JP6224812B2 - 通過堆積システム - Google Patents
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Description
ードを含む通過堆積システムに関する。
堆積システムが現在実践されている。1つの種類の従来の堆積システムはマグネトロンス
パッタリングを行う。一般に、スパッタリングとは、固体のターゲット材であるターゲッ
ト又はカソードから原子を排出させて基板上に薄膜を堆積する処理のことである。マグネ
トロンが、強力な電場及び磁場を発生させて電子を捕捉することによりこの動作を高め、
アルゴンなどの気体中性種からのイオンの形成を向上させる。イオンがターゲットに衝突
し、ターゲット材を排出して基板上に堆積させる。動作中、電流は、堆積システム内でス
パッタリングカソードからアノードアセンブリへ流れることができる。
位置にある)アノードを有するカソードを使用するものもあれば、カソードに対して移動
するアノードを実装するものもある。なお、アノードとして機能する、堆積システムの複
数の構成要素が存在する場合もあれば、相対面積及びカソードへの近接度に基づく主アノ
ードが存在する場合もある。従って、本明細書でのアノードへの言及は、別途指示しない
限り、一般にこの種の主アノードについて触れるものである。移動する主アノードの例と
して、堆積システムによっては移動パレットを使用して基板を保持するものもあり、動作
中、このパレットも主アノードとして機能する。このように、アノードとして機能するウ
ェハパレットが堆積チャンバに出入りするときにカソードは堆積チャンバ内で静止してい
るので、主アノードがカソードに対して移動する。アノードがカソードに対して移動する
この種のシステムでは、いくつかの問題が生じることがある。
じる。この問題は、堆積チャンバ内に一貫したアノードを提供できないことに由来し、こ
れにより基板の損傷及びカソード動作の不安定が生じる。ウェハパレットと基板とが主ア
ノードを形成し、通常は基板の縁を通過する電気が、ウェハパレットと基板との間で断続
的に接触するようになるという矛盾が明白である。このシナリオでは、パレットは通常接
地され、断続的な電流が基板からパレットへ電気アークの形で流れた結果、熱を生じる可
能性がある。この放電が基板に損傷を与え、基板上のデバイスに損傷を与え、堆積層を溶
かし、或いは基板上の複数の堆積層から金属合金を生成する可能性がある。このため、最
初の材料が、変化した材料と同じように機能しなくなる。一例として、変化した材料を化
学的に処理できない(すなわちエッチング除去できない)ことにより、その後のパターニ
ング技術が機能しなくなる。このパターニング技術の不全が、デバイス内の電気的短絡に
より例証されるようなデバイスの故障を生じるようになる。
ステム、構成要素、方法などの例のような数多くの特定の詳細について記載する。しかし
ながら、当業者にとっては、これらの特定の詳細を伴わずに本発明の少なくともいくつか
の実施形態を実施できることが明白であろう。その他の例では、本発明を不必要に曖昧に
しないために、周知の構成要素又は方法については詳細に説明せず、或いは単純なブロッ
クダイアグラム形式で提示している。従って、記載する特定の詳細は例示的なものにすぎ
ない。特定の実施構成は、これらの例示的な詳細とは異なる可能性があり、これらも本発
明の思想及び範囲内にあることが企図される。
ードを含む。ウェハパレットは下部及び上部を有する。ウェハパレットの上部は、基板ウ
ェハを保持するように構成される。アノードは、ウェハパレットに対して実質的に固定し
た位置を有し、基板ウェハから電気的に絶縁される。1つの実施形態では、アノードが、
ウェハパレットを保持する輸送キャリアと一体化され、或いは別様に接続されることによ
り、アノード、輸送キャリア、及びウェハパレットがすべて堆積システムを通じて共に移
動するようになる。いくつかの実施形態では、輸送キャリアが、堆積チャンバを通過する
実質的に直線状の輸送経路に沿ってウェハパレットを搬送する。また、いくつかの実施形
態では、システムが通過(pass-through)堆積システムであり、このシステムではウェハ
パレットが一回又はそれ以上堆積チャンバを通過する。ウェハパレットが堆積チャンバを
通過する毎に、ウェハパレットは堆積ソースを1回通過する。対照的に、プラネタリ堆積
システムは、堆積チャンバ内の基板ウェハを連続的に回転させることにより、基板ウェハ
が堆積チャンバ内の堆積ソースを繰り返し通過するようになる。
術の不都合に対処する。いくつかの実施形態はアーク放電の問題に対処する。いくつかの
実施形態は、堆積層間における金属合金の形成をなくす。いくつかの実施形態は、移動又
は固定パレットシステム内の平面マグネトロンと共に使用することができる。いくつかの
実施形態は、基板ウェハの電位バイアスを可能とする。いくつかの実施形態は、アノード
をカソードの前に恒久的に取り付けずに、アノード表面の容易なメンテナンスを可能にす
る(この場合、アノードにはかなりの堆積物が蓄積すると思われる)。しかしながら、本
明細書で説明する実施形態は、これらの特定の問題への対処に限定されるものではないこ
とに留意されたい。
ム10は通過堆積システムであってもよい。図示の堆積システム10は堆積チャンバ10
0を含む。堆積チャンバ100内部のカソード102は、(「+」で示す)スパッタガス
イオンを介して1又はそれ以上の基板ウェハ106上に堆積されるターゲットなどの(「
M」で示す)堆積材料を含む。1つの実施形態では、カソード102の周囲に強力な電磁
場を発生させて、スパッタガスイオンを生む衝突を起こすために使用するマグネトロンス
パッタソース(図示せず)にカソード102が結合される。スパッタガスイオンはカソー
ドに衝突し、ターゲット材を排出させて基板ウェハ106の表面に堆積させる。堆積チャ
ンバ100内の真空に起因して、堆積材料もまた、堆積チャンバ100全体にわたる他の
表面上に堆積される。ターゲットのための例示的な堆積材料として、アルミニウム(Al
)、チタンタングステン(TiW)、及び銅(Cu)が挙げられるが、その他の堆積材料
を使用することもできる。通常、スパッタガスイオン104はアルゴンイオン、又は別の
不活性ガスから生じるイオンである。この一方、堆積システム10のいくつかの実施形態
は、酸化物及び窒化物のためのO2及びN2処理などの反応作用を実行することができる
。基板ウェハ106は、上部に堆積材料を堆積することができるいずれの材料であっても
よい。
ンスパッタソースを使用する実施形態は、対応する固定アノード(すなわちカソードに対
して固定された)及びアノードとして機能できる堆積システム10の1又はそれ以上の他
の構成要素を含んでもよいし、或いは含まなくてもよい。換言すれば、カソード102に
対して固定された位置にある主アノードを含まない実施構成では、堆積システム10のそ
の他の構成要素により1又はそれ以上のアノードが形成される。
100を通過して輸送される。堆積チャンバ100は、ウェハパレット108が基板入口
110を通じて堆積チャンバ100に入り、基板出口112を通じて堆積チャンバ100
から出ることを可能とするように構成される。例えば、ウェハパレット108は、堆積チ
ャンバ100を通じてウェハパレット108を自動的に輸送する軌道(図示せず)に沿っ
て移動することができる。或いは、基板ウェハ106を堆積チャンバ100に手動で挿入
し、及びそこから取り出すことができる。また、堆積チャンバ100は、(アルゴンなど
の)スパッタガスを堆積チャンバ100に出入りできるようにするガス入口114及びガ
ス出口116を有する。堆積システム10のその他の実施形態は、当業で公知の追加の構
成要素又は特徴を含むことができる。
態の断面図である。しかしながら、以下で説明するように、図示の堆積システム120の
実施形態は、上述の問題に対処するには不十分である可能性がある。図示の堆積システム
120は、ウェハパレット108上の1又はそれ以上の基板ウェハ106に対して位置す
るカソード102を含む。堆積システム120はまた、堆積チャンバ100を通じてウェ
ハパレット108及び基板ウェハ106を輸送するための輸送キャリア122も含む。輸
送キャリア122はキャリアフレーム126上に置かれ、このフレームはさらに、例えば
ローラ128及び回転軸130を含むローラ軌道上に載っている。或いは、他の種類のロ
ーラ、ベルト、直線レール、又はその他の軌道を使用することもできる。便宜上、ローラ
128又はローラ軌道への言及は例示的な表現として使用しているに過ぎず、他の種類の
輸送機構を使用する堆積システム120の実施形態を除外するものではない。
132に電気的に接続される。ウェハパレット108は、1又はそれ以上の絶縁体124
により輸送キャリア122から絶縁され、従って、これらの絶縁体124は、ウェハパレ
ット108及び基板ウェハ106を接地基準132から絶縁する。一例として、絶縁体1
24はセラミック絶縁体であってもよいが、他の種類の絶縁材料を実装することもできる
。
ら電気的に絶縁することにより、基板ウェハ106の縁に沿った金属合金の形成が抑制さ
れる。ウェハパレット108と基板ウェハ106とが同じ電位に保持されるので、ウェハ
パレット108と基板ウェハ106の縁との間に電流の流出は存在しない。従って、ウェ
ハパレット108と基板ウェハ106との間に流れる電流が存在しないため、基板ウェハ
上106上に堆積した別個の層からのアーク放電、加熱、及び金属合金の形成が存在しな
い。
ある。図2に示す実施形態は、ウェハパレット108が電気的に絶縁(すなわちフローテ
ィング)され、もはや接地基準132に接続されていないため、「フローティングパレッ
ト」の実施構成と呼ばれる。フローティングパレットの実施構成は、堆積の均一性の問題
を生じる恐れがある。すなわち、カソード102の動作が不安定になる可能性があり、堆
積材料が基板ウェハ106上に不均一に堆積する可能性がある。より詳細には、接地した
輸送キャリア122が、フローティング(すなわち接地していない)ウェハパレット10
8から電気的に絶縁されているので、ウェハパレット108はもはやカソード102への
主アノードとしては機能できず、電気回路が不十分となる。従って、接地した輸送キャリ
ア122が電気的に遮蔽されることに起因して、図示の堆積システム120は、動作中に
カソードの不安定性を示す可能性がある。このカソードの不安定性が堆積システム120
に問題を与える。
平面図である。図4は、図3に示す線に沿って切り取った、図3のウェハパレット140
の断面図である。図示のウェハパレット140は複数のウェハポケット142を含む。個
々のウェハポケット142は、ウェハパレット140の上面内の凹部又は空洞部である。
この一方、他の実施形態では、ウェハポケット142を設けずにウェハパレット140を
構成することができ、この場合、ウェハパレット140は、平面と、基板ウェハ106を
所定の配置に保持するための数多くのピン又はクリップとを含むことができる。
ケット142に挿入できるような大きさにされる。ウェハポケット142はまた、基板ウ
ェハ106がウェハパレット140との直接接触を維持できるようにも設計される。1つ
の実施形態では、ウェハポケット142の寸法を基板ウェハ106の寸法よりも僅かに大
きくすることにより、基板ウェハ106の上部がウェハパレット140の上部よりも僅か
に低くなるようにする。或いは、ウェハポケット142の深さを基板ウェハ106の深さ
と同じにするか、或いは僅かに低くして、基板ウェハ106の上部がウェハパレット14
0の上部の位置又はそれよりも上に存在できるようにすることができる。別の実施形態で
は、ウェハパレット108が、基板ウェハ106を保持するための別の機構を含むことが
できる。例えば、ウェハポケット142と共に、或いはこれとは無関係に垂直ピンを使用
することができる。
。個々のアノードチャネル146は、ウェハパレット140の上面内の凹部又は空洞部で
ある。また一方、ウェハパレット140の他の実施形態は、後述するようにアノードチャ
ネル146を取り除くことができる。図示の実施形態では、アノードチャネル146はウ
ェハポケット142と重なり合わない。1つの実施形態では、アノードチャネル146は
、ウェハパレット140の長さ(又は幅)を横切って互いに平行に延びる。アノードチャ
ネル146の各々はまた、少なくとも1つのアノード開口部144も含む。1つの実施形
態では、アノード開口部144は、ウェハパレット140を(例えば上面から底面に)貫
く穴、又は空隙である。(円形及び長方形などの)特定の形状でアノード開口部144及
びアノードチャネル146を示しているが、他の実施構成では、アノード開口部144及
びアノードチャネル146に他の形状を使用することができる。図5及び図6を参照しな
がら、アノード開口部144及びアノードチャネル146の目的についてさらに詳細に説
明する。
パレット140の平面図である。詳細には、図5は、基板ウェハ106をウェハポケット
142内に配置し、ウェハポケット142の寸法の方が基板ウェハ106の寸法よりも僅
かに大きい実施形態を示している。同様に、アノードチャネル146の寸法をアノードバ
ー154の寸法よりも大きくすることにより、アノードバー154がウェハパレット14
0から電気的に絶縁され続けるようにする。アノードバー154は、スパッタリングカソ
ード102に対するアノードとして機能する。平面図及び断面図の双方において、アノー
ドバー154を長方形で示しているが、いくつかの実施形態は、平面図又は断面図のいず
れにおいても、三角形、円形、又は非標準形などの長方形でないアノードバー154を利
用することができる。アノードバー152及びアノードチャネル146は、基板ウェハ1
06上に不均一な堆積をもたらす可能性のある基板ウェハ106の堆積シャドーイングを
生じることなく基板ウェハ106を収容する大きさ及び形状にされる。
で示す)1又はそれ以上のアノードポスト152により輸送キャリア122に結合される
。これらのアノードポスト152及びアノードバー154は、同じ導電体から成るもので
あってもよいし、或いは異なる導電体から成るものであってもよい。一例として、アノー
ドポスト152及びアノードバー154を鋼鉄を使用して作製することができるが、その
他の導電体を使用することもできる。アノードポスト152とアノードバー154とを輸
送キャリア122に、従って接地基準132に電気的に結合することにより、アノードバ
ー154がカソード102のアノードとして機能する。基板ウェハ106の行(又は列)
間のアノードバー154の位置により、様々な基板ウェハ106上に堆積材料が実質的に
均一に堆積されやすくすることができる。
ある。詳細には、図示の堆積システム150は、ウェハパレット140と、カソード10
2と、輸送キャリア122とを含む。この断面は、アノードポスト152に物理的及び電
気的に結合されたアノードバー154を示しており、このアノードポスト152はさらに
輸送キャリア122に物理的及び電気的に結合される。1つの実施形態では、アノードバ
ー154が、ウェハパレット140の上面よりも僅かに上に延びるように取り付けられる
。この構成は、アノードの性能に影響を及ぼす可能性がある。或いは、アノードバー15
4の上部がウェハパレット140の上面と同じ位置か、或いはこれよりも低くなるように
アノードバー154を取り付けることもできる。
ができる。また、アノードポスト152をアノードバー154に一時的に又は恒久的に結
合することができる。アノードポスト152をアノードバー154に結合するためのいく
つかの例示的な留め具として、ネジ、(導電性接着剤などの)接着剤、係止機構、又はそ
の他の種類の留め具が挙げられる。同様に、類似の留め具を使用して、アノードポスト1
52を輸送キャリア122に堅く固定するとともに一時的に又は恒久的に結合することが
できる。一時的な留め具を使用してアノードポスト152をアノードバー154及び輸送
キャリア122に結合することにより、アノードポスト152をアノードバー154及び
輸送キャリア122から分解しやすくなり、この結果、例えば、アノードバー154及び
アノードポスト152を時々清掃できるようになる。
縁させるために、ウェハパレット140と輸送キャリア122との間に電気絶縁体124
を使用することができる。同様に、堆積システム150は、アノードチャネル146内に
絶縁体124を含むことができる。アノードチャネル146内の絶縁体124は、ウェハ
パレット140とアノードポスト152との間、及び/又はウェハパレット140とアノ
ードバー154との間の電気的絶縁の維持に役立つことができる。
又はウェハパレット140に実質的に覆われるように絶縁体124の大きさを決めること
ができる。このようにして、絶縁体124に比較的少量の堆積材料しか堆積されないよう
に、アノードバー154又はウェハパレット140が絶縁体124をある程度保護するこ
とができる。長い目で見て、絶縁体124を清掃して絶縁体124上に堆積されたあらゆ
る堆積材料を除去することにより、堆積材料がアノードバー154とウェハパレット14
0との間に短絡を生まないようにするためにこのことが役立つ可能性がある。
平面図である。図8は、図7に示す線に沿って切り取った、図7のウェハパレット160
の断面図である。図示のウェハパレット160は、図7のウェハパレット160がアノー
ドチャネル146を含まないことを除き、図4のウェハパレット140に実質的に類似す
る。代わりに、ウェハパレット160の上部からウェハパレット160の下部へアノード
開口部144が延びる。
ハパレット160の平面図である。図10は、図7のウェハパレット160を含む堆積シ
ステム170の実施形態の断面図である。図9及び図10に示すように、ウェハパレット
160の上部からウェハパレット160の下部へアノード開口部144が延びる。アノー
ドポスト152もまた、ウェハパレット160の厚みを貫いて延びる。1つの実施形態で
は、アノードポスト152が、ウェハパレット160の上部を越えて延びる。或いは、ア
ノードポスト152の上部は、ウェハパレット160の上面と同じ高さにあってもよく、
或いはこれより低くてもよい。別の実施形態では、アノードポスト152の上部、ウェハ
パレット160の上面よりも上にアノードバー154を取り付けることができる。別の実
施形態では、ワイア162又はその他の導電性物体をポスト152に取り付けることがで
きる。ワイア162は、アノードバー154と同様の機能を提供するが、ワイア162の
寸法により、基板ウェハ106に堆積する堆積材料に対する障害を減らすことができる。
アノードポスト152のいくつかの上にしかワイア162を示していないが、他の実施形
態は、全てのアノードポスト152の上に、アノードポスト152の交互になった列の上
に、或いは別の構成の形でワイアを含むことができる。上述したように、アノードポスト
152を輸送キャリア122に固定することができる。
縁体124も示している。上述のように、絶縁体124がウェハパレット160を輸送キ
ャリア122から電気的に絶縁することにより、輸送キャリア122及びアノードポスト
152、並びにいずれかのアノードバー154又はワイア162の電位とは別に、ウェハ
パレット160の電位を保持又は制御できるようになる。1つの実施形態では、任意の堆
積材料が(アノード開口部142、及びウェハパレット160と輸送キャリア122との
間などを通過して)絶縁体124に到達するための比較的長い経路を設けるように絶縁体
124の位置を設計することができる。
も示している。詳細には、アノードポスト152のいくつかをウェハパレット160より
も十分な距離だけ上に延ばして、ワイア162がアノードポスト152の上端の下をくぐ
れるようにする。別の実施形態では、上述したようにワイア162が、例えばアノードチ
ャネル146内のウェハパレット160の上面よりも低いレベルでアノードポスト152
の下をくぐることができる。
である。図12は、図11に示す線に沿って切り取った、図11のウェハパレット180
の断面図である。図11のウェハパレット180がウェハ開口部182を含むことを除き
、図示のウェハパレット180は図4のウェハパレット140と実質的に類似する。ウェ
ハ開口部182の各々は、対応するウェハポケット142と位置合わせした穴、又は空隙
である。1つの実施形態では、ウェハ開口部182の寸法をウェハポケット142の寸法
よりも小さくすることにより、対応する基板ウェハ106を支持するための境界面がウェ
ハポケット142内に存在するようにされる。また、ウェハ開口部182は、ウェハパレ
ット180を貫いて装着機構を延ばし、基板ウェハ106をウェハポケット142内へ降
ろせるようにすることにより、基板ウェハ106をウェハポケット142内へ装着しやす
くすることができる。換言すれば、装着機構は、ウェハ開口部182を通ってウェハパレ
ット180の表面よりも上の或る地点まで延びることができ、ユーザ又は別の装着機構が
基板ウェハ106を装着機構の上に置くことができ、そして、装着機構をウェハ開口部1
82から引っ込めると、装着機構が基板ウェハ106をウェハポケット142内に降ろす
ようになる。また、ウェハ開口部182は、堆積チャンバ100内のガスを排出をしやす
くすることができる。
図である。詳細には、図示の堆積システム190は、ウェハパレット180と、カソード
102と、輸送キャリア122とを含む。この断面は、アノードポスト152に結合され
たアノードバー154を示しており、このアノードポスト152はさらに輸送キャリア1
22に結合される。1つの実施形態では、アノードバー154が、ウェハパレット180
の上面よりも僅かに上に延びるように取り付けられる。この構成はアノード性能に影響を
及ぼす可能性がある。或いは、アノードバー154の上部をウェハパレット180の上面
と同じ位置にするか、或いはこれよりも低くなるようにアノードバー154を取り付ける
こともできる。
テム190の断面図である。詳細には、輸送キャリア122は、ウェハパレット180内
のウェハ開口部182と位置合わせしたキャリア開口部192を含む。1つの実施形態で
は、キャリア開口部192はウェハ開口部182と同じ寸法を有する。或いは、キャリア
開口部192はウェハ開口部182より大きくてもよいし、或いは小さくてもよい。
図である。図16は、図15に示す線に沿って切り取った、図15の輸送キャリア210
の断面図である。図示の輸送キャリア210は、輸送キャリア210の長さ(又は幅)に
沿って互いに実質的に平行に位置する1又はそれ以上のパレットチャネル214を含む。
個々のパレットチャネル214は、個々のウェハパレット212が対応するパレットチャ
ネル214内に位置できる大きさにされる。このようにして、「パレット」が1以上のピ
ース(すなわち個々のウェハパレット212)を有することができるようになる。1つの
実施形態では、パレットチャネル214の寸法はウェハパレット212の寸法よりも僅か
に大きい。この一方、いくつかの実施形態は、ウェハパレット212を輸送キャリア21
0の上面と同じ高さ、又はこれよりも上に存在できるようにする深さのパレットチャネル
214を含むことができる。上記の実施形態のいくつかと同様に、輸送キャリア210と
個々のウェハパレット212との間に絶縁体124を配置することができる。
、アノード216は、輸送キャリア210により形成されるとともにその一部でもある。
堆積プロセス中、輸送キャリア210のアノード216が露出されているため、堆積材料
の一部が輸送キャリア210に堆積する可能性がある。
である。図示の堆積システム220は、カソード102と、輸送キャリア220と、キャ
リアトレイ222とを含む。1つの実施形態では、キャリアトレイ222は、基板ウェハ
106を堆積システム220を通じて動きやすくするための追加構成要素である。キャリ
アトレイ222を使用することにより、輸送キャリア210を取り外して清掃する場合、
堆積システム220を継続して使用しやすくすることができる。例えば、キャリアトレイ
222を様々な輸送キャリア210と継続して併用することができる。
態の断面図である。詳細には、図18は、図17においてウェハパレット212が輸送キ
ャリア210にどのように結合されているかを拡大した実施形態を示している。本明細書
では特定の結合の実施構成を図示し説明しているが、他の実施形態では、ウェハパレット
212を輸送キャリア210に別様に結合するとともにこの輸送キャリア210から電気
的に絶縁することができる。
ャリア210に結合される。1つの例示的な種類の留め具として非導電性ネジ232が挙
げられるが、その他の種類の留め具を使用することもできる。また、ウェハパレット21
2と輸送キャリア210との間のスペーサとして絶縁体124を使用することもできる。
絶縁体124は、非導電性ネジ232を堆積材料の蓄積から保護することもできる。
る別の方法は、輸送キャリア210上にキャリア突出部234を実現すること、又はウェ
ハパレット212上にパレットフランジ236を実現すること、或いはこれらの両方であ
る。1つの実施形態では、キャリア突出部234が、輸送キャリア210からウェハパレ
ット212へ向けて外向きに延びる。同様に、パレットフランジ236が、ウェハパレッ
ト212から離れ、輸送キャリア210へ向けて延びる。1つの実施形態では、ウェハパ
レット212の縁から非導電性ネジ232及び絶縁体124への相対的な経路長を増大さ
せるために、パレットフランジ236をキャリア突出部234から僅かにずらす。
護機能を含む。堆積材料が絶縁体124に蓄積するのを防止又は低減するために使用する
例示的な構造として、バッフル及びポケットが挙げられる。詳細には、バッフルは、例え
ば上部バッフルと下部バッフルとの間に(空隙などの)狭い隙間を定める。バッフル構造
は、(経路の直進性を制限又は最小化することにより)絶縁体124へのプラズマの経路
を増大又は最大化する。或いは、絶縁体124をポケット内に埋め込むこともできる。こ
れらの、或いは類似の構造を使用することにより、絶縁体124を電気的に橋絡する可能
性があるはずの堆積物の蓄積が低減される。
態240を示す図である。図示のウェハパレット242は、基板ウェハ106がウェハパ
レット242に接触する1又はそれ以上の側面に斜め縁244を含む。いくつかの実施形
態では、斜め縁244を実現することが、基板ウェハ106とウェハパレット106との
間に一貫した電位を維持するために基板ウェハ106とウェハパレット242との間の物
理的接触を保持する役に立つ。
250を示す図である。図示のウェハパレット252は、非対称の、又は段差のある取り
付け面254及び256を含む。基板ウェハ106を、非対称の取り付け面254及び2
56によって構築される角度を付けた位置に置くことにより、下側面にかかる基板ウェハ
106の重量が、基板ウェハ106とウェハパレット252との間の物理的接触を維持す
る役に立つことができる。上述のように、基板ウェハ106とウェハパレット252との
間の物理的接触を維持することにより、基板ウェハ106がウェハパレット252と同じ
電位に保たれ、この結果アーク放電、加熱、又は合金の形成が存在しなくなる。
260を実現して、接地基準132を(ローラ又は直性レールなどの)輸送アセンブリに
直接結合することなく輸送キャリア210を接地基準132に結合することができる。1
つの実施形態では、接地基準132が、輸送キャリア210の(一体化アノード216な
どの)上面に沿ってブラッシングを行う金属ワイアブラシなどの導電性ブラシ262に結
合される。例えば、導電性ブラシ262が、堆積チャンバ100に対して固定された位置
にあることにより、輸送キャリア210が堆積チャンバ100を通って移動すると、導電
性ブラシ262が輸送キャリア210との物理的接触を維持するようにすることができる
。別の実施形態では、アノードバー154が、固定ホイール又は滑り案内などの断続的な
電位源に電気的に接触する。
270が、導電性ブラシ262ではなく導電性ローラ272を使用することを除き、接地
システム270は図21の接地システム260と実質的に類似する。1つの実施形態では
、輸送キャリア210が堆積チャンバ100を通って移動すると、導電性ローラ272が
輸送キャリア210の(一体化アノード216などの)上面に沿って回転する。或いは、
他の種類の導電性デバイスを使用して、輸送キャリア210を接地基準132に結合する
こともできる。
動作の順序を変更することにより、或る動作を逆の順序で実行できるように、或いは或る
動作を少なくとも部分的に他の動作と同時に実行できるようにすることができる。別の実
施形態では、異なる動作の命令又は部分的動作が、断続的な及び/又は交互の態様であっ
てもよい。
ついて説明したものであるが、ウェハパレットへの電流を発生させる他の種類の堆積ソー
スには他の実施形態を適用することができ、またウェハパレットに他の実施形態を使用し
て堆積ソースの一部として動作させることもできる。例えば、リモートソース、イオンソ
ース、イオン支援蒸着(IAD)、プラズマ化学蒸着(PECVD)、並びに他の種類の
ソース及び堆積プロセスにより様々な実施形態を実現することができる。
しかしながら、添付の特許請求の範囲に記載した本発明のより広い思想及び範囲から逸脱
することなく、本発明に様々な修正及び変更を行い得ることは明白であろう。従って、本
明細書及び図面については、限定的な意味ではなく例示的な意味で受け止めるべきである
。
100 堆積チャンバ
102 カソード
106 基板ウェハ
108 ウェハパレット
110 基板入口
112 基板出口
114 ガス入口
116 ガス出口
Claims (9)
- 通過堆積システムであって、
基板ウェハを保持するための上部を有するウェハパレットと、
堆積プロセス中において堆積チャンバを通過する輸送キャリアであって、一体化アノードとして機能する露出した上面部と、2つの露出した前記上面部の間に設けられるパレットチャネルであって、前記ウェハパレットが設けられるパレットチャネルとを有する前記輸送キャリアと
を備え、
前記ウェハパレットは、前記輸送キャリアに結合され、かつ、前記輸送キャリアから電気的に絶縁されている
通過堆積システム。 - 前記ウェハパレットと前記輸送キャリアとの間に設けられる絶縁体をさらに備える
請求項1に記載の通過堆積システム。 - 前記ウェハパレットを前記輸送キャリアに結合する留め具をさらに備える
請求項2に記載の通過堆積システム。 - 前記ウェハパレットと前記輸送キャリアとの間に位置する前記留め具の表面は、前記絶縁体により被覆されている
請求項3に記載の通過堆積システム。 - 前記留め具は、非導電性の材料で形成されている
請求項3または4に記載の通過堆積システム。 - 前記ウェハパレットは、前記基板ウェハが前記ウェハパレットに直接接触することを可能にするウェハポケット有する
請求項1から5のいずれか一項に記載の通過堆積システム。 - 前記輸送キャリアは、前記輸送キャリアからから前記ウェハパレットに向けて延びるキャリア突出部を有する
請求項1から6のいずれか一項に通過堆積システム。 - 前記ウェハパレットは、前記ウェハパレットから前記輸送キャリアに向けて延びるパレットフランジであって、前記キャリア突出部と重ならないようにずらして設けられた前記パレットフランジを有する
請求項7に記載の通過堆積システム。 - 前記輸送キャリアが載置されるキャリアトレイをさらに備える
請求項1から8のいずれか一項に記載の通過堆積システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/726,894 US8557093B2 (en) | 2007-03-22 | 2007-03-22 | Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies |
US11/726,894 | 2007-03-22 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015118570A Division JP6072856B2 (ja) | 2007-03-22 | 2015-06-11 | 通過堆積システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017125258A JP2017125258A (ja) | 2017-07-20 |
JP6224812B2 true JP6224812B2 (ja) | 2017-11-01 |
Family
ID=39766214
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009554521A Active JP5322310B2 (ja) | 2007-03-22 | 2008-02-12 | システム及び装置 |
JP2013146889A Active JP5763716B2 (ja) | 2007-03-22 | 2013-07-12 | 堆積された材料の製造方法 |
JP2015118570A Active JP6072856B2 (ja) | 2007-03-22 | 2015-06-11 | 通過堆積システム |
JP2016257104A Active JP6224812B2 (ja) | 2007-03-22 | 2016-12-28 | 通過堆積システム |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009554521A Active JP5322310B2 (ja) | 2007-03-22 | 2008-02-12 | システム及び装置 |
JP2013146889A Active JP5763716B2 (ja) | 2007-03-22 | 2013-07-12 | 堆積された材料の製造方法 |
JP2015118570A Active JP6072856B2 (ja) | 2007-03-22 | 2015-06-11 | 通過堆積システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8557093B2 (ja) |
EP (1) | EP2130215B1 (ja) |
JP (4) | JP5322310B2 (ja) |
KR (2) | KR101794345B1 (ja) |
CN (1) | CN101641765B (ja) |
WO (1) | WO2008115325A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
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-
2007
- 2007-03-22 US US11/726,894 patent/US8557093B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-12 JP JP2009554521A patent/JP5322310B2/ja active Active
- 2008-02-12 WO PCT/US2008/001872 patent/WO2008115325A1/en active Application Filing
- 2008-02-12 EP EP08725497.5A patent/EP2130215B1/en active Active
- 2008-02-12 KR KR1020097022036A patent/KR101794345B1/ko active IP Right Grant
- 2008-02-12 KR KR1020157023618A patent/KR101714424B1/ko active IP Right Grant
- 2008-02-12 CN CN2008800093013A patent/CN101641765B/zh active Active
-
2013
- 2013-07-12 JP JP2013146889A patent/JP5763716B2/ja active Active
- 2013-09-10 US US14/023,211 patent/US9556512B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-11 JP JP2015118570A patent/JP6072856B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-28 JP JP2016257104A patent/JP6224812B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008115325A1 (en) | 2008-09-25 |
US20140014499A1 (en) | 2014-01-16 |
KR101714424B1 (ko) | 2017-03-09 |
KR20150105485A (ko) | 2015-09-16 |
JP2010522274A (ja) | 2010-07-01 |
JP5322310B2 (ja) | 2013-10-23 |
EP2130215A4 (en) | 2015-05-27 |
EP2130215B1 (en) | 2018-01-31 |
JP2015214751A (ja) | 2015-12-03 |
JP2017125258A (ja) | 2017-07-20 |
JP5763716B2 (ja) | 2015-08-12 |
CN101641765A (zh) | 2010-02-03 |
KR101794345B1 (ko) | 2017-11-06 |
US8557093B2 (en) | 2013-10-15 |
CN101641765B (zh) | 2011-09-28 |
KR20090127355A (ko) | 2009-12-10 |
JP6072856B2 (ja) | 2017-02-01 |
EP2130215A1 (en) | 2009-12-09 |
US20080230372A1 (en) | 2008-09-25 |
JP2014012894A (ja) | 2014-01-23 |
US9556512B2 (en) | 2017-01-31 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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