CN112467018A - mini-LED/micro-LED面光源及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种mini‑LED/micro‑LED面光源及其制造方法，面光源包括面光源电路板、金属反射层及LED芯片，面光源电路板包括透光基板、形成在透光基板上的透明线路与控制电路，透明线路包括位于芯片阵列区内的焊盘阵列;金属反射层形成于焊盘阵列上，以形成辨识点;LED芯片基于辨识点使LED芯片能对准芯片阵列区并接合于所述金属反射层。本发明具有以光学辨识帮助mini‑LED/micro‑LED产品的芯片准确安装在面光源电路板上的效果。在优选示例中，配合DBR反射层，面光源电路板在芯片阵列区外不需要设计任何供芯片安装的对位标记，LED芯片覆盖金属反射层，DBR反射层覆盖面光源电路板除了芯片阵列区之外的其余区域，面光源电路板能具有99%以上的反射率。
Description
技术领域
本发明涉及显示器光源的技术领域，尤其是涉及一种mini-LED/micro-LED面光源及其制造方法。
背景技术
在显示器领域中，不同于LED封装结构的点光源，面光源由早期的侧入背光到目前的mini-LED/micro-LED直下发光，需要在一电路板上安装越来越多的LED芯片。传统的mini-led电路基板中，使用FPC排线或者是BT基板，BT基板具体是双面铜箔基板，其表面做白油开窗和覆盖膜，通常反射率只有80%，亮度无法再提高。就目前的工艺能力，基板上覆盖膜对位精度最小0.5mm,经研究在单位尺寸内，开窗越小，灯板的亮度越高，但芯片安装制程窗越小，精度要求越高。在制造上，基板仍需要设计对位标记，以安装芯片，对位标记会影响或干扰反射率。此外，在使用时，基板容易吸光发热，基板与基板上安装的LED芯片都会处于相对较高的运作温度，影响整体显示器产品的使用寿命。此外，为了省略巨量安装LED芯片在电路基板上的工艺，有人尝试提出将芯片发光结构整合在电路基板中的技术。
在LED阵列显示基板的材料改进上，中国发明专利申请公布号CN102437170A公开一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、蓝色LED发光单元共同集成在同一块基片上，通过蓝光激发荧光粉实现白色发光，再利用彩膜技术以实现蓝光激发的TFT-LED阵列显示。在每个隔离出来的发光阵列单元上通过集成两个TFT与一个电容器作为该发光单元的控制电路。采用大面积的整块蓝宝石单晶作为基片衬底。故LED发光单元中GaN层与蓝光LED发光层构成的多量子阱结构也是以半导体集成工艺集成在基片衬底上，制造上没有芯片安装的步骤。相关技术应当考虑到工艺复杂度与实际组装上的情况，目前半导体集成工艺主流最高是使用12寸圆形晶圆，显示器尺寸可以扩大到55寸、甚至75寸的矩形面板，包含手机显示屏的显示器装置都是矩形设计，两者尺寸不对应，手机显示屏的尺寸远远大于LED芯片尺寸，即使手机显示屏尺寸可能小于晶圆尺寸，晶圆若以显示器面光源的尺寸裁切将会产生大量畸零块余角的浪费，实际推行上不符期待。将LED发光层整合于阵列基板的相关技术亦可见于CN110797384A，虽然可以避免安装芯片时产生的对位偏差问题，但是在半导体集成工艺中占用过多无效区域且制程载板尺寸难以与显示器面光源尺寸相对应。
申请人在制程工艺中需要芯片安装步骤(基板衬底不整合LED发光单元)的直下式mini-LED/micro-LED面光源的技术发展路线上持续研究，已提出以下专利:CN111446354A、CN111338126A、CN111352274A、CN111308781A、CN111258115A。在mini-LED/micro-LED面光源中，如何准确安装LED芯片与提高阵列基板的反射率是持续研发项目的主要课题之一，当LED芯片的尺寸越小(数百微米等级以下)或/与芯片之间间隔排列越密集，芯片安装的精度要求就越高，相对的基板上也就越来越难配置可供光学辨识的对位标记。
发明内容
本发明的主要目的一是提供一种mini-LED/micro-LED面光源，主要进步在于针对基板衬底不整合LED发光单元的架构中解决LED芯片安装的对位标记对造成阵列基板的反射率干扰的问题。
本发明的主要目的二是提供一种mini-LED/micro-LED面光源的制造方法，用以实现一种具有良好反射率效能的面光源，制造上易于LED芯片对位接合，并且使用时不发热，发光效率高。
本发明的主要目的一是通过以下技术方案得以实现的：
提出一种mini-LED/micro-LED面光源，包括：面光源电路板、金属反射层及LED芯片，面光源电路板包括透光基板、形成在透光基板上的透明线路与控制电路，透明线路包括位于芯片阵列区内的焊盘阵列;金属反射层形成于焊盘阵列上，以形成辨识点;基于辨识点使LED芯片能对准芯片阵列区并接合于所述金属反射层。
通过采用上述技术方案，利用金属反射层形成于焊盘阵列上作为辨识点，基于辨识点使LED芯片能对准芯片阵列区并接合于所述金属反射层，以光学辨识帮助mini-LED/micro-LED产品的芯片准确安装在面光源电路板上，在芯片阵列区外可以不需要设计安装芯片的对位标记，以提高面光源阵列基板的反射率。此外，透光基板与透明线路的组合能避免面光源运作时的吸光发热。
本发明在较佳示例中可以进一步配置为：面光源还包括:位于所述芯片阵列区周边的DBR反射层，所述DBR反射层除了在所述芯片阵列区的开窗全面覆盖所述面光源电路板，作为所述面光源电路板的表面层，以覆盖所述透明线路。
可以通过采用上述优选技术特点，利用DBR反射层作为所述面光源电路板的表面层，以覆盖所述透明线路，避免透明线路的反射干扰。
本发明在较佳示例中可以进一步配置为：所述DBR反射层的形成图案是基于所述辨识点进行定位;或者，所述辨识点的形成是基于所述DBR反射层的开窗。
通过采用上述优选技术特点，利用DBR反射层的空白区覆盖与金属反射层形成的辨识点的形成顺序变化，能相互定位或图案互补形成。
本发明在较佳示例中可以进一步配置为：所述LED芯片覆盖(footprint)所述金属反射层，所述面光源电路板具有99%以上的反射率。
通过采用上述优选技术特点，利用LED芯片覆盖金属反射层与上述图案互补的特点组合，面光源电路板在LED芯片外的表面层皆是DBR反射层，LED光源未射入透光基板前即全反射弹回，面光源电路板具有99%以上的反射率。其中“覆盖”表示所述金属反射层的全部被位于上方的所述LED芯片遮盖。
本发明在较佳示例中可以进一步配置为：所述透明线路与所述控制电路采用MOCVD气相沉积或溅射方式形成;所述金属反射层具体是镍金层，所述透明线路具体是ITO/纳米银的导电层，所述控制电路包括TFT晶体管、Clc电容器与Cs电容，所述透光基板的材质采用蓝宝石（AL2O3）或LTPS玻璃。所述控制电路使用的Clc电容器与Cs电容主要是实现以扫描的方式，提前给pixel的单个DOT充电，避免造成因为扫描时电流不够，导致LED灯珠不亮，或亮度不均匀而导致拖影现象。
通过采用上述优选技术特点，利用透明线路与控制电路的MOCVD气相沉积或溅射方式形成，以集成主动式微小电子器件在透光基板内，透光基板能以半导体IC制程实施，不需要整合LED芯片的III-V族量子阱半导体光电制程;另利用金属反射层、透明线路、透光基板的具体材质选用以及控制电路具体包括的结构，示例的具体化实现所述面光源的面光源电路板。
本发明在较佳示例中可以进一步配置为：所述控制电路以主动式扫描方式一对一控制所述LED芯片内的发光单元，以实现局部调光;具体的，所述控制电路隐藏式设置在所述芯片阵列区内并位于所述金属反射层下。
通过采用上述优选技术特点，利用控制电路以主动式扫描方式一对一控制所述LED芯片内的发光单元，实现面光源的局部调光，包括发光强度与光色;另利用控制电路的隐藏设置，控制电路与金属反射层的阵列块为纵向一对一对应，使透光基板在芯片安装区之外与之间的部位有更好透光性。
本发明的主要目的二是提出如上所述任意组合可行技术方案的一种mini-LED/micro-LED面光源的制造方法，在安装所述LED芯片时，利用覆晶或封装接合方式将所述LED芯片焊接至所述金属反射层。针对芯片尺寸，LED芯片之间的间隙大小可以利用所述面光源电路板重新布局设计，有利于光源能均匀的面发光。
本发明的主要目的三是提出一种显示屏装置，采用如上所述任意组合可行技术方案的一种mini-LED/micro-LED面光源，所述面光源电路板的尺寸实质对应于所述显示屏装置的显示区域，具有高度的光反射率，所述显示屏装置具有高效率的发光效能，低光耗即能实现显示器的省电节能与低发热。
本发明的主要目的四是通过以下技术方案得以实现的：
提出一种mini-LED/micro-LED面光源的制造方法，包括:
制备面光源电路板,包括在透光基板上形成透明线路与控制电路，所述透明线路包括位于芯片阵列区内的焊盘阵列;
在所述焊盘阵列上形成金属反射层，以形成辨识点;
在所述面光源电路板上安装LED芯片,所述LED芯片基于所述辨识点使所述LED芯片能对准所述芯片阵列区并接合于所述金属反射层上。
通过采用上述技术方案，利用焊盘阵列上形成的金属反射层作为光学辨识点，省略外部对位标记实现LED芯片对阵列基板的准确安装。
本发明在较佳示例中可以进一步配置为：
制造方法还包括:在安装所述LED芯片之前,在所述面光源电路板上形成位于所述芯片阵列区周边的DBR反射层，所述DBR反射层除了在所述芯片阵列区的开窗全面覆盖所述面光源电路板，作为所述面光源电路板的表面层，以覆盖所述透明线路;
具体的，所述DBR反射层的形成是在所述金属反射层形成之后，所述DBR反射层的形成图案是基于所述辨识点进行定位;或者，所述DBR反射层的形成是在所述金属反射层形成之前，所述辨识点的形成是基于所述DBR反射层的开窗;
具体的，所述LED芯片覆盖所述金属反射层，所述面光源电路板具有99%以上的反射率;
具体的，所述透明线路与所述控制电路采用MOCVD气相沉积或溅射方式形成;所述金属反射层具体是镍金层，所述透明线路具体是ITO/纳米银的导电层，所述控制电路包括TFT晶体管、Clc电容器与Cs电容，所述透光基板的材质采用蓝宝石（AL2O3）或LTPS玻璃;
具体的，所述控制电路以主动式扫描方式一对一控制所述LED芯片内的发光单元，以实现局部调光;具体的，所述控制电路隐藏式设置在所述芯片阵列区内并位于所述金属反射层下。
综上所述，本发明的技术方案能对现有技术作出贡献并解决以下至少一种的技术问题：
1.现有技术需要芯片安装工艺的面光源选用阵列基板材料为FPC排线或是BT基板，整体反射率只能达到80%，并且产生过高温度导致容易黄变的问题；
2.解决传统做法中芯片安装区内的白油开窗的大小受限制，对位公差也受限制，不能做到μm级别，并且线路与焊盘同色或者两者之间不足以产生光学辨识的差别色，不能直接作为芯片安装的对位标记的技术难题；
3.针对需要芯片安装步骤的直下式mini-LED/micro-LED面光源，解决LED芯片安装偏差以及安装后芯片之间的反射光损耗。
附图说明
图1绘示本发明一些较佳实施例的一种mini-LED/micro-LED面光源的发光面示意图；
图2绘示本发明一些较佳实施例中面光源在分离LED芯片的局部截面示意图；
图3绘示本发明一些较佳实施例中面光源在LED芯片发光状态的局部截面示意图;
图4绘示本发明一些较佳实施例中面光源电路板的芯片安装面示意图与局部放大图;
图5绘示本发明一些较佳实施例中面光源的控制电路示意图;
图6绘示本发明一些较佳实施例的一种mini-LED/micro-LED面光源的制造方法的流程示意图。
附图标记: 10、面光源电路板; 11、透光基板; 12、透明线路; 13、控制电路; 14、芯片阵列区; 15、开窗凹槽; 20、金属反射层;30、LED芯片;40、DBR反射层; 51、TFT晶体管;52、Cs电容;53、Clc电容器; 60、显示器边框; 71、量子点膜; 72、分光膜; 73、增光膜。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是作为理解本发明的发明构思一部分实施例，而不能代表全部的实施例，也不作唯一实施例的解释。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在理解本发明的发明构思前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围内。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。为了更方便理解本发明的技术方案,以下将本发明的mini-LED/micro-LED面光源及其制造方法做进一步详细描述与解释，但不作为本发明限定的保护范围。
附图所示仅仅是绘示多个实施例具有共性的部分，具有差异或区别的部分另以文字方式描述或是与图面对比的方式呈现。因此，应当基于产业特性与技术本质，熟知本领域的技术人员应正确且合理的理解与判断以下所述的个别技术特征或其任意多个的组合是否能够表征到同一实施例，或者是多个技术本质互斥的技术特征仅能分别表征到不同变化实施例。
参照图1，绘示一种mini-LED/micro-LED面光源的发光面示意图。使用于显示屏装置的应用上，面光源电路板10设置在显示器边框60内，面光源电路板10上配置有若干个阵列排列的LED芯片30，LED芯片30的安装面为面光源电路板10的芯片阵列区14(如图4所示)。所述面光源电路板10的尺寸示例中实质对应于所述显示屏装置的显示区域，基于面光源电路板10的特定结构能具有高度的光反射率，故所述显示屏装置具有高效率的发光效能，低光耗即能实现显示器的省电节能与低发热。在本示例中，面光源电路板10是作为mini-LED背光模组的电路板，显示器边框60为背光模组的底座。面光源电路板10在LED芯片30的安装区域之外具体形成有DBR反射层40。面光源还可以包括的DBR反射层40位于芯片阵列区周边，所述DBR反射层40除了在所述芯片阵列区的开窗全面覆盖所述面光源电路板，作为所述面光源电路板10的表面层，以覆盖所述透明线路。利用DBR反射层40作为所述面光源电路板10的表面层，以覆盖所述透明线路，避免透明线路的反射干扰。在不同变化示例中，面光源电路板10之间还能通过COF方式连接做驱动显示。
图2绘示一些较佳实施例中面光源在分离LED芯片的局部截面示意图；图3绘示本发明一些较佳实施例中面光源在LED芯片发光状态的局部截面示意图。mini-LED/micro-LED面光源主要包括面光源电路板10、金属反射层20及LED芯片30，面光源电路板10包括透光基板11、形成在透光基板11上的透明线路12与控制电路13，透明线路13包括位于芯片阵列区内的焊盘阵列，一种具体的尺寸与位置可对应如图4所示的金属反射层20。
参阅图4，面光源电路板10划分有多个芯片阵列区14，金属反射层20形成于芯片阵列区14内，即如图3所示形成于透明线路13的焊盘阵列上，能够形成在安装芯片时光学辨识点。对照图1与图4，基于所述辨识点，LED芯片30能对准芯片阵列区14并接合于所述金属反射层。
本实施例的实施原理为，利用金属反射层20形成于焊盘阵列上作为辨识点，基于辨识点使LED芯片30能对准芯片阵列区14并接合于所述金属反射层20，以光学辨识帮助mini-LED/micro-LED产品的芯片准确安装在面光源电路板10上，在芯片阵列区14外可以不需要设计安装芯片的对位标记，以提高面光源阵列基板的反射率。此外，透光基板11与透明线路12的组合能避免面光源运作时的吸光发热。
关于透光基板11的具体示例，所述透光基板11的材质采用蓝宝石（AL2O3）或LTPS玻璃，能采用半导体工艺在基板上制作线路与控制器件。关于透明线路12与控制电路13的具体示例，所述透明线路12与所述控制电路13采用MOCVD气相沉积或溅射方式形成;所述金属反射层20具体是镍金层，所述透明线路12具体是ITO/纳米银的导电层;参阅图5，所述控制电路13包括TFT晶体管51、Clc电容53与CS电容52。利用透明线路12与控制电路13的MOCVD气相沉积或溅射方式形成，以集成主动式微小电子器件在透光基板11内，透光基板11能以半导体IC制程实施，不需要整合LED芯片30的III-V族量子阱半导体光电制程;另利用金属反射层20、透明线路12、透光基板11的具体材质选用以及控制电路13具体包括的结构，示例的具体化实现所述面光源的面光源电路板10。
参阅图5，控制电路13的TFT晶体管51属于一种半导体工艺的MOS管，具有开关管作用，作为LED光源单元的电压性器件。TFT晶体管51具有栅极G、漏极D与源极S，栅极G是连接图5中作为扫描线作用的横向透明线路12，以控制TFT晶体管51的开关;源极S作为资料写入极，连接图5中作为资料线作用的竖向透明线路12; 漏极D是接地作用，作为公共极。在具体示例中，TFT晶体管51的漏极D透过Clc电容53(滤波电路)连接至Common，成为共漏极;还通过Cs电容52(串联电容)连接到前一顺次的扫描线;还更具体地，还通过Cgd电容(寄生电容)连接至当顺次的扫描线。因此，能实现控制电路13主动式扫描。
在较佳示例中，所述控制电路13以主动式扫描方式一对一控制所述LED芯片30内的发光单元，以实现局部调光;具体的，如图3所示，所述控制电路13隐藏式设置在所述芯片阵列区14内并位于所述金属反射层20下。利用控制电路13以主动式扫描方式一对一控制所述LED芯片30内的发光单元，实现面光源的局部调光，包括发光强度与光色;另利用控制电路13的隐藏设置，控制电路13与金属反射层20的阵列块为纵向一对一对应，使透光基板11在芯片安装区之外与之间的部位有更好透光性。其中，当每一LED芯片30只有一个发光单元，控制电路13与LED芯片30即是一对一控制对应;当LED芯片30预先模组化具有多个发光单元，控制电路13与LED芯片30便是多对一控制对应，用于对LED芯片30的发光单元发挥亮/灭功能。
关于DBR反射层40的具体示例，DBR反射层40是A/B或是B/A交替排列的叠层组合，其中A层的材质具体可为二氧化钛(TiO2)，B层的材质具体可为二氧化硅(SiO2)。其中，DBR（distributed Bragg reflection ）又叫分布式布拉格反射镜，是由两种不同折射率的材料（SIO2+TIO2）以ABAB的方式交替排列组成的周期结构，每层材料的光学厚度为中心反射波长的1/4。因此是一种四分之一波长多层系统，相当于简单的一组光子晶体。由于频率落在能隙范围内的电磁波无法穿透，本示例中的布拉格反射镜在面光源电路板10的应用使其反射率可达99%以上。在一般用于提升LED亮度方面，DBR反射层40没有金属反射镜的光能吸收问题，又可以透过改变材料，折射率或厚度来调整能隙位置。
在较佳示例中，所述DBR反射层40的形成图案是基于所述辨识点进行定位;或者，在其它示例中，所述辨识点的形成是基于所述DBR反射层40的开窗。利用DBR反射层40的空白区覆盖与金属反射层20形成的辨识点的形成顺序变化，能相互定位或图案互补形成。
优选示例中，再如图5所示，在芯片阵列区14之间的间隔延伸方向同向延伸的透明线路12位于芯片阵列区14内或紧贴芯片阵列区14的边缘，使芯片阵列区14之间的间隔不会被透明线路12遮挡。请再参阅图2与图3，透光基板11在芯片阵列区14之间的间隔形成开窗凹槽15，DBR反射层40可填入开窗凹槽15内，故DBR反射层40能以例如蒸镀方式在开窗凹槽15内形成不同厚度，起到全反射的作用。
因此，面光源电路板10首先具体可以是一种用蓝宝石或（LTPS）玻璃基板制作的透明基板，然后用ITO制作透明线路，并蚀刻出TFT晶体管和储能电容和电阻，使后续工序中安装的LED芯片可以实现AM主动式控制。
在较佳示例中，所述LED芯片30覆盖(footprint)所述金属反射层20，所述面光源电路板10具有99%以上的反射率。利用LED芯片30覆盖金属反射层20与上述图案互补的特点组合，面光源电路板10在LED芯片30外的表面层皆是DBR反射层40，LED光源未射入透光基板11前即全反射弹回，面光源电路板10具有99%以上的反射率。LED芯片30可以是LED芯片的裸芯片，也可以是芯片封装结构; LED芯片30可以包括一个发光单元，也可以预先组成多个发光单元。在mini-LED应用时，所有的LED芯片30都是单一光色的光源，参阅图2与图3，在安装后LED芯片30上方还安装有量子点膜71、分光膜72与多个增光膜73，以组成mini-LED背光模组。不同示例中，在Micro-LED应用时，所有的LED芯片30是三原色光的发光单元搭配组合，每一个三原色光的发光单元搭配组合代表一个画素，可以整合在同一LED芯片，也可以由多个LED芯片组成。
更具体地，所述LED芯片30的电极端是利用焊料焊接或共晶接合到所述金属反射层20，芯片与电路板的结合方式包括巨量转印或模组转印的接合技术或是COG技术，具体示例中可以排除金线的使用。若LED芯片30的尺寸够大，还可以使用SMT工艺接合到所述面光源电路板10。
此外，本发明另一些实施例另提出对应上述mini-LED/micro-LED面光源的mini-LED/micro-LED面光源的制造方法。利用焊盘阵列上形成的金属反射层20作为光学辨识点，省略外部对位标记实现LED芯片30对阵列基板的准确安装。
参阅图6，本发明一些较佳实施例提供的一种mini-LED/micro-LED面光源的制造方法包括:
步骤S1: 制备面光源电路板;配合参阅图2与图4，面光源电路板10包括在透光基板11上形成透明线路12与控制电路13，所述透明线路12包括位于芯片阵列区14内的焊盘阵列;
步骤S2: 在电路板上形成位于芯片阵列区周边的DBR反射层; 配合参阅图2与图4，DBR反射层40优选是覆盖了所述面光源电路板10除了安装LED芯片30之外的其余区域;
步骤S3: 电路板的芯片阵列区内形成金属反射层，以形成辨识点; 配合参阅图2与图4，在所述焊盘阵列上形成金属反射层20，以形成辨识点;
步骤S4: 基于辨识点安装LED芯片,以接合于金属反射层上;其中步骤S2与S3基于工艺需要可以选置互换。配合参阅图1与图3，在所述面光源电路板10上安装LED芯片30,所述LED芯片30基于所述辨识点使所述LED芯片30能对准所述芯片阵列区14并接合于所述金属反射层20上。
本实施例的实施原理为：在安装所述LED芯片30时，利用覆晶或封装接合方式将所述LED芯片30焊接至所述金属反射层20。针对芯片尺寸，LED芯片30之间的间隙大小可以利用所述面光源电路板10重新布局设计，有利于光源能均匀的面发光。
本具体实施方式的实施例均作为方便理解或实施本发明技术方案的较佳实施例，并非依此限制本发明的保护范围，凡依本发明的结构、形状、原理所做的等效变化，均应被涵盖于本发明的请求保护范围内。
Claims (10)
1.一种mini-LED/micro-LED面光源，其特征在于，包括：
面光源电路板，包括透光基板、形成在所述透光基板上的透明线路与控制电路，所述透明线路包括位于芯片阵列区内的焊盘阵列;
金属反射层，形成于所述焊盘阵列上，以形成辨识点;
LED芯片，基于所述辨识点使所述LED芯片能对准所述芯片阵列区并接合于所述金属反射层上。
2.根据权利要求1所述的mini-LED/micro-LED面光源，其特征在于，还包括:位于所述芯片阵列区周边的DBR反射层，所述DBR反射层除了在所述芯片阵列区的开窗全面覆盖所述面光源电路板，作为所述面光源电路板的表面层，以覆盖所述透明线路。
3.根据权利要求2所述的mini-LED/micro-LED面光源，其特征在于，所述DBR反射层的形成图案是基于所述辨识点进行定位;或者，所述辨识点的形成是基于所述DBR反射层的开窗。
4.根据权利要求3所述的mini-LED/micro-LED面光源，其特征在于，所述LED芯片覆盖所述金属反射层，所述面光源电路板具有99%以上的反射率。
5.根据权利要求1所述的mini-LED/micro-LED面光源，其特征在于，所述透明线路与所述控制电路采用MOCVD气相沉积或溅射方式形成;所述金属反射层具体是镍金层，所述透明线路具体是ITO/纳米银的导电层，所述控制电路包括TFT晶体管、Clc电容器与Cs电容，所述透光基板的材质采用蓝宝石（AL2O3）或LTPS玻璃。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的mini-LED/micro-LED面光源，其特征在于，所述控制电路以主动式扫描方式一对一控制所述LED芯片内的发光单元，以实现局部调光;具体的，所述控制电路隐藏式设置在所述芯片阵列区内并位于所述金属反射层下;
优选地，所述透光基板在所述芯片阵列区之间的间隔形成开窗凹槽，所述DBR反射层填入所述开窗凹槽内。
7.一种mini-LED/micro-LED面光源的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1-6中任一项所述的一种mini-LED/micro-LED面光源，在安装所述LED芯片时，利用覆晶或封装接合方式将所述LED芯片焊接至所述金属反射层。
8.一种显示屏装置，其特征在于，如权利要求1-6中任一项所述的一种mini-LED/micro-LED面光源，所述面光源电路板的尺寸实质对应于所述显示屏装置的显示区域。
9.一种mini-LED/micro-LED面光源的制造方法，其特征在于，包括：
制备面光源电路板,包括在透光基板上形成透明线路与控制电路，所述透明线路包括位于芯片阵列区内的焊盘阵列;
在所述焊盘阵列上形成金属反射层，以形成辨识点;
在所述面光源电路板上安装LED芯片,所述LED芯片基于所述辨识点使所述LED芯片能对准所述芯片阵列区并接合于所述金属反射层上。
10.根据权利要求9所述的mini-LED/micro-LED面光源的制造方法，其特征在于，还包括:在安装所述LED芯片之前,在所述面光源电路板上形成位于所述芯片阵列区周边的DBR反射层，所述DBR反射层除了在所述芯片阵列区的开窗全面覆盖所述面光源电路板，作为所述面光源电路板的表面层，以覆盖所述透明线路;
优选的，所述DBR反射层的形成是在所述金属反射层形成之后，所述DBR反射层的形成图案是基于所述辨识点进行定位;或者，所述DBR反射层的形成是在所述金属反射层形成之前，所述辨识点的形成是基于所述DBR反射层的开窗;
优选的，所述LED芯片覆盖所述金属反射层，所述面光源电路板具有99%以上的反射率;
优选的，所述透明线路与所述控制电路采用MOCVD气相沉积或溅射方式形成;所述金属反射层具体是镍金层，所述透明线路具体是ITO/纳米银的导电层，所述控制电路包括TFT晶体管、Clc电容器与Cs电容，所述透光基板的材质采用蓝宝石（AL2O3）或LTPS玻璃;
优选的，所述控制电路以主动式扫描方式一对一控制所述LED芯片内的发光单元，以实现局部调光;具体的，所述控制电路隐藏式设置在所述芯片阵列区内并位于所述金属反射层下。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |