CN101552241A - 阵列基板及其制造方法和液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示装置。该方法包括：在衬底基板已形成的钝化层上、在设定温度下沉积a型氧化铟锡，并结晶形成聚乙烯型氧化铟锡晶粒；采用构图工艺形成像素电极的透过区和反射区，并刻蚀掉反射区的a型氧化铟锡而露出聚乙烯型氧化铟锡晶粒；在反射区的聚乙烯型氧化铟锡晶粒上形成金属膜。该阵列基板的钝化层上还设置有同层设置的透过膜和反射膜作为像素电极，透过膜的材质为含有聚乙烯型氧化铟锡晶粒的a型氧化铟锡；反射膜包括聚乙烯型氧化铟锡晶粒和覆盖在聚乙烯型氧化铟锡晶粒上的金属膜。该液晶显示装置采用本发明的阵列基板。本发明改善了液晶显示装置反射膜的反射效果，且能提高生产效率，降低生产成本。

Description

阵列基板及其制造方法和液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示装置，尤其涉及一种适用于半透过型液晶显示装置的阵列基板和该阵列基板的制造方法，以及采用该阵列基板的液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置因其体积轻薄、耗电量低等诸多优点，逐渐成为主流的显示装置，特别是薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，以下简称TFT-LCD)，是目前液晶显示装置中的常见类型。
液晶显示装置是依靠液晶对光的透过性能来显示图像的，液晶自身不发光，所以需要外部提供光源。按照光源的不同，液晶显示装置可分为透过型、反射型和半透过型。透过型液晶显示装置是在阵列基板下设置背光灯，由背光灯为液晶层提供光源。反射型液晶显示装置是设置反射膜来代替背光灯，通过反射膜表面反射外界环境射入的光，将光线反射入液晶层从而提供光源。半透过型液晶显示装置是上述两种类型的结合，在阵列基板上设置部分区域为透过区，并在另外的部分区域设置反射膜以形成反射区，则使用时，既可以通过背光灯从透过区提供光源，避免对外界光线的依赖，同时可以通过反射膜反射外界光线，节约能耗，半透过型液晶显示装置兼具透过光线和反射光线的功能。
为提高可视性范围，现有的半透过型液晶显示装置中，往往需要在整个阵列基板上形成反射膜。在整个阵列基板上形成反射膜必然对阵列基板上其他层结构的掩模曝光(Photo Mask)工艺和刻蚀(etch)工艺等加工工序造成一定影响。为解决这一问题，现有技术提出了一种方法：采用树脂作为反射膜中的凸起，再在树脂凸起上覆盖金属膜，从而形成反射膜，光线在反射膜上可发生漫反射，从而为液晶提供光源。
如图1所示为一半透过型液晶显示装置中阵列基板的剖面示意图，该阵列基板包括：衬底基板1；设置在衬底基板1上的栅极扫描线(图中未示)和数据线(图中未示)，由栅极2、有源层8，源电极5和漏电极6组成的薄膜晶体管20，在各层结构之间设置有氮化硅(SiNx)材料制成的绝缘层3；在薄膜晶体管20和数据线2之上还覆盖有钝化层9；在钝化层9之上，除薄膜晶体管20以外的部分形成有像素电极10，包括透过区30和反射区40，像素电极10通过钝化层过孔7与漏电极6相连。通常，采用树脂凸起14和金属膜13形成的反射膜设置在像素电极10的上方，也可以为下方或与像素电极10同层设置，当光线照射到金属膜13上时会发生漫反射，从而为阵列基板与彩膜基板之间的液晶层提供光源。为制造上述结构的阵列基板，现有技术通常采用掩模板曝光刻蚀的构图工艺形成各层薄膜。该构图工艺的具体方法为：首先沉积当前制备层所需的材料；在该层上涂覆光刻胶；用掩模板进行曝光，该层上需要保留的部位在掩模板的遮挡下不会被曝光，其上的光刻胶在显影时得以保留；采用刻蚀剂进行刻蚀，有光刻胶保护的材料不会被刻蚀；洗去光刻胶残余物，当前制备层最终形成的形状是在掩模板下未被曝光的部分，当前层结构需要什么形状可以通过改变掩模板来实现。除采用上述方法制备的树脂凸起14外，现有技术还可以采用SiNx材料制备凸起，能够解决树脂材料在高温下无法被加工的问题，改善在低温工艺中的技术。
但是，现有技术中存在以下问题：树脂材料所形成的凸起尺寸较大，限制了产品的厚度，所以使得现有光刻工艺受到较大的制约；引入了对树脂材料的刻蚀，所以掩模曝光和刻蚀的次数相比于原有技术增加了2～3次；漫反射效果不佳，因为漫反射的反射效果取决于凸起的厚度尺寸以及凸起之间沟槽的形状尺寸，而刻蚀形成的树脂凸起往往尺寸较大，且间隙较大，反射率均一化(uniform)，所以漫反射效果差导致光线的射出角度有限。因此，采用现有技术制造的阵列基板，漫反射效果不佳，工序复杂，生产效率低，使得产品产量下降、成本增加。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示装置，以改善阵列基板中反射膜的漫反射效果，同时简化阵列基板的制造工序，提高阵列基板的生产效率，降低制造成本，从而降低液晶显示装置的整体成本。
为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：
步骤1、在衬底基板上采用构图工艺形成栅极扫描线、薄膜晶体管、数据线、以及覆盖在最上层的钝化层及过孔；
步骤2、在完成步骤1的衬底基板上、在设定温度下沉积a型氧化铟锡，在a型氧化铟锡中结晶形成聚乙烯型氧化铟锡晶粒；
步骤3、在完成步骤2的衬底基板上，采用构图工艺在衬底基板上形成像素电极，该像素电极包括透过区和反射区，并采用曝光刻蚀工艺刻蚀掉反射区的a型氧化铟锡而露出聚乙烯型氧化铟锡晶粒以形成反射区图形；
步骤4、在完成步骤3的衬底基板上沉积金属材料，采用构图工艺在反射区图形上形成金属膜。
为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板，包括衬底基板和形成在衬底基板上的栅极扫描线、薄膜晶体管、数据线、以及覆盖在最上层的钝化层及过孔，其中：钝化层上还设置有包括透过膜和反射膜的像素电极，像素电极覆盖在除薄膜晶体管以外的衬底基板上；透过膜的材质为含有聚乙烯型氧化铟锡晶粒的a型氧化铟锡；反射膜包括作为反射区图形的聚乙烯型氧化铟锡晶粒和覆盖在反射区图形上的金属膜。
为实现上述目的，本发明还提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置采用本发明的阵列基板，具体包括：由彩膜基板和该阵列基板对盒形成的液晶面板；设置在彩膜基板和阵列基板之间的液晶层；设置在液晶面板的阵列基板外侧的背光模组。
由以上技术方案可知，本发明利用了氧化铟锡材料的结晶性能，采用a型氧化铟锡中的聚乙烯型氧化铟锡晶粒作为反射膜中所需的凸起，相比于现有技术采用树脂和SiNx材料制备的凸起，其优点在于：
1、在制备像素电极的同时可以制备该聚乙烯型氧化铟锡晶粒，且刻蚀形成聚乙烯型氧化铟锡晶粒的工艺相比于树脂颗粒物的刻蚀工艺，其复杂程度要显著降低，因此本发明能够简化阵列基板的制备工序，提高生产效率，降低生产成本；
2、利用现有制备像素电极的材料制备聚乙烯型氧化铟锡晶粒作为颗粒物，避免了对原有的像素电极的影响，也消除了对现有加工工艺的限制；
3、聚乙烯型氧化铟锡晶粒的尺寸、间隙及分布可以通过控制a型氧化铟锡的沉积温度、沉积厚度来进行调整，且聚乙烯型氧化铟锡晶粒分布的尺寸均一化低，能够显著提高反射膜的漫反射效果。
下面通过具体实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。
附图说明
图1为现有技术中一种液晶显示装置阵列基板的剖面结构示意图；
图2为本发明阵列基板制造方法具体实施例一的流程图；
图3为本发明阵列基板制造方法具体实施例一中完成步骤1后的阵列基板剖面结构图；
图4为本发明阵列基板制造方法具体实施例一中完成步骤2后的阵列基板剖面结构图；
图5为本发明阵列基板制造方法具体实施例一中完成步骤31后的阵列基板剖面结构图；
图6为本发明阵列基板制造方法具体实施例一中完成步骤32后的阵列基板剖面结构图；
图7为本发明阵列基板制造方法具体实施例一中完成步骤33后的阵列基板剖面结构图；
图8为本发明阵列基板制造方法具体实施例一中完成步骤34后的阵列基板剖面结构图；
图9为本发明阵列基板制造方法具体实施例一中完成步骤4后的阵列基板剖面结构图；
图10为本发明阵列基板制造方法具体实施例二的流程图；
图11为本发明液晶显示装置具体实施例的结构示意图。
图中：
1    衬底基板        2    栅极          3    色缘层
4    数据线          5    源电极        6    漏电极
7    钝化层过孔      8    有源层        9    化层
10   像素电极        11   反射膜        12   透过膜
13   金属膜          14   树脂颗粒      15   a-ITO
16   poly-ITO晶粒    17   光刻胶        171  全厚度光刻胶
172  半厚度光刻胶    20   薄膜晶体管    30   透过区
40   反射区          100  外框架        200  背光模组
300  阵列基板        400  液晶层        500  彩膜基板
具体实施方式
阵列基板制造方法实施例一
如图2所示为本发明阵列基板制造方法具体实施例一的流程图，该方法适用于制造半透过型的阵列基板，具体包括如下步骤：
步骤1、在衬底基板1上采用构图工艺形成栅极扫描线、薄膜晶体管20、数据线、以及覆盖在最上层的钝化层9等各层薄膜，以及钝化层9上的钝化层过孔7，所谓的构图工艺即沉积、涂覆光刻胶、掩模板掩模、曝光、刻蚀等一系列工艺。该薄膜晶体管20包括栅极2、有源层8、源电极5和漏电极6，如图3所示为完成步骤1后的阵列基板剖面结构图，首先在阵列基板上沉积栅极扫描线(图中未示)和栅极2所需的金属材料，采用构图后形成相连的栅极扫描线和栅极2；然后沉积绝缘层3薄膜；在绝缘层3上采用构图工艺形成有源层8薄膜、覆盖在有源层8上的源电极5和漏电极6以及与源电极5相连的数据线；而后在形成上述层结构的阵列基板上沉积钝化层材料SiNx，并在钝化层9薄膜上形成钝化层过孔7，该钝化层过孔7位于漏电极6上，以便之后形成的像素电极能够通过钝化层过孔7与漏电极6相连；
步骤2、在完成步骤1的衬底基板1上、在设定温度下沉积a型氧化铟锡(以下简称a-ITO)，以便在a-ITO15中结晶形成聚乙烯型氧化铟锡(以下简称poly-ITO)晶粒，使a-ITO 15沉积时发生结晶现象的较佳温度是80～150℃的中等温度环境，如图4所示为完成步骤2后的阵列基板剖面结构图，在钝化层9上沉积有a-ITO 15，a-ITO 15中形成有poly-ITO晶粒16；
步骤31、在完成步骤2的衬底基板1上涂覆光刻胶17，采用掩模板进行曝光处理形成像素电极，对像素电极的透过区30和反射区40以外的区域进行全曝光，使光刻胶17全部去除，且对反射区40上的光刻胶17进行半曝光处理，以去除反射区40上的部分光刻胶17，使反射区40上光刻胶17的厚度小于透过区30上光刻胶17的厚度。较佳的是使透过区30光刻胶17的厚度为反射区40光刻胶17厚度的2倍左右，此时可称透过区30上为全厚度光刻胶171，反射区40上为半厚度光刻胶172，如图5所示，本步骤中的半曝光处理可通过在掩模板对应位置滑刻出纹路以透过少部分的光线来实现；
步骤32、采用氧化铟锡刻蚀剂刻蚀掉衬底基板1上除像素电极透过区30和反射区40之外的区域上的a-ITO 15和poly-ITO晶粒16，形成像素电极的透过区30和反射区40。该氧化铟锡刻蚀剂是对a-ITO 15和poly-ITO材质均有刻蚀作用的刻蚀剂。衬底基板1上透过区30和反射区40的相对位置和面积大小是预先设定的，由半透过型液晶显示装置的预期透过反射性能决定，通常是衬底基板1上除薄膜晶体管20以外的区域，如图6所示为完成步骤32后的阵列基板剖面结构图；
步骤33、采用光刻胶灰化剂去除像素电极反射区40上涂覆的半厚度光刻胶172，此步骤是对光刻胶17进行适当程度的灰化处理，使灰化处理可去除一定厚度的光刻胶17，由于反射区40上半厚度光刻胶172的厚度小于透过区30上全厚度光刻胶171的厚度，所以步骤31中形成的半厚度光刻胶172会被完全灰化去除，全厚度光刻胶171会被灰化去除一部分，保留一定厚度，反射区40与透过区30上全厚度光刻胶171与半厚度光刻胶172的厚度差可根据具体情况设定，要使透过区30保留的全厚度光刻胶171足够实现对无需刻蚀的材料进行保护，且厚度差不必过大，否则会增加材料成本，如图7所示为完成步骤33后的阵列基板剖面结构图；
步骤34、采用a-ITO刻蚀剂刻蚀掉反射区40的a-ITO 15而露出poly-ITO晶粒16，构成反射区图形，如图8所示为完成步骤34后的阵列基板剖面结构图，在本步骤中，a-ITO刻蚀剂是专用于刻蚀a-ITO 15的刻蚀剂，对poly-ITO不起作用，另外，透过区30的a-ITO 15因为有剩余全厚度光刻胶171的保护而保留下来；
步骤4、洗去光刻胶17残余物之后，在完成步骤34的衬底基板1上沉积金属材料，采用构图工艺在反射区40的poly-ITO晶粒16上，即在反射区图形上采用构图工艺形成金属膜13，具体为重新沉积光刻胶17，采用掩模板曝光保留反射区40的光刻胶17，从而在刻蚀时将透过区30和薄膜晶体管20的金属材料刻蚀去，保留反射区40的金属膜13，金属膜13和poly-ITO晶粒16共同构成反射膜11，完成阵列基板的制造过程，如图9所示为完成步骤4后的阵列基板剖面结构图。
本实施例技术方案巧妙利用了氧化铟锡材料的结晶性能。a-ITO通常在常温，例如25℃时能够完全成型，而poly-ITO通常是在250℃的条件下能够完全成型，所以在适当温度下可以使a-ITO材料中结晶形成poly-ITO晶粒。例如在步骤2中，在80～150℃的温度环境下沉积a-ITO，则a-ITO将发生结晶现象，在a-ITO中会出现poly-ITO晶粒。沉积的温度越高，形成的poly-ITO晶粒越多，通过设定a-ITO的沉积厚度和沉积温度可以得到粒度适当的晶粒，较佳的是沉积厚度为2000
Figure A20081010343600111
的a-ITO。晶粒的形状、尺寸、间隙和分布都是漫反射效果的决定因素，本实施例技术方案，采用poly-ITO晶粒作为反射膜的晶粒，可以通过设定沉积厚度、沉积温度来得到适当的晶粒尺寸、间隙距离。且采用结晶形式形成的晶粒，相比于树脂刻蚀形成的颗粒物，避免了颗粒物分布均一化高的缺陷。现有技术的树脂颗粒物只适应于反射波长为λ，λ/2的光线，而本实施例中的poly-ITO晶粒适应于反射波长为λ，λ/2，λ/4，λ/8的光线，使得阵列基板上反射膜的漫反射效果显著提高。
本实施例技术方案的优点不仅在于反射效果的改善，还在于阵列基板制造工序的简化。沉积a-ITO形成poly-ITO晶粒后，需要刻蚀掉反射区的a-ITO，本实施例技术方案充分利用了a-ITO和poly-ITO材料的不同性能，通过使用半曝光工艺以及对应成份的刻蚀剂，可以实现在一次曝光后，通过两次刻蚀先后完成薄膜晶体管a-ITO和poly-ITO的同时刻蚀，以及反射区a-ITO的单独刻蚀。该技术方案不必反复的使用掩模板曝光刻蚀，在形成像素电极的同时形成了漫反射所需的颗粒物，从而简化了制备带有反射膜的阵列基板的工序。并且，对像素电极的刻蚀是对原有刻蚀步骤的细微改进，对现有其他层结构的形成工艺不会造成影响。颗粒物采用了现有氧化铟锡材质，一方面避免了材料的浪费，另一方面不需要增加新的材料，能够节省费用。综上可知，该技术方案能够显著的提高阵列基板的生产效率，降低生产成本。
阵列基板制造方法实施例二
如图10所示为阵列基板制造方法具体实施例二的流程图，本实施例与实施例一的区别在于：将步骤31～34替换为执行下述步骤：
步骤301、在完成步骤2的衬底基板上涂覆光刻胶，而后采用掩模板进行曝光处理，保留透过区和反射区上的光刻胶；
步骤302、在完成步骤301的衬底基板上，采用氧化铟锡刻蚀剂同时刻蚀掉透过区和反射区之外区域的a-ITO和poly-ITO晶粒，形成像素电极的透过区和反射区；
步骤303、在完成步骤302的衬底基板上涂覆光刻胶，而后采用掩模板进行曝光处理，保留透过区上的光刻胶；
步骤304、在完成步骤303的衬底基板上，采用a-ITO刻蚀剂仅刻蚀掉反射区的a-ITO，从而在反射区形成poly-ITO晶粒以形成反射区图形。
本实施例采用两次曝光刻蚀工艺实现上述像素电极透过区的制备，以及反射区poly-ITO晶粒的制备。采用本实施例技术方案在阵列基板上形成的反射膜以poly-ITO晶粒作为颗粒物，形成工艺简单，所形成的晶粒尺寸能够满足提高漫反射效果的要求。并且，该制造方法是在现有阵列基板制造方法上的改进，没有引入新的材料，沿用与原有层结构制备工艺相同的曝光刻蚀工艺，所以对于原有其他层结构制备工艺没有限制，能够达到简化工艺，提高生产效率，降低生产成本的效果。
本发明阵列基板制造方法中形成反射区的晶粒的步骤并不限于上述实施例一和实施例二中的两种，只要能够在完成步骤2的衬底基板上，采用曝光刻蚀工艺在衬底基板上形成像素电极的透过区和反射区，并采用曝光刻蚀工艺刻蚀掉反射区的a型氧化铟锡而露出聚乙烯型氧化铟锡晶粒以形成反射区图形即可。
阵列基板实施例
本发明阵列基板实施例的结构示意图可参见图9，可采用本发明阵列基板制造方法的任一实施例技术方案来制造。该阵列基板包括：衬底基板1，形成在衬底基板1上的栅极扫描线、薄膜晶体管20、数据线、以及覆盖在最上层的钝化层9及钝化层过孔7，该薄膜晶体管20包括栅极2、有源层8、源电极5和漏电极6，其中：钝化层9上还设置有包括透过膜12和反射膜11的像素电极，像素电极的较佳厚度是2000
Figure A20081010343600121
左右，该像素电极的透过膜12和反射膜11同层设置，且覆盖在除薄膜晶体管20以外的衬底基板1上；该透过膜12的材质为含有poly-ITO晶粒的a-ITO；该反射膜11包括作为反射区图形的poly-ITO晶粒和覆盖在反射区图形，即poly-ITO晶粒上的金属膜13。
本实施例阵列基板采用poly-ITO晶粒作为反射膜中所需的颗粒物。晶粒的形状、尺寸、间隙和分布可以通过设定a型氧化铟锡沉积厚度和沉积温度来控制，且采用结晶形式形成的晶粒，相比于树脂刻蚀形成的颗粒物，避免了颗粒物分布均一化高的缺陷。现有技术的树脂颗粒物只适应于反射波长为λ，λ/2的光线，而本实施例中的poly-ITO晶粒适应于反射波长为λ，λ/2，λ/4，λ/8的光线，使得阵列基板上反射膜的漫反射效果显著提高。
本实施例技术方案poly-ITO晶粒可以a-ITO结晶形成，所以不必在制备过程中引入新的材料，该阵列基板充分利用了已有的阵列基板生产材料，能够降低材料成本。并且因为不引入新材料，所以避免了新材料的加工对原有结构或加工工艺的影响限制，能够简化生产工序，提高生产效率，降低生产成本。
本实施例阵列基板的技术方案可以适用于多种形式的半透过型液晶显示装置的反射部分，例如扭曲向列(Twisted Nematic，简称TN)型，平面转换(In-Plane Switching，简称IPS)型，边缘场开关(Fringe FieldSwitching，简称FFS)型，充分发挥各类液晶显示装置的优点。
液晶显示装置实施例
如图11所示为本发明液晶显示装置具体实施例的结构示意图，该液晶显示装置采用本发明的阵列基板300，阵列基板300的具体结构可参见图9所示，该液晶显示装置的主要部件还包括：与该阵列基板300对盒设置形成液晶面板的彩膜基板500；设置在彩膜基板500和阵列基板300之间的液晶层400；设置在液晶面板的阵列基板300外侧的背光模组200，背光模组200发出的光线可以通过阵列基板300上的透过区的透过膜射出，为液晶层400提供光源，同时阵列基板300的反射膜可以对从彩膜基板500射入液晶面板的外界光线进行漫反射，从而为液晶层400提供光源。该液晶显示装置的外侧还设有外框架100，起固定支撑作用。
本实施例液晶显示装置可以采用本发明阵列基板任一实施例的技术方案，可以兼具透过型液晶显示装置和反射型液晶显示装置的优点，既可以获取背光模组提供的光源，也能够利用外界光线作为光源，且采用poly-ITO晶粒作为反射膜中所需的颗粒物，可以通过设定a型氧化铟锡沉积厚度和沉积温度来控制晶粒的尺寸和间隙分布，提高漫反射的反射效率。本实施例技术方案poly-ITO晶粒可以a-ITO结晶形成，所以不必在制备过程中引入新的材料，充分利用了已有的阵列基板生产材料，能够降低材料成本。并且因为不会引入新材料，所以避免了新材料的加工对原有结构或加工工艺的影响限制，因此能够简化生产工序，提高生产效率，降低生产成本。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1、一种阵列基板制造方法，其特征在于包括：
步骤1、在衬底基板上采用构图工艺形成栅极扫描线、薄膜晶体管、数据线、以及覆盖在最上层的钝化层及过孔；
步骤2、在完成步骤1的所述衬底基板上、在设定温度下沉积a型氧化铟锡，在所述a型氧化铟锡中结晶形成聚乙烯型氧化铟锡晶粒；
步骤3、在完成步骤2的所述衬底基板上，采用构图工艺在衬底基板上形成像素电极，所述像素电极包括透过区和反射区，并采用曝光刻蚀工艺刻蚀掉所述反射区的a型氧化铟锡而露出所述聚乙烯型氧化铟锡晶粒以形成反射区图形；
步骤4、在完成步骤3的所述衬底基板上沉积金属材料，采用构图工艺在所述反射区图形上形成金属膜。
2、根据权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于：所述步骤2中的设定温度取值范围是80～150℃。
3、根据权利要求2所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤3具体为：
步骤31、在完成步骤2的所述衬底基板上涂覆光刻胶，采用掩模板进行曝光处理，且对所述反射区的光刻胶进行半曝光处理，以使所述反射区光刻胶的厚度小于所述透过区光刻胶的厚度；
步骤32、采用氧化铟锡刻蚀剂刻蚀掉衬底基板上除所述透过区和反射区之外的区域上的a型氧化铟锡和聚乙烯型氧化铟锡晶粒，形成像素电极的所述透过区和反射区；
步骤33、采用光刻胶灰化剂去除反射区上涂覆的光刻胶；
步骤34、采用a型氧化铟锡刻蚀剂刻蚀掉所述反射区的a型氧化铟锡而露出所述聚乙烯型氧化铟锡晶粒以形成反射区图形。
4、根据权利要求3所述的阵列基板制造方法，其特征在于：所述步骤31中形成在所述透过区上的光刻胶厚度为所述反射区上光刻胶厚度的2倍。
5、根据权利要求2所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤3具体为：
步骤301、在完成步骤2的所述衬底基板上涂覆光刻胶，而后采用掩模板进行曝光处理，保留所述透过区和所述反射区上的光刻胶；
步骤302、在完成步骤301的所述衬底基板上，采用氧化铟锡刻蚀剂刻蚀掉衬底基板上除所述透过区和反射区之外的区域上的a型氧化铟锡和聚乙烯型氧化铟锡晶粒，形成像素电极的所述透过区和反射区；
步骤303、在完成步骤302的所述衬底基板上涂覆光刻胶，而后采用掩模板进行曝光处理，保留所述透过区上的光刻胶；
步骤304、在完成步骤303的所述衬底基板上，采用a型氧化铟锡刻蚀剂刻蚀掉所述反射区上的a型氧化铟锡而露出所述聚乙烯型氧化铟锡晶粒以形成反射区图形。
6、根据权利要求1～5所述的任一阵列基板制造方法，其特征在于，步骤2中在完成步骤1的所述衬底基板上沉积a型氧化铟锡具体为：在完成步骤1的所述衬底基板上沉积厚度为
Figure A2008101034360003C1
的a型氧化铟锡。
7、一种阵列基板，包括衬底基板和形成在所述衬底基板上的栅极扫描线、薄膜晶体管、数据线、以及覆盖在最上层的钝化层及过孔，其特征在于：所述钝化层上还设置有包括透过膜和反射膜的像素电极，所述像素电极覆盖在除所述薄膜晶体管以外的衬底基板上；所述透过膜的材质为含有聚乙烯型氧化铟锡晶粒的a型氧化铟锡；所述反射膜包括作为反射区图形的聚乙烯型氧化铟锡晶粒和覆盖在所述反射区图形上的金属膜。
8、根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：所述像素电极的厚度为
Figure A2008101034360003C2
9、一种采用权利要求7或8所述的阵列基板的液晶显示装置，其特征在于包括：由彩膜基板和所述阵列基板对盒形成的液晶面板；设置在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层；设置在所述液晶面板的所述阵列基板外侧的背光模组。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102054773A (zh) * 2009-10-29 2011-05-11 华映视讯（吴江）有限公司 半穿透半反射式薄膜晶体管面板及其制造方法
CN103456741A (zh) * 2013-08-23 2013-12-18 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN110320701A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 夏普株式会社 液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法
CN112435586A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112467018A (zh) * 2020-10-20 2021-03-09 深圳市隆利科技股份有限公司 mini-LED/micro-LED面光源及其制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009022902B4 (de) * 2009-03-30 2023-10-26 Pictiva Displays International Limited Organisches optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauteils
DE102014202424A1 (de) * 2014-02-11 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer reflektierenden Schichtenfolge und Verfahren zum Erzeugen einer reflektierenden Schichtenfolge
CN105097670B (zh) * 2015-07-31 2018-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种母板及其制作方法
CN109427819B (zh) * 2017-08-31 2021-05-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3028271B2 (ja) * 1993-07-09 2000-04-04 キヤノン株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
JP4087620B2 (ja) * 2002-03-01 2008-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
KR100916603B1 (ko) * 2002-12-09 2009-09-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100617031B1 (ko) * 2003-12-30 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
CN100366785C (zh) * 2004-09-08 2008-02-06 元太科技工业股份有限公司 多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法
CN100456089C (zh) * 2006-03-09 2009-01-28 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示器阵列基板的像素结构及其制造方法
US7940359B2 (en) * 2007-04-25 2011-05-10 Au Optronics Corporation Liquid crystal display comprising a dielectric layer having a first opening surrounding a patterned structure and exposing a portion of a first pixel electrode and a second pixel electrode formed on the dielectric layer

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102054773A (zh) * 2009-10-29 2011-05-11 华映视讯（吴江）有限公司 半穿透半反射式薄膜晶体管面板及其制造方法
CN102054773B (zh) * 2009-10-29 2013-06-05 华映视讯（吴江）有限公司 半穿透半反射式薄膜晶体管面板及其制造方法
CN103456741A (zh) * 2013-08-23 2013-12-18 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
WO2015024319A1 (zh) * 2013-08-23 2015-02-26 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103456741B (zh) * 2013-08-23 2016-03-23 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN110320701A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 夏普株式会社 液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法
CN112467018A (zh) * 2020-10-20 2021-03-09 深圳市隆利科技股份有限公司 mini-LED/micro-LED面光源及其制造方法
CN112467018B (zh) * 2020-10-20 2021-10-15 深圳市隆利科技股份有限公司 mini-LED/micro-LED面光源及其制造方法
CN112435586A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

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