CN116641024A - 物理气相沉积镀膜设备及镀膜方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种物理气相沉积镀膜设备及镀膜方法，所述镀膜设备包括：承载平台，用于承载待镀膜元件，且所述待镀膜元件在所述承载平台上的第一正投影位于所述承载平台内；防护罩，位于所述承载平台承载所述待镀膜元件一侧，所述防护罩在所述承载平台上的第二正投影覆盖从所述第一正投影中露出的所述承载平台；其中，所述承载平台和所述防护罩具有导电性能，在所述待镀膜元件镀膜过程中，所述防护罩与所述承载平台绝缘设置；第一接地电路，用于在所述待镀膜元件镀膜结束并从所述承载平台移除后，与所述防护罩电连接。通过上述方式，本申请能够降低放电纹路出现的概率。

Description

物理气相沉积镀膜设备及镀膜方法

技术领域

本申请属于物理气相沉积镀膜技术领域，具体涉及一种物理气相沉积镀膜设备及镀膜方法。

背景技术

在使用大尺寸玻璃基板制造Micro-LED屏体时，通常需要使用物理气相沉积镀膜设备(PVD)完成导电用的金属膜层的制备。当玻璃基片在经过PVD站点镀膜时，例如，当镀膜金属为MO、Al、Ag、Cu等膜层时，玻璃基片的边缘部分容易产生放电纹路，进而影响屏体外观。

发明内容

本申请提供一种物理气相沉积镀膜设备及镀膜方法，能够降低放电纹路出现的概率。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种物理气相沉积镀膜设备，包括：承载平台，用于承载待镀膜元件，且所述待镀膜元件在所述承载平台上的第一正投影位于所述承载平台内；防护罩，位于所述承载平台承载所述待镀膜元件一侧，所述防护罩在所述承载平台上的第二正投影覆盖从所述第一正投影中露出的所述承载平台；其中，所述承载平台和所述防护罩具有导电性能，在所述待镀膜元件镀膜过程中，所述防护罩与所述承载平台绝缘设置；第一接地电路，用于在所述待镀膜元件镀膜结束并从所述承载平台移除后，与所述防护罩电连接。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供物理气相沉积镀膜方法，所述镀膜方法包括：使待镀膜元件位于承载平台上，并使防护罩与承载平台绝缘设置；其中，所述防护罩与所述待镀膜元件设置于所述承载平台的同一侧，所述承载平台和所述防护罩具有导电性能，所述待镀膜元件在所述承载平台上的第一正投影位于所述承载平台内，所述防护罩在所述承载平台上的第二正投影覆盖从所述第一正投影中露出的所述承载平台；对所述待镀膜元件进行镀膜；响应于待镀膜元件镀膜结束，将所述待镀膜元件远离所述承载平台后，使第一接地电路与所述防护罩电连接。

区别于现有技术情况，本申请的有益效果是：本申请所提供的物理气相沉积镀膜设备中承载平台和防护罩具有导电性能，在待镀膜元件镀膜过程中，防护罩与承载平台绝缘设置，防护罩与承载平台之间无接触。镀膜过程中在待镀膜元件表面以及防护罩表面沉积的膜层中累积的电子没有电流释放路径，以降低待镀膜元件在镀膜过程中表面产生放电纹路的概率，降低其外观异常的概率。而在待镀膜元件镀膜结束并从承载平台移除后，防护罩再与第一接地电路电连接，以将防护罩表面电子释放，此时防护罩与待镀膜元件之间是非接触的，防护罩表面的放电电流并不会流经待镀膜元件，以降低待镀膜元件在镀膜结束后表面产生放电纹路的概率，降低其外观异常的概率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1为现有物理气相沉积镀膜设备一实施方式的结构示意图；

图2为待镀膜元件表面一实施方式的结构示意图；

图3为本申请物理气相沉积镀膜设备一实施方式的结构示意图；

图4为待镀膜元件和绝缘件的第一表面一实施方式的结构示意图；

图5为图3中待镀膜元件镀膜结束后一实施方式的结构示意图；

图6a为图3中绝缘件和防护罩另一实施方式的俯视示意图；

图6b为图6a中沿B-B剖线一实施方式的剖面示意图；

图7为本申请物理气相沉积镀膜设备另一实施方式的结构示意图；

图8为图7中待镀膜元件镀膜结束后一实施方式的结构示意图；

图9为本申请物理气相沉积镀膜方法一实施方式的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

物理气相沉积(PVD)镀膜技术的原理是在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质沉积在待镀膜元件表面。如图1所示，图1为现有物理气相沉积镀膜设备一实施方式的结构示意图。卧式PVD镀膜设备中靶材10与直流电源的阴极(即负电位)电连接，承载平台12及防护罩14与地线(即0V电位)电连接。镀膜过程中Ar+离子在电场下加速射向靶材10，靶材材料被溅射出来，落在待镀膜元件16(例如，玻璃基板)表面以及防护罩14表面形成膜层。与此同时，plasma(等离子体)中的电子，经过不断的碰撞过程，最终逃离靶材10附近的磁场束缚，变成低能电子，飞向接地的防护罩14以及待镀膜元件16表面。当防护罩14经过一段时间的使用后，某个位置的上表面将覆盖一定量的靶材材料，且当防护罩14与待镀膜元件16之间的间隙内也累积有靶材材料时，待镀膜元件16表面上的膜层中累积的低能电子，将通过间隙处的靶材材料、防护罩14和承载平台12导向大地，进而在待镀膜元件16膜层表面形成放电电流，进而引起膜层的电流热烧伤，形成放电纹路18，具体如图2所示，图2为待镀膜元件表面一实施方式的结构示意图。

为了解决上述问题，请参阅图3，图3为本申请物理气相沉积镀膜设备一实施方式的结构示意图。该镀膜设备包括承载平台20、防护罩22和第一接地电路24。

具体地，承载平台20用于承载待镀膜元件26，且待镀膜元件26在承载平台20上的第一正投影位于承载平台20内。可选地，待镀膜元件26可以为玻璃基板，其第一正投影可以为圆形；此时承载平台20与待镀膜元件26接触的表面也可为圆形。此外，在镀膜过程中，待镀膜元件26的温度需要保持在一定的区间范围内，例如180℃-230℃等，因此承载平台20可由导热性较好的金属等材料制成，通过对承载平台20进行加热以使得待镀膜元件26被加热。且为了保证操作的安全性，承载平台20一般是接地的。

防护罩22位于承载平台20承载待镀膜元件26一侧，防护罩22在承载平台20上的第二正投影覆盖从第一正投影中露出的承载平台20，该设计方式可以降低镀膜过程中承载平台20表面被溅射上靶材的概率。且一般而言，物理气相沉积镀膜设备的靶材28设置于待镀膜元件26背离承载平台20一侧，靶材28为金属材质，即待镀膜元件26表面需要形成的膜层为金属膜层，故防护罩22一般为金属材料制成(例如，合金等)。该设计方式可以使得在防护罩22表面沉积的金属膜层与防护罩22之间的结合力较好，降低防护罩22表面沉积的金属膜层与防护罩22表面剥离的概率，以降低在镀膜过程中引入颗粒的概率，提高镀膜效果。

通过上述描述可知，承载平台20和防护罩22一般均由金属材料制成，即承载平台20和防护罩22具有导电性能，在待镀膜元件26镀膜过程中，防护罩22与承载平台20绝缘设置，防护罩22与承载平台20之间无接触。镀膜过程中在待镀膜元件26表面以及防护罩22表面沉积的膜层中累积的电子没有电流释放路径，以降低待镀膜元件26在镀膜过程中表面产生放电纹路的概率，以降低其外观异常的概率。而在待镀膜元件26镀膜结束并从承载平台20移除后，防护罩22再与第一接地电路24电连接，以将防护罩22表面电子释放，此时防护罩22与待镀膜元件26之间是非接触的，此时防护罩22的放电电流并不会流经待镀膜元件26，以降低待镀膜元件26在镀膜结束后表面产生放电纹路的概率，以降低其外观异常的概率。

请继续参阅图3，承载平台20包括基层200以及自基层200一侧表面延伸的凸部202，凸部202背离基层200一侧用于承载待镀膜元件26，且凸部202的侧面与基层200之间形成环形凹陷204；需要说明的是，在本申请中，对于环形的描述并未将其限制为圆环，其可以为其他任意具有镂空区域的封闭图形。例如，该环形凹陷204在基层200上的正投影可以为圆环、矩形环等。

进一步，该镀膜设备还可以包括绝缘件21，位于环形凹陷204内，并与承载平台20固定连接。可选地，绝缘件21的材质可以为特氟龙等，其可通过螺钉等方式与承载平台20的基层200或凸部202固定连接。绝缘件21在承载平台20上的第三正投影位于第一正投影和第二正投影共同形成的区域内。该设计方式可以使得在镀膜过程中绝缘件21背离基层200一侧表面被待镀膜元件26覆盖，或被待镀膜元件26和防护罩22覆盖，以使得绝缘件21表面沉积膜层的概率降低，继而降低镀膜过程中由于膜层脱落引入的颗粒的概率。其中，在垂直于基层200至凸部202的第一方向X上，防护罩22与绝缘件21接触。当防护罩22能够上下移动时，该绝缘件21的引入可以对防护罩22的移动起到导向作用；当防护罩22的位置固定时，该绝缘件21的引入可以对防护罩22起到支撑承载作用。

可选地，绝缘件21为环形，防护罩22为环形；在第一方向X上，绝缘件21套设在至少部分凸部202的外围，并与凸部202接触；防护罩22套设在至少部分绝缘件21的外围，并与绝缘件21接触。该设计方式结构较为简单，易于组装。

另一可选地，如图3中所示，绝缘件21以及凸部202背离基层200一侧表面齐平，绝缘件21背离基层200一侧和凸部202背离基层200一侧用于共同承载待镀膜元件26。较佳地，绝缘件21包括用于与待镀膜元件26接触的第一表面210，待镀膜元件26的外边缘可以与绝缘件21的第一表面210的外边缘齐平。或者，待镀膜元件26的外边缘可以超出绝缘件21的第一表面210的外边缘，即绝缘件21的第一表面210相对待镀膜元件26内缩。该设计方式可以使得镀膜过程中绝缘件21的第一表面210无膜层沉积，以降低镀膜过程中颗粒产生的概率。

较佳地，如图4所示，图4为待镀膜元件和绝缘件的第一表面一实施方式的结构示意图。待镀膜元件26的外边缘一般设置有缺口260，通过该缺口260可以确定出待镀膜元件26的待镀膜面。此时，缺口260在第一表面210上的正投影位于第一表面210外；例如，第一表面210为圆形，缺口260包括最靠近待镀膜元件26中心的顶角，第一表面210的外边缘可以经过该顶角。

又一可选地，如图3中所示，在待镀膜元件26镀膜过程中，防护罩22背离基层200一侧、绝缘件21背离基层200一侧以及凸部202背离基层200一侧表面齐平。一方面，该设计方式可以使得防护罩22不会触碰到待镀膜元件26的侧面，以降低待镀膜元件26被碰伤的概率。又一方面，该设计方式可以尽可能降低绝缘件21的侧面沉积膜层的概率。

在一个实施例中，请一并参阅图3和图5，图5为图3中待镀膜元件镀膜结束后一实施方式的结构示意图。绝缘件21在承载平台20上的第三正投影覆盖部分环形凹陷204，且第三正投影与防护罩22在承载平台20上的第二正投影无重叠，且第一接地电路24与承载平台20电连接。绝缘件21套设在全部凸部202的外围，防护罩22套设在部分绝缘件21的外围。可选地，第一接地电路24包括第一接地线(未标示)，该第一接地线的一端与承载平台20电连接，第一接地线的另一端接地。此时，镀膜设备还可以包括第一升降组件23，与防护罩22固定连接，用于驱动防护罩22靠近或远离承载平台20。其中，如图3中所示，在待镀膜元件26镀膜过程中，第一升降组件23驱动防护罩22远离承载平台20，此时防护罩22与承载平台20之间无接触，镀膜过程中在待镀膜元件26表面以及防护罩22表面沉积的膜层中累积的电子没有电流释放路径。如图5中所示，在待镀膜元件26镀膜结束并从承载平台20上移除后，第一升降组件23驱动防护罩22靠近并与承载平台20接触，防护罩22通过承载平台20与第一接地电路24电连接。上述方式结构设计较为简单，且设备易于组装。

可选地，第一升降组件23包括多个第一绝缘支撑杆230，第一绝缘支撑杆230穿设承载平台20，并与防护罩22固定连接。此时承载平台20对应第一绝缘支撑杆230的位置设置有第一过孔，第一绝缘支撑杆230穿设对应位置处的第一过孔。该设计方式可以降低镀膜设备体积。此外，多个第一绝缘支撑杆230可以沿凸部202的外周方向等间隔排布，以使得防护罩22靠近或远离承载平台20过程中不会发生倾斜。

另一可选地，如图6a所示，图6a为图3中绝缘件和防护罩另一实施方式的俯视示意图，图6b为图6a中沿B-B剖线一实施方式的剖面示意图。绝缘件21面向防护罩22一侧设置有轨道槽212，防护罩22面向绝缘件21一侧设置有凸起220，凸起220位于轨道槽212内。上述轨道槽212可以使得绝缘件21更好的发挥导向作用。当绝缘件21面向防护罩22一侧设置有多个轨道槽212时，多个轨道槽212可以相互平行设置。此外，为了防止防护罩22在远离承载平台20过程中与绝缘件21脱离，如图6b所示，轨道槽212非贯通绝缘件21的第一表面210，此时轨道槽212靠近第一表面210的底面形成限位面。

此外，请再次参阅图3或图5，本申请所提供的镀膜设备还可以包括第二升降组件27，包括多个第二绝缘支撑杆270，每个第二绝缘支撑杆270穿设承载平台20；当镀膜过程结束是，第二绝缘支撑杆270可以驱动待镀膜元件26远离承载平台20，以从承载平台20上移除。

当然，在其他实施例中，本申请所提供的镀膜设备中，绝缘件21也可套设在部分凸部202的外围，防护罩22套设在全部绝缘件21的外围。此时在第一方向X上，绝缘件21和防护罩22固定连接，第一升降组件23可以与绝缘件21或防护罩22固定连接，以带动绝缘件21和防护罩22共同靠近或远离承载平台20。

在上述实施例中，是通过改变防护罩22的位置实现降低放电纹路出现的概率。在其他实施例中，也可使防护罩22的位置在镀膜过程中和镀膜结束后均保持相同，此时请参阅图7，图7为本申请物理气相沉积镀膜设备另一实施方式的结构示意图。绝缘件21在承载平台20上的第三正投影覆盖至少部分环形凹陷204，且绝缘件21背离基层200一侧边缘设置有贯通绝缘件21部分侧面的容置槽214，防护罩22固定设置于容置槽214内，且覆盖容置槽214背离承载平台20一侧表面。可选地，第三正投影覆盖所有环形凹陷204。另一可选地，该容置槽214为环形。

进一步，该镀膜设备还包括控制器25，与第一接地电路24连接，用于在待镀膜元件26镀膜结束后控制第一接地电路24与防护罩22电连接，以及用于在在待镀膜元件26镀膜过程中控制第一接地电路24与防护罩22断开。上述设计较为简单，且易于实现。可选地，第一接地电路24包括第一接地线路240以及位于第一接地线路240上的开关242；其中，第一接地线路240的一端与防护罩22电连接，第一接地线路240的另一端接地；控制器25与开关242耦接，用于控制开关242导通或断开，以使得防护罩22能够接地或不接地。

请继续参阅图7和图8，图8为图7中待镀膜元件镀膜结束后一实施方式的结构示意图。本申请所提供的镀膜设备还包括第二升降组件27，用于驱动待镀膜元件26靠近或远离承载平台20，且与控制器25耦接；其中，耦接代表两者可以进行信号传递。如图7中所示，响应于第二升降组件27驱动待镀膜元件26靠近并与承载平台20接触，控制器25控制第一接地电路24与防护罩22断开；具体地，可以控制第一接地电路24中的开关242断开。如图8所示，响应于第二升降组件27驱动待镀膜元件26远离承载平台20至第一位置，控制器25控制第一接地电路24与防护罩22电连接；具体地，可以控制第一接地电路24中的开关242导通。

可选地，第二升降组件27包括多个第二绝缘支撑杆270，第二绝缘支撑杆270穿设承载平台20。例如，承载平台20上设置有多个第二过孔(未标示)，一个第二绝缘支撑杆270穿设一个第二过孔。该第二升降组件27的结构设计较为简单。

此外，如图7中所示，由于承载平台20具有导电性，故本申请所提供的镀膜设备还可以包括第二接地电路29，与承载平台20电连接，用于在镀膜过程中将承载平台20接地，以提高操作的安全性。可选地，第二接地电路29包括第二接地线路290，第二接地线路290的一端与承载平台20电连接，第二接地线路290的另一端接地。

另外，本申请所提供的镀膜设备还可以包括其他结构；例如，还包括镀膜腔(图未示)和离子风吹扫机构(图未示)；此时上述任一实施例中的承载平台20和防护罩22位于镀膜腔内。离子风吹扫机构用于在待镀膜元件26镀膜结束并从镀膜腔中移出后，对待镀膜元件26表面进行电中和，以消除待镀膜元件26上膜层表面所累积的电子产生的影响。

请参阅图9，图9为本申请物理气相沉积镀膜方法一实施方式的流程示意图，该镀膜方法利用上述任一实施例中的镀膜设备，该镀膜方法具体包括：

S101：使待镀膜元件26位于承载平台20上，并使防护罩22与承载平台20绝缘设置；其中，防护罩22与待镀膜元件26设置于承载平台20的同一侧，承载平台20和防护罩22具有导电性能，待镀膜元件26在承载平台20上的第一正投影位于承载平台20内，防护罩22在承载平台20上的第二正投影覆盖从第一正投影中露出的承载平台20。

具体地，请参阅图3或图7；当对应图3中的结构时，承载平台20与第一接地电路24电连接，镀膜设备包括第一升降组件23，第一升降组件23与防护罩22固定连接；上述步骤S101中使防护罩22与承载平台20绝缘设置的步骤包括：第一升降组件23驱动防护罩22远离承载平台20；优选地，防护罩22靠近待镀膜元件26一侧表面与待镀膜元件26靠近承载平台20一侧表面齐平。当对应图7中的结构时，上述步骤S101中使防护罩22与承载平台20绝缘设置的步骤包括：使防护罩22固定设置于绝缘件21的容置槽214内；且此时控制器25控制开关242断开。

S102：对待镀膜元件26进行镀膜。

S103：响应于待镀膜元件26镀膜结束，将待镀膜元件26远离承载平台20后，使第一接地电路24与防护罩22电连接。

具体地，请参阅图5或图8；当对应图3中的结构时，承载平台20与第一接地电路24电连接，镀膜设备包括第一升降组件23，第一升降组件23与防护罩22固定连接；上述步骤S103中使第一接地电路24与防护罩22电连接的步骤包括：第一升降组件23驱动防护罩22靠近承载平台20并与承载平台20接触。当对应图8中的结构时，控制器25控制开关242导通。

此外，针对移除的待镀膜元件26，在其进入下一工序前，需对待镀膜元件26表面进行电中和，以消除待镀膜元件26上膜层表面所累积的电子产生的影响。

以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种物理气相沉积镀膜设备，其特征在于，包括：

承载平台，用于承载待镀膜元件，且所述待镀膜元件在所述承载平台上的第一正投影位于所述承载平台内；

防护罩，位于所述承载平台承载所述待镀膜元件一侧，所述防护罩在所述承载平台上的第二正投影覆盖从所述第一正投影中露出的所述承载平台；其中，所述承载平台和所述防护罩具有导电性能，在所述待镀膜元件镀膜过程中，所述防护罩与所述承载平台绝缘设置；

第一接地电路，用于在所述待镀膜元件镀膜结束并从所述承载平台移除后，与所述防护罩电连接。

2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，

所述承载平台包括基层以及自所述基层一侧表面延伸的凸部，所述凸部背离所述基层一侧用于承载所述待镀膜元件，且所述凸部的侧面与所述基层之间形成环形凹陷；所述镀膜设备还包括：

绝缘件，位于所述环形凹陷内，并与所述承载平台固定连接；所述绝缘件在所述承载平台上的第三正投影位于所述第一正投影和所述第二正投影共同形成的区域内；在垂直于所述基层至所述凸部的第一方向上，所述防护罩与所述绝缘件接触；

优选地，所述绝缘件为环形，所述防护罩为环形；在所述第一方向上，所述绝缘件套设在至少部分所述凸部的外围，并与所述凸部接触；所述防护罩套设在至少部分所述绝缘件的外围，并与所述绝缘件接触。

3.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，

所述绝缘件以及所述凸部背离所述基层一侧表面齐平，所述绝缘件背离所述基层一侧和所述凸部背离所述基层一侧用于共同承载所述待镀膜元件；

优选地，在所述待镀膜元件镀膜过程中，所述防护罩背离所述基层一侧、所述绝缘件背离所述基层一侧以及所述凸部背离所述基层一侧表面齐平。

4.根据权利要求2或3所述的镀膜设备，其特征在于，

所述第三正投影覆盖部分所述环形凹陷，且所述第三正投影与所述第一正投影无重叠，所述第一接地电路与所述承载平台电连接；所述镀膜设备还包括：

第一升降组件，与所述防护罩固定连接，用于驱动所述防护罩靠近或远离所述承载平台；其中，在所述待镀膜元件镀膜过程中，所述第一升降组件驱动所述防护罩远离所述承载平台；在所述待镀膜元件镀膜结束并从所述承载平台移除后，所述第一升降组件驱动所述防护罩靠近并与所述承载平台接触，所述防护罩通过所述承载平台与所述第一接地电路电连接；

优选地，所述第一升降组件包括多个第一绝缘支撑杆，所述第一绝缘支撑杆穿设所述承载平台，并与所述防护罩固定连接。

5.根据权利要求4所述的镀膜设备，其特征在于，

所述绝缘件面向所述防护罩一侧设置有轨道槽，所述防护罩面向所述绝缘件一侧设置有凸起，所述凸起位于所述轨道槽内。

6.根据权利要求2或3所述的镀膜设备，其特征在于，

所述第三正投影覆盖至少部分所述环形凹陷，且所述绝缘件背离所述基层一侧边缘设置有容置槽，所述防护罩固定设置于所述容置槽内；

所述镀膜设备还包括控制器，与所述第一接地电路连接，用于在所述待镀膜元件镀膜结束后控制所述第一接地电路与所述防护罩电连接，以及用于在在所述待镀膜元件镀膜过程中控制所述第一接地电路与所述防护罩断开；

优选地，所述镀膜设备还包括第二接地电路，与所述承载平台电连接。

7.根据权利要求6所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：

第二升降组件，用于驱动所述待镀膜元件靠近或远离所述承载平台，且与所述控制器耦接；响应于所述第二升降组件驱动所述待镀膜元件远离所述承载平台至第一位置，所述控制器控制所述第一接地电路与所述防护罩电连接；响应于所述第二升降组件驱动所述待镀膜元件靠近并与所述承载平台接触，所述控制器控制所述第一接地电路与所述防护罩断开；

优选地，所述第二升降组件包括多个第二绝缘支撑杆，所述第二绝缘支撑杆穿设所述承载平台。

8.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：

镀膜腔，所述承载平台和所述防护罩位于所述镀膜腔内；

离子风吹扫机构，用于在所述待镀膜元件镀膜结束并从所述镀膜腔中移出后，对所述待镀膜元件表面进行电中和。

9.一种物理气相沉积镀膜方法，其特征在于，所述镀膜方法包括：

使待镀膜元件位于承载平台上，并使防护罩与承载平台绝缘设置；其中，所述防护罩与所述待镀膜元件设置于所述承载平台的同一侧，所述承载平台和所述防护罩具有导电性能，所述待镀膜元件在所述承载平台上的第一正投影位于所述承载平台内，所述防护罩在所述承载平台上的第二正投影覆盖从所述第一正投影中露出的所述承载平台；

对所述待镀膜元件进行镀膜；

响应于待镀膜元件镀膜结束，将所述待镀膜元件远离所述承载平台后，使第一接地电路与所述防护罩电连接。

10.根据权利要求9所述的镀膜方法，其特征在于，

所述承载平台与所述第一接地电路电连接，所述镀膜设备包括第一升降组件，所述第一升降组件与所述防护罩固定连接；

所述使防护罩与承载平台绝缘设置的步骤：包括：所述第一升降组件驱动所述防护罩远离所述承载平台；优选地，所述防护罩靠近所述待镀膜元件一侧表面与所述待镀膜元件靠近所述承载平台一侧表面齐平；

所述使第一接地电路与所述防护罩电连接的步骤，包括：所述第一升降组件驱动所述防护罩靠近所述承载平台并与所述承载平台接触。