CN103021941A - 一种制造阵列基板的方法、阵列基板及液晶显示设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种制造阵列基板的方法、阵列基板及液晶显示设备，其中，该方法包括：基于构图工艺在基板上形成包括源漏电极层和透明保护层的图形；在形成所述透明保护层的基板上涂覆第一感光树脂，基于构图工艺分别形成过孔和隔垫物；在形成过孔和隔垫物的基板上，基于构图工艺分别形成彩色滤光层和像素电极形成阵列基板，其中所述像素电极通过过孔和位于所述透明保护层下方的源漏电极层的漏极相连。采用上述技术方案，能够较好地提高阵列基板的开口率，进而提高显示设备的显示效果。

Description

一种制造阵列基板的方法、阵列基板及液晶显示设备

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其是涉及一种制造阵列基板的方法、阵列基板及液晶显示设备。

背景技术

薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)的基本结构包括阵列基板和彩膜(CF，Color Filter)基板。在分别形成包括有TFT器件和周边电路的阵列基板，和包括有颜色层（包括红R、绿G和蓝B）的彩膜基板之后，将阵列基板和彩膜基板通过对盒工艺形成液晶盒结构，其间充满液晶层，并在液晶盒周边涂布封框胶加以密封。其中，彩膜基板也可以称之为彩色滤光片。

现有技术中，对盒工艺处理之前，需要分别形成阵列基板和彩膜基板。其中，在基板上依次形成栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层和保护层，形成完整的TFT阵列基板，然后在形成的保护层上形成过孔。而彩膜基板的形成过程如下：如图1所示的现有彩膜基板的俯视图，该彩膜基板10包括像素区域11和周边区域12，其中，像素区域11是指包含像素阵列用于显示图像的区域，除了像素区域11以外的区域则为周边区域12。在周边区域12中，一部分区域用于涂布封框胶，该区域被称为封框胶涂布区域13。

在将形成的阵列基板和彩膜基板进行对盒工艺处理时，首先需要分别在阵列基板和彩膜基板上形成隔垫物，形成隔垫物之后，在将阵列基板和彩膜基板进行对盒工艺处理时，由于对盒工艺处理过程中需要将阵列基板上的隔垫物图案和彩膜基板上的隔垫物图案进行对齐，在对齐过程中，会存在偏差，所以需要增大黑矩阵（BM）的设计线宽度以避免对盒工艺过程中由于偏差造成的LCD漏光现象。

但是，由于BM的设计线宽度增加，使得阵列基板的开口率降低，进而使得LCD的显示效果较差。

发明内容

本发明实施例提供了一种制造阵列基板的方法、阵列基板及液晶显示设备，能够较好地提高阵列基板的开口率，进而提高显示设备的显示效果。

一种制造阵列基板的方法，包括：基于构图工艺在基板上形成包括源漏电极层和透明保护层的图形；在形成所述透明保护层的基板上涂覆第一感光树脂，基于构图工艺分别形成过孔和隔垫物；在形成过孔和隔垫物的基板上，基于构图工艺分别形成彩色滤光层和像素电极形成阵列基板，其中所述像素电极通过过孔和位于所述透明保护层下方的源漏电极层的漏极相连。

一种阵列基板，包括在基板上形成的包括透明保护层的图形；在所述透明保护层上设置有过孔和隔垫物，其中所述过孔和隔垫物是在透明保护层上涂覆第一感光树脂形成的；在形成过孔和隔垫物的基板上，形成彩色滤光层和像素电极，其中所述像素电极通过过孔和位于所述透明保护层下方的源漏电极层的漏极相连。

一种液晶显示设备，该液晶显示设备包括上述阵列基板。

采用上述技术方案，在形成透明保护层的基板上，涂覆第一感光树脂，基于构图工艺分别形成过孔和隔垫物，然后形成彩色滤光层和像素电极，得到的阵列基板，能够较好地提高阵列基板的开口率，进而提高显示设备的显示效果，在进行对盒工艺处理时，不需要进行对准操作，能够较好地提高生产效率降低生产成本。

附图说明

图1为现有技术中，提出的彩膜基板俯视结构图；

图2为本发明实施例一中，提出的制造阵列基板的方法流程图；

图3为本发明实施例一中，提出的在基板上形成保护层之后的阵列基板结构示意图；

图4为本发明实施例一中，提出的在形成保护层的基板上涂覆第一感光材料的结构示意图；

图5~图6为本发明实施例一中，提出的形成过孔的基板的结构示意图；

图7为本发明实施例一中，提出的形成隔垫物的基板的结构示意图；

图8为本发明实施例一中，提出的形成彩色滤光层的基板的结构示意图；

图9为本发明实施例一中，提出的形成像素电极的基板的结构示意图；

图10为本发明实施例一中，提出的阵列基板结构组成示意图；

图11为本发明实施例二中，提出的形成像素电极的基板的结构示意图；

图12为本发明实施例二中，提出的形成彩色滤光层的基板的结构示意图；

图13为本发明实施例二中，提出的阵列基板结构组成示意图。

具体实施方式

针对现有技术中提出的阵列基板和彩膜基板在进行对盒工艺处理时，需要进行对齐操作，使得开口率差，进而导致显示设备的显示效果较差的问题，本发明实施例这里通过在形成透明保护层的基板上，分别形成过孔、隔垫物、像素电极以及彩色滤光层，形成阵列基板，能够较好地提高阵列基板的开口率，进而提高显示设备的显示效果，在进行对盒工艺处理时，不需要进行对准操作，能够较好地提高生产效率降低生产成本。

下面将结合各个附图对本发明实施例技术方案的主要实现原理、具体实施方式及其对应能够达到的有益效果进行详细地阐述。

需要说明的是，制造阵列基板涉及的构图工艺流程主要包括：预处理、光刻胶涂覆、前烘、曝光、显影、刻蚀和去胶等处理，具体包括：在基板表面均匀地涂覆一层光刻胶，利用掩模板对涂覆光刻胶的基板进行曝光处理以及进行曝光处理后的显影处理。其中曝光技术是光刻工艺过程中最重要的环节，其原理为将由光源发出的光束照射在掩膜板上，透过掩膜板在涂覆光刻胶的基板表面成像，即为曝光，这样就可以实现通过曝光处理将掩膜板上的图形成像在基板上。曝光处理可以为接近式曝光处理、接触式曝光处理或者投影式曝光处理。本发明实施例这里提出的技术方案，基于构图工艺制造阵列基板时，所采用的构图工艺与现有技术基本相同，本发明实施例这里不再赘述。

实施例一

本发明实施例一这里提出一种制造阵列基板的方法，如图2所示，具体处理流程如下：

步骤201，基于构图工艺在基板上形成包括源漏电极层和透明保护层的图形。

其中，所用基板可以是玻璃基板。

较佳地，在基于构图工艺在基板上形成包括源漏电极层和透明保护层的图形之前，还包括：基于构图工艺在基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层和源漏电极层的图形，其中，栅绝缘层位于栅极层和有源层之间，有源层位于栅绝缘层和源漏电极层之间。

具体实施中，可以在玻璃基板上依次形成栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层和透明保护层。在栅极层设置有栅电极（简称栅极）、栅极扫描线（简称栅线）、存储电容电极。在源漏电极层主要设置有源电极和漏电极。

具体地，如图3所示，首先可以在玻璃基板301上沉积一层栅金属薄膜，在沉积的栅金属薄膜上均匀的涂覆一层光刻胶，将掩模板精确的对准涂覆光刻胶的基板，利用对准后的掩模板，对涂覆在基板上的光刻胶采取大于等于栅金属层光强模式的光进行曝光处理，这样光就可以分别透过栅电极图形区域、栅极扫描线图形区域和存储电容电极图形区域上覆盖的透光膜，从而实现将设置在掩膜板上的栅极扫描线图形、栅电极图形和存储电容电极图形显影成像在栅金属薄膜上，经过上述的曝光处理之后，进而对形成的图形进行刻蚀处理，从而就可以在沉积栅金属薄膜的玻璃基板301上形成包含栅极、栅极扫描线和存储电容电极的栅极层302。其中玻璃基板301上覆盖的栅金属薄膜可以但不限于为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的单层膜，或者为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意组合所构成的复合膜。

具体地，在形成栅极层302的玻璃基板301上，沉积绝缘层金属薄膜，利用掩模板，基于构图工艺，形成栅极绝缘层303。在形成栅极绝缘层303之后的玻璃基板301上，沉积有源层薄膜，基于构图工艺形成有源层304。然后沉积源漏电极层金属薄膜，基于构图工艺形成包含源、漏极的源漏电极层305。其中，绝缘层薄膜可以但不限于为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层膜，或者为SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意组合所构成的复合膜；有源层薄膜可以但不限于为多晶硅。

具体地，在形成源漏电极层305之后，沉积一层透明保护层薄膜，在沉积透明保护层金属膜层的玻璃基板301上基于构图工艺形成透明保护层306。其中，透明保护层306薄膜为透明绝缘薄膜，例如可以是PVX膜。

步骤202，在形成透明保护层的基板上涂覆第一感光树脂，基于构图工艺分别形成过孔和隔垫物。其中，形成所述过孔和隔垫物的第一感光树脂可以是正性光刻胶，隔垫物的截面形状可以为圆形或多边形。

其中，如图4所示，在形成透明保护层306的玻璃基板301上，均匀的涂覆一层正性光刻胶307，然后基于构图工艺，利用掩模板，对涂覆的正性光刻胶307进行曝光处理，进而对成像在透明保护层薄膜上的透明保护层图形进行刻蚀工艺，从而在透明保护层306上形成过孔308，过孔308的形状可以为圆形、椭圆形或正方形。如图5和图6所示，所述形成的过孔308要穿透透明保护层306。这样，后续再沉积像素电极材料时，像素电极可以通过过孔308和源漏电极层305的漏极相连。在形成过孔308之后，如图6所示，经过刻蚀之后，过孔区域的正性光刻胶已经被去除，但是还有一部分正性光刻胶未进行曝光显影处理，此时，针对未进行曝光显影处理的正性光刻胶进行曝光显影，形成隔垫物309的图案。隔垫物的图案可以根据需要具体设置，其截面形状可以但不限于是圆形或者是多边形。较佳地，也可以在形成过孔的掩模板上一并形成隔垫物309的图案，这样，在进行曝光处理时，利用一个掩模板，可以同时在透明保护层306上形成过孔308的图案和隔垫物309的图案，后续通过刻蚀，可以在透明保护层306上形成隔垫物309和过孔308。这样，利用一个掩模板，经过一次曝光显影机刻蚀处理，就可以同时形成过孔308和隔垫物309，能够较好的提高生产效率，节省使用掩模板的次数，提高制作阵列基板的精度。

其中基于构图工艺处理形成过孔308的过程可以但不限于为使用正性光刻工艺。正性光刻工艺，是在基板上涂覆一层正性光刻胶，经过曝光处理，曝光后的区域变得很容易在显影液里融化，在显影过程中将被曝光过的光刻胶从基板上除去，把与掩模板上相同的图形复制到基板上。

步骤203，在形成过孔和隔垫物的基板上，基于构图工艺分别形成彩色滤光层和像素电极形成阵列基板，其中所述像素电极通过过孔和位于所述透明保护层下方的源漏电极层的漏极相连。

需要说明的是，基于构图工艺分别形成彩色滤光层和像素电极时，二者并没有先后顺序，本发明实施例一这里，以先形成彩色滤光层，后形成像素电极为例来进行详细阐述。具体为：在形成过孔和隔垫物的基板上，涂覆第二感光树脂，基于构图工艺在涂覆第二感光树脂的基板上形成彩色滤光层，在形成彩色滤光层的基板上沉积像素电极层材料，基于构图工艺形成像素电极。其中，第二感光树脂可以是负性光刻胶。

具体地，首先，形成彩色滤光层310。具体地，如图8所示，彩色滤光层包括红色像素层、绿色像素层和蓝色像素层。如图7所示，可以在形成过孔308和隔垫物309的玻璃基板301上涂布红色像素层，通过曝光和显影工艺形成红色像素图形，然后依次采用相同方法制备绿色像素图形和蓝色像素图形，其中，该像素图形的厚度通常为1.0～3.0um。经过刻蚀，形成彩色滤光层310。其中，由于在制造液晶显示设备时，需要进行对盒工艺然后填充液晶，所以要保证隔垫物309的厚度大于彩色滤光层310的厚度。彩色滤光层310和隔垫物309的正投影区域不重叠。形成彩色滤光层310时，涂覆的是负性光刻胶，所以在进行曝光处理时，需要采用负性光刻工艺。负性光刻工艺，是指在基板上涂覆一层负性光刻胶，经过曝光处理，未被曝光的区域变得很容易在显影液里融化，在显影过程中将未被曝光过的光刻胶从基板上除去，把与掩模板上相反的图形复制到基板上。

其次，形成像素电极311。具体地，如图9所示，在形成过孔彩色滤光层之后，均匀地沉积一层像素电极材料，像素电极材料可以通过过孔308沉积，与源漏电极层的漏极连接。基于构图工艺在沉积的像素电极材料上形成像素电极311，形成的像素电极311通过过孔308与源漏电极层305的漏极连接。其中，像素电极层材料可以但不限于为ITO、IZO的单层膜，或者为ITO、IZO所构成的复合膜。

步骤204，在像素电极形成之后，本发明实施例一这里提出的阵列基板制作完成，后续可以使用该阵列基板进行对盒工艺处理，填充液晶，形成液晶显示设备。

由于在制造阵列基板的过程中，在现有阵列基板的基础之上，形成彩色滤光层和对盒工艺处理时需要的隔垫物，即一次形成彩膜基板的部分图案。后续进行对盒操作时，进行对准时，对准精确度要求较低，不需要增大黑矩阵的设计线宽，因此不会造成漏光，提高了开口率，进而提高了液晶显示设备的显示效果。提高了生产效率节省企业的生产成本。

采用本发明实施例一上述提出的制造阵列基板的方法制造的阵列基板结构示意图，本发明实施例一这里提出的阵列基板包括：在基板上形成的包括透明保护层的图形；在所述透明保护层上设置有过孔和隔垫物，其中所述过孔和隔垫物是在透明保护层上涂覆第一感光树脂形成的；在形成过孔和隔垫物的基板上，形成彩色滤光层和像素电极，其中所述像素电极通过过孔和位于所述透明保护层下方的源漏电极层的漏极相连。

具体地，如图10所示，为采用本发明实施例一上述提出的制造阵列基板的方法制造的阵列基板结构示意图，在基板301上依次形成的栅极层302、栅绝缘层303、有源层304、源漏电极层305和透明保护层306，其中所述源漏电极层305设置有源电极和漏电极（也可以称之为源极和漏极）。在透明保护层306上形成过孔308和隔垫物309。其中，过孔308穿透透明保护层与源漏电极层305相连。具体地，过孔308和隔垫物309是由涂覆在透明保护层306上的第一感光树脂形成，所述第一感光树脂为正性光刻胶。隔垫物309的截面形状可以但不限于是圆形或者多边形。在形成过孔308和隔垫物309之后，形成彩色滤光层310。其中隔垫物309的厚度大于彩色滤光层310的厚度，且所述隔垫物309的正投影区域和彩色滤光层310正投影区域不重叠。具体地，彩色滤光层310，是由涂覆在形成过孔和隔垫物的基板上的第二感光树脂形成，第二感光树脂可以是负性光刻胶。在彩色滤光层310上，形成像素电极311，像素电极通过过孔309与源漏电极层305的漏极连接。所述像素电极层材料为ITO、IZO的单层膜，或者为ITO、IZO所构成的复合膜。

相应地，本发明实施例一这里还提供一种液晶显示设备，包括上述阵列基板，该液晶显示设备可以为液晶面板、液晶显示器、液晶电视、OLED面板、OLED显示器、OLED电视或电子纸等显示装置。

实施例二

本发明实施例二这里提出一种制作阵列基板的方法，其方法流程如下述：

步骤一：基于构图工艺在基板上包括透明保护层的图形。

具体地，在形成透明保护层的图形之前，还包括：基于构图工艺在基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层和源漏电极层的图形，其中，栅绝缘层位于栅极层和有源层之间，有源层位于栅绝缘层和源漏电极层之间。具体实施中，可以基于构图工艺在基板上依次形成栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层和透明保护层。

其中，步骤一的详细处理过程请参见上述实施例一中的详细阐述，这里不再赘述。

步骤二：在形成透明保护层的基板上涂覆第一感光树脂，基于构图工艺分别形成过孔和隔垫物。其中，形成所述过孔和隔垫物的第一感光树脂可以是正性光刻胶，隔垫物的截面形状可以为圆形或多边形。

其中，步骤二的详细处理流程，请参见上述实施例一中步骤202的详细阐述，这里不再赘述。

步骤三：在形成过孔和隔垫物的基板上，基于构图工艺分别形成彩色滤光层和像素电极形成阵列基板，其中所述像素电极通过过孔和位于所述透明保护层下方的源漏电极层的漏极相连。

需要说明的是，基于构图工艺分别形成彩色滤光层和像素电极时，二者并没有先后顺序，本发明实施例二这里，以先形成像素电极，后形成彩色滤光层为例来进行详细阐述。具体为：在形成过孔和隔垫物的基板上，沉积像素电极层材料，基于构图工艺形成像素电极；在形成像素电极的基板上，涂覆第二感光树脂；基于构图工艺在涂覆第二感光树脂的基板上形成彩色滤光层。其中，第二感光树脂可以是负性光刻胶。

具体地，首先形成像素电极310。如图11所示，在形成过孔308和隔垫物309之后，均匀地沉积一层像素电极材料，像素电极材料可以通过过孔308沉积，与源漏电极层305的漏极连接。基于构图工艺在沉积的像素电极材料上形成像素电极310，形成的像素电极310通过过孔308与源漏电极层305的漏极连接。其中，像素电极层材料可以但不限于为ITO、IZO的单层膜，或者为ITO、IZO所构成的复合膜。

其次形成彩色滤光层311。具体地，如图12所示，彩色滤光层包括红色像素层、绿色像素层和蓝色像素层。如图12所示，可以在像素电极310的玻璃基板301上涂布红色像素层，通过曝光和显影工艺形成红色像素图形，然后依次采用相同方法制备绿色像素图形和蓝色像素图形，其中，该像素图形的厚度通常为1.0～3.0um。经过刻蚀，形成彩色滤光层311。其中，由于在制造液晶显示设备时，需要进行对盒工艺然后填充液晶，所以要保证隔垫物309的厚度大于彩色滤光层311的厚度。彩色滤光层311和隔垫物309的正投影区域不重叠。形成彩色滤光层311时，涂覆的是负性光刻胶，所以在进行曝光处理时，需要采用负性光刻工艺。负性光刻工艺，是指在基板上涂覆一层负性光刻胶，经过曝光处理，未被曝光的区域变得很容易在显影液里融化，在显影过程中将未被曝光过的光刻胶从基板上除去，把与掩模板上相反的图形复制到基板上。

步骤四，在像素电极形成之后，本发明实施例一这里提出的阵列基板制作完成，后续可以使用该阵列基板进行对盒工艺处理，填充液晶，形成液晶显示设备。

相应地，如图13所示，为采用本发明实施例二上述提出的制造阵列基板的方法制造的阵列基板结构示意图，本发明实施例二这里提出的阵列基板包括：在基板301上依次形成的栅极层302、栅绝缘层303、有源层304、源漏电极层305和透明保护层306，其中所述源漏电极层305设置有源电极和漏电极（也可以称之为源极和漏极）。在透明保护层306上形成过孔308和隔垫物309。其中，过孔308穿透透明保护层与设置在源漏电极层305的漏极相连。具体地，形成在透明保护层306上面的过孔308和隔垫物309由涂覆在透明保护层306上的第一感光树脂形成，第一感光树脂可以为正性光刻胶。隔垫物309的截面形状可以但不限于是圆形或者多边形。在形成过孔308和隔垫物309之后，形成像素电极310，像素电极通过过孔309与源漏电极层305的漏极连接。所述像素电极层材料为ITO、IZO的单层膜，或者为ITO、IZO所构成的复合膜。在形成像素电极之后，形成彩色滤光层311。其中隔垫物309的厚度大于彩色滤光层311的厚度，且所述隔垫物309的正投影区域和彩色滤光层311正投影区域不重叠。形成彩色滤光层311时，采用第二感光树脂，其中第二感光树脂可以是负性光刻胶。

相应地，本发明实施例二这里还提供一种液晶显示设备，包括上述阵列基板，该液晶显示设备可以为液晶面板、液晶显示器、液晶电视、OLED面板、OLED显示器、OLED电视或电子纸等显示装置。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种制造阵列基板的方法，其特征在于，包括：

基于构图工艺在基板上形成包括源漏电极层和透明保护层的图形；

在形成所述透明保护层的基板上涂覆第一感光树脂，基于构图工艺分别形成过孔和隔垫物；

在形成过孔和隔垫物的基板上，基于构图工艺分别形成彩色滤光层和像素电极形成阵列基板，其中所述像素电极通过过孔和位于所述透明保护层下方的源漏电极层的漏极相连。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在基于构图工艺在基板上形成包括源漏电极层和透明保护层的图形之前，还包括：

基于构图工艺在基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层和源漏电极层的图形，其中，栅绝缘层位于栅极层和有源层之间，有源层位于栅绝缘层和源漏电极层之间。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述过孔和隔垫物的第一感光树脂是正性光刻胶。

4.如权利要求1~3任一所述的方法，其特征在于，所述隔垫物的厚度大于彩色滤光层的厚度，且所述隔垫物的正投影区域和彩色滤光层正投影区域不重叠。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔垫物的截面形状为圆形或多边形。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成过孔和隔垫物的基板上，基于构图工艺分别形成彩色滤光层和像素电极，包括：

在形成过孔和隔垫物的基板上，涂覆第二感光树脂；

基于构图工艺在涂覆第二感光树脂的基板上形成彩色滤光层；

在形成彩色滤光层的基板上沉积像素电极层材料，基于构图工艺形成像素电极。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成过孔和隔垫物的基板上，基于构图工艺分别形成彩色滤光层和像素电极，包括：

在形成过孔和隔垫物的基板上，沉积像素电极层材料，基于构图工艺形成像素电极；

在形成像素电极的基板上，涂覆第二感光树脂；

基于构图工艺在涂覆第二感光树脂的基板上形成彩色滤光层。

8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述第二感光树脂是负性光刻胶。

9.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述像素电极层材料为ITO、IZO的单层膜，或者为ITO、IZO所构成的复合膜。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括：

在基板上形成的包括透明保护层的图形；

在所述透明保护层上设置有过孔和隔垫物，其中所述过孔和隔垫物是在透明保护层上涂覆第一感光树脂形成的；

在形成过孔和隔垫物的基板上，形成彩色滤光层和像素电极，其中所述像素电极通过过孔和位于所述透明保护层下方的源漏电极层的漏极相连。

11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一感光树脂是正性光刻胶。

12.如权利要求10或11所述的阵列基板，其特征在于，所述隔垫物的厚度大于彩色滤光层的厚度，且所述隔垫物的正投影区域和彩色滤光层正投影区域不重叠。

13.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极在彩色滤光层上面；或

所述彩色滤光层在像素电极上面；

其中，形成彩色滤光层的材质为第二感光树脂。

14.一种液晶显示设备，其特征在于，所述液晶显示设备包括权利要求10~13任一所述的阵列基板。

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