CN101304033A - 显示装置和显示装置的制造方法 - Google Patents

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CN101304033A CNA2008100991386A CN200810099138A CN101304033A CN 101304033 A CN101304033 A CN 101304033A CN A2008100991386 A CNA2008100991386 A CN A2008100991386A CN 200810099138 A CN200810099138 A CN 200810099138A CN 101304033 A CN101304033 A CN 101304033A
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Abstract

本发明的目的在于提供一种降低膜浮起以及膜剥离的显示装置。本发明的显示装置具有：形成在衬底(11)上的第一辅助电容电极、第二辅助电容电极、第一栅电极布线、以及形成在第二栅电极布线上的第一绝缘膜(13)；形成在第一绝缘膜(13)上的源电极(16)以及漏电极(17)、以及形成在源极布线(5)上的第二绝缘膜(18)；形成在第二绝缘膜(18)上的有机树脂膜(19)；形成在有机树脂膜(19)上并且通过接触孔(22)与漏电极(17)、第二辅助电容电极、以及源极布线(5)连接的像素透过电极(24)；形成在像素透过电极(24)以及有机树脂膜(19)上的一部分或全部的像素反射电极(25)，其中，端子部的有机树脂膜具有比像素部的有机树脂膜的膜厚薄的膜厚调整区域。

Description

显示装置和显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及对从外部入射的光进行反射并进行显示的反射型或半透过型的液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，一直进行使用了薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)的液晶显示装置以及EL显示装置等薄型显示装置的开发。作为代替阴极射线管(CRT：Cathode Ray Tube)的平板显示器(flat panel display)之一的液晶显示装置(LCD：Liquid Crystal Display)具有功耗小并且薄型这一优点。因此，液晶显示装置被使用于笔记本(notebook)型电脑(computer)、汽车驾驶导航系统(car navigation system)、便携终端设备以及电视(television)等。一般地，在使用了液晶的光电元件中，将液晶层夹持在分别具有对置的电极的衬底之间。并且，在衬底外侧形成偏光板。
LCD的种类有：透过型LCD，使光源即背光源(back light)的光透过并进行显示；反射型LCD，不具有背光源，对从外部入射的光进行反射并进行显示；具有透过型以及反射型的作用的半透过型LCD或部分反射型LCD。由于反射型LCD不需要背光源，因此能够降低功率，能够实现薄型化。因此，反射型LCD多用作便携式的终端用LCD。此外，具有反射型LCD的优点以及透过型LCD的优点的半透过型LCD能够防止从外部入射的光和显示光的明暗差所引起的可视性的下降。
此处，对于反射型LCD来说，在显示装置的反射板平坦的情况下，由于反射板为镜面，因此，存在将显示装置的背景照到画面上的情况。由此，存在可视性低下这一问题。为了使可视性提高，在反射板上形成凸部或凹部，使得除了来自荧光灯以及太阳等的光线之外，将来自反射型LCD的周围的墙壁等的间接性的反射光进行聚光，并向利用者一侧的视线反射。例如，将反射率较高的金属薄膜进行部分性刻蚀(etching)，形成具有凹凸的反射板，从而对反射光进行聚光。
并且，近年的反射型LCD或半透过型LCD中，为了使开口率提高，或者为了在成为像素的反射电极上形成凹凸，多使用在绝缘性基底膜上形成由具有光反射性的金属构成的反射电极的结构(例如，参照专利文献1)。对于该绝缘性基底膜来说，从构图(patterning)的容易性来看，例如，使用感光性有机树脂膜，特别是，多使用感光性丙稀(acrylic)树脂。
在形成所述反射电极的步骤中，当对在反射电极的构图中所使用的光致抗蚀剂(photoresist)进行剥离清洗时，例如，使用胺(amine)类剥离液。此时，由于胺类剥离液，作为反射电极的基底膜的感光性有机树脂膜膨胀。在感光性有机树脂膜的下层，例如，形成栅极布线电极、欧姆接触(ohmic contact)膜以及源电极等，对于感光性有机树脂膜来说，膜厚差按各处而不同。由此，有机树脂膜的膨胀量按各处而不同，产生有机树脂膜的膜浮起以及膜剥离。对于感光性有机树脂膜的膜浮起以及膜剥离来说，特别是，在感光性有机树脂膜上未形成反射电极的像素部以外的例如端子部等上显著产生。
此处，专利文献2至专利文献4中记载有降低感光性有机树脂膜的膨胀的半导体装置等。专利文献2中记载有使用由碳数为3以上的链烷醇胺(alkanolamine)50～90重量％、水混合性溶剂8～40重量％以及水2～30重量％构成。此外，专利文献3中记载有通过对有机树脂膜表面照射等离子体(plasma)来降低感光性有机树脂膜的膨胀的半导体元件衬底的制造方法。并且，专利文献4中记载有如下的显示装置：形成两层成为形成在有机绝缘膜上的反射电极的金属膜，将形成于上侧的反射金属膜作为掩膜(mask)，对形成于下侧的保护金属膜进行了刻蚀。剥离形成于反射金属膜上的抗蚀剂(resist)时，在有机绝缘膜上形成保护金属膜，在感光性有机绝缘膜上未涂敷胺类剥离液。
专利文献1特开2001-305515号公报
专利文献2特开平11-133627号公报
专利文献3特开2003-318402号公报
专利文献4特开2000-147534号公报
但是，对于专利文献2中记载的半导体装置的制造方法来说，需要进行用于提炼所述抗蚀剂膜剥离剂的新设备引入，半导体装置的制造成本(cost)增大。此外，对于专利文献3中记载的半导体元件衬底的制造方法来说，为了进行等离子体处理，造成制造步骤数增大，由于引入等离子体照射用的新设备，因此制造成本增大。并且，对于专利文献4中记载的显示装置来说，需要形成两层作为反射电极的金属膜，因此，存在制造步骤数增大并且显示装置的制造复杂这一问题。
发明内容
本发明是为了解决这样的问题而进行的，其目的在于提供一种降低膜浮起以及膜剥离的显示装置以及显示装置的制造方法。
为了解决所述课题，本发明的显示装置具有：在衬底上的像素部所形成的第一辅助电容电极以及第一栅(gate)电极布线、以及在端子部形成的第二辅助电容电极以及第二栅电极布线；在所述第一辅助电容电极、所述第二辅助电容电极、所述第一栅电极布线、以及所述第二栅电极布线上形成的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上，在与所述像素部的所述第一栅电极布线对置的区域的一部分形成的源(source)电极、在与所述第一栅电极布线对置的区域的另外一部分以及与所述第一辅助电容电极对置的区域形成的漏(drain)电极、以及在除了与所述端子部的所述第二辅助电容电极对置的区域的位置形成的源极布线；形成在所述源电极以及所述漏电极上、及所述源极布线上的第二绝缘膜；形成在所述第二绝缘膜上的有机树脂膜；像素透过电极，形成在所述有机树脂膜上，通过接触孔(contact hole)与所述漏电极、所述第二辅助电容电极、以及所述源极布线连接；像素反射电极，形成在所述像素透过电极以及所述有机树脂膜上的一部分或全部上，其中，所述端子部的所述有机树脂膜具有比所述像素部的所述有机树脂膜的膜厚薄的膜厚调整区域。
本发明的另一方式的显示装置的特征在于，具有：在衬底上的像素部所形成的第一辅助电容电极以及第一栅(gate)电极布线、以及在端子部形成的第二辅助电容电极以及第二栅电极布线；在所述第一辅助电容电极、所述第二辅助电容电极、所述第一栅电极布线、以及所述第二栅电极布线上形成的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上，在与所述像素部的所述第一栅电极布线对置的区域的一部分形成的源(source)电极、在与所述第一栅电极布线对置的区域的另外一部分以及与所述第一辅助电容电极对置的区域形成的漏(drain)电极、以及在除了与所述端子部的所述第二辅助电容电极对置的区域的位置形成的源极布线；形成在所述源电极以及所述漏电极上、及所述源极布线上的第二绝缘膜；形成在所述第二绝缘膜上的有机树脂膜；像素透过电极，形成在所述有机树脂膜上，通过接触孔(contact hole)与所述漏电极、所述第二辅助电容电极、以及所述源极布线连接；像素反射电极，形成在所述像素透过电极以及所述有机树脂膜上的一部分或全部上，所述端子部的所述有机树脂膜具有膜厚调整区域，所述膜厚调整区域以所述端子部的所述有机树脂膜的膜厚为固定的方式形成。
为了解决所述课题，本发明的显示装置的制造方法其特征在于具有如下步骤：在衬底上的像素部形成第一辅助电容电极以及第一栅电极布线，在端子部形成第二辅助电容电极以及第二栅电极布线；在所述第一辅助电容电极、所述第二辅助电容电极、所述第一栅电极布线、以及所述第二栅电极布线上形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上，在与所述像素部的所述第一栅电极布线对置的区域的一部分形成源电极，在与所述第一栅电极布线对置的区域的另外一部分以及与所述第一辅助电容电极对置的区域形成漏电极，以及在除了与所述端子部的所述第二辅助电容电极对置的区域的位置形成源极布线；在所述源电极以及所述漏电极、及所述源极布线上形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成有机树脂膜；形成像素透过电极，该像素电极形成在所述有机树脂膜上，通过接触孔与所述漏电极、所述第二辅助电容电极、或所述源极布线连接；在所述像素透过电极上以及所述有机树脂膜上的一部分形成像素反射电极，其中，在所述有机树脂膜形成步骤中，在所述端子部的所述有机树脂膜中，形成比所述像素部的所述有机树脂膜的膜厚薄的膜厚调整区域。
本发明的另一方式的显示装置的制造方法其特征在于，具有如下步骤：在衬底上的像素部形成第一辅助电容电极以及第一栅电极布线，在端子部形成第二辅助电容电极以及第二栅电极布线；在所述第一辅助电容电极、所述第二辅助电容电极、所述第一栅电极布线、以及所述第二栅电极布线上形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上，在与所述像素部的所述第一栅电极布线对置的区域的一部分形成源电极，在与所述第一栅电极布线对置的区域的另外一部分以及与所述第一辅助电容电极对置的区域形成漏电极，以及在除了与所述端子部的所述第二辅助电容电极对置的区域的位置形成源极布线；在所述源电极以及所述漏电极、及所述源极布线上形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成有机树脂膜；形成像素透过电极，该像素电极形成在所述有机树脂膜上，通过接触孔与所述漏电极、所述第二辅助电容电极、或所述源极布线连接；在所述像素透过电极上以及所述有机树脂膜上的一部分形成像素反射电极，其中，在所述有机树脂膜形成步骤中，以所述端子部的所述有机树脂膜的膜厚为固定的方式形成所述膜厚调整区域。
根据本发明的显示装置以及显示装置的制造方法，能够降低膜浮起以及膜剥离。
附图说明
图1是表示在本实施方式的显示装置中所使用的TFT阵列衬底的结构的平面示意图。
图2(a)是表示本实施方式的TFT阵列衬底的像素部的结构的平面图，(b)是表示本实施方式的TFT阵列衬底的端子部的结构的平面图。
图3是表示图2(a)所示的TFT阵列衬底的像素部的A-A’剖面的剖面图以及图2(b)所示的TFT阵列衬底1的端子部的B-B’剖面的剖面图。
图4是表示实施方式1的显示装置的制造步骤的制造步骤剖面图。
图5是表示有机树脂膜的膜厚与膨胀量的关系的图。
图6是表示实施方式2的显示装置的制造步骤的制造步骤剖面图。
具体实施方式
实施方式1
以下，参照附图，详细地对应用本发明的具体实施方式进行说明。本实施方式将本发明应用于使从外部入射的光反射并进行显示的半透过型液晶显示装置。本实施方式的液晶显示装置具有TFT阵列(array)衬底。首先，使用图1，对本实施方式的显示装置的TFT阵列衬底的结构进行说明。图1是表示在本实施方式的显示装置中所使用的TFT阵列衬底1的结构的平面示意图。
如图1所示，TFT阵列衬底1具有：显示区域2；包围显示区域2设置的框架区域3。在该显示区域2形成多个栅电极布线4以及多个源极布线5。多个栅电极布线4分别平行设置。同样地，多个源极布线5分别平行设置。此外，栅电极布线4与源极布线5正交。被栅电极布线4和源极布线5包围的区域成为像素6。即，在TFT阵列衬底1上，像素6排列为矩阵(matrix)状。
并且，在TFT阵列衬底1的框架区域3设置栅极信号驱动电路7和源极信号驱动电路8。栅电极布线4以及源极布线5分别从显示区域2延伸设置到框架区域3。栅电极布线4在TFT阵列衬底1的端部与栅极信号驱动电路7连接。在栅极信号驱动电路7的附近形成未图示的外部布线，并与栅极信号驱动电路7连接。源极布线5在TFT阵列衬底1的端部与源极信号驱动电路8连接。此外，在源极信号驱动电路8的附近形成未图示的外部布线，并与源极信号驱动电路8连接。
像素6内至少形成一个TFT9和保持电容部10。TFT9形成在栅电极布线4和源极布线5相交叉的附近。此外，在TFT9上串联连接保持电容部10。
其次，更详细地对这样构成的TFT阵列衬底1的结构进行说明。图2(a)中示出表示本实施方式的TFT阵列衬底1的像素部的结构的平面图。图2(b)中示出表示TFT阵列衬底1的端子部的结构的平面图。图3中示出表示图2(a)所示的TFT阵列衬底1的像素部的A-A’剖面的剖面图以及表示图2(b)所示的TFT阵列衬底1的端子部的B-B’剖面的剖面图。在图3所示的显示装置中，虚线左侧示出由TFT部、反射电极部以及开口部构成的像素部，虚线右侧示出向与TFT阵列衬底1对置地形成的滤色片(color filter)衬底(以下，称为CF衬底)提供辅助电容电极的电位的Cs(辅助电容电极)转换部、向CF衬底提供源电极的电位的源极变换部、以及栅电极与源电极交叉而形成的栅极源极交叉部构成的端子部。
如图2以及图3所示，在绝缘性衬底11上的像素部，形成栅电极布线4(第一栅电极布线)以及辅助电容电极12(第一辅助电容电极)。在绝缘性衬底11上的端子部上形成栅电极布线4(第二栅电极布线)以及辅助电容电极12(第二辅助电容电极)。辅助电容电极12构成辅助电容，该辅助电容用于将施加在像素电极上的电压保持固定时间。在栅电极布线4以及辅助电容电极12上，形成成为栅极绝缘膜的第一绝缘膜13。并且，在第一绝缘膜13上形成半导体有源膜14以及欧姆接触膜15。在像素部，在欧姆接触膜15上形成源电极16以及漏电极17。通过欧姆接触膜15连接源电极16以及漏电极17与半导体有源膜14，构成TFT9。此外，在端子部，在第一绝缘膜13上形成与源电极16连接的源极布线5。并且，在源电极16、漏电极17、以及源极布线5上形成第二绝缘膜18，在第二绝缘膜18上形成有机树脂膜19。此外，在有机树脂膜19上形成凹部20。在本实施方式中，在有机树脂膜19上还形成有膜厚调整区域21。详细情况后述。并且，在像素部，以贯穿有机树脂膜19以及第二绝缘膜18的方式，形成第一接触孔22a。此外，在端子部，形成贯穿有机树脂膜19、第二绝缘膜18以及第一绝缘膜13的接触孔22b、和贯穿有机树脂膜19以及第二绝缘膜18的接触孔22c。并且，在像素部形成开口部23。并且，在有机树脂膜19上形成像素透过电极24，该像素透过电极24通过接触孔22a与漏电极17连接，通过接触孔22b与辅助电容电极12连接，通过接触孔22c与源极布线5连接。并且，在像素透过电极24表面上，在凹部20、接触孔22a、以及开口部23的一部分形成像素反射电极25。
其次，使用图4以及图5对图2以及图3所示的显示装置的制造方法进行说明。图4(a)至(g)是使用了表示图2所示的显示装置的A-A’剖面以及B-B’剖面的剖面图的制造步骤剖面图。在图4所示的显示装置中，虚线左侧表示像素部，虚线右侧表示端子部。
如图4(a)所示，使用溅射(sputtering)法等在玻璃(glass)衬底等的绝缘性衬底11上形成第一金属膜。之后，在第一金属膜上涂敷抗蚀剂，利用对所涂敷的抗蚀剂进行曝光以及显影的第一光刻(photolithography)，对第一金属膜进行构图，形成辅助电容电极12，该辅助电容电极12用于形成栅电极布线4以及电气电容。对于第一金属膜来说，例如，使用铬(chrome)(Cr)、铝(aluminum)(Al)钼(molybdenum)(Mo)、钽(tantalum)(Ta)、钛(titanium)(Ti)、钨(tungsten)(W)以及铜(Cu)等、或者向这些金属中添加有微量的杂质的合金等。此外，第一金属膜也可以是将这些金属或合金进行层叠后的层叠膜。优选膜厚大约为100nm～500nm。在本实施方式中，作为第一金属膜，形成膜厚大约为200nm的Cr膜，利用第一光刻进行构图。并且，例如，使用含有硝酸铈铵(ceric ammonium nitrate)以及高氯酸的药液，进行湿法刻蚀(wet etching)，形成栅电极布线4以及辅助电容电极12。
其次，如图4(b)所示，在栅电极布线4以及辅助电容电极12上形成第一绝缘膜13。并且，在像素部，在第一绝缘膜13上，连续形成半导体有源膜14以及欧姆接触膜15。对于第一绝缘膜13来说，形成膜厚大约为50nm～400nm的SiN或SiO2。对于半导体有源膜14来说，形成膜厚大约为100nm～250nm的非晶硅(amorphous silicon)(a-Si)或多晶硅(polysilicon)(p-Si)。对于欧姆接触膜15来说，形成膜厚大约为20nm～70nm的在硅中微量地掺杂(doping)有磷(phosphorus)(P)的n+a-Si。并且，在欧姆接触膜15上涂敷未图示的抗蚀剂，利用第二光刻对该抗蚀剂进行构图后，对欧姆接触膜15以及半导体有源膜14进行刻蚀、除去，除去抗蚀剂。由此，进行欧姆接触膜15以及半导体有源膜14的构图。在本实施方式中，使用等离子体CVD法，连续形成作为第一绝缘膜13的膜厚大约为100nm的SiN膜、作为半导体有源膜14的膜厚大约为150nm的a-Si膜、作为欧姆接触膜15的膜厚大约为30nm的n+a-Si膜。并且，利用第二光刻，形成像素部的TFT9的图形。而且，例如，应用使用了含有卤素(halogen)元素的气体(gas)的干法刻蚀(dry etching)法，进行欧姆接触膜15以及半导体有源膜14的刻蚀。
如图4(c)所示，例如，使用溅射法等在第一绝缘膜13以及欧姆接触膜15上形成第二金属膜。例如，第二金属膜使用Cr、Mo、Ta、Ti、W等、或者在这些中添加有微量杂质的合金等。此外，在使用Al或Cu等低电阻物质时，为了获得与形成在下层的欧姆接触膜15的良好的电特性，优选在由该低电阻物质构成的第二金属膜的下层形成Cr、Mo、Ta、Ti、W等，作为层叠膜。优选第二金属膜的膜厚大约为100～500nm。之后，涂敷抗蚀剂并利用第三光刻对该抗蚀剂进行构图，对所露出的第二金属膜进行刻蚀并除去。由此，形成像素部的TFT9的源电极16以及漏电极17、并在端子部形成源极布线5。之后，除去所露出的欧姆接触膜15以及抗蚀剂。
此处，作为第二金属膜，形成膜厚大约为200nm的Cr膜，利用第三光刻对抗蚀剂进行构图。由此，形成端子部的源极布线5、像素部的TFT9的源电极16以及漏电极17。而且，使用含有硝酸铈铵以及高氯酸的药液，利用湿法刻蚀形成Cr膜。之后，利用干法刻蚀除去所露出的欧姆接触膜15。
其次，如图4(d)所示，例如，在源极布线5、源电极16、以及漏电极17上利用等离子体CVD形成膜厚大约为10nm～150nm的由SiN构成的第二绝缘膜18。并且，在第二绝缘膜18上形成膜厚大约为2.5μm～4.0μm的由有机树脂构成的有机树脂膜19。有机树脂膜19以形成后的表面大致平坦的方式形成。并且，优选有机树脂的材料等选择将该有机树脂膜19形成后的表面大致平坦的材料。
例如，对于有机树脂膜19来说，使用如下方法等形成：将层状形成在由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)(polyethylene terephthalate)构成的基薄膜(base film)上的有机树脂转印到衬底上之后，除去基薄膜；由喷嘴(nozzle)向衬底上喷出有机树脂膜，使用旋涂(spin)法进行涂敷。此外，在有机树脂膜19上存在感光性或非感光性的有机树脂。在本实施方式中，使用感光性的有机树脂。这样的感光性的有机树脂例如有JSR制PC335或PC403等，在本实施方式中，使用旋涂法形成膜厚大约为2.5μm～3.9μm的JSR制PC335。该有机树脂膜19是正(positive)型。对于正型来说，曝光时的光强度越强，光越到达有机树脂膜的深部，由显影所导致的膜厚的减少量增大。即，曝光时的光强度越强，显影处理后残存的有机树脂膜19的膜厚越薄。
其次，如图4(e)所示，部分地改变有机树脂膜所感应的光的光量，进行曝光并进行显影，由此，在有机树脂膜19上形成接触孔22(接触孔22a至22c)以及开口部23。并且，在有机树脂膜19上，在之后形成像素反射电极25的区域形成多个凹部20。并且，在本实施方式中，在栅极源极交叉部和源极变换部之间形成膜厚调整区域21。
此处，接触孔22、开口部23、凹部20、以及膜厚调整区域21的形成方法中，在将有机树脂膜19曝光时，使用用于形成接触孔22以及开口部23的掩膜、用于形成凹部20以及膜厚调整区域21的掩膜。使用这些掩膜，用分别不同的光量来进行曝光。对于用于形成凹部20以及膜厚调整区域21的掩膜来说，在形成凹部20以及膜厚调整区域21的区域，形成小于曝光装置的分辨率的图形(pattern)。使用具有小于分辨率的图形的掩膜，由此，在形成该小于分辨率的图形的区域，图形不清楚，曝光量变少。例如，在分辨率大约为50％的情况下，除去分辨率为100％时所除去的有机树脂膜19的大约一半。由此，与分辨率为100％情况相比较，能够形成大约一半的深度的区域。隔着具有小于分辨率的图形的掩膜进行曝光，由此，在膜厚较厚的区域(形成凹部20以及膜厚调整区域21的区域)，曝光量变少，在显影时，与膜厚较薄的区域(形成凹部20以及膜厚调整区域21以外的区域)的膜厚一致，除去膜厚较厚的区域的一部分，形成凹部20以及膜厚调整区域21。此外，用于形成凹部20以及膜厚调整区域21的掩膜，例如，使用如下掩模：大致完全对形成凹部20以及膜厚调整区域21的区域以外的区域进行遮光，在形成凹部20以及膜厚调整区域21的区域具有图形。使用该掩膜，由此，利用曝光向凹部20以及膜厚调整区域21照射光，在显影时，将被照射光的区域除去。由此，形成凹部20以及膜厚调整区域21。形成多个凹部20，由此，能够对来自显示装置周围的墙壁等的间接性的反射光进行聚光，能够使可视性提高。
此外，对于有机模19来说，由于在以后在该有机树脂膜19上形成的像素反射电极25的构图中所使用的抗蚀剂剥离液而膨胀，产生膜浮起以及膜剥离等。由于形成在有机树脂膜19的下层的台阶差部，有机树脂膜19膨胀时的应力在各处不同，因此，产生该有机树脂膜19的膜浮起以及膜剥离。即，形成在绝缘衬底11上的栅电极布线以及辅助电容电极等的层数在各处不同，由于这些层数的不同而形成台阶差部。由此，形成在该台阶差部上的有机树脂膜19的膜厚在各处不同，膨胀时有机树脂膜19的应力不同。例如，在端子部的栅极源极交叉部的、有机树脂膜19的下层形成栅电极布线4以及源极布线5这两层，但是，在端子部的源极变换部的、有机树脂膜19的下层形成一层源极布线5，在端子部的源极变换部和栅极源极交叉部，在有机树脂膜19的下侧具有台阶差部。由于该台阶差部，产生有机树脂膜19的剥离液膨胀量差异，产生膜浮起膜剥离。此外，在未形成像素反射电极25的端子部，显著发生膜浮起以及膜剥离。这是因为，在像素部，在有机树脂膜19上形成像素反射电极25，因此，抗蚀剂剥离液与有机树脂膜19接触的面积较小。因此，在本实施方式中，为了降低有机树脂膜19的膜浮起以及膜剥离等，根据形成在有机树脂膜19的下层的多个膜的膜厚，在该有机树脂膜19的一部分上形成膜厚调整区域21，使该有机树脂膜19的膜厚大致固定。使有机树脂膜19的膜厚大致固定，由此，有机树脂膜19膨胀时，应力大致均匀地施加，能够降低有机树脂膜19的剥离液膨胀量差异。由此，能够降低膜浮起以及膜剥离。
此处，图5中示出了在形成像素透过电极24的情况下，与在固定温度(例如，80□)下以固定时间(例如，5分钟)使用抗蚀剂剥离液时的有机树脂膜19的膜厚的关系。图5的横轴表示有机树脂膜19的膜厚(μm)，纵轴表示由抗蚀剂剥离液所导致的有机树脂膜19的膨胀量(μm)。此处，有机树脂膜19使用JSR制PC335，抗蚀剂剥离液使用东京应化制T-106。如图5所示，随着有机树脂膜19的膜厚增大，由抗蚀剂剥离液所导致的有机树脂膜19的膨胀量增大。由此可知，膜厚差越大，由膨胀所导致的应力增大，膜厚差越小，能够使由膨胀所导致的应力大致固定。
并且，返回到图4(e)，在有机树脂膜19上形成凹部20、膜厚调整区域21、接触孔22、以及开口部23之后，使用含有氟元素的气体，利用干法刻蚀，在像素部，除去形成在接触孔22a底部的第二绝缘膜18、及形成在开口部23底部的第二绝缘膜18以及第一绝缘膜13。此外，在端子部的Cs变换部，除去形成在接触孔22b底部的第一绝缘膜13及第二绝缘膜18、以及形成在接触孔22c底部的第二绝缘膜18以及第一绝缘膜13。
其次，如图4(f)所示，在有机树脂膜19上的预定区域形成透明导电膜。在本实施方式中，形成膜厚大约为5～15nm的ITO膜。之后，利用第五光刻，对透明导电膜进行构图，形成像素透过电极24。由此，连接形成在接触孔中的像素透过电极24与漏电极17、栅电极布线4、以及源极布线5。此外，像素透过电极24通过开口部23与绝缘性衬底11连接。
之后，如图4(g)所示，使用溅射法，在有机树脂膜19以及像素透过电极24上形成第三金属膜。有机树脂膜19具有形成凹部20的区域和未形成凹部20的区域。在具有凹部20的有机树脂膜19上形成第三金属膜，由此，在该第三金属膜上形成凹部20。之后，利用第六光刻，对第三金属膜进行构图。由此，在有机树脂膜19的凹部20以及开口部23的一部分上形成像素反射电极25。有机树脂膜19由于抗蚀剂剥离液而膨胀，该抗蚀剂剥离液是在除去该像素反射电极25的构图时使用的抗蚀剂时所使用的抗蚀剂剥离液。在本实施方式中，如上所述，形成膜厚调整区域21，使有机树脂膜19的膜厚大致固定，由此，防止由有机树脂膜19的膨胀所导致的膜浮起以及膜剥离等的产生。
而且，对于第三金属膜来说，在像素部，成为兼任像素电极和反射板的像素反射电极25，因此，优选使用反射率较高的物质。例如，使用在波长为550nm的可见光中具有90％以上的反射率特性的Al、银(Ag)或者在这些金属中添加有微量杂质的合金。此外，优选膜厚为大约50～400nm，但是，为了防止因像素部的凹部的台阶差而有可能产生的断线不良、以及充分发挥反射特性，优选使膜厚大约为100nm以上。此外，为了提高像素反射电极25的粘合力以及提高与形成在下层的像素透过电极24的接触特性，像素反射电极25也可以作成在该像素反射电极25的下侧形成有Cr、Mo、Ta、Ti、W等金属薄膜的层叠结构。在本实施方式中，对于第三金属膜来说，例如，形成膜厚大约为300nm的Al膜。由此，形成TFT阵列衬底1。
如上所示，在本实施方式中，为了使有机树脂膜19的膜厚大致固定，例如，在有机树脂膜19的一部分形成膜厚调整区域21。例如，在端子部的源极部与栅极源极交叉部之间形成膜厚调整区域21。该膜厚调整区域21根据形成在有机树脂膜19下层的多个膜的台阶差形成。形成膜厚调整区域21，使有机树脂膜19的膜厚大致固定，由此，能够降低有机树脂膜19由于抗蚀剂剥离液而膨胀时的应力，该抗蚀剂剥离液是在形成像素反射电极25时所使用的，该像素反射电极25形成在该有机树脂膜19上。由此，能够降低有机树脂膜19的膜浮起以及膜剥离。
而且，在本实施方式中，例如，在端子部的栅极源极交叉部与源极变换部之间形成膜厚调整区域21，但是，膜厚调整区域21也可以形成在其他端子部的源极变换部和栅极部之间。并且，在本实施方式中，为了使有机树脂膜19的膜厚大致固定，例如，形成膜厚调整区域21，但是，也可以在绝缘性衬底11上将端子部的Cs变换部、源极变换部、以及栅极源极交叉部形成为岛状。即，以除去在Cs变换部、源极变换部以及栅极源极交叉部之间形成的有机树脂膜19、第二绝缘膜18、以及第一绝缘膜13而使Cs变换部、源极变换部、以及栅极源极交叉部之间的绝缘性衬底11露出的方式形成。由此，能够缓和源极变换部、Cs变换部、以及栅极源极交叉部的有机树脂膜19由于抗蚀剂剥离液而膨胀时的应力，能够降低有机树脂膜19的膜剥离以及膜浮起等。
实施方式2
其次，参照图6对实施方式2的显示装置进行说明。图6是实施方式2的显示装置的制造步骤剖面图。在图6所示的实施方式2的显示装置中，对与图4所示的实施方式1相同的结构要素赋予相同符号，省略其详细说明。
在图6(a)至图6(d)所示的实施方式2的显示装置中，与到在图4(a)至图4(d)所示的实施方式1的在源极布线5、源电极16、以及漏电极17上形成第二绝缘膜18并且在该第二绝缘膜18上形成由有机树脂构成的有机树脂膜19的步骤是相同的步骤。在实施方式1中，形成膜厚调整区域21，由此，使有机树脂膜19的膜厚大致固定，使有机树脂膜19的膜浮起以及膜剥离等降低，但是，在本实施方式中，如图6(e)所示，将有机树脂膜19的膨胀显著的端子部的有机树脂膜19的膜厚形成得比像素部的有机树脂膜19的膜厚薄。此处，将膜厚比像素部薄的端子部的有机树脂膜19称为薄膜化树脂膜26。以下进行详细说明。
对于像素部与端子部的有机树脂膜19的膜厚的可变方法来说，如图6(d)所示，在衬底整体上形成有机树脂膜19之后，对该有机树脂膜19进行曝光时，使用用于形成接触孔22以及开口部23的掩膜、和用于形成凹部20以及薄膜化树脂膜26的掩膜。使用这些掩膜，使用分别不同的光量的光进行曝光。与实施方式1相同地，例如，对于用于形成凹部20以及薄膜化树脂膜26的掩膜来说，在形成凹部20以及薄膜化树脂膜26的区域形成小于曝光装置的分辨率的图形。使用形成有小于该分辨率的图形的掩膜进行曝光，并进行显像，由此，形成比像素部的有机树脂膜19薄的、端子部的薄膜化树脂膜26。此时，使薄膜化树脂膜26的膜厚为大约2μm以下。此外，对于用于形成凹部20以及薄膜化树脂膜26的掩膜来说，例如，可以使用如下掩模：大致完全地对形成凹部20以及薄膜化树脂膜26的区域以外的区域进行遮光，在形成凹部20以及薄膜化树脂膜26的区域形成图形。并且，例如，图6(d)所示的有机树脂膜19的形成步骤中，也可以以其他步骤形成有机树脂膜19，该有机树脂膜19形成在像素部以及端子部上。即，在第一步骤中，也可以仅在像素部形成所希望的膜厚的有机树脂膜19，在第二步骤中，在像素部以及端子部上形成所希望的厚度的有机树脂膜19。由此，形成像素部的有机树脂膜19、和端子部的薄膜化树脂膜26，端子部的薄膜化树脂膜26形成得比像素部的有机树脂膜19薄。
在本实施方式中，将形成在端子部的有机树脂膜19即薄膜化树脂膜26的膜厚形成得比在像素部所形成的有机树脂膜19的膜厚薄。由此，能够降低在有机树脂膜19上形成像素反射电极25时抗蚀剂剥离液所导致的有机树脂膜19的膨胀。这是因为，如图5示出的有机树脂膜19与膨胀量的关系的图所示，在膜厚较厚时，膨胀量较大。因此，使端子部的有机树脂膜19的膜厚变薄，由此，能够降低有机树脂膜19的膨胀，能够降低有机树脂膜19的膜浮起以及膜剥离。
而且，本发明不仅限于所述的实施方式，当然在未脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变更。例如，在本实施方式中，作为感光性有机树脂膜，使用了正型的材料，也可以使用负型的感光性树脂膜。并且，使用形成接触孔22以及开口部23用的曝光的掩膜、和形成凹部20以及膜厚调整区域21或薄膜化树脂膜26用的曝光的掩膜，使各自的光量不同，进行曝光，但是，也可以将掩膜共用，由一次曝光形成凹部20、开口部23、接触孔22、膜厚调整区域21或薄膜化树脂膜26。此时，优选在凹部20以及膜厚调整区域21或薄膜化树脂膜26上形成膜厚为大约为50nm以下的极薄的金属膜等，使透过率降低，使得与接触孔22以及开口部23的掩膜图形相比，使凹部20以及膜厚调整区域21或薄膜化树脂膜26的掩膜图形的光透过率变小。
此外，在本实施方式中，应用于半透过型液晶显示装置，但是，也可以应用于反射型液晶显示装置。此时，也可以不形成开口部23以及像素透过电极24。即，在有机树脂膜19上形成凹部20、接触孔22、以及膜厚调整区域21之后，除去接触孔22的底部露出的第二绝缘膜18。之后，形成第三金属膜，通过接触孔22与漏电极17连接。并且，在凹部20上形成像素反射电极25。此处，第三金属膜也作成层叠结构。例如，也可以在下层形成高熔点金属膜，在上层形成Al合金膜。

Claims (5)

1.一种显示装置，其中，
具有：在衬底上的像素部所形成的第一辅助电容电极以及第一栅电极布线、及在端子部形成的第二辅助电容电极以及第二栅电极布线；在所述第一辅助电容电极、所述第二辅助电容电极、所述第一栅电极布线、以及所述第二栅电极布线上形成的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上，在与所述像素部的所述第一栅电极布线对置的区域的一部分形成的源电极、在与所述第一栅电极布线对置的区域的另外一部分以及与所述第一辅助电容电极对置的区域形成的漏电极、以及在除了与所述端子部的所述第二辅助电容电极对置的区域以外的位置形成的源极布线；形成在所述源电极以及所述漏电极上、及所述源极布线上的第二绝缘膜；形成在所述第二绝缘膜上的有机树脂膜；像素透过电极，形成在所述有机树脂膜上，通过接触孔与所述漏电极、所述第二辅助电容电极、以及所述源极布线连接；像素反射电极，形成在所述像素透过电极以及所述有机树脂膜上的一部分或全部上，
所述端子部的所述有机树脂膜具有比所述像素部的所述有机树脂膜的膜厚薄的膜厚调整区域。
2.一种显示装置，其特征在于，
具有：在衬底上的像素部所形成的第一辅助电容电极以及第一栅电极布线、及在端子部形成的第二辅助电容电极以及第二栅电极布线；在所述第一辅助电容电极、所述第二辅助电容电极、所述第一栅电极布线、以及所述第二栅电极布线上形成的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上，在与所述像素部的所述第一栅电极布线对置的区域的一部分形成的源电极、在与所述第一栅电极布线对置的区域的另外一部分以及与所述第一辅助电容电极对置的区域形成的漏电极、以及在除了与所述端子部的所述第二辅助电容电极对置的区域以外的位置形成的源极布线；形成在所述源电极以及所述漏电极上、及所述源极布线上的第二绝缘膜；形成在所述第二绝缘膜上的有机树脂膜；像素透过电极，形成在所述有机树脂膜上，通过接触孔与所述漏电极、所述第二辅助电容电极、以及所述源极布线连接；像素反射电极，形成在所述像素透过电极以及所述有机树脂膜上的一部分或全部上，
所述端子部的所述有机树脂膜具有膜厚调整区域，所述膜厚调整区域以所述端子部的所述有机树脂膜的膜厚为固定的方式形成。
3.如权利要求1或权利要求2的显示装置，其特征在于，
所述像素部的所述有机树脂膜上具有多个凹部。
4.一种显示装置的制造方法，其中，
具有如下步骤：在衬底上的像素部形成第一辅助电容电极以及第一栅电极布线，在端子部形成第二辅助电容电极以及第二栅电极布线；在所述第一辅助电容电极、所述第二辅助电容电极、所述第一栅电极布线、以及所述第二栅电极布线上形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上，在与所述像素部的所述第一栅电极布线对置的区域的一部分形成源电极，在与所述第一栅电极布线对置的区域的另外一部分以及与所述第一辅助电容电极对置的区域形成漏电极，以及在除了与所述端子部的所述第二辅助电容电极对置的区域以外的位置形成源极布线；在所述源电极以及所述漏电极、及所述源极布线上形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成有机树脂膜；形成像素透过电极，该像素电极形成在所述有机树脂膜上，通过接触孔与所述漏电极、所述第二辅助电容电极、或所述源极布线连接；在所述像素透过电极上以及所述有机树脂膜上的一部分形成像素反射电极，
在所述有机树脂膜形成步骤中，在所述端子部的所述有机树脂膜中，形成比所述像素部的所述有机树脂膜的膜厚薄的膜厚调整区域。
5.一种显示装置的制造方法，其特征在于，
具有如下步骤：在衬底上的像素部形成第一辅助电容电极以及第一栅电极布线，在端子部形成第二辅助电容电极以及第二栅电极布线；在所述第一辅助电容电极、所述第二辅助电容电极、所述第一栅电极布线、以及所述第二栅电极布线上形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上，在与所述像素部的所述第一栅电极布线对置的区域的一部分形成源电极，在与所述第一栅电极布线对置的区域的另外一部分以及与所述第一辅助电容电极对置的区域形成漏电极，以及在除了与所述端子部的所述第二辅助电容电极对置的区域以外的位置形成源极布线；在所述源电极以及所述漏电极、及所述源极布线上形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成有机树脂膜；形成像素透过电极，该像素电极形成在所述有机树脂膜上，通过接触孔与所述漏电极、所述第二辅助电容电极、或所述源极布线连接；在所述像素透过电极上以及所述有机树脂膜上的一部分形成像素反射电极，
在所述有机树脂膜形成步骤中，以所述端子部的所述有机树脂膜的膜厚为固定的方式形成所述膜厚调整区域。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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