CN101559627A - 粒子束辅助单晶脆性材料超精密加工方法 - Google Patents

粒子束辅助单晶脆性材料超精密加工方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于利用表面改性进行超精密切削加工的新技术，具体讲涉及质子束辅助脆性材料超精密加工方法。本发明一种基于质子束照射靶材表面改性辅助加工的超精密加工技术，能显著提高超精密加工脆性材料的加工精度和表面粗糙度，大幅度降低刀具的磨损。本发明采用的技术方案是：包括下列步骤：a)利用仿真软件按照切深、表面粗糙度或其他加工要求对加工参数进行模拟；b)使用粒子束轰击或照射待加工单晶脆性材料表面，施以模拟结果所得的能量和剂量；c)利用超精密切削技术对粒子束轰击后的单晶材料进行超精密切削加工；d)测试表征加工后的材料表面质量，对比加工表面质量改善情况。本发明主要用于单晶脆性材料的加工。

Description

粒子束辅助单晶脆性材料超精密加工方法
技术领域
本发明属于利用表面改性进行超精密切削加工的新技术，具体涉及粒子束辅助脆性材料超精密加工方法。
背景技术
超精密加工是为了适应国防及国民经济快速发展的需求而发展起来的高精度加工技术。超精密加工包括超精密车削、超精密磨削及研磨和抛光等。对于单晶脆性材料(如单晶硅)的超精密加工中，由于材料的硬脆特点，被加工表面呈脆裂状态，严重影响加工质量和精度。
如何减小或消除脆性材料加工过程中的脆裂现象，提高超精密加工的加工精度和表面粗糙度，一直是超精密加工领域的研究焦点。
发明内容
为克服现有技术的不足，本发明的目的在于：提出一种基于粒子束照射靶材表面改性辅助加工的超精密加工技术，能显著提高超精密加工脆性材料的加工精度和表面粗糙度，大幅度降低刀具的磨损。本发明采用的技术方案是：包括下列步骤：
a)利用仿真软件按照切深、表面粗糙度或其他加工要求对加工参数进行模拟；
b)使用粒子束轰击或照射待加工单晶脆性材料表面，施以模拟结果所得的能量和剂量；
c)利用超精密切削技术对粒子束轰击后的单晶材料进行超精密切削加工；
d)测试表征加工后的材料表面质量，对比加工表面质量改善情况。
其中模拟使用的软件是SRIM具有仿真功能的软件。
粒子束为质子束或He氦离子束。
所述的切削加工深度小于粒子束轰击或照射的深度。
所述的单晶脆性材料是单晶硅或单晶锗。
所述的超精密加工方法为超精密切削加工法。
本发明可以带来以下效果：
首先，本发明使用一定剂量粒子束轰击(照射)时间待加工表面一定时间，在粒子束的作用下，表面待加工层的结构发生变化，使材料表面的塑性性能提高，有效减少加工中脆裂现象的发生，从而达到了提高超精密加工表面的加工精度和表面粗糙度、降低刀具磨损的目的。这种方法灵活、方便，可以从加工机理上根本性减小超精密加工脆性材料时表面脆裂对加工表面粗糙度的影响，提高表面质量，并减小刀具磨损。
其次，这种方法灵活、方便。可以根据加工深度和加工材料，适当选择粒子束轰击(照射)的剂量和时间。
附图说明
图1质子束(H+)对脆性材料轰击(照射)(a)未进行质子束轰击(照射)的脆性材料(b)进行质子束轰击(照射)后的脆性材料(c)刀具加工未进行质子束轰击(照射)的脆性材料，产生裂纹(d)刀具加工进行质子束轰击(照射)后的脆性材料，未产生裂纹。
图2质子束轰击(照射)的SRIM仿真，使用质子轰击硅基底，采用相同剂量的质子。从仿真结果可以看出，质子束轰击(照射)程度、深度等是可控的。(a)加速电压200KeV(b)加速电压50KeV。
具体实施方式
加工单晶脆性材料(如单晶硅)。首先，依据理论研究及仿真分析对质子轰击不同加工参数(质子束的剂量、施加电压值、轰击(照射)时间)进行研究，获得最优化参数。其次，将样品置于质子发生器中，使用质子束轰击(照射)待加工表面，按照加工要求(切深等)，施以一定的质子剂量及轰击(照射)时间。在质子束的作用下，表面待加工层的单晶结构发生变化，产生由单晶向多晶甚至非晶形态的转变，使材料表面的塑性性能提高，有效减少加工中脆裂现象的发生，从而达到了提高超精密加工表面的加工精度和表面粗糙度的目的。
单晶脆性材料的单晶向多晶甚至非晶形态的转变，降低了材料的脆性，也降低了刀具的磨损。
下面结合附图和实施例进一步说明本发明。
本发明使用质子束轰击(照射)工件表面辅助加工以获得超光滑表面的超精密加工技术，包括下列步骤：
(1)利用仿真软件按照加工要求(切深等)对加工参数进行模拟；
(2)使用质子束轰击(照射)待加工单晶脆性材料表面，施以模拟结果所得的剂量；
(3)使用单晶金刚石刀具对质子束轰击(照射)后的单晶脆性材料进行切削加工；
(4)测试加工表面质量等。
所述的使用质子束轰击(照射)工件表面辅助加工以获得超光滑表面的超精密加工技术，其中的步骤(1)中，使用的软件是SRIM或其他具有类似仿真功能的软件。
所述的使用质子束轰击(照射)工件表面辅助加工以获得超光滑表面的超精密加工技术，其中的步骤(2)说采用的是质子束，其剂量和加工时间是可控的，并且这种技术不仅局限于质子，也可以使用其他粒子(例如He离子等)实现。
其中的步骤(3)中，所述的切削加工深度小于质子束轰击(照射)深度。
所述的待加工材料为单晶脆性材料，如单晶硅，单晶锗等。
本实施例单晶脆性材料采用单晶硅。
(1)利用SRIM仿真软件按照加工要求(切深等)对加工参数进行模拟，模拟结果：质子束的轰击剂量1016/cm2、施加电压值2MeV，SRIM见http://www.srim.org/。
(2)使用质子束轰击(照射)待加工表面，施以模拟结果所得的剂量1016/cm2及施加电压值2MeV
(3)使用单晶金刚石刀具对质子束轰击(照射)后的单晶硅Si材料进行切削加工，切削深度3μm，进给速度0.5mm/min，切削速度50m/min。单晶硅也可为单晶锗。
(4)测得经过超精密切削加工的单晶Si表面粗糙度Ra约为10nm。
以上实施步骤仅为说明本发明的技术思想及特点，使本技术能更容易理解并加以实施，但本发明的范围并不局限与上述的具体实施步骤，即凡依照本发明所揭示的精神所做的同等变化或修饰，仍涵盖在本发明的保护范围。

Claims (5)

1、一种粒子束辅助单晶脆性材料超精密加工方法，其特征是，包括下列步骤：
a)利用仿真软件按照切深、表面粗糙度或其他加工要求对加工参数进行模拟；
b)使用粒子束轰击或照射待加工单晶脆性材料表面，施以模拟结果所得的能量和剂量；
c)利用超精密切削技术对粒子束轰击后的单晶材料进行超精密切削加工；
d)测试表征加工后的材料表面质量，对比加工表面质量改善情况。
2、根据权利要求1所述的一种粒子束辅助脆性材料超精密加工方法，其特征是，其中模拟使用的软件是SRIM具有仿真功能的软件。
3、根据权利要求1所述的一种粒子束辅助脆性材料超精密加工方法，其特征是，粒子束为质子束或He氦离子束。
4、根据权利要求1所述的一种粒子束辅助脆性材料超精密加工方法，其特征是，所述的切削加工深度小于粒子束轰击或照射的深度。
5、根据权利要求1所述的一种粒子束辅助脆性材料超精密加工方法，其特征是，所述的单晶脆性材料是单晶硅或单晶锗。
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EP10774111.8A EP2298521A4 (en) 2009-05-25 2010-05-07 Proton beam assisted ultraprecise processing method for processing single-crystal fragile material
JP2012511130A JP5616961B2 (ja) 2009-05-25 2010-05-07 イオンビームアシストによる単結晶脆性材料の超精密加工方法
PCT/CN2010/072522 WO2010135949A1 (zh) 2009-05-25 2010-05-07 单晶脆性材料粒子束辅助超精密加工方法
US13/159,811 US8897910B2 (en) 2009-05-25 2011-06-14 Particle beam-assisted ultra-precision machining method for single-crystal brittle materials

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120012563A1 (en) * 2009-05-25 2012-01-19 Fengzhou Fang Particle beam-assisted ultra-precision machining method for single-crystal brittle materials
CN102990480A (zh) * 2012-12-19 2013-03-27 中国人民解放军国防科学技术大学 基于离子束抛光的光学元件表面清洗方法
CN103084814A (zh) * 2013-01-18 2013-05-08 天津大学 一种锋利刃口微刀具的制造方法
CN107042591A (zh) * 2017-05-09 2017-08-15 天津大学 基于高能离子辐照电离损伤的晶体材料超精密加工方法
CN107199642A (zh) * 2017-05-19 2017-09-26 天津大学 一种晶体材料超精密车削加工损伤控制方法
CN108723897A (zh) * 2018-05-31 2018-11-02 西安理工大学 单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法
CN110434448A (zh) * 2019-08-09 2019-11-12 苏州大学 硬脆性材料的表层织构化处理辅助加工方法
CN115008324A (zh) * 2022-05-24 2022-09-06 河北工业大学 一种适用于转向精密磨研的超硬材料的筛选方法及加工方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO337760B1 (no) * 2013-03-18 2016-06-13 Tco As Anordning ved brønnplugg
JP5683640B2 (ja) * 2013-05-20 2015-03-11 日本航空電子工業株式会社 刃物工具
BE1025897B1 (nl) * 2018-01-12 2019-08-12 Mp Group Nv Diervoeder systeem voor het afgeven van water of diervoeder
US20220266400A1 (en) * 2019-08-01 2022-08-25 Sumitomo Electric Hardmetal Corp. Method for manufacturing a cutting tool, and the cutting tool
CN112285140B (zh) * 2020-10-20 2022-01-28 北京航空航天大学 一种单晶超高周疲劳内部裂纹早期扩展速率定量表征方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0635072B2 (ja) * 1986-03-26 1994-05-11 新技術事業団 人工ダイヤモンド膜の切断加工方法
JP2569139B2 (ja) * 1988-08-24 1997-01-08 株式会社日立製作所 イオンビーム加工方法
JPH04167985A (ja) * 1990-10-31 1992-06-16 Nagasaki Pref Gov ウェハの割断方法
JP2662321B2 (ja) * 1991-05-31 1997-10-08 科学技術振興事業団 超低速クラスターイオンビームによる表面処理方法
JP2004155653A (ja) * 1993-03-10 2004-06-03 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの研磨方法
JP3363587B2 (ja) * 1993-07-13 2003-01-08 キヤノン株式会社 脆性材料の加工方法及びその装置
CN1053764C (zh) * 1994-12-09 2000-06-21 中国科学院微电子中心 束致变蚀方法
US6426507B1 (en) * 1999-11-05 2002-07-30 Energy Sciences, Inc. Particle beam processing apparatus
JP2002222777A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2003257981A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンウェーハの製造方法
CN1512602A (zh) * 2002-12-30 2004-07-14 �廪��ѧ 制作高温超导器件的表面改性方法
JP4468643B2 (ja) * 2003-03-20 2010-05-26 株式会社ワイ・ワイ・エル 切断方法
JP2004299018A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Japan Science & Technology Agency ＳｉＣ単結晶基板等の研磨による超平滑結晶面形成方法
DE10351059B4 (de) * 2003-10-31 2007-03-01 Roth & Rau Ag Verfahren und Vorrichtung zur Ionenstrahlbearbeitung von Oberflächen
US7173212B1 (en) * 2004-02-13 2007-02-06 Semak Vladimir V Method and apparatus for laser cutting and drilling of semiconductor materials and glass
CN100337133C (zh) * 2005-05-31 2007-09-12 哈尔滨工业大学 光致发光薄膜及其辐照改性的制备方法
KR100858983B1 (ko) * 2005-11-16 2008-09-17 가부시키가이샤 덴소 반도체 장치 및 반도체 기판 다이싱 방법
DE102006002903A1 (de) * 2006-01-20 2007-08-02 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zur Behandlung eines Sauerstoff enthaltenden Halbleiterwafers und Halbleiterbauelement
CN100453240C (zh) * 2006-06-12 2009-01-21 宁波赛盟科技发展有限公司 一种多功能连续剖分机
DE102006028718B4 (de) * 2006-06-20 2008-11-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterwafern zu Halbleiterchips
JP4873467B2 (ja) * 2006-07-27 2012-02-08 独立行政法人産業技術総合研究所 オフ角を有する単結晶基板の製造方法
JP2008147412A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェハ，半導体装置及び半導体ウェハの製造方法ならびに半導体装置の製造方法
EP1986230A2 (en) * 2007-04-25 2008-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing SOI substrate and method of manufacturing semiconductor device
JP2009061112A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc 超音波探触子および超音波撮像装置
JP5548351B2 (ja) * 2007-11-01 2014-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5688203B2 (ja) * 2007-11-01 2015-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の作製方法
JP2009260315A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｓｏｉ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
CN101559627B (zh) * 2009-05-25 2011-12-14 天津大学 粒子束辅助单晶脆性材料超精密加工方法
US8806995B2 (en) * 2009-09-08 2014-08-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High-precision micro/nano-scale machining system
US8624185B2 (en) * 2010-09-17 2014-01-07 Carl Zeiss Microscopy, Llc Sample preparation
CN102476405A (zh) * 2010-11-23 2012-05-30 大连创达技术交易市场有限公司 一种通过粒子束提高精密加工精度的方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120012563A1 (en) * 2009-05-25 2012-01-19 Fengzhou Fang Particle beam-assisted ultra-precision machining method for single-crystal brittle materials
US8897910B2 (en) * 2009-05-25 2014-11-25 Tianjin University Particle beam-assisted ultra-precision machining method for single-crystal brittle materials
CN102990480A (zh) * 2012-12-19 2013-03-27 中国人民解放军国防科学技术大学 基于离子束抛光的光学元件表面清洗方法
CN102990480B (zh) * 2012-12-19 2015-03-18 中国人民解放军国防科学技术大学 基于离子束抛光的光学元件表面清洗方法
CN103084814A (zh) * 2013-01-18 2013-05-08 天津大学 一种锋利刃口微刀具的制造方法
CN107042591A (zh) * 2017-05-09 2017-08-15 天津大学 基于高能离子辐照电离损伤的晶体材料超精密加工方法
CN107199642A (zh) * 2017-05-19 2017-09-26 天津大学 一种晶体材料超精密车削加工损伤控制方法
CN108723897A (zh) * 2018-05-31 2018-11-02 西安理工大学 单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法
CN110434448A (zh) * 2019-08-09 2019-11-12 苏州大学 硬脆性材料的表层织构化处理辅助加工方法
CN115008324A (zh) * 2022-05-24 2022-09-06 河北工业大学 一种适用于转向精密磨研的超硬材料的筛选方法及加工方法

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