JP7448938B2 - プラズマ処理装置、バイアス印加機構、および基板パレット - Google Patents

Description

本発明は、プラズマ処理装置、プラズマ処理装置において基板にバイアス電位を印加する機構、および基板パレットに関する。

光学部品や電子部品、半導体デバイスなどの製造工程において、プラズマを用いた基板処理は欠くことのできないステップである。プラズマ処理装置は、プラズマによって基板表面を処理するための装置であり、エッチングやクリーニング等に利用される。また、プラズマを用いて基板に薄膜を形成させる成膜装置としても用いられ、本願では、このような成膜装置も「プラズマ処理装置」に含まれるものとする。プラズマを用いる成膜装置としては、スパッタリング装置やプラズマ支援型ＣＶＤ装置、原子層蒸着装置等がある。

プラズマ処理装置では、基板載置台に高周波電力を供給し、基板にバイアス電位を与えることが広く用いられている。基板がプラズマに対して負の電位にバイアスされると、プラズマ中の正イオンが基板に向けて加速し、エッチングレートを高めることができる。また、バイアス電位により基板に到達するイオンのエネルギーを制御することができるため、基板の表面改質調整にも貢献する。さらに、バイアス作用により基板に対してイオンが垂直に入射するため、凹凸が形成された基板の凹部（溝の部分）底面にイオンを到達させ、エッチングすることができる。スパッタリング等の成膜装置ではバイアス作用により緻密な膜を形成することできるのみでなく、高アスペクト比の基板であってもボイドを生じることなく開口内の埋め込みを行うことができる。

特許第６５３３５１１号

プラズマ処理装置として、処理室を常時真空状態に保ったまま基板の入れ替えを行うため、１枚または少数枚の基板を単位として搬送処理するインライン式、インターバック式、マルチチャンバ式等の装置が知られている。これらの装置では、処理室とは別に仕込／取出室（ロードロック室）を設け、そこに基板、または何枚かの基板が装着された基板パレットを仕込み、仕込／取出室を減圧した後に、その内部の基板または基板パレットを処理室に搬送する。基板または基板パレットの基板載置台への装着は、真空槽内で搬送ロボットにより行われる。真空槽内の基板載置台にはバイアス電極が取付固定されており、基板載置台の所定位置に基板または基板パレットを配置することで、基板に所望のバイアスが印加される。搬送ロボットの精度が悪く基板または基板パレットが所定位置からずれて装着される場合、基板に印加されるバイアスが変化し、設計通りの処理が実行できない場合がある。

基板載置台に装着された基板または基板パレットは、チャンバ内に固定されたまま処理される場合と、駆動機構により基板を移動させた状態で処理する場合がある。基板を移動させながら処理する例のひとつとして、カルーセル型スパッタリング装置がある。

カルーセル型スパッタリング装置は、周囲にスパッタリングターゲットが配置された回転ドラムに成膜対象である基板を複数搭載し、ドラムを回転させながらスパッタリング成膜を行う装置である。このような成膜により、一度に複数の基板を処理することができる。

特許文献１には、カルーセル型スパッタリング装置において、バイアス電極が設けられた回転ドラム（特許文献１の用語では「基板ホルダ１３」）に基板を取り付けることが記載されている。回転ドラムが回転することにより、スパッタリングターゲットの前面を基板が通過し、基板を移動させながらの成膜およびプラズマ処理が実施される。回転ドラムの回転中、遠心力等により基板位置が変動すると、回転ドラム上のバイアス電極と基板との距離が変化し、基板バイアスが変動してしまう。基板とバイアス電極との相対位置は、ドラムの回転中、一定に維持することが必要である。

回転ドラムへのバイアス印加に関して、バイアス電極の面積が大きいほどより大きな電源が必要となるため、基板だけにプラズマ中のイオンが引き付けられるものであることが望ましい。つまり、基板に対して効率的にバイアス印加するには、基板毎にバイアス電極形状と、基板とバイアス電極の相対位置を最適化する必要がある。しかし、処理室内に固定されたバイアス電極を用いてバイアス印加する装置では、基板に対して常に最適なバイアス電極の形状と配置を選択することができない。

本発明は、このような課題を解決し、プラズマ処理装置において、バイアス電極に対して基板を精度良く取り付け、基板とバイアス電極との距離を処理中一定に維持し、かつ基板毎にバイアス電極を最適化することができるようにすることを目的とする。

本発明の第一の側面によると、処理対象の基板が取り付けられ、プラズマ処理装置に基板と共に取り付けられる基板パレットであって、処理対象の基板が取り付けられたときにその基板の処理対象面とは逆の面の近傍に配置されるバイアス用の裏面電極と、この裏面電極に電気的に接続され、基板パレットがプラズマ処理装置に取り付けられたときにそのプラズマ処理装置のバイアス電圧供給用の電源に電気的に接続される接続部と、を備える基板パレットが提供される。

基板パレットは、裏面電極が細長い金属部材に取り付けられており、接続部は、この金属部材の裏面電極とは反対側の面に電気的に接続されて設けられた裏面電極端子であり、金属部材ならびに裏面電極を処理対象の基板から離隔して裏面電極と基板との距離を所定の値に保つスペーサをさらに備えることが望ましい。

基板パレットは、プラズマを遮蔽するためのシールド部材をさらに備えることが望ましい。

基板パレットが取り付けられるプラズマ処理装置は、基板パレットが装着されるカルーセル型回転ドラムが設けられ、この回転ドラムにバイアス電圧供給用の電源が接続される給電コンタクトが設けられた構成であり、基板パレットの接続部は、基板パレットが回転ドラムに取り付けられたときに、回転ドラム側の給電コンタクトに当接する構成であることが望ましい。

回転ドラムに取り付けられる基板パレットは、１または複数の基板が取り付けられる平板状のパレット本体と、パレット本体から突出し、基板パレットを搬送するために回転ドラム側のフックにより引っ掛けけられるハンドル部と、を備えることができる。

本発明の第二の側面によると、上述の基板パレットを取り込んでプラズマ処理を施すプラズマ処理室を備え、このプラズマ処理室には、基板パレットを取り込んだときに基板パレットの接続部が当接する給電コンタクトを備え、この給電コンタクトには、バイアス電圧供給用の電源が接続されるプラズマ処理装置が提供される。

プラズマ処理室に、基板パレットをひとつずつ取り込んで回転方向に装着する回転ドラムを備えることができる。

プラズマ処理室は、プラズマを用いてスパッタ成膜をスパッタ室とすることができる。

本発明の第三の側面によると、上述の基板パレットを取り込んでプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に設けられ、プラズマ処理装置のプラズマ処理室に基板パレットが取り込まれたときに基板パレットの接続部が当接する給電コンタクトを備え、この給電コンタクトには、バイアス電圧供給用の電源が接続されるバイアス印加機構が提供される。

図１は、本発明を実施するカルーセル型バイアススパッタリング装置の基本的な構成を示す概略図である。 図２は、本発明の一実施例に係る基板パレットを正面側（成膜対象面側）から見た構成を示す図である。 図３は、同じ基板パレットを裏面側（回転ドラムの回転軸側）からみた構成を示す図である。 図４は、パレット本体から裏面電極アセンブリを取り外した状態を正面側から見た図である。 図５は、パレット本体から裏面電極アセンブリを取り外した状態を裏面側から見た図である。 図６は、裏面電極アセンブリから裏面電極と金属部材を取り外した状態を正面側から見た図である。 図７は、裏面電極アセンブリから裏面電極と金属部材を取り外した状態を裏面側から見た図である。 図８は、回転ドラムの基板パレット装着部の構成を簡略化して示す断面図である。 図９は、基板パレット装着部による基板パレットの装着動作を説明する図である。 図１０は、本発明のプラズマ処理装置の別の実施形態として、マルチチャンバ式プラズマ処理装置の構成例を示す概略図であり、基板パレットがプラズマ処理室に搬入される前の状態を示す。 図１１は、図１０に示すプラズマ処理装置において、基板パレットがプラズマ処理室に搬入され基板ステージに装着された状態を示す。 図１２は、本発明のプラズマ処理装置のさらに別の実施形態として、通過成膜タイプのスパッタリング装置の構成例を示す概略図である。 図１３は、基板パレットの他の実施例を示す図である。 図１４は、基板パレットのさらに他の実施例を示す図である。

図１は、本発明を実施するプラズマ処理装置の例として、カルーセル型バイアススパッタリング装置の基本的な構成を示す概略図である。一般に反応性スパッタリング装置は、導電性ターゲットを配置した反応槽内に反応性ガスを供給する手段を備え、導電性ターゲットのスパッタ粒子と反応性ガスとの反応で生じる化合物を、基板上に堆積させるように構成される。

図１に示すカルーセル型バイアススパッタリング装置は、処理対象(成膜対象)の基板を外部との間で出し入れするための仕込／取出室１と、仕込／取出室１に仕込まれた基板を取り込んでプラズマ処理、この場合にはスパッタ成膜、を施すスパッタ室２とを備える。仕込／取出室１とスパッタ室２との間は、ゲートバルブ３を介して仕切られている。スパッタ室２には、回転ドラム（カルーセルドラム）４と、この回転ドラム４の外周面に対向するスパッタカソード６とを備える。スパッタカソード６にはロータリカソードを用いてもよい。スパッタ室２にはさらに、回転ドラム４の外周面に対向して、酸化源５を備える。回転ドラム４には、成膜対象の基板が１または複数枚取り付けられた基板パレットを装着するための基板パレット装着部４０が、その回転方向外周に沿って複数（この例では１２個）設けられる。

この装置でスパッタリングを行うためには、まず、仕込／取出室１に成膜対象の基板をセットする。具体的には、ゲートバルブ３を閉じた状態で、すなわちスパッタ室２を真空に保ったままで、仕込／取出室１内の回転テーブル（図示せず）に、基板がセットされたカセット７をセットする。

カセット７には、それぞれに１または複数枚の基板が取り付けられた基板パレット１０が、複数収容される。この例では、回転ドラム４に１２枚の基板パレット１０を取り付けるものとし、カセット７には、２４のスロットのうち片側の１２のスロットに、基板パレット１０がセットされる。反対側の１２のスロットは、成膜処理後の基板パレット１０を収容するためのものである。

仕込／取出室１内にカセット７をセットした後、仕込／取出室１が減圧される。仕込／取出室１が所定の真空度となった後に、ゲートバルブ３を開き、回転ドラム４の方向に沿って設けられた基板パレット装着部４０に装着されていた成膜処理後の基板パレットを、１枚ずつ、カセット７の空きスロットに戻す。続いて、回転テーブルによりカセット７を１８０度回転させ、これから成膜処理しようとする基板パレット１０を、１枚ずつ、回転ドラム４の基板パレット装着部４０に装着する。

カセット７内のこれから成膜処理しようとする基板パレット１０をすべて回転ドラム４の基板パレット装着部４０に装着した後、ゲートバルブ３を閉じて、スパッタ室２内で成膜処理を開始する。その一方で、仕込／取出室１を大気圧に戻し、成膜処理後の基板パレットが収容されたカセット７を仕込／取出室１から取り出す。

図２は、本発明の一実施例に係る基板パレット１０を正面側（成膜対象面側）から見た構成を示す図であり、図３は、この基板パレット１０を裏面側（回転ドラム４の回転軸側）からみた構成を示す図である。基板パレット１０の裏面側が回転ドラム４の外周面に取り付けられる。この取り付け構造は、図８を参照して後述する。

この基板パレット１０は、１または複数（この例では３枚）の基板１００が取り付けられる平板状のパレット本体１１と、パレット本体１１から図中上方に突出し、基板パレット１０を搬送するために回転ドラム４側のフックにより引っ掛けけられるハンドル部１２とからなる。基板パレット１０の裏面には、成膜対象の基板１００が取り付けられたときにその基板１００の成膜対象面とは逆の面にバイアス電極を印加するための裏面電極アセンブリ１３が設けられ、この裏面電極アセンブリ１３の一部に、基板パレット１０が回転ドラム４に取り付けられたときに回転ドラム４側の高周波供給源に電気的に接続される裏面電極端子１４が備えられている。

図４は、パレット本体１１から裏面電極アセンブリ１３を取り外した状態を正面側（基板パレット本体１１側）から見た図であり、図５は、同じ状態を裏面側（裏面電極アセンブリ１３側）から見た図である。

裏面電極アセンブリ１３は、成膜対象の基板１００がパレット本体１１に取り付けられたときにその基板１００の成膜対象面とは逆の面の近傍に配置されるバイアススパッタ用の裏面電極１５を備える。この裏面電極１５は、細長い１本の金属部材１６に取り付けられており、裏面電極端子１４は、この金属部材１６の裏面電極１５とは反対側の面に電気的に接続されて設けられている。この構成により、裏面電極１５を基板１００に対して精度良く配置することができ、基板１００のみに高周波が印加されるようにすることができる。裏面電極アセンブリ１３にはまた、絶縁体例えばアルミナなどのセラミック製のスペーサ１７が設けられる。このスペーサ１７は、裏面電極１５および金属部材１６をパレット本体１１から離隔し、裏面電極１５とパレット本体１１に取り付けられた基板１００との距離を所定の値に保つ。すなわち、スペーサ１７により、基板１００と裏面電極１５との距離を一定に維持することができる。

図６は、裏面電極アセンブリ１３から裏面電極１５と金属部材１６を取り外した状態を正面側（裏面電極１５側）から見た図であり、図７は、同じ状態を裏面側から見た図である。

裏面電極アセンブリ１３の裏面は、シールド部材１８が設けられる。このシールド部材１８は、基板１００の前面のみにプラズマを発生させるためのものであり、基板１００の裏面側でプラズマが生起しないように高周波電力をシールドしている。これにより、裏面電極１５および金属部材１６がプラズマ中のイオンにより削られることを防止するとともに、高周波電力が基板１００側のみに印加されるようにする。

裏面電極１５のサイズとしては、効果的に基板１００にバイアスを印加するために、基板１００と同程度が望ましい。ただし、裏面電極１５の端の部分では、エッジ効果(電界集中によりイオンが集中する)により、膜が急激に削られる。裏面電極１５は基板１００より少し大きくてもよい。

図８は、基板パレット装着部４０の構成を簡略化して示す図である。基板パレット装着部４０は、基板パレット１０を１枚ずつ取り込んで回転ドラム４の回転方向に沿って装着する装着機構の一部を構成する。

基板パレット装着部４０は、基板パレット１０のハンドル部１２を引っ掛けて基板パレット１０を保持するフック４１と、フック４１と逆側でハンドル部１２を挟み込んで固定する固定部材４２を備える。また、基板パレット装着部４０は、基板パレット１０に設けられたバイアススパッタ用の電極端子である裏面電極端子１４が接する給電コンタクト４３を備える。この給電コンタクト４３は、給電ライン４４を介して、スパッタ室２外の高周波電源に接続される。固定部材４２と給電コンタクト４３は、押し付け部材４５により、基板パレット１０に押し付けられる。

また、基板パレット装着部４０には、基板パレット１０の下側に、ストッパ４６を備える。基板パレット１０は上側のハンドル部１２が固定されるが、下側は固定されていない。このため、回転ドラム４が回転するときに、基板パレット１０の下側が遠心力により外側に振られることになる。ストッパ４６は、基板パレット１０の下側を外側に振れないようにする。

図９は、基板パレット装着部４０による基板パレット１０の装着動作を説明する図である。

基板パレット１０を装着するため基板パレット装着部４０は、図示しない駆動機構により押し付け部材４５を矢印方向に押して、フック４１を開放する。このとき、基板パレット装着部４０と連動して動作する搬送アーム４７が、基板パレット１０のハンドル部１２を保持し、基板パレット１０を搬送する。押し付け部材４５の駆動機構としては、例えば、回転軸を用い、この回転軸の回転により押し付け部材４５を矢印方向に直線移動させる仕組みを用いる。搬送アーム４７により搬送されたハンドル部１２をフック４１が引っ掛けて、図８の装着状態となる。

上述の駆動機構による押し付け部材４５への押圧を停止すると、押し付け部材４５がバネの付勢により基板パレット１０に押し付けられ、フック４１と固定部材４２により基板パレット１０を保持する。同時に、給電コンタクト４３が裏面電極端子１４に押し付けられ、電気的に接続される。給電ライン４４の一部に図示しない板バネ等の伸縮可能な部材を用いることで、給電コンタクト４３から裏面電極端子１４への安定な給電が可能となる。

このように、電極が設けられた回転ドラムに基板を取り付けるのではなく、基板１００と裏面電極１５を一体にして、回転ドラム４に取り付ける。これにより、ロードロック型のカルーセル型バイアススパッタリング装置において、基板１００に対してバイアス電極としての裏面電極１５を精度良く配置することができ、かつ基板１００と裏面電極１５との距離を一定に維持することができる。

以上のように、成膜対象の基板１００が取り付けられ、プラズマ処理装置、この実施形態の場合はカルーセル型スパッタリング装置、に基板１００と共に取り付けられる基板パレット１０に、成膜対象の基板１００が取り付けられたときにその基板の成膜対象面とは逆の面の近傍に配置されるバイアス用の裏面電極１５と、この裏面電極１５に電気的に接続され、基板パレット１０がカルーセル型スパッタリング装置に取り付けられたときにそのスパッタリング装置側の高周波供給源に電気的に接続される裏面電極端子１４とを備える構造にしたので、成膜対象の基板１００が基板パレット１０取り付けられたときに、基板１００と裏面電極１５とが一体となり、その状態で、回転ドラム４に取り付けられる。これにより、ロードロック型のカルーセル型バイアススパッタリング装置において、基板１００に対してバイアス電極としての裏面電極１５を精度良く配置することができ、かつ基板１００と裏面電極１５との距離を一定に維持することができる。

図１０および図１１は、本発明のプラズマ処理装置の別の実施形態として、マルチチャンバ式プラズマエッチング装置の構成例を示す概略図である。ここでは、マルチチャンバ式プラズマエッチング装置２０の構成のうち、プラズマ処理室２１とそれに関連する構成以外については図示および説明を省略する。プラズマ処理室２１には、高周波電力が供給される上部電極２２、下部基板ステージ２３、ガス供給ラインが接続されるガス導入バルブ２４、および、排気系が接続される排気バルブ２５を備える。図１０は基板パレット１０がプラズマ処理室２１に搬入される前の状態を、図１１は基板パレット１０がプラズマ処理室２１に搬入され基板ステージ２３に装着された状態を示す。基板パレット１０は、図２に示す基板パレット１０と同様であり、同一の構成品は同一の番号を付す。ハンドル部１２は、この実施形態の場合は無くてもよい。

まず、図示しない搬送ロボットが、基板パレット１０をプラズマ処理室２１内部に搬送し、基板ステージ２３上に載置する。基板ステージ２３は、図８，９に示した給電コンタクト４３に相当する給電コンタクト２６を備え、裏面電極端子１４と給電コンタクト２６が接触する。給電コンタクト２６は、給電ライン２７を介して、プラズマ処理室２１外の高周波電源に接続される。次に、プラズマ処理室２１の内部にガス導入バルブ２４を経由してエッチングガスを導入し、上部電極２２に高周波電力を供給する。プラズマ処理室２１内のエッチングガスが励起されてプラズマが生成され、基板１００がエッチングされる。このとき、基板ステージ２３を介して裏面電極１５に高周波電力を供給すると、基板１００がプラズマに対して負の電位にバイアスされ、基板１００のエッチングがアシストされる。基板ステージ２３には基板１００とバイアス用の裏面電極１５がセットで一体となって供給されるため、搬送ロボットの精度によらず、基板１００と裏面電極１５の相対位置は固定であり、基板１００に狙い通りのバイアスを印加することができる。

図１２は、本発明のプラズマ処理装置のさらに別の実施形態として、通過成膜タイプのスパッタリング装置の構成例を示す概略図である。図１２に示すスパッタリング装置３０は、スパッタ室３１、スパッタカソード３２，３３、基板パレット搬送機構３４、基板パレット１０に高周波電力を供給する給電ライン３５、ガス供給ラインが接続されるガス導入バルブ３６、および、排気系が接続される排気バルブ３７を備える。基板パレット１０がスパッタリングカソード３２，３３の前面を通過する際に、基板１００に膜が堆積する。その際、給電ライン３５から基板パレット１０の裏面電極１５に高周波電力を印加する。給電ライン３５は、基板パレット１０の搬送ルートに平行に直線上に伸びた導電バーであってもよい。成膜中、基板パレット１０が基板トレーにより搬送されるが、基板パレット１０内部において基板１００と裏面電極１５の配置が固定されているため、基板と裏面電極１５の相対位置を常に一定に維持することができる。

図１３，１４に、基板パレットの他の実施例を示す。これらの例は、基板１００と裏面電極１５との距離が、基板１００の周縁部で長く、基板１００の内周部で短いことを特徴とする。裏面電極１５の端部のエッジ効果による電界集中を緩和し、基板１００の全面に均一にイオン照射させることを目的とする。図１３に示す例は、裏面電極１５の周縁に段差を設けたものであり、図１４に示す例は、裏面電極１５を、内周から外周方向に徐々に距離が長くなるように断面円弧状に形成したものである。基板パレット１００に裏面電極１５を取り付ける構成であるため、図１３，１４の例に限らず、裏面電極１５を自由に設計することができる。基板形状によって最適なバイアス電極形状を選択できるのみでなく、バイアス電極と基板との距離も個別に設定することができる。基板径に対する裏面バイアス電極径の調整も可能である。

以上の説明では、本発明の実施の形態として、カルーセル型バイアススパッタリング装置、プラズマエッチング装置および通過成膜タイプのスパッタリング装置を示したが、他のスパッタリング装置やカルーセル型エッチング装置、プラズマクリーニング装置、プラズマ支援型ＣＶＤ装置、原子層蒸着装置等、プラズマを用いて基板処理または成膜する装置で基板にバイアス印加するものであればよく、装置は限定されない。

以上の説明では、裏面電極端子を基板パレット側の突起として構成する例を示したが、プラズマ処理または成膜装置側に設けられた電極端子突起が、基板パレットに設けられたフラットな裏面電極に接触する構成であってもよい。

以上の説明では、バイアス電圧供給用の電源に高周波電源を用いるが、導電性材料を成膜する場合は直流電源を用いてもよい。絶縁性材料を成膜する場合であっても、直流電源を用いてパルスバイアスを印加してもよい。高周波電源と直流電源を重畳してバイアスを印加してもよい。

１ 仕込／取出室
２ スパッタ室
３ ゲートバルブ
４ 回転ドラム
５ 酸化源
６ スパッタカソード
７ カセット
１０ 基板パレット
１１ パレット本体
１２ ハンドル部
１３ 裏面電極アセンブリ
１４ 裏面電極端子
１５ 裏面電極
１６ 金属部材
１７ スペーサ
１８ シールド部材
２０ マルチチャンバ式プラズマエッチング装置
２１ プラズマ処理室
２２ 上部電極
２３ 基板ステージ
２４ ガス導入バルブ
２５ 排気バルブ
２６ 給電コンタクト
２７ 給電ライン
３０ スパッタリング装置
３１ スパッタ室
３２ スパッタカソード
３３ スパッタカソード
３４ 基板パレット搬送機構
３５ 給電ライン
３６ ガス導入バルブ
３７ 排気バルブ
４１ フック
４２ 固定部材
４３ 高周波供給電極
４４ 給電ライン
４５ 押し付け部材
４６ ストッパ

Claims (7)

1. 処理対象の基板が取り付けられ、プラズマ処理装置に前記基板と共に取り付けられる基板パレットであって、
   処理対象の前記基板が取り付けられたときに前記基板の処理対象面とは逆の面側に配置される金属部材に取り付けられるバイアス用の裏面電極と、
   前記金属部材の前記裏面電極とは反対側の面に電気的に接続され、前記基板パレットが前記プラズマ処理装置に取り付けられたときに前記プラズマ処理装置側のバイアス電圧供給用の電源に電気的に接続される裏面電極端子と、
   前記金属部材ならびに前記裏面電極を前記処理対象の前記基板から離隔して前記裏面電極と前記処理対象の前記基板との距離を所定の値に保つスペーサと、
   を備えることを特徴とする基板パレット。
2. 請求項１に記載の基板パレットと、
   前記基板パレットを取り込んでプラズマ処理を施すプラズマ処理室と
   を備え、
   前記プラズマ処理室は、
   前記基板パレットを取り込んだときに前記基板パレットの前記裏面電極端子が当接する給電コンタクトであって、前記バイアス電圧供給用の電源が接続される給電コンタクトと、
   前記プラズマ処理室に、前記基板パレットをひとつずつ取り込んで回転方向に装着する回転ドラムと、
   を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
3. 処理対象の基板が取り付けられる基板パレットと、
   前記基板パレットが装着されるカルーセル型回転ドラムと、
   前記回転ドラムにバイアス電圧供給用の電源が接続される給電コンタクトと、
   を備え、
   前記基板パレットは、
   処理対象の前記基板が取り付けられたときに前記基板の処理対象面とは逆の面側に配置されるバイアス用の裏面電極と、
   前記裏面電極に電気的に接続され、前記基板パレットが前記回転ドラムに取り付けられたときに、前記回転ドラムの前記給電コンタクトに当接する接続部と、
   を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
4. 請求項３に記載のプラズマ処理装置において、
   前記基板パレットは、
   １以上の前記基板が取り付けられる平板状のパレット本体と、
   前記パレット本体から突出し、前記基板パレットを搬送するために前記回転ドラム側のフックにより引っ掛けられるハンドル部と、
   を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 請求項３に記載のプラズマ処理装置において、
   前記基板パレットを取り込んでプラズマ処理を施すプラズマ処理室と、
   前記基板パレットを取り込んだときに前記基板パレットの前記接続部が当接する給電コンタクトであって、前記バイアス電圧供給用の電源が接続される給電コンタクトと、
   前記基板パレットをひとつずつ取り込んで回転方向に装着する回転ドラムと、
   を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 処理対象の基板が取り付けられる基板パレットと、
   前記基板パレットを取り込んでプラズマ処理を施すプラズマ処理室と、
   前記基板パレットを取り込んだときに前記基板パレットの前記接続部が当接する給電コンタクトであって、前記バイアス電圧供給用の電源が接続される給電コンタクトと、
   前記基板パレットをひとつずつ取り込んで回転方向に装着する回転ドラムと、
   を備え、
   前記基板パレットは、
   処理対象の前記基板が取り付けられたときに前記基板の処理対象面とは逆の面側に配置されるバイアス用の裏面電極と、
   前記裏面電極に電気的に接続され、前記基板パレットが前記回転ドラムに取り付けられたときに、前記回転ドラムの前記給電コンタクトに当接する接続部と、
   を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
7. 請求項６に記載のプラズマ処理装置において、
   前記基板パレットは、プラズマを遮蔽するシールド部材をさらに備える、
   ことを特徴とするプラズマ処理装置。

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