CN110854067B - 一种显示面板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板的制作方法，该方法包括：在衬底基板上制作绝缘层；其中所述绝缘层包括第一子部和第二子部；所述第一子部与预设区域的位置对应；在所述第一子部上制作光阻部；在所述光阻部上形成三维纳米结构；在所述三维纳米结构和所述第二子部上制作功能层；在所述三维纳米结构对应的功能层上喷洒剥离液，以将所述光阻部和所述光阻部上的功能层去除。本发明的显示面板的制作方法，能够提高剥离效率和剥离效果。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板的制作方法。
【背景技术】
现有的显示面板主要采用掩膜板工艺进行膜层的图案化。通常在底板需要开孔和上方膜层需要剥离的区域制作光阻层，然后再将光阻层(PR)和需要剥离的上方膜层剥离。
现有的剥离方式是利用负型光阻层、双层光阻层或者光阻层/绝缘层形成切角(Undercut)，之后再喷洒剥离液，以将光阻层和需要剥离的上方膜层剥离。如图1至3所示，现有的显示面板包括底板11、具有切角的中间膜层以及上方膜层14，中间膜层包括一层/两层光阻层12或者包括绝缘层13和光阻层12，然而该方法对光阻层的材料要求比较苛刻，且由于制程过程中采用光刻或真空沉积工艺，因此剥离时间长，且剥离液无法大面积地渗入，导致上方膜层容易产生残留，从而降低了剥离效果和剥离效率。
因此，有必要提供一种显示面板的制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板的制作方法，能够提高剥离效果和剥离效率。
为解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板的制作方法，包括：
在衬底基板上制作绝缘层；其中所述绝缘层包括第一子部和第二子部；所述第一子部与预设区域的位置对应；
在所述第一子部上制作光阻部；
在所述光阻部上形成三维纳米结构；
在所述三维纳米结构和所述第二子部上制作功能层；
在所述三维纳米结构对应的功能层上喷洒剥离液，以将所述光阻部和所述光阻部上的功能层去除。
本发明的显示面板的制作方法，通过在衬底基板上制作绝缘层；其中所述绝缘层包括第一子部和第二子部；在所述第一子部上制作光阻部；在所述光阻部上形成三维纳米结构；在所述三维纳米结构和所述第二子部上制作功能层；在所述三维纳米结构对应的功能层上喷洒剥离液，以将所述光阻部和所述光阻部上的功能层去除；由于三维纳米结构的结构特性会使功能层无法完全覆盖光阻部，也即两者之间的接触面具有缝隙或者缺口，从而便于剥离液的渗入，增大了剥离液和光阻部之间的接触面积，从而可快速和彻底地对功能层进行剥离，提高了剥离效果和剥离效率。
【附图说明】
图1为现有显示面板的第一种结构示意图；
图2为现有显示面板的第二种结构示意图；
图3为现有显示面板的第三种结构示意图；
图4为本发明显示面板的制作方法的第一步和第二步的结构示意图；
图5为本发明显示面板的制作方法的第三步中第一分步的结构示意图；
图6为本发明显示面板的制作方法的第三步中第二分步的结构示意图；
图7为本发明显示面板的制作方法的第四步的结构示意图；
图8为本发明显示面板的制作方法的第五步中第一分步的结构示意图；
图9为本发明显示面板的制作方法的第五步中第二分步的结构示意图。
图10为本发明显示面板的优选的结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图4至9，图4为本发明显示面板的制作方法的第一步和第二步的结构示意图。
如图4所示，本实施例的显示面板的制作方法，包括：
S101、在衬底基板上制作绝缘层；
例如，如图4所示，在衬底基板21上制作绝缘层22；其中所述绝缘层22包括第一子部221和第二子部222；所述第一子部221与预设区域的位置对应。在一实施方式中，该预设区域比如为绝缘层需要开孔或者功能层需要剥离的区域。也即可以理解的，所述第二子部222与非预设区域201的位置对应。
S102、在所述第一子部上制作光阻部；
例如，如图4所示，在所述第一子部221上制作光阻部23。
在一实施方式中，该步骤S102、也即所述在所述第一子部上制作光阻部的步骤可包括：
S1021、在所述绝缘层上制作光阻层，对所述光阻层进行图案化处理，以在与所述第一子部对应的位置形成光阻部。
例如，在所述绝缘层22上制作整层光阻层，对所述光阻层进行曝光显影，以在与所述第一子部221对应的位置形成光阻部23。
S103、在所述光阻部上形成三维纳米结构；
例如，如图5和图6所示，在所述光阻部23上形成三维纳米结构241。所述三维纳米结构241的厚度可位于预设范围内。由于三维纳米结构241的厚度位于预设范围内，因此可以便于剥离液的渗入，更好地提高剥离效果。
在一实施方式中，上述步骤S103、也即所述在所述光阻部上形成三维纳米结构的步骤可包括：
S1031、在所述光阻部和所述第二子部上涂布前体溶液；
如图5所示，通过喷头30在所述光阻部23和所述第二子部222上涂布前体溶液24。所述前体溶液24的涂布方式包括但不限于旋涂和刮涂。所述前体溶液可包括乙二醇和金属盐。其中所述金属盐中的金属元素可包括Ni、Co、Fe、Mn中的至少一种。
S1032、采用激光对所述光阻部上的前体溶液进行照射，以使该前体溶液发生反应形成三维纳米结构。
如图6所示，采用激光对所述光阻部23上的前体溶液进行照射，以使该前体溶液发生反应形成三维纳米结构241。其中所述三维纳米结构241具有孔洞结构。所述三维纳米结构241可包括Ni三维纳米结构、Co三维纳米结构、Fe三维纳米结构以及Mn三维纳米结构中的至少一种。
S104、在所述三维纳米结构和所述第二子部上制作功能层；
例如，如图7所示，在所述三维纳米结构241和所述第二子部222上制作功能层25。在一实施方式中，所述功能层25通过沉积方式制作得到。该功能层包括第一部分251和第二部分252，第一部分251与光阻部23的位置对应，第二部分252与第二子部222的位置对应。
S105、在所述三维纳米结构对应的功能层上喷洒剥离液，以将所述光阻部和所述光阻部上的功能层去除。
例如，如图8和9所示，在所述三维纳米结构241对应的功能层251上喷洒剥离液(Striper液)，以将所述光阻部23和所述光阻部23上的功能层251去除，也即保留第二子部222上的功能层252。该功能层包括但不限于透明导电层，该透明导电层的材料可为氧化铟锡。
由于通过在所述光阻部上形成三维纳米结构，因此在沉积功能层时，由于三维纳米结构的结构特性会使功能层无法完全覆盖光阻部，也即两者之间的接触面具有缝隙或者缺口，从而便于剥离液的渗入，增大了剥离液和光阻部之间的接触面积，从而彻底地实现膜层的剥离，由于制作工艺简洁，从而可快速地实现膜层的剥离，进而提高了剥离效果和剥离效率。
在一优选实施例中，本实施例的显示面板的制作方法可包括：
S201、在衬底基板上制作绝缘层；其中所述绝缘层包括第一子部和第二子部；
结合图10和图4，在衬底基板21上制作开关阵列层40，在开关阵列层40上制作绝缘层22；结合图4，其中所述绝缘层22包括第一子部221和第二子部222；所述第一子部221与预设区域301的位置对应；在一实施方式中，该预设区域比如为绝缘层22需要开孔或者透明导电层50需要剥离的区域。
S202、在所述绝缘层上制作光阻层，对所述光阻层进行图案化处理，以在与所述第一子部对应的位置形成光阻部。
例如，结合图4，在所述绝缘层22上制作整层光阻层，对所述光阻层进行图案化处理，以在与所述第一子部221对应的位置形成光阻部23。
S203、在所述光阻部和所述第二子部上涂布前体溶液；
结合图5，在所述光阻部23和所述第二子部222上涂布前体溶液24。所述前体溶液24的涂布方式包括但不限于旋涂和刮涂。所述前体溶液可包括乙二醇和金属盐。其中所述金属盐中的金属元素可包括Ni、Co、Fe、Mn中的至少一种。
S204、采用激光对所述光阻部上的前体溶液进行照射，以使该前体溶液发生反应形成三维纳米结构。
结合图6，采用激光对所述光阻部23上的前体溶液进行照射，以使该前体溶液发生反应形成三维纳米结构241。所述三维纳米结构241具有孔洞结构。
该前体溶液具体反应过程如下式：
2HO(CH2)2OH→2C2H4O+2H2O；
2C2H4O+M2+→C4H6O2+M+H2O；
其中M包括Ni、Co、Fe、Mn中的至少一种。该反应式同样适用于上一实施例。
S205、在所述三维纳米结构和所述第二子部上制作透明导电层；
结合图7，例如，在所述三维纳米结构241和所述第二子部222上制作透明导电层50。
S206、在所述三维纳米结构对应的透明导电层上喷洒剥离液，以将所述光阻部和所述光阻部上的透明导电层去除。
例如，结合图8，在所述三维纳米结构241对应的透明导电层上喷洒剥离液，以将所述光阻部23和所述光阻部23上的透明导电层去除，也即将预设区域以外的透明导电层保留。比如将与像素电极和存储电容对应区域的透明导电层50保留，最终的结构如图10所示。
由于通过在光阻部上形成三维纳米结构，因此在沉积透明导电层时，由于三维纳米结构的结构特性会使透明导电层无法完全覆盖光阻部，也即两者之间的接触面具有缝隙或者缺口，从而便于剥离液的渗入，从而可快速和彻底地实现透明导电层的剥离，提高了剥离效果和剥离效率。
本发明的显示面板的制作方法，通过在衬底基板上制作绝缘层；其中所述绝缘层包括第一子部和第二子部；在所述第一子部上制作光阻部；在所述光阻部上形成三维纳米结构；在所述三维纳米结构和所述第二子部上制作功能层；在所述三维纳米结构对应的功能层上喷洒剥离液，以将所述光阻部和所述光阻部上的功能层去除；由于三维纳米结构的结构特性会使功能层无法完全覆盖光阻部，也即两者之间的接触面具有缝隙或者缺口，从而便于剥离液的渗入，增大了剥离液和光阻部之间的接触面积，从而可快速和彻底地对功能层进行剥离，提高了剥离效果和剥离效率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，
在衬底基板上制作绝缘层；其中所述绝缘层包括第一子部和第二子部；所述第一子部与预设区域的位置对应；
在所述第一子部上制作光阻部；
在所述光阻部上形成三维纳米结构；
在所述三维纳米结构和所述第二子部上制作功能层；
在所述三维纳米结构对应的功能层上喷洒剥离液，以将所述光阻部和所述光阻部上的功能层去除；
所述三维纳米结构的厚度位于预设范围内，并使所述功能层不能完全覆盖所述光阻部。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述光阻部上形成三维纳米结构的步骤包括：
在所述光阻部和所述第二子部上涂布前体溶液；
采用激光对所述光阻部上的前体溶液进行照射，以使该前体溶液发生反应形成三维纳米结构。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述三维纳米结构包括Ni三维纳米结构、Co三维纳米结构、Fe三维纳米结构以及Mn三维纳米结构中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述前体溶液包括乙二醇和金属盐。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述金属盐中的金属元素包括Ni、Co、Fe、Mn中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述三维纳米结构具有孔洞结构。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一子部上制作光阻部的步骤包括：
在所述绝缘层上制作光阻层，对所述光阻层进行图案化处理，以在与所述第一子部对应的位置形成光阻部。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述功能层包括透明导电层。
9.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述前体溶液的涂布方式包括旋涂和刮涂。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |