CN1322372C - 光罩工艺及薄膜晶体管的制造方法 - Google Patents

光罩工艺及薄膜晶体管的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1322372C
CN1322372C CNB031142036A CN03114203A CN1322372C CN 1322372 C CN1322372 C CN 1322372C CN B031142036 A CNB031142036 A CN B031142036A CN 03114203 A CN03114203 A CN 03114203A CN 1322372 C CN1322372 C CN 1322372C
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
film transistor
light shield
thin film
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB031142036A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1536441A (zh
Inventor
陈永昌
彭家鹏
赖建廷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Innolux Corp
Original Assignee
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Innolux Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd, Innolux Corp filed Critical Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority to CNB031142036A priority Critical patent/CN1322372C/zh
Publication of CN1536441A publication Critical patent/CN1536441A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1322372C publication Critical patent/CN1322372C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

一种光罩工艺，其包括以下步骤：在一载体上涂布一层光阻剂；采用一具有预定图案的光罩对该光阻剂曝光；对曝光后的光阻剂进行显影，获得预定图案的光阻剂层；沉积一层导电材料在该预定图案的光阻剂层和载体表面；去除该预定图案的光阻剂层和沉积在光阻剂层上的导电材料。

Description

光罩工艺及薄膜晶体管的制造方法
【技术领域】
本发明涉及一种光罩工艺及薄膜晶体管的制造方法。
【背景技术】
液晶显示器按照其驱动方式主要分为主动矩阵液晶显示器和被动矩阵液晶显示器两种。被动矩阵液晶显示器为早期液晶显示器的主要类型，至今仍广泛应用在较低价位的产品中。该类型液晶显示器在亮度和可视角度方面受到较大的限制，反应速度也较慢，因而不利于发展为桌上型显示器，但由于成本低廉的因素，市场上仍有部分的显示器采用被动矩阵式液晶显示器。主动矩阵或称薄膜晶体管液晶显示器是在画面中的每个像素内建薄膜晶体管，可使亮度更明亮、色彩更丰富，并获得更宽广的可视角度，因而被大部分的液晶显示器制造厂所采用。其中，薄膜晶体管是其重要元件，其可控制液晶显示器每个像素的显示状态。
通常，薄膜晶体管按结构可分为顶栅型和底栅型薄膜晶体管，针对不同结构有不同制造方法。
请参阅图1，1999年3月30日所公告的美国专利第5,889,292号揭示一种顶栅型薄膜晶体管的制造方法。首先，提供一基底10，该基底10可为玻璃或二氧化硅基底；通过沉积、微影(Photo-Lithography)、蚀刻等第一次光罩工艺，在该基底10上形成源极11和漏极12，该源极11、漏极12材料为掺磷无定形硅(P-Doped Amorphous Si Layer)，其中，该微影工艺包括涂布光阻剂、采用一具有预定图案的光罩进行曝光和显影等步骤；在上述步骤所获得的基底10表面进行第二次光罩工艺，形成一通道层13，该通道层13的材料为P型或本征无定形锗化硅(P-Tyle or Intrinsic amorphous SiGe Layer)；采用激光(未标示)照射上述步骤形成的结构，使源极11、漏极12和通道层13结晶；进行第三次光罩工艺，形成一层绝缘层14和多个接触孔15，该绝缘层14的材料为二氧化硅；在上述结构上进行第四次光罩工艺，形成源极电极16、漏极电极17和栅极电极18，进而形成一顶栅型薄膜晶体管。该源极电极16、漏极电极17和栅极电极18的材料为铝、钼或铬等。
请参阅图2，2002年12月31日公告的美国专利第6,500,702号揭示一底栅型薄膜晶体管的制造方法。首先，提供一基底20；在该基底20上通过第一次光罩工艺形成栅极电极21和储存电容电极22；在上述结构上形成栅极绝缘层23；在栅极绝缘层23上通过第二次光罩工艺形成一无定形硅层24、一欧姆接触层25(Ohmic Contact)，该欧姆接触层25为掺杂半导体层；通过第三次光罩工艺形成一源极电极26和一漏极电极27；通过第四次光罩工艺形成一钝化层28(Passivation Layer)和一与漏极电极27相通的接触孔(未标示)；通过第五次光罩工艺形成像素电极29。
以上两专利技术中，其光罩工艺均为先沉积，然后微影、蚀刻、除去剩余光阻。但是，该光罩工艺过程中需要对所沉积的电极材料进行蚀刻，由于蚀刻工艺需要相应的蚀刻设备、蚀刻材料，成本较高。同时，由于蚀刻过程需要精确控制蚀刻精度，需要额外的精密控制结构，将增加制造成本。
【发明内容】
为了克服现有技术光罩工艺由于具有蚀刻步骤导致成本高的不足，本发明提供一种由于省略蚀刻步骤而成本低的光罩工艺。
为了克服现有技术薄膜晶体管的制造方法由于具有蚀刻步骤导致成本高的不足，本发明提供一种由于省略蚀刻步骤而成本低的薄膜晶体管的制造方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一光罩工艺，其包括以下步骤：在一载体上涂布一层光阻剂；采用一具有预定图案的光罩对该光阻剂曝光；对曝光后的光阻剂进行显影，获得预定图案的光阻剂层；沉积一层预定材料在该预定图案的光阻剂层和载体表面；去除该预定图案的光阻剂层和沉积在光阻剂层上的预定材料。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一薄膜晶体管制造方法，其包括至少三光罩工艺，其中该至少三光罩工艺中至少一光罩工艺包括以下步骤：在一载体上涂布一层光阻剂；采用一具有预定图案的光罩对该光阻剂曝光；对曝光后的光阻剂进行显影，获得预定图案的光阻剂层；沉积一层预定材料在该预定图案的光阻剂层和载体表面；去除该预定图案的光阻剂层和沉积在光阻剂层上的预定材料。
与现有技术相比较，本发明具有以下优点：本发明的光罩工艺省略现有技术光罩工艺的蚀刻步骤，可简化工艺；本发明的薄膜晶体管制造方法采用本发明的光罩工艺，可省略蚀刻步骤，进而省略相应的蚀刻设备、蚀刻控制检测设备，降低薄膜晶体管的制造成本。
【附图说明】
图1是一种现有技术顶栅型薄膜晶体管的剖面图。
图2是一种现有技术底栅型薄膜晶体管的剖面图。
图3至图10是本发明薄膜晶体管制造方法第一实施方式的过程图。
图11至图19是本发明薄膜晶体管制造方法第二实施方式的过程图。
【具体实施方式】
请一并参阅图3至图10，是本发明薄膜晶体管制造方法第一实施方式，以下为其具体实施步骤：
请参阅图3，首先，提供一基底30，该基底30材料为玻璃或二氧化硅；
请参阅图4，在该基底30上沉积一层无定形硅，并通过微影、蚀刻等工艺，在该基底30上形成源极31和漏极32，该过程为第一次光罩工艺；
请参阅图5，在上述步骤所得基底30、源极31和漏极32表面沉积一层P型或本征无定形锗化硅，并对该P型或本征无定形锗化硅层进行微影、蚀刻等工艺，形成一通道层33，该过程为第二次光罩工艺；
请参阅图6，采用激光E照射上述步骤形成的结构，使源极31、漏极32和通道层33结晶；
请参阅图7，在上述结构表面沉积一层二氧化硅，并进行微影、蚀刻等工艺，形成一层绝缘层34和多个接触孔35，该过程为第三次光罩工艺；
请参阅图8，在上述结构上涂布一层光阻剂，该光阻剂是正光阻剂，也可以是负光阻剂。采用一具有预定图案的光罩对该光阻剂进行曝光、显影操作，形成预定形状的光阻剂层36，其厚度较厚。该光阻剂层36设计为上宽下窄结构，以便于剥离。当然，该光阻剂层36也不限于该结构；
请参阅图9，在上述结构上均匀沉积一金属层37，该金属层37材料为铝、钼或铬等，其厚度相较光阻剂层36薄；
请参阅图10，上述步骤所形成的结构中移去残留光阻剂层36和沉积在该光阻剂层36上的金属层37，余下部位的金属层37分别形成源极电极38、漏极电极39和栅极电极40，进而获得顶栅型薄膜晶体管。
对比现有技术顶栅型薄膜晶体管，其制造方法差异在于：本发明顶栅型薄膜晶体管的制造方法采用如图8至图10所示的无蚀刻光罩工艺代替现有技术顶栅型薄膜晶体管的第四次光罩工艺，即采用如图8至图10所示的涂布光阻剂层，对该光阻剂层曝光、显影，沉积金属层和移除光阻剂层四步骤代替现有技术沉积金属层，涂布光阻剂层，对光阻剂层曝光、显影，蚀刻，移除光阻剂五步骤，从而省略其中蚀刻步骤。
请一并参阅图11至图19，为本发明薄膜晶体管制造方法第具有预定图案的光罩对该光阻剂曝光；对曝光后的光阻剂进行显影，获得预定图案的光阻剂层；沉积一层导电材料在该预定图案的光阻剂层和载体表面；去除该预定图案的光阻剂层和沉积在光阻剂层上的导电材料。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一薄膜晶体管制造方法，其包括至少三光罩工艺，其中该至少三光罩工艺中至少一光罩工艺包括以下步骤：在一载体上涂布一层光阻剂；采用一具有预定图案的光罩对该光阻剂曝光；对曝光后的光阻剂进行显影，获得预定图案的光阻剂层；沉积一层预定材料在该预定图案的光阻剂层和载体表面；去除该预定图案的光阻剂层和沉积在光阻剂层上的预定材料。
与现有技术相比较，本发明具有以下优点：本发明的光罩工艺省略现有技术光罩工艺的蚀刻步骤，可简化工艺；本发明的薄膜晶体管制造方法采用本发明的光罩工艺，可省略蚀刻步骤，进而省略相应的蚀刻设备、蚀刻控制检测设备，降低薄膜晶体管的制造成本。
【附图说明】
图1是一种现有技术顶栅型薄膜晶体管的剖面图。
图2是一种现有技术底栅型薄膜晶体管的剖面图。
图3至图10是本发明薄膜晶体管制造方法第一实施方式的过程图。
图11至图19是本发明薄膜晶体管制造方法第二实施方式的过程图。
【具体实施方式】
请一并参阅图3至图10，是本发明薄膜晶体管制造方法第一实施方式，以下为其具体实施步骤：
请参阅图3，首先，提供一基底30，该基底30材料为玻璃或二氧化硅；
请参阅图4，在该基底30上沉积一层无定形硅，并通过微影、蚀刻等工艺，在该基底30上形成源极31和漏极32，该过的无蚀刻光罩工艺代替现有技术底栅型薄膜晶体管的第五次光罩工艺。
本发明薄膜晶体管制造方法第一、第二实施方式的最后一次光罩工艺均采用无蚀刻光罩工艺，该工艺可省略现有技术光罩工艺的蚀刻步骤，进而省略相应的蚀刻设备、蚀刻控制检测设备，降低薄膜晶体管的制造成本。
当然，薄膜晶体管工艺中，无论顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管，无论五光罩、四光罩或三光罩工艺制造的薄膜晶体管，无论薄膜晶体管或其它半导体装置，只要其工艺采用现有技术光罩工艺均可采用本发明的无蚀刻光罩工艺完成。

Claims (10)

1.一种光罩工艺，其包括以下步骤：在一载体上涂布一层光阻剂；采用一具有预定图案的光罩对该光阻剂曝光；对曝光后的光阻剂进行显影，获得预定图案的光阻剂层；沉积一层导电材料在该预定图案的光阻剂层和载体表面；去除该预定图案的光阻剂层和沉积在光阻剂层上的导电材料。
2.如权利要求1所述的光罩工艺，其特征在于：该光阻剂为正光阻剂或负光阻剂。
3.如权利要求1所述的光罩工艺，其特征在于：该光阻剂层的厚度大于预定材料层的厚度。
4.如权利要求3所述的光罩工艺，其特征在于：该光阻剂层的结构为上宽下窄。
5.一种薄膜晶体管的制造方法，其包括至少三光罩工艺，其中该至少三光罩工艺中至少一光罩工艺包括以下步骤：在一载体上涂布一层光阻剂；采用一具有预定图案的光罩对该光阻剂曝光；对曝光后的光阻剂进行显影，获得预定图案的光阻剂层；沉积一层预定材料在该预定图案的光阻剂层和载体表面；去除该预定图案的光阻剂层和沉积在光阻剂层上的预定材料。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该光阻剂为正光阻剂或负光阻剂。
7.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该光阻剂层的厚度大于预定材料层的厚度。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该光阻剂层的结构为上宽下窄。
9.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。
10.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该至少三光罩工艺为三光罩工艺、四光罩工艺或五光罩工艺。
CNB031142036A 2003-04-08 2003-04-08 光罩工艺及薄膜晶体管的制造方法 Expired - Fee Related CN1322372C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB031142036A CN1322372C (zh) 2003-04-08 2003-04-08 光罩工艺及薄膜晶体管的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB031142036A CN1322372C (zh) 2003-04-08 2003-04-08 光罩工艺及薄膜晶体管的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1536441A CN1536441A (zh) 2004-10-13
CN1322372C true CN1322372C (zh) 2007-06-20

Family

ID=34320133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031142036A Expired - Fee Related CN1322372C (zh) 2003-04-08 2003-04-08 光罩工艺及薄膜晶体管的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1322372C (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110854067B (zh) * 2019-10-22 2022-05-03 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板的制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1033252C (zh) * 1992-12-29 1996-11-06 株式会社金星社 制造薄膜晶体管的方法
US5889292A (en) * 1992-03-30 1999-03-30 Sony Corporation Semiconductor device having an improved thin film transistor
CN1230791A (zh) * 1998-03-26 1999-10-06 中国科学院长春物理研究所 一种薄膜晶体管开关器件的制作方法
CN1305222A (zh) * 1999-12-08 2001-07-25 三星Sdi株式会社 制造薄膜晶体管的方法
CN1333475A (zh) * 2000-05-12 2002-01-30 株式会社日立制作所 液晶显示装置及其制造方法
US6500702B2 (en) * 1999-12-24 2002-12-31 Hyundai Display Technology Inc. Method for manufacturing thin film transistor liquid crystal display

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5889292A (en) * 1992-03-30 1999-03-30 Sony Corporation Semiconductor device having an improved thin film transistor
CN1033252C (zh) * 1992-12-29 1996-11-06 株式会社金星社 制造薄膜晶体管的方法
CN1230791A (zh) * 1998-03-26 1999-10-06 中国科学院长春物理研究所 一种薄膜晶体管开关器件的制作方法
CN1305222A (zh) * 1999-12-08 2001-07-25 三星Sdi株式会社 制造薄膜晶体管的方法
US6500702B2 (en) * 1999-12-24 2002-12-31 Hyundai Display Technology Inc. Method for manufacturing thin film transistor liquid crystal display
CN1333475A (zh) * 2000-05-12 2002-01-30 株式会社日立制作所 液晶显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1536441A (zh) 2004-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5909615A (en) Method for making a vertically redundant dual thin film transistor
US7986387B2 (en) Transflective liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7477345B2 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
CN101685229B (zh) 液晶显示器阵列基板的制造方法
US7169653B2 (en) Fabrication method for liquid crystal display
US7499118B2 (en) Structure of switching device for liquid crystal display device and fabrication method thereof
US20080131818A1 (en) Method for fabrication liquid crystal display device and diffraction mask therefor
EP3054483A1 (en) Array substrate, manufacturing method therefor, and display apparatus
KR101788488B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
KR100464204B1 (ko) 그레이톤 마스크 및 이를 이용한 액정디스플레이 제조방법
CN100578761C (zh) 薄膜晶体管阵列基板制造方法
CN102023432A (zh) Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN101304033A (zh) 显示装置和显示装置的制造方法
US7414691B2 (en) Liquid crystal display device with prevention of defective disconnection of drain/pixel electrodes by forming two conductive layers on top of entire pixel electrode and then removing a portion of both therefrom
US6376288B1 (en) Method of forming thin film transistors for use in a liquid crystal display
CN1350326A (zh) 薄膜晶体管平面显示器
US8421096B2 (en) Pixel structure and display panel
CN102629583B (zh) 阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示器
CN1322372C (zh) 光罩工艺及薄膜晶体管的制造方法
KR100470020B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US6168982B1 (en) Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuit elements
KR100544814B1 (ko) 반사형액정표시소자및그제조방법
KR100601193B1 (ko) 컬러패턴 온 어레이형 액티브 메트릭스 기판 및 이의 제조방법
KR100289654B1 (ko) 버티컬구조의박막트랜지스터를구비한액정표시소자및그의제조방법
CN113964086A (zh) 一种基于poa的显示面板的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070620

Termination date: 20180408