JPH0635072B2 - 人工ダイヤモンド膜の切断加工方法 - Google Patents
人工ダイヤモンド膜の切断加工方法Info
- Publication number
- JPH0635072B2 JPH0635072B2 JP61067630A JP6763086A JPH0635072B2 JP H0635072 B2 JPH0635072 B2 JP H0635072B2 JP 61067630 A JP61067630 A JP 61067630A JP 6763086 A JP6763086 A JP 6763086A JP H0635072 B2 JPH0635072 B2 JP H0635072B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond film
- artificial diamond
- cutting
- artificial
- cutting method
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、放熱を要する半導体素子の放熱体として用い
る人工ダイヤモンド膜の切断方法に関するものである。
る人工ダイヤモンド膜の切断方法に関するものである。
本発明の概要を以下に述べる。
本発明は、放熱を要する半導体素子の放熱体として用い
る人工ダイヤモンド膜の切断加工において、切断用工具
寿命を向上させる事を目的に、切断加工部を予めレーザ
ー光線を照射することにより、人工ダイヤモンドを選択
的に炭化させた後該炭化部分に切断加工を施す事により
コストダウンする発明である。
る人工ダイヤモンド膜の切断加工において、切断用工具
寿命を向上させる事を目的に、切断加工部を予めレーザ
ー光線を照射することにより、人工ダイヤモンドを選択
的に炭化させた後該炭化部分に切断加工を施す事により
コストダウンする発明である。
従来、シリコン、炭化ケイ素、酸化アルミ、窒化ケイ
素、窒化ホウ素、等の人工ダイヤモンド膜合成用基板上
に、低圧気相合成法等によって合成付着せしめた人工ダ
イヤモンド膜の切断加工は、放電現象を付加した研削
法、放電及び電解現象を付加した研削法、又はダイヤモ
ンド砥石を用いる一般研削法等が実施されていた。
素、窒化ホウ素、等の人工ダイヤモンド膜合成用基板上
に、低圧気相合成法等によって合成付着せしめた人工ダ
イヤモンド膜の切断加工は、放電現象を付加した研削
法、放電及び電解現象を付加した研削法、又はダイヤモ
ンド砥石を用いる一般研削法等が実施されていた。
周知のようにダイヤモンドは非常に高い硬度を有する為
に、従来研削法では工具の寿命が著しく短い為、その加
工コストが製品コストに示める割合が４５〜５０％もあ
り、製品のコストダウン化の大きな障害となっていた。
に、従来研削法では工具の寿命が著しく短い為、その加
工コストが製品コストに示める割合が４５〜５０％もあ
り、製品のコストダウン化の大きな障害となっていた。
本発明は人工ダイヤモンド膜の切断加工時の加工工具寿
命を向上させ、切断加工事の加工コストを低減させる事
を目的としたものである。すなわち、人工ダイヤモンド
膜合成用基板上に人工ダイヤモンド膜を合成付着せしめ
た２層構造体において、直径約１インチから直径約６イ
ンチの大きさの人工ダイヤモンド膜を約１mm角の製品形
状に分割切断するのに際し、従来の如く、直接人工ダイ
ヤモンド膜を切断刃具で加工するのではなく、少なくと
も切断刃具の厚さ以上のビーム径を有したAr、He-Ne、C
O2等のレーザー光線を、切断加工を施さんとする部分に
照射する事により、照射を受けた人工ダイヤモンド膜を
部分的に炭化させグラファイトに変える。その後、炭化
した人工ダイヤモンド膜部に従来通りの方法で切断加工
する事を基本的構成とする。周知のように、人工、天然
を問わずダイヤモンドは、大気中で約１５００℃に加熱
することにより炭化しグラファイトとなる。また一般
に、前記のレーザー光線を照射すると照射部分の温度は
２０００℃以上になるので、ダイヤモンドをグラファイ
トに変えるには十分の温度上昇が得られる事は自明であ
る。
命を向上させ、切断加工事の加工コストを低減させる事
を目的としたものである。すなわち、人工ダイヤモンド
膜合成用基板上に人工ダイヤモンド膜を合成付着せしめ
た２層構造体において、直径約１インチから直径約６イ
ンチの大きさの人工ダイヤモンド膜を約１mm角の製品形
状に分割切断するのに際し、従来の如く、直接人工ダイ
ヤモンド膜を切断刃具で加工するのではなく、少なくと
も切断刃具の厚さ以上のビーム径を有したAr、He-Ne、C
O2等のレーザー光線を、切断加工を施さんとする部分に
照射する事により、照射を受けた人工ダイヤモンド膜を
部分的に炭化させグラファイトに変える。その後、炭化
した人工ダイヤモンド膜部に従来通りの方法で切断加工
する事を基本的構成とする。周知のように、人工、天然
を問わずダイヤモンドは、大気中で約１５００℃に加熱
することにより炭化しグラファイトとなる。また一般
に、前記のレーザー光線を照射すると照射部分の温度は
２０００℃以上になるので、ダイヤモンドをグラファイ
トに変えるには十分の温度上昇が得られる事は自明であ
る。
以上より、部分的に炭化されグラファイト化された人工
ダイヤモンド膜部の硬度は、炭化される前の硬度の１／
２０〜１／５０と低く、切断加工時の切削抵抗が大きく
低減されるので、本発明に従えば、加工性の向上及び加
工工具寿命の大幅な向上を得る事が出来るのである。
ダイヤモンド膜部の硬度は、炭化される前の硬度の１／
２０〜１／５０と低く、切断加工時の切削抵抗が大きく
低減されるので、本発明に従えば、加工性の向上及び加
工工具寿命の大幅な向上を得る事が出来るのである。
以下に本発明の代表的実施例を記す。
厚さ約６００μｍ、直径３インチのSi単結晶を人工ダイ
ヤモンド膜合成用基板として用い、本基板上に、マイク
ロ波プラズマＣＶＤ法により、厚さ約１２μｍの人工ダ
イヤモンド膜を合成付着せしめた後に、人工ダイヤモン
ド膜上に、直径３０μｍのビーム径を有するArレーザー
光線を間隔１mmの基盤目状に照射し、本照射部分を、厚
み２５μｍのダイヤモンド砥石にて前記同様に基盤目状
に切り込み５０μｍ、加工スピード５０mm／SECで切断
した。
ヤモンド膜合成用基板として用い、本基板上に、マイク
ロ波プラズマＣＶＤ法により、厚さ約１２μｍの人工ダ
イヤモンド膜を合成付着せしめた後に、人工ダイヤモン
ド膜上に、直径３０μｍのビーム径を有するArレーザー
光線を間隔１mmの基盤目状に照射し、本照射部分を、厚
み２５μｍのダイヤモンド砥石にて前記同様に基盤目状
に切り込み５０μｍ、加工スピード５０mm／SECで切断
した。
以上の加工を繰り返し、ダイヤモンド砥石の目こぼれに
よる寿命を調べた所、加工距離８６０ｍ以上の寿命があ
った。この値は従来法の５０ｍに対し約１７倍の値を示
すもので寿命が大幅に向上した。
よる寿命を調べた所、加工距離８６０ｍ以上の寿命があ
った。この値は従来法の５０ｍに対し約１７倍の値を示
すもので寿命が大幅に向上した。
以上の実施例にも示したように、本発明方法に従った切
断方法における加工工具寿命は従来法の１０倍以上に向
上するものであり、製品のコストダウン化に与える効果
及び工業的利用価値は大きい。
断方法における加工工具寿命は従来法の１０倍以上に向
上するものであり、製品のコストダウン化に与える効果
及び工業的利用価値は大きい。
Claims (1)
- 【請求項１】人工ダイヤモンド膜合成用基板と人工ダイ
ヤモンド膜からなる２層構造体において、人工ダイヤモ
ンド膜をレーザー光線により選択的にグラファイト化さ
せた後、該グラファイト化部分に研削加工を施す事を特
徴とする人工ダイヤモンド膜の切断加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61067630A JPH0635072B2 (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 人工ダイヤモンド膜の切断加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61067630A JPH0635072B2 (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 人工ダイヤモンド膜の切断加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62224487A JPS62224487A (ja) | 1987-10-02 |
| JPH0635072B2 true JPH0635072B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=13350495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61067630A Expired - Lifetime JPH0635072B2 (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 人工ダイヤモンド膜の切断加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0635072B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338667B1 (ko) * | 2000-01-28 | 2002-05-30 | 박호군 | 레이저를 이용한 다이아몬드 막의 가공 방법 |
| CN101559627B (zh) * | 2009-05-25 | 2011-12-14 | 天津大学 | 粒子束辅助单晶脆性材料超精密加工方法 |
| CN105397924B (zh) * | 2015-12-17 | 2017-06-20 | 厦门倍联矿山机械有限公司 | 石材切割刀具的改进结构 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6054151B2 (ja) * | 1982-10-22 | 1985-11-28 | 株式会社東芝 | レ−ザ切断方法 |
-
1986
- 1986-03-26 JP JP61067630A patent/JPH0635072B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62224487A (ja) | 1987-10-02 |
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