 실시예를 예시한다. 접지 시스템(270)은, 도 22의 접지 시스템(270)이 도전성 브러시(262)보다는 도전성 롤러(272)를 이용한다는 점을 제외하고는, 도 21의 접지 시스템(260)과 실질적으로 유사하다. 일 실시예에서, 도전성 롤러(272)는 트랜스포트 캐리어(210)가 성막 챔버(100)를 통해 이동함에 따라 트랜스포트 캐리어(210)의 상부 표면(예를 들면, 집적된 애노드(216))을 따라 롤링한다. 대안적으로, 트랜스포트 캐리어(210)를 접지 기준(132)에 결합시키는데 그외의 유형들의 도전성 디바이스들이 이용될 수 있다.
본 명세서에서의 방법(들)의 동작들이 특정 순서로 도시되고 설명되지만, 각 방법의 동작들의 순서는 특정 동작들이 반대 순서로 수행될 수 있도록, 또는 일부 동작이 적어도 부분적으로는 다른 동작들과 동시에 수행될 수 있도록 변경될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 별개의 동작들의 명령들 또는 서브-동작들은 간헐적 및/또는 교번하는 방식이 될 수 있다.
또한, 이전의 설명이 스퍼터 마그네트론 소스를 이용하는 성막 시스템(10)을 설명하고 있지만, 그외의 실시예들은 웨이퍼 팔레트로 전류를 생성시키고 웨이퍼 팔레트를 성막 소스의 일부로서 동작하는데 이용하는 그외의 유형들의 성막 소스들에 적용가능할 수 있다는 점을 유의한다. 예를 들면, 원격 소스들, 이온 소스들, IAD(ion-assisted deposition), PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition), 및 그외의 유형들의 소스들 및 성막 프로세스들은 다양한 실시예들을 구현할 수도 있다.
전술한 명세서에서, 본 발명은 그 특정 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 첨부된 특허청구범위에 제시된 본 발명의 더 넓은 사상 및 범주에서 벗어나지 않고 다양한 변형들 및 변경들이 이루어질 수 있다는 것은 명백할 것이다. 따라서, 본 명세서 및 도면들은 제한적 의미보다는 예시적 의미로 간주되어야 한다.

Claims (1)

  1. 패스-스루(pass-through) 성막 시스템에 있어서,
    웨이퍼 팔레트 및 애노드를 포함하는 성막 시스템.
KR1020157023618A 2007-03-22 2008-02-12 전기적으로 분리된 팔레트 및 애노드 어셈블리들을 구비하는 성막 시스템 KR101714424B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/726,894 2007-03-22
US11/726,894 US8557093B2 (en) 2007-03-22 2007-03-22 Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies
PCT/US2008/001872 WO2008115325A1 (en) 2007-03-22 2008-02-12 Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097022036A Division KR101794345B1 (ko) 2007-03-22 2008-02-12 전기적으로 분리된 팔레트 및 애노드 어셈블리들을 구비하는 성막 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150105485A true KR20150105485A (ko) 2015-09-16
KR101714424B1 KR101714424B1 (ko) 2017-03-09

Family

ID=39766214

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157023618A KR101714424B1 (ko) 2007-03-22 2008-02-12 전기적으로 분리된 팔레트 및 애노드 어셈블리들을 구비하는 성막 시스템
KR1020097022036A KR101794345B1 (ko) 2007-03-22 2008-02-12 전기적으로 분리된 팔레트 및 애노드 어셈블리들을 구비하는 성막 시스템

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097022036A KR101794345B1 (ko) 2007-03-22 2008-02-12 전기적으로 분리된 팔레트 및 애노드 어셈블리들을 구비하는 성막 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8557093B2 (ko)
EP (1) EP2130215B1 (ko)
JP (4) JP5322310B2 (ko)
KR (2) KR101714424B1 (ko)
CN (1) CN101641765B (ko)
WO (1) WO2008115325A1 (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8557093B2 (en) * 2007-03-22 2013-10-15 Sunpower Corporation Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies
IT1399480B1 (it) * 2010-03-15 2013-04-19 Stral S R L Apparecchiatura per la deposizione di materiale semiconduttore su vetro
EP2423957A1 (en) * 2010-08-27 2012-02-29 Applied Materials, Inc. Pallet for accommodating thermal gradients arising during processing
US10106883B2 (en) 2011-11-04 2018-10-23 Intevac, Inc. Sputtering system and method using direction-dependent scan speed or power
US20130112546A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-09 Intevac, Inc. Linear scanning sputtering system and method
JP6088964B2 (ja) * 2013-12-13 2017-03-01 株式会社東芝 半導体製造装置
US20150333213A1 (en) * 2014-05-19 2015-11-19 Applied Materials, Inc. Diamond-like carbon coatings for substrate carriers
CN103972015A (zh) * 2014-05-24 2014-08-06 常州比太科技有限公司 链式条件下的双频等离子发生器
US10030303B2 (en) * 2014-12-19 2018-07-24 Sunpower Corporation Sputter tool
JP6313250B2 (ja) * 2015-03-11 2018-04-18 東芝メモリ株式会社 半導体製造装置
CN109154083B (zh) * 2016-03-03 2021-02-05 核心技术株式会社 薄膜形成装置用基板托盘
KR102417917B1 (ko) 2016-04-26 2022-07-07 삼성전자주식회사 공정 시스템 및 그 동작 방법
JP6884993B2 (ja) * 2016-05-30 2021-06-09 コニカミノルタ株式会社 光反射鏡の製造方法及び蒸着装置
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
US10068787B2 (en) 2016-12-30 2018-09-04 Sunpower Corporation Bowing semiconductor wafers
US10020213B1 (en) 2016-12-30 2018-07-10 Sunpower Corporation Semiconductor wafer carriers
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
JP6714562B2 (ja) * 2017-09-20 2020-06-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
CN109468593A (zh) 2018-12-04 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制备方法、显示面板及蒸镀装置
JP7448938B2 (ja) 2020-02-19 2024-03-13 株式会社昭和真空 プラズマ処理装置、バイアス印加機構、および基板パレット

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3977955A (en) * 1974-05-10 1976-08-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for cathodic sputtering including suppressing temperature rise
US4512841A (en) * 1984-04-02 1985-04-23 International Business Machines Corporation RF Coupling techniques
JPH01240647A (ja) * 1988-03-18 1989-09-26 Hitachi Ltd スパッタ装置
US5092978A (en) * 1989-12-28 1992-03-03 Clarion Co., Ltd. Apparatus for fabricating piezoelectric films

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3272083D1 (en) * 1982-03-31 1986-08-28 Ibm Deutschland Reactor for reactive ion etching, and etching process
US4793975A (en) * 1985-05-20 1988-12-27 Tegal Corporation Plasma Reactor with removable insert
JPS6473076A (en) 1987-09-16 1989-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Inline type ion sputtering device
JP2577450B2 (ja) * 1988-08-12 1997-01-29 株式会社東芝 アナログ−ディジタル変換回路
JPH0448073A (ja) * 1990-06-14 1992-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置
US5106474A (en) * 1990-11-21 1992-04-21 Viratec Thin Films, Inc. Anode structures for magnetron sputtering apparatus
JP3416910B2 (ja) * 1991-04-04 2003-06-16 シーゲイト テクノロジィ リミテッド ライアビリティ カンパニー スループットの高いスパッタリング装置及び方法
DE4127317C2 (de) * 1991-08-17 1999-09-02 Leybold Ag Einrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19513691A1 (de) * 1995-04-11 1996-10-17 Leybold Ag Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
JPH09111448A (ja) 1995-10-16 1997-04-28 Ulvac Japan Ltd スパッタ装置
JPH1021586A (ja) * 1996-07-02 1998-01-23 Sony Corp Ｄｃスパッタリング装置
JP2957513B2 (ja) * 1997-04-07 1999-10-04 鹿児島日本電気株式会社 インライン式成膜装置
US5891311A (en) * 1997-06-25 1999-04-06 Intevac, Inc. Sputter coating system and method using substrate electrode
KR100501044B1 (ko) 2003-07-08 2005-07-18 한국전기연구원 대면적 산화마그네슘 박막 증착장치 및 방법
US7455787B2 (en) 2003-08-01 2008-11-25 Sunpower Corporation Etching of solar cell materials
CN1800441B (zh) * 2005-01-05 2010-09-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 等离子体增强薄膜沉积方法及装置
US8557093B2 (en) * 2007-03-22 2013-10-15 Sunpower Corporation Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies
IT1399480B1 (it) 2010-03-15 2013-04-19 Stral S R L Apparecchiatura per la deposizione di materiale semiconduttore su vetro
EP2423957A1 (en) 2010-08-27 2012-02-29 Applied Materials, Inc. Pallet for accommodating thermal gradients arising during processing

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3977955A (en) * 1974-05-10 1976-08-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for cathodic sputtering including suppressing temperature rise
US4512841A (en) * 1984-04-02 1985-04-23 International Business Machines Corporation RF Coupling techniques
JPH01240647A (ja) * 1988-03-18 1989-09-26 Hitachi Ltd スパッタ装置
US5092978A (en) * 1989-12-28 1992-03-03 Clarion Co., Ltd. Apparatus for fabricating piezoelectric films

Also Published As

Publication number Publication date
KR101794345B1 (ko) 2017-11-06
JP2010522274A (ja) 2010-07-01
CN101641765A (zh) 2010-02-03
KR20090127355A (ko) 2009-12-10
EP2130215A1 (en) 2009-12-09
JP5322310B2 (ja) 2013-10-23
JP5763716B2 (ja) 2015-08-12
JP2017125258A (ja) 2017-07-20
EP2130215B1 (en) 2018-01-31
WO2008115325A1 (en) 2008-09-25
JP6224812B2 (ja) 2017-11-01
JP2014012894A (ja) 2014-01-23
JP6072856B2 (ja) 2017-02-01
EP2130215A4 (en) 2015-05-27
US8557093B2 (en) 2013-10-15
JP2015214751A (ja) 2015-12-03
KR101714424B1 (ko) 2017-03-09
CN101641765B (zh) 2011-09-28
US9556512B2 (en) 2017-01-31
US20140014499A1 (en) 2014-01-16
US20080230372A1 (en) 2008-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101714424B1 (ko) 전기적으로 분리된 팔레트 및 애노드 어셈블리들을 구비하는 성막 시스템
KR100659828B1 (ko) 이온화 물리적 증착 방법 및 장치
JP3775689B2 (ja) 材料をイオン化スパッタリングする方法と装置
US6416634B1 (en) Method and apparatus for reducing target arcing during sputter deposition
US20070012558A1 (en) Magnetron sputtering system for large-area substrates
WO2015134108A1 (en) Ion beam sputter deposition assembly, sputtering system, and sputter method of physical vapor deposition
KR100284248B1 (ko) 스퍼터링장치
JP4865570B2 (ja) スパッタ源、スパッタ装置、薄膜の製造方法
KR102156989B1 (ko) 진공 아크 성막 장치 및 성막 방법
JP2013147711A (ja) 気相成長装置
KR100944868B1 (ko) 마그네트론 스퍼터링 장치
US20240021422A1 (en) Device for reducing misalignment between sputtering target and shield
US20240194464A1 (en) Stable ground anode for thin film processing
JP2003073801A (ja) スパッタ装置およびその方法
JP6328089B2 (ja) プラズマスパッタ装置
KR100857993B1 (ko) 스퍼터링 장치의 셔터
TW201835364A (zh) 濺鍍裝置及電極膜之製造方法
US20080236499A1 (en) Vent groove modified sputter target assembly and apparatus containing same
KR19980064155A (ko) 물리 기상 증착중 타겟 표면으로부터 이온화된 재료를선택적으로 유인 또는 반발하기 위한 방법 및 장치
WO2016032444A1 (en) Vacuum deposition apparatus and method of operating thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200225

Year of fee payment: 4