CN101609779B

CN101609779B - 聚焦环以及等离子体处理装置

Info

Publication number: CN101609779B
Application number: CN2009101463118A
Authority: CN
Inventors: 南雅人; 佐佐木芳彦
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2008-06-19
Filing date: 2009-06-19
Publication date: 2012-07-04
Anticipated expiration: 2029-06-19
Also published as: JP2010028073A; TW201011829A; CN101609779A; JP5227197B2; TWI501311B; KR20110056465A

Abstract

本发明提供一种聚焦环以及等离子体处理装置，在耐等离子体性和相对于高频电场的屏蔽性双方均优异。该聚焦环是安装在配设于实施等离子体处理的处理室内的电极的周缘部上的、层叠介电常数不同的多个介电体的多层结构聚焦环，介电常数低的低介电常数介电体(6a)被配置在电极(5)一侧，介电常数为低介电常数介电体(6a)的介电常数以上并且比低介电常数介电体(6a)的耐等离子体性高的耐等离子体性介电体(6b)被配置在处理室的处理空间一侧。

Description

聚焦环以及等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及安装在电极的周缘部的聚焦环以及具备安装有该聚焦环的电极的等离子体处理装置。

背景技术

为了对平板等离子体用基板(以下称为FPD用玻璃基板)等的被处理体实施蚀刻等处理而使用等离子体处理装置。

对于等离子体装置而言，例如，如专利文献1中所述，具有对被处理体实施等离子体处理的处理室，在该处理室内，配置有互相相对的上部电极和兼做载置被处理体的载置台的下部电极。向上部电极和下部电极之间施加高频电力从而在上部电极和下部电极之间的处理空间产生等离子体。在下部电极的周缘部安装有用于使高频电场向被处理体的上方集中的聚焦环。聚焦环由陶瓷构成，通常，由氧化铝烧制体构成。氧化铝烧制体具有在耐等离子体性方面优异、并且难以被腐蚀的优点。

【专利文献1】日本特开2003-115476号公报

然而，氧化铝烧制体的相对介电常数为9～10，比较高，相对于高频电场的屏蔽性较弱。因此，若反复进行高频电场的施加，则聚焦环的表面被削减，成为颗粒源。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在耐等离子体性和相对于高频电场的屏蔽性双方均优异的聚焦环以及具有该聚焦环的等离子体处理装置。

为了解决上述问题，本发明的第一方面所涉及的聚焦环，其特征在于：该聚焦环是安装在配设于实施等离子体处理的处理室内的电极的周缘部上的、层叠介电常数不同的多个介电体而形成的多层结构聚焦环，介电常数低的低介电常数介电体被配置在上述电极一侧，介电常数为上述低介电常数介电体的介电常数以上并且比上述低介电常数介电体的耐等离子体性高的耐等离子体性介电体被配置在上述处理室的处理空间一侧。

本发明第二方面所涉及的等离子体处理装置，其特征在于，包括：对被处理体实施等离子体处理的处理室；配置在上述处理室内的上部电极；和在上述处理室内的、与上述上部电极相对配置的、安装有上述第一方面所涉及的聚焦环的下部电极。

根据本发明，能够提供一种在耐等离子体性和相对于高频电场的屏蔽性双方均优异的聚焦环以及具有该聚焦环的等离子体处理装置。

附图说明

图1是简要表示第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的一个例子的截面图。

图2是放大表示聚焦环及其周围的截面图。

图3A是表示第二实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的立体图，

图3B是沿着图3A中的3B-3B线的截面图。

图4是表示接合处(joint)的变形例的立体图。

图5是表示变形例所涉及的接合处应用于第二实施方式的聚焦环时的立体图。

图6是表示第三实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图。

图7是表示第三实施方式所涉及的聚焦环的另一个例子的截面图。

图8是表示第三实施方式所涉及的聚焦环的再一个例子的截面图。

图9是表示第四实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图。

图10是表示第五实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图。

图11是表示第五实施方式所涉及的聚焦环的另一个例子的截面图。

图12是表示参考例所涉及的聚焦环的截面图。

图13是表示第六实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图。

图14是表示第六实施方式所涉及的聚焦环的另一个例子的截面图。

图15是表示第六实施方式所涉及的聚焦环的另一个例子的截面图。

图16是表示第六实施方式所涉及的聚焦环的另一个例子的截面图。

图17是表示第七实施方式所涉及的聚焦环的第一例的截面图。

图18是表示第七实施方式所涉及的聚焦环的第二例的截面图。

图19是表示第七实施方式所涉及的聚焦环的第三例的截面图。

标号说明

2：处理腔室(处理室)；5：基材(下部电极)；5a：凸部；5b：法兰部；6：聚焦环；6a：低介电常数介电体；6a1～6a4：分割部件；6b：耐等离子体性介电体；6b1～6b4：分割部件；7：绝缘环；9：分割部件6a1～6a4的接合处(joint)；10：分割部件6b1～6b4的接合处(joint、knot)；20：喷淋头(上部电极)；51：介电体密封部件；52：介电体隔件(space)；61：耐等离子体性涂覆层

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。对于全部的参照附图，对相同的部分标注相同的参考标号。

第一实施方式

图1是简要表示本发明的第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的一个例子的截面图。

图1所示的等离子体处理装置1是对FPD用玻璃基板G进行规定处理的装置的一个例子，构成为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。此处，作为FPD，例示有液晶显示器(LCD)、场致发光(electroluminescence：EL)显示器、等离子体显示器(PDP)等。

等离子体处理装置1具有成型为角筒形状的处理腔室(处理室)2，该处理腔室2例如由表面经过防蚀氧化处((alumite)阳极氧化处理)的铝构成。在该处理腔室2内的底部设置有用于载置作为被处理基板的玻璃基板G的载置台3。

载置台3经由绝缘部件4被支撑在处理腔室2的底部。载置台3具有导电性的基材5，该导电性的基材5具有凸部5a以及位于该凸部5a的周围的法兰部(凸缘部)5b。对于基材5的周缘部，在本例子中，在法兰部5b上设置有包围凸部5a的周围的框架状(帽檐状)的聚焦环6，而且，在基材5的周围，本例子中是在法兰部5b的侧面，设置有包围法兰部5b的周围的绝缘环7。基材5的表面由绝缘性的涂覆层8所覆盖，例如经铝溅射或者防蚀氧化处理而被覆盖。

基材5与用于供给高频电力的供电线12连接，该供电线12与匹配器13以及高频电源14连接。从高频电源14向载置台3的基材5供给例如频率为13.56MHz的高频电力。由此，基材5起到下部电极的作用。

在上述载置台3的上方，以与该载置台3平行相对的方式设置有作为上部电极的喷淋头20。喷淋头20被支撑在处理腔室2的上部，其内部具有内部空间21并且在与载置台3的相对面上形成有喷出处理气体的多个喷出孔22。该喷淋头20接地，与作为下部电极的载置台3一起构成一对平行平板电极。

在喷淋头20的上面设置有气体导入口24，该气体导入口24与处理气体供给管25连接，该处理气体供给管25与处理气体供给源28连接。此外，在处理气体供给管25上插装有开闭阀26和质量流量控制器27。从处理气体供给源28供给用于等离子体处理例如等离子体蚀刻的处理气体。作为处理气体，可以使用卤素气体、O₂气体、Ar气体、在本领域通常所使用的气体。

在处理腔室2的底部形成有排气管29，该排气管29与排气装置30连接。排气装置30具有涡轮分子泵等的真空泵，由此，构成为能够将处理腔室2内抽真空至规定的减压氛围。

在处理腔室2的侧壁设置有基板搬入搬出口31，该基板搬入搬出口31能够通过门阀32进行开闭。能够在该门阀32处于打开状态下利用搬送装置(图未示出)对FPD用玻璃基板G进行搬入搬出。

图2A是放大表示聚焦环6及其周围的截面图。

如图2A所示，本例子中的聚焦环6为多层结构的聚焦环。多层结构的聚焦环6被安装在法兰部5b以及绝缘环7上。其中，绝缘环7在本例子中表示为组合内侧环7a和外侧环7b而构成的多重绝缘环。在本例子中，作为多层结构的聚焦环6的一个例子，表示出层叠上部介电体和下部介电体而构成的双层结构的聚焦环。

而且，在本例子中，配置在法兰部5b一侧的下部介电体为介电常数较低的低介电常数介电体6a，配置在处理腔室2的处理空间一侧的上部介电体为介电常数在低介电常数介电体6a的介电常数以上并且比低介电常数介电体6a的耐等离子体性高的耐等离子体性介电体6b。

作为耐等离子体性介电体6b的例子，可以列举出耐等离子体性介电体陶瓷，例如氧化铝(alumina)烧制体、多孔质氧化铝烧制体、氧化钇(yttria)烧制体等。氧化铝烧制体的相对介电常数大约为9～10。多孔质氧化铝烧制体的相对介电常数比9～10低，因气孔率的原因大约为3～5。氧化钇烧制体的相对介电常数大约为11。

作为低介电常数介电体6a的例子，可以列举有石英、多孔质陶瓷、氟类树脂等。石英的相对介电常数大约为3～4，对于多孔质陶瓷例如多孔质氧化铝烧制体而言，相对介电常数如上所述大约为3～5，氟类树脂例如四氟乙烯(tetrafluoroethylene)类树脂的相对介电常数大约为2。

作为组合的一个例子，可以列举出在耐等离子体性介电体6b使用氧化铝烧制体的情况下，低介电常数介电体6a使用石英、多孔质陶瓷、氟类树脂。

此外，在耐等离子体性介电体6b使用多孔质氧化铝烧制体的情况下，低介电常数介电体6a也可以使用石英、多孔质陶瓷、氟类树脂。其中，当耐等离子体性介电体6b以及低介电常数介电体6a双方均使用多孔质陶瓷例如使用多孔质氧化铝烧制体的情况下，介电常数相同。介电常数对于耐等离子体性介电体6b和低介电常数介电体6a双方相同也无所谓。但是，在使用相同种类的多孔质陶瓷的情况下，例如对于耐等离子体性介电体6b和低介电常数介电体6a也可以相互改变气孔率。例如，使耐等离子体性介电体6b的气孔率为40％，使低介电常数介电体6a的气孔率为60％。若这样改变气孔率，则例如耐等离子体性介电体6b因为气孔率低而具有良好的耐等离子体性，低介电常数介电体6a因为气孔率高而使相对介电常数变小，从而能够提高高频电场的屏蔽性。

此外，如图2B所示，若耐等离子体性介电体6b的高度比电极面高，厚度增加，则能够进一步提高屏蔽性。

此外，在只重视屏蔽性的情况下，参考标号6b所示的部件可以使用耐等离子体性低的材料，例如使用石英。

这样，根据第一实施方式所涉及的等离子体处理装置1所具备的聚焦环6，低介电常数介电体6a被配置在基材5一侧，此外，介电常数在低介电常数介电体6a的介电常数以上并且耐等离子体性比低介电常数介电体6a高的耐等离子体性介电体6b被配置在处理腔室2的处理空间一侧。通过该结构，能够得到耐等离子体性以及相对于高频电场的屏蔽性双方均优异的聚焦环以及具有该聚焦环的等离子体处理装置。

第二实施方式

图3A是第二实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的立体图，图3B是沿着图3A中的3B-3B线的截面图。

如图3A以及图3B所示，第二实施方式所涉及的聚焦环6，低介电常数介电体6a以及耐等离子体性介电体6b分别为连接多个分割部件6a1～6a4、6b1～6b4形成的分割型。分割型的聚焦环6在FPD用的玻璃基板大型化，一体形成聚焦环6比较困难时有效。

而且，在本例中，在分割型的聚焦环6中，使分割部件6a1～6a4的接合处9的位置与分割部件6b1～6b4的接合处10的位置不同。接合处存在缝隙(间隙)。在进行等离子体处理时，需要向基材5施加高频电力。因此，在分割型的聚焦环6中，容易在接合处产生异常放电。

与此相对，在本例中，接合处9、10的位置在低介电常数介电体6a和耐等离子体性介电体6b上是不同(错开)的。由此，不存在类似于从基材5的表面向着聚焦环6的上方空间呈一条直线伸出的缝隙。所以，与接合处9、10的位置在低介电常数介电体6a和耐等离子体性介电体6b上相一致的聚焦环相比，能够降低引起异常放电的可能性，从而能够提高耐异常放电性。

此外，如图4A以及图4B所示，接合处9、10无论是从表面观察(从Z轴观察)还是从侧面观察(从X轴观察)都呈台阶结构，因此能够提高表面以及侧面的耐异常放电性。

而且，如图4C所示，在沿着图4B的4C-4C线的截面(沿着X轴方向的截面)中，若成为台阶结构，则能够进一步提高表面以及侧面的耐异常放电性。

图5表示的是图4A～图4C所示的接合处的变形例适用于第二实施方式所涉及的聚焦环中的一个例子的立体图。

其中，虽然图未示出，但是图4A至图4C所示的台阶结构也可以分割成其它部件而得到。

第三实施方式

图6是表示第三实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图，图7是表示第三实施方式所涉及的聚焦环的其它例子的截面图。

聚焦环6的低介电常数介电体6a只要配置在基材5一侧即可。因此，例如，如图6所示，低介电常数介电体6a也可以从法兰部5b的上面横跨(遍及、遍布)内侧环7a的上面的整个表面，此外，也可以如图7所示，只配置在法兰部5b的上面。

但是，在图7所示的聚焦环6的情况下，内侧环7a和低介电常数介电体6a的边界面41的位置与法兰部5b的边缘(棱)42相吻合一致。在边界面41存在有缝隙。此外，边缘42为角部。电场易于集中在角部。因此，从聚焦环6的接合处侵入的等离子体有可能以边界面41作为路径在角部42引起异常放电。

当想要降低这种异常放电的可能性的情况下，如上述的图2A以及图2B所示的聚焦环6和图6所示的聚焦环6那样，可以由低介电常数介电体6a覆盖法兰部5b的边缘42之上。

此外，图6所示的聚焦环6与图2所示的聚焦环6相比，在低介电常数介电体6a的相对于凸部5a位于相反侧的外侧面43，是否与耐等离子体性介电体6b的相对于凸部5a位于相反侧的外侧面44相吻合一致这方面，以及外侧面43是否被配置在外侧面44和边缘42之间这方面是不同的。

缝隙也存在于聚焦环6和绝缘环7的边界面。该缝隙通至基材5。若等离子体从该缝隙侵入，则在基材5引起异常放电。

当想要抑制这种基材5的异常放电时，可以将聚焦环6和绝缘环7的边界面所存在的缝隙弯曲成键型(或者键盘型、楔型、钥匙型、销型)或者台阶状。因此，例如，如上述图2所示的聚焦环6那样，低介电常数介电体6a的水平方向的宽度d1比法兰部5b的水平方向的宽度d2宽，并且比耐等离子体性介电体6b的水平方向的宽度特别是底面侧的水平方向的宽度d3狭窄。或者相反，如图8所示，通过使低介电常数介电体6a的水平方向的宽度d1比法兰部5a的水平方向的宽度d2狭窄，来延长等离子体的侵入路径从而产生效果。或者如耐等离子体性介电体6b那样，将外侧面44加工成台阶状。或者通过对这些方案进行组合，将聚焦环6和绝缘环7的边界面按照键型(或者键盘型、楔型、钥匙型、销型)或者台阶状的方式来弯折缝隙。通过使缝隙弯曲，能够妨碍等离子体的侵入或者能够延长侵入路径，从而能够抑制向基材5的异常放电。

此外，例如，在上述图2所示的聚焦环6中，虽然并没有将低介电常数介电体6a的外侧面43加工成台阶状，但是也可以与耐等离子体性介电体6b的外侧面44相同，加工成台阶状。

第四实施方式

图9是第四实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图。

如图9所示，第四实施方式所涉及的聚焦环6与第一实施方式中说明的聚焦环6不同之处在于，在凸部5a的侧面45和低介电常数介电体6a的位于凸部5a一侧的内侧面46之间还具有介电体密封部件51。介电体密封部件51的一个例子为O环(O形环)。

低介电常数介电体6a例如在为一体型的情况下，低介电常数介电体6a与凸部5a嵌合而被安装在基材5上。低介电常数介电体6a与凸部5a之间有必要具有缝隙。该缝隙狭窄的话，例如因为能够抑制异常放电而优选。但是，在保持缝隙狭窄的状态下，若低介电常数介电体6a例如使用类似于石英那种易于破碎的材料(脆性材料)，则在操作(组装)时，有可能导致低介电常数介电体6a发生破损。

当想要降低这种操作中发生的低介电常数介电体6a的破损时，如第四实施方式所涉及的聚焦环6那样，扩宽低介电常数介电体6a和凸部5a之间的缝隙。而且，优选在缝隙部分中安装介电体密封部件51以使间隙消失。

此外，在本例子中，在介电体密封部件51和法兰部5b之间还包括介电体隔件52。

设置介电体隔件52的优点在于：介电体密封部件51例如仅仅是O型环，不能对内侧面46与凸部5a之间的缝隙进行完全密封的情况下，为了能够由介电体填充缝隙(clearance)以及防止低介电常数介电体6a的破损，在使内侧面46和凸部5a之间的缝隙进一步扩大的情况下，也能够由介电体填充缝隙。

作为介电体密封部件51的一个例子，可以列举出氟类橡胶等。作为氟类橡胶例如优选可以使用viton(バィトン)(注册商标)等。氟类橡胶的相对介电常数例如viton(氟橡胶品牌)的相对介电常数大约为2～2.5。若介电体密封部件51使用相对介电常数在耐等离子体性介电体6b的相对介电常数以下的材料，则不会损害高频电场的屏蔽性。

此外，作为介电体隔件52的一个例子，可以列举出氟类树脂等。作为氟类树脂，优选使用四氟乙烯(tetrafluoroethylene)类树脂等。氟类树脂的相对介电常数例如四氟乙烯类树脂的相对介电常数如第一实施方式中所述的，大约为2。介电体隔件52通过使用相对介电常数为耐等离子体性介电体6b的相对介电常数以下的材料，与介电体密封部件51相同，能够不损害高频电场的屏蔽性。

根据该第四实施方式所涉及的聚焦环6，通过在凸部5a的侧面45与低介电常数介电体6a的内侧面46之间进一步包括介电体密封部件51或者介电体密封部件51和介电体隔件52，而能够提高等离子体处理装置的操作性(组装性)。

此外，因为操作性良好，所以使得低介电常数介电体6a的卸载以及安装也变得容易。这在维护的容易化方面也是有效的。

此外，当低介电常数介电体6a例如使用如石英那种易于破碎的物质时，因为能够使缝隙扩宽，所以还能够防止低介电常数介电体6a发生破损。

其中，在本例子中，假定低介电常数介电体6a为一体型的情况进行了说明，但是即便低介电常数介电体6a为分割型，当然也可以使用介电体密封部件51或者介电体密封部件51和介电体隔件52。

第五实施方式

图10是表示第五实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图，图11是表示第五实施方式所涉及的聚焦环的其他例子的截面图。

如图10所示，第四实施方式所涉及的聚焦环6与第一实施方式中说明的聚焦环6的不同点在于，在耐等离子体性介电体6b的面相处理空间一侧的表面上喷镀有耐等离子体性材料，实施有耐等离子体性介电体涂覆层61。

作为耐等离子体性介电体涂覆层61所使用、喷镀的耐等离子体性材料的例子，可以列举出氧化钇(例如Y₂O₃)、氟化钇(例如YF₃)、氧化铝(例如Al₂O₃)。

通过这样在耐等离子体性介电体6b的面向处理空间侧的表面上实施耐等离子体性介电体涂覆层61，能够进一步提高聚焦环6的耐等离子体性。

此外，当已实施耐等离子体性介电体涂覆层61时，如图11所示，还能够排除耐等离子体性介电体6b而只留下低介电常数介电体6a。此时，聚焦环6的大致全体只由介电常数低的材料例如石英、多孔质陶瓷、氟类树脂构成，聚焦环6本身的介电常数变低，能够提高相对于高频电场的屏蔽性。

第六实施方式

在上述实施方式中，通过将低介电常数介电体6a配置在基材5一侧，将耐等离子体性介电体6b配置在处理腔室2的处理空间一侧，如图12所示，能够减弱从基材5的凸部5a的底面47向着垂直方向的电场Ev的影响，能够提高相对于高频电场的屏蔽性。然而，屏蔽性提高、向着垂直方向的电场Ev减弱的结果是，相反，从凸部5a的侧面45向着斜向的电场Ei增强，聚焦环6有可能产生局部削减，例如，图12中，参考标号67所示那样，向着斜向的电场Ei作用最强的部分有可能产生削减。当想要抑制这种削减时，优选使用该第六实施方式所涉及的聚焦环。

图13表示的是第六实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图，图14至图16表示的是第六实施方式所涉及的聚焦环的其它例子的截面图。

如图13所示，第六实施方式所涉及的聚焦环6与第一实施方式中所说明的聚焦环6的不同点在于，在耐等离子体性介电体6b的上面设置有框架状的电场屏蔽块部件71。电场屏蔽块部件71设置在耐等离子体性介电体6b的上面中的、向着斜向的电场Ei作用最强的部分67上。在本例子中，部分67存在于耐等离子体性介电体6b的上面中的、凸部5a的底面47的上方并且离开玻璃基板G的周缘的场所。

这样，通过在耐等离子体性介电体6b的上面中的、电场Ei作用最强的部分67上设置电场屏蔽块部件71，能够在部分67上使耐等离子体性介电体6b的厚度变厚。电场屏蔽块部件71的材料优选是与耐等离子体性介电体6b相同的材料。

根据第六实施方式所涉及的聚焦环6，通过进一步设置电场屏蔽块部件71，能够使耐等离子体性介电体6b的厚度变厚，能够减弱向着斜向的电场Ei。

由此，能够得到下述的聚焦环以及具有该聚焦环的等离子体处理装置：该聚焦环当通过低介电常数介电体增强电场的屏蔽性时，能够抑制聚焦环6发生局部削减，耐等离子体性以及相对于高频电场的屏蔽性两者均优异，并且，特别是相对于高频电场的屏蔽性得到进一步提高。

此外，电场屏蔽块部件71除呈框架状部分地设置在部分67上及其附近之外，还可以如图14所示，呈框架状设置在部分67上以及从其附近覆盖至聚焦环6的外缘。此时，与部分地设置电场屏蔽块部件71的情况相比，能够得到下述优点，即，还能够减弱向着垂直方向的电场Ev。

而且，如图15所示，也可以在图14(或者图13)所示的聚焦环6中的、没有被电场屏蔽块部件71所覆盖的耐等离子体性介电体6b的处理空间一侧的露出面68上，例如通过喷镀来实施耐等离子体性介电体涂覆层61。

此外，如图16所示，耐等离子体性介电体涂覆层61也可以进一步实施在电场屏蔽块部件71内侧(玻璃基板G侧)的表面上。

其中，耐等离子体性介电体涂覆层61的材料的例子可以为与第五实施方式中说明的例子相同的材料。

这样，通过在露出面68上实施耐等离子体性介电体涂覆层61或者在露出面68上和电场屏蔽块部件71内侧表面上实施耐等离子体性介电体涂覆层61，能够进一步提高第六实施方式所涉及的聚焦环6的相对于高频电场的屏蔽性。

此外，通过这样在露出面68上或者在露出面68上和电场屏蔽块部件71内侧表面上部分地实施耐等离子体性介电体涂覆层61，与在聚焦环6的整个表面上实施耐等离子体性介电体涂覆层61的情况相比，能够得到下述优点，即，能够廉价地得到：能最小限度地抑制高价的耐等离子体材料的使用量，耐等离子体性以及相对于高频电场的屏蔽性双方均优异，并且特别是能够进一步提高相对于高频电场的屏蔽性的聚焦环。

第七实施方式

第七实施方式与第六实施方式相同，涉及能够减弱向着斜向的电场Ei的聚焦环。

作为减弱向着斜向的电场Ei的方法，除设置电场屏蔽块部件71的方法之外，也可以考虑对低介电常数介电体6a的形状进行设计研究的方法。第七实施方式就是对低介电常数介电体6a的形状进行设计研究来减弱向着斜向的电场Ei的例子。

图17是表示第七实施方式所涉及的聚焦环的第一个例子的截面图。

如图17所示，第一例所涉及的聚焦环6与第一实施方式所说明的聚焦环6的不同处在于，低介电常数介电体6a的厚度从其外周向着凸部5a的侧面45慢慢变厚。

根据第一例，通过使低介电常数介电体6a的厚度从其外周向着凸部5a的侧面45慢慢变厚，能够使用低介电常数介电体6a更加广阔地覆盖凸部5a的侧面45。换句话说，在侧面45和耐等离子体性介电体6b之间插装有低介电常数介电体6a。

这样，通过利用低介电常数介电体6a更加广阔地覆盖侧面45，能够减弱向着斜向的电场Ei，能够得到与上述第六实施方式相同的优点。

图18是第七实施方式所涉及的聚焦环的第二例的截面图。

如图18所示，第二例所涉及的聚焦环6与图17所示的第一例所涉及的聚焦环6的不同之处在于，低介电常数介电体6a的厚度在凸部5a的侧面45附近呈台阶状地变厚。

这样，使得侧面45被低介电常数介电体6a更加广阔地覆盖，从而能够减弱向着斜向的电场Ei。

其中，在图18所示的第二例中，低介电常数介电体6a的厚度以一层台阶变厚，但是，对于低介电常数介电体6a的厚度而言，可以从其外周向着凸部5a的侧面45以台阶状增加厚度。

如图19所示，第三例所涉及的聚焦环6与图17所示的第一例所涉及的聚焦环6的不同之处在于，使凸部5a的侧面45的下部凹陷，在该凹陷的部分内形成低介电常数介电体6a。

根据第三例，在凸部5a的侧面45的下部和耐等离子体性介电体6b之间，插装有低介电常数介电体6a。因此，与第一例所涉及的聚焦环6相同，能够减弱向着斜向的电场Ei，能够得到与上述第六实施方式相同的优点。

以上，通过若干实施方式对本发明进行了说明，但是本发明并不局限于上述的实施方式，可以对其进行种种变形。

例如，在上述实施方式中，对本发明适用于FPD用的玻璃基板的等离子体处理的情况进行了表示，但是并不局限于此，对于其它种种的基板也能够适用。

此外，聚焦环的介电体的层叠数在图2至图6、图8所示中为两层或者如图7所示那样例示为三层，但是介电体的层叠数并不局限于两层、三层。

此外，聚焦环的分割数如图3所示，为四分割，但是聚焦环的分割数并不局限于四分割。

而且，可以对上述几个实施方式及进行任意地组合来进行实施。

Claims

1.一种聚焦环，其特征在于：

该聚焦环是安装在配设于实施等离子体处理的处理室内的电极的周缘部上且层叠介电常数不同的多个介电体而形成的多层结构的聚焦环，其中，

介电常数低的低介电常数介电体被配置在所述电极一侧，

介电常数为所述低介电常数介电体的介电常数以上并且耐等离子体性比所述低介电常数介电体的耐等离子体性高的耐等离子体性介电体被配置在所述处理室的处理空间一侧。

2.如权利要求1所述的聚焦环，其特征在于：

所述低介电常数介电体以及所述耐等离子体性介电体为分别连接多个分割部件的分割型，

所述分割部件的接合处的位置在所述低介电常数介电体和所述耐等离子体性介电体上不同。

3.如权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于：

所述电极具有凸部以及在该凸部周围的法兰部，

所述低介电常数介电体覆盖在所述法兰部的边缘上。

4.如权利要求3所述的聚焦环，其特征在于：

所述低介电常数介电体的水平方向的宽度比所述法兰部的水平方向的宽度宽或者窄，并且比所述耐等离子体性介电体的水平方向的宽度窄。

5.如权利要求1所述的聚焦环，其特征在于：

在所述聚焦环的外侧还具有绝缘环，

所述聚焦环和所述绝缘环的边界面为键型或者台阶状。

6.如权利要求5所述的聚焦环，其特征在于：

所述绝缘环为多重构造。

7.如权利要求3所述的聚焦环，其特征在于：

在所述凸部的侧面和所述低介电常数介电体的位于所述凸部一侧的内侧面之间还具有介电体密封部件。

8.如权利要求7所述的聚焦环，其特征在于：

所述介电体密封部件的介电常数在所述耐等离子体性介电体的介电常数以下。

9.如权利要求7所述的聚焦环，其特征在于：

在所述介电体密封部件与所述法兰部之间还包括介电体隔件。

10.如权利要求9所述的聚焦环，其特征在于：

所述介电体隔件的介电常数在所述耐等离子体性介电体的介电常数以下。

11.如权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于：

所述电极被施加有高频。

12.如权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于：

所述低介电常数介电体为多孔质介电体。

13.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

对被处理体实施等离子体处理的处理室；

配置在所述处理室内的上部电极；和

在所述处理室内与所述上部电极相对配置的、安装有权利要求1或权利要求2所述的聚焦环的下部电极。